JP4014565B2 - レーザ波長および共振器光路長の直交同調を伴う外部共振器レーザ装置 - Google Patents

レーザ波長および共振器光路長の直交同調を伴う外部共振器レーザ装置 Download PDF

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Description

本発明は、波長またはチャネルの選択が外部共振器光路長の調整とは独立して行われる外部共振器レーザ装置および方法に関する。
光ファイバーによるテレコミュニケーションは、帯域幅の拡大に対するデマンドに常に対応している。帯域幅の拡大を達成する1つの方法として、高密度波長分割多重(DWDM)が挙げられ、これは、複数の別々のデータ・ストリームが同時に単一の光ファイバに存在し、各データ・ストリームの変調が別々のチャネルで生じる。各データ・ストリームは、特定のチャネル波長で運転される対応する半導体トランスミッタ・レーザーの出力ビーム上に変調される。また、半導体レーザからの変調された出力は、それぞれのチャネルの送信のために1つの光ファイバ上に統合される。国際電気通信連合(ITU)は、現在約0.4ナノメートル、即ち約50GHzのチャネルセパレーションを定めている。このチャネルセパレーションに依れば、現在利用可能なファイバおよびファイバ・アンプの帯域幅の範囲内において、1つの光ファイバによって128までのチャネルを伝搬する事が可能である。ファイバ技術における改良と、より広い帯域幅へと常に増加するデマンドによって、将来的にはチャネルセパレーションがより狭くなる事が予想される。
特許第3197869号明細書 特開平11−289118公報 特開平7−335965公報 特開平8−18167公報
帯域幅をより拡大する最近の動向により、狭隘な伝達チャネル間隔に従って注意深い調整および校正が要求される精密で波長を特定したDWDM装置が使用される。連続波長可変レーザが、精巧な装置の試験および測定を支援するために開発されている。この種の波長可変レーザは、精密WDMの構成要素の特徴づけにおいて使用可能なレーザ出力中の調整可能な波長掃引を生じさせるために、通常は外部共振器内の枢動的に調整可能な格子のような同調部材を利用する。
このような波長可変レーザで生じ得る問題の1つとして、レーザ周波数が異なる縦モードに不連続的に変化する「モード・ホッピング」が挙げられる。テレコミュニケーション・トランスミッタとして使用された時、これらのモード・ホッピングは変調されたデータ・ストリーム中の送信エラーを引き起こすであろう。波長可変レーザの設計のために採られる1つのアプローチとして、比較的長い共振器で、細かいモード間隔を使用し、レーザを「準連続的な」方法で同調し、モード・ホッピングが、細かく離間したモード間で発生するという方法がある。この設計の特徴は、運転波長が変更される時にモード・ホッピングが生ずると言う事である。モードそれ自体は制御されず、従って、運転波長を正確にモード・ホッピングの間隔内に同調させることが出来ない。
波長可変レーザに対する別のアプローチは「モードホップフリー」レーザであり、同期中に同一の縦モードにおけるレーザ運転を維持するために、共振器長さが、波長同調メカニズムと同期して変化する。このアプローチは、可能性としては、モード・ホッピングの問題を回避し、全ての波長に同調することが出来るが、調整が同期していなければいけないので、この設計の実施は困難である。
最近のリコンフィギュラブルな光学ネットワーク・アーキテクチャの使用の増加が、同調可能な外部共振器レーザを光通信トランスミッタとして使用する事に結び付いている。一般に、テレコミュニケーション用に使用される同調可能な外部共振器レーザは、試験および計測用に使用される波長可変レーザと同様の様態に構成されており、レーザ波長の出力におけるモードホップフリー同調を実現するために、格子の同調を外部共振器の同調と結び付ける。
しかしながら、この種のモードホップフリー同調は、高帯域DWDMシステムに要求されるような狭隘な間隔の送信帯への安定した同調のためには最適では無いという事が知られている。モードホップフリー同調は、実施するのが多くの場合困難であり、格子および光学共振器長さを同調するための特定の回転/並進の関係を提供する特定の、または「魔法の」枢着点を特定するのに多大な時間を要する。
より詳細には、モードホップフリー同調の設計目標は、縦モードの波長を決定する共振器の有効共振器長さの変化、および従って運転における正確な波長と、レーザの多数の縦モードのうちの1つを選択する波長選択フィルタとを結び付けることである。共振器長さおよび波長フィルタリングの間の結び付きが正確でない場合、結び付きが全く無い場合よりは少数の点ではあるものの、モード・ホッピングが同調曲線に沿って生じ得る。より詳細には、共振器モードと波長フィルタとの結び付きは、この変化を運転時の共振器長さおよび波長に直接結び付ける事無く、波長フィルタを調節することを排除する。モードホップフリーのアーキテクチャは、試験および計測用のレーザに対しては好適な設計の選択であり得るが、必ずしも可変波長DWDM送信源に対する最適の設計の選択では無い。
同調された時、DWDMトランスミッタは運転時の当初の波長で発光を停止し、次に、第2の、正確に画定された波長において発光を再開しなければならない。一般的に、同調されたチャネルと他の送信チャネルの間のクロストークを引き起こすので、任意の他の波長における発光をシステムに送信する事が出来ない。同調のための1つの方法は、目標波長に直接レーザをモード・ホッピングさせることである。レーザの電源を落とし、遮断し、フィルタリングし、または同調の際に他の波長を回避して同調する事はより実際的であり、これらの予防措置がシステムレベルで、またはソースで講じられて良い。これらの予防措置に際し、チャネル間のレーザの同調時の正確なモード・ホッピングの挙動は重要では無い。目標の波長が正確に達成されることが重要である。運転時の正確な波長を決定する有効共振器長さが正確に制御されなければならない。同調およびシステムへの送信が開始された後にのみ、ソースにおける振幅および周波数変動を引き起こすモード・ホッピングが回避されなければならない。
いくつかのDWDMシステムにおいて、許容範囲内のビット誤り率でシステム容量を最大限にするために、チャネル周波数が運転中に調節される。テレコミュニケーション・ソースは、広い温度範囲、通常は−5℃から70℃の範囲で運転されなければならず、有効共振器長さ、フィルタ特性およびレーザの一般的な状態に対するこの温度の影響が考慮されなければならない。熱的補償および精密同調の運転特性は類似しており、テレコミュニケーション・トランスミッタが共振器長さおよび波長フィルターエレメントの正確な制御を行う必要性に結び付く。これらの設計の要件を考慮すると、モードホップフリー同調のアプローチは、試験および計測に対して適用されるのと同様の利点を、DWDMソースに対する適用に際しては与えない。波長フィルターエレメントおよび共振器長さを独立に精密制御し、かつ大まかな同調の際のモード・ホッピングの挙動の回避に限定されない、DWDMアプリケーションのための波長可変レーザ源の必要性が存在する。
本発明は、波長またはチャネルの選択が外部共振器光路長の調整から独立して実行される外部共振器レーザシステムおよび方法を提供する。一般に、本発明は、波長またはチャネル・セレクタ同調器および外部共振器同調器を備える外部共振器レーザ装置であり、波長同調器は外部共振器同調器から分離されるか結び付いていないか、このような結び付きが最小限にされている。換言すれば、波長フィルタの波長通過帯域の同調の際の有効共振器長さに対する影響を最小限にし、有効共振器長さの調節の際の同調フィルタの通過帯域に対する影響を最小限にするために、波長選択および共振器光路長の同調のメカニズムは、相互に独立しているか、相互に直交するように構成される。
いくつかの実施形態において、第1同調器が、共振器経路長に対する影響を最小限にして同調フィルタの通過帯域に影響し、第2同調器が、同調フィルタの通過帯域に対する影響を最小限にして共振器経路長に影響するように、同調フィルタと共振器経路長は独立かつ直交に同調される。他の実施形態において、同調メカニズムが通過帯域および共振器経路長の両方に影響しても良いが、最終的な効果が、主として通過帯域の調節、あるいは主として共振器経路長の調節であるように、同調メカニズムが調整される。
より詳細には、第1同調器は同調フィルタの通過帯域および共振器経路長の両方に影響しても良く、その一方で、第2同調器は、通過帯域および共振器経路長のいずれかまたは両方に、しかし別々で同じで無い様態で影響しても良い。その後、共振器長への影響を最小限にして同調フィルタの通過帯域を調節する双方の同調器の統合的同調と、通過帯域への影響を最小限にして共振器長を調節する第2の統合的同調が存在する。2つの統合的同調は、「直交」している。
通過帯域の位置が第1のチャネル選択信号に従って作動して良く、共振器長同調器が第2の共振器モード調整信号によって作動して良い。チャネル選択信号は、コントローラによってアクセスされた調整パラメタ・データのルックアップテーブル、あるいは検出器から導出された誤差信号から導出されて良い。共振器モード調整信号は、ルックアップテーブルに格納された調整パラメタから、あるいは検出器からの誤差信号から導出されて良い。検出器は、外部共振器に関するゲイン領域の両端の電圧を測定するために位置し構成された検電器を備えて良い。他の実施形態において、検出器は、外部共振器からの出力を受信するために配置された光検知器を備えて良い。
ある実施形態において、本発明の外部共振器レーザは、第1および第2出力面を備え、光路に沿って第1出力面からのコヒーレントなビームを放射するゲイン媒体を備える。エンドミラーは光路に位置し、また、エンドミラーおよび第2出力面が、レーザの外部共振器を画定する。第2出力面からの出力が光ファイバへカップリングされても良い。チャネル・セレクタが、光路内の第2出力面およびエンドミラーの間に位置する。チャネル・セレクタは、共振器内のフィルタリングの通過帯域に影響する。また、チャネル・セレクタが同調メカニズムに操作可能なように接続される。
チャネル・セレクタは、スペーサ層によって分離された平行の反射表面を備えたエタロンを備えて良い。スペーサ層の光路長を変更する事によって、同調メカニズムがエタロン上で作動する。気体または液体によって充填されたエタロンについては、同調メカニズムは、圧電、熱、圧力、またはマイクロメカニカルなメカニズムを備えて良い。ニオブ酸リチウムまたは液晶のような電気光学物質によって充填されているエタロンについては、同調メカニズムは印加された電界を備えても良い。固体のエタロンについては、同調メカニズムが熱的または機械的であって良い。
他の実施形態において、チャネル・セレクタは、ゲイン領域からのどの波長がゲイン領域まで高効率で回折されるかを確定する表面格子を備えて良い。一般的に、フィルタの形は、高カップリング効率の波長の通過帯域によって包囲される最大カップリング効率の波長を含む。通過帯域の波長は、ビームが格子に衝突する角度を調節する事によって同調されても良い。ビームの中心と格子とが交差する位置に回転中心がある場合、通過帯域は、レーザ共振器の有効経路長の変化を最小にしつつ調節される。格子の平行移動によって、構成要素のビーム経路に沿った並進運動に比例した量に従ってレーザ共振器の有効経路長が変更される。並進運動の際の回転が最小限であれば、並進運動による通過帯域に対する影響は最小限となる。
格子は、格子状の2点に取り付けられたマイクロメカニカル・アクチュエータまたは圧電アクチュエータのような2つの機械的アクチュエータによって駆動されても良い。アクチュエータをこのように配置する事によって、個々のアクチュエータが、格子の並進運動および回転運動の両方に影響する。アクチュエータの影響はそれらの駆動の配位に従って直交して良い。格子の純回転を達成する両方のアクチュエータの第1比例操作、および格子の純並進運動を達成する両方のアクチュエータの第2比例操作が存在する。第1の純回転操作によって、共振器の光路長に対する影響を最小限にしつつフィルタリングの通過帯域が変更され、その一方で、第2の純並進操作によって、通過帯域に対する影響を最小限にしつつ共振器長を変更する。この方式において、格子に接続された2つのアクチュエータによる通過帯域および有効共振器長の直交または独立した調整が格子に対して行われる。アクチュエータの種類および配置は、発明の特定の使用に依存して変更されても良い。
ある実施形態において、1つの回転アクチュエータおよび1つの並進運動アクチュエータが、2つの並進運動アクチュエータの代替として使用されても良い。ビームと格子との間の角度の変化を達成するために、回転アクチュエータは、格子ではなくて、共振器内のビーム中で作動するミラーまたはレトロレフレクション・アセンブリ上で作動しても良い。同様に、液晶あるいは他の電気光学ビームステアリング・デバイスが、回転ミラーの代替として使用されても良い。また、レンズをビーム中に配置し、レンズの焦点面に空間光変調器を配置することによってこの回転が遂行されても良く、それぞれの角度がユニークな空間位置に写像される。液晶空間光変調器、マイクロメカニカルな「デジタル・マイクロミラー・デバイス」およびマイクロメカニカルな格子光弁が、レーザ共振器中に使用されても良い。
ある実施形態において、外部共振器同調器は、エンドミラーが取り付けられる熱膨張部材に熱を加えるように構成された熱電装置を含む共振器長アクチュエータを備えて良い。もしくは、外部共振器同調器は、エンドミラーの位置を動かすように構成された機械的またはマイクロメカニカルなアセンブリであっても良いし、あるいは、外部共振器に関する電気光学部材を備えても良く、電気光学部材は、電気光学部材への電圧の印加によって外部共振器の有効光路長を変えるように構成される。
本発明における外部共振器レーザの運転中に、チャネル・セレクタを同調することによって、外部共振器光路長の同調からは独立した、あるいは本質的に分離された波長強度フィルタリングが提供される。光路長は、運転の正確な波長を決定し、高度の波長精度および安定性を必要とするレーザの運転において注意深く制御されなければならない。チャネル・セレクタは、同調可能な強度フィルタとして動作し、どのレーザ・モードにおいて高強度のレーザ光線が発せられているかを選択する事によって、おおまかに波長を決定する。波長強度のフィルタリングと光路長が分離、または直交している事によって、そうで無い場合に起こり得るチャネル・セレクタに影響を与える振動、温度変動、構成要素の摩耗および他の要因によって生じ得る波長の変化が防止される。
より詳細に図面を参照して、説明の便宜上、本発明は図1〜図6に示される装置および方法で実施される。本願明細書において開示される基礎概念から逸脱する事無く、装置が構成に関して、および部品の詳細に関して変更され得、また、方法がその詳細およびイベントの順番に関して変更され得ることは言うまでも無い。本発明は、外部共振器レーザの使用に関して、主に開示される。しかし、本発明が他の種類のレーザおよび光学システムによって使用され得る事は、当業者にとって非常に明白である。また、本願明細書において用いられる用語は特定の実施形態を記載する目的のみのために使用されているのであって、制限することを目的としていない事が理解されるべきである。
定常状態のレーザ運転の基本・根本的な物理的な原理は、共振器内の光波の電界が、共振器内を往復動した後に、それ自身を再生するということである。共振器内を光が往復する時間よりもゆっくりとした時間でレーザが変調される場合にも、この条件が当てはまる。電界は、振幅と位相のような2つの実数で決められる複素数である。往復動の一貫性の条件は、振幅と位相の実数値を使って表現される2つの条件となる。光波の振幅は、共振器内を往復動した後に、それ自身を再生する。また、光波の位相は同様にそれ自身を再生する。
本発明は、往復動の位相への影響を最小化しつつ光波の往復動振幅のフィルタリングに影響し、往復動振幅のフィルタリングへの影響を最小化しつつ往復動の位相に別々に影響することが出来るレーザ装置を提供する。位相モジューロ2πが0である場合にのみ、往復位相はそれ自身を複製することができる。全往復位相が0である波長がレーザ・モードと呼ばれ、レーザが作動するただ一つの波長である。
往復位相は、往復光路長を光学ビームの波長で割ったものによって主として決定されるが、エンドミラー以外の光学系の表面からの散乱光と同様に振幅フィルタリングに常に関する小さな移相によってわずかに影響を受ける。共振器の光路長は、レーザ光線を発する波長の全往復位相を一般に意味する。オリジナルの経路長で割られた光路長の変化が、オリジナルの波長で割られた通過帯域の波長の変化の半分未満である場合、共振器内の振幅のフィルタリングの変更に起因する光路長に対する影響は最小である。拡散の振幅が光波の往復の全振幅に比べて小さい時、他の光学系の表面からの拡散の影響は最小になる。
往復振幅は、同調され得るレーザ・モードの相対強度に強く影響を及ぼす。一般に、レーザは、最も高い往復送信モードにおいて作動し、また、他のモードの往復送信が、レーザ光線を発するモードの往復送信の半分未満の場合、通常動作中のこれらの他のモードの強度は、通常はレーザ光線を発するモードの強度の1000分の1未満になる。この往復振幅フィルタリングは、ゲイン領域におけるゲインおよび全ての光学表面のスペクトル特性を含んでいる。従って、例えば、共振器に配置された光学フィルタがそれらの波長のうちの1つにおいて透過の極大を有していたとしても、ゲイン領域のゲイン・スペクトルの外部の波長の送信は無視出来るであろう。この考慮は、複数の透過ピークと複数の回折の階層を有する格子を有するエタロン・フィルタにとって特に適切である。所望される同調レンジをカバーする高送信通過帯域を有し、同調レンジから外れているレンジにおいて低送信帯を有する静的なフィルタは、レーザの同調レンジの外側において送信の最大値が存在しない往復振幅フィルタリングを達成するために使用されても良い。周期的な送信最大値を備えたグリッド・ジェネレータ・フィルタは、レーザ光線を発することが可能な領域を、最大値近傍にある実質的な送信帯内に制限するであろう。
往復振幅フィルタリングは、所望する同調レンジ内の1つの透過ピーク、およびピークの周囲の高送信通過帯域を備える同調可能フィルタから構成される。このようなフィルタは、例えば、自由スペクトル領域が所望の同調レンジより広いエタロン、表面格子、およびブラッグ/反射格子である。同調可能フィルタは、例えば、複数の透過ピークを有する部材、および該部材のピークから離間した複数の透過ピークを持つ同調可能な部材のような、同様の結果を達成する複数の部材から構成されて良く、これらの部材によって、双方の部材のピークが重なる位置に発生する単一の透過ピークが得られる事と、ピークが重なるようなバーニヤ方式の同調と言う効果がもたらされる。
振幅フィルタリングは、共振器内の往復振幅送信の合計と見なされて良い。また、強度フィルタリングは、振幅フィルタリングの2乗、即ち、共振器内の往復強度送信の合計の2乗と見なされて良い。送信が1つ以上の同調可能な部材によって影響され得るような状況下における共振器内の往復振幅送信の合計のために、同調可能な振幅フィルタリングが提供される。オリジナルの波長で割られた振幅フィルタの通過帯域の中心波長の変化が、オリジナルの経路長で割られた光路長の変化の半分未満である場合、同調可能な振幅フィルタリングに対する共振器経路長の変化の影響は最小である。「モードホップフリー同調」については、オリジナルの経路長で割られた光路長の変化が、オリジナルの波長で割られた振幅フィルタの通過帯域の中心波長の変化と等しいことが注目される。
上記を念頭に置き、直交した波長同調および共振器光路長同調を伴う外部共振器レーザ装置10を示す図1がここで参照される。外部共振器レーザ10は、ゲイン媒体12と、エンド、即ち外部反射部材、即ちエンドミラー14を備える。ゲイン媒体12は、従来のファブリーペロー型ダイオード・エミッタ・チップと、反射防止(AR)コーティングが施された正面16および一部反射する裏面18とを備えても良い。外部共振器は、出力面18およびエンドミラー14によって境界が定められる。外部共振器の光軸と同一直線上に整列される光路22を、光路22を中に配置されるエンドミラー14と共に画定するために、ゲイン媒体12は、コヒーレントなビームを正面16から放射し、放射されたビームはレンズ20によってコリメートされる。同様に、ゲイン媒体12の正面16および裏面18は、外部共振器の光軸と同一直線上に整列される。外部共振器レーザ10の出力を光ファイバ(図示されない)へカップリングするために、従来の出力カプラ光学系(図示されない)が裏面18に対応付けられる。
外部共振器レーザ10は、グリッド・ジェネレータ部材および同調可能な部材即ちチャネル・セレクタを含んでいて良く、ゲイン媒体12とエンドミラー14間の光路22中に位置するグリッド・エタロン24およびウェッジ・エタロン26として図1の中でそれぞれ示される。通常、グリッド・エタロン24は、光路22中において同調可能な部材26の前方に位置し、平行な反射面28、30を備える。グリッド・エタロン24は干渉フィルタとして作用し、グリッド・エタロン24の屈折率と、面28、30間の間隔によって画定されるグリッド・エタロン24の光学厚さによって、例えばITU(国際電気通信連合)グリッドの様な選択された波長グリッドの中央部分の波長と一致する波長において、通信帯域内における複数の送信最大値が生じる。もしくは、他の波長グリッドが選択されても良い。従って、グリッド・エタロン24は、ITUグリッドのグリッド線間の間隔に対応する自由スペクトル領域(FSR)を有する。従って、グリッド・エタロン24は、波長グリッドのグリッドラインのそれぞれを中心とする複数の通過帯域を供給するように作動する。後に詳述されるように、グリッド・エタロン24は、波長グリッドの各チャネル間の外部共振器レーザの隣接するモードを抑制するようなフィネス(自由スペクトル領域÷半値全幅(FWHM))を有する。
グリッド・エタロン24は固体、液体、または気体によって離間された平行平板であって良く、温度制御による熱膨張と収縮によって面28、30間の光学厚さの正確な寸法を画定することによって同調されて良い。もしくは、グリッド・エタロン24は、面28、30の間の光学厚さを変えるために傾斜させる事により、または、電気光学的エタロン材料へ電界を印加する事により、または、気体エタロンの圧力を変える事により、または、スペーサ層に非線形光学材料を使用して第2光学ビームによって光路長を変化させる事により、または、気体または液体エタロンの間隔を熱的、圧電的またはマイクロメカニカルに膨張させる事により同調されても良い。もしくは、グリッド・エタロン24は、ダイバーによって本願と共に出願され、参照によって本願に援用される「グリッド・ジェネレータの連続同調を伴った外部共振器レーザ」という名称の米国特許出願番号第09/900474号に記載されるように、レーザの運転に際して、能動的に同調されてもよい。
ウェッジ・エタロン・チャネル・セレクタ26は、略平行な反射表面32および34を備える干渉フィルタとして機能する。ビームが表面に当る領域よりも広い範囲に面32および34を延長させる事により、表面32と34の間の間隔が、運転時の波長以下の量でレーザ軸に沿って精度良く変更されて良い。テーパ角は、かつレーザビームの全横断面にわたって面32と34との間の厚さの変化が無視できるか許容範囲である程度には小さく、かつビームと直交するフィルタの巨視的な動作によって面32と34との間の微視的な変化がもたらされる程度には大きくなされるように決定される。表面32と34との間の間隔は、気体で充填されていてもよいし、液体で充填されていても良いし、固体で充填されていても良い。固体エタロンを熱的に膨張させる事により、または、気体または液体エタロンの離間手段を熱的、圧電的またはマイクロメカニカルに膨張させる事により、または、気体、液体または固体のエタロンを傾斜させる事により、または、気体で離間されたエタロンの圧力を変える事により、または、スペーサに電気光学材料を用いて電界を印加する事によって屈折率を変化させる事により、または、スペーサ層に非線形光学材料を使用して第2光学ビームによって光路長を変化させる事により、または他の任意の同調メカニズムによって、表面32と34の間の間隔を変える事が出来る。
図1に示されるウェッジ・エタロン26は、外部共振器レーザに関する本発明において使用され得る同調可能部材即ちチャネル・セレクタの一例に過ぎず、格子、電気光学薄膜およびバーニヤを同調装置を含む様々な他の種類のチャネル・セレクタが適所に使用されても良い。チャネル選択の際にエアギャップ・ウェッジ・エタロンを使用する例が米国特許第6108355号明細書に記載されており、該明細書中において、「ウェッジ」とは隣接した基板によって画定されたテーパ状のエアギャップである。格子の角度調整によって同調される枢動的に調整可能な格子装置をチャネル・セレクタとして使用する事、また、電圧を選択的に印加する事によって同調される電気光学的な同調チャネル・セレクタを外部共振器レーザに使用する事が、2001年3月21日に出願された発明者アンドリュー・ダイバーによる米国特許出願番号第09/814646号に記載されている。並進的に同調された傾斜した薄膜干渉フィルタをチャネル・セレクタとして使用する事が、米国特許出願番号第09/814646号、およびホプキンス等によって本願と共に出願された「傾斜した薄膜ウェッジ干渉フィルタ、およびレーザ同調に対して使用する際の方法」という名称の米国特許出願番号第09/990412号に記載される。前述の開示は、参照によって本願に援用される。
幾つかの例における外部共振器レーザ10の様々な光学要素間の相対的なサイズ、形状、および距離は、明瞭性を保つために誇張して示されている場合があり、必ずしも等縮尺であるとは限らない。外部共振器レーザ10は、焦点を合わせる要素およびコリメーション要素、外部共振器レーザ10の様々な要素に関連した偽フィードバックを除去するように構成される偏光光学系、および所望の同調レンジ外ではあるが、ゲイン媒体のゲイン・プロファイル内の波長をブロックする(非同調)フィルタと言った追加の構成要素(図示されず)を備えても良い。
ウェッジ・エタロン26は、グリッド・エタロン24の通過帯域よりも実質的に広く、その一周期が、グリッド・エタロン24によって画定される最短波長のチャネルと最長波長のチャネルの間の波長との差と実質的に対応するかそれよりも広い複数の通過帯域を画定する。換言すれば、ウェッジ・エタロン26の自由スペクトル領域は、グリッド・エタロン24によって画定された波長の全ての波長領域よりも広い。ウェッジ・エタロン26は、特定の選択されたチャネルに隣接するチャネルを抑制するようなフィネスを有する。
ウェッジ・エタロン26は、ウェッジ・エタロン26の面32、34間の光学厚さを変える事により、複数の通信チャネルの中から1つを選択するために使用される。これは、x軸に沿ってウェッジ・エタロン26を変位させることにより達成される。x軸は、ウェッジ・エタロン26のテーパの方向と平行であり、光路22および外部共振器レーザ10の光軸に対して垂直である。ウェッジ・エタロン26によって画定される通過帯域のそれぞれによってチャネルが選択可能となり、また、ウェッジが光路22中に押し込まれる方向に変位するにつれて、光路22に沿って移動するビームはウェッジ・エタロン26のより厚い部分を貫通することになり、これによって、より長い波長チャネルにおける、相対する面32、34間の建設的干渉が得られる。ウェッジ・エタロン26が光路22から引き出される方向に変位するにつれて、ビームはウェッジ・エタロン26より薄い部分を貫通し、より短い波長チャネルに対応する光路22用の通過帯域を露出する。上述したように、ウェッジ・エタロン26の自由スペクトル領域は、グリッド・エタロン24の完全な波長の範囲に対応している。その結果、全ての波長グリッドの領域において、通信帯域内において単一の損失最小で同調される事が可能である。グリッド・エタロン24およびウェッジ・エタロン26からゲイン媒体12への統合化されたフィードバックによって、選択されたチャネルの中心波長においてレーザ光線を発することを可能にする。全同調レンジに渡って、ウェッジ・エタロン26の自由スペクトル領域はグリッド・エタロン24の自由スペクトル領域より広い。
ウェッジ・エタロン26は、選択されたチャンネルに応じてウェッジ・エタロン26を調整可能に位置調整するように構成・構築された波長同調器駆動部材36を含む波長同調装置またはメカニズムにより位置を変えられることによって同調される。波長同調器駆動部材36は、例えばウェッジ・エタロン26の精密並進運動に好適なハードウェアと共にステッパーモータを備えても良い。もしくは、波長同調器駆動部材36は、直流サーボモーター、ソレノイド、ボイスコイル・アクチュエーター、圧電アクチュエータ、超音波ドライバ、形状記憶デバイス、または同様の往復および(または)回転型アクチュエータのように、様々なタイプのアクチュエータまたは調節メカニズムを含んでも良い。アクチュエータの種類は上記されてものに限定されない。ウェッジ・エタロン26以外の種類のチャネル・セレクタが本発明と共に使用される場合、波長同調器駆動部材36はチャネル・セレクタを同調するために構成されるであろう。駆動部材36によるウェッジ・エタロン26の正確な位置調整を保証するために、直線エンコーダ40が、ウェッジ・エタロン26および波長同調器駆動部材36に関して使用されても良い。もしくは、または更に、駆動部材36によるウェッジ・エタロン26の正確な位置調整を保証するために、あるいは駆動部材36による他の種類のチャネル・セレクタの正確な位置調整を保証するために、運転時の波長を監視する低解像度のスペクトロメータ(図示されず)が用いられても良い。
波長同調器駆動部材36は、波長コントローラ38に操作可能なように接続される。波長コントローラ38は、駆動部材36によるウェッジ・エタロン26の位置調整を制御するための信号を供給する。波長コントローラ38はデータ処理装置およびメモリ(図示されない)を備えて良く、ウェッジ・エタロン26のための波長同調情報のルックアップテーブルが格納され、選択可能なチャネル波長に対応する位置を提供する。波長コントローラ38は、波長駆動部材36に伝達される適切なチャネルまたは波長選択信号を導出するか生成し、続いて、駆動部材36がウェッジ・エタロン26を調節または駆動する。波長コントローラ38は波長同調器駆動部材36の内部にあってもよいし、外部にあって、他の構成要素の位置調整および外部共振器レーザ10のサーボ機能と共有されて良い。
外部共振器レーザ10が異なる通信チャネル波長に同調される場合、波長コントローラ38が、ルックアップテーブル中の位置のデータに従って波長駆動部材36に信号を送信し、駆動部材36がウェッジ・エタロン26を平行移動か、さもなければ調整して正しい位置に移動させ、光路22中に位置するウェッジ・エタロン26の一部分の光学厚さが、選択されたチャネルをサポートする建設的干渉を提供する。波長同調器駆動部材36によるウェッジ・エタロン26の正確な位置調整を保証するために、直線エンコーダ40がウェッジ・エタロン26および波長同調器駆動部材36に関して使用されてもよい。
ウェッジ・エタロン26は、付加的なエンコーダ機能として、光学上検知可能で、ウェッジ・エタロン26が最長または最短のチャネル波長に位置調整された際にウェッジ・エタロン26の位置を確認するために用いられる不透明領域42、44を、ウェッジ・エタロン26の両端に備えていても良い。不透明領域42、44は、ウェッジ・エタロンの位置調整において使用可能な追加のエンコーダ・メカニズムを付加的に提供する。不透明領域42、44が光路22に進入するようにウェッジ・エタロン26が位置調整される時、不透明領域42、44は、光路に沿ってビームを遮断または減衰する。以下詳細される通り、この光の減衰は検知可能である。これらの不透明領域は「ホーム」信号として、および「行き過ぎ」信号として使用されても良い。ホーム信号は、モータ位置の基準点となり得る座標系を初期化するために使用することが出来る。その後、ホームから離れる駆動列の位置が、ステッパーモータが取ったステップ数あるいはマイクロステップを数え、その後1ステップで得られる角度および親ねじのピッチとこの情報を組み合わせることによって決定されて良い。もしくは、エンコーダが駆動列に取り付けられても良い。基準点を光学要素に近接して提供し、この基準点を周期的に探索する事によって、親ねじの熱膨張、またはドライブ・ナットの機械的摩耗を補償するためにホーム信号が更に使用されても良い。
エンドミラー14および出力面18によって画定される外部共振器は、外部共振器同調器あるいは駆動メカニズム46によって同調可能である。図示された実施形態において、外部共振器駆動部材46は、エンドミラー14に操作可能なように接続され、エンドミラー14を位置的に調節することにより外部共振器の光路長lを調節するために構成される。他の実施形態において、外部共振器駆動部材46はゲイン媒体12に操作可能なように接続され、外部共振器を同調するべくゲイン媒体12を位置的に調節するために、または、外部共振器を同調するゲイン媒体12の光路長を熱により調節するために構成されて良い。更に他の実施形態において、外部共振器駆動部材46は本質的に電気光学的であって良く、さらに後述されるように、外部共振器の電気光学同調器(図示されない)の有効な光学的厚さを変更することにより、光路長lの調整を実行して良い。外部共振器の電気光学的同調は、発明者ダイバー等による「ゲイン媒体の両端の電圧によるレーザ損失の評価および調整」という名称の米国特許出願番号第09/990426号によって開示され、参照によって本願に援用される。光路長lを同調するための様々なメカニズムが本発明と共に使用されても良い。また、従って、波長同調は光路長lの調整を提供するために構成されるであろう。
ある実施形態において、外部共振器駆動部材46は、熱的に同調可能な補償器部材(図示されない)を備えても良く、熱的に同調可能な補償器部材は、外部共振器コントローラ48から熱的に同調可能な補償器部材に接続される熱電コントローラ(図示されない)までの光共振器調整信号に従って熱的な補償器部材を加熱または冷却する事により、エンドミラー14の位置を決めるために構成される。外部共振器レーザ中のエンドミラーおよび他の光学コンポーネントを位置的に調節するための熱制御同調部材の使用もまた、2001年3月21日に出願された発明者アンドリュー・ダイバーによる米国特許出願番号第09/814646号、および、これと平行して出願された、発明者マーク・ライス等による「外部共振器の能動的温度同調を伴うレーザ装置」という名称の米国特許出願番号第09/900443号に記載されている。
外部共振器駆動部材46は、外部共振器駆動部材46によるエンドミラー14の位置調整を制御する信号を提供する外部共振器コントローラ48に操作可能なように接続される。外部共振器コントローラ48は、電圧センサ50に操作可能なように接続されて良く、電圧センサ50は、続いてゲイン媒体12に関する1対の電極52、54のうちの1つに操作可能なように接続されて良い。電極52、54は、駆動電流源56からの駆動電流をゲイン媒体12に供給する。エンドミラー14からの光学フィードバックが反射防止コーティングされた正面16を貫通してゲイン媒体12に入力されるので、センサ50によって正確に監視されるゲイン媒体12の両端の電圧は、外部共振器に関する損失を示す。外部共振器コントローラ48は、電圧センサ50の出力をもとに共振器モード信号を生成し、かつ補償信号を外部共振器駆動部材46に供給するために構成される。外部共振器損失を評価してそこから誤差信号を生成するために外部共振器レーザ中のゲイン媒体の両端の電圧変調を監視する使用もまた、発明者ダイバー等による「ゲイン媒体の両端の電圧によるレーザ損失の評価および調整」という名称の米国特許出願番号第09/990426号によって開示され、参照によって本願に援用される。
もしくは、あるいは更に、外部共振器コントローラ48は、選択可能な光路長lに対応する位置を提供する光共振器同調情報のルックアップテーブルを格納して備えていても良い。外部共振器コントローラ48は外部共振器駆動部材46の内部にあってもよいし、外部にあって、他の構成要素の位置調整および外部共振器レーザ10のサーボ機能と共有されても良い。ある具体例において、外部共振器コントローラ48は、上述された波長コントローラ38と同一のコントローラ・デバイスで具体化されて良い。外部共振器コントローラ48による外部共振器駆動部材46の正確な位置調整あるいは調整を保証するために、エンコーダ150が外部共振器駆動部材46に関して備えられても良い。
外部共振器レーザ10、あるいはその様々な構成要素は、マイクロエレクトロメカニカルなシステム即ちMEMSデバイスによって具体化されて良く、調整可能なエンドミラーは、外部共振器レーザの他の部分と統合され得る単一のシリコン基板から機械加工される。MEMSデバイスによる外部共振器層の実施形態は、2001年3月21日に出願された米国特許出願番号第09/814646号に記載され、および上述される。
グリッド・エタロン24、ウェッジ・エタロン26、およびエンドミラー14と裏面18によって画定された外部共振器の通過帯域の関係が、図2のグラフによって例証される。図2は、外部共振器通過帯域PB1、グリッド・エタロン通過帯域PB2およびウェッジ・エタロン通過帯域PB3を示す。相対ゲインが縦軸に、波長が横軸に示される。図から明らかなように、ウェッジ・エタロン26の自由スペクトル領域(FSRChannel Sel)は、グリッド・エタロン24の自由スペクトル領域(FSRGrid Gen)より大きく、グリッド・エタロン24の自由スペクトル領域(FSRGrid Gen)は、外部共振器の自由スペクトル領域(FSRCavity)より大きい。外部共振器通過帯域PB1(レーザ・モード)のピークは、グリッド・エタロン24の波長グリッドによって画定された通過帯域PB2の中心波長と周期的に一致する。全ての波長グリッドの通過帯域PB2に渡って広がるウェッジ・エタロン26の通過帯域PB3のピークは1つである。図2に示される特定の例において、波長グリッドは、0.5nm(62GHz)間隔で離間し、最短波長チャネルが1532nm、最長波長チャネルが1563.5nmであって、64個のチャネルに渡って延長している。
グリッド・エタロン24およびウェッジ・エタロン26のフィネスは、隣接しているモードまたはチャネルの減衰を決定する。上述されたように、フィネスは、自由スペクトル領域を半値全幅で割った値と等しい。即ち、フィネス=FSR/FWHMである。グリッド・エタロン通過帯域PB2の半値全幅が図2bに示され、チャネル・セレクタ通過帯域PB3の半値全幅が図2cに示される。外部共振器内におけるグリッド・エタロン24およびウェッジ・エタロン26の位置の調整によって、サイドモード抑圧比が向上する。
1549.5nmおよびそれに隣接する1550nmに中心が合わせられたチャネル間におけるウェッジ・エタロン26の通過帯域PB3の同調の例が、図3のグラフによって示される。また、グリッド・エタロン24によって生成されたチャネルの選択と、隣接するチャネルまたはモードの減衰も示されている。図2に示される外部共振器の通過帯域PB1は、明瞭性を保つために図3においては省略される。グリッド・エタロン24は、グリッド・チャネル間隔に対応する外部共振器の周期的な縦モードを選択する一方で、隣接するモードは拒絶する。ウェッジ・エタロン26は、該波長グリッド中の特定のチャネルを選択し、他の全てのチャネルを拒絶する。選択されたチャネルあるいはレーザ光線のモードは、チャネル間隔のプラスマイナス約半分の範囲のフィルタ・オフセットにより、1つの特定のチャネルに画定される。チャネルのオフセットがより大きい場合、レーザ光線のモードは隣接するチャネルへとジャンプする。
図3aにおいて、チャネル・セレクタ通過帯域PB3のピークは、1549.5nmのグリッド・チャネルに合わせられている。1549.5nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインは高いが、その一方で隣接している1549.0nmおよび1550.0nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインレベルは、選択された1549.5nmのチャネルに比べて抑圧されている。1550.5nmおよび1548.5nmにおける通過帯域PB2に関するゲインは一層抑圧されている。1点鎖線は、ウェッジ・エタロン26によって抑圧されていない状態の通過帯域PB2の相対ゲインを示す。
図3bはチャネル・セレクタ通過帯域PB3が、チャネル切り替えの最中に1549.5nmおよび1550.0nmのチャネルの間に位置する状態を示す。1549.5nmおよび1550.0nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインは両方とも高く、どちらも抑制されていない。1549.0nmおよび1550.5nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインのレベルは、1549.5nmおよび1550.0nmのチャネルに比べれば抑圧されている。1点鎖線は、ウェッジ・エタロン26によって抑圧されていない状態の通過帯域PB2の相対ゲインを示す。
図3cは、ピークが1550.0nmのグリッド・チャネルに合わせられているチャネル・セレクタ通過帯域PB3を示し、1550.0nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインは高いが、その一方で隣接している1549.5nmおよび1550.5nmにおける通過帯域PB2に関する相対ゲインレベルは、選択された1520.0nmのチャネルに比べて抑圧されており、1551.0nmおよび1549.0nmにおける通過帯域PB2に関するゲインは更に抑圧されている。再び、1点鎖線は、ウェッジ・エタロン26によって抑圧されていない状態の通過帯域PB2の相対ゲインを示す。
外部共振器縦モードによって画定された通過帯域PB1は、明瞭性を保つために図3から省略される。先述したように、レーザは共振器内の最も高い往復送信による共振器モードでレーザ光線を発するだろう。図3aにおいて、通過帯域PB2は最大送信を有し、PB2のピークに近いレーザ・モードは外部共振器中の全ての送信の中で最大である。共振器の光路長に小さなディザーまたは周波数変調を導入することによって、レーザ・モードが通過帯域PB3による最大送信と一致する通過帯域PB2のピークにロックされるように、共振器の(平均)光路長を調節するのに使用可能な誤差信号が生成されて良い。さらに、通過帯域PB3のピークをこのレーザ発光モードにロックするために通過帯域PB3の位置に小さなディザーまたは周波数変調を導入する事は有用であり、これ自身、通過帯域PB2のピークにロックされる。レーザ構成要素へ周波数変調を導入するディザーあるいは変調部材の使用が、上述の、発明者ダイバー等による「ゲイン媒体の両端の電圧によるレーザ損失の評価および調整」という名称の米国特許出願番号第09/990426号によって記載され、参照によって本願に援用される。
通過帯域PB3が、図3aに示される場所から遠ざかって図3bに示された位置の方向へ調節される場合、レーザは、最大送信を備える通過帯域PB2のピークにロックされ続ける。通過帯域PB3の調整の効果は光路長に対してほとんど影響せず、結び付きは無い。上述されたように、従来の外部共振器レーザは、レーザ発光モードの波長が通過帯域PB3を追跡することを保証するために、所定の関係に従って光路長の変化を通過帯域PB3の同調と結び付ける事によって「モード・ホッピング」を克服していた。この結び付きの無い同調構成によって、同調フィルタ通過帯域PB3のロッキングにおける精度と同様の精度を必要とする事無く、光路長とレーザ波長の正確なロッキングを行う事が出来る。通過帯域が図3cに示されるような通過帯域PB2の他のピークに接近するまで、レーザ波長は通過帯域PB3の運動に関して一定のままである。グリッド通過帯域PB2がレーザ共振器の内部に存在しないような本発明の他の実施形態(図示されず)において、グリッド通過帯域PB2がレーザ・モード通過帯域PB1と置換されるという点を除けば図3に示された同調と同様の同調が生じる。
本発明は、本発明における外部共振器光路長の同調から独立しているか、さもなければ結び付いていない波長同調を用いる。その結果、外部共振器レーザ10は「階段状ステップ」即ちモード・ホッピング同調プロファイルを提供する。図4は、「階段状ステップ」レーザ出力プロファイルのグラフであり、横軸は相対的なチャネル・セレクタの位置を示し、縦軸はレーザ波長を示す。チャネル・セレクタの通過帯域のピークの波長が縦軸に沿った増分として示され、通過帯域のピークに対応するチャネル・セレクタの位置が横軸に沿った増分として示される。モード・ホッピング同調によって画定される「プラトー」のそれぞれにおいて、レーザ光線を発する波長は、チャネル・セレクタのピーク透過波長が変化するのにも拘わらず、安定した状態が保たれる。好ましい実施形態において、出力パワーを最大にし、サイドモード抑制比率を最大にし、新しいチャネルへのモード・ホッピングが発生するのに十分な程度にチャネル・セレクタの位置が遠方に移動する可能性を最小にするために、チャネル・セレクタのピーク透過波長がレーザ波長へとロックされる。各プラトーPの上のレーザ発光が、他の全てのプラトーPの縦モードとは異なるレーザの縦モードに生じる。
ここで図5を参照して、本発明の他の実施形態における外部共振器レーザ機器58が示される。同様の部品を示すために同様の参照番号が用いられる。図1の実施形態と同様、構成要素の相対的なサイズ、および構成要素間の距離は、明瞭性を保つために誇張されている。外部共振器レーザ機器58は波長同調器としての格子60と共に示され、リトロー配置によって構成されている。格子60は、格子60の表面上かつ光路22の中心に通常位置する格子60の点66に対して対称的に設置されるアクチュエータ62、64に操作可能なように接続される。アクチュエータ62、64は圧電的な、マイクロメカニカルな、あるいは他の種類のアクチュエータであって良い。同調器68は、アクチュエータ62、64の長さを変化させるべく命令を出力する。
外部共振器レーザ58は波長選択制御要素70および外部共振器制御要素72を備え、これらは同調器68に操作可能なように接続される。同調器68は加算および減算信号発生器74、76を備え、これらは、アクチュエータ62、64の駆動信号を発生するために、波長制御要素70および外部共振器制御要素72に操作可能なように接続される。波長制御要素70は、波長ロッカー78および波長検出器80に操作可能なように接続される。反射部材84、86(反射器84は部分透過性である)を経由して波長ロッカー78および波長検出器80にレーザ出力の一部を配向するために、ビームスプリッタ82は、出力面18の前方に位置する。波長同調用の制御信号が、波長ロッカー78および波長検出器80の出力から波長制御要素70によって導出され、同調器68に伝達され、アクチュエータ62、64を駆動する。
ゲイン媒体12は電極88、90に操作可能なように接続され、駆動電流源92が電極88に操作可能なように接続され、電極90は適切に接地される。電圧センサ94は、電極90および外部共振器制御要素72に操作可能なように接続される。もしくは、電圧センサ94は、電極88に接続されても良い。共振器光路長同調のための制御信号を導出するために、ゲイン媒体12の両端で監視される電圧からセンサ94によって導出された誤差信号は、外部共振器制御要素72によって使用される。続いて、これらの制御信号は、アクチュエータ62、64を駆動する同調器68に伝達される。
アクチュエータ62、64の長さが等しく変化する事により、格子60およびゲイン媒体の面18によって画定される光路長lを変化させるために、格子60がビーム22に沿って平行移動され、この際に、波長に影響を及ぼすような格子60の同調は行われない。アクチュエータ62、64の長さを同じ長さで相互に逆方向に変化させる事によって、格子60は、格子60を同調させるために点66を中心として枢動し、この際、外部共振器の光路長lは変化しない。格子60の通過帯域の同調は光路長の同調から独立または分離しており、同様に、格子60の光路長lの同調は格子60の通過帯域の同調から独立または分離している。この格子通過帯域および共振器光路長の直交同調は、同じアクチュエータ62、64を異なる同調を達成するために異なる方法で使用する事によって達成される。図示されてはいないが、グリッド・ジェネレータが外部共振器レーザ58とともに含まれていても良い。
ここで図6を参照して、本発明における外部共振器レーザ98の他の実施形態が示される。同様の部品を示すために同様の参照番号が用いられる。外部共振器レーザは、第1電気光学同調可能部材100を使用する。電気光学同調部材100は一対の透明基板102、104を備え、その間に電気光学液晶(LC)材料106を備える。透明電極108、110がそれぞれ基板102、104に隣接して配置されており、LC基板がエタロンとして動作するために、反射表面または部分反射表面を画定する。透明電極108、110は例えば、インジウム・スズ酸化物(ITO)導体を含んで良い。特定の方向に配向された、または溝が刻まれた重合体層を備え得るアラインメント層(図示されない)が、LC材料106と透明電極108、110の間に位置する。この種の液晶電気光学のデバイスの形成および使用は、当技術においては周知である。
第1電気光学同調部材100は波長コントローラ112に操作可能なように接続され、波長コントローラ112は透明電極108、110の一方に調整可能な電圧を供給し、他方は適切に接地される。LC材料106は、電極108、110によってLC材料106の両端に印加された電圧に応じて方向付けられる複数の個々の複屈折の分子(図示されない)を備える。この種の液晶材料は当業者にとって公知であるので、ここには記載しない。分子の方向の変化によって、LC材料106の屈折率が変化し、従って、LC材料106の有効光学的厚さが変化する。従って、波長コントローラによって透明電極108、110の両端に印加された電圧は、LC基板106を貫通して光路22に沿ってコヒーレントなビームが通過する部分反射表面108および110間の有効光路長を変化させるであろう。有効光路長の変化によって、電気光学同調部材100の最大伝達の波長が同調される電気光学のチャネル・セレクタの使用もまた、2001年3月21日に出願された米国特許出願番号第09/814646号に記載されており、本開示は、参照によって本願に援用される。
外部共振器レーザ機器98は、光路22中のエンドミラー14の前方かつ第1電気光学同調部材100の後方に位置する第2電気光学的励起同調部材114を更に備える。電気光学同調部材114は、外部共振器コントローラ116に操作可能なように接続され、外部共振器コントローラ116は、光路22中のエンドミラー14の後方に位置する光検出器118に操作可能なように接続される。この点において、外部共振器レーザ98からの出力の一部が光検出器118に達するように、エンドミラー14は例えば95%の反射度を有して良い。もしくは、光検出器118は、上述された方法でゲイン媒体12の両端の電圧を監視するように構成される電圧センサと置換されても良い。
第2電気光学同調部材114は、透明電極122、124の間に位置するニオブ酸リチウムあるいは他の電気光学材料の層120を備える。外部共振器コントローラ116は電極122、124のうちの一方に調整可能な電圧を印加し、他方は適切に接地されるように構成され。第2電気光学同調部材114は、第2電気光学同調部材114の両端の電圧の調節によって、第2電気光学同調部材114の有効光学厚さを変化させつつ、ダイオード面18およびエンドミラー14によって画定される外部共振器全体の光路長lが調節されるように構成される。外部共振器の同調のために電気光学部材を使用する事もまた、発明者ダイバー等による「ゲイン媒体の両端の電圧によるレーザ損失の評価および調整」という名称の米国特許出願番号第09/990426号によって開示され、参照によって本願に援用される。
外部共振器レーザ98の運転において、波長の同調、即ちチャネルの選択は、波長コントローラ112からの指示に基づいて電極108、110によりLC基板106の両端に印加される電圧の調節により行なわれ、選択された伝達チャネル波長のために格納されたルックアップテーブル・データから電圧情報を得ても良い。外部共振器光路長lの調整は、光検出器118から導出された誤差信号に基づいて、電極122、124によって電気光学材料の層120の両端に印加される電圧を外部共振器コントローラ116によって調節する事により達成される。上記の実施形態において、第1電気光学同調器100および波長コントローラ112による波長同調は、第2電気光学同調器114および外部共振器コントローラ116による外部共振器の光路長lの同調とは独立して行われる。即ち、波長コントローラ112による第1電気光学同調器100の同調は、外部共振器コントローラによる第2電気光学同調器114の同調から分離される。外部共振器レーザ98は、独立して波長を同調すること、および全ての部材を物理的に移動させること無く外部共振器の同調を行う、という点で注目される。
また、第2電気光学同調部材114が、外部共振器レーザの光路長lに周波数ディザーの形の信号変調を導入するために使用されても良い。信号変調は、例えば、約20kHzの周波数変調を含んで良い。部材114によって導入される周波数ディザーによる光路長lの変調は、光検出器118によって(あるいは外部共振器からの光学フィードバックに起因するゲイン媒体12の両端の電圧を監視することによって)検知可能な外部共振器レーザ98の出力パワーの強度変化を生成する。これらの強度変化の振幅およびフェーズエラーは、電気光学同調部材100およびグリッド・エタロン24によって画定される通過帯域の中心波長に対する外部共振器モードのアラインメントに応じて異なるであろう。換言すれば、変調信号における強度変化および移相は、外部共振器損失を評価し、かつそれに対応する外部共振器光路長の調整用の誤差信号を生成する有効な方法を提供する。従って、外部共振器コントローラ116は、周波数ディザーによって導入された変調から誤差信号を導出し、外部共振器コントローラ116に補償信号を伝達し、これによって、層120の屈折率を変えることによって光路長lを同調または調節するために、電気光学層120の両端に印加される電圧が調節される。レーザ構成要素へ周波数変調またはディザーを導入する変調部材の使用は、発明者ダイバー等による「ゲイン媒体の両端の電圧によるレーザ損失の評価および調整」という名称の米国特許出願番号第09/990426号によって開示され、参照によって本願に援用される。
本発明は特定の実施例に関して記載された一方、本発明の真の精神と範囲から逸脱することなく、さまざまな修正がなされ得、均等物によって置換され得る事が当業者によって理解されるべきである。加えて、特定の状況、材料、組成物、プロセス、工程段階を、本発明の目的、精神および範囲に適応させるために、多くの変更が成され得る。この種の変更の全てが、添付の特許請求の範囲の範囲内であることが意図されている。
独立した波長同調および外部共振器同調を用いる、ウェッジ・エタロン・チャネル・セレクタを備えた外部共振器レーザ装置の概略図である。 波長グリッド中の選択されたチャネルに関してのウェッジ・エタロン、グリッド・エタロンおよび外部共振器に関する、図1に示される外部共振器レーザの通過帯域特性を例証するグラフである。 波長グリッド中の複数のチャネルに関する、図1に示される外部共振器レーザの同調に対するゲインを例証するグラフである。 グリッド・ジェネレータによって画定された波長グリッドによって示される、本発明の外部共振器レーザ装置の波長同調プロファイルを例示するグラフである。 独立した波長同調および外部共振器同調を用いる、格子チャネル・セレクタを備えた外部共振器レーザ装置である。 電気光学波長同調器および電気光学外部共振器同調器を備えた外部共振器レーザ装置である。

Claims (8)

  1. 第1出力面及び第2出力面を含み、前記第1出力面から光路に沿ってコヒーレントなビームを放射するゲイン媒体と、
    前記ゲイン媒体から放射された前記ビームをコリメートするレンズと、
    前記光路に位置し、前記第2出力面と共に外部共振器を画定するエンドミラーと、
    前記光路の前記第2出力面と前記エンドミラーとの間に位置し、複数の通信帯域を供給するグリッドジェネレータと、
    前記光路の前記第2出力面と前記エンドミラーとの間に位置し、前記複数の通信帯域の中から1つを選択するために使用されるテーパ状のウェッジエタロンと
    を備え、
    前記ウェッジエタロンは、前記ウェッジエタロンの位置を確認するために用いられる不透明領域を、前記ウェッジエタロンの両端に有するレーザ。
  2. 前記ウェッジエタロンのテーパの方向は、前記光路の光軸に対して垂直であり、
    前記テーパの方向に沿って前記ウェッジエタロンを変位させることにより、前記複数の通信帯域の中から1つが選択される請求項1に記載のレーザ。
  3. 前記ウェッジエタロンは、波長選択信号によって位置調整が制御され、
    前記エンドミラーは、共振器モード信号によって位置調整が制御される請求項1又は請求項2に記載のレーザ。
  4. 前記ウェッジエタロンの位置調整を制御するための前記波長選択信号を供給する波長コントローラと、
    前記エンドミラーの位置調整を制御するための前記共振器モード信号を供給する外部共振器コントローラと
    をさらに備える請求項3に記載のレーザ。
  5. 前記波長選択信号が、前記共振器モード信号から独立に導出される請求項3又は請求項4に記載のレーザ。
  6. 前記波長選択信号が、ルックアップテーブル中のチャネル・セレクタ同調データから導出され、
    前記共振器モード信号が、前記外部共振器に関する損失を測定する検出器から導出される請求項5に記載のレーザ。
  7. 前記波長コントローラに操作可能に接続され、前記波長選択信号に従って前記ウェッジエタロンの位置を調整する波長同調器駆動部材と、
    前記外部共振器コントローラに操作可能に接続され、前記共振器モード信号に従って前記エンドミラーの位置を調整する外部共振器駆動部材と
    をさらに備える請求項5に記載のレーザ。
  8. 前記検出器は、前記ゲイン媒体の両端の電圧変動を測定する電圧センサである請求項6又は請求項7に記載のレーザ。
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Families Citing this family (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6512385B1 (en) * 1999-07-26 2003-01-28 Paul Pfaff Method for testing a device under test including the interference of two beams
US6879619B1 (en) * 1999-07-27 2005-04-12 Intel Corporation Method and apparatus for filtering an optical beam
US6816516B2 (en) 2001-03-21 2004-11-09 Intel Corporation Error signal generation system
US6901088B2 (en) 2001-07-06 2005-05-31 Intel Corporation External cavity laser apparatus with orthogonal tuning of laser wavelength and cavity optical pathlength
US6804278B2 (en) 2001-07-06 2004-10-12 Intel Corporation Evaluation and adjustment of laser losses according to voltage across gain medium
US6822979B2 (en) 2001-07-06 2004-11-23 Intel Corporation External cavity laser with continuous tuning of grid generator
US6788724B2 (en) 2001-07-06 2004-09-07 Intel Corporation Hermetically sealed external cavity laser system and method
US6842217B1 (en) * 2001-08-23 2005-01-11 Cambridge Research And Instrumentation, Inc. Fabry-perot etalons and tunable filters made using liquid crystal devices as tuning material
US6816517B2 (en) * 2001-09-25 2004-11-09 International Business Machines Corporation Micro-electromechanical devices for wavelength tunable lasers
US6956886B1 (en) * 2001-11-02 2005-10-18 Patel C Kumar N Discreetly tunable semiconductor laser arrangement for wavelength division multiplex communication systems
US8462350B2 (en) 2001-12-06 2013-06-11 Attofemto, Inc. Optically enhanced holographic interferometric testing methods for the development and evaluation of semiconductor devices, materials, wafers, and for monitoring all phases of development and manufacture
US9952161B2 (en) 2001-12-06 2018-04-24 Attofemto, Inc. Methods for obtaining and analyzing digital interferometric data for computer testing and developing semiconductor and anisotropic devices and materials
US7733499B2 (en) 2001-12-06 2010-06-08 Attofemto, Inc. Method for optically testing semiconductor devices
US7209669B2 (en) * 2002-02-01 2007-04-24 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for synchronizing a pulse carver and a data modulator for optical telecommunication
US7042920B2 (en) * 2002-03-06 2006-05-09 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Phased array gratings and tunable lasers using same
US6983090B2 (en) * 2002-03-21 2006-01-03 Jds Uniphase Inc. High resolution tunable optical filter
US6845121B2 (en) * 2002-06-15 2005-01-18 Intel Corporation Optical isolator apparatus and methods
US6737664B2 (en) * 2002-08-30 2004-05-18 Raytheon Company Precision optical alignment system
US6636536B1 (en) * 2002-09-30 2003-10-21 J. Gilbert Tisue Passive thermal compensation for wavelength agile laser tuners
JP2004191551A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Megaopto Co Ltd レーザー装置およびレーザー装置における波長選択方法
JP4265918B2 (ja) * 2003-02-27 2009-05-20 富士通株式会社 光伝送装置
JP4211918B2 (ja) 2003-02-27 2009-01-21 富士通株式会社 光通信システム
US7230960B2 (en) * 2003-03-24 2007-06-12 Bookham Technology Plc Tunable external cavity laser with adjustable cavity length and mode-hop suppression
IES20030281A2 (en) * 2003-04-14 2004-10-20 Intune Technologies Ltd Method and apparatus for continuous sweeping of a tunable laser
EP1489449A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-22 ASML Netherlands B.V. Spatial light modulator
US7170914B2 (en) * 2003-06-27 2007-01-30 Intel Corporation Optical transmitters
US20050046914A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-03 Gruhlke Russell W. Wavelength tuning an external cavity laser without mechanical motion
US7295581B2 (en) * 2003-09-29 2007-11-13 Intel Corporation External cavity tunable optical transmitters
WO2005041371A1 (en) * 2003-09-30 2005-05-06 Pirelli & C. S.P.A. Phase-control in an external-cavity tuneable laser
US7130320B2 (en) * 2003-11-13 2006-10-31 Mitutoyo Corporation External cavity laser with rotary tuning element
US7720116B2 (en) 2004-01-22 2010-05-18 Vescent Photonics, Inc. Tunable laser having liquid crystal waveguide
US8860897B1 (en) 2004-01-22 2014-10-14 Vescent Photonics, Inc. Liquid crystal waveguide having electric field orientated for controlling light
US8989523B2 (en) 2004-01-22 2015-03-24 Vescent Photonics, Inc. Liquid crystal waveguide for dynamically controlling polarized light
US8463080B1 (en) 2004-01-22 2013-06-11 Vescent Photonics, Inc. Liquid crystal waveguide having two or more control voltages for controlling polarized light
US20050271325A1 (en) * 2004-01-22 2005-12-08 Anderson Michael H Liquid crystal waveguide having refractive shapes for dynamically controlling light
US7305158B2 (en) * 2004-04-15 2007-12-04 Davidson Instruments Inc. Interferometric signal conditioner for measurement of absolute static displacements and dynamic displacements of a Fabry-Perot interferometer
US7492463B2 (en) 2004-04-15 2009-02-17 Davidson Instruments Inc. Method and apparatus for continuous readout of Fabry-Perot fiber optic sensor
EP1586854A3 (en) * 2004-04-15 2006-02-08 Davidson Instruments Interferometric signal conditioner for measurement of the absolute length of gaps in a fiber optic Fabry-Pérot interferometer
US20050286570A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Lian-Qin Xiang Tunable laser with a concave diffraction grating
JP4639663B2 (ja) * 2004-07-01 2011-02-23 旭硝子株式会社 波長可変ミラーおよび波長可変レーザ
EP1628374A1 (en) * 2004-08-18 2006-02-22 Agilent Technologies, Inc. External cavity laser with multiple stabilized modes
JP4527479B2 (ja) * 2004-09-10 2010-08-18 サンテック株式会社 波長走査型ファイバレーザ光源
US20060238868A1 (en) * 2004-11-15 2006-10-26 George Dube Athermal abirefringent optical components
US7260122B2 (en) * 2004-11-24 2007-08-21 Wisconsin Alumni Research Foundation Modeless wavelength-agile laser
US7230710B2 (en) * 2004-12-21 2007-06-12 Axsun Technologies, Inc. Polarization controlling fiber probe for semiconductor source spectroscopy system
EP1681540A1 (en) * 2004-12-21 2006-07-19 Davidson Instruments, Inc. Multi-channel array processor
EP1674833A3 (en) 2004-12-21 2007-05-30 Davidson Instruments, Inc. Fiber optic sensor system
JP5183013B2 (ja) * 2005-01-27 2013-04-17 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 レーザモジュールおよび外部共振型レーザの波長制御方法
JP5008831B2 (ja) 2005-02-03 2012-08-22 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 レーザ装置、レーザ装置の制御装置、レーザ装置の制御方法、レーザ装置の波長切換方法およびレーザ装置の制御データ
JP4774761B2 (ja) * 2005-03-03 2011-09-14 日本電気株式会社 波長可変共振器、波長可変レーザ、光モジュール及びそれらの制御方法
US20060274323A1 (en) * 2005-03-16 2006-12-07 Gibler William N High intensity fabry-perot sensor
US7653094B2 (en) * 2005-03-24 2010-01-26 Mitutoyo Corporation External cavity laser with flexure tuning element
US7991024B2 (en) * 2005-07-01 2011-08-02 Nec Corporation External cavity wavelength tunable laser device and optical output module
JP2007027458A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Mitsutoyo Corp レーザ装置及びその調整方法
US7733924B2 (en) * 2005-08-15 2010-06-08 William Marsh Rice University Piezo activated mode tracking system for widely tunable mode-hop-free external cavity mid-IR semiconductor lasers
US7570320B1 (en) 2005-09-01 2009-08-04 Vescent Photonics, Inc. Thermo-optic liquid crystal waveguides
WO2007033069A2 (en) * 2005-09-13 2007-03-22 Davidson Instruments Inc. Tracking algorithm for linear array signal processor for fabry-perot cross-correlation pattern and method of using same
US20070097837A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Marshall Daniel R Use of external optical feedback in a laser to generate a data signal
WO2007065455A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-14 Pirelli & C. S.P.A. Passive phase control in an external cavity laser
US20070160325A1 (en) * 2006-01-11 2007-07-12 Hyungbin Son Angle-tunable transmissive grating
EP1994433B1 (en) * 2006-01-21 2009-07-08 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Recherche et Développement Mode hop-free tunable laser using a microfabricated blazed grating
US7616847B2 (en) * 2006-03-31 2009-11-10 Intel Corporation Thermally tunable optical dispersion compensation devices
US7403679B2 (en) * 2006-03-31 2008-07-22 Intel Corporation Thermally tunable optical dispersion compensation devices
US7684051B2 (en) 2006-04-18 2010-03-23 Halliburton Energy Services, Inc. Fiber optic seismic sensor based on MEMS cantilever
EP2021747B1 (en) 2006-04-26 2018-08-01 Halliburton Energy Services, Inc. Fiber optic mems seismic sensor with mass supported by hinged beams
US7903704B2 (en) * 2006-06-23 2011-03-08 Pranalytica, Inc. Tunable quantum cascade lasers and photoacoustic detection of trace gases, TNT, TATP and precursors acetone and hydrogen peroxide
US8115937B2 (en) * 2006-08-16 2012-02-14 Davidson Instruments Methods and apparatus for measuring multiple Fabry-Perot gaps
US8270689B2 (en) 2006-09-12 2012-09-18 Carestream Health, Inc. Apparatus for caries detection
US8447087B2 (en) * 2006-09-12 2013-05-21 Carestream Health, Inc. Apparatus and method for caries detection
US8259765B2 (en) * 2006-12-06 2012-09-04 Google Inc. Passive phase control in an external cavity laser
WO2008091645A1 (en) 2007-01-24 2008-07-31 Davidson Energy Transducer for measuring environmental parameters
JP2009031238A (ja) * 2007-06-29 2009-02-12 Optical Comb Inc 光コヒーレンストモグラフィー装置
JP2009140992A (ja) * 2007-12-04 2009-06-25 Tecdia Kk チューナブルレーザ光源及びその制御方法
US20090207470A1 (en) * 2008-01-08 2009-08-20 Vance Joseph D Two-photon-absorption optical filter
US7884944B2 (en) * 2008-01-08 2011-02-08 Vance Joseph D Two-photon-absorption dispersion spectrometer
US7869474B2 (en) * 2008-01-10 2011-01-11 William Marsh Rice University Fast wavelength tuning techniques for external cavity lasers
US9366938B1 (en) * 2009-02-17 2016-06-14 Vescent Photonics, Inc. Electro-optic beam deflector device
US8913636B2 (en) * 2009-04-29 2014-12-16 Montana State University Precise broadband frequency modulated laser
US20100322269A1 (en) * 2009-06-17 2010-12-23 Cogo Optronics, Inc. Tunable laser
CN102122074B (zh) * 2010-01-08 2013-10-09 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 立体显示装置
US8995038B1 (en) 2010-07-06 2015-03-31 Vescent Photonics, Inc. Optical time delay control device
GB2487079A (en) * 2011-01-07 2012-07-11 Oclaro Technology Ltd Tunable pumping light source for optical amplifiers
JP5474844B2 (ja) * 2011-02-03 2014-04-16 グーグル・インコーポレーテッド チューナブル共鳴格子フィルタ
US8670470B2 (en) * 2011-02-25 2014-03-11 Photop Aegis, Inc. Tunable Laser
CN102780158B (zh) * 2011-05-09 2014-08-06 中国科学院深圳先进技术研究院 可调谐外腔半导体激光器
FR2986379B1 (fr) * 2012-01-30 2017-03-17 Agilent Tech Inc (A Delaware Corporation) "laser accordable en phase continue"
US8908724B1 (en) 2012-05-03 2014-12-09 Stc.Unm Method and apparatus for fabrication of controlled chirp gratings
WO2012126427A2 (zh) * 2012-05-21 2012-09-27 华为技术有限公司 一种外腔可调谐激光器,及其使用方法
CN104604051A (zh) * 2012-07-27 2015-05-06 统雷有限公司 Mems可调谐短腔激光器
US9608408B2 (en) 2012-09-26 2017-03-28 Pranalytica, Inc. Long wavelength quantum cascade lasers based on high strain composition
JP2016502285A (ja) * 2012-12-21 2016-01-21 デイビッド ウェルフォード, 波長安定化
US9147995B2 (en) * 2013-03-15 2015-09-29 Daylight Solutions, Inc. Rapidly tunable laser source assembly with long stroke grating mover
GB2516679C (en) * 2013-07-30 2019-08-28 Rushmere Tech Limited Optical source
JP6387610B2 (ja) * 2013-12-27 2018-09-12 ミツミ電機株式会社 生体情報測定装置
EP2905851B1 (en) 2014-02-05 2022-04-06 Huawei Technologies Co., Ltd. Optical lasing device and method for generating a lasing mode in such device
US9461443B2 (en) * 2014-02-12 2016-10-04 Agilent Technologies, Inc. Optical system having reduced pointing-error noise
US10454572B2 (en) * 2014-03-10 2019-10-22 Aeponyx Inc. Methods and systems relating to optical networks
DE102015103630B4 (de) 2014-03-18 2020-11-26 Toptica Photonics Ag Verfahren zur Stabilisierung eines Diodenlasers
CN104460409B (zh) * 2014-10-16 2017-03-29 北京理工大学 一种具有反馈光强度自适应调节的激光自混合干涉系统
US9525269B2 (en) * 2014-11-22 2016-12-20 TeraDiode, Inc. Wavelength beam combining laser systems utilizing etalons
GB201501611D0 (en) * 2015-01-30 2015-03-18 Edinburgh Biosciences Ltd Attenuator
US9871340B2 (en) * 2015-10-16 2018-01-16 Thorlabs, Inc. Linear motor or voice coil for fast tuning of a laser cavity
DE102016202210B4 (de) * 2016-02-12 2018-11-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Laseranordnung, Verfahren zum Steuern eines Lasers und Messverfahren
KR101864261B1 (ko) * 2016-10-31 2018-06-05 (주)켐옵틱스 파장 가변 레이저의 파장 잠금 구조 및 파장 가변 레이저의 파장 잠금 방법
CN106602398B (zh) * 2017-01-25 2020-04-07 中国科学院福建物质结构研究所 电光调q可调谐激光器和方法及应用其的激光医疗设备
JP6943675B2 (ja) * 2017-08-10 2021-10-06 浜松ホトニクス株式会社 外部共振型レーザモジュール、分析装置、外部共振型レーザモジュールの駆動方法、プログラム
CN107579413B (zh) * 2017-09-21 2019-02-26 山西大学 一种扩展全固态连续波单频激光器调谐范围的方法
CN107611777A (zh) * 2017-10-27 2018-01-19 武汉光迅科技股份有限公司 一种灵活波长的窄线宽半导体外腔激光器及控制方法
CN109904721A (zh) * 2017-12-11 2019-06-18 苏州旭创科技有限公司 波长可调谐的外腔激光器
WO2019224601A2 (en) * 2018-05-24 2019-11-28 Panasonic intellectual property Management co., Ltd Exchangeable laser resonator modules with angular adjustment
US20210226419A1 (en) * 2018-05-25 2021-07-22 Sacher Lasertechnik Gmbh Laser diode assembly having an external resonator
CN109672084B (zh) * 2018-12-24 2020-07-03 宁波飞芯电子科技有限公司 一种辐射输出设备以及方法
CN109798925B (zh) * 2019-01-15 2021-01-19 太原理工大学 一种量程可调的匹配光栅解调装置
WO2020167968A1 (en) * 2019-02-12 2020-08-20 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Tunable optical frequency comb generator in microresonators
JP2021120727A (ja) * 2020-01-31 2021-08-19 レーザーテック株式会社 フィルタ
CN115997324A (zh) * 2020-08-31 2023-04-21 极光先进雷射株式会社 激光装置、波长控制方法和电子器件的制造方法
WO2022180698A1 (ja) * 2021-02-24 2022-09-01 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法
CN116260028A (zh) * 2023-05-15 2023-06-13 深圳英谷激光有限公司 一种激光折射率调谐方法、系统、装置及激光器

Family Cites Families (139)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US625971A (en) 1899-05-30 l gardner
GB1027678A (en) * 1963-03-05 1966-04-27 Shell Res Ltd Improvements in or relating to transport and storage of liquefied gases
US3676799A (en) * 1970-12-28 1972-07-11 Bell Telephone Labor Inc Frequency stabilized laser
US3967211A (en) 1974-01-17 1976-06-29 Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. Laser wavelength stabilization
DE2862391D1 (de) 1977-10-26 1984-04-26 Post Office Control apparatus for a semi-conductor laser device
US4410992A (en) 1980-03-26 1983-10-18 Laser Science, Inc. Generation of pulsed laser radiation at a finely controlled frequency by transient regerative amplification
JPS57133531A (en) * 1981-02-12 1982-08-18 Agency Of Ind Science & Technol Optical information processor
GB2115217B (en) 1982-02-09 1986-04-03 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor lasers
US4504950A (en) 1982-03-02 1985-03-12 California Institute Of Technology Tunable graded rod laser assembly
FI74371C (fi) 1982-06-04 1988-01-11 British Telecomm Optisk oeverfoering.
US5124993A (en) 1984-09-20 1992-06-23 International Sensor Technology, Inc. Laser power control
GB8522821D0 (en) 1985-09-16 1985-10-23 British Telecomm Frequency referencing system
FR2597971B1 (fr) 1986-04-24 1990-10-19 Photonetics Capteur a fibre optique
FR2610465A1 (fr) 1987-02-02 1988-08-05 Photonetics Dispositif de detection a fibres optiques impliquant un controle de bon fonctionnement
FR2615284B1 (fr) 1987-05-11 1992-02-28 Photonetics Dispositif pour la detection de vibrations comportant une fibre optique multimode comme element sensible
DE3891284T1 (de) 1987-07-17 1990-04-26 Komatsu Mfg Co Ltd Laserwellenlaengen-regelvorrichtung
FR2618891B1 (fr) 1987-07-31 1989-12-15 Photonetics Procede et dispositif de mesure par l'analyse d'un spectre lumineux cannele, notamment de mesure d'un deplacement de faible amplitude d'une surface mobile, eventuellement representatif de la variation d'une grandeur physique convertible en un tel deplacement
US4847854A (en) 1987-11-13 1989-07-11 Dijk Johannes W Van Lasers
GB8807385D0 (en) 1988-03-29 1988-05-05 British Telecomm Semiconductor device assembly
FR2631438B1 (fr) 1988-05-11 1991-06-21 Photonetics Procede de positionnement d'un objet par rapport a un plan, procede de mesure de longueur et dispositifs de mise en oeuvre de ces procedes
US5450202A (en) 1988-11-17 1995-09-12 Tisue; James G. Adaptive resonant positioner having random access capability
FR2641861B1 (fr) 1989-01-18 1993-04-30 Photonetics Dispositif de mesure opto-electronique
FR2643823B1 (fr) 1989-03-03 1992-05-15 Adidas Chaussures Ballons de sports ou de loisirs, comprenant une couche externe en mousse a peau integrale et leur obtention
FR2645645B1 (fr) 1989-04-06 1991-07-12 Photonetics Perfectionnements aux procedes et dispositifs pour determiner l'angle de contact d'une goutte de liquide posee sur un substrat
DE3911473A1 (de) 1989-04-08 1990-10-11 Kerner Anna Wellenlaengenstabilisierung
US5050179A (en) 1989-04-20 1991-09-17 Massachusetts Institute Of Technology External cavity semiconductor laser
FR2650076B1 (fr) 1989-07-20 1991-10-04 Commissariat Energie Atomique Capteur chimique actif a fibre optique et son procede de fabrication
FR2654827B1 (fr) 1989-11-17 1992-03-20 Photonetics Dispositif de mesure a fibre optique, gyrometre, centrale de navigation et de stabilisation.
US5103457A (en) 1990-02-07 1992-04-07 Lightwave Electronics Corporation Elliptical mode cavities for solid-state lasers pumped by laser diodes
US5163063A (en) 1990-02-07 1992-11-10 Copal Co., Ltd. Semiconductor laser driving circuit
FR2660996B1 (fr) 1990-04-17 1992-08-07 Photonetics Dispositif de mesure a fibre optique, gyrometre, centrale de navigation et de stabilisation, capteur de courant.
US5225930A (en) 1990-05-10 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Comb optical interference filter
FR2662245B1 (fr) 1990-05-18 1994-05-20 Photonetics Dispositif de mesure a fibre optique, gyrometre, centrale de stabilisation et capteur de courant ou de champ magnetique.
US5263037A (en) * 1990-08-01 1993-11-16 Hewlett-Packard Company Optical oscillator sweeper
DE4039371C2 (de) 1990-12-10 2000-05-31 Zeiss Carl Fa Einrichtung zur Stabilisierung der Wellenlänge einer Laserdiode
IL100655A (en) 1991-02-08 1994-11-28 Hughes Aircraft Co Profile gauge for interferometric laser
US5181214A (en) 1991-11-18 1993-01-19 Harmonic Lightwaves, Inc. Temperature stable solid-state laser package
EP0552394B1 (en) 1992-01-24 1994-10-26 Hewlett-Packard GmbH Method and apparatus for adjusting the wavelength in an optical device and laser using the method
AT396841B (de) 1992-04-02 1993-12-27 Rsf Elektronik Gmbh Anordnung zur stabilisierung der wellenlänge des von einer laserdiode abgegebenen lichtstrahlesund laser-interferometer
FR2690012B1 (fr) 1992-04-13 1994-07-08 France Telecom Procede de reglage d'une source lumineuse continument syntonisable.
US5412474A (en) 1992-05-08 1995-05-02 Smithsonian Institution System for measuring distance between two points using a variable frequency coherent source
US5218610A (en) 1992-05-08 1993-06-08 Amoco Corporation Tunable solid state laser
JPH05312646A (ja) 1992-05-15 1993-11-22 Mitsubishi Electric Corp 波長測定装置およびこれを搭載したレーザ装置
US5319668A (en) 1992-09-30 1994-06-07 New Focus, Inc. Tuning system for external cavity diode laser
EP0598950B1 (en) * 1992-11-26 1998-03-04 Océ-Technologies B.V. Rotary mirror system
WO1994015388A1 (en) 1992-12-18 1994-07-07 Olympus Optical Co., Ltd. Apparatus for stabilizing wavelength
US5537432A (en) * 1993-01-07 1996-07-16 Sdl, Inc. Wavelength-stabilized, high power semiconductor laser
US5321717A (en) 1993-04-05 1994-06-14 Yoshifumi Adachi Diode laser having minimal beam diameter and optics
DE4314486C2 (de) 1993-05-03 1998-08-27 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Absolutinterferometrisches Meßverfahren sowie dafür geeignete Laserinterferometeranordnung
US5583638A (en) 1993-07-21 1996-12-10 Hewlett-Packard Company Angular michelson interferometer and optical wavemeter based on a rotating periscope
JPH0766482A (ja) * 1993-08-26 1995-03-10 Anritsu Corp 可変波長光源
US6337660B1 (en) 1993-09-17 2002-01-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Fiber optic true time-delay array antenna feed system
US5543916A (en) 1993-10-04 1996-08-06 Science Solutions, Inc. Interferometer with alignment assembly and with processor for linearizing fringes for determining the wavelength of laser light
US5420687A (en) 1993-10-04 1995-05-30 Science Solutions Inc. Interferometer with processor for linearizing fringers for determining the wavelength of laser light
US5418800A (en) 1993-10-27 1995-05-23 Yeda Research And Development Co. Ltd. Reduced linewidth from an electrically coupled two section semiconductor laser
US5414280A (en) 1993-12-27 1995-05-09 Xerox Corporation Current driven voltage sensed laser drive (CDVS LDD)
US5596456A (en) 1994-02-25 1997-01-21 New Focus, Inc. Achromatic anamorphic prism pair
JPH07239273A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型可変波長光源
JPH07240558A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Ando Electric Co Ltd 波長可変半導体レーザ光源
US5579327A (en) 1994-06-06 1996-11-26 Anritsu Corporation External-cavity tunable wavelength light source using semiconductor laser having phase adjustment area
US5428700A (en) 1994-07-29 1995-06-27 Litton Systems, Inc. Laser stabilization
DE4428194C2 (de) 1994-08-09 1998-02-12 Rofin Sinar Laser Gmbh Lasersystem mit einer kompensierten Spiegeloptik
FR2724496B1 (fr) 1994-09-13 1996-12-20 Photonetics Source laser monomode accordable en longueur d'onde a cavite externe autoalignee
US5473625A (en) 1994-09-26 1995-12-05 At&T Corp. Tunable distributed Bragg reflector laser for wavelength dithering
US5464976A (en) * 1994-09-26 1995-11-07 Allen-Bradley Company, Inc. Bar code reader having dual mirror oscillating assembly with different orientation of oscillation
JP3378103B2 (ja) 1994-12-28 2003-02-17 富士写真フイルム株式会社 レーザーダイオード励起固体レーザー
FR2733320B1 (fr) 1995-04-18 1997-07-04 Photonetics Procede de mesure multi-axe de vitesses de rotation et gyrofibre multi-axe multiplexe permettant une telle mesure
US5917188A (en) 1995-09-01 1999-06-29 Innovative Lasers Corporation Diode laser-pumped laser system for intracavity laser spectroscopy (ILS)
FR2738634B1 (fr) 1995-09-13 1997-11-21 Photonetics Dispositif de mesure de dispersion de polarisation et procede de mesure correspondant
US5737109A (en) 1996-01-16 1998-04-07 Northern Telecom Limited Thermal down-mixing in diode laser transmitters to suppress stimulated brillouin scattering
JPH09211272A (ja) 1996-01-31 1997-08-15 Furukawa Electric Co Ltd:The 光モジュール
WO1997030495A1 (en) 1996-02-13 1997-08-21 Optical Corporation Of America External cavity semiconductor laser with monolithic prism assembly
US5673129A (en) 1996-02-23 1997-09-30 Ciena Corporation WDM optical communication systems with wavelength stabilized optical selectors
US6111681A (en) 1996-02-23 2000-08-29 Ciena Corporation WDM optical communication systems with wavelength-stabilized optical selectors
JPH09260753A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変光源
CA2172873C (en) 1996-03-28 2002-03-12 Kim Byron Roberts Method of determining optical amplifier failures
US5606439A (en) 1996-04-10 1997-02-25 Macro-Vision Technology , Inc. Tunable add/drop optical filter
US5867512A (en) 1997-02-10 1999-02-02 Sacher; Joachim Tuning arrangement for a semiconductor diode laser with an external resonator
US6057915A (en) * 1996-06-21 2000-05-02 Thermotrex Corporation Projectile tracking system
US5825792A (en) 1996-07-11 1998-10-20 Northern Telecom Limited Wavelength monitoring and control assembly for WDM optical transmission systems
US5760391A (en) 1996-07-17 1998-06-02 Mechanical Technology, Inc. Passive optical wavelength analyzer with a passive nonuniform optical grating
FR2754054B1 (fr) 1996-10-02 1998-12-18 Photonetics Analyseur de spectre optique et procede d'analyse de spectre correspondant
US6044095A (en) 1996-10-30 2000-03-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light emitting device drive circuit
US5777773A (en) 1996-10-31 1998-07-07 Northern Telecom Limited Optical frequency control system and method
EP1008211A1 (en) 1997-01-17 2000-06-14 Tellium, Inc. Integrated multi-wavelength transmitter
US5872881A (en) 1997-02-12 1999-02-16 Sdl, Inc. High-thermal-conductivity sealed package for fiber optic coupling to an optoelectronic device
US6249364B1 (en) 1997-02-14 2001-06-19 Photonetics Optical wave-guide wavelength multiplexer and demultiplexer
US6084695A (en) 1997-02-14 2000-07-04 Photonetics Optical fiber wavelength multiplexer and demutiplexer
US5943352A (en) 1997-03-25 1999-08-24 Mci Communication Corporation External cavity laser with optically switched tuning mechanism
IL159560A0 (en) 1997-03-27 2004-06-01 Netmask El Mar Internet Techno Automatic conversion system
US5838713A (en) 1997-04-21 1998-11-17 Shimoji; Yutaka Continuously tunable blue microchip laser
EP0875743B1 (en) 1997-05-02 2001-09-19 Agilent Technologies Inc. a Delaware Corporation A wavemeter and an arrangement for the adjustment of the wavelength of an optical source
JPH10341057A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変半導体レーザー光源およびその波長可変方法
US6205159B1 (en) 1997-06-23 2001-03-20 Newport Corporation Discrete wavelength liquid crystal tuned external cavity diode laser
US6034799A (en) 1997-06-30 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Tuning source for lightwave systems
US5991061A (en) 1997-10-20 1999-11-23 Lucent Technologies Inc. Laser transmitter for reduced SBS
US6115121A (en) * 1997-10-31 2000-09-05 The Regents Of The University Of California Single and double superimposing interferometer systems
US6229835B1 (en) 1997-12-05 2001-05-08 Hitachi, Ltd. Compact solid-state laser and transmitter using the same
US6055538A (en) 1997-12-22 2000-04-25 Hewlett Packard Company Methods and system for using web browser to search large collections of documents
US6040950A (en) 1998-01-05 2000-03-21 Intel Corporation Athermalized mounts for lenses
JP3438770B2 (ja) 1998-03-06 2003-08-18 Kddi株式会社 光ディジタル再生装置
US6301274B1 (en) * 1998-03-30 2001-10-09 Coretek, Inc. Tunable external cavity laser
JP3197869B2 (ja) * 1998-03-31 2001-08-13 アンリツ株式会社 波長可変レーザ光源装置
CA2328089A1 (en) 1998-04-08 1999-12-29 Run Zhang High-speed electro-optic modulator
JPH11307864A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変光源
US6314115B1 (en) * 1998-05-15 2001-11-06 University Of Central Florida Hybrid WDM-TDM optical communication and data link
KR100295810B1 (ko) 1998-06-02 2001-10-26 서평원 파장분할다중방식광전송망채널감시시스템
US6463085B1 (en) * 1998-09-09 2002-10-08 Coretek, Inc. Compact external cavity tunable lasers using hybrid integration with micromachined and electrooptic tunable elements
EP1149443A4 (en) 1998-09-11 2006-03-22 New Focus Inc TUNABLE LASER
US6192058B1 (en) 1998-09-18 2001-02-20 Sarnoff Corporation Multiwavelength actively mode-locked external cavity semiconductor laser
US6259712B1 (en) * 1998-10-01 2001-07-10 International Business Machines Corporation Interferometer method for providing stability of a laser
WO2000024095A1 (en) 1998-10-16 2000-04-27 New Focus, Inc. Continuously-tunable external cavity laser
AU1905400A (en) 1998-10-16 2000-05-08 New Focus, Inc. Interferometer for optical wavelength monitoring
US6282215B1 (en) * 1998-10-16 2001-08-28 New Focus, Inc. Continuously-tunable external cavity laser
US6108355A (en) * 1998-10-16 2000-08-22 New Focus, Inc. Continuously-tunable external cavity laser
US6301280B1 (en) 1999-01-11 2001-10-09 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Apparatus and method for forming a laser control signal, and a laser including the apparatus
FR2789812B1 (fr) 1999-02-15 2001-04-27 Photonetics Reflecteur optique et source laser a cavite externe incorporant un tel reflecteur
AU3859000A (en) 1999-02-19 2000-09-04 New Focus, Inc. Tunable laser transmitter with internal wavelength grid generators
JP3415475B2 (ja) * 1999-04-16 2003-06-09 株式会社堀場製作所 粒子径分布測定装置
US6215802B1 (en) 1999-05-27 2001-04-10 Blue Sky Research Thermally stable air-gap etalon for dense wavelength-division multiplexing applications
US6061369A (en) 1999-06-01 2000-05-09 Corning Incorporated Wavelength selectable fiber laser system
US6181717B1 (en) 1999-06-04 2001-01-30 Bandwidth 9 Tunable semiconductor laser system
EP1214762A4 (en) * 1999-07-27 2007-11-28 New Focus Inc METHOD AND DEVICE FOR FILTERING AN OPTICAL BEAM
US6879619B1 (en) * 1999-07-27 2005-04-12 Intel Corporation Method and apparatus for filtering an optical beam
US6331909B1 (en) * 1999-08-05 2001-12-18 Microvision, Inc. Frequency tunable resonant scanner
US6246480B1 (en) 1999-09-01 2001-06-12 Lucent Technologies Inc. Stepped etalon
US6366689B1 (en) 1999-10-14 2002-04-02 Asti, Inc. 3D profile analysis for surface contour inspection
US6324204B1 (en) 1999-10-19 2001-11-27 Sparkolor Corporation Channel-switched tunable laser for DWDM communications
US6243517B1 (en) 1999-11-04 2001-06-05 Sparkolor Corporation Channel-switched cross-connect
JP2002131585A (ja) 2000-10-20 2002-05-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザモジュールを用いたラマンアンプ
US6366592B1 (en) * 2000-10-25 2002-04-02 Axsun Technologies, Inc. Stepped etalon semiconductor laser wavelength locker
US6339603B1 (en) * 2000-10-25 2002-01-15 Axsun Technologies, Inc. Tunable laser with polarization anisotropic amplifier for fabry-perot filter reflection isolation
US6345059B1 (en) * 2000-10-25 2002-02-05 Axsun Technologies, Inc. Short cavity tunable laser with mode position compensation
US20020135850A1 (en) * 2001-03-15 2002-09-26 Hagelin Paul M. Multistage rotatable actuator
US6816516B2 (en) 2001-03-21 2004-11-09 Intel Corporation Error signal generation system
US6901088B2 (en) * 2001-07-06 2005-05-31 Intel Corporation External cavity laser apparatus with orthogonal tuning of laser wavelength and cavity optical pathlength
US6631146B2 (en) * 2001-07-06 2003-10-07 Intel Corporation Tunable laser control system
US6804278B2 (en) * 2001-07-06 2004-10-12 Intel Corporation Evaluation and adjustment of laser losses according to voltage across gain medium
US6665321B1 (en) * 2002-12-31 2003-12-16 Intel Corporation Tunable laser operation with locally commensurate condition

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