JPH09260753A - 外部共振器型波長可変光源 - Google Patents

外部共振器型波長可変光源

Info

Publication number
JPH09260753A
JPH09260753A JP8094927A JP9492796A JPH09260753A JP H09260753 A JPH09260753 A JP H09260753A JP 8094927 A JP8094927 A JP 8094927A JP 9492796 A JP9492796 A JP 9492796A JP H09260753 A JPH09260753 A JP H09260753A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
light
wavelength
diffraction grating
incident
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8094927A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Maeda
稔 前田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ando Electric Co Ltd filed Critical Ando Electric Co Ltd
Priority to JP8094927A priority Critical patent/JPH09260753A/ja
Priority to US08/825,713 priority patent/US5862162A/en
Publication of JPH09260753A publication Critical patent/JPH09260753A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1028Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
    • H01S5/1032Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14External cavity lasers
    • H01S5/141External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H01S5/142External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon which comprises an additional resonator

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光増幅器の駆動状態が変化しても安定な波長
の光が得られ、波長可変した場合も安定したモードホッ
プの無い連続波長可変が行えるようにする。 【解決手段】 両端面が無反射処理され、自然放出光を
発生する光増幅器31を用い、この光増幅器31は光増
幅器駆動回路32で駆動し、前記光増幅器31の一方の
端面から放射される自然放出光を光共鳴反射器Bに入射
する。この光共鳴反射器Bでは、光分岐素子34によ
り、光増幅器31からの光を回折格子35に導き、この
回折格子35からの入射角度により選択された波長の反
射光を全反射ミラー40に導いて両者間で選択波長光の
共振を起こし、その共振波長の光を光増幅器31に導
く。これにより、光増幅器31の出力光について、狭ス
ペクトル線幅で波長安定性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば光計測技
術分野で使用する外部共振器型の波長可変光源に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】次に、従来技術の外部共振器型波長可変
半導体レーザ(LD)光源の構造を図5に示す。図5
で、光増幅器であるLD11はファブリペロ型構造であ
り、片端面に無反射膜(ARコート)111が施され、
LD駆動回路12で駆動される。LD11の無反射膜1
11側からの出射光は、レンズ13で平行光に変換され
て回折格子14に入射される。回折格子14は波長選択
反射器として使用され、入射される平行光のうち入射角
によって決まる特定の波長の光を特定の方向へ反射する
機能を有する。
【0003】すなわち、回折格子14はLD11の無反
射膜111が施されていない端面とで共振器を形成して
おり、回折格子14で選択された光をLD11に再入射
させることでLD発振させることができる。
【0004】一方、LD11の無反射膜111が施され
ていない側から出射されるレーザ光はレンズ15で平行
光に変換され、光アイソレータ16を透過した後、レン
ズ17で集光され、出力光として伝送用の出力ファイバ
18に入射される。なお、光アイソレータ16は、出力
ファイバ18側からの反射光が光増幅器であるLD11
に戻らないようにするためのものである。
【0005】ここで、回折格子14は、角度調整機構1
9により入射光軸に対して任意の角度に調整可能となっ
ている。このため、角度調整機構19を波長可変駆動回
路20により駆動制御することで、回折格子14を任意
の角度に回転させ、選択される波長(ブラッグ波長)を
任意に変化させることができ、これによってLD11の
利得範囲で波長可変を行うことができる。
【0006】また、回折格子14は、平行移動機構21
により入射光軸と平行に移動可能なっている。このた
め、平行移動機構21を位置調整駆動回路22により駆
動制御することで、回折格子14を共振器の光軸方向に
平行移動させることができ、これによって共振波長を任
意に変化させることができる。
【0007】以上のことから、上記構成による波長可変
LD光源においては、回折格子141の角度調整による
ブラッグ波長変化と位置調整による共振波長変化を同時
に制御することで、モードホップのない連続波長可変を
行うことができる。
【0008】ここで、さらに狭スペクトル線幅も得られ
る構造として、図6に示す光共鳴反射器構造の外部共振
器型波長可変LD光源(特開平6−112583号公
報)がある。なお、図6において、図5と同一部分には
同一符号を付して示し、重複する説明は省略する。
【0009】この光共鳴反射器型の波長可変LD光源で
も、光増幅器として片端面が無反射膜が施されたLD1
1を使用する。一方、外部共振器としては、前述の回折
格子14、角度調整機構19、平行移動機構21と共
に、LD11および回折格子14からの光を分岐する光
分岐素子23、当該分岐素子23からの分岐光を入射方
向に全反射する全反射ミラー24で光共鳴反射器Aを形
成しており、この光共鳴反射器AをLD11の無反射膜
111側の反射器として使用する。
【0010】この光共鳴反射器Aによる外部共振構造
は、波長に対して急峻な反射特性をもつために、LD1
1の発振波長に光学的負帰還が掛かる。よって、スペク
トル線幅の狭窄化が可能となる。連続波長可変は、原理
的には図5の回折格子型波長可変LD光源の構造と等し
く、回折格子14の角度調整と共振器長の調整とを同時
に制御することで得られる。
【0011】しかし、この光共鳴反射器型の波長可変L
D光源における構造では、全反射ミラー24と回折格子
14とからなる共振器と、回折格子14と無反射膜11
1が施されていないLD11の端面とからなる共振器と
の2つの共振器が存在する。一方の共振器にはLD11
が挿入されているので、LD11の屈折率が共振器長に
影響し、波長可変時には、両方の共振器変化が同一とは
ならない。
【0012】これら図5、図6に示される従来の外部共
振器型波長可変LD光源の構造では、共振器内に光増幅
器であるLD11が配置されている結果、LD発振が可
能となる。しかし、LD11には電流・温度・発振波長
などの動作状態で屈折率が変化し、発振波長の安定度が
悪いという問題点がある。安定な発振波長を得るために
は、外部共振器長を一定に保つ他に、LD11の駆動電
流や温度についても注意する必要がある。
【0013】さらに、LD光源では、出力光の光強度変
調を行う使用法もある。そのため、LD駆動電流を直接
変調してしまうと、LD屈折率の変化が発生し、出力光
の強度変調の他に発振波長も変調されてしまう結果とな
る。このようなことから、安定な発振波長で光強度変調
が必要な場合は、LD駆動電流の直接変調ではなく、外
部に光変調器を接続して行う必要がある。
【0014】また、モードホップのない連続波長可変を
行う場合には、回折格子14で選択されるブラッグ波長
(λGr)と共振器のm次の縦モード次数による共振波長
(λFP)を連動して同じ波長量を変化させなければなら
ない。そのためには、ブラッグ波長と共振波長の波長差
をλ/2以下に保ったまま、回折格子14の角度調整と
共振器長の調整を行う必要がある。
【0015】その一方法として、分光器に使用されてい
るサインバー機構がある。サインバー機構を使用した構
成図を図7に示す。なお、図7において、図5または図
6と同一部分には同一符号を付して示す。
【0016】回折格子14は図示を省略した角度調整可
能な角度調整機構により回転駆動を受けることでブラッ
グ波長を変化させる機能を備えている。さらに、角度調
整機構自体が平行移動機構に設置され、共振器方向に平
行移動することで共振波長を変化させる機能を備えてい
る。
【0017】回折格子14は、詳細は図示しないが、コ
ンタクト台に接触されているサインバーを介して回転す
る。位置調整駆動回路からの駆動制御で平行移動機構が
平行移動すると、回折格子14も自動的にサインバーで
回転する。
【0018】サインバー構造では、共振器長とサインバ
ーの長さの関係が(1)式〜(3)式の条件を満たす必
要がある。
【0019】 λGr=2・d・sin θ …(1) λFP=2・n・L/m=2・LA ・sin θ/m …(2) Δλ=λGr−λFP=2・sin θ・(d−LA /m) …(3) ここで、λGrは回折格子14で選択されたブラッグ波
長、dは回折格子14の溝間隔、λFPは外部共振器によ
る共振波長、Lは外部共振器長、mは外部共振器の共振
縦モード次数、LA はサインバーのアーム長、θは回折
格子14へ入射する光の入射角度、Δλはブラッグ波長
λGrとm次の共振波長λFPとの差を表す。
【0020】上記の条件を満たして平行移動させた場
合、サインバー構造による共振波長変化と回折格子14
のブラッグ波長変化が同一の変化量となり、波長を連続
して変化させることができる。サインバー機構を使用し
なくても、式を満たすように回折格子14への入射角度
と共振器長を制御すれば、連続波長可変は可能である
が、個別に入射角度と共振器長の調整を広範囲で連続に
制御することは極めて困難である。
【0021】さらに、前述したようにLD11の屈折率
は、駆動電流・温度・発振波長で変化する。駆動電流や
温度に対しての屈折率変化はほぼ線形変化となるが、発
振波長に対しては非線形の屈折率変化となる。モードホ
ップのない連続波長可変を行うために、物理的共振器長
と回折格子14のブラッグ波長を正確に線形変化させて
も、実際の光学的共振器長は非線形変化となってしま
う。このため、ある波長範囲以上に波長を変化させる
と、共振波長とブラッグ波長がλ/2以上ずれてしま
い、モードホップを伴った波長可変になってしまう。
【0022】共振器長の調整を線形に変化させないで、
波長変化に対応した非線形な変化を行えば連続波長可変
も可能であるが、LD11の駆動電流が異なると波長に
対する屈折率の非線形特性も異なってしまうため、共振
器長の調整を非線形で変化させて波長可変を行うことも
非常に困難である。
【0023】従来技術の図5に示される回折格子型波長
可変LD光源において、LD11の代わりに、両端面に
無反射処理された半導体光増幅器を配置する構造が考え
られる。この場合、回折格子14で反射された光は、多
重干渉によってブラッグ波長を中心とした波長となり、
ある程度の位相は合っている。
【0024】しかしながら、共振特性での位相に比べる
と多重干渉の位相が合っていないため、回折格子14の
反射光が光増幅器に入射され透過する間に増幅されて
も、LD発振のような狭スペクトル線幅での強度の強い
光は得られない。
【0025】
【発明が解決しようとする課題】前述したように共振器
内に光増幅器であるLDが配置されている従来の光源構
造では、LDの駆動電流・温度・発振波長などの変動に
よって屈折率特性が変化し、共振器長である実効的な光
学長も変化してしまう問題がある。
【0026】特に、発振波長に対する屈折率変化が非線
形であるため、線形な共振器長変化を行っても広帯域な
連続波長可変は得られない。さらに、駆動電流が異なっ
た状態で波長可変を行うと、モードホップの発生する波
長が異なった連続波長可変特性になってしまうなどの問
題がある。
【0027】さらに、出力光の光強度変調のためにLD
駆動電流を直接変調すると、LD屈折率が変化してしま
い、光出力の光強度変調の他に発振波長が変調されてし
まうことになる。安定な発振波長で光強度変調が必要な
場合は、LD駆動電流の直接変調ではなく、外部に光変
調器を接続して行うこととになり、光源のコストが増大
する問題がある。
【0028】この発明は、光増幅器の動作状態変化によ
る屈折率変化があっても、狭スペクトル線幅で波長安定
性が得られるとともに、波長可変を行っても安定な連続
波長可変特性が得られる外部共振器型波長可変光源を提
供することを目的とする。
【0029】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明は、両端面が無反射処理された光増幅器を
使用し、光増幅器の外部に光共鳴反射器を設けた構造に
する。
【0030】第1の発明に係る外部共振器型波長可変光
源は、両端面が無反射処理され、自然放出光を発生する
光増幅器31,51と、光増幅器31,51を駆動する
光増幅器駆動回路32,52と、光増幅器31,51の
一方の端面から放射される自然放出光を入射し、任意の
波長で共振して光増幅器31,51の同一端面に反射す
る光共鳴反射器B,C,Dと、光共鳴反射器B,C,D
の光共振波長を制御する波長制御手段36,37,6
5,67と、光共鳴反射器B,C,Dの共振長を制御す
る共振長制御手段38,39,66,68と、光共鳴反
射器B,C,Dからの反射光が増幅されて光増幅器3
1,51の他方の端面から出射する光を抽出出力する光
出力手段41,42,43,44とを備える。
【0031】特に、光共鳴反射器Bは、入射角度に応じ
て異なる波長の光を入射光軸と平行に反射する回折格子
35と、入射光を入射光軸と平行に反射する全反射ミラ
ー40と、光増幅器31からの光を回折格子35に反射
し、回折格子35からの反射光の一部を透過して全反射
ミラー40に導いて回折格子35と全反射ミラー40と
の間で共振させ、同時に回折格子35からの反射光を光
増幅器31に向けて反射する光分岐素子34とを備え
る。
【0032】または、入射角度に応じて異なる波長の光
を入射光軸と平行に反射する回折格子35と、入射光を
入射光軸と平行に反射する全反射ミラー40と、光増幅
器Cからの光を透過して回折格子35に導き、回折格子
35からの反射光の一部を反射して全反射ミラー40に
導いて回折格子35と全反射ミラー40との間で共振さ
せ、同時に回折格子35からの反射光を透過して光増幅
器Cに導く光分岐素子34′とを備える。
【0033】また、波長制御手段36,37は回折格子
35の入射光軸に対する角度を調整し、共振長制御手段
38,39は回折格子35、全反射ミラー40の少なく
ともいずれか一方を入射光軸に沿って平行移動させるよ
うにする。
【0034】また、光共鳴反射器Dとしては、互いに対
向配置され、それぞれ入射光軸と平行に入射光を反射す
る全反射ミラー62,64と、光増幅器51からの光を
反射して全反射ミラー62に導き、ミラー64からの反
射光の一部を透過して全反射ミラー64に導いて全反射
ミラー62,64間で共振させ、同時に全反射ミラー6
2からの反射光を反射して光増幅器51に導く光分岐素
子61と、全反射ミラー62,64のいずれか一方と光
分岐素子61との光路中に配置され、その光軸に対する
角度に応じて異なる波長の光を透過する光バンドパスフ
ィルタ63とを備える。
【0035】また、波長制御手段65,67は光バンド
パスフィルタ63の入射光軸に対する角度を調整し、共
振長制御手段66,68は全反射ミラー62,64の少
なくともいずれか一方を入射光軸に沿って平行移動させ
るようにする。
【0036】また、光増幅器31は、両端面に無反射処
理が施された半導体光増幅素子311でもよい。
【0037】また、光増幅器51はファイバ型光増幅素
子511であり、光増幅器駆動回路52は、励起用ポン
プ光源522と光合波分波器521を備え、励起用ポン
プ光源522で発生される励起光を光合波分波器521
を介してファイバ型光増幅素子511の一方の端面に入
射し、その端面からの出射光を光合波分波器521を介
して出射するようにする。
【0038】
【発明の実施の形態】次に、図1〜図4を参照して本発
明の実施形態について詳細に説明する。図1は本発明の
第1実施形態による外部共振器型波長可変光源の構成を
示す図である。
【0039】図1で、光増幅器31には半導体光増幅素
子311を用いる。この半導体光増幅素子311はLD
と同様なダブルヘテロ構造をもち、両端面にはLD発振
を防止する無反射膜(ARコート)312,313によ
り無反射処理が施されている。半導体光増幅素子311
の両端面処理は、無反射膜構造の他に、端面に窓構造を
取り入れた構造や、端面に対して斜めに光導波路を形成
した構造でもよい。
【0040】この半導体光増幅素子311は、光増幅器
駆動回路32と接続され、この駆動回路32からの注入
電流に応じて、両端面から利得のある波長範囲でかつ位
相がランダムな自然放出光を出射する。
【0041】レンズ33は光増幅器31の一方の出射光
軸上に設けられ、光増幅器31の端面から出射される自
然放出光を平行光に変換する。平行光に変換された自然
放出光は光分岐素子34に入射される。
【0042】光分岐素子34は反射率が20%で透過率
が80%の特性を持ち、入射された平行光の20%を回
折格子35に反射させる。この回折格子35は波長選択
反射器として機能し、入射角θで入射された平行光のう
ち入射角θにより決定される波長(ブラッグ波長)の光
のみを、光分岐素子34からの光軸に反射させる。ブラ
ッグ波長以外の光は、光分岐素子34からの光軸とは異
なった角度で反射され、光増幅器31に戻ることはな
い。
【0043】ここで、回折格子35は、角度調整機構3
6により入射光軸に対して任意の角度に調整可能となっ
ており、この角度調整機構36を波長可変駆動回路37
により駆動制御することで、回折格子35を任意の角度
に回転させ、選択される波長(ブラッグ波長)を任意に
変化させることができ、これによって光増幅器31の利
得範囲で波長可変を行うことができる。
【0044】また、回折格子35は、平行移動機構38
により入射光軸と平行に移動可能なっており、この平行
移動機構38を位置調整駆動回路39により駆動制御す
ることで、回折格子35を共振器の光軸方向に平行移動
させることができ、これによって共振波長を任意に変化
させることができる。
【0045】以上のことから、回折格子35の角度調整
によるブラッグ波長変化と位置調整による共振波長変化
を同時に制御することで、モードホップのない連続波長
可変を行うことができる。
【0046】回折格子35で選択されたブラッグ波長の
反射光は、再度光分岐素子34に入射され、そのうち2
0%が光増幅器31に反射され、残り80%の光が光分
岐素子34を透過して全反射ミラー40に入射される。
この全反射ミラー40は、入射した光を全反射し、光分
岐素子34に再度入射させる。
【0047】光分岐素子34、回折格子35、角度調整
機構36、平行移動機構38、全反射ミラー40は、光
共鳴反射器Bを構成する。
【0048】一方、光増幅器31の他方の端面から出射
される光は、レンズ41で平行光に変換され、光アイソ
レータ42を透過した後、レンズ43で集光されて出力
ファイバ44に入射することで出力光となる。光アイソ
レータ42は、出力ファイバ44側からの反射光を光増
幅器31に戻らないようにしている。
【0049】上記構成による外部共振器型波長可変光源
において、以下にその動作を説明する。まず、回折格子
35と光分岐素子34および全反射ミラー40との間で
反射と透過が繰り返される。このとき、回折格子35で
選択された波長で共振波長と一致した光のみが回折格子
34と全反射ミラー40間で共振し、光分岐素子34か
ら反射光として光増幅器31に戻る。
【0050】この光増幅器31に入射した光は、位相が
一致しているので、光増幅器31を通過するとき誘導放
出が起こって光増幅が行われ、狭スペクトル線幅で強い
光となって反対の端面から出射される。
【0051】光増幅されて出射した光は、レンズ41で
平行光に変換され、光アイソレータ42を透過した後、
レンズ43で集光されて出力ファイバ44に入射するこ
とで出力光となる。
【0052】ここで、回折格子35を角度調整機構36
によって回転させることで選択される波長(ブラッグ波
長)が変化し、光増幅器31の利得範囲で波長を変化さ
せることができる。また、平行移動機構37によって共
振器の光軸方向に平行移動させることで共振波長を変化
させることができる。このため、回折格子35の角度調
整によるブラッグ波長変化と平行移動調整による共振波
長変化を同時に制御することで、モードホップのない連
続波長可変が可能となる。
【0053】上記構成による波長可変光源では、光共鳴
反射器Bの共振器内には、光増幅器31として半導体光
増幅素子311が挿入されていないため、半導体光増幅
素子311の屈折率変化が問題になることはない。
【0054】その結果、半導体光増幅素子311の駆動
電流を変化させても、安定した波長の光が得られ、光強
度変調を半導体光増幅素子311の駆動電流で直接変調
させることも可能で、余分な光変調器などを使用する必
要がなくなる。また、波長可変の場合でも、半導体光増
幅素子311の波長に対する非線形な屈折率変化を考慮
する必要はなく、共振器長を線形に変化させればよいた
め、安定に波長可変が行える。
【0055】ところで、第1実施形態においては、光共
鳴反射器Bに使用した光分岐素子34の特性は、反射率
が20%で透過率が80%のものを使用して説明した
が、光共鳴反射器Bの特性として、波長に対して急峻な
反射特性が得られる範囲であれば、反射率が10%〜4
0%で透過率が90%〜60%のものを使用することも
可能である。
【0056】次に、この発明の第2実施形態による外部
共振器型波長可変光源の構成を図2に示す。なお、図2
において、図1と同一部分には同一符号を付して示し、
ここでは重複する説明を省略する。
【0057】図2で、光増幅器51には、希土類元素を
添加された光ファイバ型の光増幅器(ファイバ光増幅素
子)511を使用し、光共鳴反射器C側の出力端面は無
反射処理がされており、この端面から出射される自然放
出光はレンズ33により平行光に変換されて光共鳴反射
器Cに導かれ、他方の端面から出射される自然放出光は
光増幅器駆動回路52内の光合波分波器521および反
射防止用の光アイソレータ53を介して出力ファイバ5
4に導かれる。
【0058】光増幅器駆動回路52は、外部励起用ポン
プ光源522を備え、このポンプ光源522で発生され
る励起光を光合波分波器521を介してファイバ光増幅
素子511の端面に入射することで、当該ファイバ光増
幅素子511を励起する。
【0059】すなわち、上記構成による波長可変光源で
は、光増幅器駆動回路52の励起用ポンプ光源522で
発生される励起光をファイバ光増幅素子511に入射す
ることでその内部に反転分布を形成し、これによって半
導体光増幅素子と同様に、ファイバ光増幅素子511に
自然放出光を発生させる。このファイバ光増幅素子51
1は、外部から入射される光が通過すると内部に誘導放
出が起こり、出射端から光増幅された光を出力する。
【0060】そこで、励起用ポンプ光源522で発生さ
れる光をファイバ光増幅素子511に通し、ファイバ光
増幅素子511で発生した自然放出光が光共鳴反射器C
に入射する。このとき、回折格子35で選択される波長
のみが共振し、共振波長の光のみが光増幅器51側に再
反射され、増幅出力される。一方、励起用ポンプ光源5
22の光は回折格子35で選択されないため、光増幅器
51に戻ることはなく、出力ファイバ54から出力され
ることはない。
【0061】図2に示す光共鳴反射器Cの構成は、図1
での反射率が20%で透過率が80%の光分岐素子34
を使用した構成とは異なり、反射率が80%で透過率が
20%の光分岐素子34′を使用した場合の構成であ
る。
【0062】レンズ33によって平行光に変換された光
増幅器51からの自然放出光は、光分岐素子34′に入
射される。光分岐素子34′は、反射率が80%で透過
率が20%の特性を持ち、入射された平行光の20%を
波長選択反射器である回折格子35側に透過させる。回
折格子35に入射された自然放出光のうち、選択された
ブラッグ波長の反射光が、再度光分岐素子34′に入射
する。光分岐素子34′に再入射した光のうち20%が
光増幅器51側に透過され、残り80%の光が光分岐素
子34′を反射して全反射ミラー40に入射する。全反
射ミラー40は、入射した光を全反射し、光分岐素子3
4′に再度入射させる。
【0063】以下、回折格子35と光分岐素子34′お
よび全反射ミラー40間で反射と透過が繰り返されるこ
とで、回折格子35で選択された波長で共振波長と一致
した光のみが回折格子35と全反射ミラー40間で共振
され、光分岐素子34′から光共鳴反射器Cの反射光と
して光増幅器51に戻る。
【0064】その結果、第1実施形態で示した光共鳴反
射器Bの構成と同様、位相が一致している光が得られ、
光増幅器51であるファイバ光増幅素子511を透過す
ることで狭スペクトル線幅で光強度の強い光が得られ
る。
【0065】第2実施形態では、光共鳴反射器Cに使用
する光分岐素子34′として、反射率が80%で透過率
が20%の特性を有する場合について説明したが、光共
鳴反射器Cの特性として、波長に対して急峻な反射特性
が得られる範囲であれば、反射率が90%〜60%で透
過率が10%〜40%のものを使用してもよい。
【0066】以上述べた第1、第2実施形態では、波長
可変方法として、回折格子35の角度調整を行う角度調
整機構36と共振器長の調整を行う平行移動機構38と
を個別に制御する方法で説明したが、従来技術で説明し
たサインバー機構を使用してもよい。
【0067】また、第1、第2実施形態では、回折格子
35側を平行移動させ、共振器長の調整を行う構造で説
明したが、全反射ミラー40側に平行移動機構を持たせ
て、全反射ミラー40の平行移動で共振器長の調整を行
ってもよい。この場合の回折格子35は角度調整機構の
角度調整による回転だけの動きとなり、構造が簡単にな
る。
【0068】次に、この発明の第3実施形態による外部
共振器型波長可変光源の構成を図3に示す。なお、図3
において、図1、図2と同一部分には同一符号を付して
示し、ここでは重複する説明を省略する。
【0069】図3において、光増幅器31または51の
一方の端面から出射される自然放出光は、レンズ33を
介して光共鳴反射器Dに入射される。この光共鳴反射器
Dは、光分岐素子61、全反射ミラー62、光バンドパ
スフィルタ63、全反射ミラー64、角度調整機構6
5、平行移動機構66で構成される。
【0070】ここで、光分岐素子61はレンズ33から
の平行光を反射して光バンドパスフィルタ63を介して
第1の全反射ミラー62に導くと共に、光バンドパスフ
ィルタ63を介して入射される全反射ミラー62からの
反射光を一部全反射ミラー64に向けて透過し、一部光
増幅器31または51に向けて反射する。全反射ミラー
62,64はいずれも入射光をその光軸に対して平行に
全反射するもので、両者間で所定波長の光を共振させる
機能を有する。
【0071】一方、角度調整機構65は波長可変駆動回
路67により光バンドパスフィルタ63の入射光軸に対
する角度を調整可能となっている。また、平行移動機構
66は位置調整駆動回路68により第1の全反射ミラー
62を入射光軸に対して平行に移動可能となっている。
また、光バンドパスフィルタ63は干渉膜を利用したも
ので、光の入射角度に応じて透過ピーク波長が変化する
特性を有する。
【0072】すなわち、上記構成による波長可変光源で
は、波長選択反射器として、回折格子を使用した構造の
代わりに、干渉膜を利用した光バンドパスフィルタ63
と全反射ミラー62,64から形成される波長選択反射
器を使用して光共鳴反射器Dを構成している。光バンド
パスフィルタ63でも、平行光の入射角度を垂直から角
度を持たせると透過ピーク波長が波長変化する。このた
め、回折格子と同様に、角度調整機構65によりバンド
パスフィルタ63を角度調整することによって波長変化
させることができる。また、どちらか一方の全反射ミラ
ー62,64(図では62)を平行移動させることで、
共振波長を変化させることができる。
【0073】なお、波長可変を必要としない場合には、
図4(図1〜図3と同一部分には同一符号を付して示
し、その説明は省略する)に示すように、光共鳴反射器
Eを基本的に光導波路で形成することができる。
【0074】この場合、光共鳴反射器Eにおける光導波
路の入出力端面はARコート71,72により無反射処
理が施されており、波長選択反射器としてDBR(分布
反射型ブラッグ反射器)領域をもった光導波路73と光
増幅器31または51からの光を入射する光導波路74
とが方向性光結合領域で結合されている。方向性光結合
領域の特性は、もう一方の光導波路に光が移る結合特性
として、10%〜40%の結合率が望ましい。
【0075】
【発明の効果】この発明によれば、光増幅器の駆動状態
が変化しても安定な波長の光が得られ、波長可変した場
合も安定したモードホップのない連続波長可変が行える
外部共振器型波長可変光源を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態による外部共振器型波
長可変光源の構成を示すブロック図である。
【図2】この発明の第2実施形態による外部共振器型波
長可変光源の構成を示すブロック図である。
【図3】この発明の第3実施形態による外部共振器型波
長可変光源の構成を示すブロック図である。
【図4】この発明の応用例として、光導波路型光共鳴反
射器による光源の構成を示すブロック図である。
【図5】従来の回折格子を使用した外部共振器型波長可
変LD光源の構成を示す図である。
【図6】従来の光共鳴反射器を使用した外部共振器型波
長可変LD光源の構成を示す図である。
【図7】従来の波長可変機構の一種であるサインバー機
構の構成を示す図である。
【符号の説明】
11 LD 111 ARコート 12 LD駆動回路 13,15,17 レンズ 14 回折格子 16 光アイソレータ 18 出力ファイバ 19 角度調整機構 20 波長可変駆動回路 21 平行移動機構 22 位置調整駆動回路 23 光分岐素子 24 全反射ミラー A〜E 光共鳴反射器 31 光増幅器 311 半導体光増幅素子 312,313 ARコート 32 光増幅器駆動回路 33,41,43 レンズ 34 光分岐素子 35 回折素子 36 角度調整機構 37 波長可変駆動回路 38 平行移動機構 39 位置調整駆動回路 40 全反射ミラー 42 光アイソレータ 44 出力ファイバ 51 光増幅器 511 ファイバ光増幅器 52 光増幅器駆動回路 521 光合波分波器 522 励起用ポンプ光源 53 光アイソレータ 54 出力ファイバ 61 光分岐素子 62 第1の全反射ミラー 63 光バンドパスフィルタ 64 第2の全反射ミラー 65 角度調整機構 66 平行移動機構 67 位相可変駆動回路 68 位置調整駆動回路 71,72 ARコート 73,74 光導波路

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 両端面が無反射処理され、自然放出光を
    発生する光増幅器(31,51) と、 この光増幅器(31,51) を駆動する光増幅器駆動回路(32,
    52) と、 前記光増幅器(31,51) の一方の端面から放射される自然
    放出光を入射し、任意の波長で共振して前記光増幅器(3
    1,51) の同一端面に反射する光共鳴反射器(B,C,D) と、 この光共鳴反射器(B,C,D) の光共振波長を制御する波長
    制御手段(36,37,65,67) と、 前記光共鳴反射器(B,C,D) の共振長を制御する共振長制
    御手段(38,39,66,68)と、 前記光共鳴反射器(B,C,D) からの反射光が増幅されて、
    前記光増幅器(31,51)の他方の端面から出射する光を抽
    出出力する光出力手段(41,42,43,44) とを具備すること
    を特徴とする外部共振器型波長可変光源。
  2. 【請求項2】 前記光共鳴反射器(B) は、 入射角度に応じて異なる波長の光を入射光軸と平行に反
    射する回折格子(35)と、 入射光を入射光軸と平行に反射する全反射ミラー(40)
    と、 前記光増幅器(31)からの光を前記回折格子(35)に反射
    し、当該回折格子(35)からの反射光の一部を透過して前
    記全反射ミラー(40)に導いて前記回折格子(35)と全反射
    ミラー(40)との間で共振させ、同時に前記回折格子(35)
    からの反射光を前記光増幅器(31)に向けて反射する光分
    岐素子(34)とを備えることを特徴とする請求項1に記載
    の外部共振器型波長可変光源。
  3. 【請求項3】 前記光共鳴反射器(C) は、 入射角度に応じて異なる波長の光を入射光軸と平行に反
    射する回折格子(35)と、 入射光を入射光軸と平行に反射する全反射ミラー(40)
    と、 前記光増幅器(C) からの光を透過して前記回折格子(35)
    に導き、当該回折格子(35)からの反射光の一部を反射し
    て前記全反射ミラー(40)に導いて前記回折格子(35)と全
    反射ミラー(40)との間で共振させ、同時に前記回折格子
    (35)からの反射光を透過して前記光増幅器(C) に導く光
    分岐素子 (34′) とを備えることを特徴とする請求項1
    に記載の外部共振器型波長可変光源。
  4. 【請求項4】 前記波長制御手段(36,37) は前記回折格
    子(35)の入射光軸に対する角度を調整し、前記共振長制
    御手段(38,39) は前記回折格子(35)、前記全反射ミラー
    (40)の少なくともいずれか一方を入射光軸に沿って平行
    移動させるようにしたことを特徴とする請求項2、3の
    いずれかに記載の外部共振器型波長可変光源。
  5. 【請求項5】 前記光共鳴反射器(D) は、 互いに対向配置され、それぞれ入射光軸と平行に入射光
    を反射する第1および第2の全反射ミラー(62,64) と、 前記光増幅器(51)からの光を反射して前記第1の全反射
    ミラー(62)に導き、当該ミラー(64)からの反射光の一部
    を透過して前記第2の全反射ミラー(64)に導いて前記第
    1および第2の全反射ミラー(62,64) 間で共振させ、同
    時に第1の全反射ミラー(62)からの反射光を反射して前
    記光増幅器(51)に導く光分岐素子(61)と、 前記第1お
    よび第2の全反射ミラー(62,64) のいずれか一方と前記
    光分岐素子(61)との光路中に配置され、その光軸に対す
    る角度に応じて異なる波長の光を透過する光バンドパス
    フィルタ(63)とを備えることを特徴とする請求項1に記
    載の外部共振器型波長可変光源。
  6. 【請求項6】 前記波長制御手段(65,67) は前記光バン
    ドパスフィルタ(63)の入射光軸に対する角度を調整し、
    前記共振長制御手段(66,68) は前記第1および第2の全
    反射ミラー(62,64) の少なくともいずれか一方を入射光
    軸に沿って平行移動させるようにしたことを特徴とする
    請求項5に外部共振器型波長可変光源。
  7. 【請求項7】 前記光増幅器(31)は、両端面に無反射処
    理が施された半導体光増幅素子(311) であることを特徴
    とする請求項1に記載の外部共振器型波長可変光源。
  8. 【請求項8】 光増幅器(51)はファイバ型光増幅素子(5
    11) であり、 前記光増幅器駆動回路(52)は、励起用ポンプ光源(522)
    と光合波分波器(521)を備え、前記励起用ポンプ光源(52
    2) で発生される励起光を前記光合波分波器(521) を介
    して前記ファイバ型光増幅素子(511) の一方の端面に入
    射し、その端面からの出射光を前記光合波分波器(521)
    を介して出射するようにしたことを特徴とする請求項1
    に記載の外部共振器型波長可変光源。
JP8094927A 1996-03-25 1996-03-25 外部共振器型波長可変光源 Pending JPH09260753A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8094927A JPH09260753A (ja) 1996-03-25 1996-03-25 外部共振器型波長可変光源
US08/825,713 US5862162A (en) 1996-03-25 1997-03-19 External resonator type wavelength- tunable light source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8094927A JPH09260753A (ja) 1996-03-25 1996-03-25 外部共振器型波長可変光源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09260753A true JPH09260753A (ja) 1997-10-03

Family

ID=14123612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8094927A Pending JPH09260753A (ja) 1996-03-25 1996-03-25 外部共振器型波長可変光源

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5862162A (ja)
JP (1) JPH09260753A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174368A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Photonetics Sa 多数波長レ―ザ源
JP2006024876A (ja) * 2004-06-07 2006-01-26 Sun Tec Kk 波長走査型ファイバレーザ光源
JP2006080384A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Sun Tec Kk 波長走査型ファイバレーザ光源
JP2006245346A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Nec Corp 波長可変共振器、波長可変レーザ、光モジュール及びそれらの制御方法
JP2012150408A (ja) * 2011-01-21 2012-08-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長可変レーザ光源
JP2016213510A (ja) * 2003-06-06 2016-12-15 ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション 波長同調発信源装置及びその方法
KR20180114105A (ko) * 2016-02-12 2018-10-17 아이피지 포토닉스 코포레이션 고파워 cw 중간-ir 레이저

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10341057A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変半導体レーザー光源およびその波長可変方法
JPH11103124A (ja) * 1997-09-26 1999-04-13 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型光源
JPH11163450A (ja) * 1997-11-28 1999-06-18 Ando Electric Co Ltd 波長可変光源
JP3197869B2 (ja) * 1998-03-31 2001-08-13 アンリツ株式会社 波長可変レーザ光源装置
JPH11307864A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変光源
AU3691500A (en) 1998-11-25 2000-07-03 University Of New Mexico Precisely wavelength-tunable and wavelength-switchable narrow linewidth lasers
WO2000049688A1 (en) * 1999-02-19 2000-08-24 Radians Innova Ab Device and method for tuning the wavelength of the light in an external cavity laser
US6879619B1 (en) 1999-07-27 2005-04-12 Intel Corporation Method and apparatus for filtering an optical beam
US6853654B2 (en) * 1999-07-27 2005-02-08 Intel Corporation Tunable external cavity laser
US6856632B1 (en) 1999-09-20 2005-02-15 Iolon, Inc. Widely tunable laser
US6847661B2 (en) 1999-09-20 2005-01-25 Iolon, Inc. Tunable laser with microactuator
JP2001284715A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型レーザ光源
JP2001284717A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型レーザ光源
ATE279798T1 (de) 2000-06-20 2004-10-15 Evotec Ag Faser-laser
US7120176B2 (en) * 2000-07-27 2006-10-10 Intel Corporation Wavelength reference apparatus and method
US6611546B1 (en) * 2001-08-15 2003-08-26 Blueleaf, Inc. Optical transmitter comprising a stepwise tunable laser
US6710914B2 (en) 2001-05-22 2004-03-23 Lightwave Electronics Tunable light source employing optical parametric oscillation near degeneracy
EP1202409B1 (en) * 2001-06-01 2003-04-16 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Tuning a laser
US6901088B2 (en) * 2001-07-06 2005-05-31 Intel Corporation External cavity laser apparatus with orthogonal tuning of laser wavelength and cavity optical pathlength
US6822979B2 (en) 2001-07-06 2004-11-23 Intel Corporation External cavity laser with continuous tuning of grid generator
JP5196459B2 (ja) * 2001-07-31 2013-05-15 独立行政法人科学技術振興機構 広帯域波長可変レーザ光発生装置
EP1231684A1 (en) 2001-09-07 2002-08-14 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) Tuning a laser
JP2003234527A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Acterna R & D Kk 波長可変光源装置
US6788726B2 (en) * 2002-02-26 2004-09-07 New Focus, Inc. External cavity laser with high spectral purity output
US6845121B2 (en) * 2002-06-15 2005-01-18 Intel Corporation Optical isolator apparatus and methods
US6763047B2 (en) * 2002-06-15 2004-07-13 Intel Corporation External cavity laser apparatus and methods
US7170914B2 (en) * 2003-06-27 2007-01-30 Intel Corporation Optical transmitters
US7295581B2 (en) * 2003-09-29 2007-11-13 Intel Corporation External cavity tunable optical transmitters
JP2005142197A (ja) * 2003-11-04 2005-06-02 Yokogawa Electric Corp 波長可変光源
KR100550141B1 (ko) * 2004-08-09 2006-02-08 한국전자통신연구원 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저다이오드
JP2008529068A (ja) * 2005-01-24 2008-07-31 ソルラブス、 インコーポレイテッド 高速に波長スキャンする小型マルチモードレーザ
US7535656B2 (en) 2005-06-15 2009-05-19 Daylight Solutions, Inc. Lenses, optical sources, and their couplings
US7492806B2 (en) * 2005-06-15 2009-02-17 Daylight Solutions, Inc. Compact mid-IR laser
GB0724874D0 (en) 2007-12-20 2008-01-30 Uws Ventures Ltd Turntable laser
US7848382B2 (en) 2008-01-17 2010-12-07 Daylight Solutions, Inc. Laser source that generates a plurality of alternative wavelength output beams
JP5212475B2 (ja) * 2008-08-06 2013-06-19 日本電気株式会社 波長可変光送信機
GB0823084D0 (en) 2008-12-18 2009-01-28 Renishaw Plc Laser Apparatus
US8774244B2 (en) 2009-04-21 2014-07-08 Daylight Solutions, Inc. Thermal pointer
US20120307257A1 (en) 2010-02-12 2012-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Swept light source apparatus and imaging system including the same
WO2011156033A2 (en) * 2010-03-15 2011-12-15 Daylight Solutions, Inc. Laser source that generates a rapidly changing output beam
US8335413B2 (en) 2010-05-14 2012-12-18 Daylight Solutions, Inc. Optical switch
WO2012006346A1 (en) 2010-07-07 2012-01-12 Daylight Solutions, Inc. Multi-wavelength high output laser source assembly with precision output beam
US9225148B2 (en) 2010-09-23 2015-12-29 Daylight Solutions, Inc. Laser source assembly with thermal control and mechanically stable mounting
US8467430B2 (en) 2010-09-23 2013-06-18 Daylight Solutions, Inc. Continuous wavelength tunable laser source with optimum orientation of grating and gain medium
US9042688B2 (en) 2011-01-26 2015-05-26 Daylight Solutions, Inc. Multiple port, multiple state optical switch
DE102013011066A1 (de) * 2013-07-03 2015-01-08 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Wärme-Lichttrennung für eine UV-Strahlungsquelle
JP2021523562A (ja) * 2018-05-03 2021-09-02 クアンタム−エスアイ インコーポレイテッドQuantum−Si Incorporated 光学素子の特徴付け

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06112583A (ja) * 1992-09-25 1994-04-22 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型半導体レーザ光源
JPH0799359A (ja) * 1993-09-27 1995-04-11 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型周波数可変半導体レーザ光源
JPH07239273A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型可変波長光源
JPH07240558A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Ando Electric Co Ltd 波長可変半導体レーザ光源

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174368A (ja) * 1998-12-04 2000-06-23 Photonetics Sa 多数波長レ―ザ源
JP4521793B2 (ja) * 1998-12-04 2010-08-11 イェニスタ オプティクス 多数波長レ−ザ源
JP2016213510A (ja) * 2003-06-06 2016-12-15 ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション 波長同調発信源装置及びその方法
JP2018152604A (ja) * 2003-06-06 2018-09-27 ザ ジェネラル ホスピタル コーポレイション 波長同調発信源装置及びその方法
JP2006024876A (ja) * 2004-06-07 2006-01-26 Sun Tec Kk 波長走査型ファイバレーザ光源
JP2006080384A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Sun Tec Kk 波長走査型ファイバレーザ光源
JP4527479B2 (ja) * 2004-09-10 2010-08-18 サンテック株式会社 波長走査型ファイバレーザ光源
JP2006245346A (ja) * 2005-03-03 2006-09-14 Nec Corp 波長可変共振器、波長可変レーザ、光モジュール及びそれらの制御方法
JP2012150408A (ja) * 2011-01-21 2012-08-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 波長可変レーザ光源
KR20180114105A (ko) * 2016-02-12 2018-10-17 아이피지 포토닉스 코포레이션 고파워 cw 중간-ir 레이저

Also Published As

Publication number Publication date
US5862162A (en) 1999-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09260753A (ja) 外部共振器型波長可変光源
US6041070A (en) Resonant pumped short cavity fiber laser
EP0930679B1 (en) Wavelength selectable laser source for wavelength division multiplexed applications
US5946129A (en) Wavelength conversion apparatus with improved efficiency, easy adjustability, and polarization insensitivity
EP1573867B1 (en) Traveling-wave lasers with a linear cavity
US20020054614A1 (en) Wavelength discretely tunable semiconductor laser
US8619824B2 (en) Low white frequency noise tunable semiconductor laser source
US20020071457A1 (en) Pulsed non-linear resonant cavity
US6959028B2 (en) External cavity, widely tunable lasers and methods of tuning the same
US5442651A (en) External cavity control semiconductor laser
US20100265975A1 (en) Extended cavity semiconductor laser device with increased intensity
JP2007515771A (ja) 外部空洞同調可能レーザの位相制御
JP2004193545A (ja) スペクトル依存性空間フィルタリングによるレーザの同調方法およびレーザ
JP3026291B2 (ja) 位相連続周波数可変光源
US6930822B2 (en) Wavelength locker
US20050008045A1 (en) Laser with reflective etalon tuning element
US6816518B2 (en) Wavelength tunable high repetition rate optical pulse generator
US6757307B2 (en) Self seeding pulsed non-linear resonant cavity
US20050276303A1 (en) External Cavity Laser
JP2005136202A (ja) 波長可変レーザ及びその制御方法
US6693923B2 (en) Waveguide laser source
Maerten et al. Laser diode made single-mode by a self-adaptive photorefractive filter
JP3176682B2 (ja) 波長可変レーザー装置
US20060002436A1 (en) Wavelength tunable laser and method of controlling the same
US6959023B1 (en) Laser with reflective etalon tuning element