KR100550141B1 - 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저다이오드 - Google Patents

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권오기
김강호
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Abstract

본 발명은 오목곡면 회절격자와 반사거울의 사이에 삼각형 모양으로 이루어지며 전기적 신호에 따라 굴절률이 변화되는 가변 광 편향기가 형성된 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드에 관한 것이다. 기계적인 움직임이 없이 전기적 신호를 이용하여 공진 주파수를 변화시킴으로써 동작이 안정적이며 빠른 속도의 연속적인 파장 가변이 가능해진다. 본 발명의 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 InP/InGaAsP/InP 슬랩 도파로에 구현하면 반송자 수명시간에 의하여 결정되는 가변 시간을 수 ns 이하로 짧게 할 수 있으며, 소형화가 가능해지고, 제작 공정의 단순화로 제작 단가가 대폭 감소된다. 또한, 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로를 기반으로 오목곡면 회절격자를 설계하면 저분해능을 가지는 리쏘그라피 공정으로도 제작이 가능하기 때문에 회절격자의 재현성 및 균일도가 높아지며, 이에 따라 제작 단가가 감소된다.
가변 광 편향기, 수동 도파로, 슬랩 도파로, 회절격자, 굴절율

Description

가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드 {Tunable external cavity laser diode using variable optical deflector}
도 1은 종래 Littman-Metcalf 방식의 외부 공진기를 설명하기 위한 구조도.
도 2는 종래 Littrow 방식의 외부 공진기를 설명하기 위한 구조도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도.
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도.
도 8은 본 발명에 적용된 가변 광 편향기의 동작 전력을 최적화하기 위한 구조도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
10, 20 : 레이저 다이오드 11, 21 : 렌즈
12, 22 : 회절격자 13, 13' : 반사거울
15a, 15b : 반사 거울에 수직으로 회절되는 파장의 빔
100 : InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로
100' : 실리카 또는 폴리머계 슬랩 도파로
101 : 슬랩 도파로 반사면 110 : 반도체 광증폭기 반사면
111 : 전류차단층 112 : 반도체 광증폭기
113 : 수동 도파로 120 : 오목곡면 회절격자
130 : 가변 광 편향기 135 : 슬랩 도파로 부분
140a 및 140b : 반사거울에 수직으로 회절되는 파장의 빔
150 : 무반사 박막 160 : 원통형 렌즈
본 발명은 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전기적 신호에 따라 굴절률이 변화되는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드에 관한 것이다.
일반적으로 외부 공진기는 일정 대역폭을 갖는 레이저 다이오드와 같은 광원으로부터 방출되는 단일 파장의 광을 특정 파장의 광으로 가변시키는 데 사용한다. Littman-Metcalf 방식과 Littrow 방식은 대표적인 외부 공진기 구조이며, 특정 파 장의 광으로 가변시키는 방법은 분광학 연구에 많이 사용되어지는 색소 레이저 기술과 광 특성 측정 기술에 적용되기도 한다.
도 1은 Littman-Metcalf 방식의 종래 외부 공진기를 설명하기 위한 구조도이다.
Littman-Metcalf 방식의 외부 공진기는 넓은 파장 대역을 갖는 레이저 다이오드(10)로부터 발생된 빔을 평행하게 만드는 렌즈(11), 평행빔을 회절시키기 위한 회절격자(12) 및 회절된 빔을 반사시키기 위한 반사거울(13)로 구성된다.
레이저 다이오드(10)로부터 빔이 발생되면 렌즈(11)에 의해 빔이 평행하게 모아지고, 평행빔은 회절격자(12)에 의해 반사거울(13) 쪽으로 회절된다. 반사거울(13)은 기계장치(도시않됨)에 의해 회절격자(12)로 향하는 각도가 조절되며, 이로써 반사거울(13)은 입사되는 파장 중 수직으로 입사되는 특정 파장의 광만을 회절격자(12)로 반사시킨다. 회절격자(12)로 반사되어 돌아온 빔은 회절격자(12)에 의해 다시 회절되고 렌즈(11)를 통해 레이저 다이오드(10)로 되돌아간다.
일정 파장의 빔(15a)이 반사거울(13)에 수직으로 입사되어 회절격자(12)로 반사되는 것과 같이, 반사거울(13)이 회전되어 반사거울(13')의 위치에 있게 되면 다른 파장의 빔(15b)이 반사거울(13')에 수직으로 입사되어 회절격자(12)로 반사된다. 따라서 반사거울(13)이 배치되는 각도에 따라 레이저 다이오드(10)로 되돌아가는 빔의 파장이 달라지며, 이와 같은 원리에 의해 반사거울(13)의 각도에 따라 파장 가변이 이루어진다.
상기와 같이 Littman-Metcalf 방식의 외부 공진 레이저 다이오드는 반사거울 의 각도를 조절하여 파장을 가변시키지만, Littrow 방식의 외부 공진 레이저 다이오드는 회절격자의 각도를 조절하여 파장을 가변시킨다.
도 2는 Littrow 방식의 종래 외부 공진기를 설명하기 위한 구조도이다.
Littrow 방식의 외부 공진기는 Littman-Metcalf 방식의 외부 공진기와 구성이 유사하지만, 반사거울의 각도를 조절하지 않고 회절격자(22)의 각도를 조절하여 파장을 가변시킨다.
레이저 다이오드(20)로부터 빔이 발생되면 렌즈(21)에 의해 빔이 평행하게 모아지고, 평행하게 모아진 빔 중 특정 파장을 갖는 빔이 회절격자(22)의 각도에 따라 회절되어 렌즈(21)를 통해 레이저 다이오드(20)로 돌아간다. 즉, 회절격자(22)가 배치되는 각도에 따라 레이저 다이오드(20)로 되돌아가는 빔의 파장이 달라지므로 파장의 가변이 이루어진다.
상기와 같이 종래 Littman-Metcalf 또는 Littrow 방식의 외부 공진기 가변 레이저는 반사거울 또는 회절격자를 기계적으로 회전시켜 각도를 조절함으로써 특정 파장의 빔이 선택되도록 한다. 그러므로 반사거울 또는 회절격자를 기계적으로 정밀하게 회전시켜야 하기 때문에 특정 파장을 선택하기 위한 높은 정밀도의 회전 장치가 필요하다. 따라서 레이저의 안정도가 떨어지고, 크기가 커지며, 가변 속도가 느리고, 제작 단가가 높아진다.
상술한 종래의 기술들은 구성과 성능 측면에서 장점을 가지지만, 문제점도 가지고 있다. 즉, 종래 기술들은 기계적인 움직임이 필요하며, 파장 가변 범위가 좁고, 모듈의 크기를 소형화하기 어렵다. 그러므로 파장 가변이 요구되는 분광학 및 넓은 파장 가변 범위가 요구되는 WDM 광통신 시스템에 적용이 가능하며, 구조체의 이동이 없고, 소형화가 용이하며, 가변 속도가 빠른 광원의 제작을 위해서는 새로운 기술이 요구된다.
본 발명의 목적은 기계적인 움직임이 없이 전기적 신호를 이용하여 안정적으로 공진 주파수를 변화시킬 수 있는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 연속적으로 빠른 속도의 파장 가변이 가능한 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드는 여러 파장의 빔을 발생시키는 반도체 광증폭기; 상기 빔을 경사지게 출력하되, 회절된 빔이 평행하게 진행할 수 있도록 종단면이 Wordsworth 격자계 방식에 따라 위치된 수동 도파로; 상기 수동 도파로로부터 출력된 빔을 수평적으로 퍼지게 함과 아울러 수직적으로 가두어 도파시키는 슬랩 도파로; 광 입사면이 오목 형상으로 이루어지며, 상기 슬랩 도파로로부터 진행되는 빔을 파장에 따라 평행하게 회절시키는 오목곡면 회절격자; 상기 슬랩 도파로의 일측면에 형성되어 상기 오목곡면 회절격자에 의해 회절된 평행한 빔을 반사시키는 반사거울; 및 상기 오목곡면 회절격자 및 상기 반사거울 사이에 위치되며, 전기적 신호에 따라 굴절율이 변화되어 상기 오목곡면 회절격자에 의해 회절된 빔 중 특정 파장의 빔이 상기 반사거울에 수직 입사되도록 하는 가변 광 편향기를 포함하며, 상기 반도체 광증폭기, 상기 회절격자 및 상기 가변 광 편향기가 상기 슬랩 도파로에 집적된 것을 특징으로 한다.
상기 반도체 광증폭기, 상기 회절격자, 상기 가변 광 편향기 및 상기 슬랩 도파로가 InP 또는 GaAs계 반도체 기판으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 회절격자, 상기 가변 광 편향기 및 상기 슬랩 도파로가 실리카 또는 폴리머계 기판으로 이루어지고, 상기 실리카 또는 폴리머계 기판 상에 InP 또는 GaAs계로 이루어진 상기 반도체 광증폭기가 하이브리드 방식으로 집적된 것을 특징으로 한다.
상기 실리카 또는 폴리머계 기판과 상기 레이저 다이오드 사이에 원통형 렌즈가 삽입된 것을 특징으로 한다.
상기 슬랩 도파로와 상기 반도체 광증폭기가 접하는 부분의 상기 실리카 또는 폴리머계 기판에 무반사 박막이 증착된 것을 특징으로 한다.
상기 가변 광 편향기는 상기 슬랩 도파로의 소정 부분에 삼각형 형상의 p/n 접합으로 형성되고, 상기 p/n 접합에 상기 전기적 신호가 인가되는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체 광증폭기, 상기 가변 광 편향기 및 상기 반사거울은 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로에 형성되고, 상기 회절격자는 실리카 또는 폴리머계 슬랩 도파로에 형성되며, 상기 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로와 상기 실리카 또는 폴리머계 슬랩 도파로가 하이브리드 집적을 통해 연결된 것을 특징으로 한다.
상기 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로와 상기 실리카 또는 폴리머계 슬랩 도파 로 사이에 광연결을 위해 원통형 렌즈가 삽입된 것을 특징으로 한다.
상기 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로와 상기 실리카 또는 폴리머계 슬랩 도파로의 접합면에 반사율을 최소화시키기 위한 무반사 박막이 증착된 것을 특징으로 한다.
상기 가변 광 편향기는 상기 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로의 소정 부분에 삼각형 형상의 p/n 접합으로 형성되고, 상기 p/n 접합에 상기 전기적 신호가 인가되는 것을 특징으로 한다.
상기 빔을 적어도 한번 이상 굴절시키기 위해 상기 가변 광 편향기가 다단계로 배열된 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 실시예는 이 기술 분야에서 통상적인 지식을 가진 자에게 본 발명이 충분히 이해되도록 제공되는 것으로서, 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 기술되는 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도이다.
InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)에 반도체 광증폭기(112), 오목곡면 회절격자(120) 및 가변 광 편향기(130)가 단일 집적된다.
상기 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)는 InP(또는 GaAs)계 등의 반도체 기판으로 이루어지며, 반도체 광증폭기(112)와 수동 도파로(113)를 통해 출력되는 빔을 수평적으로 퍼지게 함과 아울러 수직적으로 가두어 도파시키는 기능을 가진다. 또한, InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)의 단면은 회절격자(120)에 의해 회절된 평행한 빔을 반사시키는 반사거울(101) 역할을 하게 된다.
상기 반도체 광증폭기(112)는 광신호의 이득 매체이면서 여러 파장의 빔을 발생시키는 광원으로써 Fabry-Perot 반도체 레이저 구조와 유사하다. 상기 수동 도파로(113)는 반도체 광증폭기(112)의 종단에 접합되어 반도체 광증폭기(112)로부터 발생된 빔을 일정 각도 경사지게 출력한다. 상기 수동 도파로(113)는 임의의 곡률 반경을 갖는 곡선 형상으로 이루어지는 것이 바람직하며, 종단면이 Wadsworth 격자계 방식에 따라 위치된다.
상기 오목곡면 회절격자(120)는 광 입사면이 오목 형상으로 이루어지며, InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)로부터 진행되는 빔을 회절시키되, 파장에 따라 평행하게 회절 방향을 다르게 만드는 기능을 가진다.
상기 가변 광 편향기(130)는 삼각형 모양으로 이루어지며, 오목곡면 회절격자(120)와 반사거울(101)의 사이에 위치된다. 이 때 오목곡면 회절격자(120)에서 회절된 빔 모두가 상기 가변 광 편향기(130)를 통과하도록 위치가 설정된다. 상기 가변 광 편향기(130)는 오목곡면 회절격자(120)로부터 회절된 빔(140a 및 140b) 중 특정 파장의 빔을 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)의 단면에 형성된 반사거울(101)로 수직 입사시킨다. 이러한 가변 광 편향기(130)는 슬랩 도파로(100)를 형성할 수 있는 물질, 예를 들어, III-V 화합물로 형성된 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)의 기판 면에 삼각 형태의 p/n 접합으로 형성할 수 있다.
상기 오목곡면 회절격자(120)에서 반사거울(101) 방향으로 회절된 빔(140a 및 140b)은 삼각형 모양의 가변 광 편향기(130)를 통과하면서 Snell의 법칙에 의한 굴절률 차이에 의하여 방향이 변화된다. 즉, 상기 가변 광 편향기(130)의 p/n 접합 부위로 전압이나 전류를 주입하면 가변 광 편향기(130)의 슬랩(slab) 도파층에서 반송자 밀도 변화 또는 전광 효과로 인하여 굴절률이 변한다. 그러므로 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)에서 진행하는 빔이 p/n 접합으로 된 삼각형 부위를 통과할 때 p/n 접합에 전압 또는 전류를 인가하면 빔의 굴절이 발생하게 되는 것이다.
그러면 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저다이오드의 동작을 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 반도체 광증폭기(112)에서 발생된 빔은 곡선 형상의 수동 도파로(113)와 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)를 통하여 오목곡면 회절격자(120)로 향하게 된다. 수동 도파로(113)의 종단면이 Wadsworth 격자계 방식에 따라 위치됨으로써 회절된 빔(140a 및 140b)이 평행광으로 반사거울(101)로 향하게 된다. 이 때 상기 가변 광 편향기(130)에 전기적 신호가 인가되지 않아 주변의 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)와 동일한 굴절률을 갖는 경우, 오목곡면 회절격자(120)에 의해 회절된 빔(140a 및 140b) 중에서 반사거울(101)에 수직 방향으로 반사되는 특정 파장의 빔(140a)이 존재하게 되는데, 상기 빔(140a)이 반사거울(101)에 반사된 후 다시 가변 광 편향기(130)를 통과하여 회절격자(120)로 돌아가고, 오목곡면 회절격자(120)에 의해 다시 회절된 후 수동 도파로(113)의 끝단에 집속되어 반도체 광증폭기(112)로 되돌아간다.
도 3을 참조하면, 가변 광 편향기(130)의 굴절률이 주변의 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)와 동일하면, 빔(140a)은 반사거울(101)에 수직으로 반사되어 반도체 광증폭기(112)로 되돌아가지만, 회절 각도가 다른 빔(140b)은 반사거울(101)에 수직으로 반사되지 않기 때문에 반도체 광증폭기(112)로 되돌아가지 못한다. 즉, 상기 빔(140b)에 대해서는 공진 현상이 발생하지 않게 되는 것이다.
한편, 상기 가변 광 편향기(130)에 전기적 신호를 인가하여 굴절률이 변화되도록 하면, 특정 파장의 빔(140b)만 선택적으로 반사거울(101)에 수직으로 입사되고, 반사된 빔이 다시 반도체 광증폭기(112)로 되돌아가 공진이 이루어지게 되는 것이다.
도 3의 외부 공진 레이저 다이오드를 구성하는 방법으로서, InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)가 형성되는 InP(또는 GaAs)계 등의 반도체 기판에 오목곡면 회절격자(120)를 식각 공정을 이용하여 형성한다. 그리고 선택한 임의의 차수의 회절된 평행광의 방향이 반도체 기판의 절단된 단면에 대해 수직이 되도록 곡선 형상의 수동 도파로(113)를 형성한다. 오목곡면 회절격자(120)와 단면에 형성된 반사거울(101) 사이의 상기 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)에 삼각형 모양의 p/n 접합을 형성한다.
상기 p/n 접합 부위에 인가하는 전압 또는 전류에 따라 슬랩(slab) 도파층의 반송자 밀도 변화 또는 QCSE(Quantum Confined Stark Effect)와 같은 전광 효과에 의한 굴절률 변화로서 특정 파장의 빔을 반사거울(101)을 향해 수직 방향으로 굴절시킬 수 있다. InP와 InGaAsP로 형성된 슬랩 도파로(100)의 경우, 반송자의 농도를 5E1018cm-3 정도 변화시키면 굴절률을 최대 0.05 정도까지 변화시킬 수 있는 것으로 알려져 있다. 이러한 방법을 통해 외부 공진 레이저 다이오드의 주요 구성 요소인 반도체 광증폭기(112), 오목곡면 회절격자(120) 및 가변 광 편향기(130) 등을 단일 기판에 집적시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도로서, 도 3에 도시된 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 지시 번호를 부여한다.
도 3에 도시된 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드와 기본적인 구성은 동일하다. 도 3의 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드는 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100), 가변 광 편향기(130) 및 회절격자(120)가 단일 기판에 형성되지만, 도 4의 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드는 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)에 가변 광 편향기(130)가 형성되고, 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')에 오목곡면 회절격자(120)가 형성되며, 두 슬랩 도파로(100 및 100')가 하이브리드 집적을 통하여 연결된다.
또한, 두 슬랩 도파로(100 및 100')의 접합면에는 반사율을 최소화시키기 위하여 무반사 박막(150)을 증착한다. InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)의 유효 굴절률은 3.3 정도이고, 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')의 유효 굴절률은 1.4 정도이다. 그러므로 회절격자(120)의 동일 차수의 회절 성분을 이용하기 위해서는 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)의 경우 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파 로(100')의 경우에 비하여 유효 굴절률에 반비례하여 2 내지 3배의 미세한 분해능을 갖는 리쏘그라피 공정을 필요로 하게 된다. 따라서 상대적으로 실리카(또는 폴리머)계의 경우가 공정 단가와 수율 향상에서 유리한 고지를 갖고 있다.
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도로서, 도 4에 도시된 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 지시 번호를 부여한다.
도 4에 도시된 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드는 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)와 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')가 직접 연결되어 광접속을 이루지만, 본 실시예는 두 슬랩 도파로(100 및 100')를 직접적으로 연결하지 않고 두 슬랩 도파로(100 및 100') 사이에 원통형 렌즈(160)를 삽입하여 광접속 효율이 향상되도록 한다. 두 슬랩 도파로(100 및 100')를 직접적으로 연결하는 경우 광접속 손실을 최소화시키기 위하여 유효 굴절율 및 도파 모드를 가장 근접하게 일치시킬 수 있는 설계 기술이 필요하다. 그러나 원통형 렌즈(160)를 사용하여 두 슬랩 도파로(100 및 100')를 광학적으로 연결하면 접속을 위한 추가적인 도파로 설계가 필요하지 않으며, 원통형 렌즈(160)의 초점거리 및 개구수(Numerical aperture; NA)를 고려하여 두 슬랩 도파로(100 및 100')의 위치를 조정하면 접속 손실을 최소화할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도로서, 도 3에 도시된 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 지시 번호를 부여한다.
도 3에 도시된 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드와 기본적인 구성은 동일하다. 도 3의 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드는 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100), 가변 광 편향기(130) 및 회절격자(120)가 단일 기판에 형성된다. 그러나 본 실시예에서는 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')에 가변 광 편향기(130) 및 회절격자(120)가 형성되고, 반도체 광증폭기(112)는 하이브리드 집적화를 통하여 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')에 직접 연결된다. 이 때 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100') 및 반도체 광증폭기(112)의 접합면에는 반사율을 최소화시키기 위하여 무반사 박막(150)을 증착한다.
상기 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')에 가변 광 편향기(130)를 형성하는 본 실시예에 따르면, 전기적 신호를 이용하여 상기 가변 광 편향기(130)의 굴절율을 변화시킬 수 있지만, 가열에 의한 실리카(또는 폴리머)의 온도 변화에 따른 굴절율의 변화를 이용할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 설명하기 위한 구조도로서, 도 5에 도시된 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 지시 번호를 부여한다.
도 5에 도시된 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드와 기본적인 구성은 동일하다. 도 5의 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드는 InP(또는 GaAs)계 슬랩 도파로(100)에 가변 광 편향기(130)가 형성되고, 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')에 오목곡면 회절격자(120)가 형성된다. 그러나 본 실시예에서는 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')에 가변 광 편향기(130)와 회절격자(120)가 형성되고, 반도체 광증폭기(112)는 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')와 분리되어 형성된다. 이 때 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')와 접하는 면의 반도체 광증폭기(112)에는 반사율을 최소화시키기 위하여 무반사 박막(150)이 증착되며, 상기 반도체 광증폭기(112)와 상기 오목곡면 회절격자(120) 사이의 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로(100')에는 광접속 효율을 향상시키기 위한 원통형 렌즈(160)가 설치된다.
도 8은 본 발명에 적용된 가변 광 편향기의 동작 전력을 최적화시킬 수 있는 실시예로서, 가변 광 편향기(130)를 이루는 삼각형 모양의 p/n 접합에서 입사 각도와 출사 각도를 바꾸지 않는 형태로 면적을 줄이게 된다면, 각도 변화는 동일하게 유지하면서 전력량을 감소시키는 효과가 있게 된다. 슬랩 도파로 부분(135)은 동작 전력을 최소화시키기 위해 전기적 신호가 인가되지 않는 부분을 나타낸다.
이상에서와 같이 상세한 설명과 도면을 통해 본 발명의 최적 실시예를 개시하였다. 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명의 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공 진 레이저 다이오드는 Littman-Metcalf 방식의 외부 공진기에서 오목곡면 회절격자와 반사거울의 사이에 삼각형 모양으로 이루어지며 전기적 신호에 따라 굴절률이 변화되는 가변 광 편향기가 부가된다. 기계적인 움직임이 없이 전기적 신호를 이용하여 공진 주파수를 변화시킴으로써 동작이 안정적이며 빠른 속도의 연속적인 파장 가변이 가능해진다.
본 발명에 따른 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드를 InP/InGaAsP/InP 슬랩 도파로에 구현하면 반송자 수명시간에 의하여 결정되는 가변 시간을 수 ns 이하로 짧게 할 수 있으며, 소형화가 가능해지고, 제작 공정의 단순화로 제작 단가가 대폭 감소된다.
또한, 실리카(또는 폴리머)계 슬랩 도파로를 기반으로 본 발명에 적용되는 회절격자를 설계하면 저분해능을 가지는 리쏘그라피 공정으로도 제작이 가능하기 때문에 회절격자의 재현성 및 균일도가 높아지며, 이에 따라 제작 단가가 감소된다.

Claims (11)

  1. 여러 파장의 빔을 발생시키는 반도체 광증폭기;
    상기 빔을 경사지게 출력하되, 회절된 빔이 평행하게 진행할 수 있도록 종단면이 Wordsworth 격자계 방식에 따라 위치된 수동 도파로;
    상기 수동 도파로로부터 출력된 빔을 수평적으로 퍼지게 함과 아울러 수직적으로 가두어 도파시키는 슬랩 도파로;
    광 입사면이 오목 형상으로 이루어지며, 상기 슬랩 도파로로부터 진행되는 빔을 파장에 따라 평행하게 회절시키는 오목곡면 회절격자;
    상기 슬랩 도파로의 일측면에 형성되어 상기 오목곡면 회절격자에 의해 회절된 평행한 빔을 반사시키는 반사거울; 및
    상기 오목곡면 회절격자 및 상기 반사거울 사이에 위치되며, 전기적 신호에 따라 굴절율이 변화되어 상기 오목곡면 회절격자에 의해 회절된 빔 중 특정 파장의 빔이 상기 반사거울에 수직 입사되도록 하는 가변 광 편향기를 포함하며,
    상기 반도체 광증폭기, 상기 회절격자 및 상기 가변 광 편향기가 상기 슬랩 도파로에 집적된 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 광증폭기, 상기 회절격자, 상기 가변 광 편향기 및 상기 슬랩 도파로가 InP 또는 GaAs계 반도체 기판으로 이루어진 것을 특징 으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 회절격자, 상기 가변 광 편향기 및 상기 슬랩 도파로가 실리카 또는 폴리머계 기판으로 이루어지고, 상기 실리카 또는 폴리머계 기판 상에 InP 또는 GaAs계로 이루어진 상기 반도체 광증폭기가 하이브리드 방식으로 집적된 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 실리카 또는 폴리머계 기판과 상기 반도체 광증폭기 사이에 원통형 렌즈가 삽입된 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 슬랩 도파로와 상기 반도체 광증폭기가 접하는 부분의 상기 실리카 또는 폴리머계 기판에 무반사 박막이 증착된 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 가변 광 편향기는 상기 슬랩 도파로의 소정 부분에 삼각형 형상의 p/n 접합으로 형성되고, 상기 p/n 접합에 상기 전기적 신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 광증폭기, 상기 가변 광 편향기 및 상기 반사거울은 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로에 형성되고, 상기 회절격자는 실리카 또는 폴리머계 슬랩 도파로에 형성되며, 상기 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로와 상기 실리카 또는 폴리머계 슬랩 도파로가 하이브리드 집적을 통해 연결된 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로와 상기 실리카 또는 폴리머계 슬랩 도파로 사이에 광연결을 위해 원통형 렌즈가 삽입된 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로와 상기 실리카 또는 포리머계 슬랩 도파로의 접합면에 반사율을 최소화시키기 위한 무반사 박막이 증착된 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 가변 광 편향기는 상기 InP 또는 GaAs계 슬랩 도파로의 소정 부분에 삼각형 형상의 p/n 접합으로 형성되고, 상기 p/n 접합에 상기 전기적 신호가 인가되는 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 빔을 적어도 한번 이상 굴절시키기 위해 상기 가변 광 편향기가 다단계로 배열된 것을 특징으로 하는 가변 광 편향기를 이용한 파장 가변형 외부 공진 레이저 다이오드.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070133649A1 (en) * 2005-12-09 2007-06-14 Kwon Oh K Wavelength tunable light source
JP4912719B2 (ja) * 2006-03-30 2012-04-11 アンリツ株式会社 半導体光素子及び光スイッチングシステム並びに波長可変レーザ
EP2063315A1 (en) * 2007-11-26 2009-05-27 Electronics And Telecommunications Research Institute Frequency-tunable terahertz light source device
US9373933B2 (en) 2012-10-19 2016-06-21 University of Maribor Methods of driving laser diodes, optical wavelength sweeping apparatus, and optical measurement systems
US9890288B2 (en) 2015-12-08 2018-02-13 U.S. Silica Company Solar reflective particulates
CN105591282B (zh) * 2016-03-10 2018-09-28 山西省交通科学研究院 一种基于平行光栅对外腔的波长可调谐半导体激光器
US10253493B2 (en) 2016-08-29 2019-04-09 U.S. Silica Company Particulates having high total solar reflectance

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371586A (en) * 1992-10-09 1994-12-06 Instruments Sa, Inc. Low aberration diffraction grating system
FR2724496B1 (fr) * 1994-09-13 1996-12-20 Photonetics Source laser monomode accordable en longueur d'onde a cavite externe autoalignee
US5771252A (en) * 1996-01-29 1998-06-23 Sdl, Inc. External cavity, continuously tunable wavelength source
JPH09260753A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変光源
JPH10341057A (ja) 1997-06-06 1998-12-22 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変半導体レーザー光源およびその波長可変方法
US6091755A (en) * 1997-11-21 2000-07-18 Sdl, Inc. Optically amplifying semiconductor diodes with curved waveguides for external cavities
JPH11307864A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型波長可変光源
FR2786937B1 (fr) * 1998-12-04 2001-02-16 Photonetics Source multi-longueur d'onde
FR2795878B1 (fr) * 1999-06-30 2001-09-28 Photonetics Source laser avec filtrage integre de l'emission spontanee amplifiee
US6856632B1 (en) * 1999-09-20 2005-02-15 Iolon, Inc. Widely tunable laser
GB0101985D0 (en) * 2001-01-25 2001-03-14 Marconi Comm Ltd Optical component
KR100444176B1 (ko) * 2001-12-15 2004-08-09 한국전자통신연구원 전기 신호에 의해 동작되는 광 편향기 및 이를 이용한파장 가변형 외부 공진기
US6959024B2 (en) * 2002-02-28 2005-10-25 Picarro, Inc. Laser Tuning by spectrally dependent spatial filtering
TWI291274B (en) * 2002-07-04 2007-12-11 Arima Optoelectronics Corp Resonating cavity system for broadly tunable multi-wavelength semiconductor lasers
KR100485212B1 (ko) * 2002-12-12 2005-04-25 한국전자통신연구원 파장가변 반도체 레이저 다이오드
US7065108B2 (en) * 2002-12-24 2006-06-20 Electronics And Telecommunications Research Institute Method of wavelength tuning in a semiconductor tunable laser
US20050286570A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Lian-Qin Xiang Tunable laser with a concave diffraction grating

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US20060029119A1 (en) 2006-02-09
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