JP2007515771A - 外部空洞同調可能レーザの位相制御 - Google Patents
外部空洞同調可能レーザの位相制御 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007515771A JP2007515771A JP2005509794A JP2005509794A JP2007515771A JP 2007515771 A JP2007515771 A JP 2007515771A JP 2005509794 A JP2005509794 A JP 2005509794A JP 2005509794 A JP2005509794 A JP 2005509794A JP 2007515771 A JP2007515771 A JP 2007515771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- laser
- tunable
- ghz
- fwhm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
- G02F2203/055—Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/1065—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using liquid crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1398—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length by using a supplementary modulation of the output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/0622—Controlling the frequency of the radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1003—Waveguide having a modified shape along the axis, e.g. branched, curved, tapered, voids
- H01S5/101—Curved waveguide
Abstract
Description
LCフィルタは、電気化学効果による液晶の劣化を防止するために交流(AC)電圧で駆動されることが多い。Journal of Applied Physics,Vol.71、ページ2464〜66に発表された「Frequency locking of a tunable liquid−crystal filter」に、同調可能LCファブリ−ペロ(FP)フィルタの周波数ロッキングの技術が述べられている。このフィルタの共振を制御するためにLC−FPフィルタに加えられる周波数ωの交流電圧は、透過光強度に2ωの小さな変調を引き起こす。温度変動を補償するために、2ω信号に起因する派生信号を最小にする帰還システムによって、FPフィルタの周波数追跡が行われる。
実効空洞長は、もちろん、外部空洞の物理長L0に関係付けられる。レーザ外部空洞は、空洞の物理長として定義される長さL0で隔てられた2個の向かい合う反射性の一般に平行な表面で構成された光共振器と考えることができる。一般に、Leff≧L0。
より短い空洞が使用されるとき、基本的に、より低いフィネスのFPエタロンが使用されるかもしれない。より低いフィネスのFPエタロンを使用できることは、整合の許容範囲を緩和し、それによって、デバイスの複雑さを軽減するかもしれない。
式(4)で表される条件が満足されるとき、レーザ空洞の位相擬似同期が達成される。
位相擬似同期条件を理解していることで、レーザ設計の柔軟性が可能になり、レーザ設計は、例えば、様々な顧客要求に合わせて作ることができる。本発明に従って、約0.5GHzまでのレーザ出力周波数の周波数精度が実現可能である。
物理長L0および複数の空洞モードを有する外部空洞と、
光ビームを外部空洞中に放出する利得媒体と、
選択された波長グリッドの対応するチャネルに実質的に合わされた複数の通過帯域を確定するように外部空洞中に配列されるチャネル割当グリッド要素であって、通過帯域が半値全幅(FWHM)の帯域幅を有しているチャネル割当グリッド要素と、
通過帯域のうちの1つを同調可能に選択するように外部空洞中に配列されて、光ビームを同調させるチャネルを選択する同調可能要素と、を含み、
L0は15mmよりも長くなく、チャネル割当グリッド要素のFWHMの帯域幅は2から8GHzの間に含まれている。
利得媒体から放射された光ビームを、選択された波長グリッド要素の対応するチャネルに実質的に合わされた複数の通過帯域から選択された通過帯域の対応する中心周波数に同調させるステップと、
選択された通過帯域の、FWHMの帯域幅を、
FWHM<2.5(FSR)空洞、かつ
FWHM≧2GHz、
であるように選択するステップと、を含む。
本発明のさらに他の実施形態に従って、利得媒体およびチャネル割当グリッド、そして場合によっては、同調可能ミラーは、同じTECに取り付けられる。
本発明に従ったレーザシステムは、特に、ITU50GHzチャネルグリッドで全Cバンドにわたって高速スイッチングを実現するように設計される。本発明に従った能動制御システムでは、25GHzDWDMチャネル間隔で周波数安定性を実現するために波長ロッカが必要とされない。
例えば、L0=10mmおよび(FSR)FP=100GHzの場合の表Vに記録されたデータを参照すると、α≒−1.7GHzおよびβ≒2.0である。必要なΔνは±1.25GHzで、Smin≒2Δν(式4から)、(FWHM)FP≒3.3GHzである。
レイジング周波数の受動位相擬似同期の条件が満たされたとき、すなわち、エタロンの(FWHM)FPが適切に選ばれたとき、エタロンピーク(同調可能ミラーで選択されたもの)に、したがってレーザ出力パワーの局所極大に、対応する所望の波長でレーザを動作させる閉ループ制御を実現することができる。
レーザ空洞中の同調可能要素は、FPエタロンのピークを区別する粗同調要素として役立つ。選択されたチャネル周波数に対する同調可能要素の位置付けの精度および制御は、特に、高いレーザ周波数精度が要求されるとき、非常に重要である。したがって、選択された空洞モードに合わされた同調可能要素のピークを設定し、かつ維持するために、制御ループが望ましい。
Δλ、すなわち同調可能ミラーの共振波長と入射波長の中心合わせの程度、を得る1つの方法は、反射ビームのパワーの変調成分を測定することによる。挿入損失の源となりまたは位相変動を生じさせることがある、レーザ空洞中の光学要素を減らすために、空洞の外でビームパワーを測定することが好ましい。図4(b)を参照して、光検出器18は、レーザ出力の、利得媒体10の前に配置することができる。この実施形態に従って、レーザ出力ビームは、ビームスプリッタ20によって、例えば98%/2%タップで、分割された後で検出される。
Claims (24)
- レーザ発光周波数で単一縦モードの出力放射を放射するように構成された同調可能レーザシステムであって、
物理長L0および複数の空洞モードを有する外部空洞と、
光ビームを前記外部空洞中に放射する利得媒体と、
選択された波長グリッドの対応するチャネルに実質的に合わされた複数の通過帯域を確定するように前記外部空洞中に配列されているチャネル割当グリッド要素であって、前記通過帯域が半値全幅(FWHM)の帯域幅を有しているチャネル割当グリッド要素と、
前記通過帯域のうちの1つを同調可能に選択するように前記外部空洞中に配列されて、前記光ビームを同調させるチャネルを選択する同調可能要素と、を含み、
L0が15mmよりも長くなく、前記チャネル割当グリッド要素のFWHMの帯域幅が2から8GHzの間に含まれている同調可能レーザシステム。 - 前記チャネル割当グリッド要素のFWHMの帯域幅が、3から6GHzの間に含まれている、請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記長さL0が、12mmよりも長くない、請求項1または2に記載のレーザシステム。
- 前記レーザ発光周波数が、0.5GHzよりも小さくない所定の周波数精度Δνの範囲内で単一空洞モードに選択され、そして、前記チャネル割当グリッド要素の前記通過帯域内の前記外部空洞の2つの隣接する空洞モード間の最小間隔sminが前記周波数精度Δνの2倍よりも大きくないように、前記チャネル割当グリッド要素のFWHMの帯域幅が選択される、前記請求項のいずれかに記載のレーザシステム。
- 前記選択された波長グリッドが、25から200GHzまでの範囲にあるチャネル間隔を有する、前記請求項の一項に記載のレーザシステム。
- 前記選択された波長グリッドが、25または50GHzのチャネル間隔を有する、前記請求項の一項に記載のレーザシステム。
- 前記チャネル割当グリッド要素が、ファブリ−ペロエタロンを備える、前記請求項の一項に記載のレーザシステム。
- 前記ファブリ−ペロエタロンが、前記光ビームに対する垂直面に対して0.4°から0.8°の間に含まれた傾斜角で配置されている、請求項7に記載のレーザシステム。
- 前記ファブリ−ペロエタロンが、前記光ビームに対する垂直面に対して0.5°の傾斜角で配置されている、請求項7または8に記載のレーザシステム。
- 前記同調可能要素が、50から250GHzまでの範囲のFWHMの帯域幅を有している、前記請求項の一項に記載のレーザシステム。
- 前記同調可能要素が、50から100GHzまでの範囲のFWHMの帯域幅を有している、請求項10に記載のレーザシステム。
- 前記同調可能要素が、前記外部空洞の一端に配置された同調可能ミラーを備える、前記請求項の一項に記載のレーザシステム。
- 前記同調可能ミラーが、基板上に形成された導波路および前記導波路上に形成された回折格子を含む電気光学要素である、請求項12に記載のレーザシステム。
- 前記同調可能ミラーが、前記回折格子の少なくとも隙間を埋める被覆層をさらに備え、前記被覆層が液晶材料を備える、請求項13に記載のレーザシステム。
- 前記利得媒体が、半導体レーザダイオードである、請求項1から14のいずれか一項に記載のレーザシステム。
- 前記レーザ発光周波数が、単一横空洞モードに選択される、請求項1から15のいずれか一項に記載のレーザシステム。
- 互いに(FSR)空洞だけ間隔を開けた複数の空洞モードを確定する外部空洞を有する同調可能レーザシステムのレーザ発光周波数を制御する方法であって、前記レーザ発光周波数が単一縦空洞モードに選択され、
利得媒体から放射された光ビームを、選択された波長グリッド要素の対応するチャネルに実質的に合わされた複数の通過帯域から選択された通過帯域の対応する中心周波数に同調させるステップと、
前記選択された通過帯域のFWHMの帯域幅を、
FWHM<2.5(FSR)空洞、かつ
FWHM≧2GHz、
であるように選択するステップと、を含む方法。 - 前記選択された通過帯域のFWHMの帯域幅が、8GHzよりも大きくない、請求項17に記載の方法。
- 前記選択された通過帯域のFWHMの帯域幅が、3から6GHzの間に含まれる、請求項18に記載の方法。
- 前記選択された波長グリッド要素のチャネルが、25から100GHzの間に含まれたチャネル間隔を有する、請求項18または19に記載の方法。
- 前記選択された通過帯域のFWHMの帯域幅およびsminが、次の関係を満足し、
FWHM=α+β・smin
ここでαが−0.8から−2.7GHzまでの範囲にあり、βが1.2から2.6までの範囲にある、請求項20に記載の方法。 - レーザ出力パワーを最大にするように、前記利得媒体の注入電流を調節することによって、前記レーザ発光周波数を前記選択された通過帯域に合わせるステップをさらに備える、請求項17に記載の方法。
- 互いに(FSR)空洞だけ間隔を開けた複数の空洞モードを確定する外部空洞を有する同調可能レーザシステムのレーザ発光周波数を制御する方法であって、前記レーザ発光周波数が、所定の周波数精度Δνの範囲内で単一縦空洞モードに選択され、
利得媒体から放射された光ビームを、選択された波長グリッド要素の対応するチャネルに実質的に合わされた複数の通過帯域から選択された通過帯域の対応する中心周波数に同調させるステップと、
前記選択された通過帯域のFWHMの帯域幅を、2.5(FSR)空洞よりも大きくないように、かつ前記通過帯域内の前記外部空洞の2つの隣接する空洞モード間の最小間隔sminが前記周波数精度Δνの2倍よりも大きくないように、選択するステップと、を含む方法。 - 前記周波数精度Δνが、0.5GHzよりも小さくない、請求項23に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2003/010856 WO2005041371A1 (en) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Phase-control in an external-cavity tuneable laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007515771A true JP2007515771A (ja) | 2007-06-14 |
JP4992073B2 JP4992073B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=34485999
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005509794A Expired - Fee Related JP4992073B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | 外部空洞同調可能レーザの位相制御 |
JP2005509813A Expired - Lifetime JP4647491B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-11-07 | 外部空洞同調可能レーザの波長制御 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005509813A Expired - Lifetime JP4647491B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-11-07 | 外部空洞同調可能レーザの波長制御 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7505490B2 (ja) |
EP (2) | EP1668751B1 (ja) |
JP (2) | JP4992073B2 (ja) |
KR (2) | KR101093661B1 (ja) |
CN (2) | CN1839522A (ja) |
AT (1) | ATE445248T1 (ja) |
AU (2) | AU2003271667A1 (ja) |
CA (2) | CA2540600A1 (ja) |
DE (1) | DE60329635D1 (ja) |
ES (1) | ES2334787T3 (ja) |
WO (2) | WO2005041371A1 (ja) |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050111512A1 (en) * | 2003-09-17 | 2005-05-26 | Martina Krieg | Apparatus for generating and transmitting laser light |
US7656911B2 (en) * | 2004-07-15 | 2010-02-02 | Nec Corporation | External resonator type wavelength-variable laser |
US7565084B1 (en) * | 2004-09-15 | 2009-07-21 | Wach Michael L | Robustly stabilizing laser systems |
JPWO2007004509A1 (ja) * | 2005-07-01 | 2009-01-29 | 日本電気株式会社 | 外部共振器型波長可変レーザ装置および光出力モジュール |
EP1958302B1 (en) * | 2005-12-06 | 2019-02-20 | Google LLC | Passive phase control in an external cavity laser |
CN101326456A (zh) | 2005-12-07 | 2008-12-17 | 皮雷利&C.有限公司 | 连接激光器与光纤的光学组合 |
JP4945140B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2012-06-06 | テクダイヤ株式会社 | 波長可変光フィルター及びこれを用いた外部共振器型半導体レーザ装置 |
WO2008006387A1 (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Pgt Photonics S.P.A. | Misalignment prevention in an external cavity laser having temperature stabilistion of the resonator and the gain medium |
US8259765B2 (en) | 2006-12-06 | 2012-09-04 | Google Inc. | Passive phase control in an external cavity laser |
CA2703584C (en) | 2006-12-22 | 2015-09-22 | Pgt Photonics S.P.A. | Phase control by active thermal adjustments in an external cavity laser |
JP2008198725A (ja) | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Fibest Ltd | 波長可変光源 |
WO2008119363A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Pirelli & C. S.P.A. | External cavity laser module comprising a multi-functional optical element |
US20130294467A1 (en) * | 2007-10-15 | 2013-11-07 | Jerome V. Moloney | Laser-based source for terahertz and millimeter waves |
JP2009140992A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Tecdia Kk | チューナブルレーザ光源及びその制御方法 |
DE102008012859B4 (de) | 2007-12-21 | 2023-10-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laserlichtquelle mit einer Filterstruktur |
WO2009125442A1 (en) | 2008-04-11 | 2009-10-15 | Pirelli & C. S.P.A. | Method and apparatus for reducing the amplitude modulation of optical signals in external cavity lasers |
JP5239559B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2013-07-17 | 日本電気株式会社 | 外部共振器型レーザモジュール及びその製造方法 |
JP5483677B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2014-05-07 | ネオフォトニクス・セミコンダクタ合同会社 | 半導体光通信モジュール及び、その製造方法 |
KR101461158B1 (ko) | 2010-07-16 | 2014-11-13 | 한국전자통신연구원 | 파장 가변 외부 공진 레이저 모듈 |
US10371499B2 (en) | 2010-12-27 | 2019-08-06 | Axsun Technologies, Inc. | Laser swept source with controlled mode locking for OCT medical imaging |
CN102244358B (zh) * | 2011-06-02 | 2013-02-27 | 天津奇谱光电技术有限公司 | 一种外腔式可调谐激光器 |
CN102354909B (zh) * | 2011-09-20 | 2013-06-19 | 李若林 | 一种基于dbr的外腔式波长可调谐激光器 |
US9106050B2 (en) * | 2011-10-17 | 2015-08-11 | Futurewei Technologies, Inc. | Self-characterization tunable optical network unit |
WO2013159040A1 (en) | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Packet Photonics, Inc. | Heat removal system for devices and subassemblies |
US9441944B2 (en) * | 2012-05-16 | 2016-09-13 | Axsun Technologies Llc | Regenerative mode locked laser swept source for OCT medical imaging |
US9614616B2 (en) * | 2012-06-19 | 2017-04-04 | Adtran, Inc. | Optical time domain reflectometer systems and methods using wideband optical signals for suppressing beat noise |
US8831049B2 (en) | 2012-09-14 | 2014-09-09 | Laxense Inc. | Tunable optical system with hybrid integrated laser |
US10161738B2 (en) * | 2012-12-31 | 2018-12-25 | Axsun Technologies, Inc. | OCT swept laser with cavity length compensation |
CN103337783B (zh) * | 2013-07-19 | 2015-07-08 | 北京信息科技大学 | 一种利用短腔光纤激光器的输出纵模测量温度的方法 |
GB2516910B (en) * | 2013-08-06 | 2016-01-06 | Secr Defence | Tuneable filters |
CN103500915B (zh) * | 2013-08-30 | 2016-12-28 | 武汉理工光科股份有限公司 | 压电陶瓷型可调谐激光器实时校准系统及方法 |
KR101897630B1 (ko) * | 2015-03-20 | 2018-09-12 | 오이솔루션 아메리카 인코퍼레이티드 | 광 트랜시버의 원격 디지털 진단 모니터링 정보의 향상된 송신 및 수신 |
CN104934847B (zh) * | 2015-06-23 | 2018-08-28 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种Littrow构型电光调Q激光器 |
CN106486883A (zh) * | 2015-08-28 | 2017-03-08 | 高准精密工业股份有限公司 | 发光装置 |
KR102285677B1 (ko) * | 2016-02-22 | 2021-08-05 | 한국전자통신연구원 | 광센서 |
TWI596367B (zh) * | 2016-02-26 | 2017-08-21 | 凌通科技股份有限公司 | 距離檢測方法以及使用其之距離檢測裝置 |
US10050405B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-08-14 | Lumentum Operations Llc | Wavelength locker using multiple feedback curves to wavelength lock a beam |
US9972964B2 (en) | 2016-04-19 | 2018-05-15 | Lumentum Operations Llc | Polarization-based dual channel wavelength locker |
CN106207749A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-12-07 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种基于单波长窄带滤光组件选频的窄线宽半导体激光器 |
KR101864261B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2018-06-05 | (주)켐옵틱스 | 파장 가변 레이저의 파장 잠금 구조 및 파장 가변 레이저의 파장 잠금 방법 |
EP3622592B1 (en) * | 2017-05-11 | 2023-11-29 | Novanta Corporation | External optical feedback element for tuning a multi-wavelenght gas laser |
US11287642B2 (en) * | 2017-09-19 | 2022-03-29 | Vanderbilt University | Electrochemically actuated optical modulator |
US10670803B2 (en) | 2017-11-08 | 2020-06-02 | Lumentum Operations Llc | Integrated wavelength monitor |
JP7024367B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2022-02-24 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュール |
US10901241B1 (en) | 2018-03-14 | 2021-01-26 | Onto Innovation Inc. | Optical metrology system using infrared wavelengths |
US10705112B1 (en) * | 2019-04-22 | 2020-07-07 | Honeywell International Inc. | Noise rejection for optomechanical devices |
CN110429467B (zh) * | 2019-07-15 | 2021-07-06 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 集成化外腔半导体激光器的无跳模调频控制方法 |
CN112310807A (zh) * | 2019-08-02 | 2021-02-02 | 苏州旭创科技有限公司 | 一种外腔可调谐激光器及光模块 |
CN111766567B (zh) * | 2020-07-07 | 2023-09-01 | 重庆大学 | 基于Hilbert变换的ECLD调频线性度与频率准确性测量方法 |
WO2022159796A1 (en) * | 2021-01-22 | 2022-07-28 | Ram Photonics, LLC | Method and system for multi-wavelength laser system |
US11960130B2 (en) | 2021-01-22 | 2024-04-16 | Ram Photonics Industrial, Llc | Method and system for stabilizing fiber grating optical parameters |
CN116577804B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-12-05 | 珠海映讯芯光科技有限公司 | 一种基于芯片集成的fmcw激光雷达 |
CN116315989B (zh) * | 2023-05-15 | 2023-08-15 | 深圳英谷激光有限公司 | 一种激光输出量调谐方法、系统、装置及激光器 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020054614A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-09 | Hong Jin | Wavelength discretely tunable semiconductor laser |
WO2003005512A2 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Intel Corporation | Tunable laser control system |
US20030012230A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Hopkins George W. | Graded thin film wedge interference filter and method of use for laser tuning |
US6526071B1 (en) * | 1998-10-16 | 2003-02-25 | New Focus, Inc. | Tunable laser transmitter with internal wavelength grid generators |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL118209A0 (en) * | 1996-05-09 | 1998-02-08 | Yeda Res & Dev | Active electro-optical wavelength-selective mirrors and active electro-optic wavelength-selective filters |
US6205159B1 (en) * | 1997-06-23 | 2001-03-20 | Newport Corporation | Discrete wavelength liquid crystal tuned external cavity diode laser |
GB2357589A (en) | 1999-12-20 | 2001-06-27 | Univ Exeter | Dye doped liquid crystal device |
US6366592B1 (en) * | 2000-10-25 | 2002-04-02 | Axsun Technologies, Inc. | Stepped etalon semiconductor laser wavelength locker |
US6901088B2 (en) * | 2001-07-06 | 2005-05-31 | Intel Corporation | External cavity laser apparatus with orthogonal tuning of laser wavelength and cavity optical pathlength |
US6804278B2 (en) * | 2001-07-06 | 2004-10-12 | Intel Corporation | Evaluation and adjustment of laser losses according to voltage across gain medium |
-
2003
- 2003-09-30 US US10/573,892 patent/US7505490B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 AU AU2003271667A patent/AU2003271667A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-30 EP EP03753486.4A patent/EP1668751B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-30 KR KR1020107019408A patent/KR101093661B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-30 JP JP2005509794A patent/JP4992073B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 WO PCT/EP2003/010856 patent/WO2005041371A1/en active Application Filing
- 2003-09-30 CN CNA03827146XA patent/CN1839522A/zh active Pending
- 2003-09-30 CA CA002540600A patent/CA2540600A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-07 ES ES03775324T patent/ES2334787T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 US US10/573,895 patent/US7573919B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 KR KR1020067006232A patent/KR20060065723A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-11-07 AU AU2003283377A patent/AU2003283377B2/en not_active Ceased
- 2003-11-07 EP EP03775324A patent/EP1668752B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 DE DE60329635T patent/DE60329635D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 CN CNA2003801104775A patent/CN1839523A/zh active Pending
- 2003-11-07 AT AT03775324T patent/ATE445248T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-11-07 CA CA002540605A patent/CA2540605A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-07 WO PCT/EP2003/012469 patent/WO2005041372A1/en active Application Filing
- 2003-11-07 JP JP2005509813A patent/JP4647491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6526071B1 (en) * | 1998-10-16 | 2003-02-25 | New Focus, Inc. | Tunable laser transmitter with internal wavelength grid generators |
US20020054614A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-09 | Hong Jin | Wavelength discretely tunable semiconductor laser |
WO2003005512A2 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Intel Corporation | Tunable laser control system |
US20030012230A1 (en) * | 2001-07-06 | 2003-01-16 | Hopkins George W. | Graded thin film wedge interference filter and method of use for laser tuning |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005041372A8 (en) | 2006-06-29 |
KR20100101021A (ko) | 2010-09-15 |
ES2334787T3 (es) | 2010-03-16 |
KR101093661B1 (ko) | 2011-12-15 |
DE60329635D1 (de) | 2009-11-19 |
EP1668751A1 (en) | 2006-06-14 |
ATE445248T1 (de) | 2009-10-15 |
US7573919B2 (en) | 2009-08-11 |
US20070211772A1 (en) | 2007-09-13 |
JP2007524215A (ja) | 2007-08-23 |
WO2005041372A1 (en) | 2005-05-06 |
US20070268939A1 (en) | 2007-11-22 |
AU2003283377A1 (en) | 2005-05-11 |
EP1668751B1 (en) | 2016-12-14 |
CA2540600A1 (en) | 2005-05-06 |
KR20060065723A (ko) | 2006-06-14 |
AU2003283377B2 (en) | 2010-06-17 |
EP1668752A1 (en) | 2006-06-14 |
CN1839523A (zh) | 2006-09-27 |
WO2005041371A1 (en) | 2005-05-06 |
JP4992073B2 (ja) | 2012-08-08 |
EP1668752B1 (en) | 2009-10-07 |
CA2540605A1 (en) | 2005-05-06 |
AU2003271667A1 (en) | 2005-05-11 |
US7505490B2 (en) | 2009-03-17 |
JP4647491B2 (ja) | 2011-03-09 |
CN1839522A (zh) | 2006-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4992073B2 (ja) | 外部空洞同調可能レーザの位相制御 | |
US6845108B1 (en) | Tuning of laser wavelength in actively mode-locked lasers | |
CA2720036C (en) | Method and apparatus for reducing the amplitude modulation of optical signals in external cavity lasers | |
US6665321B1 (en) | Tunable laser operation with locally commensurate condition | |
US8619824B2 (en) | Low white frequency noise tunable semiconductor laser source | |
US20020015433A1 (en) | Tunable frequency stabilized fiber grating laser | |
EP0979547B1 (en) | Tunable external cavity diode laser | |
US20040071181A1 (en) | Retro-reflective etalon and the devices using the same | |
JP4596181B2 (ja) | 外部共振器型波長可変半導体レーザ | |
US7130322B2 (en) | Wavelength tunable laser and method of controlling the same | |
KR101885782B1 (ko) | 파장가변 광송신기 | |
GB2413697A (en) | Uncooled semiconductor laser | |
US20210344167A1 (en) | System and method for optical feedback stabilized semiconductor frequency combs | |
KR20060067971A (ko) | 외부공동 가변파장 레이저에서의 위상제어 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100331 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100629 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100927 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20101001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101001 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101119 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110222 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110225 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110914 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20111117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120316 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120412 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |