JP4992073B2 - 外部空洞同調可能レーザの位相制御 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 36
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 30
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 27
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 11
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 89
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 9
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 7
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/1065—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using liquid crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1398—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length by using a supplementary modulation of the output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/0622—Controlling the frequency of the radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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Description
LCフィルタは、電気化学効果による液晶の劣化を防止するために交流(AC)電圧で駆動されることが多い。Journal of Applied Physics,Vol.71、ページ2464〜66に発表された「Frequency locking of a tunable liquid−crystal filter」に、同調可能LCファブリ−ペロ(FP)フィルタの周波数ロッキングの技術が述べられている。このフィルタの共振を制御するためにLC−FPフィルタに加えられる周波数ωの交流電圧は、透過光強度に2ωの小さな変調を引き起こす。温度変動を補償するために、2ω信号に起因する派生信号を最小にする帰還システムによって、FPフィルタの周波数追跡が行われる。
実効空洞長は、もちろん、外部空洞の物理長L0に関係付けられる。レーザ外部空洞は、空洞の物理長として定義される長さL0で隔てられた2個の向かい合う反射性の一般に平行な表面で構成された光共振器と考えることができる。一般に、Leff≧L0。
より短い空洞が使用されるとき、基本的に、より低いフィネスのFPエタロンが使用されるかもしれない。より低いフィネスのFPエタロンを使用できることは、整合の許容範囲を緩和し、それによって、デバイスの複雑さを軽減するかもしれない。
式(4)で表される条件が満足されるとき、レーザ空洞の位相擬似同期が達成される。
位相擬似同期条件を理解していることで、レーザ設計の柔軟性が可能になり、レーザ設計は、例えば、様々な顧客要求に合わせて作ることができる。本発明に従って、約0.5GHzまでのレーザ出力周波数の周波数精度が実現可能である。
物理長L0および複数の空洞モードを有する外部空洞と、
光ビームを外部空洞中に放出する利得媒体と、
選択された波長グリッドの対応するチャネルに実質的に合わされた複数の通過帯域を確定するように外部空洞中に配列されるチャネル割当グリッド要素であって、通過帯域が半値全幅(FWHM)の帯域幅を有しているチャネル割当グリッド要素と、
通過帯域のうちの1つを同調可能に選択するように外部空洞中に配列されて、光ビームを同調させるチャネルを選択する同調可能要素と、を含み、
L0は15mmよりも長くなく、チャネル割当グリッド要素のFWHMの帯域幅は2から8GHzの間に含まれている。
利得媒体から放射された光ビームを、選択された波長グリッド要素の対応するチャネルに実質的に合わされた複数の通過帯域から選択された通過帯域の対応する中心周波数に同調させるステップと、
選択された通過帯域の、FWHMの帯域幅を、
FWHM<2.5(FSR)空洞、かつ
FWHM≧2GHz、
であるように選択するステップと、を含む。
本発明のさらに他の実施形態に従って、利得媒体およびチャネル割当グリッド、そして場合によっては、同調可能ミラーは、同じTECに取り付けられる。
本発明に従ったレーザシステムは、特に、ITU50GHzチャネルグリッドで全Cバンドにわたって高速スイッチングを実現するように設計される。本発明に従った能動制御システムでは、25GHzDWDMチャネル間隔で周波数安定性を実現するために波長ロッカが必要とされない。
例えば、L0=10mmおよび(FSR)FP=100GHzの場合の表Vに記録されたデータを参照すると、α≒−1.7GHzおよびβ≒2.0である。必要なΔνは±1.25GHzで、Smin≒2Δν(式4から)、(FWHM)FP≒3.3GHzである。
レイジング周波数の受動位相擬似同期の条件が満たされたとき、すなわち、エタロンの(FWHM)FPが適切に選ばれたとき、エタロンピーク(同調可能ミラーで選択されたもの)に、したがってレーザ出力パワーの局所極大に、対応する所望の波長でレーザを動作させる閉ループ制御を実現することができる。
レーザ空洞中の同調可能要素は、FPエタロンのピークを区別する粗同調要素として役立つ。選択されたチャネル周波数に対する同調可能要素の位置付けの精度および制御は、特に、高いレーザ周波数精度が要求されるとき、非常に重要である。したがって、選択された空洞モードに合わされた同調可能要素のピークを設定し、かつ維持するために、制御ループが望ましい。
Δλ、すなわち同調可能ミラーの共振波長と入射波長の中心合わせの程度、を得る1つの方法は、反射ビームのパワーの変調成分を測定することによる。挿入損失の源となりまたは位相変動を生じさせることがある、レーザ空洞中の光学要素を減らすために、空洞の外でビームパワーを測定することが好ましい。図4(b)を参照して、光検出器18は、レーザ出力の、利得媒体10の前に配置することができる。この実施形態に従って、レーザ出力ビームは、ビームスプリッタ20によって、例えば98%/2%タップで、分割された後で検出される。
Claims (11)
- 同調可能レーザシステムであって、
自由スペクトル領域FSR空洞を有する、複数の縦空洞モードを規定する長さを有する外部空洞と、
利得媒体と、
複数の周期的な透過ピークを有するチャネル割当グリッド要素であって、該透過ピークはそれぞれ半値全幅FWHMFPと、該透過ピーク間のチャネル間隔FSRFPとを有し、該FSRFP/FWHMFP比は該チャネル割当グリッド要素のフィネスを規定する、チャネル割当グリッド要素と、
前記透過ピークのうちの一つを選択する同調可能要素と、を含み、
前記利得媒体、前記チャネル割当グリッド要素、及び前記同調可能要素は前記外部空洞内に配列され、
前記チャネル割当グリッド要素の前記フィネスは5と50の間に選択され、
前記縦空洞モードの物理長は7.5mmと15mmとの間であり、前記縦空洞モード間の最小間隔s min は1.4GHzと6.2GHzとの間にあり、
前記半値全幅FWHM FP は2GHzと8GHzの間にあり、前記FSR FP は25GHzと200GHzとの間にある、
同調可能レーザシステム。 - 前記チャネル割当グリッド要素のフィネスは、式FWHMFP=α+β×sminに従ってsminに基づいて、前記チャネル割当グリッド要素のFWHMFPを選択することによって選択され、ここでα及びβはFSRFP、前記空洞の物理長の関数である、請求項1に記載の同調可能レーザシステム。
- (−2.7GHz)≦α≦(−0.8GHz)であり、1.2≦β≦2.6である、請求項2に記載の同調可能レーザシステム。
- FWHMFPは3GHzと6GHzとの間である、請求項1から3のいずれかに記載の同調可能レーザシステム。
- 前記透過ピーク内の前記縦空洞モードの圧縮の程度は、前記チャネル割当グリッド要素のフィネスの増加と共に増加し、および/または前記チャネル割当グリッド要素の前記光損失は、前記チャネル割当グリッド要素のフィネスの関数である、請求項1から4のいずれかに記載の同調可能レーザシステム。
- 前記チャネル割当グリッド要素のフィネスは、10と50との間または25と50との間である、請求項1から5のいずれかに記載の同調可能レーザシステム。
- 前記外部空洞を取り囲み、複数のリードピンを有するパッケージをさらに備える、請求項1から6のいずれかに記載の同調可能レーザシステム。
- プロセッサにより制御され、前記レーザシステムの出力を同調させるために前記複数のリードピンに電気的に接続されているドライバをさらに備える、請求項7に記載の同調可能レーザシステム。
- 前記パッケージから外に向かって延びており、前記利得媒体に光学的に結合している、ファイバピグテールをさらに備え、前記パッケージは蝶形パッケージを含む、請求項7または8に記載の同調可能レーザシステム。
- 前記パッケージ内部に配置され、前記レーザシステムの出力パワーを測定するために前記ドライバに電気的に接続されている光検出器をさらに備え、前記パッケージは蝶形パッケージを含む、請求項8または9に記載の同調可能レーザシステム。
- 同調可能レーザシステムを構成する方法であって、該同調可能レーザシステムは、
自由スペクトル領域FSR空洞を有する、複数の縦空洞モードを規定する長さを有する外部空洞と、
利得媒体と、
複数の周期的透過ピークを有するチャネル割当グリッド要素であって、該透過ピークはそれぞれ半値全幅FWHMFPと、該透過ピーク間のチャネル間隔FSRFPとを有し、該FSRFP/FWHMFP比は該チャネル割当グリッド要素のフィネスを規定する、チャネル割当グリッド要素と、
前記透過ピークのうちの一つを選択する同調可能要素と、を含み、
前記利得媒体、前記チャネル割当グリッド要素、及び前記同調可能要素は前記外部空洞内に配列され、
該方法は、
前記チャネル割当グリッド要素の前記フィネスは5と50の間に選択され、
前記縦空洞モードの物理長は7.5mmと15mmとの間であり、前記縦空洞モード間の最小間隔s min は1.4GHzと6.2GHzとの間にあり、
前記半値全幅FWHM FP は2GHzと8GHzの間にあり、前記FSR FP は25GHzと200GHzとの間にある、
方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2003/010856 WO2005041371A1 (en) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | Phase-control in an external-cavity tuneable laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007515771A JP2007515771A (ja) | 2007-06-14 |
JP4992073B2 true JP4992073B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=34485999
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005509794A Expired - Fee Related JP4992073B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | 外部空洞同調可能レーザの位相制御 |
JP2005509813A Expired - Lifetime JP4647491B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-11-07 | 外部空洞同調可能レーザの波長制御 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005509813A Expired - Lifetime JP4647491B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-11-07 | 外部空洞同調可能レーザの波長制御 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7505490B2 (ja) |
EP (2) | EP1668751B1 (ja) |
JP (2) | JP4992073B2 (ja) |
KR (2) | KR101093661B1 (ja) |
CN (2) | CN1839522A (ja) |
AT (1) | ATE445248T1 (ja) |
AU (2) | AU2003271667A1 (ja) |
CA (2) | CA2540600A1 (ja) |
DE (1) | DE60329635D1 (ja) |
ES (1) | ES2334787T3 (ja) |
WO (2) | WO2005041371A1 (ja) |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050111512A1 (en) * | 2003-09-17 | 2005-05-26 | Martina Krieg | Apparatus for generating and transmitting laser light |
JP4756379B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2011-08-24 | 日本電気株式会社 | 外部共振器型波長可変レーザ |
US7565084B1 (en) | 2004-09-15 | 2009-07-21 | Wach Michael L | Robustly stabilizing laser systems |
JPWO2007004509A1 (ja) * | 2005-07-01 | 2009-01-29 | 日本電気株式会社 | 外部共振器型波長可変レーザ装置および光出力モジュール |
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-
2003
- 2003-09-30 WO PCT/EP2003/010856 patent/WO2005041371A1/en active Application Filing
- 2003-09-30 US US10/573,892 patent/US7505490B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 KR KR1020107019408A patent/KR101093661B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-30 CA CA002540600A patent/CA2540600A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-30 JP JP2005509794A patent/JP4992073B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-30 AU AU2003271667A patent/AU2003271667A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-30 CN CNA03827146XA patent/CN1839522A/zh active Pending
- 2003-09-30 EP EP03753486.4A patent/EP1668751B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 AT AT03775324T patent/ATE445248T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-11-07 CA CA002540605A patent/CA2540605A1/en not_active Abandoned
- 2003-11-07 WO PCT/EP2003/012469 patent/WO2005041372A1/en active Application Filing
- 2003-11-07 EP EP03775324A patent/EP1668752B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 ES ES03775324T patent/ES2334787T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 AU AU2003283377A patent/AU2003283377B2/en not_active Ceased
- 2003-11-07 US US10/573,895 patent/US7573919B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 CN CNA2003801104775A patent/CN1839523A/zh active Pending
- 2003-11-07 KR KR1020067006232A patent/KR20060065723A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-11-07 DE DE60329635T patent/DE60329635D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-07 JP JP2005509813A patent/JP4647491B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2540605A1 (en) | 2005-05-06 |
US20070268939A1 (en) | 2007-11-22 |
EP1668752A1 (en) | 2006-06-14 |
EP1668752B1 (en) | 2009-10-07 |
CA2540600A1 (en) | 2005-05-06 |
JP2007515771A (ja) | 2007-06-14 |
JP2007524215A (ja) | 2007-08-23 |
AU2003271667A1 (en) | 2005-05-11 |
KR20100101021A (ko) | 2010-09-15 |
CN1839522A (zh) | 2006-09-27 |
ATE445248T1 (de) | 2009-10-15 |
WO2005041371A1 (en) | 2005-05-06 |
WO2005041372A1 (en) | 2005-05-06 |
US7505490B2 (en) | 2009-03-17 |
JP4647491B2 (ja) | 2011-03-09 |
EP1668751A1 (en) | 2006-06-14 |
AU2003283377B2 (en) | 2010-06-17 |
US20070211772A1 (en) | 2007-09-13 |
KR20060065723A (ko) | 2006-06-14 |
ES2334787T3 (es) | 2010-03-16 |
US7573919B2 (en) | 2009-08-11 |
DE60329635D1 (de) | 2009-11-19 |
WO2005041372A8 (en) | 2006-06-29 |
CN1839523A (zh) | 2006-09-27 |
EP1668751B1 (en) | 2016-12-14 |
AU2003283377A1 (en) | 2005-05-11 |
KR101093661B1 (ko) | 2011-12-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100331 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100629 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100706 |
|
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20111117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120221 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120316 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120412 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |