JP2008198725A - 波長可変光源 - Google Patents

Abstract

【課題】簡易な構成で精度の高い可変波長光を出力することができる波長可変光源を提供すること。
【解決手段】利得素子１２と波長可変反射器１８とを有し、低反射ミラー１３とＨＲ膜１８とによって形成されたレーザ共振器２０内にエタロン１５とビームスプリッタ１６とを備えた波長可変光源１であって、レーザ共振器２０内に設けられ共振波長の位相を変化させる位相調整素子１７と、ビームスプリッタ１６によってモニタされた入射光の値ＰＤ１をもとに位相調整素子１７を調整して共振波長の位相を調整するとともに、入射光の値ＰＤ１に対する反射光の値ＰＤ２の比である値ＰＤ２／ＰＤ１をもとに波長可変反射器１８を調整して共振波長を変化させて所望の共振波長にロックする波長ロック制御部Ｃ１と、を備える。
【選択図】 図１

Description

この発明は、可変共振波長の波長ロックが可能な波長可変光源に関するものである。

従来から、可変波長のレーザ光を出力させる波長可変光源があるが、１つの利得素子のみを用い、該利得素子の外部に可変波長ロック機能を持たせて所望の共振波長のレーザ光を出力させる波長可変光源が注目されている（特許文献１，２参照）。特許文献１では、波長可変ミラーを用いた波長選択と利得素子に対する電流制御による位相調整とを行って所望の共振波長にロックするものが記載されている。また、特許文献２には、共振器内にエタロンなどの波長選択素子を設けずに所望の共振器波長にロックするものが記載されている。

ＷＯ ２００５／０４１３７２明細書 米国特許２００２／０１７２２３９明細書 特開２００４−１９１７２９号公報

しかしながら、上述した従来の波長可変光源では、利得素子のパワー制御と共振波長の位相調整とをともに電流制御で行っていたため、パワー制御と位相調整とを分離して行うことができず、精度の高い波長ロック制御を行うことができなかったという問題点があった。なお、波長可変光源では、絶対波長を選択するエタロンなどの波長選択素子を用いて選択する波長精度を高める必要がある。

この発明は、上記に鑑みてなされたものであって、簡易な構成で精度の高い可変波長光を出力することができる波長可変光源を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、この発明にかかる波長可変光源は、共振器出力側端面を形成した利得素子と、共振器反射側端面を形成し共振波長を変化させて所望の共振波長を特定する波長可変反射器とを有し、前記共振器出力側端面と前記共振器反射側端面とによって形成された共振器内に前記共振波長を選択する波長選択素子と、前記利得素子側からの入射光および前記波長可変反射器側からの反射光をモニタするビームスプリッタとを備えた波長可変光源であって、前記共振器内に設けられ前記共振波長の位相を変化させる位相調整素子と、前記ビームスプリッタによってモニタされた前記入射光の値をもとに前記位相調整素子を調整して前記共振波長の位相を調整するとともに、前記入射光に対する前記反射光の比の値をもとに前記波長可変反射器を調整して前記共振波長を変化させて所望の共振波長にロックする波長ロック制御部と、を備えたことを特徴とする。

また、この発明にかかる波長可変光源は、上記の発明において、前記利得素子の光路長と、前記利得素子と前記波長選択素子との間の光路長と、前記波長選択素子と前記波長可変反射器との間の光路長とを加算した総光路長が前記波長選択素子の光路長のほぼ整数倍となるように形成するとともに、前記位相調整素子の調整値を前記共振波長に対応する所定値に設定し、前記波長ロック制御部は、前記ビームスプリッタによってモニタされた前記入射光に対する前記反射光の比の値をもとに前記波長可変反射器のみを調整して前記共振波長を変化させて所望の共振波長にロックすることを特徴とする。

また、この発明にかかる波長可変光源は、上記の発明において、前記位相調整素子は、前記波長可変反射器と一体形成されたことを特徴とする。

また、この発明にかかる波長可変光源は、上記の発明において、前記位相調整素子および前記波長可変反射器は、光導波路構造で形成したことを特徴とする。

また、この発明にかかる波長可変光源は、上記の発明において、前記波長選択素子および前記波長可変反射器は、エタロンであり、前記位相調整素子は液晶を前後の透明電極を持つ光学ガラス板内に充填した光位相シフターで、前記波長可変反射器は、エタロンのキャビティ内に液晶を充填し、前記波長ロック制御部は、該液晶への印加交流電圧を変化させることによって該液晶の実質的屈折率を変化させることを特徴とする。

また、この発明にかかる波長可変光源は、上記の発明において、前記波長ロック制御部は、前記位相調整素子による位相調整と前記波長可変反射器による波長調整とを繰り返すことによって前記所望の共振波長にロックすることを特徴とする。

この発明にかかる波長可変光源は、共振器内に共振波長の位相を変化させる位相調整素子を設け、波長ロック制御部が、ビームスプリッタによってモニタされた入射光の値をもとに前記位相調整素子を調整して前記共振波長の位相を調整するとともに、前記入射光に対する反射光の比の値をもとに波長可変反射器を調整して前記共振波長を変化させて所望の共振波長にロックするようにしているので、所望の共振波長を得るための位相調整と波長調整とによる波長ロック制御と、利得素子に対するパワー制御とを分離して行うことができ、簡易な構成で精度の高い可変波長光を出力することができる。

以下、添付図面を参照して、この発明に係る波長可変光源の好適な実施の形態について説明する。なお、実施の形態により、この発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分又は相当する部分には同一の符号を付している。

（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１である波長可変光源の概要構成を示す模式図である。図１において、この波長可変光源１は、波長可変光源１を外装するパッケージ１０内の熱電クーラー（ＴＥＣ）１１上に、光を発生するとともに発生した光を増幅する利得素子１２を有し、利得素子１２の後端側に、順次、集光レンズＭ３、エタロン１５、ビームスプリッタ１６、位相調整素子１７、および波長可変反射器１８が直線状に配置されている。なお、利息素子１２の後端側から出射される光が斜め出力である場合、利得素子１２の後端側の配置は屈曲したものとなる。

利得素子１２は、前端（出力）側に低反射ミラー１３が設けられるとともに、後端（反射）側にＡＲ膜１４が形成されている。また、波長可変反射器１８の後端には、ＨＲ膜１９が設けられている。集光レンズＭ３は、利得素子１２から出力される光を、波長可変反射器１８側にコリメート光として出力する。エタロン１５は、ファブリペロエタロンであり、周期的な所望の共振波長のみを狭い波長域で選択的に透過させる波長フィルタである。ビームスプリッタ１６は、利得素子１２側から出力された光の一部を受光素子３１側に反射するとともに、波長可変反射器１８側から反射された光の一部を受光素子３２側に反射する。位相調整素子１７と波長可変反射器１８とは、一体形成されたバルク型のフィルタであり、それぞれ透明電極間に液晶が充填され、この液晶に印加する交流電圧を変化させることによって、各液晶の屈折率を変化させ、これによって、位相調整素子１７は、光路長を変化させて位相調整を行うとともに、波長可変反射器１８は、透過波長を変化させる波長調整を行う（特許文献３参照）。この波長可変反射器１８による透過波長特性は、上述したエタロン１５の選択波長幅に比べて広い分布をもつ。なお、位相調整素子１７と波長可変反射器１８とは、共通の透明電極を用いることができる。この共通の透明電極は、たとえば接地側として用いればよい。

利得素子１２の低反射ミラー１３と波長可変反射器１８のＨＲ膜１９との間は、レーザ共振器２０を形成し、このレーザ共振器２０で発振した所望の共振波長のレーザ光は、低反射ミラー１３から出力され、出力されたレーザ光をコリメート光に変換する集光レンズＭ２、アイソレータ２１、アイソレータ２１から出力されたレーザ光を偏波保持ファイバ２２の端部に集光させる集光レンズＭ１、偏波保持ファイバ２２を介して外部に出力される。なお、集光レンズＭ２とアイソレータ２１とは、ＴＥＣ１１上に設けられ、レンズＭ１と偏波保持ファイバ２２の端部は、パッケージ１０の外部に設けられた保持部２３内に設けられる。もちろんアイソレータ２１はパッケージ外の集光レンズＭ１の前、あるいは偏波保持ファイバ２２の前に配置してもよい。

上述したように、ビームスプリッタ１６の近傍には、利得素子１２側から入射した光を検出する受光素子３１と、波長可変反射器１８側から反射された光を検出する受光素子３２とが設けられる。パッケージ１０の外部に設けられた波長ロック制御部Ｃ１は、受光素子３１，３２からそれぞれ入力される受光出力ＰＤ１，ＰＤ２をもとに、交流電圧源３３の印加交流電圧を制御して位相調整素子１７による位相調整を行うとともに、交流電圧源３４の印加交流電圧を制御して波長可変反射器１８による波長調整を行う。なお、位相調整素子１７および波長可変反射器１８に入力される各初期印加交流電圧は、テーブル３５内に保持された共振波長と印加交流電圧との関係をもとに決定される。

一方、利得素子１２には、電流源３６から電流が印加され、出力制御部Ｃ２が電流制御を行うことによって、この波長可変光源１から出力されるレーザ光のパワー制御がなされる。

ここで、図２に示したフローチャートを参照して、波長ロック制御部Ｃ１による共振波長のロック処理について説明する。図２において、まず、波長ロック制御部Ｃ１は、テーブル３５内に保持された、位相調整素子１７および波長可変反射器１８に対するそれぞれの波長と印加交流電圧との関係をもとに、ロックすべき波長の初期印加交流電圧をそれぞれ位相調整素子１７および波長可変反射器１８に印加する（ステップＳ１０１）。

その後、受光素子３１の出力ＰＤ１をモニタし、この出力ＰＤ１が最大となるように位相調整素子１７に対する印加交流電圧を調整する位相調整処理を行う（ステップＳ１０２）。すなわち、共振の位相条件を調整する。その後、出力ＰＤ１および受光素子３２の出力ＰＤ２をモニタし、その除算値ＰＤ２／ＰＤ１が最大となるように波長可変反射器１８に対する印加交流電圧を調整する波長調整を行う（ステップＳ１０３）。すなわち、共振の振幅条件を調整する。ここでは、波長可変反射器１８からの反射光が最大となるように調整する。

その後、ステップＳ１０２に移行し、ステップＳ１０２およびステップＳ１０３の処理を繰り返し行うことによって、所望の共振波長にロックする波長ロック制御を連続して行う。

ここで、図３〜図７を参照して、具体的な波長ロック制御について説明する。なお、図３〜図７では、周波数で表示しているが、波長は周波数と一対一に対応しており、波長で表示したものと同じ意味である。図３は、図２に示したステップＳ１０１による初期設定の一例を示す図である。図３では、まず、位相調整素子１７の屈折率を１．５００２に初期設定するとともに、波長可変反射器１８の屈折率を１．５２３８９に初期設定している。この粗調整によって、周波数１．９３５７５Ｅ＋１４Ｈｚで反射率が０．９３７５程度の利得を得ている。

その後、ステップＳ１０２に対応して、図４に示すように、出力ＰＤ１をモニタして、この出力ＰＤ１が最大となるように、位相調整素子１７の屈折率を調整する。ここでは、位相調整素子１７の屈折率を１．５００２から１．４９８５に変更している。これによって、共振波長の位相条件がさらに適合し、反射率が０．９６２５程度に上がった利得を得ている。

さらに、ステップＳ１０３に対応して、図５に示すように、出力ＰＤ１と出力ＰＤ２とをモニタし、除算値ＰＤ２／ＰＤ１が最大となるように、波長可変反射器１８の屈折率を調整する。ここでは、波長可変反射器１８の屈折率を１．５２３８９から１．５２３９４に変更している。換言すれば、図５の右上図の波長調整曲線のピークとエタロン特性のピークとが合致するような調整を行う。これによって、共振波長の振幅条件がさらに適合し、反射率が０．９８７５程度に上昇した利得が得られている。

図６は、図５の状態に対してさらにステップＳ１０２の処理を行ったものである。具体的には、出力ＰＤ１のモニタ結果によって、位相調整素子１７の屈折率を１．４９８５から１．４９９６７に変更している。これによって、共振波長の位相条件がさらに適合し、反射率が０．９８８程度以上に保持された利得が得られている。

さらに、図７は、図６の状態に対してステップＳ１０３の処理を行ったものである。具体的には、出力ＰＤ１と出力ＰＤ２とのモニタ結果によって、波長可変反射器１８の屈折率を１．５２３９４から１．５２３９５に変更している。これによって、共振波長の振幅条件がさらに適合し、反射率が０．９９程度に上昇した利得が得られている。この状態によって、共振波長がほぼロックした状態となる。

この実施の形態１では、利得素子１２と波長可変反射器１８とによって形成されるレーザ共振器２０内に位相調整素子１７を挿入し、波長可変反射器１８による振幅条件の調整のみならず、位相調整素子１７による位相条件の調整を、利得素子１２に対するパワー制御とは別個に行うようにしているので、パワー制御から独立した精度の高い波長ロック制御を行うことができる。

（実施の形態２）
つぎに、この発明の実施の形態２について説明する。この実施の形態２では、位相調整素子１７による位相調整を簡易に行えるように、レーザ共振器２０内の配置を制限している。その他の構成は、実施の形態１と同じである。

図８は、この発明の実施の形態２である波長可変光源のレーザ共振器内の配置状態を示す図である。図８において、この実施の形態２の波長可変光源では、利得素子１２と、利得素子１２とエタロン１５との間の空間ＳＰ１と、エタロン１５と、エタロン１５と位相調整素子１７との間の空間ＳＰ２との各光路長の加算値が、エタロン１５の光路長の整数倍になるように配置される。

ここで、空間ＳＰ２の物理長を調整して加算値がエタロン１５の光路長の整数倍にすることを考える。図８に示すように、エタロン１５の物理長は、２ｍｍであり屈折率が１．５であるため、光路長は３ｍｍである。一方、利得素子の物理長は１ｍｍであり屈折率が３．１であるため、光路長は３．１ｍｍとなる。また、空間ＳＰ１は、物理長が４ｍｍであり屈折率が１であるため、光路長は４ｍｍとなる。したがって、利得素子１２と空間ＳＰ１とエタロン１５とを加算した光路長は、１０．１ｍｍとなる。ここで、エタロン１５の光路長は、３ｍｍであるので、その整数倍は、たとえば１２ｍｍ，１５ｍｍ，…となる。図８では、総光路長が１５ｍｍになるように、空間ＳＰ２の光路長＝物理長を４．９ｍｍに設定している。なお、上述した説明では、利得素子１２，空間ＳＰ１，エタロン１５，空間ＳＰ２の総光路長がエタロン１５の光路長の整数倍に設定するようにしたが、総光路長からエタロン１５の光路長を除いた値を総光路長としても同じである。

このような光路長の設定を行っておくと、反射鏡によって形成される共振器内の定在波はその個数のみが変化し、著しい形状変化が抑制され、位相調整素子１７に対する位相調整が容易になる。すなわち、位相調整素子１７に対する初期位相調整を行っておくことによって波長変化させるときに、大きな位相調整変化を行わなくても位相条件が合致した状態を得ることができる。

図９は、この実施の形態２による波長ロック制御部による波長ロック制御処理手順を示すフローチャートである。図９に示すように、まず、波長ロック制御部Ｃ１は、ステップＳ１０１と同様に、テーブル３５内に保持された、位相調整素子１７および波長可変反射器１８に対するそれぞれの波長と印加交流電圧との関係をもとに、ロックすべき波長の初期印加交流電圧をそれぞれ位相調整素子１７および波長可変反射器１８に印加する（ステップＳ２０１）。

その後、受光素子３１の出力ＰＤ１および受光素子３２の出力ＰＤ２をモニタし、その除算値ＰＤ２／ＰＤ１が最大となるように波長可変反射器１８に対する印加交流電圧を調整する波長調整を行い（ステップＳ２０２）、このステップＳ２０２の波長調整処理を繰り返す。この場合、出力ＰＤ１が最大となるように位相調整素子１７に対する印加交流電圧を調整する位相調整処理は行わない。ほぼステップＳ２０１による位相調整処理によって、位相条件が合致した状態になっているからである。

ここで、図１０〜図１２を参照して、この実施の形態２による波長ロック制御の一例を説明する。図１０において、位相調整素子１７による位相調整は、図７に示した屈折率１．４９６７で位相条件がロック状態となっている。したがって、この値となるように、初期位相調整によって位相調整素子１７の屈折率を１．４９６７に設定しておく。

その後、出力ＰＤ１および出力ＰＤ２をモニタし、除算値ＰＤ２／ＰＤ１が最大となるように波長可変反射器１８の波長調整を繰り返し行い、最終的に屈折率１．５２５９７に設定され、周波数１．９３３２４９８５Ｅ＋１４Ｈｚで、反射率が約０．９８となる利得を得て波長ロック状態にすることができる。

また、図１１に示すように、図１０の波長ロック状態から、周波数１．９３５７４９８８Ｅ＋１４Ｈｚに波長ロックする場合、位相調整素子１７に対する位相調整は、屈折率１．４９６７に設定したまま、波長可変反射器１８の波長調整を繰り返し行い、最終的に屈折率１．５２３９５に設定され、反射率が約０．９９となる利得を得て、波長ロック状態となる。

同様に、図１２に示すように、図１１の波長ロック状態から、周波数１．９３７７５Ｅ＋１４Ｈｚに波長ロックする場合、位相調整素子１７に対する位相調整は、屈折率１．４９６７に設定したまま、波長可変反射器１８の波長調整を繰り返し行い、最終的に屈折率１．５２２３８に設定され、反射率が約０．９９となる利得を得て、波長ロック状態となる。

この実施の形態２では、予めレーザ共振器２０内の位相条件が位相調整素子１７のみの調整で変化しないように空間ＳＰ１，ＳＰ２を配置設定しておくことにより、位相調整素子１７に対する位相調整は、初期位相調整のみでよく、波長可変反射器１８による波長調整のみで、所望の共振波長にロックすることができる。

図１３は、周波数（波長）に対する波長ロック制御時の屈折率の変化を示したものである。なお、各曲線Ｌ，Ｌ１〜Ｌ４中のプロットは、波長ロック対象のチャネルを示す。したがって、図１３では、１０チャネルの波長に対するロックを示している。

曲線Ｌ１は、この実施の形態２で示した光路長に空間ＳＰ１，ＳＰ２が設定された場合、すなわち光路長ずれが０である場合の位相調整素子１７の屈折率変化を示している。この曲線Ｌ１は、上述した屈折率１．４９６７で一定となっている。なお、曲線Ｌは、波長可変反射器１８の周波数（波長）変化に対する屈折率変化を示しており、周波数（波長）変化に対して小さな屈折率変化が生じている。

ここで、曲線Ｌ２〜Ｌ４は、それぞれ光路長ずれが２％，５％，１０％の場合における周波数変化に対する屈折率変化を示している。光路長ずれがある場合、位相調整素子１７の周波数変化に対する屈折率変化は、大きい。実際の可変波長範囲は、Ｃバンドで５０ＧＨｚ間隔で９５チャネル設定されるため、周波数変化に対する屈折率変化が大きいと、波長ロック制御が複雑になる。これに対し、実施の形態２に示したように、予めレーザ共振器２０内のほとんどの領域の位相条件を合致させておき、位相調整素子１７のみによる調整とすることによって、位相調整素子１７に対する位相調整が不要となり、波長可変反射器１８のみに対する波長ロック制御によって簡易に、精度の高い波長ロックを行うことができる。

また、光路長ずれが小さい場合、たとえば、２％程度の場合、周波数変化に対する屈折率変化が小さいため、たとえばＣバンド全体で、リニアな波長ロック制御を行うことができ、位相調整素子１７に対する位相調整を含めた波長ロック制御が容易になる。

（変形例１）
つぎに、上述した実施の形態１，２に対する変形例について説明する。図１４は、この発明の実施の形態１，２の変形例１の概要構成を示す模式図である。この変形例１では、位相調整素子２７と波長可変反射器１８とを物理的に分離した構成としている。この変形例１によっても、実施の形態１，２と同様の作用効果を得ることができる。

（変形例２）
図１５は、この発明の実施の形態１，２の変形例２の概要構成を示す模式図である。この変形例２では、位相調整素子３７をエタロン１５とビームスプリッタ１６との間に設けている。その他の構成は、実施の形態１と同じである。この変形例２によっても、実施の形態１，２と同様の作用効果を得ることができる。

（変形例３）
図１６は、この発明の実施の形態１，２の変形例３の概要構成を示す模式図である。この変形例３では、位相調整素子４７を集光レンズＭ３とエタロン１５との間に設けている。その他の構成は、実施の形態１と同じである。この変形例３によっても、実施の形態１，２と同様の作用効果を得ることができる。すなわち、上述した変形例１〜３では、レーザ共振器２０内であれば、位相調整素子１７の配置位置は任意であることを示している。

（変形例４）
図１７は、この発明の実施の形態１，２の変形例４の概要構成を示す模式図である。この変形例４では、位相調整素子１７に対応する位相調整素子５７と波長可変反射器１８に対する波長可変反射器５８とを導波路型素子５０として一体形成しているとともに、この導波路型素子５０にレーザ光を入射させるためにビームスプリッタ１６との間に、集光レンズＭ４を設けている。その他の構成は実施の形態１，２と同じである。この変形例４によっても、実施の形態１，２と同様の作用効果を得ることができる。

なお、この変形例４では、導波路素子５０とするため、液晶による屈折率変化よりも、たとえば、熱光学効果を用いた波長フィルタを応用することができる。すなわち、熱光学効果をもつ微小リング共振器に、マイクロヒータによって温度変化を与えて屈折率を変化させることによって波長のフィルタリングを行うようにすればよい。

また、上述した位相調整素子および波長可変反射器は、上述したものに限らず、位相調整および波長フィルタリングを行うことができる素子であればよい。たとえば、微小グレーティングと液晶などを組み合わせたものであってもよい。

この発明の実施の形態１にかかる波長可変光源の概要構成を示す模式図である。 図１に示した波長可変光源の波長ロック制御部による波長ロック制御手順を示すフローチャートである。 波長ロック制御の初期設定状態の一例を示す図である。 波長ロック制御における位相調整制御の一例を示す図である。 波長ロック制御における波長調整制御の一例を示す図である。 波長ロック制御における再度の位相調整制御の一例を示す図である。 波長ロック制御における再度の波長調整制御の一例を示す図である。 この発明の実施の形態２にかかる波長可変光源のレーザ共振器内配置を示す模式図である。 図８に示した波長可変光源の波長ロック制御部による波長ロック制御手順を示すフローチャートである。 この発明の実施の形態２による波長ロック制御の一例を示す図である。 この発明の実施の形態２による波長ロック制御の一例を示す図である。 この発明の実施の形態２による波長ロック制御の一例を示す図である。 共振波長（周波数）変化に対する波長可変反射器の屈折率変化および光路長ずれの値をパラメータとした位相調整素子の屈折率変化を示す図である。 この発明の実施の形態１，２の変形例１の概要構成を示す模式図である。 この発明の実施の形態１，２の変形例２の概要構成を示す模式図である。 この発明の実施の形態１，２の変形例３の概要構成を示す模式図である。 この発明の実施の形態１，２の変形例４の概要構成を示す模式図である。

符号の説明

１〜５ 波長可変光源
１０ パッケージ
１１ ＴＥＣ
１２ 利得素子
１３ 低反射ミラー
１４ ＡＲ膜
１５ エタロン
１６ ビームスプリッタ
１７，２７，３７，４７，５７ 位相調整素子
１８ 波長可変反射器
１９ ＨＲ膜
１０ レーザ共振器
２１ アイソレータ
２２ 偏波保持ファイバ
２３ 保持部
３１，３２ 受光素子
３３，３４ 電圧源
３５ テーブル
３６ 電流源
５０ 導波路型素子
Ｃ１ 波長ロック制御部
Ｃ２ 出力制御部
Ｍ１〜Ｍ４ 集光レンズ

Claims (6)

1. 共振器出力側端面を形成した利得素子と、共振器反射側端面を形成し共振波長を変化させて所望の共振波長を特定する波長可変反射器とを有し、前記共振器出力側端面と前記共振器反射側端面とによって形成された共振器内に前記共振波長を選択する波長選択素子と、前記利得素子側からの入射光および前記波長可変反射器側からの反射光をモニタするビームスプリッタとを備えた波長可変光源であって、
   前記共振器内に設けられ前記共振波長の位相を変化させる位相調整素子と、
   前記ビームスプリッタによってモニタされた前記入射光の値をもとに前記位相調整素子を調整して前記共振波長の位相を調整するとともに、前記入射光に対する前記反射光の比の値をもとに前記波長可変反射器を調整して前記共振波長を変化させて所望の共振波長にロックする波長ロック制御部と、
   を備えたことを特徴とする波長可変光源。
2. 前記利得素子の光路長と、前記利得素子と前記波長選択素子との間の光路長と、前記波長選択素子と前記波長可変反射器との間の光路長とを加算した総光路長が前記波長選択素子の光路長のほぼ整数倍となるように形成するとともに、前記位相調整素子の調整値を前記共振波長に対応する所定値に設定し、
   前記波長ロック制御部は、前記ビームスプリッタによってモニタされた前記入射光に対する前記反射光の比の値をもとに前記波長可変反射器のみを調整して前記共振波長を変化させて所望の共振波長にロックすることを特徴とする請求項１に記載の波長可変光源。
3. 前記位相調整素子は、前記波長可変反射器と一体形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の波長可変光源。
4. 前記位相調整素子および前記波長可変反射器は、光導波路構造で形成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の波長可変光源。
5. 前記波長選択素子および前記波長可変反射器は、エタロンであり、前記位相調整素子は液晶を前後の透明電極を持つ光学ガラス板内に充填した光位相シフターで、前記波長可変反射器は、エタロンのキャビティ内に液晶を充填し、前記波長ロック制御部は、該液晶への印加交流電圧を変化させることによって該液晶の実質的屈折率を変化させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の波長可変光源。
6. 前記波長ロック制御部は、前記位相調整素子による位相調整と前記波長可変反射器による波長調整とを繰り返すことによって前記所望の共振波長にロックすることを特徴とする請求項１に記載の波長可変光源。

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