JP2007027458A - レーザ装置及びその調整方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 簡便な構成でかつ損失の小さい単一縦モードレーザ光を出力するレーザ装置及びその調整方法を提供する。
【解決手段】
共振器13内に配置される第1エタロン20及び第2エタロン22が、エタロンホルダ21及び23により実質的な厚さを変更可能に保持される。また、Nd:YVO4結晶16及びKTP結晶18とにより周波数フィルタが形成される。
【選択図】 図1
【解決手段】
共振器13内に配置される第1エタロン20及び第2エタロン22が、エタロンホルダ21及び23により実質的な厚さを変更可能に保持される。また、Nd:YVO4結晶16及びKTP結晶18とにより周波数フィルタが形成される。
【選択図】 図1
Description
この発明は、レーザ装置及びその調整方法に関し、より詳しくは単一縦モードのレーザ光を出力することのできるレーザ装置及びその調整方法に関する。
半導体レーザにより励起するNd:YAG結晶やNd:YVO4結晶などを利得媒体として用いた連続波発振の532nm領域の固体レーザの波長は、長さの標準として用いられる。実際に、レーザ光の波長を用いて測長を行うためには、レーザ光が単一周波数、すなわち単一縦モードで発振する必要がある。さらに、原子あるいは分子吸収線の分光技術を用いてレーザ光の周波数を安定化させるためには、発振周波数が任意に選択可能でなければならない。
レーザ光の発振モードを選択し、単一縦モード発振を得る方法としては、共振器内にエタロンを配置する方法、共振器内に回折格子を配置する方法などが広く知られている。また、任意の発振周波数を選択するには、エタロンなどの光学素子による周波数フィルタにより、透過するレーザ光の周波数を選択し、さらに共振器長を制御することで、レーザ光の発振周波数を制御することができる。また、Nd:YVO4結晶や二次高調波生成用の非線形光学結晶の入射面及び出射面でエタロンを構成し、これにより単一縦モード発振を得るものも知られている(例えば、特許文献1参照)。
通常の回折格子は、ブリーズ角を調整しても一次回折光に対する反射率はおよそ90%程度であり、出力の小さいレーザ装置の場合共振器の損失が大きくなり過ぎる。
エタロンを用いる方法の場合、Nd:YVO4結晶など、Nd:YAG結晶より更に広い利得周波数幅を有する利得媒質を用いたレーザ装置においては、単一縦モードを得られない場合がある。そのような場合、エタロンに反射コーティングを施し、エタロンのフィネスを大きくするなどの対策が考えられるが、特別な反射率を得るためのコーティングには費用がかかる。
反射コーティングを施したエタロンの傾斜角を大きくすれば、エタロンの透過特性のピークの周波数を選択することができ、利得媒質が広い利得周波数幅を有していても、任意の周波数で単一縦モードを得られる。しかしこの場合には、レーザ光が完全な平面波ではなく、ガウス型の強度分布を持つために、共振器内の損失が大きくなる。特許文献1の方法でも、単一縦モードを得るには特別な反射率を得るためのコーティングが必要であり、コーティングの費用が大きくなる。
特開平4−318988号公報
本発明は、簡便な構成でかつ損失の小さい単一縦モードレーザ光を出力するレーザ装置及びその調整方法を提供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明の一態様に係るレーザ装置は、一対の共振器ミラーにより励起光を共振させてレーザ光を生成するレーザ共振器と、前記レーザ共振器内に配置される第1エタロン及び第2エタロンと、前記第1エタロン及び前記第2エタロンをその角度を調整可能に保持して前記第1エタロン及び第2エタロンの実質的な厚さを変化させるエタロンホルダと、前記共振器ミラーの位置を調整して前記レーザ共振器の共振器長を変化させるアクチュエータとを備えたことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係るレーザ装置の調整方法は、レーザ共振器を構成する一対の共振器ミラーの間に、このレーザ発振器の縦モード間隔よりも小さい周期で透過率が変動する第1透過特性を有する第1エタロンと、前記レーザ共振器のレーザ発振が可能な周波数範囲内で1つのピークのみを有する第2透過特性を有する第2エタロンを配置するステップと、この第1エタロン及び第2エタロンの角度を調整して前記第1エタロン及び第2エタロンの実質的な厚さを変化させ、前記第1透過特性の1つのピークと、前記第2透過特性のピークの1つを略一致させることで前記レーザ共振器を単一縦モード発振させるステップとを備えたことを特徴とする。
この発明によれば、簡便な構成でかつ損失の小さい単一縦モードレーザ光を出力するレーザ装置及びその調整方法を提供することが可能となる。
次に、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
図1を参照して、本発明に係る一実施形態について説明する。図1は本発明の一実施形態に係るNd:YVO4レーザの構成概略図である。
図1に示すように、このNd:YVO4レーザは、励起用半導体レーザ11、集光系12、共振器13、及び温度制御部14を備えている。
励起用半導体レーザ11は、所定電圧が印加されることにより波長809nmのレーザ光L1を放出するものである。集光系12は、レンズ、プリズム等の複数の光学部材から構成され、レーザ光L1を適当なビーム形状に整形して共振器13に入射させる。
共振器13は、ネオジウム(Nd)がドープされたNd:YVO4結晶16、このNd:YVO4結晶16を保持するNd:YVO4結晶ホルダ17、KTP結晶18、及びこのKTP結晶18を保持するKTP結晶ホルダ19を備えている。
Nd:YVO4結晶16は、レーザ光L1により励起されたNd原子の誘導輻射により、波長1064nmのレーザ光L2を生じさせるためのものである。KTP結晶18は、波長1064nmのレーザ光L2の一部から2次高調波である532nmの光を発光する。従って、KTP結晶18から射出されるレーザ光L3は、波長532nmと波長1064nmが混合されたレーザ光となる。なお、Nd:YVO4結晶16の集光系12側の面には、波長1064nmの光を反射するためのコーティングがなされており、これによりNd:YVO4結晶16は共振器13の共振器ミラーの1つとして機能する。
なお、Nd:YVO4結晶ホルダ17、及びKTP結晶ホルダ19は、それぞれ比較的熱膨張係数の大きな黄銅で形成されている。温度制御部14による温度制御により、Nd:YVO4結晶ホルダ17、及びKTP結晶ホルダ19は膨張・収縮し、これによりNd:YVO4結晶16及びKTP結晶18の位置を変化させる。
共振器13は更に、第1エタロン20、この第1エタロンを保持する第1エタロンホルダ21、第2エタロン22、及びこの第2エタロン22を保持する第2エタロンホルダ23を備えている。これらのエタロン20、22は、例えば合成石英製の平行平面板からなり、レーザ光L3に対し僅かに傾けて配置されることにより、レーザ光L3の特定周波数のみを透過する特性を有する。第1エタロンホルダ21、第2エタロンホルダ23は、それぞれ第1エタロン20及び第2エタロン22を回転可能に保持している。第1エタロン20及び第2エタロン22の回転角を調整することにより、エタロンの実質的な厚さを変化させ、透過する光の周波数を制御することができる。なお、第1エタロンホルダ21、第2エタロンホルダ23は、図示しない止めネジを備えており、回転角の調整後この止めネジを調整することにより、第1エタロン20及び第2エタロン22の角度を固定することが可能なようにされている。
また、Nd:YVO4結晶16のKTP結晶18側の面と、KTP結晶18の両面は、たとえその面に反射防止コーティングが施されていたとしても、第1エタロン20、第2エタロン22と同様に周波数フィルタとして機能する。
また共振器13は、反射鏡24と、これを保持するピエゾ素子25とを備えている。反射鏡24は、波長1064nmの光を反射し、波長532nmの光を透過するようにコーティングがなされている。したがって、波長1064nmの光に対してのみ、Nd:YVO4結晶16と反射鏡24によって共振器が構成される。ピエゾ素子25は、図示しない制御部からの制御電圧により駆動されて反射鏡24の位置を変化させ、これにより共振器13の共振器長を調整して共振周波数を変化させるものである。
温度制御部14は、温度計26と、制御回路27と、ペルチェ素子28と、放熱器29とから構成される。温度計26は、共振器13の温度を測定する。制御回路27は、温度計26から得た温度に基づいてペルチェ素子28に印加する電圧を決定する。
ペルチェ素子28は、この印加電圧により、共振器13を冷却する。また、ペルチェ素子28の外側は加熱されるが、放熱器29によりその昇温が抑制されている。このようにして共振器13の温度が制御されることにより、Nd:YVO4結晶ホルダ17及びKTP結晶ホルダ19の大きさが変化し、Nd:YVO4結晶16及びKTP結晶18の位置が変化する。これにより、Nd:YVO4結晶16及びKTP結晶18により構成される周波数フィルタの透過周波数を制御することができる。
周知のように、2つの反射平面が平行に置かれているとき、その2つの反射平面はファブリペロー干渉計すなわちエタロンを構成し、いくつかの特定の周波数の光のみを透過させる。従って、第1エタロン20、及び第2エタロン22も合成石英の平行平面板からなるためファブリペロー干渉計を構成し、等間隔の周波数間隔を有する特定の周波数の光を透過させる。エタロンの透過スペクトルは、2つの反射平面の反射率、厚さ及び入射光の入射角等が与えられれば、光の電場の重ね合わせの原理に基づいて決定される。例えば、透過スペクトルにおける複数のピークの周波数間隔は、エタロンの厚みが薄い程広くなる。また、各ピークの幅は、エタロンの反射率が大きい程狭くなる。
従って、図1のレーザ装置において、第1エタロン20、第2エタロン22の反射率、厚さ及び角度を適切に設定することにより、第1エタロン20、及び第2エタロン22の透過スペクトルを決定することができる。また、Nd:YVO4結晶16及びKTP結晶18から構成される周波数フィルタの透過スペクトルは、両者間の距離がホルダ17及び19により変更されることにより変更することができる。共振器13全体の透過スペクトルは、このようにして決定された2つのエタロン20,22、並びにNd:YVO4結晶16及びKTP結晶18から構成される1つの周波数フィルタの透過スペクトルの積として決定される。
図2は、第1エタロン20の透過スペクトル30、第2エタロン22の透過スペクトル34、及びNd:YVO4結晶16及びKTP結晶18から構成される周波数フィルタの透過スペクトル32の例を示す。第1エタロン20の透過スペクトル30は、共振器13の縦モード間隔よりも小さい周期で透過率が変動する特性を有するように、第1エタロン20の実質的な厚さを調整する。また、第2エタロン22の透過スペクトル34は、共振器13でレーザ利得が得られる周波数範囲内にピークが1つだけ存在する特性を有するように、第2エタロン22の実質的な厚さを調整する。従って、第2エタロン22は、第1エタロン20よりも厚さが小さく設定されている。
なお、Nd:YVO4結晶16及びKTP結晶18から構成される周波数フィルタの透過スペクトル32は、2つの反射面間の距離が大きいため、図2のように透過率の変動周期は、第1エタロンの透過スペクトル30の透過率の変動周期よりも小さくなる。
共振器13の全体としての透過スペクトル36は、図3に示すように、透過スペクトル30、32及び34の積となる。共振器13でレーザ利得が得られる周波数範囲内の透過スペクトル34のピークが、透過スペクトル30のピークの1つと一致するように、第1エタロン20及び第2エタロン22の角度を調整して実質的厚さを変更する。これにより、図3の透過スペクトル36のように、1箇所のピークのみが発振しきい値38を超え、単一縦モード発振が得られるようになる。
透過スペクトル30及び34は、それぞれ第1エタロン20、第2エタロン24の実質的厚さが変更されることにより、グラフ上で横軸方向(周波数軸方向)に平行移動させることができる。透過スペクトル32もまた、温度制御部14によるホルダ17及び19の制御により、グラフ上で横軸方向(周波数軸方向)に平行移動させることができる。従って、合成の透過スペクトル36も、グラフ上で横軸方向に平行移動させることができる。透過スペクトル36を平行移動させ、そのピーク36Pを共振器の複数の縦モード発振周波数40の1つと一致させることにより、単一縦モード発振を得ることができる。なお、ピエゾ素子25の制御により、共振器13の縦モード40の位置を横軸方向に移動させることで、ピーク36Pとの一致を図ることも可能である。
次に、本実施の形態のレーザ装置において、単一縦モード発振を得るための調整手順について説明する。まず、出力光としてのレーザ光L4をスペクトラムアナライザ等に入射させ、レーザ光L4の波長及び強度をモニタリング可能な状態とする。
次に、第2エタロン22の回転角度を調整して、所望の周波数付近でレーザ光L4の強度が最大になるようにする。続いて、第1エタロン20の回転角度を調整して、その透過スペクトルのピークの1つを、共振器13の複数の縦モード発振周波数40の1つと一致させる。この一致されたピークにより、共振器13の単一縦モード発振が得られる。
更に、温度制御部14により共振器13の温度を調整してNd:YVO4結晶16及びKTP結晶18の位置を調整し、レーザ光L4の周波数が所望の周波数になるように調整する。以下、必要に応じて第2エタロン22及び第1エタロン20の調整を繰り返すと共に、ピエゾ素子25の制御も行って所望の周波数に近づける制御を行う。
以上、発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、追加等が可能である。例えば、上記の実施の形態では、レーザ媒質としてNd:YVO4結晶16を用い、非線形光学結晶としてKTP結晶18を用いているが、例えばレーザ媒質をNd:YAG結晶など周知の他の結晶に、非線形光学結晶をKNbO3など他の非線形光学結晶にそれぞれ置き換えても本発明は適用可能である。
11・・・励起用半導体レーザ、 12・・・集光系、 13・・・共振器、 14・・・温度制御部、 16・・・Nd:YVO4結晶、 17・・・Nd:YVO4結晶ホルダ、 18・・・KTP結晶、 19・・・KTP結晶ホルダ、 20・・・第1エタロン、 21・・・第1エタロンホルダ、22・・・第2エタロン、 23・・・第2エタロンホルダ、 24・・・反射鏡、 25・・・ピエゾ素子、 26・・・温度計、 27・・・制御回路、 28・・・ペルチェ素子、 29・・・放熱器。
Claims (4)
- 一対の共振器ミラーにより励起光を共振させてレーザ光を生成するレーザ共振器と、
前記レーザ共振器内に配置される第1エタロン及び第2エタロンと、
前記第1エタロン及び前記第2エタロンをその角度を調整可能に保持して前記第1エタロン及び第2エタロンの実質的な厚さを変化させるエタロンホルダと、
前記共振器ミラーの位置を調整して前記レーザ共振器の共振器長を変化させるアクチュエータと
を備えたことを特徴とするレーザ装置。 - 透過率のピーク間の幅が、前記レーザ共振器の縦モード間隔より小さいような透過特性を有するように前記第1エタロンの実質的な厚さが設定され、
前記レーザ共振器でレーザ利得が得られる周波数範囲内にピークが1つだけ存在する透過特性を有するように前記第2エタロンの実質的な厚さが設定された
ことを特徴とする請求項1記載のレーザ装置。 - 前記共振器ミラーの間に、固体レーザ媒質と、この固体レーザ媒質により励起されたレーザ光の二次高調波を生成する非線形光学結晶とを備え、
前記固体レーザ媒質と前記非線形光学結晶により形成される周波数フィルタの透過特性を、前記固体レーザ媒質及び前記非線形光学結晶の位置を調整することにより変化させることが可能に構成された請求項1記載のレーザ装置。 - レーザ共振器を構成する一対の共振器ミラーの間に、このレーザ発振器の縦モード間隔よりも小さい周期で透過率が変動する第1透過特性を有する第1エタロンと、前記レーザ共振器のレーザ発振が可能な周波数範囲内で1つのピークのみを有する第2透過特性を有する第2エタロンを配置するステップと、
この第1エタロン及び第2エタロンの角度を調整して前記第1エタロン及び第2エタロンの実質的な厚さを変化させ、前記第1透過特性の1つのピークと、前記第2透過特性のピークの1つを略一致させることで前記レーザ共振器を単一縦モード発振させるステップと、
を備えたことを特徴とするレーザ装置の調整方法。
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