JP4012923B2 - 受動部品 - Google Patents

Description

本発明は、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚのマイクロ波帯において共振回路を構成する積層型誘電体フィルタ等を含む受動部品に関し、通信機器や電子機器の小型化を有効に図ることができる受動部品に関する。

近時、ＩＣが高集積化され、ＩＣ自体の小型化が急速に進んでいる。これに伴い、前記ＩＣの周辺に使用されるフィルタ等の受動部品も小型化が進んでいる。また、受動部品の小型化には、誘電体基板を使用した積層型誘電体受動部品が有効である（例えば特許文献１及び２参照）。

このような積層型誘電体受動部品を例えば配線基板に実装する場合は、該配線基板に形成された配線パターンと、積層型誘電体受動部品の側面に形成された入出力端子とを半田等で電気的に接続するようにしている（側面実装）。

また、従来では、チップ状の電子部品の外周面に形成された端子を表面実装の下面電極の一部として利用する例も提案されている（例えば特許文献３参照）。

特開２００２−２８０８０５号公報 特開２００２−２６１６４３号公報 特開平１０−１５０１３８号公報

ところで、製品を配線基板に実装する方法としては、上述した側面実装のほかに、ワイヤボンディングやリード線にて電気的に接続する手法がある。特に、受動部品においては側面実装が主流である。

しかし、上述の側面実装は、以下のような問題点がある。

（１）広い実装面積を確保する必要がある。つまり、実装面積として、受動部品の被実装面の面積よりも大きな面積（例えば被実装面の面積の約１．５倍）を確保する必要がある。

（２）受動部品の側面に形成された電極（側面電極）の浮遊容量によってアイソレーション特性が劣化する。

（３）側面電極を受動部品の側面に形成する必要から製造工程が多くなる。

（４）受動部品の近傍に設置されたシールド板や隣接する他部品の影響によって特性が変動する。

本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、側面実装による種々の問題点を解決することができ、特性変動の抑制、製造工程の簡単化を有効に図ることができる受動部品を提供することを目的とする。

本発明に係る受動部品は、配線基板上に実装され、且つ、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板内に形成された受動回路を構成する複数の内層電極と、前記誘電体基板の外部に導出された１以上の端子とを有する受動部品において、前記誘電体基板の下面が前記配線基板に配線されたシールド配線パターンと対向するように前記配線基板上に実装され、前記１以上の端子は、前記受動回路の入出力用の端子であって、且つ、前記誘電体基板の下面のみに導出され、前記誘電体基板内において前記誘電体基板の下面に対向して形成されたシールド用の内層電極を有し、前記シールド用の内層電極は、前記配線基板に配線された前記シールド配線パターンと、他の電極が介在されることなく、容量を介して電気的に接続されることを特徴とする。

これにより、受動部品を例えば配線基板等に実装する場合に、誘電体基板の下面のみに形成された端子を表面実装方式で配線基板に実装すればよいため、受動部品の実装面積を側面実装の場合よりも狭い面積にすることができる。

端子が誘電体基板の下面のみに存在するため、複数の電極の面積を小さくできこれら端子と電極間に浮遊容量が形成されにくくなる。従って、受動部品のアイソレーション特性は改善する。

受動部品の側面に電極を形成する必要がなくなるため、製造工程も簡単になり、製造コストの低廉化を図ることができる。

受動部品の近傍に設置されたシールド板や隣接する他部品の影響を受けにくくなり、特性の変動を小さくすることができる。

なお、前記１以上の端子が、信号が入出力される複数の端子と１以上のシールド端子とを有する場合、前記誘電体基板の下面には、前記信号が入出力される複数の端子の間に前記シールド端子が配列されることが好ましい。これにより、前記信号が入出力される複数の端子の間のアイソレーションを確保することができる。

また、本発明においては、誘電体基板内のシールド用の内層電極と配線基板の配線パターンとを容量を介して電気的に接続することができるため、誘電体基板の下面にシールド電極に対応する外部端子を形成する必要がなくなる。一般に、受動部品の小型化に際し、端子寸法を小さくしなければならないが、前記シールド用の内層電極に対応する外部端子を形成する必要がないため、前記端子の面積を大きくすることができ、これにより、端子の機械的強度を向上させることができる。

この場合、前記誘電体基板を構成する誘電体層のうち、前記シールド用の内層電極と前記誘電体基板の下面間の誘電体層の誘電率εｒを、εｒ＞２０とすることが好ましい。

前記誘電体基板内に形成される受動回路を、１以上の共振器を有するフィルタとした場合は、該共振器をビアホールにて形成し、該ビアホールの両端面のうち、いずれか一方の端面で短絡端と開放端とを有するようにしてもよい。

以上説明したように、本発明に係る受動部品によれば、側面実装による種々の問題点を解決することができ、特性変動の抑制、製造工程の簡単化を有効に図ることができる。

以下、本発明に係る受動部品の実施の形態例を図１〜図８を参照しながら説明する。

まず、第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａは、図１及び図２に示すように、複数の誘電体層（Ｓ１〜Ｓ７）が積層、焼成一体化され、且つ、両主面（第２の誘電体層Ｓ２の一主面及び第６の誘電体層Ｓ６の一主面）にそれぞれ内層シールド電極１２ａ及び１２ｂが形成された誘電体基板１４を有する。

誘電体基板１４は、上から順に、第１の誘電体層Ｓ１〜第７の誘電体層Ｓ７が積み重ねられて構成されている。これら第１〜第７の誘電体層Ｓ１〜Ｓ７は１枚あるいは複数枚の層にて構成される。

誘電体基板１４内には、２つの１／４波長の共振器（入力側共振器１８及び出力側共振器２０）を構成するフィルタ部１６を有する。このフィルタ部１６は第４の誘電体層Ｓ４の一主面に形成された入力側共振電極２６と出力側共振電極２８とを有する。

入力側共振電極２６の一方の端部（誘電体基板１４の第１の側面１４ａに近接した位置に形成された端部）と、出力側共振電極２８の一方の端部（前記第１の側面１４ａに近接した位置に形成された端部）は、それぞれビアホール２２及び２４を介して内層シールド電極１２ａ及び１２ｂに電気的に接続されている。即ち、入力側共振電極２６の一方の端部と、出力側共振電極２８の他方の端部は、それぞれ短絡端を構成する。

入力側共振電極２６は、その中央部分から誘電体基板１４の第２の側面１４ｂ（出力側共振電極２８とは反対側の側面）に向けて入力タップ電極３０が形成されている。出力側共振電極２８は、その中央部分から誘電体基板１４の第３の側面１４ｃ（第２の側面１４ｂと反対側の側面）に向けて出力タップ電極３２が形成されている。

また、第３の誘電体層Ｓ３の一主面には、入力側共振電極２６及び出力側共振電極２８の各開放端と対向し、誘電体基板１４の第４の側面１４ｄ（前記第１の側面１４ａと反対側の側面）に近接して形成された内層シールド電極３４及び３６と、入力側共振器１８及び出力側共振器２０間の結合度を調整するための結合調整電極３８とが形成されている。

第５の誘電体層Ｓ５の一主面には、入力側共振電極２６及び出力側共振電極２８の各開放端と対向し、誘電体基板１４の前記第４の側面１４ｄに近接して形成された内層シールド電極３９及び４０と、入力側共振器１８及び出力側共振器２０間の結合を調整するための結合調整電極４２とが形成されている。

内層シールド電極１２ａは、誘電体基板１４の第４の側面１４ｄの近傍において、第２の誘電体層Ｓ２を貫通するビアホール４４及び４６を介して内層シールド電極３４及び３６に電気的に接続され、内層シールド電極１２ｂは、誘電体基板１４の第４の側面１４ｄの近傍において、第５の誘電体層Ｓ５を貫通するビアホール４５及び４７を介して内層シールド電極３９及び４０に電気的に接続されている。

そして、この第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａは、誘電体基板１４を構成する誘電体層のうち、最下層の誘電体層Ｓ７内に、入力端子を構成する１つの入力電極層４８と、出力端子を構成する１つの出力電極層５０と、シールド端子を構成する４つのシールド電極層５２ａ〜５２ｄがビアホールにて形成されている。

入力電極層４８は誘電体基板１４の第２の側面１４ｂの近傍に形成され、出力電極層５０は誘電体基板１４の第３の側面１４ｃの近傍に形成され、４つのシールド電極層５２ａ〜５２ｄのうち、２つのシールド電極層５２ａ及び５２ｂは誘電体基板１４の第１の側面１４ａの近傍に形成され、他の２つのシールド電極層５２ｃ及び５２ｄは誘電体基板１４の第４の側面１４ｄの近傍に形成されている。

入力電極層４８は、誘電体基板１４の第２の側面１４ｂの近傍であって、第４〜第６の誘電体層Ｓ４〜Ｓ６にかけて形成されたビアホール５４と入力タップ電極３０とを介して入力側共振電極２６に電気的に接続されている。出力電極層５０は、誘電体基板１４の第３の側面１４ｃの近傍であって、第４〜第６の誘電体層Ｓ４〜Ｓ６にかけて形成されたビアホール５６と出力タップ電極３２とを介して出力側共振電極２８に電気的に接続されている。

また、２つのシールド電極層５２ａ及び５２ｂは、前記ビアホール２２及び２４を介して内層シールド電極１２ａ及び１２ｂ並びに入力側共振電極２６の短絡端及び出力側共振電極２８の短絡端に電気的に接続され、他の２つのシールド電極層５２ｃ及び５２ｄは、前記ビアホール４５及び４７を介して内層シールド電極３９、４０、１２ｂに電気的に接続されている。

更に、入力電極層４８、出力電極層５０、４つのシールド電極層５２ａ〜５２ｄの各径は、上述した各ビアホール２２、２４、４４及び４６の径よりも大きく設定されている。

このように、第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａにおいては、入力端子を構成する入力電極層４８と、出力端子を構成する出力電極層５０と、シールド端子を構成する４つのシールド電極層５２ａ〜５２ｄとを最下層の誘電体層Ｓ７にビアホールにて形成することにより、前記入力端子、出力端子及びシールド端子を誘電体基板１４の下面のみに導出するようにしている。

これにより、受動部品１０Ａを例えば配線基板等に実装する場合に、誘電体基板１４の下面のみに形成された端子を表面実装方式で配線基板に実装すればよいため、受動部品１０Ａの実装面積を側面実装の場合よりも狭い面積にすることができる。

入力端子、出力端子及びシールド端子が誘電体基板１４の下面のみに存在するため、各端子とフィルタ部１６を構成する複数の電極との距離が遠くなり、これら端子と電極間に浮遊容量は形成されにくくなる。従って、受動部品１０Ａのアイソレーション特性は改善する。

受動部品１０Ａの側面に電極を形成する必要がなくなるため、製造工程も簡単になり、製造コストの低廉化を図ることができる。

受動部品１０Ａの近傍に設置されたシールド板や隣接する他部品の影響を受けにくくなり、特性の変動を小さくすることができる。

特に、この第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａにおいては、入力電極層４８、出力電極層５０及びシールド電極層５２ａ〜５２ｄを誘電体基板１４内にビアホールにて形成するようにしているため、これら電極層の誘電体基板１４からの剥離を防止することができ、各電極層へのクラックの発生も抑制することができる。

また、誘電体基板１４内へのビアホール２２、２４、４４、４５、４６及び４７の形成と同時に上述の電極層４８、５０及び５２ａ〜５２ｄを形成することができるため、誘電体基板１４の下面に端子を形成する工程を省略することができ、工程を簡素化することができる。また、各電極層４８、５０及び５２ａ〜５２ｄの厚みを厚くできるため、従来の側面端子（誘電体基板１４の側面に形成された端子）と同等の機械的強度を得ることができる。

特に、各電極層４８、５０及び５２ａ〜５２ｄの径を、各ビアホール２２、２４、４４、４５、４６及び４７の径よりも大きく設定するようにしたので、図２に示すように、配線基板６０の入力配線パターン６２と入力電極層４８との対向面積、出力配線パターン６４と出力電極層５０との対向面積、並びにシールド配線パターン６６とシールド電極層５２ａ〜５２ｄとの対向面積をそれぞれ増加させることができ、不要なインダクタンス成分の発生を抑制することができる。

次に、第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂについて図３及び図４を参照しながら説明する。

この第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂは、図３及び図４に示すように、上述した第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、入力側共振器１８と出力側共振器２０がそれぞれビアホール７０及び７２にて構成されている点で異なる。

具体的には、図３に示すように、入力側共振器１８は、第３の誘電体層Ｓ３の主面において第１の側面１４ａの近傍から第４の側面１４ｄの近傍にかけて延在して形成された第１の電極７４と、第５の誘電体層Ｓ５の主面において誘電体基板１４の第１の側面１４ａの近傍から第４の側面１４ｄの近傍にかけて延在して形成された第２の電極７６と、第３及び第４の誘電体層Ｓ３及びＳ４を貫通し、第１の電極７４の中央部分と第２の電極７６の中央部分とを接続する上述したビアホール７０とを有する。

第１の電極７４の両端部は、それぞれビアホール７８及び７９を介して内層シールド電極１２ｂに電気的に接続されている。第２の電極７６は、その中央部分から誘電体基板１４の第２の側面１４ｂに向けて入力タップ電極３０が形成されている。つまり、第１の電極７４は、入力側共振器１８の短絡端を形成する。第２の電極７６は、内層シールド電極１２ｂと誘電体層を間に挟んで対向した形態であり、入力側共振器１８の開放端を形成する。

出力側共振器２０は、前記入力側共振器１８と同様に、第３の誘電体層Ｓ３の主面において第１の側面１４ａの近傍から第４の側面１４ｄの近傍に延在して形成され、出力側共振器２０の短絡端を形成する第１の電極８０と、第５の誘電体層Ｓ５の主面において第１の側面１４ａの近傍から第４の側面１４ｄの近傍に延在して形成され、出力側共振器２０の開放端を形成する第２の電極８２と、第３及び第４の誘電体層Ｓ３及びＳ４を貫通し、これら第１の電極８０と第２の電極８２とを電気的に接続する上述したビアホール７２とを有する。

第１の電極８０の両端部は、それぞれビアホール８４及び８６を介して内層シールド電極１２ｂに電気的に接続されている。第２の電極８２は、その中央部分から誘電体基板１４の第３の側面１４ｃに向けて出力タップ電極３２が形成されている。

また、第４の誘電体層Ｓ４の主面には、誘電体基板１４の第１の側面１４ａ寄りに形成され、入力側共振器１８の第１の電極７４及び出力側共振器２０の第１の電極８０と第３の誘電体層Ｓ３を間に挟んで対向する第１の結合調整電極８８と、誘電体基板１４の第４の側面１４ｄ寄りに形成され、入力側共振器１８の第１の電極７４及び出力側共振器２０の第１の電極８０と第３の誘電体層Ｓ３を間に挟んで対向する第２の結合調整電極９０とを有する。

そして、この第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂは、第７の誘電体層Ｓ７の裏面（誘電体基板１４の下面）に入力端子を構成する１つの入力電極膜９２と、出力端子を構成する１つの出力電極膜９４と、シールド端子を構成する２つのシールド電極膜９６及び９８が形成されている。

入力電極膜９２は、誘電体基板１４の第２の側面１４ｂの近傍に形成され、出力電極膜９４は誘電体基板１４の第３の側面１４ｃの近傍に形成され、２つのシールド電極膜９６及び９８のうち、１つのシールド電極膜９６は誘電体基板１４の第１の側面１４ａの近傍であって、且つ、第２の側面１４ｂの近傍から第３の側面１４ｃの近傍にかけて延在して形成され、他のシールド電極膜９８は誘電体基板１４の第４の側面１４ｄの近傍であって、且つ、第２の側面１４ｂの近傍から第３の側面１４ｃの近傍にかけて延在して形成されている。

また、入力電極膜９２は、誘電体基板１４の第２の側面１４ｂの近傍であって、第５及び第６の誘電体層Ｓ５及びＳ６にかけて形成されたビアホール１００と入力タップ電極３０とを介して入力側共振器１８の第２の電極７６に電気的に接続されている。出力電極膜９４は、誘電体基板１４の第３の側面１４ｃの近傍であって、第５及び第６の誘電体層Ｓ５及びＳ６にかけて形成されたビアホール１０２と出力タップ電極３２とを介して出力側共振器２０の第２の電極８２に電気的に接続されている。

また、１つのシールド電極膜９６は、誘電体基板１４の第１の側面１４ａの近傍であって、第２〜第７の誘電体層Ｓ２〜Ｓ７を貫通するビアホール１０４及び１０６を介して内層シールド電極１２ａ及び１２ｂに電気的に接続され、他の２つのシールド電極膜９８は、誘電体基板１４の第４の側面１４ｄの近傍であって、第２〜第７の誘電体層Ｓ２〜Ｓ７を貫通するビアホール１０８及び１１０を介して内層シールド電極１２ａ及び１２ｂに電気的に接続されている。

更に、誘電体基板１４を構成する誘電体層Ｓ１〜Ｓ７のうち、内層シールド電極１２ｂと誘電体基板１４の下面との間の第６及び第７の誘電体層Ｓ６及びＳ７は、誘電率εｒ（＜２０）の材料が使用されている。

このように、第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂは、入力端子を構成する入力電極膜９２と、出力端子を構成する出力電極膜９４と、シールド端子を構成する２つのシールド電極膜９６及び９８とを最下層の誘電体層Ｓ７の裏面に形成することにより、前記入力端子、出力端子及びシールド端子を誘電体基板１４の下面のみに導出するようにしている。

そのため、上述した第１の実施の形態と同様に、受動部品１０Ｂの実装面積を側面実装の場合よりも狭い面積にすることができる。受動部品１０Ｂのアイソレーション特性が改善する。製造工程が簡単になり、製造コストの低廉化を図ることができる。特性の変動を小さくすることができる。

特に、誘電体基板１４を構成する誘電体層Ｓ１〜Ｓ７のうち、内層シールド電極１２ｂと誘電体基板１４の下面間の誘電体層Ｓ６及びＳ７の誘電率εｒを、εｒ＜２０としたので、内層シールド電極１２ｂと入力端子や出力端子との間の浮遊容量の発生を抑えることができ、アイソレーション特性を改善することができる。

また、入力側共振器１８と出力側共振器２０をそれぞれビアホール７０及び７２にて形成し、入力側共振器１８の短絡端をビアホール７０の一端に形成された第１の電極７４で構成し、入力側共振器１８の開放端をビアホール７０の他端に形成された第２の電極７６で構成し、出力側共振器２０の短絡端をビアホール７２の一端に形成された第１の電極８０で構成し、出力側共振器２０の開放端をビアホール７２の他端に形成された第２の電極８２で構成するようにしたので、以下の作用を得ることができる。

即ち、入力側共振器１８や出力側共振器２０において容量が必要な部分、例えば第１及び第２の結合調整電極８８及び９０と第１の電極７４及び８０との間の第３の誘電体層Ｓ３や、第１及び第２の結合調整電極８８及び９０と第２の電極７６及び８２との間の第４の誘電体層Ｓ４を誘電率εｒ（＞２０）の材料で作製し、その他の誘電体層をＱ値の高い材料で作製することで、入力側共振器１８及び出力側共振器２０のＱ値を上げることができ、低損失の特性を得ることができる。

次に、第３の実施の形態に係る受動部品１０Ｃについて図５を参照しながら説明する。

この第３の実施の形態に係る受動部品１０Ｃは、図５に示すように、上述した第２の実施の形態に係る受動部品１０Ｂとほぼ同様の構成を有するが、誘電体基板１４の下面にシールド電極膜９６及び９８（図３参照）が形成されていないことと、誘電体基板１４を構成する誘電体層Ｓ１〜Ｓ７のうち、内層シールド電極１２ｂと誘電体基板１４の下面との間の第６及び第７の誘電体層Ｓ６及びＳ７として、誘電率εｒ（＞２０）の材料が使用されている点で異なる。

これにより、誘電体基板１４内の内層シールド電極１２ｂと配線基板６０のシールド配線パターン６６とを容量を介して電気的に接続することができる。

そのため、誘電体基板１４の下面にシールド端子を構成するシールド電極膜９６及び９８（図３参照）を形成する必要がなくなる。一般に、受動部品の小型化に際し、入力端子や出力端子並びにシールド端子の寸法を小さくしなければならないが、この第３の実施の形態では、シールド電極膜９６及び９８を形成する必要がないため、入力電極膜９２や出力電極膜９４の寸法を大きくすることができる。これにより、入力電極膜９２及び出力電極膜９４の機械的強度を向上させることができる。

次に、第４の実施の形態に係る受動部品１０Ｄについて図６を参照しながら説明する。

この第４の実施の形態に係る受動部品１０Ｄは、図６に示すように、上述した第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、誘電体基板１４内にフィルタ部１６と非平衡−平衡変換部１２０（以下、単に変換部と記す）を有する点で異なる。

この第４の実施の形態に係る受動部品１０Ｄは、第２の誘電体層Ｓ２、第６の誘電体層Ｓ６、第９の誘電体層Ｓ９、第１１の誘電体層Ｓ１１の各主面にそれぞれ内層シールド電極１２ａ、１２２、１２４及び１２ｂが形成され、第１０の誘電体層Ｓ１０の主面にＤＣ電極１２６が形成されている。また、第１２の誘電体層Ｓ１２の下面のうち、誘電体基板１４の第３の側面１４ｃの近傍に平衡入出力端子１２８が形成され、第２の側面１４ｂの近傍に非平衡入出力端子１３０とＤＣ端子１３２が形成され、中央部分にシールド端子１３４が形成されている。

第４の誘電体層Ｓ４の主面には、第１〜第３の共振器１３６、１３８及び１４０をそれぞれ構成し、それぞれ誘電体基板１４の第１の側面１４ａの近傍から第４の側面１４ｄの近傍まで延在する第１〜第３の共振電極１４２、１４４及び１４６と、第１の共振電極１４２から第２の側面１４ｂに向かって延在するリード電極１４８とが形成されている。

第３の誘電体層Ｓ３の主面には、第１〜第３の共振電極１４２、１４４及び１４６の開放端と対向し、誘電体基板１４の第４の側面１４ｄに近接して形成された３つの内層シールド電極１５０、１５２及び１５４と、第１及び第２の共振器１３６及び１３８間の結合度を調整するための第１の結合調整電極１５６とが形成されている。

第１〜第３の共振電極１４２、１４４及び１４６のうち、誘電体基板１４の第１の側面１４ａに近接する端部は、それぞれ第２〜第６の誘電体層Ｓ２〜Ｓ６を貫通するビアホール１５８、１６０及び１６２を通じて内層シールド電極１２ａ及び１２２と接続される。

第１の共振電極１４２から延びるリード電極１４８のうち、誘電体基板１４の第２の側面１４ｂに近接する端部は、第４〜第１２の誘電体層Ｓ４〜Ｓ１２を貫通するビアホール１６４を通じて誘電体基板１４の下面に形成された非平衡入出力端子１３０に電気的に接続される。

３つの内層シールド電極１５０、１５２及び１５４は、誘電体基板１４の第４の側面１４ｄに近接する部分においてそれぞれ第２〜第６の誘電体層Ｓ２〜Ｓ６を貫通するビアホール１６６、１６８及び１７０を通じて内層シールド電極１２ａ及び１２２と接続される。

また、内層シールド電極１２２は、誘電体基板１４の第１の側面１４ａの近傍において第６〜第１２の誘電体層Ｓ６〜Ｓ１２を貫通するビアホール１７２及び１７４と、誘電体基板１４の第４の側面１４ｄの近傍において第６〜第１２の誘電体層Ｓ６〜Ｓ１２を貫通するビアホール１７６及び１７８とを通じて内層シールド電極１２４及び１２ｂ並びに誘電体基板１４の下面に形成されたシールド端子１３４に電気的に接続される。

一方、第５の誘電体層Ｓ５の主面には、第２及び第３の共振器１３８及び１４０間の結合度を調整するための第２の結合調整電極１８０と、第３の共振電極１４６と第４の誘電体層Ｓ４を間に挟んで重なる出力容量電極１８２とが形成されている。

第７の誘電体層Ｓ７の主面には、変換部１２０を構成する第１のストリップライン電極１８４が形成され、第８の誘電体層Ｓ８の主面には、変換部１２０を構成する第２及び第３のストリップライン電極１８６及び１８８が形成されている。

第１のストリップライン電極１８４の一端は、第５及び第６の誘電体層Ｓ５及びＳ６を貫通するビアホール１９０を通じて出力容量電極１８２と電気的に接続されている。第１のストリップライン電極１８４の他端は開放とされている。内層シールド電極１２２には、ビアホール１９０と絶縁をとるための領域、即ち電極膜が形成されていない領域が確保されている。

第２のストリップライン電極１８６の一端と第３のストリップライン電極１８８の一端は、共に第８及び第９の誘電体層Ｓ８及びＳ９を貫通するビアホール１９２及び１９４を通じてＤＣ電極１２６に電気的に接続されている。内層シールド電極１２４には、ビアホール１９２及び１９４と絶縁をとるための領域、即ち電極膜が形成されていない領域が確保されている。

第２のストリップライン電極１８６の他端と第３のストリップライン電極１８８の他端は、共に誘電体基板１４の第３の側面１４ｃの近傍に位置され、第８〜第１２の誘電体層Ｓ８〜Ｓ１２を貫通するビアホール１９６及び１９８を通じて誘電体基板１４の下面に形成された平衡入出力端子１２８に電気的に接続されている。

ＤＣ電極１２６は、誘電体基板１４の第２の側面１４ｂに向かって突出する張出し電極２００を有し、該張出し電極２００は、第１０〜第１２の誘電体層Ｓ１０〜Ｓ１２を貫通するビアホール２０２を通じて誘電体基板１４の下面に形成されたＤＣ端子１３２に電気的に接続される。

この第４の実施の形態に係る受動部品１０Ｄにおいても、上述した第１の実施の形態と同様に、受動部品１０Ｄの実装面積を側面実装の場合よりも狭い面積にすることができる。受動部品１０Ｄのアイソレーション特性が改善する。製造工程が簡単になり、製造コストの低廉化を図ることができる。特性の変動を小さくすることができる。

次に、第５の実施の形態に係る受動部品１０Ｅについて図７を参照しながら説明する。

この第５の実施の形態に係る受動部品１０Ｅは、図７に示すように、上述した第１の実施の形態に係る受動部品１０Ａとほぼ同様の構成を有するが、誘電体基板１４内に集中定数のフィルタ部２１０を有する点で異なる。

この第５の実施の形態に係る受動部品１０Ｅは、第１０の誘電体層Ｓ１０の主面に内層シールド電極２１２が形成されている。また、第１１の誘電体層Ｓ１１の下面のうち、誘電体基板１４の第１の側面１４ａと第３の側面１４ｃを含むコーナー部分２１４、第１の側面１４ａの中央を含む部分、第２の側面１４ｂと第４の側面１４ｄを含むコーナー部分２１６、第４の側面１４ｄの中央を含む部分にそれぞれシールド端子２１８ａ〜２１８ｄが形成され、誘電体基板１４の第３の側面１４ｃと第４の側面１４ｄを含むコーナー部分２２０に入力端子２２２が形成され、誘電体基板１４の第１の側面１４ａと第２の側面１４ｂを含むコーナー部分２２４に出力端子２２６が形成されている。

そして、第２〜第５の誘電体層Ｓ２〜Ｓ５の主面には、インダクタンス形成用の第１〜５のインダクタ電極２２８ａ〜２２８ｅが形成されている。第１〜第５のインダクタ電極２２８ａ〜２２８ｅは、それぞれビアホール２３０、２３２、２３４及び２３６を介してコイル状に形成される。

第７〜第９の誘電体層Ｓ７〜Ｓ９の主面には、容量形成用の第１〜第４の容量電極２３８ａ〜２３８ｄが形成される。

第１の容量電極２３８ａは、第７の誘電体層Ｓ７の主面のうち、誘電体基板１４の第１の側面１４ａと第２の側面１４ｂを含むコーナー部分２２４寄りに形成され、第２の容量電極２３８ｂは、第８の誘電体層Ｓ８の主面のうち、誘電体基板１４の第３の側面１４ｃと第４の側面１４ｄを含むコーナー部分２２０寄りに形成されている。

第３の容量電極２３８ｃは、第９の誘電体層Ｓ９の主面のうち、誘電体基板１４の前記コーナー部分２２４寄りに形成され、第４の容量電極２３８ｄは、第９の誘電体層Ｓ９の主面のうち、前記コーナー部分２２０寄りに形成されている。

そして、第１のインダクタ電極２２８ａの一端は、第２の誘電体層Ｓ２のうち、前記コーナー部分２２０に近接して位置され、第２〜第１１の誘電体層Ｓ２〜Ｓ１１を貫通するビアホール２４０を通じて第２の容量電極２３８ｂ、第４の容量電極２３８ｄ並びに誘電体基板１４の下面に形成された入力端子２２２に接続される。

第５のインダクタ電極２２８ｅの一端は、第６の誘電体層Ｓ６のうち、前記コーナー部分２２４に近接して位置され、第６〜第１１の誘電体層Ｓ６〜Ｓ１１を貫通するビアホール２４２を通じて第１の容量電極２３８ａ、第３の容量電極２３８ｃ並びに誘電体基板１４の下面に形成された出力端子２２６に接続される。

この第５の実施の形態に係る受動部品１０Ｅにおいても、上述した第１の実施の形態と同様に、受動部品１０Ｅの実装面積を側面実装の場合よりも狭い面積にすることができる。受動部品１０Ｅのアイソレーション特性が改善する。製造工程が簡単になり、製造コストの低廉化を図ることができる。特性の変動を小さくすることができる。

例えば第５の実施の形態に係る受動部品１０Ｅでは、誘電体基板１４の下面に形成される６つの端子２１８ａ〜２１８ｄ、２２２及び２２６のうち、入力端子２２２と出力端子２２６とを対角上に配置し、その他の部分にシールド端子２１８ａ〜２１８ｄを配置した例を示したが、その他、図８に示すように、誘電体基板１４の下面に例えば８つの端子（入出力端子２５０ａ〜２５０ｄ、シールド端子２５２ａ〜２５２ｄ）が形成される場合に、入出力端子２５０ａ〜２５０ｄとシールド端子２５２ａ〜２５２ｄを市松配列で配置するようにしてもよい。

この場合も、入出力端子２５０ａ〜２５０ｄ間が遠ざかり、しかも、隣接する端子がシールド端子２５２ａ〜２５２ｄとなることから、入出力端子２５０ａ〜２５０ｄ間のアイソレーションを確保することができる。

なお、本発明に係る受動部品は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

第１の実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。 第１の実施の形態に係る受動部品を示す縦断面図である。 第２の実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。 第２の実施の形態に係る受動部品を示す縦断面図である。 第３の実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。 第４の実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。 第５の実施の形態に係る受動部品を示す分解斜視図である。 誘電体基板の下面に形成される端子のパターン例を示す説明図である。

符号の説明

１０Ａ〜１０Ｅ…受動部品 １２ａ、１２ｂ…内層シールド電極
１４…誘電体基板 １６…フィルタ部
１８…入力側共振器 ２０…出力側共振器
４８…入力電極層 ５０…出力電極層
５２ａ〜５２ｄ…シールド電極層 ９２…入力電極膜
９４…出力電極膜 ９６、９８…シールド電極膜

Claims (3)

1. 配線基板上に実装され、且つ、複数の誘電体層が積層されて構成された誘電体基板内に形成された受動回路を構成する複数の内層電極と、前記誘電体基板の外部に導出された１以上の端子とを有する受動部品において、
   前記誘電体基板の下面が前記配線基板に配線されたシールド配線パターンと対向するように前記配線基板上に実装され、
   前記１以上の端子は、前記受動回路の入出力用の端子であって、且つ、前記誘電体基板の下面のみに導出され、
   前記誘電体基板内において前記誘電体基板の下面に対向して形成されたシールド用の内層電極を有し、
   前記シールド用の内層電極は、前記配線基板に配線された前記シールド配線パターンと、他の電極が介在されることなく、容量を介して電気的に接続されることを特徴とする受動部品。
2. 請求項１記載の受動部品において、
   前記誘電体基板を構成する誘電体層のうち、前記シールド用の内層電極と前記誘電体基板の下面間の誘電体層の誘電率εｒが、εｒ＞２０であることを特徴とする受動部品。
3. 請求項１又は２記載の受動部品において、
   前記受動回路は、１以上の共振器を有し、
   前記共振器は前記誘電体基板内に形成された２つの内層電極と、
   前記誘電体基板内に形成され、且つ、前記２つの内層電極間を接続するビアホールとを有し、
   前記２つの内層電極のうち、一方の内層電極が前記共振器の短絡端を形成し、他方の内層電極が前記共振器の開放端を形成していることを特徴とする受動部品。

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