JP4005971B2 - 有機エレクトロルミネセンス発光装置の大量生産用製造装置 - Google Patents
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Description
上記のとおり、基板搬送チェインバー100は、基板の蒸着の際にプロセスチェインバー330から分離されているため、プロセスチェインバーからの蒸発ガスによる汚染を防ぎ、高い真空度を維持することができる。
2段構造の基板搬送手段200を図6に示す。図7は、図6の矢印aの方向から見た概略図である。図に示すように、基板搬送手段200は、ユニット構造150の上部分151内に、2段構造で構成されており、上レール211及び下レール212からなる一対のレール210とレール210に沿って移動する移動部220からなる。
薄膜処理される基板は、投入チェインバー310で基板ホルダ230に取付けられる。基板ホルダ230に取付けられた基板は次のプロセスチェインバー330に搬送され、基板洗浄及びマスクアラインメント処理が順番に行われる。その後、プロセスチェインバーの様々な蒸着処理によって、多層薄膜が、基板アセンブリと、互いに一体化されたマスクの上に形成される。さらに、次に薄膜処理される基板が、同時に投入チェインバー310で基板ホルダ230に取付けられる。
有機エレクトロルミネセンス装置は、基板洗浄、UVオゾン処理又はプラズマ処理、基板及び有機薄膜用マスクのアラインメント、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる薄膜の製造、基板及び電極用マスクのアラインメント、電極の薄膜加工、製造された装置を湿気や酸素から守るためのシール加工等を行うことで製造される。
すなわち、基板221及びマスク222が、基板搬送手段200の移動部220に取付けられた状態で、各チェインバー300に沿って移動するとともに、各蒸着処理が行われる。
従って、製造時間を短縮できるというさらなる利点がある。
Claims (11)
- 複数の開口部が形成され、ポンプポートが取付けられ、そこに、基板投入、基板洗浄、マスクアラインメント、基板取出し及び複数の蒸着処理が行われるチェインバーが取付けられているリニア基板搬送チェインバーと、
前記基板搬送チェインバーの開口部にそれぞれ取付けられた複数のチェインバーと、
前記基板搬送チェインバーに取付けられ、複数の開口部に取付けられた前記チェインバーにおいて処理された基板又は基板アセンブリと、互いに一体化されたマスクを、前記基板搬送チェインバーの次の開口部へ搬送するための基板搬送手段を有し、
前記複数のチェインバーが、
前記基板搬送チェインバーの長手方向の一方の端に配置され、ポンプポート及びドアを具えた投入チェインバーと、
前記基板搬送チェインバーの長手方向の他方の端に配置され、ポンプポート及びドアを具えた取出しチェインバーと、
前記開口部に取付けられ、ポンプポート及びドアを具えた基板洗浄チェインバーと、前記開口部に取付けられポンプポート及びドアを具えたマスクアラインメントチェインバーと、前記開口部に取付けられ、それぞれポンプポート及び蒸着セルポートを具えた複数の蒸着チェインバーを含むプロセスチェインバーからなる、
有機エレクトロルミネセンス装置の大量生産用製造装置。 - 前記基板搬送チェインバー及び前記複数のチェインバーが、1つのチェインバーと前記基板搬送チェインバーとが互いに一体化されてなるユニット構造を連続して連結することにより構成されており、前記ユニット構造の1つの前記基板搬送チェインバーが、隣接したユニット構造の基板搬送チェインバーと開口通路部を介して連結され、前記ユニット構造の1つの前記チェインバーが、隣接したユニット構造のチェインバーと壁を介して連結されている、請求項1の装置。
- 前記基板搬送チェインバーが、全体として、直線、多角形、ドーナツ又は曲線の形状の細長い箱の形状である、請求項1の装置。
- 各前記蒸着チェインバーがさらに、前記蒸着チェインバーの蒸着セルポートに接続される接続ポート及びポンプポートを有する上部チェインバーと、該上部チェインバーと回転可能に連結され、複数の蒸着セルが配置されている下部チェインバーと、該下部チェインバーを回転させるための回転手段からなる回転式蒸着セル交換手段を有する、請求項1の装置。
- 前記プロセスチェインバーが、前記基板搬送チェインバーの開口部に取付けられた複数のチェインバーからなり、前記チェインバーが、基板投入、基板洗浄、マスク取付け、マスク洗浄、基板取出し等の工程を行うためのものであって、交互に真空環境及び大気環境にされるものであり、前記蒸着チェインバーに対して別々に、線状に又は並んで取付けられている、請求項1の装置。
- 前記基板搬送手段が、レールと、該レールに沿って移動する移動部と、該移動部にそれぞれ取付けられ、基板を保持する基板ホルダからなり、前記基板がコンベヤベルト型の移動手段に取付けられた状態で搬送される、請求項1の装置。
- 前記基板搬送手段が、上レール及び下レールの2段構造を有する一対のレールと、該レールに沿って移動し下部に基板及びマスクが取付けられる移動部からなり、上下レールの一方に沿って前記移動部が移動する間、蒸着処理が行われ、その後、前記移動部が他方の前記レールに沿って戻る、請求項1の装置。
- 前記基板の蒸着面のみを前記蒸着チェインバーに曝して、前記レールの摩擦によって粒子が発生するのを防ぐ凹凸状のバッフルが、さらに、前記基板搬送チェインバー及び前記蒸着チェインバーの間に設けられている、請求項7の装置。
- 前記移動部を上下に搬送するための垂直搬送パネルを有する垂直搬送チェインバーが、一連のユニット工程を行う前記プロセスチェインバーの間に、さらに設けられている、請求項7の装置。
- マスクが配置され、又は前記移動部から離されて取付けられたマスクが収納されるマスク交換チェインバーと、所定の蒸着処理が施されたマスクを洗浄するマスク洗浄チェインバーが、前記垂直搬送チェインバーのそれぞれ両側に設けられ、前記垂直搬送チェインバーと前記マスク交換チェインバーが交換レールを通じて互いに接続されている、請求項9の装置。
- 前記基板搬送チェインバーと各前記蒸着チェインバーの間の前記開口部を閉じるために、さらにカバーバルブが設けられている、請求項1の装置。
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EP2141733A1 (en) * | 2008-03-14 | 2010-01-06 | Intevac, Inc. | System and method for processing substrates with detachable mask |
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US6176668B1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-01-23 | Applied Komatsu Technology, Inc. | In-situ substrate transfer shuttle |
JP3782245B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2006-06-07 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置の製造装置及び製造方法 |
US6211538B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-04-03 | Korea Institute Of Industrial Tech. | Electroluminescent device including a blue light emitting thick-film electroluminescent layer and a red light emitting thin-film electroluminescent layer |
JP2000353593A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-19 | Fuji Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造装置および製造方法 |
TW504941B (en) * | 1999-07-23 | 2002-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film |
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