JP4005971B2 - 有機エレクトロルミネセンス発光装置の大量生産用製造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 168
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 48
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 46
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 46
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 15
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 15
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000004148 unit process Methods 0.000 claims description 3
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002390 rotary evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Description
上記のとおり、基板搬送チェインバー100は、基板の蒸着の際にプロセスチェインバー330から分離されているため、プロセスチェインバーからの蒸発ガスによる汚染を防ぎ、高い真空度を維持することができる。
2段構造の基板搬送手段200を図6に示す。図7は、図6の矢印aの方向から見た概略図である。図に示すように、基板搬送手段200は、ユニット構造150の上部分151内に、2段構造で構成されており、上レール211及び下レール212からなる一対のレール210とレール210に沿って移動する移動部220からなる。
薄膜処理される基板は、投入チェインバー310で基板ホルダ230に取付けられる。基板ホルダ230に取付けられた基板は次のプロセスチェインバー330に搬送され、基板洗浄及びマスクアラインメント処理が順番に行われる。その後、プロセスチェインバーの様々な蒸着処理によって、多層薄膜が、基板アセンブリと、互いに一体化されたマスクの上に形成される。さらに、次に薄膜処理される基板が、同時に投入チェインバー310で基板ホルダ230に取付けられる。
有機エレクトロルミネセンス装置は、基板洗浄、UVオゾン処理又はプラズマ処理、基板及び有機薄膜用マスクのアラインメント、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる薄膜の製造、基板及び電極用マスクのアラインメント、電極の薄膜加工、製造された装置を湿気や酸素から守るためのシール加工等を行うことで製造される。
すなわち、基板221及びマスク222が、基板搬送手段200の移動部220に取付けられた状態で、各チェインバー300に沿って移動するとともに、各蒸着処理が行われる。
従って、製造時間を短縮できるというさらなる利点がある。
Claims (11)
- 複数の開口部が形成され、ポンプポートが取付けられ、そこに、基板投入、基板洗浄、マスクアラインメント、基板取出し及び複数の蒸着処理が行われるチェインバーが取付けられているリニア基板搬送チェインバーと、
前記基板搬送チェインバーの開口部にそれぞれ取付けられた複数のチェインバーと、
前記基板搬送チェインバーに取付けられ、複数の開口部に取付けられた前記チェインバーにおいて処理された基板又は基板アセンブリと、互いに一体化されたマスクを、前記基板搬送チェインバーの次の開口部へ搬送するための基板搬送手段を有し、
前記複数のチェインバーが、
前記基板搬送チェインバーの長手方向の一方の端に配置され、ポンプポート及びドアを具えた投入チェインバーと、
前記基板搬送チェインバーの長手方向の他方の端に配置され、ポンプポート及びドアを具えた取出しチェインバーと、
前記開口部に取付けられ、ポンプポート及びドアを具えた基板洗浄チェインバーと、前記開口部に取付けられポンプポート及びドアを具えたマスクアラインメントチェインバーと、前記開口部に取付けられ、それぞれポンプポート及び蒸着セルポートを具えた複数の蒸着チェインバーを含むプロセスチェインバーからなる、
有機エレクトロルミネセンス装置の大量生産用製造装置。 - 前記基板搬送チェインバー及び前記複数のチェインバーが、1つのチェインバーと前記基板搬送チェインバーとが互いに一体化されてなるユニット構造を連続して連結することにより構成されており、前記ユニット構造の1つの前記基板搬送チェインバーが、隣接したユニット構造の基板搬送チェインバーと開口通路部を介して連結され、前記ユニット構造の1つの前記チェインバーが、隣接したユニット構造のチェインバーと壁を介して連結されている、請求項1の装置。
- 前記基板搬送チェインバーが、全体として、直線、多角形、ドーナツ又は曲線の形状の細長い箱の形状である、請求項1の装置。
- 各前記蒸着チェインバーがさらに、前記蒸着チェインバーの蒸着セルポートに接続される接続ポート及びポンプポートを有する上部チェインバーと、該上部チェインバーと回転可能に連結され、複数の蒸着セルが配置されている下部チェインバーと、該下部チェインバーを回転させるための回転手段からなる回転式蒸着セル交換手段を有する、請求項1の装置。
- 前記プロセスチェインバーが、前記基板搬送チェインバーの開口部に取付けられた複数のチェインバーからなり、前記チェインバーが、基板投入、基板洗浄、マスク取付け、マスク洗浄、基板取出し等の工程を行うためのものであって、交互に真空環境及び大気環境にされるものであり、前記蒸着チェインバーに対して別々に、線状に又は並んで取付けられている、請求項1の装置。
- 前記基板搬送手段が、レールと、該レールに沿って移動する移動部と、該移動部にそれぞれ取付けられ、基板を保持する基板ホルダからなり、前記基板がコンベヤベルト型の移動手段に取付けられた状態で搬送される、請求項1の装置。
- 前記基板搬送手段が、上レール及び下レールの2段構造を有する一対のレールと、該レールに沿って移動し下部に基板及びマスクが取付けられる移動部からなり、上下レールの一方に沿って前記移動部が移動する間、蒸着処理が行われ、その後、前記移動部が他方の前記レールに沿って戻る、請求項1の装置。
- 前記基板の蒸着面のみを前記蒸着チェインバーに曝して、前記レールの摩擦によって粒子が発生するのを防ぐ凹凸状のバッフルが、さらに、前記基板搬送チェインバー及び前記蒸着チェインバーの間に設けられている、請求項7の装置。
- 前記移動部を上下に搬送するための垂直搬送パネルを有する垂直搬送チェインバーが、一連のユニット工程を行う前記プロセスチェインバーの間に、さらに設けられている、請求項7の装置。
- マスクが配置され、又は前記移動部から離されて取付けられたマスクが収納されるマスク交換チェインバーと、所定の蒸着処理が施されたマスクを洗浄するマスク洗浄チェインバーが、前記垂直搬送チェインバーのそれぞれ両側に設けられ、前記垂直搬送チェインバーと前記マスク交換チェインバーが交換レールを通じて互いに接続されている、請求項9の装置。
- 前記基板搬送チェインバーと各前記蒸着チェインバーの間の前記開口部を閉じるために、さらにカバーバルブが設けられている、請求項1の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0071452A KR100430336B1 (ko) | 2001-11-16 | 2001-11-16 | 양산용 유기 전계 발광소자의 제작장치 |
PCT/KR2002/002135 WO2003043067A1 (en) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | Apparatus for manufacturing organic electro-luminescent light emitting devices for mass production |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005510015A JP2005510015A (ja) | 2005-04-14 |
JP2005510015A5 JP2005510015A5 (ja) | 2005-12-22 |
JP4005971B2 true JP4005971B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=19716044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003544802A Expired - Fee Related JP4005971B2 (ja) | 2001-11-16 | 2002-11-15 | 有機エレクトロルミネセンス発光装置の大量生産用製造装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4005971B2 (ja) |
KR (1) | KR100430336B1 (ja) |
CN (1) | CN100358109C (ja) |
WO (1) | WO2003043067A1 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100718555B1 (ko) * | 2004-10-11 | 2007-05-15 | 두산디앤디 주식회사 | 잉크젯 프린팅과 저분자 유기증착 방법을 겸용하는 대면적 유기 박막 증착장치 |
US7918940B2 (en) * | 2005-02-07 | 2011-04-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for processing substrate |
EP1715078A1 (de) * | 2005-04-20 | 2006-10-25 | Applied Films GmbH & Co. KG | Kontinuierliche OLED-Beschichtungsanlage |
DE502005003731D1 (de) | 2005-04-20 | 2008-05-29 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Magnetische Maskenhalterung |
US7531470B2 (en) * | 2005-09-27 | 2009-05-12 | Advantech Global, Ltd | Method and apparatus for electronic device manufacture using shadow masks |
EP1998389B1 (en) | 2007-05-31 | 2018-01-31 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate |
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US8795466B2 (en) | 2008-06-14 | 2014-08-05 | Intevac, Inc. | System and method for processing substrates with detachable mask |
EP2230703A3 (en) * | 2009-03-18 | 2012-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus and manufacturing method of lighting device |
US20100279021A1 (en) * | 2009-05-04 | 2010-11-04 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing organic material and depositing method thereof |
JP5328726B2 (ja) | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
JP5677785B2 (ja) | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
KR101025517B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2011-04-04 | 주식회사 야스 | 기판 이송 스피드 버퍼 챔버를 적용한 선형 증착시스템 |
KR101084184B1 (ko) | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101174875B1 (ko) | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101193186B1 (ko) | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101156441B1 (ko) | 2010-03-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101202348B1 (ko) | 2010-04-06 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
KR101223723B1 (ko) | 2010-07-07 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101678056B1 (ko) | 2010-09-16 | 2016-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101723506B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101738531B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20120045865A (ko) | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR20120065789A (ko) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR101760897B1 (ko) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 |
KR101923174B1 (ko) | 2011-05-11 | 2018-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101852517B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101840654B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101857249B1 (ko) | 2011-05-27 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR20130004830A (ko) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101826068B1 (ko) | 2011-07-04 | 2018-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR20130069037A (ko) | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
CN103545460B (zh) | 2012-07-10 | 2017-04-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置、有机发光显示设备及其制造方法 |
KR101959974B1 (ko) | 2012-07-10 | 2019-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR102013318B1 (ko) | 2012-09-20 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101508259B1 (ko) * | 2013-06-14 | 2015-04-08 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 기판 증착 장치 및 이의 제어방법 |
KR102108361B1 (ko) | 2013-06-24 | 2020-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR102162797B1 (ko) | 2013-12-23 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
CN115447262B (zh) * | 2022-10-17 | 2023-10-27 | 杭州临安柏盛印刷技术有限公司 | 一种丝网印刷装置以及丝网印刷方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR100408161B1 (ko) * | 2001-03-09 | 2003-12-01 | 정광호 | 양산용 다층 박막 제작장치 |
-
2001
- 2001-11-16 KR KR10-2001-0071452A patent/KR100430336B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-11-15 WO PCT/KR2002/002135 patent/WO2003043067A1/en active Application Filing
- 2002-11-15 CN CNB028227441A patent/CN100358109C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2002-11-15 JP JP2003544802A patent/JP4005971B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2003043067A1 (en) | 2003-05-22 |
CN1589492A (zh) | 2005-03-02 |
CN100358109C (zh) | 2007-12-26 |
JP2005510015A (ja) | 2005-04-14 |
KR20030040864A (ko) | 2003-05-23 |
KR100430336B1 (ko) | 2004-05-03 |
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