JP3998621B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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やシリケート膜の形成を防止する技術として、MOSFETのチャネル部をゲルマニウム膜で作成し、ゲルマニウムの酸化されにくい性質を利用する方法も知られている。(例えば、非特許文献3参照)
Hyung-Seok Jung, et al., "Improved Current Performance of CMOSFETs with Nitrogen Incorporated HfO2-Al2O3 Laminated Gate Dielectric" IEEE International Electron Devices Meeting, pp853-856 (2002) Y. Morisaki, et al., "Ultra-thin(Teffinv=1.7nm)Poly-Si-gated SiN/HfO2/SiON High-k Stack Dielectrics with High Thermal Stability(1050oC)" IEEE International Electron Devices Meeting, pp861-864(2002) W.P.Bai, et al., "Ge MOS Chracteristics with CVD HfO2 Gate Dielectrics and TaN Gate Electrode" Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers pp121-122(2003)
また、本発明の第9の発明は、前記界面酸化防止膜がゲルマニウムであることを特徴とする半導体装置である。
また、本発明の第11の発明は、前記第2の電極が4A族元素の窒化物であることを特徴とする半導体装置である。
前記ゲート部の側面に希土類金属の酸化物及び4A族金属の酸化物から選ばれる第7の絶縁膜を形成する工程と、
その後、酸化性ガスを用いて第2の熱処理をする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
前記第3の絶縁膜上に希土類金属の酸化物及び4A族金属の酸化物から選ばれる第4の絶縁膜を形成する工程と、
その後、酸化性ガスを用いて第1の熱処理をする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
また、本発明の第17の発明は、前記第7の絶縁膜を形成する工程の前に、前記ゲート部側面にシリコン酸化膜、酸化アルミニウム及びシリコン窒化膜から選ばれる第6の絶縁膜を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
(実施の形態1)
まず、シリコン基板の面方位と酸化レートとの関係について、図1及び図2に従い説明する。図1は、半導体装置の良質な絶縁膜の断面構造を示す。同図(a)に示すようにシリコン基板1上にイオン結合性の絶縁膜として酸化ハフニウム5bを形成し、次に同図(b)に示すように酸素雰囲気中で熱処理を行い、シリコン基板1と酸化ハフニウム5bの界面に酸化膜5cを形成する。一般に、面方位の異なるシリコン基板を酸化すると、(100)面上に比べて(110)面上の方がシリコン原子の面密度が高いために酸化レートは速くなる。
次に、図3(b)に示すように、酸化雰囲気中で熱処理を行うと、酸化ハフニウム中に導
入された酸素は、原子上で格子位置を置換しながら拡散し、酸化アルミニウム5aとシリコン基板1界面に到達する。
ここでは、絶縁膜として酸化アルミニウムを例に取っているが、共有結合性絶縁膜として、シリコン窒化膜でも同様の効果が得られる。
次に図示しないが、レジストマスクでパターニングした後、上記の多結晶シリコン膜4a、ゲート絶縁膜3を反応性イオンエッチング法によりエッチングして、ゲート部を形成する。次に、約5nmの膜厚の酸化ハフニウム薄膜6aをCVDなどで形成し、酸化雰囲気中で熱処理を行う。こうすることで、酸化ハフニウム薄膜を介して原子状酸素が供給され、多結晶シリコン膜4aおよび側面に、約3nmの後酸化膜6を形成し、同図(d)に示す構造とする。このとき、ゲート側面に形成した酸化ハフニウム薄膜は選択的にエッチングして除去してもかまわない。
工程により、トンネル酸化膜の膜質が劣化し、信頼性が悪化することが観測されるが、本実施例では650℃の低温で後酸化を行っているため、膜質劣化を起こすことなく、結果として酸化膜の高信頼化も可能である。
(実施の形態4)
本発明の第4の実施形態に係る半導体メモリ装置の構造断面図を図9に示す。
本実施例においては、p型シリコン基板1上に、素子分離のためのシリコン熱酸化膜2が形成されている。シリコン基板表面には、リンのイオン注入によってn型のソースおよびドレイン拡散層7が形成されている。シリコン基板表面には、トンネル酸化膜としてシリコン、酸素、窒素を主成分とするトンネル酸化膜(オキシナイトライド膜)3が形成されている。トンネル酸化膜3上には、浮遊ゲート電極となる多結晶シリコン膜4aが形成されている。
となるAl電極9がスパッタにより形成されパターニングされている。
ク電流を実現できる。また、イオン結合性の絶縁膜と制御ゲート電極界面で発生するシリサイド化反応も抑制でき、信頼性の高い絶縁膜を実現することができる。
(実施の形態5)
本発明の第5の実施形態にかかる断面構造を図11に示す。第5の実施形態は、半導体メモリ装置の浮遊ゲート電極と酸化アルミニウム膜との間に酸化防止薄膜(例えばゲルマニウムが形成されている場合の実施形態である。この場合、浮遊ゲート電極端部の局所的な酸化が抑制される。
(実施の形態6)
本発明の第6の実施形態にかかる断面構造を図13に示す。第6の実施形態は、半導体メモリ装置、特に不揮発性半導体メモリ装置のインターポリ絶縁膜上に、制御ゲート電極となる金属膜もしくは4A族元素の窒化膜が形成されている場合である。
る。本実施例においては、p型シリコン基板1上に、素子分離のためのシリコン熱酸化膜2が形成されている。シリコン基板表面には、リンのイオン注入によってn型のソースおよびドレイン拡散層7が形成されている。シリコン基板表面には、トンネル酸化膜としてシリコン、酸素、窒素を主成分とするトンネル酸化膜(オキシナイトライド膜)3が形成されている。トンネル酸化膜3上には、浮遊ゲート電極となる多結晶シリコン膜4aが形成されている。
ッタ法を用いて厚さ200nmの窒化ハフニウム膜4dを堆積する。
(実施の形態7)
本発明の第7の実施形態に係る断面構造を図15に示す。第7の実施形態は、本発明の半導体装置、特に不揮発性半導体メモリ装置の制御ゲート電極にモリブデンを用いた場合を示す。
反応性イオンエッチング法によりエッチングして、ゲート部を形成する。さらに、同図(d)に示すように、加工ダメージの回復等を目的として酸化雰囲気中で熱処理を行い、約3nmの後酸化膜6を形成する。
(実施の形態8)
本発明の第8の実施形態を示す断面構造を図16に示す。第8の実施形態は、本発明の第1の実施形態を半導体メモリ装置、特に不揮発性半導体メモリ装置に応用した実施形態である。
2 素子分離絶縁膜
3 ゲート絶縁膜
4a、4b 多結晶シリコン膜
4c ゲルマニウム薄膜
4d 4A族元素の窒化膜もしくはモリブデン膜
5a 酸化アルミニウム膜
5b、6a 酸化ハフニウム膜
5c 絶縁膜
6 シリコン酸化膜
7 ソース/ドレイン拡散層
8 CVD酸化膜
9 アルミニウム配線
Claims (17)
- 第1導電型の半導体基板表面に、一対の第2導電型の不純物拡散領域を有し、さらに、半導体基板表面に形成された第1の絶縁膜を挟んで第1の電極及びこの第1の電極上に形成された第2の絶縁膜を挟んで第2の電極よりなるゲート部を有する半導体装置において、
前記ゲート部の側面は第5の絶縁膜で覆われ、前記第5の絶縁膜は、シリコン酸化膜、酸化アルミニウム及びシリコン窒化膜から選ばれる第6の絶縁膜と、希土類金属の酸化物及び4A族金属の酸化物から選ばれる第7の絶縁膜との積層構造で形成され、前記第6の絶縁膜は前記ゲート部の側面側に位置していることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2の絶縁膜は酸化アルミニウム及びシリコン窒化膜から選ばれる第3の絶縁膜と、希土類金属の酸化物及び4A族金属の酸化物から選ばれる第4の絶縁膜との積層構造で形成され、前記第3の絶縁膜は前記第1の電極側に位置していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第3の絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第4の絶縁膜は、希土類金属の酸化物であることを特徴とする請求項2乃至3の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記第4の絶縁膜は、酸化ハフニウムであることを特徴とする請求項2乃至4の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記第6の絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記第7の絶縁膜は、酸化ハフニウムであることを特徴とする請求項1乃至6の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の電極と第2の絶縁膜の間に、界面酸化防止膜を有することを特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記界面酸化防止膜は、ゲルマニウムであることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。
- 前記第2の電極は金属膜であることを特徴とする請求項1乃至9の何れか一項に記載の半導体装置。
- 前記第2の電極は、4A族元素の窒化物であることを特徴とする請求項1乃至9の何れか一項に記載の半導体装置。
- 第1導電型の半導体基板表面に、一対の第2導電型の不純物拡散領域を有し、さらに、半導体基板表面に形成された第1の絶縁膜を挟んで第1の電極及び第1の電極上に形成された第2の絶縁膜を挟んで第2の電極よりなるゲート部を有する半導体装置の製造方法において、
前記ゲート部の側面に希土類金属の酸化物及び4A族金属の酸化物から選ばれる第7の絶縁膜を形成する工程と、
その後、酸化性ガスを用いて第2の熱処理をする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の電極上に酸化アルミニウム及びシリコン窒化膜から選ばれる第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜上に希土類金属の酸化物及び4A族金属の酸化物から選ばれる第4の絶縁膜を形成する工程と、
その後、酸化性ガスを用いて第1の熱処理をする工程とを具備することを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。 - 前記酸化性ガスを用いて第1の熱処理をする工程の後、前記第4の絶縁膜を除去する工程をさらに具備することを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の電極と前記第3の絶縁膜の間に界面酸化防止膜を形成する工程をさらに具備することを特徴とする請求項13乃至14の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の絶縁膜上に前記第2の電極として金属膜もしくは4A族元素の窒化物を形成する工程とを具備することを特徴とする請求項12乃至15の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第7の絶縁膜を形成する工程の前に、前記ゲート部側面にシリコン酸化膜、酸化アルミニウム及びシリコン窒化膜から選ばれる第6の絶縁膜を形成する工程とを具備することを特徴とする請求項12乃至16の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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