JP3996668B2 - 半導体装置用ソケット - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置用ソケットに係り、特に高速メモリ及び高速メモリモジュールとして用いて好適な半導体装置用ソケットに関する。
近年、メモリとして用いられる半導体装置（例えば、ＤＲＡＭ等）においては高速化，大容量化が進められている。このＤＲＡＭ等の半導体装置は、パーソナルコンピュータ，ワークステーション等のＯＡ機器の記憶装置として用いられている。
【０００２】
また、ＯＡ機器のメモリ容量は増大する傾向にあり、よってユーザがＯＡ機器の使用目的に応じてメモリ容量の増大を可能な構成とする必要がある。
【０００３】
【従来の技術】
一般に、パーソナルコンピュータ，ワークステーション等のＯＡ機器においてメモリ容量の増設を行なう場合には、半導体装置モジュールをＯＡ機器本体に装着することにより行なっている。
この半導体装置モジュールは、ＤＲＡＭモジュールまたはＳＩＭＭ（Single InLine Memory Module)と呼ばれるものであり、回路基板上に複数の半導体装置（ＤＲＡＭ）が搭載されると共に、回路基板の一側縁に外部接続端子が形成された構成とされている。そして、ＯＡ機器内に配設されたソケットに半導体装置モジュールを装着脱することにより、所望のメモリ容量を実現する構成とされている。また、現在市販されている半導体装置モジュールのメモリ容量は、１６ＭＢ，３２ＭＢが主流となっている。
【０００４】
ところで、近年の半導体製造技術の向上に伴い、半導体チップ高密度化，高速化が進み、１個の半導体チップで３２ＭＢのメモリ容量を持たせることも可能となってきている。従って、このような大容量を有した半導体チップを搭載した半導体装置は、一つの半導体装置で従来の半導体装置モジュールと等価の機能を奏することとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、従来の半導体装置の実装構造に注目すると、半導体装置を実装基板に実装するには半田付けが用いられており、半導体装置と実装基板の電気的接続及び機械的接続を一括的に行なう方法が一般的であった。
また例外的には、ＣＰＵ等の半導体装置では、実装基板にソケットを配設し、このソケットに半導体装置を装着することにより実装を行なうことが行なわれている。これは、ＣＰＵ等の半導体装置は、ＯＡ機器内に少数（１個或いは２個）しか搭載されないため、ソケットを用いた実装構造としてもＯＡ機器の小型化が阻害されないためである。
【０００６】
これに対し、ＤＲＡＭ等のメモリとして機能する半導体装置はＯＡ機器内に多数個配設されるものであるため、個々の半導体装置を夫々ソケットを用いて実装基板に実装する実装構造では実装基板が大型化してしまう。このため、ＤＲＡＭ等の半導体装置は、上記のように半田付けにより実装基板に実装されていた。 また、上記のようにＯＡ機器のメモリ容量変更の要望に対応するためには、上記した半導体装置モジュールを用い、回路基板に複数個の半導体装置（ＤＲＡＭ）が半田付けされた半導体装置モジュールをＯＡ機器内のソケットに装着脱することにより、複数個の半導体装置を一括的にＯＡ機器に実装する構成が取られていた。
【０００７】
しかるに、上記したように半導体装置自体のメモリ容量が増大し、従来の半導体装置モジュールと等価に使用することが可能となると、ＯＡ機器のメモリ容量変更の要望に対応させるには、半導体装置をＯＡ機器に装着脱可能な構成とする必要が生じる。
ところが従来では、半導体装置（ＤＲＡＭ）は回路基板或いは実装基板に半田付けにより固定される実装構造であったため、回路基板或いは実装基板に対し半導体装置を装着脱することができず、よってユーザの要求に応じてメモリ容量の変更を行なうことができないという問題点があった。
【０００８】
また、更なるメモリ容量の高容量化を図るためには、高容量化が図られた半導体チップを搭載した半導体装置を複数個まとめ、モジュール化することも考えられる。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、小型化を図りつつメモリ容量の変更を容易に行ないうる半導体装置用ソケットを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、次に述べる各手段を講じることにより解決することができる。
請求項１記載の発明は、
外部接続端子を有しメモリとして機能する半導体装置が複数個立設状態で装着される構成とされており、前記半導体装置に設けられた前記外部接続端子の形成位置に対応して並設される複数のソケット部材により構成される半導体装置用ソケットであって、
前記ソケット部材が、
前記半導体装置を装着脱自在に保持すると共に、装着状態において複数の前記半導体装置の各々に設けられた前記外部接続端子と電気的に接続する複数の接続部と、
前記複数の接続部を幅細部で接続すると共に電気的に接続する連結部と、
実装基板に接続される実装端子部と、
を有する構成としたことを特徴とするものである。
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部は、協働して略Ｃ字形状をなす第１及び第２のコンタクトにより構成されることを特徴とするものである。
また、請求項３記載の発明は、
請求項２記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記第１及び第２のコンタクトの前記外部接続端子と接触する接点部を、前記第１のコンタクトの接点部と第２のコンタクトの接点部とで、前記半導体装置の装着方向にずらして配置したことを特徴とするものである。
また、請求項４記載の発明は、
請求項２又は３記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記第１及び第２のコンタクトの間位置に、前記半導体装置が嵌挿される係止凹部を形成したことを特徴とするものである。
また、請求項５記載の発明は、
請求項２又は４記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記第１及び第２のコンタクトの前記外部接続端子と接触する接点部が、前記各コンタクトにおいて複数個形成されていることを特徴とするものである。
また、請求項６記載の発明は、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部を、前記半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて選択的に配設したことを特徴とするものである。
また、請求項７記載の発明は、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記連結部を、前記半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて切断した構成としたことを特徴とするものである。
また、請求項８記載の発明は、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記実装端子部は表面実装に対応した構成とされていることを特徴とするものである。
また、請求項９記載の発明は、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記実装端子部は挿入実装に対応した構成とされていることを特徴とするものである。
また、請求項１０記載の発明は、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部の中心位置と前記実装端子部の中心位置とをずらして配置したことを特徴とするものである。
また、請求項１１記載の発明は、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記ソケット部材を前記半導体装置に設けられた前記外部接続端子の形成位置に位置決めし並設させる位置決め機構を設けたことを特徴とするものである。
また、請求項１２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記位置決め機構は、
前記ソケット部材に形成された位置決め突起と、
前記位置決め突起と係合する位置決め孔を有するフレーム部材と
により構成されることを特徴とするものである。
また、請求項１３記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記位置決め機構は、
前記ソケット部材の一部を封止する位置決め樹脂により構成されることを特徴とするものである。
また、請求項１４記載の発明は、
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部が、前記半導体装置を斜めに傾けて装着する構成としたことを特徴とするものである。
また、請求項１５記載の発明は、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記連結部に、該連結部より幅の狭い幅細部が形成された構成としたことを特徴とするものである。
【００３２】
上記した手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、半導体装置用ソケットは、複数個の半導体装置を立設状態で装着する構成とされているため、半導体装置の実装密度を向上させることができる。また、半導体装置用ソケットを構成するソケット部材は、半導体装置に設けられた外部接続端子の形成位置に対応して並設された構成とされている。このため、メモリとして機能する複数の半導体装置において、同種の外部接続端子を接続する配線としてソケット部材を用いることができる。
【００３３】
また、ソケット部材を構成する複数の接続部は、半導体装置を装着脱自在に保持する構成であるため、半導体装置用ソケットに対し高メモリ容量を有した半導体装置を装着脱可能となる。このため、半導体装置用ソケットを実装端子部を介して実装基板（例えば、ＯＡ機器の実装基板）に配設した場合には、半導体装置用ソケットに半導体装置を装着脱することにより、ＯＡ機器のメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
【００３４】
また、外部接続端子と接続する各接続部は、連結部により電気的に接続された構成とされているため、上記のように複数の半導体装置の夫々に配設されている同種の外部接続端子をソケット部材により電気的に接続することができる。
また、請求項２記載の発明によれば、協働して略Ｃ字形状をなす第１及び第２のコンタクトにより接続部が構成されているため、半導体装置を第１及び第２のコンタクトで挟持することにより、半導体装置との電気的接続及び半導体装置の保持を行なうことができる。よって、極めて簡単な構成で半導体装置との接続及び保持を行なうことができると共に、第１及び第２のコンタクトの電気的抵抗の低減を図ることができる。また、１回のプレス加工で形成することが可能であるため、半導体装置用ソケットを容易に製造することができる。
【００３５】
また、請求項３記載の発明によれば、
第１のコンタクトの接点部と第２のコンタクトの接点部を半導体装置の装着方向に対しずらして配置したことにより、装着時における半導体装置を保持する力（挟持力）を大きく維持しつつ、各接点部の実質的な離間距離を大きくすることができる。これにより、第１及び第２のコンタクトの形成を容易に行なうことが可能となる。
【００３６】
また、請求項４記載の発明によれば、
第１及び第２のコンタクトの間位置に半導体装置が嵌挿される係止凹部を形成したことにより、装着状態において半導体装置は第１及び第２のコンタクトによる保持と共に係止凹部との係合力によっても保持されるため、半導体装置の保持をより確実に行なうことができる。
【００３７】
また、請求項５記載の発明によれば、
第１及び第２のコンタクトの外部接続端子と接触する接点部を各コンタクトにおいて複数個形成したことにより、装着状態において半導体装置は複数の位置で保持及び電気的接続が行なわれることとなる。よって、装着時における半導体装置の保持を確実に行なうことができると共に、半導体装置と半導体装置用ソケットの電気的接続性を向上させることができる。
【００３８】
また、請求項６記載の発明によれば、
半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じ、接続部を選択的に配設したことにより、メモリとして機能する複数の半導体装置において共通化できる外部接続端子については、接続部を配設することにより各半導体装置間で外部接続端子を電気的に接続することができる。
【００３９】
また、複数の半導体装置の内、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信する必要がある場合には、特定の半導体装置の外部接続端子に対応する位置にのみ接続部を配設し、他の半導体装置に対応する位置には接続部を配設しない構成とする。これにより、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することが可能となる。
【００４０】
また、請求項７記載の発明によれば、
連結部を半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて切断した構成としたことにより、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することが可能となる。
例えば、複数の半導体装置の内、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信する必要がある場合には、特定の半導体装置の外部接続端子に対応する位置にまで引き出した位置で接続部を切断する。これにより、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することができる。
【００４１】
また、請求項８または請求項９記載の発明によれば、
実装端子部を実装形態に応じて適宜選択することができる。
また、請求項１０記載の発明によれば、
接続部の中心位置と実装端子部の中心位置とをずらして配置したことにより、ソケット部材を並設した状態において実装端子部の配設ピッチを狭ピッチ化することができ、高密度化された外部接続端子を有した半導体装置に対応することができる。
【００４２】
また、請求項１１記載の発明によれば、
ソケット部材を半導体装置に設けられた外部接続端子の形成位置に位置決めし並設させる位置決め機構を設けたことにより、ソケット部材の配設位置を高精度に決めることができ、よって装着される半導体装置との接続性を向上させることができる。
【００４３】
また、請求項１２記載の発明によれば、
請求項１１記載の位置決め機構を、ソケット部材に形成された位置決め突起と、この位置決め突起と係合する位置決め孔を有するフレーム部材とにより構成したことにより、単に位置決め突起と位置決め孔を位置決めし、フレーム部材をソケット部材に装着するのみで、ソケット部材の位置決めを行なうことができる。よって、半導体装置とソケット部材との接続性を向上させることができる。
【００４４】
また、請求項１３記載の発明によれば、
請求項１１記載の位置決め機構を、ソケット部材の一部を封止する位置決め樹脂により構成したことにより、ソケット部材は位置決め樹脂により所定位置に固定されるため、半導体装置とソケット部材との接続性を向上させることができる。
【００４５】
また、請求項１４記載の発明によれば、
接続部が半導体装置を斜めに傾けて装着する構成としたことにより、装着状態における半導体装置の高さを低くすることができるため、低背化が要求されている機器に適用することが可能となる。
【００４６】
また、ソケット部材を構成するハウジングは、半導体装置を装着脱自在に保持する構成であるため、半導体装置用ソケットに対し高メモリ容量を有した半導体装置を装着脱可能となる。このため、半導体装置用ソケットを実装端子部を介して実装基板（例えば、ＯＡ機器の実装基板）に配設した場合には、半導体装置用ソケットに半導体装置を装着脱することにより、ＯＡ機器のメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の第１参考例である半導体モジュール１０Ａを示している。この半導体モジュール１０Ａは、大略すると半導体装置１２Ａと半導体装置用ソケット１４（以下、単にソケットという）とにより構成されている。
【００５２】
ソケット１４は複数のソケット部材１８Ａにより構成されており、この複数のソケット部材１８Ａに複数の半導体装置１２Ａが装着されることにより半導体モジュール１０Ａが構成されている。この半導体モジュール１０Ａは、ＯＡ機器等に搭載された実装基板（図示せず）に配設されるものである。以下、半導体モジュール１０Ａを構成する半導体装置１２Ａ及びソケット１４の詳細について説明する。
【００５３】
図３，図４，及び図５（Ａ）は、本発明の第１参考例である半導体装置１２Ａを示している。この半導体装置１２Ａは、大略すると回路基板２０，半導体チップ２２，封止樹脂２４，外部接続端子２６Ａ，及び放熱部材３６等により構成されている。尚、図３は回路基板２０のチップ搭載面３２を示しており、また図４はチップ搭載面３２の反対の背面を示している。
【００５４】
回路基板２０は、樹脂基板，セラミック基板，ガラス−エポキシ基板，フレキシブル基板，金属基板等、種々のものが適用可能であり、本参考例ではガラス−エポキシ基板を採用している。また、この回路基板２０は、単層基板及び多層基板の双方を用いることが可能である。本参考例では、多層配線基板を用いており、よって配線２８の引回しの自由度を向上させている。
【００５５】
また、配線２８は回路基板２０にパターン形成されており、本参考例では回路基板２０のチップ搭載面３２及び背面３４の双方に形成された構成とされている。この配線２８の内側端部は、半導体チップ２２と電気的に接続され、また配線２８の外側端部は外部接続端子２６Ａに接続されている。従って、半導体チップ２２と外部接続端子２６Ａとは、配線２８を介して電気的に接続された構成となる。
【００５６】
半導体チップ２２は、回路基板２０のチップ搭載面３２の略中央位置に搭載される。この半導体チップ２２のチップ搭載面３２への固定は、例えば接着剤を用いて行なわれる。また、半導体チップ２２と配線２８は、ワイヤ３０により接続されている。ワイヤ３０の配設は、周知のワイヤボンディング装置を用いて行なわれるため、既存の設備を用いて行なうことができる。
【００５７】
尚、半導体チップ２２と配線２８の電気的接続（ボンディング）は、ワイヤボンディングに限定されるものではなく、フリップチップボンディング，ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)等を用いることも可能である。
ところで、本発明が対象とする半導体チップ２２は、メモリとして機能するものであり、かつそのメモリ容量は例えば１チップで３２ＭＢ以上を実現できる高容量のメモリチップである。このように、半導体チップ２２は高メモリ容量を有しているため、1 個の半導体チップ２２で従来の半導体装置モジュールと等価のメモリ容量を実現することができる。
【００５８】
上記構成とされた半導体チップ２２は、回路基板２０に搭載された後に封止樹脂２４により封止される。この封止樹脂２４により、半導体チップ２２及びワイヤ３０は保護される。
外部接続端子２６Ａは、回路基板２２の一側縁（図中、下縁部）に所定の間隔ピッチで一例に配設されている。この外部接続端子２６Ａは、被実装体となるソケット１４に対し装着脱可能（即ち、抜き差し可能）な構成とされている。
【００５９】
このように、ソケット１４に対し半導体装置１２Ａを装着脱可能な構成とすると、ソケット１４と外部接続端子２６Ａとの間で摩擦が発生するおそれがある。このため、本参考例では摩擦強度を向上させるために、外部接続端子２６Ａの表面にパラジウム，ニッケル等の補強膜をメッキし、更にその上部には電気的接続性を向上させるために金メッキを施した構成としている。
【００６０】
放熱部材３６は例えばアルミ等の導電性の良好な金属板であり、その大きさは前記した半導体チップ２２の大きさと同一、或いはそれより大きい面積を有するよう構成されている。これは、放熱部材３６の面積が大きい程放熱特性が上昇するためである。この放熱部材３６は、例えば高熱伝導率を有した接着剤を用いて回路基板２０の背面３４に固定される。
【００６１】
また、回路基板２０の両側位置には、位置決め溝３８が形成されている。この位置決め溝３８は、回路基板２０の切り出し工程において一括的に形成されるものであり、半導体装置１２Ａをソケット１４に装着する際、ソケット１４と半導体装置１２Ａとの位置決めを行なうのに用いるものである。
このように、回路基板２０に位置決め機構として機能する位置決め溝３８を形成しておくことにより、外部接続端子２６Ａが高密度に多数配設された半導体装置１２Ａであっても、ソケット１４と半導体装置１２Ａとの位置決め処理を容易かつ正確に行なうことができる。よって、ソケット１４と半導体装置１２Ａとの接続性を向上させることができる。
【００６２】
上記したように、半導体装置１２Ａに設けられた外部接続端子２６Ａは、被実装体となるソケット１４に対し装着脱可能な構成とされている。このため、本参考例の構成によれば、高メモリ容量の半導体チップ２２を搭載した（換言すれば従来の半導体装置モジュールと等価の機能を奏する）半導体装置１２Ａをソケット１４に対し自在に装着脱（抜き差し）することが可能となる。
【００６３】
よって、例えばソケット１４をパーソナルコンピュータのようなＯＡ機器に配設した場合には、ソケット１４に対し半導体装置１２Ａを装着脱することによりメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
図５（Ｂ）は、本発明の第２参考例である半導体装置１２Ｂを示している。同図に示す半導体装置１２Ｂは、図５（Ａ）に示す第１参考例に係る半導体装置１２Ａに対し、放熱部材３６を取り除いた構成とされている。このように、半導体チップ２２の発熱量が小さい場合には、必ずしも放熱部材３６を設ける必要はない。
【００６４】
図５（Ｃ）は、本発明の第３参考例である半導体装置１２Ｃを示している。同図に示す半導体装置１２Ｃは、放熱部材３４Ａの上端部を回路基板２０の上側縁２０ａから図中上方に向け延出させることにより、延出部４０を形成したことを特徴とするものである。
このように、放熱部材３４Ａの一部に回路基板２０から外側に延出する延出部４０を形成することにより、この延出部４０を半導体装置１２Ｃの実装時における位置決めとして用いることが可能となり、よってソケット１４と半導体装置１２Ｃとの位置決め精度を向上させることができる。また、この延出部４０に他の放熱機構を接続し、放熱特性を向上させることも可能となる（図３１参照）。
【００６５】
尚、延出部４０の形成位置は回路基板２０の上側縁２０ａに限定されるものではなく、回路基板２０の外部接続端子２６Ａが形成された側縁を除く他の三側縁であれば、何れの側縁にも形成することは可能である。
図６は、本発明の第４参考例である半導体装置１２Ｄを示している。尚、図６は、半導体装置１２Ｄの底面図であり、外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの形成状態を示している。
【００６６】
同図に示すように、回路基板２０のチップ搭載面３２に形成された外部接続端子２６Ｂ、及び背面３４に形成された外部接続端子２６Ｃは、それぞれ所定の等間隔ピッチＰ１で配設されている。
しかるに、チップ搭載面３２における外部接続端子２６Ｂの形成位置と、背面３４における外部接続端子２６Ｃの形成位置は、１／２ピッチ分ずらして配設されている。これにより、半導体装置１２Ｄ全体としての外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの配設ピッチを縮小することができる。
【００６７】
即ち、各面３２，３４における外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの配設ピッチが全体としてＰ１であるのに対し、半導体装置１２Ｄ全体としての外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの配設ピッチはｐ１／２となり、外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの実装密度を向上させることができる。
尚、各外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃは電源端子（ＶＤＤ），接地端子（ＧＮＤ），及び信号端子（ＳＩＧ）とにより構成されるが、本参考例では信号端子（ＳＩＧ）を電源端子（ＶＤＤ）と接地端子（ＧＮＤ）との間に配設した構成としている。この構成とすることにより、外乱が信号端子（ＳＩＧ）に侵入することを防止することができる。
【００６８】
図７は、外部接続端子の他の構造を示している。前記した参考例では、図７（Ａ）に示すように、回路基板２０の両面３２，３４にそれぞれ外部接続端子２６Ａを配設した構成とした。これに対し、図７（Ｂ）に示す構造では、チップ搭載面３２のみに外部接続端子２６Ｄを配設したものである。このように、外部接続端子は必ずしも回路基板２０の両面３２，３４に形成する必要はなく、端子数が少ない時等はいずれか一方にのみ配設する構成とてもよい。
【００６９】
また、図７（Ｃ）に示す構造は、回路基板２０の下端面２０ｂにも外部接続端子２６Ｅが形成されており、よって外部接続端子２６Ｅはチップ搭載面３２，下端面２０ｂ，及び背面３４のすべての面に形成された構造となっている。更に、図７（Ｄ）に示す構造は、回路基板２０に窪んだ形状のポケット部４２を形成し、このポケット部４２が形成された位置に外部接続端子２６Ｆを形成したことを特徴とするものである。
【００７０】
この構造では、例えば図２５（Ａ），（Ｂ）に示すように、係合突起部７６を有したソケット部材１８Ｉを用い、装着状態において係合突起部７６とポケット部４２とが係合する構成とすることにより、外部接続端子２６Ｆとソケット部材１８Ｉとの接続面積を増大させることができ、よって電気的接続性を向上させることができる。また、ポケット部４２を位置決め機構として用いることもできるため、装着時における半導体装置１２Ａとソケット部材１８Ｉとの位置決め精度が向上し、確実な接続を行なうことが可能となる。
【００７１】
上記のように、外部接続端子２６Ａ〜２６Ｆを回路基板２０のチップ搭載面３２，背面３４，または下端面２０ｂの内、少なくとも何れかの面に配設することにより、種々の接続形態に対応させることができる。
続いて、ソケット１４について説明する。
図８及び図９は、本発明の第１参考例であるソケット１４を示している。ソケット１４は、リードフレーム材料（例えば、銅合金）により形成されており、また図示されるように複数のソケット部材１８Ａにより構成されている。
【００７２】
このソケット部材１８Ａは、前記した半導体装置１２Ａに形成されている外部接続端子２６Ａの数に対応している。具体的には、図３及び図４に示した半導体装置１２は、片面１２個の外部接続端子２６Ａを有しているため、ソケット部材１８Ａも１２個並設された構成とされている。
ソケット部材１８Ａは、大略すると接続部４４Ａ，連結部５０，及び実装端子部５２Ａ等を一体的に形成した構成とされている。接続部４４Ａは第１のコンタクト４６Ａ及び第２のコンタクト４８Ａにより構成されており、この第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａは協働して側面から見て略Ｃ字形状をなすよう形成されている。
【００７３】
また、第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａの先端部には接点部５４Ａ，５６Ａが形成されており、この接点部５４Ａと接点部５６Ａとの間には間隙が形成されている。この間隙の寸法は、回路基板２０の幅寸法より若干小さく設定されている。更に、接点部５４Ａ，５６Ａの位置は、半導体装置１２Ａに設けられた外部接続端子２６Ａの形成位置と対応するよう構成されている。
【００７４】
よって、半導体装置１２Ａを接続部４４Ａに挿入することにより、半導体装置１２Ａに設けられている外部接続端子２６Ａは接続部４４Ａに保持された状態となる。この保持状態において、外部接続端子２６Ａは第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａに挟持された状態となり、これにより外部接続端子２６Ａはソケット部材１８Ａと電気的に接続される。
【００７５】
また、各接触部５４Ａ，５６Ａは接続部４４Ａの上部中央位置に形成されているため、装着状態において半導体装置１２Ａはソケット部材１８Ａに立設状態で保持される。このように、半同意装置１２Ａをソケット部材１８Ａ（ソケット１４Ａ）に立設させた状態で保持できることにより、半導体装置１２Ａの実装密度を向上させることができる。
【００７６】
一方、連結部５０は複数個形成された上記の接続部４４Ａを接続するものであり、この接続部５０により各接続部４４Ａは電気的に接続された構成となる。また、接続部５０は、ソケット１４に半導体装置１２Ａが装着された状態において、回路基板２０の面方向に対し直角方向に延在する構成となる。
また、実装端子部５２Ａは、連結部５０の下部に下方に向け延出するよう形成されている。この実装端子部５２Ａは、ソケット１４が配設される機器（例えばパーソナルコンピュータ）に設けられている実装基板に電気的及び機械的に接続される。これにより、ソケット１４に装着された半導体装置１２Ａは、各ソケット部材１８Ａに形成されている接続部４４Ａ，連結部５０，及び実装端子部５２Ａを介して実装基板に接続される。
【００７７】
ここで、メモリとして機能する半導体装置１２Ａの外部接続端子１８Ａが有する端子特性について説明する。前記したように、半導体装置１２Ａに設けられる外部接続端子１２Ａには、電源端子（ＶＤＤ），接地端子（ＧＮＤ），及び信号端子（ＳＩＧ）が存在する。同一或いは同種の半導体装置１２Ａを複数個配設する場合、半導体装置１２Ａがメモリである場合には、同一端子特性を有する外部接続端子同志を電気的に接続することが行われる。
【００７８】
即ち、図１を例に挙げて説明すれば、同図の一番手前に示される半導体装置１２Ａの符号２６Ａ-1で示される外部接続端子が電源端子であったとすると、残る２個の半導体装置１２Ａの同一位置に配設された外部接続端子は同じく電源端子となる。よって、３個配設された半導体装置１２Ａをソケット部材１８Ａ-1で接続することにより、１個のソケット部材１８Ａ-1で複数個の半導体装置１２Ａに対して電源供給を行うことができる。
【００７９】
これは、接地端子（ＧＮＤ）及び信号端子（ＳＩＧ）についても同様の構成とすることができ、よってソケット部材１８Ａを半導体装置１２Ａに設けられた外部接続端子２６Ａの形成位置に対応して並設することにより、複数個の半導体装置１２Ａを接続してモジュール化する場合、少ない配線数で半導体装置モジュール１０Ａを実現することができる。
【００８０】
このため、本参考例にソケット１４は、ソケット部材１８Ａを回路基板２０の面方向に対し直行する方向に延在するよう構成し、ソケット１４に装着される半導体装置１２Ａの同種の外部接続端子２６Ａをソケット部材１８Ａにより接続する構成としている。
尚、半導体装置１２Ａに設けられている全ての外部接続端子２６Ａについて、上記のようにソケット部材１８Ａを用いて接続することはできない。即ち、情報を書き込み或いは読み出す半導体装置を指定する指定信号が入力される外部接続端子については、共通化することができない。この外部接続端子に接続するソケット部材の構成については、説明の便宜上、後に詳述するものとする。
【００８１】
上記構成とされたソケット１４によれば、ソケット部材１８Ａを構成する複数の接続部４４Ａは、半導体装置１２Ａを装着脱自在に保持する構成であるため、ソケット１４に対し高メモリ容量を有した半導体装置１２Ａを装着脱可能となる。このため、ソケット１４を実装端子部５２Ａを介して実装基板（例えば、パーソナルコンピュータの実装基板）に配設した場合には、ソケット１４に半導体装置１２Ａを装着脱することにより、パーソナルコンピュータのメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
【００８２】
また、接続部４４Ａは協働して略Ｃ字形状をなす第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａにより構成されているため、単に半導体装置１２Ａを接続部４４Ａで挟持することにより、ソケット部材１８Ａと半導体装置１２Ａとの電気的接続及び半導体装置１２Ａの保持を行なうことができる。よって、極めて簡単な構成で半導体装置１２Ａの接続及び保持を行なうことができる。
【００８３】
また、図９に示されるように、接続部４４Ａの連結部５０からの突出量ｈ１はそれより下部の長さｈ２に比べて小さくなるよう設定されている。即ち、接続部４４Ａの連結部５０からの突出量ｈ１は、半導体装置１２Ａを保持を確実に行いうる範囲において最小の突出量となるよう構成されている。
これにより、第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａの電気的抵抗の低減を図ることができ、よってコンタクト部材１８Ａと半導体装置１２Ａとの電気的接続性を向上させることができる。
【００８４】
更に、上記したようにソケット部材１８Ａは、接続部４４Ａ，連結部５０，及び実装端子部５２Ａを一体的に形成した構成であるため、１回のプレス加工で形成することが可能であり、よってソケット１４を容易に製造することができる。ところで、上記のように接続部４４Ａは半導体装置１２Ａが装着脱（抜き差し）されるものであるため、外部接続端子２６Ａと接続部４４Ａとの間に摩擦が発生し、これを防止するためにソケット部材１８Ａにはパラジウムまたはニッケルメッキ（保護膜）が施されている。
【００８５】
しかるに、第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａに形成された接点部５４Ａ，５６Ａの間隙距離が狭い場合には、この接点部５４Ａ，５６Ａに保護膜が良好な状態でメッキできないおそれがある。これを防止するためには、接点部５４Ａ，５６Ａの離間距離を大きく設定すればよいが、単に接点部５４Ａ，５６Ａの離間距離を大きくした構成では、半導体装置１２Ａを挟持する保持力（バネ力）が小さくなり確実な保持が行なえないおそれがある。
【００８６】
そこで、これを解決するための参考例を図１０乃至図１２に示す。図１０乃至図１２は、第２乃至第４参考例であるソケットに設けられる接続部４４Ｂ〜４４Ｄを夫々拡大して示している。
各図に示される第２乃至第４参考例に係るソケットに設けられる接続部４４Ｂ〜４４Ｄは、夫々第１のコンタクト４６Ｂ〜４６Ｄの接点部５４Ｂ〜５４Ｄと第２のコンタクト４８Ｂ〜４８Ｄの接点部５６Ｂ〜５６Ｄを、半導体装置１２Ａの装着方向（図中、上下方向）に対しずらして配置したことを特徴とするものである。各図において、矢印ｈで示すのは接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄのずれ量である。
【００８７】
特に、図２に示される接続部４４Ｂは接点部５４Ｂ及び接点部５６Ｂを間隙側に向け突出した構成とされており、また図３に示す接続部４４Ｃは接点部５４Ｂ及び接点部５６Ｂが協働して略Ｓ字状の間隙を形成するよう構成したものであり、更に図１２に示す接続部４４Ｄは第１及び第２のコンタクト４６Ｄ，４８Ｄとしてピン状の部材を用い、上記参考例と異なりその側面形状をＣ字形状から変形させた構成のものである。
【００８８】
上記のように、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄを半導体装置１２Ａの装着方向に対してずらした構成とすることにより、装着時における半導体装置１２Ａを保持する力（挟持力）を大きく維持しつつ、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとの間の実質的な離間距離を大きくすることができる。即ち、各接続部４４Ｂ〜４４Ｄを平面視した場合（即ち、図中矢印Ａで示す方向に見た場合）、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとは重なった状態に見える。即ち、半導体装置１２Ａを挟持する点からいえば、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとの離間距離は狭くなっており、よって半導体装置１２Ａを保持する力を大きく維持することができる。
【００８９】
また、各接続部４４Ｂ〜４４Ｄを側面視した場合、図１０乃至図１２に示されるように、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとの離間距離は広くなっている。よって、各接点部５４Ｂ〜５４Ｄ，５６Ｂ〜５６Ｄに対して確実にメッキ処理を行なうことができ、外部接続端子１２Ａに対する耐摩擦性を向上させることができる。
【００９０】
また、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとの離間距離が広いと、ソケット部材をプレス加工する際に用いる金型の形成を容易とすることができ、金型コストの低減及び第１及び第２のコンタクト４６Ｂ〜４６Ｄ，４８Ｂ〜４８Ｄの形成、即ちソケット部材の形成を容易に行なうことが可能となる。
一方、図８乃至図１２に示したソケットでは、接続部４４Ａ〜４４Ｄによる半導体装置１２Ａの保持は、第１及び第２のコンタクト４６Ａ〜４６Ｄ，４８Ａ〜４８Ｄが外部接続端子２６Ａを挟持することによりのみ行なわれていた。即ち、図８乃至図１２に示したソケットでは、半導体装置１２Ａを一点においてのみ保持する構成であった。このため、装着状態において、半導体装置１２Ａに倒れが発生するおそれがある。
【００９１】
そこで、これを解決するための参考例を図１３乃至図１５に示す。図１３乃至図１５は、第５乃至第７参考例であるソケットに設けられる接続部４４Ｅ〜４４Ｇを夫々拡大して示している。
図１３は、第５参考例に係るソケットに設けられる接続部４４Ｅを示している。本参考例に係る接続部４４Ｅは、第１のコンタクト４６Ａと第２のコンタクト４８Ａとの間位置に、半導体装置１２Ａが嵌挿される係止凹部５８を形成したことを特徴とするものである。
【００９２】
この構成とすることにより、装着状態において半導体装置１２Ａは第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａによる保持と共に、半導体装置１２Ａが係止凹部５８と係合する係合力によっても保持される。このため、半導体装置１２Ａの保持をより確実に行なうことができる。
図１４は、第６参考例に係るソケットに設けられる接続部４４Ｆを示している。本参考例に係る接続部４４Ｆは、前記した図１３に示される接続部４４Ｅの構成に加え、係止凹部５８に対する半導体装置１２Ａの嵌挿を案内する案内部６０を設けたことを特徴とするものである。
【００９３】
この案内部６０は係止凹部５８と連続して形成され、上方に向かい開口した構成とされている。よって、案内部６０を設けることにより、半導体装置１２Ａの係止凹部５８への係合を容易かつ確実に行なうことができる。
図１５は、第７参考例に係るソケットに設けられる接続部４４Ｇを示している。本参考例に係る接続部４４Ｇは、第１及び第２のコンタクト４６Ｅ，４８Ｅに夫々複数個の接点部５４Ｅ，５４Ｆ，５６Ｅ，５６Ｆを設けたことを特徴とするものである。
【００９４】
この各接点部５４Ｅ，５４Ｆ，５６Ｅ，５６Ｆは、夫々半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａと接触する構成とされている。また、第１のコンタクト４６Ｅに設けられる接点部５４Ｅ，５４Ｆは図中上下方向に所定距離離間して形成され、同様に第２のコンタクト４８Ｅに設けられる接点部５６Ｅ，５６Ｆも図中上下方向に所定距離離間して形成されている。
【００９５】
接続部４４Ｇを上記構成とすることにより、装着状態において半導体装置１２Ａは接続部４４Ｇに複数の位置で保持及び電気的接続が行なわれることとなる。これにより、装着時における半導体装置１２Ａの保持を確実に行なうことができると共に、半導体装置１２Ａとソケットとの電気的接続性を向上させることができる。尚、図１５に示す参考例では、係止凹部５８も合わせて設けた構成を示している。
【００９６】
続いて、図１６乃至図１８を用いて本発明の第８乃至第１０参考例であるソケットについて説明する。第８乃至第１０参考例に係るソケットは、ソケット部材１８Ｂ〜１８Ｄに設けられる実装端子部５２Ｂ〜５２Ｄに特徴を有するものである。
図１６に示す第８参考例に係るソケット部材１８Ｂは、実装端子部５２Ｂを表面実装に対応するよう構成したものである。即ち、実装端子部５２Ｂの連結部５０からの下方延出長さは短くされており、実装基板に対して表面実装可能な構成とされている。
【００９７】
また、図１７に示す第９参考例に係るソケット部材１８Ｃは、第８参考例と同様に表面実装に対応するよう構成したものであり、更に表面実装時における強度強化を図るために、連結部５０の下部にサポート端子６２を設けると共に実装端子部５２Ｃを複数個に分割形成したことを特徴とするものである。
更に、図１８に示す第１０参考例に係るソケット部材１８Ｄは、挿入実装に対応するよう構成したものであり、よって実装端子部５２Ｄは連結部５０から下方に向け長く延出形成されている。この実装端子部５２Ｄは、実装時において実装基板に形成されている実装孔に挿入された上で、実装基板に接続（半田付け）される。このため、挿入処理の容易化を図るため、実装端子部５２Ｄは下端部に向かうにつれて幅狭となるよう構成されている。
【００９８】
上記のように、実装端子部５２Ａ〜５２Ｄの形態は特に限定されるものではなく、表面実装及び挿入実装の双方に対応させることができ、よって所望する実装形態に応じて実装端子部５２Ａ〜５２Ｄの形態を適宜選択することができる。
続いて、図１９及び図２０を用いて本発明の第１１参考例であるソケットについて説明する。第１１参考例に係るソケットでは、ソケット部材１８Ｅ，１８Ｆに形成される接続部４４Ａの中心位置と、実装端子部５２Ｅ，５２Ｆの中心位置とをずらして配置したことを特徴とするものである。
【００９９】
図１９（Ａ）に示すソケット部材１８Ｅは、接続部４４Ａの中心位置に対し、実装端子部５２Ｅを図中右方向にピッチＰ２だけずらした構成とされている。また、図１９（Ｃ）に示すソケット部材１８Ｆは、接続部４４Ａの中心位置に対し、実装端子部５２Ｆを図中左方向にピッチＰ３だけずらした構成とされている。尚、図１９（Ｂ）に示すソケット部材１８Ａは前記した第１参考例に係るソケット１４に設けられるものであり、接続部４４Ａの中心位置に実装端子部５２Ａが形成されている。
【０１００】
図２０は、上記構成とされた３種類のソケット部材１８Ａ，１８Ｅ，１８Ｆを、右側よりソケット部材１８Ｅ，ソケット部材１８Ａ，ソケット部材１８Ｆの順番で並設したソケット１４を示している。各ソケット部材１８Ａ，１８Ｅ，１８Ｆに形成された外部接続端子部５２Ａ，５２Ｅ，５２Ｆは、前記のように夫々接続部４４Ａに対する形成位置が異なるよう構成されている。
【０１０１】
従って、ソケット部材１８Ａ，１８Ｅ，１８Ｆが並設された状態のソケット１４を底面視すると、各外部接続端子部５２Ａ，５２Ｅ，５２Ｆは千鳥状の配列構造となる。これにより、実装端子部５２Ａ，５２Ｅ，５２Ｆの実質的な配設ピッチを狭ピッチ化（高密度化）することができ、よって多数の外部接続端子２６Ａを有する高密度化された半導体装置１２Ａにも対応することが可能となる。
【０１０２】
続いて、図２１及び図２２を用いて本発明の第１２参考例であるソケットについて説明する。本参考例では、ソケット部材１８Ｇを外部接続端子２６Ａの形成位置に対応するよう、隣接するソケット部材１８Ｇ間の位置決めを行なう位置決め機構を設けたことを特徴とするものである。前記のように、ソケットは複数のソケット部材１８Ｇを並設させることにより構成されるものである。
また、各ソケット部材１８Ｇに形成された接続部４４Ａは、半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａの形成位置に対応させる必要がある。このため、半導体装置１２Ａとソケットとの接続を確実に行なうためには、並設状態おける隣接するソケット部材１８Ｇ間のピッチ（並設ピッチＰ４）を精度よく決める必要がある。
【０１０３】
そこで本参考例では、位置決め機構をソケット部材１８Ｇに形成された位置決め突起６４と、この位置決め突起６４と係合する位置決め孔６８を有するフレーム部材６６とにより構成した。
位置決め突起６４は、ソケット部材１８Ｇの連結部５０の上端に上方に向け突出するよう形成されている。この位置決め突起６４は、ソケット部材１８Ｇをプレス加工により製造する際に同時に形成される。よって、位置決め突起６４をソケット部材１８Ｇに形成するに際し、困難を伴うようなことはない。また、フレーム部材６６は例えば絶縁性を有した樹脂或いは金属等により構成されており、所定の並設ピッチＰ４で位置決め孔６８が高精度に穿設されている。
【０１０４】
上記構成とされた位置決め機構において、隣接するソケット部材１８Ｇ間の並設ピッチＰ４を所定ピッチに設定するには、位置決め突起６４と位置決め孔６８を位置決めし、フレーム部材６６を各ソケット部材１８Ｇに装着する。これだけの簡単な作業により、各ソケット部材１８Ｇの位置決めを行なうことができる。よって、極めて簡単な構成で、かつ簡単な位置決め処理で半導体装置１２Ａとソケット部材１８Ｇとの接続性を向上させることができる。
【０１０５】
尚、フレーム部材６６の配設位置はソケット部材１８Ｇの端部に限定されるものではなく、位置決め突起６４が形成されている位置であれば任意の位置に配設することが可能である。
続いて、図２３及び図２４を用いて本発明の第１３参考例であるソケットについて説明する。本参考例も、隣接するソケット部材１８Ａ，１８Ｈ間の位置決めを行なう位置決め機構を設けたことを特徴とするものであり、位置決め機構をソケット部材１８Ａ，１８Ｈの一部を封止或いは圧入する位置決め樹脂７０Ａ，７０Ｂにより構成したものである。
【０１０６】
図２３に示す参考例では、ソケット部材１８Ａの連結部５０を位置決め樹脂７０Ａにより封止することにより隣接するソケット部材１８Ａ間の位置決めを行なっている。この場合、位置決め樹脂７０Ａを形成するのに用いる金型には、ソケット部材１８Ａを所定の並設ピッチで保持するホルダ部が形成されており、このホルダ部にソケット部材１８Ａを保持させた状態で樹脂モールドを行なうことにより、位置決め樹脂７０Ａによりソケット部材１８Ａを所定並設ピッチで位置決めすることができる。
【０１０７】
また、図２４に示す参考例では、ソケット部材１８Ｈの実装端子部５２Ｆを位置決め樹脂７０Ｂに形成された圧入孔７２（所定の並設ピッチで形成されている）に圧入することにより隣接するソケット部材１８Ｈ間の位置決めを行なっている。また、実装端子部５２Ｆには抜け止め爪７４が形成されており、ソケット部材１８Ｈが位置決め樹脂７０Ｂから容易に抜けないよう構成されている。
【０１０８】
上記のように、連結部５０を位置決め樹脂７０Ａにより封止、或いは実装端子部５２Ｆを位置決め樹脂７０Ｂに形成された圧入孔７２に圧入することにより、ソケット部材１８Ａ，１８Ｈは位置決め樹脂７０Ａ，７０Ｂにより所定位置に固定され、よって半導体装置１２Ａとソケット部材１８Ａ，１８Ｈとの接続性を向上させることができる。
【０１０９】
続いて、本発明の一実施例であるソケットの構成について図２６乃至図２９を用いて説明する。
前記したように、メモリとして機能する半導体装置１２Ａを複数個配設して半導体装置モジュール１０を構成する場合、各半導体装置１２Ａに形成された外部接続端子２６Ａの内、同一或いは同種の機能を奏する外部接続端子２６Ａについては各半導体装置１２Ａ間で接続して用いることができる。そして、この構成とすることにより複数個の半導体装置１２Ａをモジュール化する場合、少ない配線数で半導体装置モジュール１０Ａを実現することができる。
【０１１０】
しかるに、半導体装置１２Ａに設けられている全ての外部接続端子２６Ａを上記のようにソケット部材１８Ａを用いて接続することはできない。即ち、複数個配設される半導体装置１２Ａにおいて、駆動させる半導体装置を指定する指定信号が入力される外部接続端子については、共通化することができない。
そこで本実施例に係るソケットでは、複数の半導体装置１２Ａの内、特定の半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａにのみ信号を送信する必要がある場合には、特定の半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａに対応する位置にのみ接続部４４Ａを配設し、他の半導体装置１２Ａに対応する位置には接続部４４Ａを配設しない構成としたことを特徴とするものである。以下、この構成について図２６及び図２７を用いて詳述する。
【０１１１】
図２６は、本実施例に係るソケット１４Ａを示している。同図に示すソケット１４Ａは４本のソケット部材（説明の便宜上、各ソケット部材をＳ１〜Ｓ４で示す）から構成されており、また第１乃至第３の半導体装置（説明の便宜上、各半導体装置をＬ，Ｍ，Ｎと示す）が装着される構成とされている。また、同図においてＮＣと示された部位は、接続部４４Ａが配設されていない部位である。具体的には、ソケット部材Ｓ２の第３の半導体装置Ｎが装着される部位、ソケット部材Ｓ４の第２の半導体装置Ｍが装着される部位については、接続部４４Ａは配設されていない。
【０１１２】
更に、図２７（Ａ）〜（Ｃ）は、ソケット１４Ａに装着される３個の半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎの外部接続端子（説明の便宜上、Ｌ１〜Ｌ４，Ｍ１〜Ｍ４，Ｎ１〜Ｎ４と示す）を拡大して示している。
上記構成とされた半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎをソケット１４Ａに装着した場合における、接続部４４Ａと外部接続端子Ｌ１〜Ｌ４，Ｍ１〜Ｍ４，Ｎ１〜Ｎ４との接続状態について考察する。
【０１１３】
先ず、ソケット部材Ｓ１に注目する。本実施例では、第１の半導体装置Ｌの外部接続端子Ｌ１，第２の半導体装置Ｍの外部接続端子Ｍ１，及び第３の半導体装置Ｎの外部接続端子Ｎ１は同一の機能を有した端子とされている。このため、ソケット部材Ｓ１は、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎが装着される全ての位置において接続部４４Ａが形成された構成とされている。
【０１１４】
これにより、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎをソケット１４Ａに装着した状態において、第１の半導体装置Ｌの外部接続端子Ｌ１，第２の半導体装置Ｍの外部接続端子Ｍ１，及び第３の半導体装置Ｎの外部接続端子Ｎ１はソケット部材Ｓ１により電気的に接続された構成となる。
従って、１個のソケット部材Ｓ１を外部接続端子Ｌ１，Ｍ１，Ｎ１の共通した配線として用いることができる。これは、ソケット部材Ｓ３についても同様のことが言え、１個のソケット部材Ｓ３を外部接続端子Ｌ３，Ｍ３，Ｎ３の共通した配線として用いることができる。
【０１１５】
続いて、ソケット部材Ｓ２に注目する。本実施例では、第１の半導体装置Ｌの外部接続端子Ｌ２及び第２の半導体装置Ｍの外部接続端子Ｍ２は同一の機能を有した端子とされているが、第３の半導体装置Ｎの外部接続端子Ｎ３は外部接続端子Ｌ２，Ｍ２とは異なる機能を有した端子とされている。
このため、ソケット部材Ｓ２は、外部接続端子Ｌ２，Ｍ２と対応する位置については接続部４４Ａが形成されているが、外部接続端子Ｎ３と対応する位置については接続部４４Ａが形成されていない。従って、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎをソケット１４Ａに装着した場合、外部接続端子Ｎ３についてはソケット部材Ｓ２から信号が供給されることはない。
【０１１６】
更に、ソケット部材Ｓ４に注目する。本実施例では、第１の半導体装置Ｌの外部接続端子Ｌ４及び第３の半導体装置Ｎの外部接続端子Ｎ４は同一の機能を有した端子とされているが、第２の半導体装置Ｍの外部接続端子Ｍ４は外部接続端子Ｌ４，Ｎ４とは異なる機能を有した端子とされている。
このため、ソケット部材Ｓ４は、外部接続端子Ｌ４，Ｎ４と対応する位置については接続部４４Ａが形成されているが、外部接続端子Ｍ４と対応する位置については接続部４４Ａが形成されていない。従って、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎをソケット１４Ａに装着した場合、外部接続端子Ｍ４についてはソケット部材Ｓ４から信号が供給されることはない。
【０１１７】
上記構成とすることにより、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎの外部接続端子Ｌ１〜Ｌ４，Ｍ１〜Ｍ４，Ｎ１〜Ｎ４に選択的に信号を送信することが可能となる。また、信号の供給を行ないたくない外部接続端子Ｍ４，Ｎ２については、この外部接続端子Ｍ４，Ｎ２の装着位置に対応する部位の接続端子４４Ａを切断して除去しておくのみで信号の供給停止を行なうことができる。
【０１１８】
図２８は、本実施例であるソケット（ソケット部材）の製造方法を説明するための図である。同図はリードフレーム７８を示しており、このリードフレーム７８にソケット部材１８Ａ，１８Ｊが形成された例を示している。このリードフレーム７８は、板状基材をプレス加工（打ち抜き加工）を行なうことにより形成される。この際、ソケット部材１８ＪのＮＣで示される部位は打ち抜かれ接続部は形成されていない。このように、接続部の除去はリードフレーム７８の形成時に一括的に行なうことができる。
【０１１９】
また、図２９に示す構成では、接続部４４Ａと連結部５０とが接続する部位に幅細部８０Ａを形成すると共に、連結部５０の接続部４４Ａが隣接する間位置にも幅細部８０Ｂを形成したものである。この構成では、幅細部８０Ｂの強度は弱いため、この幅細部８０Ｂを図中破線Ｘ１で示す位置で切断することにより接続部４４Ａをソケット部材１８Ｋから除去することができる。
【０１２０】
また、上記した実施例では、信号の供給を行ないたくない外部接続端子Ｍ４，Ｎ２について信号の供給を停止する手段として接続部４４Ａを除去する方法を説明したが、連結部５０を切断することによっても同様の信号の供給停止を行なうことができる。
この場合には、幅細部８０Ａを図２９に破線Ｙ１，Ｙ２で示す位置で切断すればよい。このように、幅細部８０Ａ，８０Ｂを適宜切断することにより所望の信号供給ラインを形成することができ、よって特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することが可能となる。
【０１２１】
続いて、本発明の第１５参考例であるソケットの構成について図３０を用いて説明する。
本参考例に係るソケットでは、これに用いられるソケット１８Ｌの接続部４４Ｆが半導体装置１２Ａを斜めに傾けて装着できるよう構成したことを特徴とするものである。具体的には、第１のコンタクト４６Ｆの長さを第２のコンタクト４８Ｆの長さよりも長くすることにより、各コンタクト４６Ｆ，４８Ｆ間に形成される間隙が側部に位置するよう構成されている。
【０１２２】
この構成とすることにより、半導体装置１２Ａは接続部４４Ｆに対して斜めに装着されることとなり、よって半導体装置１２Ａは接続部４４Ｆに斜めに傾いた状態で保持される。これにより、装着状態における半導体装置１２Ａの高さを低くすることができ、よって低背化が要求されている機器に適用することが可能となる。
【０１２３】
図３１は、第１５参考例であるソケットを用いた半導体装置モジュール１０Ｂを示している。同図に示されるように、ソケットを構成する各ソケット部材１８Ｌは矩形状とされたソケット枠８２の底部に配設されており、各半導体装置１２Ｃはソケット部材１８Ｌに対し斜めに装着され構成とされている。
また、各半導体装置１２Ｃに設けられた放熱部材３４には回路基板２０より延出する延出部４０が形成されている。更に、ソケット枠８２の上部には放熱板８４が形成されており、この放熱板８４には延出部４０と係合する係合部（図示せず）が形成されている。
【０１２４】
上記構成とされた半導体装置モジュール１０Ｂは、各半導体装置１２Ｃが傾いた状態で装着されているため、全体の形状を低背化することができる。また、延出部４０が放熱板８４に係合することにより熱的に接続されるため、放熱面積は増大して半導体チップ２２の放熱効率を更に向上させることができる。
尚、上記した各参考例では、隣接して配置されたソケット部材１８Ａ〜１８Ｌの間には何も配設しないか、或いは位置決めのための位置決め樹脂７０Ａ，７０Ｂを配設するのみであった。しかるに、図３２に示すように、隣接するソケット部材（図ではソケット部材１８Ａを例に挙げている）の間に、リード板８６を配設した構成としてもよい。
【０１２５】
このリード板８６は、例えばグランド配線（ＧＮＤ），電源配線（ＶＤＤ）として機能するものであり、絶縁性接着剤を用いて各ソケット部材１８Ａに接着固定される。このように、隣接するソケット部材１８Ａの間に配線として機能するリード板８６を配設することにより、電送系（ＧＮＤ，ＶＤＤ）の強化を図ることができる。
【０１２６】
続いて、本発明の第１７参考例であるソケットの構成について図３３を用いて説明する。
本参考例に係るソケットに用いられるソケット部材１８Ｍは、コンタクトピン部９０Ａが外部接続端子２６Ａの片側にのみ当接するよう構成されている。また、前記した各参考例と同様に、各コンタクトピン部９０Ａは連結部５０により電気的，機械的に接続された構成とされている。また本参考例では、半導体装置１２Ａを装着保持するために、ハウジング９２を設けたことを特徴としている。
【０１２７】
ハウジング９２は絶縁性樹脂等により形成されており、例えば実装基板１６に固定されている。また、ハウジング９２の導体装置１２Ａが装着される所定位置は挿入孔９４が形成されており、よって半導体装置１２Ａは挿入孔９４に挿入されることによりハウジング９２に立設状態で保持される。また、ハウジング９２には収納凹部９６が形成されており、コンタクトピン部９０Ａはこの収納凹部９６内に変位可能な構成で収納されている。
【０１２８】
ソケット部材１８Ｍは実装基板１６上に複数個並設されることによりソケットを構成するものであり、連結部５０の上部に上記したコンタクトピン部９０Ａが一体的に形成されると共に、連結部５０の下部には実装基板１６に接続される挿入実装タイプの実装端子部５２Ｇが形成されている。このソケット部材１８Ｍに形成されたコンタクトピン部９０Ａは、半導体装置１２Ａが装着されない状態において図中破線で示す部位に位置している。
【０１２９】
そして、半導体装置１２Ａがハウジング９２の挿入孔９４に装着されることにより、有するバネ性により変位し、バネ力をもって半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａ（同図では、図示を省略している）に圧接する。これにより、コンタクトピン部９０Ａは半導体装置１２Ａと電気的に接続された状態となる。また、半導体装置１２Ａをハウジング９２から抜き出すことにより、コンタクトピン部９０Ａは弾性復元力により破線で示す位置に復帰する。
【０１３０】
本参考例では、ハウジング９２が複数個の半導体装置１２Ａを立設状態で装着する構成とされているため、半導体装置１２Ａの実装密度を向上させることができる。また、ハウジング９２は半導体装置１２Ａを装着脱自在に保持する構成であるため、ソケット（ソケット部材１８Ｍ）に対し高メモリ容量を有した半導体装置１２Ａを装着脱可能となり、半導体装置１２Ａの装着脱によりメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
【０１３１】
続いて、本発明の第１８参考例であるソケットの構成について図３４を用いて説明する。
本参考例に係るソケットに用いられるソケット部材１８Ｎも、前記した第１７参考例と同様に、コンタクトピン部９０Ｂが外部接続端子２６Ａの片側にのみ当接する構成とされている。また、各コンタクトピン部９０Ｂは連結部５０により電気的，機械的に接続された構成とされている。また本実施例では、半導体装置１２Ａとコンタクトピン部９０Ｂを電気的に接続するために、中間板９８を設けたことを特徴としている。
【０１３２】
中間板９８は絶縁性樹脂等により形成されており、固定された実装基板１６にたいし、図中矢印Ｘ１，Ｘ２で示す方向に移動可能な構成とされている。また、中間板９８のコンタクトピン部９０Ｂの形成位置には開口部１００が形成されており、各コンタクトピン部９０Ｂはこの開口部１００を介して中間板９８の上部に延出している。
【０１３３】
ソケット部材１８Ｎは実装基板１６上に複数個並設されることによりソケットを構成するものであり、連結部５０の上部に上記したコンタクトピン部９０Ｂが一体的に形成されると共に、連結部５０の下部には実装基板１６に接続される挿入実装タイプの実装端子部５２Ｇが形成されている。このソケット部材１８Ｎに形成されたコンタクトピン部９０Ｂは、半導体装置１２Ａが装着されない状態において図中実線で示す部位に位置している。
【０１３４】
このコンタクトピン部９０Ｂはバネ性を有しており、図中矢印Ｄ１方向に向け弾性力を附勢する構成とされている。しかるに、コンタクトピン部９０Ｂは中間板９８に係合することにより矢印Ｄ１方向への弾性変形は規制されており、よって実線で示す位置に係止されている。
上記構成において、半導体装置１２Ａが図示しない保持手段により所定位置に装着保持されると、中間板９８を図中矢印Ｘ１方向に移動させる。これにより、中間板９８によるコンタクトピン部９０Ｂの弾性変形の規制は解除され、よってコンタクトピン部９０Ｂは矢印Ｄ１方向に変位する。
【０１３５】
また、半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａは、コンタクトピン部９０Ｂの変位軌跡上に位置するよう構成されているため、コンタクトピン部９０Ｂは弾性力をもって外部接続端子２６Ａに圧接する。これにより、コンタクトピン部９０Ｂは半導体装置１２Ａと電気的に接続された状態となる（図中、破線で示す状態がコンタクトピン部９０Ｂと半導体装置１２Ａとが電気的に接続した状態である）。
【０１３６】
また、この接続状態より中間板９８を矢印Ｘ２方向に移動させると、コンタクトピン部９０Ｂは弾性力に抗して矢印Ｄ２方向に変位し、これによりコンタクトピン付９０Ｂは半導体装置１２Ａから離間し電気的接続は解除される。
上記のように、本参考例の構成によれば、中間板９８によりコンタクトピン部９０Ｂは外部接続端子２６Ａと接続する接続位置（破線で示す位置）と、接続を解除する解除位置（実線で示す位置）との間で移動する構成となる。
【０１３７】
このため、接続状態においては積極的にコンタクトピン部９０Ｂを外部接続端子２６Ａと接続させることができ、よってコンタクトピン部９０Ｂと外部接続端子２６Ａとの電気的接続性を向上させることができる。また、接続解除時においては、コンタクトピン部９０Ｂと外部接続端子２６Ａとを確実に離間させることができるため、コンタクトピン部９０Ｂと外部接続端子２６Ａとの誤接続を防止することができる。
【０１３８】
続いて、本発明の第１９参考例であるソケットの構成について図３５を用いて説明する。
本参考例に係るソケットに用いられるソケット部材は、図３３を用いて説明した第１７参考例に係るソケット部材１８Ｍと同一構成とされている。また、図３５では実装基板１６の図示は省略している。
【０１３９】
本参考例では、ソケット部材１８Ｍに対し半導体装置１２Ａを移動させる移動板１０２を設けたことを特徴としている。この移動板１０２は、半導体装置１２Ａが挿入される挿入孔１０４と、ソケット部材１８Ｍに設けられたコンタクトピン部９０Ｃが収納される収納凹部１０６とが形成された構成とされている。また、移動板１０２は、図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動可能な構成とされている。
【０１４０】
次に、本参考例における動作について説明する。図３５（Ａ）は、移動基板１０２の挿入孔１０４に半導体装置１２Ａが装着された直後の状態を示している。この状態では、移動基板１０２は矢印Ｘ１方向に移動しており、よって半導体装置１２Ａはコンタクトピン部９０Ｃから離間し、よって外部接続端子２６Ａとコンタクトピン部９０Ｃは接続されていない。
【０１４１】
上記のように半導体装置１２Ａが移動基板１０２の挿入孔１０４に装着されると、続いて移動基板１０２を図中矢印Ｘ２方向に移動させる。この移動基板１０２の移動に伴い、半導体装置１２Ａも図中矢印Ｘ２方向に移動する。そして、所定距離移動した時点で、図３５（Ｂ）に示されるように、半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａはコンタクトピン部９０Ｃに圧接する。
【０１４２】
これにより、外部接続端子２６Ａとコンタクトピン部９０Ｃとは電気的に接続された状態となる。尚、半導体装置１２Ａをソケットから抜き取る場合には、上記の動作と逆の動作が行なわれる。
本参考例の構成によれば、外部接続端子２６Ａを設けた半導体装置１２Ａは、移動板１０２によりコンタクトピン部９０Ｃと接続する接続位置と、接続を解除する解除位置との間で移動する構成となる。このため、接続状態においては強制的にコンタクトピン部９０Ｃを外部接続端子２６Ａと接続させることができ、よってコンタクトピン部９０Ｃと外部接続端子２６Ａとの電気的接続性を向上させることができる。
【０１４３】
また、接続解除時においては、移動板１０２により半導体装置１２Ａは解除位置に強制的に移動されるため、コンタクトピン部９０Ｃと外部接続端子２６Ａとを確実に離間させることができ、コンタクトピン部９０Ｃと外部接続端子２６Ａとの誤接続を防止することができる。
尚、上記のように半導体装置とソケットにより構成される半導体装置モジュールを構成するに際し、半導体装置とソケット（ソケット部材）の組み合わせは種々考えられる。即ち、前記したソケット部材１８Ａ〜１８Ｎ、及び半導体装置１２Ａ〜１２Ｄの何れを組み合わせて半導体装置モジュールを構成してもよい。この場合、何れの構成であっても、半導体装置１２Ａ〜１２Ｄをソケット部材１８Ａ〜１８Ｎに対して装着脱可能することにより、半導体モジュール全体としてのメモリ容量の変更を容易に行なうことができる。
【０１４４】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
請求項１記載の発明によれば、半導体装置用ソケットは複数個の半導体装置を立設状態で装着する構成とされているため、半導体装置の実装密度を向上させることができる。また、ソケット部材は半導体装置に設けられた外部接続端子の形成位置に対応して並設された構成とされており、また各接続部は連結部により電気的に接続された構成とされているため、メモリとして機能する複数の半導体装置において、ソケット部材を同種の外部接続端子を接続する配線として用いることができる。また、接続部は半導体装置を装着脱自在に保持する構成であるため、半導体装置用ソケットに対し高メモリ容量を有した半導体装置を装着脱可能となり、メモリ容量の変更を容易に行なうことができる。
【０１５０】
また、請求項２記載の発明によれば、極めて簡単な構成で半導体装置との接続及び保持を行なうことができると共に、電気的抵抗が低減されることにより接続特性の向上を図ることもできる。また、１回のプレス加工で形成することが可能であるため、半導体装置用ソケットを容易に製造することができる。
また、請求項３記載の発明によれば、装着時における半導体装置を保持する力（挟持力）を大きく維持しつつ、各接点部の実質的な離間距離を大きくすることができるため、第１及び第２のコンタクトの形成を容易に行なうことが可能となる。
【０１５１】
また、請求項４記載の発明によれば、装着状態において半導体装置は第１及び第２のコンタクトによる保持と共に係止凹部との係合力によっても保持されるため、半導体装置の保持をより確実に行なうことができる。
また、請求項５記載の発明によれば、装着時における半導体装置の保持を確実に行なうことができると共に、半導体装置と半導体装置用ソケットの電気的接続性を向上させることができる。
【０１５２】
また、請求項６記載の発明によれば、メモリとして機能する複数の半導体装置において共通化できる外部接続端子については接続部を配設することにより、各半導体装置間で外部接続端子を電気的に接続することができる。また、複数の半導体装置の内、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信する必要がある場合には、特定の半導体装置の外部接続端子に対応する位置にのみ接続部を配設し、他の半導体装置に対応する位置には接続部を配設しない構成とすることが可能となり、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信する構成とすることができる。
【０１５３】
また、請求項７記載の発明によれば、連結部を半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて切断した構成としたことにより、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することが可能となる。
また、請求項８または請求項９記載の発明によれば、実装端子部を実装形態に応じて適宜選択することができる。
【０１５４】
また、請求項１０記載の発明によれば、ソケット部材を並設した状態において実装端子部の配設ピッチを狭ピッチ化することができ、高密度化された外部接続端子を有した半導体装置に対応することができる。
また、請求項１１記載の発明によれば、ソケット部材の配設位置を高精度に決めることができ、よって装着される半導体装置との接続性を向上させることができる。
【０１５５】
また、請求項１２記載の発明によれば、単に位置決め突起と位置決め孔を位置決めし、フレーム部材をソケット部材に装着するのみでソケット部材の位置決めを行なうことができるため、半導体装置とソケット部材との接続性を向上させることができる。
また、請求項１３記載の発明によれば、ソケット部材は位置決め樹脂により所定位置に固定されるため、半導体装置とソケット部材との接続性を向上させることができる。
【０１５６】
また、請求項１４記載の発明によれば、装着状態における半導体装置の高さを低くすることができるため、低背化が要求されている機器に適用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１参考例である半導体装置モジュールの斜視図である。
【図２】本発明の第１参考例である半導体装置モジュールの側面図である。
【図３】本発明の第１参考例である半導体装置のチップ搭載面を示す斜視図である。
【図４】本発明の第１参考例である半導体装置の背面を示す斜視図である。
【図５】（Ａ）は本発明の第１参考例である半導体装置の断面図、（Ｂ）は本発明の第２参考例である半導体装置の断面図、（Ｃ）は本発明の第３参考例である半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の第４参考例である半導体装置の外部接続端子の配設位置を拡大して示す底面図である。
【図７】外部接続端子の構成例を示す図である。
【図８】本発明の第１参考例である半導体装置用ソケットを示す斜視図である。
【図９】本発明の第１参考例である半導体装置用ソケットを示す側面図である。
【図１０】本発明の第２参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１１】本発明の第３参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１２】本発明の第４参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１３】本発明の第５参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１４】本発明の第６参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１５】本発明の第７参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１６】本発明の第８参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である。
【図１７】本発明の第９参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である。
【図１８】本発明の第１０参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である。
【図１９】本発明の第１１参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である（その１）。
【図２０】本発明の第１１参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である（その２）。
【図２１】本発明の第１２参考例である半導体装置用ソケットの位置決め突起を説明するための図である。
【図２２】本発明の第１２参考例である半導体装置用ソケットの位置決め方法を説明するための図である。
【図２３】本発明の第１３参考例である半導体装置用ソケットの位置決め方法を説明するための斜視図である（その１）。
【図２４】本発明の第１３参考例である半導体装置用ソケットの位置決め方法を説明するための断面図である（その２）。
【図２５】本発明の第１４参考例である半導体装置用ソケット及び半導体装置の実装方法を説明するための図である。
【図２６】本発明の一実施例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図２７】本発明の一実施例である半導体装置用ソケットを用いた半導体装置の実装構造を説明するための図である。
【図２８】本発明の一実施例である半導体装置用ソケットの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図２９】本発明の一実施例である半導体装置用ソケットの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図３０】本発明の第１５参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図３１】本発明の第２参考例である半導体装置モジュールの概略構成図である。
【図３２】本発明の第１６参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図３３】本発明の第１７参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図３４】本発明の第１８参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図３５】本発明の第１９参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【符号の説明】
１０Ａ，１０Ｂ 半導体装置モジュール
１２Ａ〜１２Ｄ 半導体装置
１４，１４Ａ ソケット
１６ 実装基板
１８Ａ〜１８Ｎ ソケット部材
２０ 回路基板
２２ 半導体チップ
２４ 封止樹脂
２６Ａ〜２６Ｆ 外部接続端子
２８ 配線
３０ ワイヤ
３２ チップ搭載面
３４ 背面
３６ 放熱部材
３８ 位置決め溝
４０ 延出部
４２ ポケット部
４４Ａ〜４４Ｆ 接続部
４６Ａ〜４６Ｆ 第１のコンタクト
４８Ａ〜４８Ｆ 第２のコンタクト
５０ 連結部
５２Ａ〜５２Ｇ 実装端子部
５４Ａ〜５４Ｆ，５６Ａ〜５６Ｆ 接点部
５８ 係止凹部
６４ 位置決め突起
６６ フレーム部材
６８ 位置決め孔
７０Ａ，７０Ｂ 位置決め樹脂
７４ 抜け止め爪
７６ 係合突起
７８ リードフレーム
８０Ａ，８０Ｂ 幅細部
８２ ソケット枠
８４ 放熱板
９０Ａ〜９０Ｃ コンタクトピン部
９２ ハウジング
９４，１０４ 挿入孔
９６，１０６ 収納凹部
９８ 中間板
１０２ 移動板
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置用ソケットに係り、特に高速メモリ及び高速メモリモジュールとして用いて好適な半導体装置用ソケットに関する。
近年、メモリとして用いられる半導体装置（例えば、ＤＲＡＭ等）においては高速化，大容量化が進められている。このＤＲＡＭ等の半導体装置は、パーソナルコンピュータ，ワークステーション等のＯＡ機器の記憶装置として用いられている。
【０００２】
また、ＯＡ機器のメモリ容量は増大する傾向にあり、よってユーザがＯＡ機器の使用目的に応じてメモリ容量の増大を可能な構成とする必要がある。
【０００３】
【従来の技術】
一般に、パーソナルコンピュータ，ワークステーション等のＯＡ機器においてメモリ容量の増設を行なう場合には、半導体装置モジュールをＯＡ機器本体に装着することにより行なっている。
この半導体装置モジュールは、ＤＲＡＭモジュールまたはＳＩＭＭ（Single InLine Memory Module)と呼ばれるものであり、回路基板上に複数の半導体装置（ＤＲＡＭ）が搭載されると共に、回路基板の一側縁に外部接続端子が形成された構成とされている。そして、ＯＡ機器内に配設されたソケットに半導体装置モジュールを装着脱することにより、所望のメモリ容量を実現する構成とされている。また、現在市販されている半導体装置モジュールのメモリ容量は、１６ＭＢ，３２ＭＢが主流となっている。
【０００４】
ところで、近年の半導体製造技術の向上に伴い、半導体チップ高密度化，高速化が進み、１個の半導体チップで３２ＭＢのメモリ容量を持たせることも可能となってきている。従って、このような大容量を有した半導体チップを搭載した半導体装置は、一つの半導体装置で従来の半導体装置モジュールと等価の機能を奏することとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、従来の半導体装置の実装構造に注目すると、半導体装置を実装基板に実装するには半田付けが用いられており、半導体装置と実装基板の電気的接続及び機械的接続を一括的に行なう方法が一般的であった。
また例外的には、ＣＰＵ等の半導体装置では、実装基板にソケットを配設し、このソケットに半導体装置を装着することにより実装を行なうことが行なわれている。これは、ＣＰＵ等の半導体装置は、ＯＡ機器内に少数（１個或いは２個）しか搭載されないため、ソケットを用いた実装構造としてもＯＡ機器の小型化が阻害されないためである。
【０００６】
これに対し、ＤＲＡＭ等のメモリとして機能する半導体装置はＯＡ機器内に多数個配設されるものであるため、個々の半導体装置を夫々ソケットを用いて実装基板に実装する実装構造では実装基板が大型化してしまう。このため、ＤＲＡＭ等の半導体装置は、上記のように半田付けにより実装基板に実装されていた。 また、上記のようにＯＡ機器のメモリ容量変更の要望に対応するためには、上記した半導体装置モジュールを用い、回路基板に複数個の半導体装置（ＤＲＡＭ）が半田付けされた半導体装置モジュールをＯＡ機器内のソケットに装着脱することにより、複数個の半導体装置を一括的にＯＡ機器に実装する構成が取られていた。
【０００７】
しかるに、上記したように半導体装置自体のメモリ容量が増大し、従来の半導体装置モジュールと等価に使用することが可能となると、ＯＡ機器のメモリ容量変更の要望に対応させるには、半導体装置をＯＡ機器に装着脱可能な構成とする必要が生じる。
ところが従来では、半導体装置（ＤＲＡＭ）は回路基板或いは実装基板に半田付けにより固定される実装構造であったため、回路基板或いは実装基板に対し半導体装置を装着脱することができず、よってユーザの要求に応じてメモリ容量の変更を行なうことができないという問題点があった。
【０００８】
また、更なるメモリ容量の高容量化を図るためには、高容量化が図られた半導体チップを搭載した半導体装置を複数個まとめ、モジュール化することも考えられる。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、小型化を図りつつメモリ容量の変更を容易に行ないうる半導体装置用ソケットを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、次に述べる各手段を講じることにより解決することができる。
請求項１記載の発明は、
外部接続端子を有しメモリとして機能する半導体装置が複数個立設状態で装着される構成とされており、前記半導体装置に設けられた前記外部接続端子の形成位置に対応して並設される複数のソケット部材により構成される半導体装置用ソケットであって、
前記ソケット部材が、
前記半導体装置を装着脱自在に保持すると共に、装着状態において複数の前記半導体装置の各々に設けられた前記外部接続端子と電気的に接続する複数の接続部と、
前記複数の接続部を幅細部で接続すると共に電気的に接続する連結部と、
実装基板に接続される実装端子部と、
を有する構成としたことを特徴とするものである。
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部は、協働して略Ｃ字形状をなす第１及び第２のコンタクトにより構成されることを特徴とするものである。
また、請求項３記載の発明は、
請求項２記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記第１及び第２のコンタクトの前記外部接続端子と接触する接点部を、前記第１のコンタクトの接点部と第２のコンタクトの接点部とで、前記半導体装置の装着方向にずらして配置したことを特徴とするものである。
また、請求項４記載の発明は、
請求項２又は３記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記第１及び第２のコンタクトの間位置に、前記半導体装置が嵌挿される係止凹部を形成したことを特徴とするものである。
また、請求項５記載の発明は、
請求項２又は４記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記第１及び第２のコンタクトの前記外部接続端子と接触する接点部が、前記各コンタクトにおいて複数個形成されていることを特徴とするものである。
また、請求項６記載の発明は、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部を、前記半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて選択的に配設したことを特徴とするものである。
また、請求項７記載の発明は、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記連結部を、前記半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて切断した構成としたことを特徴とするものである。
また、請求項８記載の発明は、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記実装端子部は表面実装に対応した構成とされていることを特徴とするものである。
また、請求項９記載の発明は、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記実装端子部は挿入実装に対応した構成とされていることを特徴とするものである。
また、請求項１０記載の発明は、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部の中心位置と前記実装端子部の中心位置とをずらして配置したことを特徴とするものである。
また、請求項１１記載の発明は、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記ソケット部材を前記半導体装置に設けられた前記外部接続端子の形成位置に位置決めし並設させる位置決め機構を設けたことを特徴とするものである。
また、請求項１２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記位置決め機構は、
前記ソケット部材に形成された位置決め突起と、
前記位置決め突起と係合する位置決め孔を有するフレーム部材と
により構成されることを特徴とするものである。
また、請求項１３記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記位置決め機構は、
前記ソケット部材の一部を封止する位置決め樹脂により構成されることを特徴とするものである。
また、請求項１４記載の発明は、
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部が、前記半導体装置を斜めに傾けて装着する構成としたことを特徴とするものである。
また、請求項１５記載の発明は、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記連結部に、該連結部より幅の狭い幅細部が形成された構成としたことを特徴とするものである。
【００３２】
上記した手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、半導体装置用ソケットは、複数個の半導体装置を立設状態で装着する構成とされているため、半導体装置の実装密度を向上させることができる。また、半導体装置用ソケットを構成するソケット部材は、半導体装置に設けられた外部接続端子の形成位置に対応して並設された構成とされている。このため、メモリとして機能する複数の半導体装置において、同種の外部接続端子を接続する配線としてソケット部材を用いることができる。
【００３３】
また、ソケット部材を構成する複数の接続部は、半導体装置を装着脱自在に保持する構成であるため、半導体装置用ソケットに対し高メモリ容量を有した半導体装置を装着脱可能となる。このため、半導体装置用ソケットを実装端子部を介して実装基板（例えば、ＯＡ機器の実装基板）に配設した場合には、半導体装置用ソケットに半導体装置を装着脱することにより、ＯＡ機器のメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
【００３４】
また、外部接続端子と接続する各接続部は、連結部により電気的に接続された構成とされているため、上記のように複数の半導体装置の夫々に配設されている同種の外部接続端子をソケット部材により電気的に接続することができる。
また、請求項２記載の発明によれば、協働して略Ｃ字形状をなす第１及び第２のコンタクトにより接続部が構成されているため、半導体装置を第１及び第２のコンタクトで挟持することにより、半導体装置との電気的接続及び半導体装置の保持を行なうことができる。よって、極めて簡単な構成で半導体装置との接続及び保持を行なうことができると共に、第１及び第２のコンタクトの電気的抵抗の低減を図ることができる。また、１回のプレス加工で形成することが可能であるため、半導体装置用ソケットを容易に製造することができる。
【００３５】
また、請求項３記載の発明によれば、
第１のコンタクトの接点部と第２のコンタクトの接点部を半導体装置の装着方向に対しずらして配置したことにより、装着時における半導体装置を保持する力（挟持力）を大きく維持しつつ、各接点部の実質的な離間距離を大きくすることができる。これにより、第１及び第２のコンタクトの形成を容易に行なうことが可能となる。
【００３６】
また、請求項４記載の発明によれば、
第１及び第２のコンタクトの間位置に半導体装置が嵌挿される係止凹部を形成したことにより、装着状態において半導体装置は第１及び第２のコンタクトによる保持と共に係止凹部との係合力によっても保持されるため、半導体装置の保持をより確実に行なうことができる。
【００３７】
また、請求項５記載の発明によれば、
第１及び第２のコンタクトの外部接続端子と接触する接点部を各コンタクトにおいて複数個形成したことにより、装着状態において半導体装置は複数の位置で保持及び電気的接続が行なわれることとなる。よって、装着時における半導体装置の保持を確実に行なうことができると共に、半導体装置と半導体装置用ソケットの電気的接続性を向上させることができる。
【００３８】
また、請求項６記載の発明によれば、
半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じ、接続部を選択的に配設したことにより、メモリとして機能する複数の半導体装置において共通化できる外部接続端子については、接続部を配設することにより各半導体装置間で外部接続端子を電気的に接続することができる。
【００３９】
また、複数の半導体装置の内、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信する必要がある場合には、特定の半導体装置の外部接続端子に対応する位置にのみ接続部を配設し、他の半導体装置に対応する位置には接続部を配設しない構成とする。これにより、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することが可能となる。
【００４０】
また、請求項７記載の発明によれば、
連結部を半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて切断した構成としたことにより、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することが可能となる。
例えば、複数の半導体装置の内、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信する必要がある場合には、特定の半導体装置の外部接続端子に対応する位置にまで引き出した位置で接続部を切断する。これにより、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することができる。
【００４１】
また、請求項８または請求項９記載の発明によれば、
実装端子部を実装形態に応じて適宜選択することができる。
また、請求項１０記載の発明によれば、
接続部の中心位置と実装端子部の中心位置とをずらして配置したことにより、ソケット部材を並設した状態において実装端子部の配設ピッチを狭ピッチ化することができ、高密度化された外部接続端子を有した半導体装置に対応することができる。
【００４２】
また、請求項１１記載の発明によれば、
ソケット部材を半導体装置に設けられた外部接続端子の形成位置に位置決めし並設させる位置決め機構を設けたことにより、ソケット部材の配設位置を高精度に決めることができ、よって装着される半導体装置との接続性を向上させることができる。
【００４３】
また、請求項１２記載の発明によれば、
請求項１１記載の位置決め機構を、ソケット部材に形成された位置決め突起と、この位置決め突起と係合する位置決め孔を有するフレーム部材とにより構成したことにより、単に位置決め突起と位置決め孔を位置決めし、フレーム部材をソケット部材に装着するのみで、ソケット部材の位置決めを行なうことができる。よって、半導体装置とソケット部材との接続性を向上させることができる。
【００４４】
また、請求項１３記載の発明によれば、
請求項１１記載の位置決め機構を、ソケット部材の一部を封止する位置決め樹脂により構成したことにより、ソケット部材は位置決め樹脂により所定位置に固定されるため、半導体装置とソケット部材との接続性を向上させることができる。
【００４５】
また、請求項１４記載の発明によれば、
接続部が半導体装置を斜めに傾けて装着する構成としたことにより、装着状態における半導体装置の高さを低くすることができるため、低背化が要求されている機器に適用することが可能となる。
【００４６】
また、ソケット部材を構成するハウジングは、半導体装置を装着脱自在に保持する構成であるため、半導体装置用ソケットに対し高メモリ容量を有した半導体装置を装着脱可能となる。このため、半導体装置用ソケットを実装端子部を介して実装基板（例えば、ＯＡ機器の実装基板）に配設した場合には、半導体装置用ソケットに半導体装置を装着脱することにより、ＯＡ機器のメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の第１参考例である半導体モジュール１０Ａを示している。この半導体モジュール１０Ａは、大略すると半導体装置１２Ａと半導体装置用ソケット１４（以下、単にソケットという）とにより構成されている。
【００５２】
ソケット１４は複数のソケット部材１８Ａにより構成されており、この複数のソケット部材１８Ａに複数の半導体装置１２Ａが装着されることにより半導体モジュール１０Ａが構成されている。この半導体モジュール１０Ａは、ＯＡ機器等に搭載された実装基板（図示せず）に配設されるものである。以下、半導体モジュール１０Ａを構成する半導体装置１２Ａ及びソケット１４の詳細について説明する。
【００５３】
図３，図４，及び図５（Ａ）は、本発明の第１参考例である半導体装置１２Ａを示している。この半導体装置１２Ａは、大略すると回路基板２０，半導体チップ２２，封止樹脂２４，外部接続端子２６Ａ，及び放熱部材３６等により構成されている。尚、図３は回路基板２０のチップ搭載面３２を示しており、また図４はチップ搭載面３２の反対の背面を示している。
【００５４】
回路基板２０は、樹脂基板，セラミック基板，ガラス−エポキシ基板，フレキシブル基板，金属基板等、種々のものが適用可能であり、本参考例ではガラス−エポキシ基板を採用している。また、この回路基板２０は、単層基板及び多層基板の双方を用いることが可能である。本参考例では、多層配線基板を用いており、よって配線２８の引回しの自由度を向上させている。
【００５５】
また、配線２８は回路基板２０にパターン形成されており、本参考例では回路基板２０のチップ搭載面３２及び背面３４の双方に形成された構成とされている。この配線２８の内側端部は、半導体チップ２２と電気的に接続され、また配線２８の外側端部は外部接続端子２６Ａに接続されている。従って、半導体チップ２２と外部接続端子２６Ａとは、配線２８を介して電気的に接続された構成となる。
【００５６】
半導体チップ２２は、回路基板２０のチップ搭載面３２の略中央位置に搭載される。この半導体チップ２２のチップ搭載面３２への固定は、例えば接着剤を用いて行なわれる。また、半導体チップ２２と配線２８は、ワイヤ３０により接続されている。ワイヤ３０の配設は、周知のワイヤボンディング装置を用いて行なわれるため、既存の設備を用いて行なうことができる。
【００５７】
尚、半導体チップ２２と配線２８の電気的接続（ボンディング）は、ワイヤボンディングに限定されるものではなく、フリップチップボンディング，ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)等を用いることも可能である。
ところで、本発明が対象とする半導体チップ２２は、メモリとして機能するものであり、かつそのメモリ容量は例えば１チップで３２ＭＢ以上を実現できる高容量のメモリチップである。このように、半導体チップ２２は高メモリ容量を有しているため、1 個の半導体チップ２２で従来の半導体装置モジュールと等価のメモリ容量を実現することができる。
【００５８】
上記構成とされた半導体チップ２２は、回路基板２０に搭載された後に封止樹脂２４により封止される。この封止樹脂２４により、半導体チップ２２及びワイヤ３０は保護される。
外部接続端子２６Ａは、回路基板２２の一側縁（図中、下縁部）に所定の間隔ピッチで一例に配設されている。この外部接続端子２６Ａは、被実装体となるソケット１４に対し装着脱可能（即ち、抜き差し可能）な構成とされている。
【００５９】
このように、ソケット１４に対し半導体装置１２Ａを装着脱可能な構成とすると、ソケット１４と外部接続端子２６Ａとの間で摩擦が発生するおそれがある。このため、本参考例では摩擦強度を向上させるために、外部接続端子２６Ａの表面にパラジウム，ニッケル等の補強膜をメッキし、更にその上部には電気的接続性を向上させるために金メッキを施した構成としている。
【００６０】
放熱部材３６は例えばアルミ等の導電性の良好な金属板であり、その大きさは前記した半導体チップ２２の大きさと同一、或いはそれより大きい面積を有するよう構成されている。これは、放熱部材３６の面積が大きい程放熱特性が上昇するためである。この放熱部材３６は、例えば高熱伝導率を有した接着剤を用いて回路基板２０の背面３４に固定される。
【００６１】
また、回路基板２０の両側位置には、位置決め溝３８が形成されている。この位置決め溝３８は、回路基板２０の切り出し工程において一括的に形成されるものであり、半導体装置１２Ａをソケット１４に装着する際、ソケット１４と半導体装置１２Ａとの位置決めを行なうのに用いるものである。
このように、回路基板２０に位置決め機構として機能する位置決め溝３８を形成しておくことにより、外部接続端子２６Ａが高密度に多数配設された半導体装置１２Ａであっても、ソケット１４と半導体装置１２Ａとの位置決め処理を容易かつ正確に行なうことができる。よって、ソケット１４と半導体装置１２Ａとの接続性を向上させることができる。
【００６２】
上記したように、半導体装置１２Ａに設けられた外部接続端子２６Ａは、被実装体となるソケット１４に対し装着脱可能な構成とされている。このため、本参考例の構成によれば、高メモリ容量の半導体チップ２２を搭載した（換言すれば従来の半導体装置モジュールと等価の機能を奏する）半導体装置１２Ａをソケット１４に対し自在に装着脱（抜き差し）することが可能となる。
【００６３】
よって、例えばソケット１４をパーソナルコンピュータのようなＯＡ機器に配設した場合には、ソケット１４に対し半導体装置１２Ａを装着脱することによりメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
図５（Ｂ）は、本発明の第２参考例である半導体装置１２Ｂを示している。同図に示す半導体装置１２Ｂは、図５（Ａ）に示す第１参考例に係る半導体装置１２Ａに対し、放熱部材３６を取り除いた構成とされている。このように、半導体チップ２２の発熱量が小さい場合には、必ずしも放熱部材３６を設ける必要はない。
【００６４】
図５（Ｃ）は、本発明の第３参考例である半導体装置１２Ｃを示している。同図に示す半導体装置１２Ｃは、放熱部材３４Ａの上端部を回路基板２０の上側縁２０ａから図中上方に向け延出させることにより、延出部４０を形成したことを特徴とするものである。
このように、放熱部材３４Ａの一部に回路基板２０から外側に延出する延出部４０を形成することにより、この延出部４０を半導体装置１２Ｃの実装時における位置決めとして用いることが可能となり、よってソケット１４と半導体装置１２Ｃとの位置決め精度を向上させることができる。また、この延出部４０に他の放熱機構を接続し、放熱特性を向上させることも可能となる（図３１参照）。
【００６５】
尚、延出部４０の形成位置は回路基板２０の上側縁２０ａに限定されるものではなく、回路基板２０の外部接続端子２６Ａが形成された側縁を除く他の三側縁であれば、何れの側縁にも形成することは可能である。
図６は、本発明の第４参考例である半導体装置１２Ｄを示している。尚、図６は、半導体装置１２Ｄの底面図であり、外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの形成状態を示している。
【００６６】
同図に示すように、回路基板２０のチップ搭載面３２に形成された外部接続端子２６Ｂ、及び背面３４に形成された外部接続端子２６Ｃは、それぞれ所定の等間隔ピッチＰ１で配設されている。
しかるに、チップ搭載面３２における外部接続端子２６Ｂの形成位置と、背面３４における外部接続端子２６Ｃの形成位置は、１／２ピッチ分ずらして配設されている。これにより、半導体装置１２Ｄ全体としての外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの配設ピッチを縮小することができる。
【００６７】
即ち、各面３２，３４における外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの配設ピッチが全体としてＰ１であるのに対し、半導体装置１２Ｄ全体としての外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの配設ピッチはｐ１／２となり、外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃの実装密度を向上させることができる。
尚、各外部接続端子２６Ｂ，２６Ｃは電源端子（ＶＤＤ），接地端子（ＧＮＤ），及び信号端子（ＳＩＧ）とにより構成されるが、本参考例では信号端子（ＳＩＧ）を電源端子（ＶＤＤ）と接地端子（ＧＮＤ）との間に配設した構成としている。この構成とすることにより、外乱が信号端子（ＳＩＧ）に侵入することを防止することができる。
【００６８】
図７は、外部接続端子の他の構造を示している。前記した参考例では、図７（Ａ）に示すように、回路基板２０の両面３２，３４にそれぞれ外部接続端子２６Ａを配設した構成とした。これに対し、図７（Ｂ）に示す構造では、チップ搭載面３２のみに外部接続端子２６Ｄを配設したものである。このように、外部接続端子は必ずしも回路基板２０の両面３２，３４に形成する必要はなく、端子数が少ない時等はいずれか一方にのみ配設する構成とてもよい。
【００６９】
また、図７（Ｃ）に示す構造は、回路基板２０の下端面２０ｂにも外部接続端子２６Ｅが形成されており、よって外部接続端子２６Ｅはチップ搭載面３２，下端面２０ｂ，及び背面３４のすべての面に形成された構造となっている。更に、図７（Ｄ）に示す構造は、回路基板２０に窪んだ形状のポケット部４２を形成し、このポケット部４２が形成された位置に外部接続端子２６Ｆを形成したことを特徴とするものである。
【００７０】
この構造では、例えば図２５（Ａ），（Ｂ）に示すように、係合突起部７６を有したソケット部材１８Ｉを用い、装着状態において係合突起部７６とポケット部４２とが係合する構成とすることにより、外部接続端子２６Ｆとソケット部材１８Ｉとの接続面積を増大させることができ、よって電気的接続性を向上させることができる。また、ポケット部４２を位置決め機構として用いることもできるため、装着時における半導体装置１２Ａとソケット部材１８Ｉとの位置決め精度が向上し、確実な接続を行なうことが可能となる。
【００７１】
上記のように、外部接続端子２６Ａ〜２６Ｆを回路基板２０のチップ搭載面３２，背面３４，または下端面２０ｂの内、少なくとも何れかの面に配設することにより、種々の接続形態に対応させることができる。
続いて、ソケット１４について説明する。
図８及び図９は、本発明の第１参考例であるソケット１４を示している。ソケット１４は、リードフレーム材料（例えば、銅合金）により形成されており、また図示されるように複数のソケット部材１８Ａにより構成されている。
【００７２】
このソケット部材１８Ａは、前記した半導体装置１２Ａに形成されている外部接続端子２６Ａの数に対応している。具体的には、図３及び図４に示した半導体装置１２は、片面１２個の外部接続端子２６Ａを有しているため、ソケット部材１８Ａも１２個並設された構成とされている。
ソケット部材１８Ａは、大略すると接続部４４Ａ，連結部５０，及び実装端子部５２Ａ等を一体的に形成した構成とされている。接続部４４Ａは第１のコンタクト４６Ａ及び第２のコンタクト４８Ａにより構成されており、この第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａは協働して側面から見て略Ｃ字形状をなすよう形成されている。
【００７３】
また、第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａの先端部には接点部５４Ａ，５６Ａが形成されており、この接点部５４Ａと接点部５６Ａとの間には間隙が形成されている。この間隙の寸法は、回路基板２０の幅寸法より若干小さく設定されている。更に、接点部５４Ａ，５６Ａの位置は、半導体装置１２Ａに設けられた外部接続端子２６Ａの形成位置と対応するよう構成されている。
【００７４】
よって、半導体装置１２Ａを接続部４４Ａに挿入することにより、半導体装置１２Ａに設けられている外部接続端子２６Ａは接続部４４Ａに保持された状態となる。この保持状態において、外部接続端子２６Ａは第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａに挟持された状態となり、これにより外部接続端子２６Ａはソケット部材１８Ａと電気的に接続される。
【００７５】
また、各接触部５４Ａ，５６Ａは接続部４４Ａの上部中央位置に形成されているため、装着状態において半導体装置１２Ａはソケット部材１８Ａに立設状態で保持される。このように、半同意装置１２Ａをソケット部材１８Ａ（ソケット１４Ａ）に立設させた状態で保持できることにより、半導体装置１２Ａの実装密度を向上させることができる。
【００７６】
一方、連結部５０は複数個形成された上記の接続部４４Ａを接続するものであり、この接続部５０により各接続部４４Ａは電気的に接続された構成となる。また、接続部５０は、ソケット１４に半導体装置１２Ａが装着された状態において、回路基板２０の面方向に対し直角方向に延在する構成となる。
また、実装端子部５２Ａは、連結部５０の下部に下方に向け延出するよう形成されている。この実装端子部５２Ａは、ソケット１４が配設される機器（例えばパーソナルコンピュータ）に設けられている実装基板に電気的及び機械的に接続される。これにより、ソケット１４に装着された半導体装置１２Ａは、各ソケット部材１８Ａに形成されている接続部４４Ａ，連結部５０，及び実装端子部５２Ａを介して実装基板に接続される。
【００７７】
ここで、メモリとして機能する半導体装置１２Ａの外部接続端子１８Ａが有する端子特性について説明する。前記したように、半導体装置１２Ａに設けられる外部接続端子１２Ａには、電源端子（ＶＤＤ），接地端子（ＧＮＤ），及び信号端子（ＳＩＧ）が存在する。同一或いは同種の半導体装置１２Ａを複数個配設する場合、半導体装置１２Ａがメモリである場合には、同一端子特性を有する外部接続端子同志を電気的に接続することが行われる。
【００７８】
即ち、図１を例に挙げて説明すれば、同図の一番手前に示される半導体装置１２Ａの符号２６Ａ-1で示される外部接続端子が電源端子であったとすると、残る２個の半導体装置１２Ａの同一位置に配設された外部接続端子は同じく電源端子となる。よって、３個配設された半導体装置１２Ａをソケット部材１８Ａ-1で接続することにより、１個のソケット部材１８Ａ-1で複数個の半導体装置１２Ａに対して電源供給を行うことができる。
【００７９】
これは、接地端子（ＧＮＤ）及び信号端子（ＳＩＧ）についても同様の構成とすることができ、よってソケット部材１８Ａを半導体装置１２Ａに設けられた外部接続端子２６Ａの形成位置に対応して並設することにより、複数個の半導体装置１２Ａを接続してモジュール化する場合、少ない配線数で半導体装置モジュール１０Ａを実現することができる。
【００８０】
このため、本参考例にソケット１４は、ソケット部材１８Ａを回路基板２０の面方向に対し直行する方向に延在するよう構成し、ソケット１４に装着される半導体装置１２Ａの同種の外部接続端子２６Ａをソケット部材１８Ａにより接続する構成としている。
尚、半導体装置１２Ａに設けられている全ての外部接続端子２６Ａについて、上記のようにソケット部材１８Ａを用いて接続することはできない。即ち、情報を書き込み或いは読み出す半導体装置を指定する指定信号が入力される外部接続端子については、共通化することができない。この外部接続端子に接続するソケット部材の構成については、説明の便宜上、後に詳述するものとする。
【００８１】
上記構成とされたソケット１４によれば、ソケット部材１８Ａを構成する複数の接続部４４Ａは、半導体装置１２Ａを装着脱自在に保持する構成であるため、ソケット１４に対し高メモリ容量を有した半導体装置１２Ａを装着脱可能となる。このため、ソケット１４を実装端子部５２Ａを介して実装基板（例えば、パーソナルコンピュータの実装基板）に配設した場合には、ソケット１４に半導体装置１２Ａを装着脱することにより、パーソナルコンピュータのメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
【００８２】
また、接続部４４Ａは協働して略Ｃ字形状をなす第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａにより構成されているため、単に半導体装置１２Ａを接続部４４Ａで挟持することにより、ソケット部材１８Ａと半導体装置１２Ａとの電気的接続及び半導体装置１２Ａの保持を行なうことができる。よって、極めて簡単な構成で半導体装置１２Ａの接続及び保持を行なうことができる。
【００８３】
また、図９に示されるように、接続部４４Ａの連結部５０からの突出量ｈ１はそれより下部の長さｈ２に比べて小さくなるよう設定されている。即ち、接続部４４Ａの連結部５０からの突出量ｈ１は、半導体装置１２Ａを保持を確実に行いうる範囲において最小の突出量となるよう構成されている。
これにより、第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａの電気的抵抗の低減を図ることができ、よってコンタクト部材１８Ａと半導体装置１２Ａとの電気的接続性を向上させることができる。
【００８４】
更に、上記したようにソケット部材１８Ａは、接続部４４Ａ，連結部５０，及び実装端子部５２Ａを一体的に形成した構成であるため、１回のプレス加工で形成することが可能であり、よってソケット１４を容易に製造することができる。ところで、上記のように接続部４４Ａは半導体装置１２Ａが装着脱（抜き差し）されるものであるため、外部接続端子２６Ａと接続部４４Ａとの間に摩擦が発生し、これを防止するためにソケット部材１８Ａにはパラジウムまたはニッケルメッキ（保護膜）が施されている。
【００８５】
しかるに、第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａに形成された接点部５４Ａ，５６Ａの間隙距離が狭い場合には、この接点部５４Ａ，５６Ａに保護膜が良好な状態でメッキできないおそれがある。これを防止するためには、接点部５４Ａ，５６Ａの離間距離を大きく設定すればよいが、単に接点部５４Ａ，５６Ａの離間距離を大きくした構成では、半導体装置１２Ａを挟持する保持力（バネ力）が小さくなり確実な保持が行なえないおそれがある。
【００８６】
そこで、これを解決するための参考例を図１０乃至図１２に示す。図１０乃至図１２は、第２乃至第４参考例であるソケットに設けられる接続部４４Ｂ〜４４Ｄを夫々拡大して示している。
各図に示される第２乃至第４参考例に係るソケットに設けられる接続部４４Ｂ〜４４Ｄは、夫々第１のコンタクト４６Ｂ〜４６Ｄの接点部５４Ｂ〜５４Ｄと第２のコンタクト４８Ｂ〜４８Ｄの接点部５６Ｂ〜５６Ｄを、半導体装置１２Ａの装着方向（図中、上下方向）に対しずらして配置したことを特徴とするものである。各図において、矢印ｈで示すのは接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄのずれ量である。
【００８７】
特に、図２に示される接続部４４Ｂは接点部５４Ｂ及び接点部５６Ｂを間隙側に向け突出した構成とされており、また図３に示す接続部４４Ｃは接点部５４Ｂ及び接点部５６Ｂが協働して略Ｓ字状の間隙を形成するよう構成したものであり、更に図１２に示す接続部４４Ｄは第１及び第２のコンタクト４６Ｄ，４８Ｄとしてピン状の部材を用い、上記参考例と異なりその側面形状をＣ字形状から変形させた構成のものである。
【００８８】
上記のように、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄを半導体装置１２Ａの装着方向に対してずらした構成とすることにより、装着時における半導体装置１２Ａを保持する力（挟持力）を大きく維持しつつ、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとの間の実質的な離間距離を大きくすることができる。即ち、各接続部４４Ｂ〜４４Ｄを平面視した場合（即ち、図中矢印Ａで示す方向に見た場合）、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとは重なった状態に見える。即ち、半導体装置１２Ａを挟持する点からいえば、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとの離間距離は狭くなっており、よって半導体装置１２Ａを保持する力を大きく維持することができる。
【００８９】
また、各接続部４４Ｂ〜４４Ｄを側面視した場合、図１０乃至図１２に示されるように、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとの離間距離は広くなっている。よって、各接点部５４Ｂ〜５４Ｄ，５６Ｂ〜５６Ｄに対して確実にメッキ処理を行なうことができ、外部接続端子１２Ａに対する耐摩擦性を向上させることができる。
【００９０】
また、接点部５４Ｂ〜５４Ｄと接点部５６Ｂ〜５６Ｄとの離間距離が広いと、ソケット部材をプレス加工する際に用いる金型の形成を容易とすることができ、金型コストの低減及び第１及び第２のコンタクト４６Ｂ〜４６Ｄ，４８Ｂ〜４８Ｄの形成、即ちソケット部材の形成を容易に行なうことが可能となる。
一方、図８乃至図１２に示したソケットでは、接続部４４Ａ〜４４Ｄによる半導体装置１２Ａの保持は、第１及び第２のコンタクト４６Ａ〜４６Ｄ，４８Ａ〜４８Ｄが外部接続端子２６Ａを挟持することによりのみ行なわれていた。即ち、図８乃至図１２に示したソケットでは、半導体装置１２Ａを一点においてのみ保持する構成であった。このため、装着状態において、半導体装置１２Ａに倒れが発生するおそれがある。
【００９１】
そこで、これを解決するための参考例を図１３乃至図１５に示す。図１３乃至図１５は、第５乃至第７参考例であるソケットに設けられる接続部４４Ｅ〜４４Ｇを夫々拡大して示している。
図１３は、第５参考例に係るソケットに設けられる接続部４４Ｅを示している。本参考例に係る接続部４４Ｅは、第１のコンタクト４６Ａと第２のコンタクト４８Ａとの間位置に、半導体装置１２Ａが嵌挿される係止凹部５８を形成したことを特徴とするものである。
【００９２】
この構成とすることにより、装着状態において半導体装置１２Ａは第１及び第２のコンタクト４６Ａ，４８Ａによる保持と共に、半導体装置１２Ａが係止凹部５８と係合する係合力によっても保持される。このため、半導体装置１２Ａの保持をより確実に行なうことができる。
図１４は、第６参考例に係るソケットに設けられる接続部４４Ｆを示している。本参考例に係る接続部４４Ｆは、前記した図１３に示される接続部４４Ｅの構成に加え、係止凹部５８に対する半導体装置１２Ａの嵌挿を案内する案内部６０を設けたことを特徴とするものである。
【００９３】
この案内部６０は係止凹部５８と連続して形成され、上方に向かい開口した構成とされている。よって、案内部６０を設けることにより、半導体装置１２Ａの係止凹部５８への係合を容易かつ確実に行なうことができる。
図１５は、第７参考例に係るソケットに設けられる接続部４４Ｇを示している。本参考例に係る接続部４４Ｇは、第１及び第２のコンタクト４６Ｅ，４８Ｅに夫々複数個の接点部５４Ｅ，５４Ｆ，５６Ｅ，５６Ｆを設けたことを特徴とするものである。
【００９４】
この各接点部５４Ｅ，５４Ｆ，５６Ｅ，５６Ｆは、夫々半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａと接触する構成とされている。また、第１のコンタクト４６Ｅに設けられる接点部５４Ｅ，５４Ｆは図中上下方向に所定距離離間して形成され、同様に第２のコンタクト４８Ｅに設けられる接点部５６Ｅ，５６Ｆも図中上下方向に所定距離離間して形成されている。
【００９５】
接続部４４Ｇを上記構成とすることにより、装着状態において半導体装置１２Ａは接続部４４Ｇに複数の位置で保持及び電気的接続が行なわれることとなる。これにより、装着時における半導体装置１２Ａの保持を確実に行なうことができると共に、半導体装置１２Ａとソケットとの電気的接続性を向上させることができる。尚、図１５に示す参考例では、係止凹部５８も合わせて設けた構成を示している。
【００９６】
続いて、図１６乃至図１８を用いて本発明の第８乃至第１０参考例であるソケットについて説明する。第８乃至第１０参考例に係るソケットは、ソケット部材１８Ｂ〜１８Ｄに設けられる実装端子部５２Ｂ〜５２Ｄに特徴を有するものである。
図１６に示す第８参考例に係るソケット部材１８Ｂは、実装端子部５２Ｂを表面実装に対応するよう構成したものである。即ち、実装端子部５２Ｂの連結部５０からの下方延出長さは短くされており、実装基板に対して表面実装可能な構成とされている。
【００９７】
また、図１７に示す第９参考例に係るソケット部材１８Ｃは、第８参考例と同様に表面実装に対応するよう構成したものであり、更に表面実装時における強度強化を図るために、連結部５０の下部にサポート端子６２を設けると共に実装端子部５２Ｃを複数個に分割形成したことを特徴とするものである。
更に、図１８に示す第１０参考例に係るソケット部材１８Ｄは、挿入実装に対応するよう構成したものであり、よって実装端子部５２Ｄは連結部５０から下方に向け長く延出形成されている。この実装端子部５２Ｄは、実装時において実装基板に形成されている実装孔に挿入された上で、実装基板に接続（半田付け）される。このため、挿入処理の容易化を図るため、実装端子部５２Ｄは下端部に向かうにつれて幅狭となるよう構成されている。
【００９８】
上記のように、実装端子部５２Ａ〜５２Ｄの形態は特に限定されるものではなく、表面実装及び挿入実装の双方に対応させることができ、よって所望する実装形態に応じて実装端子部５２Ａ〜５２Ｄの形態を適宜選択することができる。
続いて、図１９及び図２０を用いて本発明の第１１参考例であるソケットについて説明する。第１１参考例に係るソケットでは、ソケット部材１８Ｅ，１８Ｆに形成される接続部４４Ａの中心位置と、実装端子部５２Ｅ，５２Ｆの中心位置とをずらして配置したことを特徴とするものである。
【００９９】
図１９（Ａ）に示すソケット部材１８Ｅは、接続部４４Ａの中心位置に対し、実装端子部５２Ｅを図中右方向にピッチＰ２だけずらした構成とされている。また、図１９（Ｃ）に示すソケット部材１８Ｆは、接続部４４Ａの中心位置に対し、実装端子部５２Ｆを図中左方向にピッチＰ３だけずらした構成とされている。尚、図１９（Ｂ）に示すソケット部材１８Ａは前記した第１参考例に係るソケット１４に設けられるものであり、接続部４４Ａの中心位置に実装端子部５２Ａが形成されている。
【０１００】
図２０は、上記構成とされた３種類のソケット部材１８Ａ，１８Ｅ，１８Ｆを、右側よりソケット部材１８Ｅ，ソケット部材１８Ａ，ソケット部材１８Ｆの順番で並設したソケット１４を示している。各ソケット部材１８Ａ，１８Ｅ，１８Ｆに形成された外部接続端子部５２Ａ，５２Ｅ，５２Ｆは、前記のように夫々接続部４４Ａに対する形成位置が異なるよう構成されている。
【０１０１】
従って、ソケット部材１８Ａ，１８Ｅ，１８Ｆが並設された状態のソケット１４を底面視すると、各外部接続端子部５２Ａ，５２Ｅ，５２Ｆは千鳥状の配列構造となる。これにより、実装端子部５２Ａ，５２Ｅ，５２Ｆの実質的な配設ピッチを狭ピッチ化（高密度化）することができ、よって多数の外部接続端子２６Ａを有する高密度化された半導体装置１２Ａにも対応することが可能となる。
【０１０２】
続いて、図２１及び図２２を用いて本発明の第１２参考例であるソケットについて説明する。本参考例では、ソケット部材１８Ｇを外部接続端子２６Ａの形成位置に対応するよう、隣接するソケット部材１８Ｇ間の位置決めを行なう位置決め機構を設けたことを特徴とするものである。前記のように、ソケットは複数のソケット部材１８Ｇを並設させることにより構成されるものである。
また、各ソケット部材１８Ｇに形成された接続部４４Ａは、半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａの形成位置に対応させる必要がある。このため、半導体装置１２Ａとソケットとの接続を確実に行なうためには、並設状態おける隣接するソケット部材１８Ｇ間のピッチ（並設ピッチＰ４）を精度よく決める必要がある。
【０１０３】
そこで本参考例では、位置決め機構をソケット部材１８Ｇに形成された位置決め突起６４と、この位置決め突起６４と係合する位置決め孔６８を有するフレーム部材６６とにより構成した。
位置決め突起６４は、ソケット部材１８Ｇの連結部５０の上端に上方に向け突出するよう形成されている。この位置決め突起６４は、ソケット部材１８Ｇをプレス加工により製造する際に同時に形成される。よって、位置決め突起６４をソケット部材１８Ｇに形成するに際し、困難を伴うようなことはない。また、フレーム部材６６は例えば絶縁性を有した樹脂或いは金属等により構成されており、所定の並設ピッチＰ４で位置決め孔６８が高精度に穿設されている。
【０１０４】
上記構成とされた位置決め機構において、隣接するソケット部材１８Ｇ間の並設ピッチＰ４を所定ピッチに設定するには、位置決め突起６４と位置決め孔６８を位置決めし、フレーム部材６６を各ソケット部材１８Ｇに装着する。これだけの簡単な作業により、各ソケット部材１８Ｇの位置決めを行なうことができる。よって、極めて簡単な構成で、かつ簡単な位置決め処理で半導体装置１２Ａとソケット部材１８Ｇとの接続性を向上させることができる。
【０１０５】
尚、フレーム部材６６の配設位置はソケット部材１８Ｇの端部に限定されるものではなく、位置決め突起６４が形成されている位置であれば任意の位置に配設することが可能である。
続いて、図２３及び図２４を用いて本発明の第１３参考例であるソケットについて説明する。本参考例も、隣接するソケット部材１８Ａ，１８Ｈ間の位置決めを行なう位置決め機構を設けたことを特徴とするものであり、位置決め機構をソケット部材１８Ａ，１８Ｈの一部を封止或いは圧入する位置決め樹脂７０Ａ，７０Ｂにより構成したものである。
【０１０６】
図２３に示す参考例では、ソケット部材１８Ａの連結部５０を位置決め樹脂７０Ａにより封止することにより隣接するソケット部材１８Ａ間の位置決めを行なっている。この場合、位置決め樹脂７０Ａを形成するのに用いる金型には、ソケット部材１８Ａを所定の並設ピッチで保持するホルダ部が形成されており、このホルダ部にソケット部材１８Ａを保持させた状態で樹脂モールドを行なうことにより、位置決め樹脂７０Ａによりソケット部材１８Ａを所定並設ピッチで位置決めすることができる。
【０１０７】
また、図２４に示す参考例では、ソケット部材１８Ｈの実装端子部５２Ｆを位置決め樹脂７０Ｂに形成された圧入孔７２（所定の並設ピッチで形成されている）に圧入することにより隣接するソケット部材１８Ｈ間の位置決めを行なっている。また、実装端子部５２Ｆには抜け止め爪７４が形成されており、ソケット部材１８Ｈが位置決め樹脂７０Ｂから容易に抜けないよう構成されている。
【０１０８】
上記のように、連結部５０を位置決め樹脂７０Ａにより封止、或いは実装端子部５２Ｆを位置決め樹脂７０Ｂに形成された圧入孔７２に圧入することにより、ソケット部材１８Ａ，１８Ｈは位置決め樹脂７０Ａ，７０Ｂにより所定位置に固定され、よって半導体装置１２Ａとソケット部材１８Ａ，１８Ｈとの接続性を向上させることができる。
【０１０９】
続いて、本発明の一実施例であるソケットの構成について図２６乃至図２９を用いて説明する。
前記したように、メモリとして機能する半導体装置１２Ａを複数個配設して半導体装置モジュール１０を構成する場合、各半導体装置１２Ａに形成された外部接続端子２６Ａの内、同一或いは同種の機能を奏する外部接続端子２６Ａについては各半導体装置１２Ａ間で接続して用いることができる。そして、この構成とすることにより複数個の半導体装置１２Ａをモジュール化する場合、少ない配線数で半導体装置モジュール１０Ａを実現することができる。
【０１１０】
しかるに、半導体装置１２Ａに設けられている全ての外部接続端子２６Ａを上記のようにソケット部材１８Ａを用いて接続することはできない。即ち、複数個配設される半導体装置１２Ａにおいて、駆動させる半導体装置を指定する指定信号が入力される外部接続端子については、共通化することができない。
そこで本実施例に係るソケットでは、複数の半導体装置１２Ａの内、特定の半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａにのみ信号を送信する必要がある場合には、特定の半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａに対応する位置にのみ接続部４４Ａを配設し、他の半導体装置１２Ａに対応する位置には接続部４４Ａを配設しない構成としたことを特徴とするものである。以下、この構成について図２６及び図２７を用いて詳述する。
【０１１１】
図２６は、本実施例に係るソケット１４Ａを示している。同図に示すソケット１４Ａは４本のソケット部材（説明の便宜上、各ソケット部材をＳ１〜Ｓ４で示す）から構成されており、また第１乃至第３の半導体装置（説明の便宜上、各半導体装置をＬ，Ｍ，Ｎと示す）が装着される構成とされている。また、同図においてＮＣと示された部位は、接続部４４Ａが配設されていない部位である。具体的には、ソケット部材Ｓ２の第３の半導体装置Ｎが装着される部位、ソケット部材Ｓ４の第２の半導体装置Ｍが装着される部位については、接続部４４Ａは配設されていない。
【０１１２】
更に、図２７（Ａ）〜（Ｃ）は、ソケット１４Ａに装着される３個の半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎの外部接続端子（説明の便宜上、Ｌ１〜Ｌ４，Ｍ１〜Ｍ４，Ｎ１〜Ｎ４と示す）を拡大して示している。
上記構成とされた半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎをソケット１４Ａに装着した場合における、接続部４４Ａと外部接続端子Ｌ１〜Ｌ４，Ｍ１〜Ｍ４，Ｎ１〜Ｎ４との接続状態について考察する。
【０１１３】
先ず、ソケット部材Ｓ１に注目する。本実施例では、第１の半導体装置Ｌの外部接続端子Ｌ１，第２の半導体装置Ｍの外部接続端子Ｍ１，及び第３の半導体装置Ｎの外部接続端子Ｎ１は同一の機能を有した端子とされている。このため、ソケット部材Ｓ１は、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎが装着される全ての位置において接続部４４Ａが形成された構成とされている。
【０１１４】
これにより、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎをソケット１４Ａに装着した状態において、第１の半導体装置Ｌの外部接続端子Ｌ１，第２の半導体装置Ｍの外部接続端子Ｍ１，及び第３の半導体装置Ｎの外部接続端子Ｎ１はソケット部材Ｓ１により電気的に接続された構成となる。
従って、１個のソケット部材Ｓ１を外部接続端子Ｌ１，Ｍ１，Ｎ１の共通した配線として用いることができる。これは、ソケット部材Ｓ３についても同様のことが言え、１個のソケット部材Ｓ３を外部接続端子Ｌ３，Ｍ３，Ｎ３の共通した配線として用いることができる。
【０１１５】
続いて、ソケット部材Ｓ２に注目する。本実施例では、第１の半導体装置Ｌの外部接続端子Ｌ２及び第２の半導体装置Ｍの外部接続端子Ｍ２は同一の機能を有した端子とされているが、第３の半導体装置Ｎの外部接続端子Ｎ３は外部接続端子Ｌ２，Ｍ２とは異なる機能を有した端子とされている。
このため、ソケット部材Ｓ２は、外部接続端子Ｌ２，Ｍ２と対応する位置については接続部４４Ａが形成されているが、外部接続端子Ｎ３と対応する位置については接続部４４Ａが形成されていない。従って、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎをソケット１４Ａに装着した場合、外部接続端子Ｎ３についてはソケット部材Ｓ２から信号が供給されることはない。
【０１１６】
更に、ソケット部材Ｓ４に注目する。本実施例では、第１の半導体装置Ｌの外部接続端子Ｌ４及び第３の半導体装置Ｎの外部接続端子Ｎ４は同一の機能を有した端子とされているが、第２の半導体装置Ｍの外部接続端子Ｍ４は外部接続端子Ｌ４，Ｎ４とは異なる機能を有した端子とされている。
このため、ソケット部材Ｓ４は、外部接続端子Ｌ４，Ｎ４と対応する位置については接続部４４Ａが形成されているが、外部接続端子Ｍ４と対応する位置については接続部４４Ａが形成されていない。従って、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎをソケット１４Ａに装着した場合、外部接続端子Ｍ４についてはソケット部材Ｓ４から信号が供給されることはない。
【０１１７】
上記構成とすることにより、半導体装置Ｌ，Ｍ，Ｎの外部接続端子Ｌ１〜Ｌ４，Ｍ１〜Ｍ４，Ｎ１〜Ｎ４に選択的に信号を送信することが可能となる。また、信号の供給を行ないたくない外部接続端子Ｍ４，Ｎ２については、この外部接続端子Ｍ４，Ｎ２の装着位置に対応する部位の接続端子４４Ａを切断して除去しておくのみで信号の供給停止を行なうことができる。
【０１１８】
図２８は、本実施例であるソケット（ソケット部材）の製造方法を説明するための図である。同図はリードフレーム７８を示しており、このリードフレーム７８にソケット部材１８Ａ，１８Ｊが形成された例を示している。このリードフレーム７８は、板状基材をプレス加工（打ち抜き加工）を行なうことにより形成される。この際、ソケット部材１８ＪのＮＣで示される部位は打ち抜かれ接続部は形成されていない。このように、接続部の除去はリードフレーム７８の形成時に一括的に行なうことができる。
【０１１９】
また、図２９に示す構成では、接続部４４Ａと連結部５０とが接続する部位に幅細部８０Ａを形成すると共に、連結部５０の接続部４４Ａが隣接する間位置にも幅細部８０Ｂを形成したものである。この構成では、幅細部８０Ｂの強度は弱いため、この幅細部８０Ｂを図中破線Ｘ１で示す位置で切断することにより接続部４４Ａをソケット部材１８Ｋから除去することができる。
【０１２０】
また、上記した実施例では、信号の供給を行ないたくない外部接続端子Ｍ４，Ｎ２について信号の供給を停止する手段として接続部４４Ａを除去する方法を説明したが、連結部５０を切断することによっても同様の信号の供給停止を行なうことができる。
この場合には、幅細部８０Ａを図２９に破線Ｙ１，Ｙ２で示す位置で切断すればよい。このように、幅細部８０Ａ，８０Ｂを適宜切断することにより所望の信号供給ラインを形成することができ、よって特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することが可能となる。
【０１２１】
続いて、本発明の第１５参考例であるソケットの構成について図３０を用いて説明する。
本参考例に係るソケットでは、これに用いられるソケット１８Ｌの接続部４４Ｆが半導体装置１２Ａを斜めに傾けて装着できるよう構成したことを特徴とするものである。具体的には、第１のコンタクト４６Ｆの長さを第２のコンタクト４８Ｆの長さよりも長くすることにより、各コンタクト４６Ｆ，４８Ｆ間に形成される間隙が側部に位置するよう構成されている。
【０１２２】
この構成とすることにより、半導体装置１２Ａは接続部４４Ｆに対して斜めに装着されることとなり、よって半導体装置１２Ａは接続部４４Ｆに斜めに傾いた状態で保持される。これにより、装着状態における半導体装置１２Ａの高さを低くすることができ、よって低背化が要求されている機器に適用することが可能となる。
【０１２３】
図３１は、第１５参考例であるソケットを用いた半導体装置モジュール１０Ｂを示している。同図に示されるように、ソケットを構成する各ソケット部材１８Ｌは矩形状とされたソケット枠８２の底部に配設されており、各半導体装置１２Ｃはソケット部材１８Ｌに対し斜めに装着され構成とされている。
また、各半導体装置１２Ｃに設けられた放熱部材３４には回路基板２０より延出する延出部４０が形成されている。更に、ソケット枠８２の上部には放熱板８４が形成されており、この放熱板８４には延出部４０と係合する係合部（図示せず）が形成されている。
【０１２４】
上記構成とされた半導体装置モジュール１０Ｂは、各半導体装置１２Ｃが傾いた状態で装着されているため、全体の形状を低背化することができる。また、延出部４０が放熱板８４に係合することにより熱的に接続されるため、放熱面積は増大して半導体チップ２２の放熱効率を更に向上させることができる。
尚、上記した各参考例では、隣接して配置されたソケット部材１８Ａ〜１８Ｌの間には何も配設しないか、或いは位置決めのための位置決め樹脂７０Ａ，７０Ｂを配設するのみであった。しかるに、図３２に示すように、隣接するソケット部材（図ではソケット部材１８Ａを例に挙げている）の間に、リード板８６を配設した構成としてもよい。
【０１２５】
このリード板８６は、例えばグランド配線（ＧＮＤ），電源配線（ＶＤＤ）として機能するものであり、絶縁性接着剤を用いて各ソケット部材１８Ａに接着固定される。このように、隣接するソケット部材１８Ａの間に配線として機能するリード板８６を配設することにより、電送系（ＧＮＤ，ＶＤＤ）の強化を図ることができる。
【０１２６】
続いて、本発明の第１７参考例であるソケットの構成について図３３を用いて説明する。
本参考例に係るソケットに用いられるソケット部材１８Ｍは、コンタクトピン部９０Ａが外部接続端子２６Ａの片側にのみ当接するよう構成されている。また、前記した各参考例と同様に、各コンタクトピン部９０Ａは連結部５０により電気的，機械的に接続された構成とされている。また本参考例では、半導体装置１２Ａを装着保持するために、ハウジング９２を設けたことを特徴としている。
【０１２７】
ハウジング９２は絶縁性樹脂等により形成されており、例えば実装基板１６に固定されている。また、ハウジング９２の導体装置１２Ａが装着される所定位置は挿入孔９４が形成されており、よって半導体装置１２Ａは挿入孔９４に挿入されることによりハウジング９２に立設状態で保持される。また、ハウジング９２には収納凹部９６が形成されており、コンタクトピン部９０Ａはこの収納凹部９６内に変位可能な構成で収納されている。
【０１２８】
ソケット部材１８Ｍは実装基板１６上に複数個並設されることによりソケットを構成するものであり、連結部５０の上部に上記したコンタクトピン部９０Ａが一体的に形成されると共に、連結部５０の下部には実装基板１６に接続される挿入実装タイプの実装端子部５２Ｇが形成されている。このソケット部材１８Ｍに形成されたコンタクトピン部９０Ａは、半導体装置１２Ａが装着されない状態において図中破線で示す部位に位置している。
【０１２９】
そして、半導体装置１２Ａがハウジング９２の挿入孔９４に装着されることにより、有するバネ性により変位し、バネ力をもって半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａ（同図では、図示を省略している）に圧接する。これにより、コンタクトピン部９０Ａは半導体装置１２Ａと電気的に接続された状態となる。また、半導体装置１２Ａをハウジング９２から抜き出すことにより、コンタクトピン部９０Ａは弾性復元力により破線で示す位置に復帰する。
【０１３０】
本参考例では、ハウジング９２が複数個の半導体装置１２Ａを立設状態で装着する構成とされているため、半導体装置１２Ａの実装密度を向上させることができる。また、ハウジング９２は半導体装置１２Ａを装着脱自在に保持する構成であるため、ソケット（ソケット部材１８Ｍ）に対し高メモリ容量を有した半導体装置１２Ａを装着脱可能となり、半導体装置１２Ａの装着脱によりメモリ容量の変更を行なうことが可能となる。
【０１３１】
続いて、本発明の第１８参考例であるソケットの構成について図３４を用いて説明する。
本参考例に係るソケットに用いられるソケット部材１８Ｎも、前記した第１７参考例と同様に、コンタクトピン部９０Ｂが外部接続端子２６Ａの片側にのみ当接する構成とされている。また、各コンタクトピン部９０Ｂは連結部５０により電気的，機械的に接続された構成とされている。また本実施例では、半導体装置１２Ａとコンタクトピン部９０Ｂを電気的に接続するために、中間板９８を設けたことを特徴としている。
【０１３２】
中間板９８は絶縁性樹脂等により形成されており、固定された実装基板１６にたいし、図中矢印Ｘ１，Ｘ２で示す方向に移動可能な構成とされている。また、中間板９８のコンタクトピン部９０Ｂの形成位置には開口部１００が形成されており、各コンタクトピン部９０Ｂはこの開口部１００を介して中間板９８の上部に延出している。
【０１３３】
ソケット部材１８Ｎは実装基板１６上に複数個並設されることによりソケットを構成するものであり、連結部５０の上部に上記したコンタクトピン部９０Ｂが一体的に形成されると共に、連結部５０の下部には実装基板１６に接続される挿入実装タイプの実装端子部５２Ｇが形成されている。このソケット部材１８Ｎに形成されたコンタクトピン部９０Ｂは、半導体装置１２Ａが装着されない状態において図中実線で示す部位に位置している。
【０１３４】
このコンタクトピン部９０Ｂはバネ性を有しており、図中矢印Ｄ１方向に向け弾性力を附勢する構成とされている。しかるに、コンタクトピン部９０Ｂは中間板９８に係合することにより矢印Ｄ１方向への弾性変形は規制されており、よって実線で示す位置に係止されている。
上記構成において、半導体装置１２Ａが図示しない保持手段により所定位置に装着保持されると、中間板９８を図中矢印Ｘ１方向に移動させる。これにより、中間板９８によるコンタクトピン部９０Ｂの弾性変形の規制は解除され、よってコンタクトピン部９０Ｂは矢印Ｄ１方向に変位する。
【０１３５】
また、半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａは、コンタクトピン部９０Ｂの変位軌跡上に位置するよう構成されているため、コンタクトピン部９０Ｂは弾性力をもって外部接続端子２６Ａに圧接する。これにより、コンタクトピン部９０Ｂは半導体装置１２Ａと電気的に接続された状態となる（図中、破線で示す状態がコンタクトピン部９０Ｂと半導体装置１２Ａとが電気的に接続した状態である）。
【０１３６】
また、この接続状態より中間板９８を矢印Ｘ２方向に移動させると、コンタクトピン部９０Ｂは弾性力に抗して矢印Ｄ２方向に変位し、これによりコンタクトピン付９０Ｂは半導体装置１２Ａから離間し電気的接続は解除される。
上記のように、本参考例の構成によれば、中間板９８によりコンタクトピン部９０Ｂは外部接続端子２６Ａと接続する接続位置（破線で示す位置）と、接続を解除する解除位置（実線で示す位置）との間で移動する構成となる。
【０１３７】
このため、接続状態においては積極的にコンタクトピン部９０Ｂを外部接続端子２６Ａと接続させることができ、よってコンタクトピン部９０Ｂと外部接続端子２６Ａとの電気的接続性を向上させることができる。また、接続解除時においては、コンタクトピン部９０Ｂと外部接続端子２６Ａとを確実に離間させることができるため、コンタクトピン部９０Ｂと外部接続端子２６Ａとの誤接続を防止することができる。
【０１３８】
続いて、本発明の第１９参考例であるソケットの構成について図３５を用いて説明する。
本参考例に係るソケットに用いられるソケット部材は、図３３を用いて説明した第１７参考例に係るソケット部材１８Ｍと同一構成とされている。また、図３５では実装基板１６の図示は省略している。
【０１３９】
本参考例では、ソケット部材１８Ｍに対し半導体装置１２Ａを移動させる移動板１０２を設けたことを特徴としている。この移動板１０２は、半導体装置１２Ａが挿入される挿入孔１０４と、ソケット部材１８Ｍに設けられたコンタクトピン部９０Ｃが収納される収納凹部１０６とが形成された構成とされている。また、移動板１０２は、図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動可能な構成とされている。
【０１４０】
次に、本参考例における動作について説明する。図３５（Ａ）は、移動基板１０２の挿入孔１０４に半導体装置１２Ａが装着された直後の状態を示している。この状態では、移動基板１０２は矢印Ｘ１方向に移動しており、よって半導体装置１２Ａはコンタクトピン部９０Ｃから離間し、よって外部接続端子２６Ａとコンタクトピン部９０Ｃは接続されていない。
【０１４１】
上記のように半導体装置１２Ａが移動基板１０２の挿入孔１０４に装着されると、続いて移動基板１０２を図中矢印Ｘ２方向に移動させる。この移動基板１０２の移動に伴い、半導体装置１２Ａも図中矢印Ｘ２方向に移動する。そして、所定距離移動した時点で、図３５（Ｂ）に示されるように、半導体装置１２Ａの外部接続端子２６Ａはコンタクトピン部９０Ｃに圧接する。
【０１４２】
これにより、外部接続端子２６Ａとコンタクトピン部９０Ｃとは電気的に接続された状態となる。尚、半導体装置１２Ａをソケットから抜き取る場合には、上記の動作と逆の動作が行なわれる。
本参考例の構成によれば、外部接続端子２６Ａを設けた半導体装置１２Ａは、移動板１０２によりコンタクトピン部９０Ｃと接続する接続位置と、接続を解除する解除位置との間で移動する構成となる。このため、接続状態においては強制的にコンタクトピン部９０Ｃを外部接続端子２６Ａと接続させることができ、よってコンタクトピン部９０Ｃと外部接続端子２６Ａとの電気的接続性を向上させることができる。
【０１４３】
また、接続解除時においては、移動板１０２により半導体装置１２Ａは解除位置に強制的に移動されるため、コンタクトピン部９０Ｃと外部接続端子２６Ａとを確実に離間させることができ、コンタクトピン部９０Ｃと外部接続端子２６Ａとの誤接続を防止することができる。
尚、上記のように半導体装置とソケットにより構成される半導体装置モジュールを構成するに際し、半導体装置とソケット（ソケット部材）の組み合わせは種々考えられる。即ち、前記したソケット部材１８Ａ〜１８Ｎ、及び半導体装置１２Ａ〜１２Ｄの何れを組み合わせて半導体装置モジュールを構成してもよい。この場合、何れの構成であっても、半導体装置１２Ａ〜１２Ｄをソケット部材１８Ａ〜１８Ｎに対して装着脱可能することにより、半導体モジュール全体としてのメモリ容量の変更を容易に行なうことができる。
【０１４４】
【発明の効果】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
請求項１記載の発明によれば、半導体装置用ソケットは複数個の半導体装置を立設状態で装着する構成とされているため、半導体装置の実装密度を向上させることができる。また、ソケット部材は半導体装置に設けられた外部接続端子の形成位置に対応して並設された構成とされており、また各接続部は連結部により電気的に接続された構成とされているため、メモリとして機能する複数の半導体装置において、ソケット部材を同種の外部接続端子を接続する配線として用いることができる。また、接続部は半導体装置を装着脱自在に保持する構成であるため、半導体装置用ソケットに対し高メモリ容量を有した半導体装置を装着脱可能となり、メモリ容量の変更を容易に行なうことができる。
【０１５０】
また、請求項２記載の発明によれば、極めて簡単な構成で半導体装置との接続及び保持を行なうことができると共に、電気的抵抗が低減されることにより接続特性の向上を図ることもできる。また、１回のプレス加工で形成することが可能であるため、半導体装置用ソケットを容易に製造することができる。
また、請求項３記載の発明によれば、装着時における半導体装置を保持する力（挟持力）を大きく維持しつつ、各接点部の実質的な離間距離を大きくすることができるため、第１及び第２のコンタクトの形成を容易に行なうことが可能となる。
【０１５１】
また、請求項４記載の発明によれば、装着状態において半導体装置は第１及び第２のコンタクトによる保持と共に係止凹部との係合力によっても保持されるため、半導体装置の保持をより確実に行なうことができる。
また、請求項５記載の発明によれば、装着時における半導体装置の保持を確実に行なうことができると共に、半導体装置と半導体装置用ソケットの電気的接続性を向上させることができる。
【０１５２】
また、請求項６記載の発明によれば、メモリとして機能する複数の半導体装置において共通化できる外部接続端子については接続部を配設することにより、各半導体装置間で外部接続端子を電気的に接続することができる。また、複数の半導体装置の内、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信する必要がある場合には、特定の半導体装置の外部接続端子に対応する位置にのみ接続部を配設し、他の半導体装置に対応する位置には接続部を配設しない構成とすることが可能となり、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信する構成とすることができる。
【０１５３】
また、請求項７記載の発明によれば、連結部を半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて切断した構成としたことにより、特定の半導体装置の外部接続端子にのみ信号を送信することが可能となる。
また、請求項８または請求項９記載の発明によれば、実装端子部を実装形態に応じて適宜選択することができる。
【０１５４】
また、請求項１０記載の発明によれば、ソケット部材を並設した状態において実装端子部の配設ピッチを狭ピッチ化することができ、高密度化された外部接続端子を有した半導体装置に対応することができる。
また、請求項１１記載の発明によれば、ソケット部材の配設位置を高精度に決めることができ、よって装着される半導体装置との接続性を向上させることができる。
【０１５５】
また、請求項１２記載の発明によれば、単に位置決め突起と位置決め孔を位置決めし、フレーム部材をソケット部材に装着するのみでソケット部材の位置決めを行なうことができるため、半導体装置とソケット部材との接続性を向上させることができる。
また、請求項１３記載の発明によれば、ソケット部材は位置決め樹脂により所定位置に固定されるため、半導体装置とソケット部材との接続性を向上させることができる。
【０１５６】
また、請求項１４記載の発明によれば、装着状態における半導体装置の高さを低くすることができるため、低背化が要求されている機器に適用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１参考例である半導体装置モジュールの斜視図である。
【図２】本発明の第１参考例である半導体装置モジュールの側面図である。
【図３】本発明の第１参考例である半導体装置のチップ搭載面を示す斜視図である。
【図４】本発明の第１参考例である半導体装置の背面を示す斜視図である。
【図５】（Ａ）は本発明の第１参考例である半導体装置の断面図、（Ｂ）は本発明の第２参考例である半導体装置の断面図、（Ｃ）は本発明の第３参考例である半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の第４参考例である半導体装置の外部接続端子の配設位置を拡大して示す底面図である。
【図７】外部接続端子の構成例を示す図である。
【図８】本発明の第１参考例である半導体装置用ソケットを示す斜視図である。
【図９】本発明の第１参考例である半導体装置用ソケットを示す側面図である。
【図１０】本発明の第２参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１１】本発明の第３参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１２】本発明の第４参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１３】本発明の第５参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１４】本発明の第６参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１５】本発明の第７参考例である半導体装置用ソケットの接続部を拡大して示す図である。
【図１６】本発明の第８参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である。
【図１７】本発明の第９参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である。
【図１８】本発明の第１０参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である。
【図１９】本発明の第１１参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である（その１）。
【図２０】本発明の第１１参考例である半導体装置用ソケットの実装端子部を説明するための図である（その２）。
【図２１】本発明の第１２参考例である半導体装置用ソケットの位置決め突起を説明するための図である。
【図２２】本発明の第１２参考例である半導体装置用ソケットの位置決め方法を説明するための図である。
【図２３】本発明の第１３参考例である半導体装置用ソケットの位置決め方法を説明するための斜視図である（その１）。
【図２４】本発明の第１３参考例である半導体装置用ソケットの位置決め方法を説明するための断面図である（その２）。
【図２５】本発明の第１４参考例である半導体装置用ソケット及び半導体装置の実装方法を説明するための図である。
【図２６】本発明の一実施例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図２７】本発明の一実施例である半導体装置用ソケットを用いた半導体装置の実装構造を説明するための図である。
【図２８】本発明の一実施例である半導体装置用ソケットの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図２９】本発明の一実施例である半導体装置用ソケットの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図３０】本発明の第１５参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図３１】本発明の第２参考例である半導体装置モジュールの概略構成図である。
【図３２】本発明の第１６参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図３３】本発明の第１７参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図３４】本発明の第１８参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【図３５】本発明の第１９参考例である半導体装置用ソケットの構成を説明するための図である。
【符号の説明】
１０Ａ，１０Ｂ 半導体装置モジュール
１２Ａ〜１２Ｄ 半導体装置
１４，１４Ａ ソケット
１６ 実装基板
１８Ａ〜１８Ｎ ソケット部材
２０ 回路基板
２２ 半導体チップ
２４ 封止樹脂
２６Ａ〜２６Ｆ 外部接続端子
２８ 配線
３０ ワイヤ
３２ チップ搭載面
３４ 背面
３６ 放熱部材
３８ 位置決め溝
４０ 延出部
４２ ポケット部
４４Ａ〜４４Ｆ 接続部
４６Ａ〜４６Ｆ 第１のコンタクト
４８Ａ〜４８Ｆ 第２のコンタクト
５０ 連結部
５２Ａ〜５２Ｇ 実装端子部
５４Ａ〜５４Ｆ，５６Ａ〜５６Ｆ 接点部
５８ 係止凹部
６４ 位置決め突起
６６ フレーム部材
６８ 位置決め孔
７０Ａ，７０Ｂ 位置決め樹脂
７４ 抜け止め爪
７６ 係合突起
７８ リードフレーム
８０Ａ，８０Ｂ 幅細部
８２ ソケット枠
８４ 放熱板
９０Ａ〜９０Ｃ コンタクトピン部
９２ ハウジング
９４，１０４ 挿入孔
９６，１０６ 収納凹部
９８ 中間板
１０２ 移動板
Claims (15)
- 外部接続端子を有しメモリとして機能する半導体装置が複数個立設状態で装着される構成とされており、前記半導体装置に設けられた前記外部接続端子の形成位置に対応して並設される複数のソケット部材により構成される半導体装置用ソケットであって、
前記ソケット部材が、
前記半導体装置を装着脱自在に保持すると共に、装着状態において複数の前記半導体装置の各々に設けられた前記外部接続端子と電気的に接続する複数の接続部と、
前記複数の接続部を幅細部で接続すると共に電気的に接続する連結部と、
実装基板に接続される実装端子部と
を有する構成としたことを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部は、協働して略Ｃ字形状をなす第１及び第２のコンタクトにより構成されることを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項２記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記第１及び第２のコンタクトの前記外部接続端子と接触する接点部を、前記第１のコンタクトの接点部と第２のコンタクトの接点部とで、前記半導体装置の装着方向にずらして配置したことを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項２又は３記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記第１及び第２のコンタクトの間位置に、前記半導体装置が嵌挿される係止凹部を形成したことを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項２又は４記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記第１及び第２のコンタクトの前記外部接続端子と接触する接点部が、前記各コンタクトにおいて複数個形成されていることを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部を、前記半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて選択的に配設したことを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記連結部を、前記半導体装置に設けられた外部接続端子の特性に応じて切断した構成としたことを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記実装端子部は表面実装に対応した構成とされていることを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記実装端子部は挿入実装に対応した構成とされていることを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部の中心位置と前記実装端子部の中心位置とをずらして配置したことを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記ソケット部材を前記半導体装置に設けられた前記外部接続端子の形成位置に位置決めし並設させる位置決め機構を設けたことを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記位置決め機構は、
前記ソケット部材に形成された位置決め突起と、
前記位置決め突起と係合する位置決め孔を有するフレーム部材と
により構成されることを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記位置決め機構は、
前記ソケット部材の一部を封止する位置決め樹脂により構成されることを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記接続部が、前記半導体装置を斜めに傾けて装着する構成としたことを特徴とする半導体装置用ソケット。 - 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置用ソケットにおいて、
前記連結部に、該連結部より幅の狭い幅細部が形成された構成としたことを特徴とする半導体装置用ソケット。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13685297A JP3996668B2 (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体装置用ソケット |
| TW087108131A TW417274B (en) | 1997-05-27 | 1998-05-26 | Semiconductor module including a plurality of semiconductor devices detachably |
| US09/084,097 US6472744B2 (en) | 1997-05-27 | 1998-05-26 | Semiconductor module including a plurality of semiconductor devices detachably |
| EP98304172A EP0881679A3 (en) | 1997-05-27 | 1998-05-27 | Semiconductor module including a plurality of semiconductor devices detachably |
| KR1019980019177A KR100292759B1 (ko) | 1997-05-27 | 1998-05-27 | 반도체장치,반도체장치용소켓및반도체장치모듈 |
| US10/214,306 US6696754B2 (en) | 1997-05-27 | 2002-08-08 | Semiconductor module including a plurality of semiconductor devices detachably |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13685297A JP3996668B2 (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体装置用ソケット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335546A JPH10335546A (ja) | 1998-12-18 |
| JP3996668B2 true JP3996668B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=15185023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13685297A Expired - Fee Related JP3996668B2 (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 半導体装置用ソケット |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6472744B2 (ja) |
| EP (1) | EP0881679A3 (ja) |
| JP (1) | JP3996668B2 (ja) |
| KR (1) | KR100292759B1 (ja) |
| TW (1) | TW417274B (ja) |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6089920A (en) | 1998-05-04 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Modular die sockets with flexible interconnects for packaging bare semiconductor die |
| KR100533761B1 (ko) * | 1999-04-14 | 2005-12-06 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
| JP2002117000A (ja) | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Hitachi Ltd | メモリシステムおよび接続部材 |
| US6992378B2 (en) * | 2000-12-30 | 2006-01-31 | Intel Corporation | Socket and package power/ground bar apparatus that increases current carrying capacity resulting in higher IC power delivery |
| JP2002204053A (ja) * | 2001-01-04 | 2002-07-19 | Mitsubishi Electric Corp | 回路実装方法、回路実装基板及び半導体装置 |
| JP2003133518A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体モジュール |
| JP3845408B2 (ja) | 2003-10-06 | 2006-11-15 | エルピーダメモリ株式会社 | メモリモジュール放熱装置 |
| US7106595B2 (en) * | 2004-09-15 | 2006-09-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus including a thermal bus on a circuit board for cooling components on a daughter card releasably attached to the circuit board |
| SG121012A1 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-26 | Molex Inc | Heat dissipating terminal and elctrical connector using same |
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| JP2006324326A (ja) | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
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| US7385144B2 (en) * | 2005-11-17 | 2008-06-10 | Harris Corporation | Method and apparatus for electrically connecting printed circuit boards or other panels |
| US7429788B2 (en) * | 2006-03-08 | 2008-09-30 | Microelectronics Assembly Technologies, Inc. | Thin multichip flex-module |
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1997
- 1997-05-27 JP JP13685297A patent/JP3996668B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-26 TW TW087108131A patent/TW417274B/zh active
- 1998-05-26 US US09/084,097 patent/US6472744B2/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-27 KR KR1019980019177A patent/KR100292759B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-05-27 EP EP98304172A patent/EP0881679A3/en not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-08-08 US US10/214,306 patent/US6696754B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100292759B1 (ko) | 2001-09-17 |
| KR19980087400A (ko) | 1998-12-05 |
| US6696754B2 (en) | 2004-02-24 |
| TW417274B (en) | 2001-01-01 |
| US20030164544A1 (en) | 2003-09-04 |
| US6472744B2 (en) | 2002-10-29 |
| JPH10335546A (ja) | 1998-12-18 |
| EP0881679A2 (en) | 1998-12-02 |
| EP0881679A3 (en) | 2000-08-02 |
| US20020000645A1 (en) | 2002-01-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061024 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061225 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070228 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070412 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070625 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070731 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070803 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |