JP3996061B2 - メモリーデバイスおよびメモリーセルの選択方法 - Google Patents
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Description
【0001】
発明の技術分野
本発明は、半導体メモリーデバイスに関するものであり、特に、ビット線およびワード線の抵抗を小さくしたランダムアクセスメモリー構造に関するものである。
【0002】
発明の背景
従来のメモリーデバイス、例えば、DRAMおよびFLASHメモリーデバイスは、一般的に、交差して配列を形成するビット線およびワード線の配列を備えている。各交差点に、メモリーセルが連結されている。プログラム電流を、ワード線およびビット線に供給できる。ワード線およびビット線は、メモリーセルにデータを書き込むため、または、メモリーセルからデータを読み出すために、望ましいメモリーセルに対応している。磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)デバイスは、未来技術である。この未来技術は、DRAMデバイスと比較して不揮発性、および、FLASHメモリーデバイスと比較してより高速での操作などの多数の利得を、DRAMおよびFLASHメモリーデバイスについて提供する。
【0003】
従来のメモリーデバイスでは、配列を形成するワード線、および、ビット線の長さを、設計に考慮しないのが典型的である。しかし、ビット線、および、ワード線の抵抗は、磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)デバイスにおいて特別な関心を集めている。なぜなら、MRAMデバイスにおけるプログラム電流は、従来のメモリーデバイスよりも高いからである。ビット線、および、ワード線の長さは、線を通してプログラム電流が伝播される場合、線の抵抗によって制限されている。より長いワード線およびビット線は、より長い配列とよりよい効率とを提供する一方、より長いワード線およびビット線は、抵抗が高く、この高い抵抗により、過剰な電圧降下と望ましくない発熱が生じてしまう。
【0004】
MRAMデバイスでは、ワード線およびビット線の高抵抗は、様々な問題を引き起こす可能性がある。1つの問題は、ビット線およびワード線において生じてしまう電圧降下である。作動電圧の範囲外に電圧が降下すると、メモリーセルは、破損されることもある。
【0005】
発明の概要
1つの実施形態においてランダムアクセスメモリー構造を提供する本発明によって、このような問題は、一般的に、解決あるいは回避され、技術的長所は、一般的に、達成される。
【0006】
本発明の好ましい実施形態のメモリーデバイスでは、デバイスが、複数のビット線および複数のワード線を備えている。複数のワード線は、複数のビット線と共に、交差点配列を形成する。複数のメモリーセルのうちの1つは、配列における各交差点に配置されている。電流源および電流流入部(current sink)を有するビット復号器は、ビット線と連結されており、電流源および電流流入部を有するワード復号器は、ワード線と連結されている。第1スイッチ回路連(first series of switch circuits)の複数の第1スイッチ回路は、2つの隣り合うビット線と連結されている。第1スイッチ回路連の複数の第1スイッチ回路は、隣り合うビット線に沿って配置されており、その結果、配列が、隣り合うビット線に沿った区画に分割されている。対応するビット線およびワード線に所定量の電流が供給されると、対応する交差点におけるメモリーセルが、書き込みのために選択される。
【0007】
他の好ましい実施形態では、スイッチ回路が、ワード線に沿って配置されている。さらに他の実施形態では、メモリーデバイスが、ビット線に沿った第1スイッチ回路連を使用し、第2スイッチ回路連の複数の第2スイッチ回路が、2つの隣り合うワード線と連結されている。第2スイッチ回路連の複数の第2スイッチ回路は、隣り合うワード線に沿って配置されており、その結果、配列は、隣り合うワード線に沿った区画に分割されている。
【0008】
本発明の好ましい実施形態の長所は、本発明が、ビット線およびワード線の長さを制限する、ワード線およびビット線の抵抗を減少させることである。
【0009】
本発明の好ましい実施形態の他の長所は、本発明が、簡単に実施されているスイッチ回路を、ワード線およびビット線の抵抗を減少するために使用することである。
【0010】
本発明の好ましい実施形態のさらに他の長所は、好ましい実施形態のうちのいくつかの構造を、必要とされる物理的な空間量を減少させるために、配列の下側に配置できることである。
【0011】
上記のことは、以下の本発明の詳しい説明を、より良く理解できるように、本発明の特徴および技術的な長所を、かなり大まかに概要説明したものである。本発明の請求項の対象となっている、本発明のさらなる特性および長所を、以下に説明する。当業者には、開示された概念および特定の実施形態は、本発明と同じ目的を達成するための他の構造またはプロセスを変化または設計するための基礎として、容易に使用してもよいと認識される。当業者には、このような同等の構成が、従属請求項に記載の本発明の精神と範囲とに反することはないと理解されている。
【0012】
図面の簡単な説明
本発明および本発明の利点をより全体的に理解するために、添付の図を参考にした以下の説明を参照する。図1は、従来技術のメモリーセル配列を示す。図2は、本発明の好ましい実施形態のメモリーデバイスを示す。図3aおよび図3bは、本発明の好ましい実施形態を使用して達成された、減少された線抵抗を示す。図4は、本発明の好ましい実施形態のスイッチ回路を示す。図5は、スイッチ回路の作動を示す真理値表である。図6は、本発明の好ましい実施形態の一部を示す。図7は、本発明の他の好ましい実施形態のメモリーデバイスを示す。
【0013】
好ましい実施形態の詳細な説明
現在のところ好ましい実施形態の作成と使用とを、以下に詳しく説明する。しかし、本発明は、広範囲における特有の状況において実施でき、様々に応用できる発明の概念を提供すると認識されている。説明する特有の実施形態は、本発明を作成し、使用するための特有の方法についての単なる解説であって、本発明の範囲を制限するものではない。本発明は、MRAM使用について論議されるが、当業者には、本発明は、他の使用にも利用してもよいと認識されている。
【0014】
図1は、従来技術のMRAM配列10を示す。MRAM配列10は、交差して点16を形成するビット線12およびワード線14を備えている。各点16に、メモリーセル18が配置されている。ビット線12およびワード線14は、それぞれ、復号器(図示せず)を備え、この復号器は、プログラム電流Iをビット線12およびワード線14に供給する電気回路構成部を備えている。しかし、ビット線12およびワード線14の長さが原因となって、プログラム電流Iが供給されたときのこれら線の抵抗は高く、ビット線およびワード線において電圧の降下が引き起こされる。ビット線12およびワード線14は、抵抗を減少するために短くすることができる。しかし、短いビット線およびワード線は、結果的に、より大きな物理的空間を必要とする小配列となる。このことは、半導体デバイスの物理的なサイズが減少するのに伴って、受け入れ難い条件となる。短いビット線12およびワード線14は、結果的に、効率が悪くなる。
【0015】
図2は、本発明の好ましい実施形態のメモリーデバイス20を示す。メモリーデバイス20は、複数のビット線22と、複数のワード線24とを備え、複数のワード線24は、(22aおよび22bとして示すような)複数のビット線22と交差点配列を形成する。複数のメモリーセル28は、交差点30に配置されており、交差点30は、複数のビット線22のうちの1つが、複数のワード線24のうちの1つと交差している点に対応している。電流源34および電流流入部36を有するビット復号器32は、複数のビット線22と連結されている。ワード復号器38は、複数のワード線24と連結されている。ワード復号器38も、電流源34と電流流入部36とを有している。第1スイッチ回路連の複数の第1スイッチ回路40は、2つの隣り合うビット線22に連結されている。複数の第1スイッチ回路40は、2つの隣り合うビット線22に沿って配置されており、その結果、配列26は、隣り合うビット線に沿った区画42に分割されている。例えば、2つの隣り合うビット線22は、3つの区画に分割される。しかし、当業者には、配列26をいくつの区画42にも分割するために、2つの隣り合うビット線22に沿ってスイッチ回路をいくつでも使用できると認識されている。使用されるスイッチの数は、抵抗、および、配列の下の利用できる空間によって特定される。区画42のそれぞれは、複合メモリーセル28、好ましくは、128〜256の範囲のメモリーセル28を備えている。図2では、それぞれの区画42は、簡易化のため、ただ2つのメモリーセル28を有するようにして示されている。
【0016】
再び図1を参照すると、従来技術では、プログラム電流Iが、書き込みのために選択される任意のメモリーセル28の対応するビット線22に供給される。本発明では、プログラム電流Ipは、2つの隣り合うビット線22a,22bの間に分割されている。プログラム電流Ipの約1/2が、2つの隣り合うビット線22a,22bのそれぞれに供給される。しかし、当業者には、プログラム電流Ipが上記のように配列を作動させるのに十分な程度なら、プログラム電流Ipの何割かを、2つの隣り合うビット線22a,22bのそれぞれに供給してもよいと認識されている。データをメモリーセル28に書き込む場合、区画42におけるビット線22aまたは22bのうちの1つに全てのプログラム電流Ipを供給するため、スイッチ回路40が利用される。プログラム電流Ipを、この区画42にのみ供給することにより、ビット線22a,22bが短縮されなくても、全体的な抵抗は低下する。なぜなら、プログラム電流は、区画の2つにおける2つの導体22aおよび22bを流れ、プログラムされるメモリーセルを含む1つの区画のための唯一の導体のみを流れるからである。
【0017】
図3aおよび3bは、本発明の好ましい実施形態を使用して達成される、減少された線抵抗を示す。記載のように、プログラム電流Ipは、第1区画42aにおける2つの線22aおよび22bを、区画42c、および、42dにおけるのと同じように流れる。従って、各区画は、たった半分の抵抗を有している。それ以外の場合では、各区画は、図3bの単線実施の場合に、この半分の抵抗を有している。プログラムされるメモリーセル28を含んでいる区画42bは、唯一の導体22aを流れる完全なプログラム電流Ipを有している。その結果、導体22aに接続されているメモリーセルは、完全なプログラム電流Ipを受け入れる。この区画42bは、従来技術のビット線と同じ線抵抗を導く。なぜなら、電流は、1つの導体のみを流れるからである。累積的に、図3bの線14のための線抵抗は、4*Rである(線14の1つの線区画の抵抗に対して標準化されている)。これに対し、図3aに示す実施形態のための累積的な線抵抗は、2.5*Rである。このように、図示されている実施形態は、全ての線抵抗のたった5/8、または、従来技術の線抵抗の37.5%の減少を提供している。当業者には、スイッチ回路の数、すなわち、線区画が増加するのに伴って、線抵抗をさらに改善できることが理解される。上記のモデルは、完全に正確ではないが、スイッチ回路40のオン状態の抵抗も、考慮する必要がある。しかし、周知のCMOS技術を使用して、スイッチ回路のオン状態の抵抗を、以下に説明するように、最小限にできる。
【0018】
図4は、メモリーセル配列を区画に分割できる本発明の好ましい実施形態のスイッチ回路40を示す。区画は、電流Ipによって任意の時期に起動されるビット線およびワード線の長さを、効果的に短くする。区画内のこの「短縮された」線の長さにより、ビット線の抵抗が減少され、動作の改善されたメモリーデバイスが提供される。
【0019】
好ましい実施形態のスイッチ回路40は、トランジスタT1,T2,T3,およびT4を備えている。トランジスタT1,T2,T3,およびT4は、制御線54によってスイッチオンされる。一般的に、制御線54は、制御回路(図示せず)と接続されている。好ましい実施形態では、制御回路は、復号器32および34と共に形成されている。スイッチ回路40におけるトランジスタT1,T2,T3,および、T4の様々な組み合わせをスイッチオンすることにより、メモリーデバイスにおける特定の区画を選択するために、プログラム電流Ipの経路を変更できる。図5の真理値表は、例えば、トランジスタT1,T2,T3,およびT4の様々な組み合わせをスイッチオンすることが、どのようにして、2つの隣り合うビット線56および58の一方または他方を通して全ての電流Ipを供給するか、あるいは、2つの隣り合うビット線56,58のそれぞれにもともと供給されている電流が、どのように、2つの隣り合うビット線56,58のそれぞれに継続的に流れているかを示している。後者の状態では、1つの区画における2つの隣り合うビット線56,58のどちらも選択されていない。スイッチ回路40の作動について、以下に図を参考にしてより詳しく説明する。
【0020】
メモリーデバイス20内の配列26の一部を示す図6を参照すると、2つの隣り合うビット線56,58に沿ったスイッチ回路は、その特定の区画におけるビット線56,58のどちらかにプログラム電流を供給するための各制御信号によって起動できる。例えば、3つのスイッチ回路60,62,64を示す。3つのスイッチ回路60,62,64は、配列を3つの区画66,68,70に分割し、任意の時期にプログラム電流を供給できるビット線56,58の長さを短縮する。プログラム電流Ipの約1/2は、ビット線56および58にもともと供給されている。メモリーセル72を書き込みのために選択する場合、全てのプログラム電流Ipが、区画68にあるビット線58のその部分に供給される。このことを達成するため、スイッチ回路60は、トランジスタT1およびT2(図5の真理値表、および、図4の配線略図を参照)を以下のようにスイッチオンするために作動する。すなわち、上記トランジスタT1およびT2は、プログラム電流Ipの約1/2を、各ビット線56,58に継続的に流せるようにスイッチオンされる。この状態のとき、区画66にあるビット線56,58の部分に連結されているどのメモリーセルも選択されない。メモリーセル72は、区画68にあるので、次のスイッチ回路62は、プログラム電流Ipをビット線58に供給するために、プログラムされる必要がある。図5の真理値表、および、図4の配線略図を参照すると、全てのプログラム電流Ipを線58に供給するために、トランジスタT2およびT3がスイッチオンされる必要がある。それゆえ、メモリーセル72に対応するワード線78にもプログラム電流Ipが供給されている場合、メモリーセル72にデータを書き込める。
【0021】
次の区画70の線抵抗を学習するために、プログラム電流Ipは、2つの導体56および58を流れる必要がある。それゆえ、続くスイッチ回路64は、プログラム電流Ipを区画70にあるビット線56,58これらの部分の間に分割できるように、プログラムされる必要がある。同じく、図5の真理値表を参照すると、プログラム電流よりも少ない電流量を、各導体56,58に供給するために、トランジスタT2およびT4をスイッチオンする必要がある。このことは、区画68にあるビット線58の部分から来るプログラム電流Ipを分割することによって達成される。従って、制御回路(図示せず)は、対応する区画および対応するビット線における唯一のメモリーセルが、任意の時期にプログラム電流を受けることができるように、それぞれのスイッチ回路に繋がる制御線をプログラムするために設計されている必要がある。
【0022】
本発明の他の実施形態では、ワード線の抵抗量を減少させるために、スイッチ回路を、ビット線における代わりにワード線において利用できる。さらに他の実施形態では、図7に示すように、ビット線82およびワード線84の両方の抵抗量を減少させるために、スイッチ回路80は、ビット線82およびワード線84の両方に、それぞれ利用されている。他の実施形態では、スイッチ回路論理は、配列において必要とされる物理的な空間量を減少させるために、配列の下側に配置されている。MRAMにおける配列は、トランジスタの影響を受けないので、いくらかの論理を配列の下側に当てはめる機会がある。
【0023】
本発明およびその長所を詳しく説明したが、本発明の精神と範囲とに反することなく、従属請求項に記載のように、様々な変更、置き換え、および、変化を行えると認識されるものである。さらに、本願の範囲は、明細書に記載のプロセス、機械、製造、合成物、手段、方法、および、工程の特有の実施形態に制限されることを意図するものではない。当業者は、本発明の開示により、ここに説明された対応する実施形態と基本的に同じ機能を行う、あるいは、基本的に同じ結果を達成する、既存の、あるいは、後に開発されるプロセス、機械、製造、合成物、手段、方法、または、工程を、本発明に基づいて利用してもよいことを容易に理解するであろう。同じく、従属請求項は、その範囲内に、このようなプロセス、機械、製造、合成物、手段、方法、または、工程を含むことを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術のメモリーセル配列を示す図である。
【図2】 本発明の好ましい実施形態のメモリーデバイスを示す図である。
【図3】 aおよびbは、本発明の好ましい実施形態を使用して達成された、減少された線抵抗を示す図である。
【図4】 本発明の好ましい実施形態のスイッチ回路を示す図である。
【図5】 スイッチ回路の作動を示す真理値表を示す図である。
【図6】 本発明の好ましい実施形態の一部を示す図である。
【図7】 本発明の他の好ましい実施形態のメモリーデバイスを示す図である。
Claims (16)
- 複数のビット線と、
複数のワード線と、
複数のメモリーセルと、
ビット線に連結されているビット復号器と、
ワード線に連結されているワード復号器と、
2つの隣り合うビット線に連結されている複数の第1スイッチ回路からなる第1スイッチ回路連とを備え、
上記複数のワード線は、上記複数のビット線と共に、交差点配列を形成し、
上記複数のメモリーセルのうちの1つは、上記配列における交差点のそれぞれに配置されており、
上記ビット復号器は、ビット線に連結されている電流源および電流流入部を備え、
上記ワード復号器は、ワード線に連結されている電流源および電流流入部を備え、
上記第1スイッチ回路連の上記複数の第1スイッチ回路が、上記2つの隣り合うビット線に沿って配置されており、その結果、配列は、上記2つの隣り合うビット線に沿って、区画に分割されており、
上記第1スイッチ回路連は、プログラム電流が一区画における2つの隣り合うビット線のうちの1つのビット線に接続されている1つのメモリーセルに供給されると、上記複数の第1スイッチ回路によって、プログラム電流が供給されるメモリーセルが接続されている一区画における2つのビット線のうちの1つのビット線に全てのプログラム電流を供給し、2つの隣り合うビット線の他の区画における2つの隣り合うビット線のそれぞれにプログラム電流よりも少ない電流量を供給するように設計されている、メモリーデバイス。 - 上記デバイスは、磁気ランダムアクセスメモリーデバイスである、請求項1に記載のデバイス。
- 上記プログラム電流よりも少ない電流量は、プログラム電流の1/2に等しい、請求項1に記載のデバイス。
- 上記第1スイッチ回路は、プログラム電流より少ない電流を、2つの隣り合うビット線のそれぞれを通して流せるように設計されており、その結果、一区画において隣り合うビット線に連結されている複数のメモリーセルのいずれにも書き込みされない、請求項1に記載のデバイス。
- 複数の第2スイッチ回路からなる第2スイッチ回路連は、2つの隣り合うワード線に連結されており、上記第2スイッチ回路連の上記複数の第2スイッチ回路が、上記2つの隣り合うワード線に沿って配置されており、その結果、配列は、隣り合うワード線に沿った区画に分割されている、請求項1に記載のデバイス。
- プログラム電流の一部は、2つの隣り合う各ワード線を通して送られ、上記プログラム電流の一部は、プログラム電流の1/2に等しい、請求項5に記載のデバイス。
- 上記第2スイッチ回路は、プログラム電流よりも少ない電流を、2つの隣り合うワード線のそれぞれを通して流せるように設計されており、その結果、一区画において隣り合うワード線に連結されている複数のメモリーセルのいずれにも書き込みされない、請求項5に記載のデバイス。
- 第1および第2スイッチ回路のそれぞれは、一連のトランジスタを備え、各トランジスタは、制御線に接続されており、信号が、トランジスタをスイッチオンまたはスイッチオフするために供給される、請求項5に記載のデバイス。
- 上記一連のトランジスタは、所望通りに電流経路を切り替えるためにスイッチオンされる、請求項8に記載のデバイス。
- 上記一連のトランジスタをスイッチオンするための制御信号は、制御回路から出ている、請求項8に記載のデバイス。
- 上記制御回路は、復号器に配置されている、請求項10に記載のデバイス。
- 複数の導線を示す複数のワード線および複数のビット線が交差することによって形成された交差点配列であって、2つの隣り合う導線に連結されると共に上記2つの隣り合う導線に沿って配置されている複数のスイッチ回路によって、上記2つの隣り合う導線に沿って区画に分割されている上記交差点配列においてメモリーセルを選択するメモリーセルの選択方法であって、
書き込みのためにメモリーセルを選択する工程であって、上記メモリーセルは、関連する区画における2つの隣り合う導線のうちの1つに連結されている工程と、
関連する区画における2つの隣り合う導線のうちの一方は、プログラム電流を受け、関連する区画における2つの隣り合う導線のうちの他方は、プログラム電流を受けないようにする一方、
他の区画における2つの隣り合う導線は、それぞれ、プログラム電流の一部を受けるように、上記複数のスイッチ回路のそれぞれの内部経路を選択する工程とを含む方法。 - 上記スイッチ回路は、一連の制御信号によって切り替えられる、請求項12に記載の方法。
- 上記一連の制御信号は、制御回路から出ている、請求項13に記載の方法。
- 上記プログラム電流よりも少ない電流量は、プログラム電流の1/2に等しい、請求項12に記載の方法。
- 選択されたメモリーセルにデータを書き込めるように選択されているメモリーセルの対応するワード線にプログラム電流を供給する工程をさらに含む、請求項12に記載の方法。
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