JP3986189B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術、特に、樹脂封止体の成形技術に関し、例えば、樹脂封止パッケージを備えているダイオードの製造に利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂封止パッケージを備えているダイオード（以下、ダイオードという。）の樹脂封止体をトランスファ成形装置によって成形するに際しては、樹脂をせき止めるためのダムバー（タイバーとも称される。）が使用されない場合がある。すなわち、ダイオードの樹脂封止体を成形するためのトランスファ成形装置は互いに型合わせされる上型および下型からなる成形型を備えており、上型および下型の合わせ面には樹脂封止体を成形するためのキャビティーが没設されている。また、上型または下型のいずれか一方の合わせ面にはランナを介してポットに連通されたゲートが、キャビティーに成形材料としての液状樹脂（以下、レジンという。）を注入し得るように没設されている。そして、上型と下型との合わせ面間にリードフレームがダイオードが作り込まれた半導体ペレットを取り囲むように配されて挟み込まれた後に、レジンがランナおよびゲートを通じてキャビティーに充填されることにより、リードフレームに樹脂封止体が成形される。
【０００３】
トランスファ成形装置によってリードフレームに樹脂封止体が成形される際に、リードフレームと上型および下型との合わせ面間からレジンがキャビティーの周囲に漏洩するため、樹脂封止体の外周に樹脂バリ（以下、バリという。）が発生する。
【０００４】
このバリが樹脂封止体の外周に残ったままでは、外観不良になるばかりでなく、後のアウタリードの外装処理工程（Ｌｅａｄ Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）においてメッキ被膜が被着しない等の障害が発生する。このため、このバリはバリ取り工程（Ｄｅｂｕｒｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）によって除去されるのが、一般的である。従来、バリは樹脂封止体の成形後に、打ち抜き金型装置や、ショットブラスト装置等によって除去されている。
【０００５】
なお、樹脂封止パッケージの樹脂封止体成形工程、バリ取り工程、外装処理工程およびリード切断成形工程を述べてある例としては、日経ＢＰ社１９９３年５月３１日発行「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」第３１頁〜第５０頁がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のバリ取り方法によってはバリを１００％除去することができない。
【０００７】
なお、板厚の厚いリードフレームが使用される半導体装置の製造方法においては、リードフレームの抜き落とし部分を一度抜いた後にそのまま戻すプッシュバック方法が使用される場合がある。しかし、ダイオードの製造方法に使用されるリードフレームの板厚は０．２ｍｍ以下と薄いことにより、プッシュバック方法を使用しても脱落してしまうため、プッシュバック方法を適用することができない。
【０００８】
本発明の目的は、板厚が薄い場合であってもプッシュバック方法を適用することができる半導体装置の製造技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。
【００１１】
すなわち、リードフレームの打ち抜きプレスに際して、リードフレームの一部が四辺形の漏洩防止部材として一対の対辺と樹脂封止体側となる一辺とが剪断されるとともに残りの一辺を起点に折り曲げられて切り起こされた後に、この切り起こし部分が切り起こし孔に嵌め込まれて形成され、
その後、このリードフレームに対する樹脂封止体の成形に際して、成形型のキャビティーからの樹脂の漏洩が前記漏洩防止部材によって阻止されることを特徴とする。
【００１２】
前記した手段によれば、リードフレームに対する樹脂封止体の成形に際して、成形型のキャビティーの隙間に漏洩防止部材の内側端辺が位置された状態になるため、キャビティーからの樹脂の漏洩は漏洩防止部材によって防止される。したがって、樹脂封止体成形時の樹脂の漏洩によるバリの発生を未然に防止することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に即して本発明の一実施形態を説明する。
【００１４】
本実施形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂封止パッケージを備えているダイオード（以下、ダイオードという。）を製造するのに使用されている。以下、本発明の一実施形態であるダイオードの製造方法を説明する。この説明により、本発明の一実施形態であるダイオードの構成が共に明らかにされる。
【００１５】
本実施形態において、本発明に係るダイオードの製造方法には、図１に示されている多連リードフレーム１が使用されている。この多連リードフレーム１は銅系（銅またはその合金）材料または鉄系（鉄またはその合金）からなる薄板が用いられて、プレス加工により一体成形されている。本実施形態において、多連リードフレーム１の板厚は、約０．１ｍｍに設定されている。多連リードフレーム１には複数の単位リードフレーム２が横方向に一列に並設されている。但し、図示および説明は一単位について行われる。
【００１６】
単位リードフレーム２は位置決め孔３ａが開設されている外枠３を一対備えており、両外枠３、３は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそれぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム２、２間には一対のセクション枠４、４が両外枠３、３間に互いに平行に配されて一体的に架設されており、これら外枠３、３、セクション枠４、４によって形成された略正方形の枠体（フレーム）５内に単位リードフレーム２が構成されている。
【００１７】
一方の外枠３には長方形の平板形状に形成された第一アウタリード６が他方の外枠３の方向に突設されており、第一アウタリード６の先端には第一アウタリード６の幅よりも小幅の長方形の平板形状に形成された第一インナリード７が他方の外枠３の方向に突設されている。他方の外枠３には長方形の平板形状に形成された第二アウタリード８が第一インナリード７の方向に突設されており、第二アウタリード８の先端には第一インナリード７の幅よりも小幅の長方形の平板形状に形成された第二インナリード９が第一インナリード７の方向に突設されている。第二アウタリード８には長方形の肉抜き孔８ａが開設されている。
【００１８】
第一インナリード７は枠体５の面よりも多連リードフレーム１の厚さよりも若干小さい高さだけ一方の厚さ方向（以下、上方とする。）にクランク形状に屈曲されており、第一インナリード７の上面は枠体５の上面と平行になっている。また、第二インナリード９も第一インナリード７と同様に屈曲されており、第二インナリード９の上面は第一インナリード７と同一面になっている。
【００１９】
本実施形態において、両アウタリード６、８には後述する樹脂封止体成形時にレジンの流れをせき止めるためのダムバーが架設されていない。その代わりに、両アウタリード６、８の両脇には後述する樹脂封止体成形時にレジンの漏洩を防止するための長方形板形状の漏洩防止部材１０、１０がそれぞれ嵌め込まれている。
【００２０】
すなわち、図１に示されているように、漏洩防止部材１０はセクション枠４と第一アウタリード６および第二アウタリード８の側面辺との間隔に等しい長さの短辺と、両外枠３と３との間隔に等しい長辺とを有する長方形で、多連リードフレーム１の厚さと等しい厚さを有する板形状に形成されている。漏洩防止部材１０の両短辺は剪断線１０ａ、１０ａによって両外枠３、３から切り離されており、漏洩防止部材１０の一方の長辺は剪断線１０ｂによって第一アウタリード６および第二アウタリード８の側面辺から切り離されている。しかし、漏洩防止部材１０の他方の長辺は折り線痕１０ｃによってセクション枠４に連結されている。漏洩防止部材１０は折り線痕１０ｃにおいて単位リードフレーム２に一体になっているため、板厚が約０．１ｍｍと薄くても、脱落することはない。
【００２１】
図２（ａ）に示されているように、多連リードフレーム１のプレス加工に際して、漏洩防止部材１０は両外枠３、３、第一アウタリード６および第二アウタリード８に一体となった状態に打抜かれる。次いで、図２（ｂ）に示されているように、漏洩防止部材１０の第一アウタリード６と第二アウタリード８との間の両脇の部分が両外枠３、３にそれぞれ接する対辺と、この対辺間の辺における両アウタリード６、８と接する部分とが剪断されるとともに、セクション枠４と接する一辺を起点に折り曲げられて切り起こされる。続いて、この切り起こし部分が切り起こし孔１０ｄにプッシュバックされることによって嵌め込まれる。以上により、漏洩防止部材１０が図１に示されているように製造された状態になる。漏洩防止部材１０の第１アウタリード６と第二アウタリード８との間には樹脂封止体成形時にレジンの漏洩を防止する部分（以下、内側端辺という。）１０ｅが形成されている。
【００２２】
なお、第一インナリード７および第二インナリード９の屈曲加工は、図２（ｂ）に示されているように漏洩防止部材１０の切り起こし加工またはプッシュバック加工と同時に実施することができる。
【００２３】
以上のように構成されて準備された多連リードフレーム１には、各単位リードフレーム２毎にペレット・ボンディング作業、続いて、ワイヤ・ボンディング作業が実施され、これら作業により、図３に示されている組立品１１が製造されることになる。これらのボンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次実施される。
【００２４】
まず、ペレットボンディング作業により、前工程においてダイオード素子を含む回路（図示せず）を作り込まれたダイオード回路構造体としての半導体ペレット（以下、ペレットという。）１３が、各単位リードフレーム２における第一インナリード７上の略中央部に配されて、銀ペーストや半田等の導電性を有する材料が用いられて形成されるボンディング層１２を介して固着される。
【００２５】
次いで、第一インナリード７に固定的にボンディングされたペレット１３のボンディングパッド１３ａと第二インナリード９との間には、銅系材料（銅または銅合金）を使用されて形成されているワイヤ１４が超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置が使用されることにより、その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。
【００２６】
ここで、ペレット１３の下面およびペレット１３のボンディングパッド１３ａにカソード電極およびアノード電極の一方がそれぞれ形成されていると、以上のボンディング作業により、ペレット１３に作り込まれたダイオード回路はボンディングパッド１３ａ、ワイヤ１４、第二インナリード９およびペレット１３の下面、ボンディング層１２、第一インナリード７を経由して第二アウタリード８おび第一アウタリード６に電気的に引き出される状態になる。
【００２７】
その後、多連リードフレームにペレットおよびワイヤ・ボンディングされた後の組立品１１には、各単位リードフレーム毎に樹脂封止する樹脂封止体群が、図４に示されているトランスファ成形装置を使用されて単位リードフレーム群について同時成形される。
【００２８】
図４に示されているトランスファ成形装置２０はシリンダ装置（図示せず）によって互いに型締めされる一対の上型２１と下型２２とを備えており、上型２１の下型２２との合わせ面には長方形の平盤形状の上型キャビティー凹部２３ａが下型２２の合わせ面と協働してキャビティー２３を形成するように没設されている。下型２２の合わせ面にはポット２４が開設されており、ポット２４にはシリンダ装置（図示せず）により進退されるプランジャ２５が成形材料としての樹脂から成るタブレット（図示せず）が投入され、このタブレットが溶融されて成る液状樹脂（レジン）を送給し得るようになっている。
【００２９】
上型２１の合わせ面にはカル２６がポット２４との対向位置に配されて没設されており、一端をカル２６に接続されたランナ２７が没設されている。ランナ２７の他端は上側キャビティー凹部２３ａに接続されており、その接続部にはゲート２８がレジンをキャビティー２３内に注入し得るように形成されている。また、下型２２の合わせ面には外枠３の位置決め孔３ａと嵌合する位置決め凸部２９が突設されている。
【００３０】
トランスファ成形に際して、ワークとしてのペレット・ワイヤボンディング後の組立品１１は下型２２に置かれる。この際、外枠３の位置決め孔３ａが位置決め凸部２９に嵌合され、各単位リードフレーム２におけるペレット１３が各キャビティー２３内に収容される。この状態において、第一アウタリード６および第二アウタリード８の下面は下型２２の上面に接した状態になっており、第一インナリード７および第二インナリード９の下面は下型２２の上面から浮いた状態になっている。
【００３１】
次いで、上型２１と下型２２とが型締めされる。この状態において、図４（ｂ）に示されているように、漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅは上型キャビティー凹部２３ａ、すなわち、キャビティー２３の外周辺と可及的に一致した状態になる。つまり、漏洩防止部材１０とキャビティー２３との相関関係は漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅとキャビティー２３の外周辺とが可及的に一致する状態になるように設定されている。
【００３２】
続いて、ポット２４からプランジャ２５によって成形材料としてのレジン３０がランナ２７およびゲート２８を通じて各キャビティー２３に注入されてそれぞれ充填される。
【００３３】
キャビティー２３内に注入されたレジン３０はその充填に伴って、上型２１と下型２２との合わせ面間においてキャビティー２３の外部に漏洩する。しかし、キャビティー２３は第一アウタリード６、第二アウタリード８および両脇の漏洩防止部材１０によって包囲されているため、レジン３０はキャビティー２３から外部へ流出することはない。つまり、キャビティー２３の第一アウタリード６および第二アウタリード８の両脇は漏洩防止部材１０によって埋められているため、キャビティー２３の外周にバリが形成されることはない。
【００３４】
多連リードフレーム１の加工公差によって漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅとキャビティー２３の外周縁との間に誤差が形成されていたとしても、その誤差は極僅かになるように各部の寸法が設定されているため、万一、バリが形成されたとしてもその突出量は極僅かで支障にならない程度になる。
【００３５】
注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体１５が成形されると、上型２１および下型２２は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）によって樹脂封止体１５が離型される。つまり、多連リードフレーム１の各単位リードフレーム２に樹脂封止体１５がそれぞれ成形された図５に示されている樹脂封止体成形後の成形品１６がトランスファ成形装置２０から脱装される。
【００３６】
以上のようにして各単位リードフレーム２毎に樹脂封止体１５が樹脂成形されてトランスファ成形装置２０から離型されると、図５に示されている成形品１６が製造されたことになる。この成形品１６の樹脂封止体１５の内部にはペレット１３、第一インナリード７、第二インナリード９およびワイヤ１４が樹脂封止された状態になっている。この状態において、樹脂封止体１５の漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅと接していた部分にはバリが形成されていない。形成されていたとしてもバリはきわめて微細であるため、樹脂封止体１５に殆ど一体化されており、しかも、微細であるため、外観上もバリと認識され得ない程度のものになっている。
【００３７】
図５に示されているように、樹脂封止体成形後の成形品１６においては、漏洩防止部材１０が第一アウタリード６と第二アウタリード８の両脇に嵌め込まれた状態になっている。この漏洩防止部材１０はダイオードの製品としての障害になるため、除去する必要がある。そこで、第一アウタリード６および第二アウタリード８の両脇に嵌め込まれた漏洩防止部材１０は、図６に示されている漏洩防止部材取外し装置４０によって外される。
【００３８】
図６に示されているように、漏洩防止部材取外し装置４０は上側取付板４１および下側取付板５１を備えており、上側取付板４１はシリンダ装置（図示せず）によって上下動されることにより、機台上に固設されている下側取付板５１に対して接近および離反するように構成されている。両取付板４１および５１には上側ホルダ４２および下側ホルダ５２がそれぞれ固定的に取り付けられている。上側ホルダ４２および下側ホルダ５２には上側押さえ４３および下側押さえ５３が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上側押さえ４３はガイド４４およびスプリング４５によって独立懸架されている。下側押さえ５３の中央部には樹脂封止体１５を下から支持する支持台５４が突設されている。
【００３９】
上側ホルダ４２の下面にはパンチ４６が漏洩防止部材１０に対応するように配されて垂直下向きに固設されており、下側ホルダ５２にはダイ５５が形成されている。パンチ４６とダイ５５とは協働して漏洩防止部材１０の折り線痕１０ｃの部分を図７に示されているように長方形に剪断するように構成されている。パンチ４６およびダイ５５における打抜き部分以外の場所は剪断力を発生せずに、漏洩防止部材１０を切り起こし孔１０ｄから抜き落とすように構成されている。
【００４０】
漏洩防止部材１０の取り外しに際して、図６に示されているように、単位リードフレーム２の外枠３およびセクション枠４が下側押さえ５３に対向されるとともに、樹脂封止体１５が支持台５４に支持される。
【００４１】
続いて、シリンダ装置により上側取付板４１が下降され、上側押さえ４３が外枠３およびセクション枠４を下側押さえ５３にスプリング４５の付勢力により押さえ付ける。
【００４２】
上側取付板４１がさらに下降されて行くと、パンチ４６が下降されて行く。このとき、上側押さえ４３はスプリング４５が圧縮変形されるため、押さえ力を強める。パンチ４６の下降に伴って、漏洩防止部材１０の折り線痕１０ｃの部分はパンチ４６とダイ５５とによって剪断されるため、漏洩防止部材１０はパンチ４６の押し力によってダイ５５の内部に突き落とされる。
【００４３】
パンチ４６によって切り起こし孔１０ｄから漏洩防止部材１０が抜き落とされると、上側取付板４１が上昇されて元の待機位置に戻される。その後に、ワークとしての成形品１６が一ピッチ送られて次の樹脂封止体１５が下側押さえ５３にセットされる。以降、前記作動が繰り返されて、成形品１６から漏洩防止部材１０が外されて行く。
【００４４】
以上のようにして漏洩防止部材１０を除去された成形品１６は、半田メッキ工程に送られて図７に示されているように半田メッキ被膜１７を被着される。半田メッキ被膜被着工程において、第一アウタリード６および第二アウタリード８は外枠３、３に連結された状態になっているため、半田メッキ被膜１７は図７に示されているように露出面全体に被着されることになる。すなわち、図７（ｃ）に示されているように、半田メッキ被膜１７は第一アウタリード６および第二アウタリード８の両側面にも被着された状態になる。
【００４５】
半田メッキ被膜が被着された図７に示されている半田メッキ品１８は、その後、リード切断工程において、第一アウタリード６および第二アウタリード８を切断される。以上のようにして、図８に示されているダイオード１９が製造されたことになる。
【００４６】
図８に示されているように、ダイオード１９の樹脂封止体１５は平面視が長方形の略直方体に形成されており、樹脂封止体１５の下面の両短辺側端部には第一アウタリード６の下面および第二アウタリード８の下面がそれぞれ長方形に露出されている。この第一アウタリード６の下面および第二アウタリード８の下面には半田メッキ被膜１７が被着されている。ちなみに、このダイオード１９は樹脂封止体１５の下面側を下向きにしてプリント配線基板に表面実装される。この際、第一アウタリード６および第二アウタリード８の下面の半田メッキ被膜１７がプリント配線基板のランドに半田付けされる。
【００４７】
そして、ダイオード１９の樹脂封止体１５は第一アウタリード６と第二アウタリード８との間の両脇に嵌め込まれた漏洩防止部材１０によってレジン３０の漏洩を防止されて成形された成形品であり、漏洩防止部材１０は半田メッキ被膜被着工程以前に取り除かれているため、このダイオード１９の第一アウタリード６の両側面および第二アウタリード８の両側面にも半田メッキ被膜１７が被着された状態になっている。
【００４８】
ところで、前述したトランスファ成形工程において、組立品１１とキャビティー２３との位置がずれると、図９（ａ）に示されているように、漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅが樹脂封止体１５に食い込んだ状態になってしまう。このように漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅが樹脂封止体１５に食い込んだ状態になると、漏洩防止部材１０を樹脂封止体１５から外すことが困難になる。
【００４９】
しかし、本実施形態においては、漏洩防止部材１０は樹脂封止体１５の下面に配置された状態になっているため、図９（ｂ）に示されているように、漏洩防止部材１０は下方に突き落とすことにより樹脂封止体１５から容易に除去することができる。すなわち、漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅは樹脂封止体１５に干渉することなく下方に平行移動するため、内側端辺１０ｅによって樹脂封止体１５を損傷させることなく、漏洩防止部材１０を外すことができる。
【００５０】
前記実施形態によれば、次の効果が得られる。
1) リードフレームのプレス打ち抜きに際して、リードフレームの一部を切り起こした後にこれを漏洩防止部材として切り起こし孔にプッシュバックさせて嵌め込んでおくことにより、このリードフレームに対する樹脂封止体の成形に際してキャビティーからのレジンのキャビティー外への漏洩を漏洩防止部材によって阻止することができるため、レジンのキャビティー外への漏洩による樹脂封止体に対するバリの発生を防止することができる。
【００５１】
2) 樹脂封止体の外周にバリが発生するのを防止することにより、バリ取り工程を省略することができるため、生産コストを低減することができるばかりでなく、バリの不測の脱落によるアウタリードへの打痕等の当該バリ取り工程で派生する二次障害を未然に回避することができる。
【００５２】
3) 漏洩防止部材を折り線痕においてリードフレームに連結した状態で、切り起こし孔にプッシュバックすることにより、板厚が薄い場合であっても、プッシュバック法を使用することができる。
【００５３】
4) ダイオードの第一アウタリードの両側面および第二アウタリードの両側面にも半田メッキ被膜を被着させることにより、ダイオードのプリント配線基板への半田付けに際して、半田を第一アウタリードの両側面および第二アウタリードの両側面まで吸い上げることができるため、良好な半田付け状態を形成することができる。
【００５４】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５５】
例えば、ダイオードを製造するのに使用するに限らず、図１０に示されているように、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）等を製造する場合にも使用することができる。
【００５６】
図１０はＩＣの製造方法に使用されるリードフレームを示している。本実施形態が前記実施形態と異なる点は、漏洩防止部材１０が隣合うアウタリード８Ａ、８Ａ間に嵌め込まれている点である。
【００５７】
リードフレームの板厚は０．１ｍｍ程度に限らない。０．２ｍｍ以上のリードフレームにも適用することができるが、０．２ｍｍ以上になると、通常のプッシュバック法も使用可能であるので、０．２ｍｍ以下の場合に最も有効となる。
【００５８】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるダイオードおよびＩＣの製造技術に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備えているトランジスタ等の樹脂封止パッケージを備えている半導体装置の製造技術全般に適用することができる。特に、本発明は、リードフレームの板厚が０．２ｍｍ以下の場合に優れた効果を発揮する。
【００５９】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００６０】
リードフレームのプレス打ち抜きに際して、リードフレームの一部を切り起こした後にこれを漏洩防止部材として切り起こし孔にプッシュバックさせて嵌め込んでおくことにより、このリードフレームに対する樹脂封止体の成形に際してキャビティーからのレジンのキャビティー外への漏洩を漏洩防止部材によって阻止することができるため、レジンのキャビティー外への漏洩による樹脂封止体に対するバリの発生を防止することができる。
【００６１】
樹脂封止体の外周にバリが発生するのを防止することにより、バリ取り工程を省略することができるため、生産コストを低減することができるばかりでなく、バリの不測の脱落によるアウタリードへの打痕等の当該バリ取り工程で派生する二次障害を未然に回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態であるダイオードの製造方法に使用されるリードフレームを示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う側面断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は漏洩防止部材の嵌め込み方法の一実施形態を示す各一部切断斜視図である。
【図３】ペレットおよびワイヤボンディング後の組立品を示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う側面断面図である。
【図４】樹脂封止体の成形工程を示しており、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図である。
【図５】樹脂封止体成形後の組立品を示しており、（ａ）は一部省略一部切断平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う側面断面図である。
【図６】漏洩防止部材取外し工程を示す正面断面図であり、左半分は取り外し前を示しており、右半分は取り外し後を示している。
【図７】半田メッキ被膜形成品を示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う側面断面図である。
【図８】本発明の一実施形態であるダイオードを示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は一部切断平面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は一部切断正面図、（ｅ）は側面断面図である。
【図９】（ａ）は漏洩防止部材が樹脂封止体に食い込んだ場合を示す正面断面図、（ｂ）はその漏洩防止部材の取り外し作用を示す一部省略正面断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態であるＩＣの製造方法に使用されるリードフレームを示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面端面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面端面図である。
【符号の説明】
１…多連リードフレーム、２…単位リードフレーム、３…外枠、４…セクション枠、５…枠体（フレーム）、６…第一アウタリード、７…第一インナリード、８…第二アウタリード、９…第二インナリード、１０…漏洩防止部材、１０ａ、１０ｂ…剪断線、１０ｃ…折り線痕、１０ｄ…切り起こし孔、１０ｅ…内側端辺、１１…ペレット・ワイヤボンディング後の組立品、１２…ボンディング層、１３…ペレット、１４…ボンディングワイヤ、１５…樹脂封止体、１６…成形品、１７…半田メッキ被膜、１８…半田メッキ品、１９…ダイオード（半導体装置）、２０…トランスファ成形装置、２１…上型、２２…下型、２３…キャビティー、２４…ポット、２５…プランジャ、２６…カル、２７…ランナ、２８…ゲート、２９…位置決め凸部、３０…レジン、４０…漏洩防止部材取外し装置、４１…上側取付板、４２…上側ホルダ、４３…上側押さえ、４４…ガイド、４５…スプリング、４６…パンチ、５１…下側取付板、５２…下側ホルダ、５３…下側押さえ、５４…支持台、５５…ダイ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術、特に、樹脂封止体の成形技術に関し、例えば、樹脂封止パッケージを備えているダイオードの製造に利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂封止パッケージを備えているダイオード（以下、ダイオードという。）の樹脂封止体をトランスファ成形装置によって成形するに際しては、樹脂をせき止めるためのダムバー（タイバーとも称される。）が使用されない場合がある。すなわち、ダイオードの樹脂封止体を成形するためのトランスファ成形装置は互いに型合わせされる上型および下型からなる成形型を備えており、上型および下型の合わせ面には樹脂封止体を成形するためのキャビティーが没設されている。また、上型または下型のいずれか一方の合わせ面にはランナを介してポットに連通されたゲートが、キャビティーに成形材料としての液状樹脂（以下、レジンという。）を注入し得るように没設されている。そして、上型と下型との合わせ面間にリードフレームがダイオードが作り込まれた半導体ペレットを取り囲むように配されて挟み込まれた後に、レジンがランナおよびゲートを通じてキャビティーに充填されることにより、リードフレームに樹脂封止体が成形される。
【０００３】
トランスファ成形装置によってリードフレームに樹脂封止体が成形される際に、リードフレームと上型および下型との合わせ面間からレジンがキャビティーの周囲に漏洩するため、樹脂封止体の外周に樹脂バリ（以下、バリという。）が発生する。
【０００４】
このバリが樹脂封止体の外周に残ったままでは、外観不良になるばかりでなく、後のアウタリードの外装処理工程（Ｌｅａｄ Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）においてメッキ被膜が被着しない等の障害が発生する。このため、このバリはバリ取り工程（Ｄｅｂｕｒｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）によって除去されるのが、一般的である。従来、バリは樹脂封止体の成形後に、打ち抜き金型装置や、ショットブラスト装置等によって除去されている。
【０００５】
なお、樹脂封止パッケージの樹脂封止体成形工程、バリ取り工程、外装処理工程およびリード切断成形工程を述べてある例としては、日経ＢＰ社１９９３年５月３１日発行「実践講座ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」第３１頁〜第５０頁がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のバリ取り方法によってはバリを１００％除去することができない。
【０００７】
なお、板厚の厚いリードフレームが使用される半導体装置の製造方法においては、リードフレームの抜き落とし部分を一度抜いた後にそのまま戻すプッシュバック方法が使用される場合がある。しかし、ダイオードの製造方法に使用されるリードフレームの板厚は０．２ｍｍ以下と薄いことにより、プッシュバック方法を使用しても脱落してしまうため、プッシュバック方法を適用することができない。
【０００８】
本発明の目的は、板厚が薄い場合であってもプッシュバック方法を適用することができる半導体装置の製造技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通りである。
【００１１】
すなわち、リードフレームの打ち抜きプレスに際して、リードフレームの一部が四辺形の漏洩防止部材として一対の対辺と樹脂封止体側となる一辺とが剪断されるとともに残りの一辺を起点に折り曲げられて切り起こされた後に、この切り起こし部分が切り起こし孔に嵌め込まれて形成され、
その後、このリードフレームに対する樹脂封止体の成形に際して、成形型のキャビティーからの樹脂の漏洩が前記漏洩防止部材によって阻止されることを特徴とする。
【００１２】
前記した手段によれば、リードフレームに対する樹脂封止体の成形に際して、成形型のキャビティーの隙間に漏洩防止部材の内側端辺が位置された状態になるため、キャビティーからの樹脂の漏洩は漏洩防止部材によって防止される。したがって、樹脂封止体成形時の樹脂の漏洩によるバリの発生を未然に防止することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に即して本発明の一実施形態を説明する。
【００１４】
本実施形態において、本発明に係る半導体装置の製造方法は、樹脂封止パッケージを備えているダイオード（以下、ダイオードという。）を製造するのに使用されている。以下、本発明の一実施形態であるダイオードの製造方法を説明する。この説明により、本発明の一実施形態であるダイオードの構成が共に明らかにされる。
【００１５】
本実施形態において、本発明に係るダイオードの製造方法には、図１に示されている多連リードフレーム１が使用されている。この多連リードフレーム１は銅系（銅またはその合金）材料または鉄系（鉄またはその合金）からなる薄板が用いられて、プレス加工により一体成形されている。本実施形態において、多連リードフレーム１の板厚は、約０．１ｍｍに設定されている。多連リードフレーム１には複数の単位リードフレーム２が横方向に一列に並設されている。但し、図示および説明は一単位について行われる。
【００１６】
単位リードフレーム２は位置決め孔３ａが開設されている外枠３を一対備えており、両外枠３、３は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそれぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレーム２、２間には一対のセクション枠４、４が両外枠３、３間に互いに平行に配されて一体的に架設されており、これら外枠３、３、セクション枠４、４によって形成された略正方形の枠体（フレーム）５内に単位リードフレーム２が構成されている。
【００１７】
一方の外枠３には長方形の平板形状に形成された第一アウタリード６が他方の外枠３の方向に突設されており、第一アウタリード６の先端には第一アウタリード６の幅よりも小幅の長方形の平板形状に形成された第一インナリード７が他方の外枠３の方向に突設されている。他方の外枠３には長方形の平板形状に形成された第二アウタリード８が第一インナリード７の方向に突設されており、第二アウタリード８の先端には第一インナリード７の幅よりも小幅の長方形の平板形状に形成された第二インナリード９が第一インナリード７の方向に突設されている。第二アウタリード８には長方形の肉抜き孔８ａが開設されている。
【００１８】
第一インナリード７は枠体５の面よりも多連リードフレーム１の厚さよりも若干小さい高さだけ一方の厚さ方向（以下、上方とする。）にクランク形状に屈曲されており、第一インナリード７の上面は枠体５の上面と平行になっている。また、第二インナリード９も第一インナリード７と同様に屈曲されており、第二インナリード９の上面は第一インナリード７と同一面になっている。
【００１９】
本実施形態において、両アウタリード６、８には後述する樹脂封止体成形時にレジンの流れをせき止めるためのダムバーが架設されていない。その代わりに、両アウタリード６、８の両脇には後述する樹脂封止体成形時にレジンの漏洩を防止するための長方形板形状の漏洩防止部材１０、１０がそれぞれ嵌め込まれている。
【００２０】
すなわち、図１に示されているように、漏洩防止部材１０はセクション枠４と第一アウタリード６および第二アウタリード８の側面辺との間隔に等しい長さの短辺と、両外枠３と３との間隔に等しい長辺とを有する長方形で、多連リードフレーム１の厚さと等しい厚さを有する板形状に形成されている。漏洩防止部材１０の両短辺は剪断線１０ａ、１０ａによって両外枠３、３から切り離されており、漏洩防止部材１０の一方の長辺は剪断線１０ｂによって第一アウタリード６および第二アウタリード８の側面辺から切り離されている。しかし、漏洩防止部材１０の他方の長辺は折り線痕１０ｃによってセクション枠４に連結されている。漏洩防止部材１０は折り線痕１０ｃにおいて単位リードフレーム２に一体になっているため、板厚が約０．１ｍｍと薄くても、脱落することはない。
【００２１】
図２（ａ）に示されているように、多連リードフレーム１のプレス加工に際して、漏洩防止部材１０は両外枠３、３、第一アウタリード６および第二アウタリード８に一体となった状態に打抜かれる。次いで、図２（ｂ）に示されているように、漏洩防止部材１０の第一アウタリード６と第二アウタリード８との間の両脇の部分が両外枠３、３にそれぞれ接する対辺と、この対辺間の辺における両アウタリード６、８と接する部分とが剪断されるとともに、セクション枠４と接する一辺を起点に折り曲げられて切り起こされる。続いて、この切り起こし部分が切り起こし孔１０ｄにプッシュバックされることによって嵌め込まれる。以上により、漏洩防止部材１０が図１に示されているように製造された状態になる。漏洩防止部材１０の第１アウタリード６と第二アウタリード８との間には樹脂封止体成形時にレジンの漏洩を防止する部分（以下、内側端辺という。）１０ｅが形成されている。
【００２２】
なお、第一インナリード７および第二インナリード９の屈曲加工は、図２（ｂ）に示されているように漏洩防止部材１０の切り起こし加工またはプッシュバック加工と同時に実施することができる。
【００２３】
以上のように構成されて準備された多連リードフレーム１には、各単位リードフレーム２毎にペレット・ボンディング作業、続いて、ワイヤ・ボンディング作業が実施され、これら作業により、図３に示されている組立品１１が製造されることになる。これらのボンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次実施される。
【００２４】
まず、ペレットボンディング作業により、前工程においてダイオード素子を含む回路（図示せず）を作り込まれたダイオード回路構造体としての半導体ペレット（以下、ペレットという。）１３が、各単位リードフレーム２における第一インナリード７上の略中央部に配されて、銀ペーストや半田等の導電性を有する材料が用いられて形成されるボンディング層１２を介して固着される。
【００２５】
次いで、第一インナリード７に固定的にボンディングされたペレット１３のボンディングパッド１３ａと第二インナリード９との間には、銅系材料（銅または銅合金）を使用されて形成されているワイヤ１４が超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置が使用されることにより、その両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。
【００２６】
ここで、ペレット１３の下面およびペレット１３のボンディングパッド１３ａにカソード電極およびアノード電極の一方がそれぞれ形成されていると、以上のボンディング作業により、ペレット１３に作り込まれたダイオード回路はボンディングパッド１３ａ、ワイヤ１４、第二インナリード９およびペレット１３の下面、ボンディング層１２、第一インナリード７を経由して第二アウタリード８おび第一アウタリード６に電気的に引き出される状態になる。
【００２７】
その後、多連リードフレームにペレットおよびワイヤ・ボンディングされた後の組立品１１には、各単位リードフレーム毎に樹脂封止する樹脂封止体群が、図４に示されているトランスファ成形装置を使用されて単位リードフレーム群について同時成形される。
【００２８】
図４に示されているトランスファ成形装置２０はシリンダ装置（図示せず）によって互いに型締めされる一対の上型２１と下型２２とを備えており、上型２１の下型２２との合わせ面には長方形の平盤形状の上型キャビティー凹部２３ａが下型２２の合わせ面と協働してキャビティー２３を形成するように没設されている。下型２２の合わせ面にはポット２４が開設されており、ポット２４にはシリンダ装置（図示せず）により進退されるプランジャ２５が成形材料としての樹脂から成るタブレット（図示せず）が投入され、このタブレットが溶融されて成る液状樹脂（レジン）を送給し得るようになっている。
【００２９】
上型２１の合わせ面にはカル２６がポット２４との対向位置に配されて没設されており、一端をカル２６に接続されたランナ２７が没設されている。ランナ２７の他端は上側キャビティー凹部２３ａに接続されており、その接続部にはゲート２８がレジンをキャビティー２３内に注入し得るように形成されている。また、下型２２の合わせ面には外枠３の位置決め孔３ａと嵌合する位置決め凸部２９が突設されている。
【００３０】
トランスファ成形に際して、ワークとしてのペレット・ワイヤボンディング後の組立品１１は下型２２に置かれる。この際、外枠３の位置決め孔３ａが位置決め凸部２９に嵌合され、各単位リードフレーム２におけるペレット１３が各キャビティー２３内に収容される。この状態において、第一アウタリード６および第二アウタリード８の下面は下型２２の上面に接した状態になっており、第一インナリード７および第二インナリード９の下面は下型２２の上面から浮いた状態になっている。
【００３１】
次いで、上型２１と下型２２とが型締めされる。この状態において、図４（ｂ）に示されているように、漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅは上型キャビティー凹部２３ａ、すなわち、キャビティー２３の外周辺と可及的に一致した状態になる。つまり、漏洩防止部材１０とキャビティー２３との相関関係は漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅとキャビティー２３の外周辺とが可及的に一致する状態になるように設定されている。
【００３２】
続いて、ポット２４からプランジャ２５によって成形材料としてのレジン３０がランナ２７およびゲート２８を通じて各キャビティー２３に注入されてそれぞれ充填される。
【００３３】
キャビティー２３内に注入されたレジン３０はその充填に伴って、上型２１と下型２２との合わせ面間においてキャビティー２３の外部に漏洩する。しかし、キャビティー２３は第一アウタリード６、第二アウタリード８および両脇の漏洩防止部材１０によって包囲されているため、レジン３０はキャビティー２３から外部へ流出することはない。つまり、キャビティー２３の第一アウタリード６および第二アウタリード８の両脇は漏洩防止部材１０によって埋められているため、キャビティー２３の外周にバリが形成されることはない。
【００３４】
多連リードフレーム１の加工公差によって漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅとキャビティー２３の外周縁との間に誤差が形成されていたとしても、その誤差は極僅かになるように各部の寸法が設定されているため、万一、バリが形成されたとしてもその突出量は極僅かで支障にならない程度になる。
【００３５】
注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体１５が成形されると、上型２１および下型２２は型開きされるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）によって樹脂封止体１５が離型される。つまり、多連リードフレーム１の各単位リードフレーム２に樹脂封止体１５がそれぞれ成形された図５に示されている樹脂封止体成形後の成形品１６がトランスファ成形装置２０から脱装される。
【００３６】
以上のようにして各単位リードフレーム２毎に樹脂封止体１５が樹脂成形されてトランスファ成形装置２０から離型されると、図５に示されている成形品１６が製造されたことになる。この成形品１６の樹脂封止体１５の内部にはペレット１３、第一インナリード７、第二インナリード９およびワイヤ１４が樹脂封止された状態になっている。この状態において、樹脂封止体１５の漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅと接していた部分にはバリが形成されていない。形成されていたとしてもバリはきわめて微細であるため、樹脂封止体１５に殆ど一体化されており、しかも、微細であるため、外観上もバリと認識され得ない程度のものになっている。
【００３７】
図５に示されているように、樹脂封止体成形後の成形品１６においては、漏洩防止部材１０が第一アウタリード６と第二アウタリード８の両脇に嵌め込まれた状態になっている。この漏洩防止部材１０はダイオードの製品としての障害になるため、除去する必要がある。そこで、第一アウタリード６および第二アウタリード８の両脇に嵌め込まれた漏洩防止部材１０は、図６に示されている漏洩防止部材取外し装置４０によって外される。
【００３８】
図６に示されているように、漏洩防止部材取外し装置４０は上側取付板４１および下側取付板５１を備えており、上側取付板４１はシリンダ装置（図示せず）によって上下動されることにより、機台上に固設されている下側取付板５１に対して接近および離反するように構成されている。両取付板４１および５１には上側ホルダ４２および下側ホルダ５２がそれぞれ固定的に取り付けられている。上側ホルダ４２および下側ホルダ５２には上側押さえ４３および下側押さえ５３が互いに心合わせされてそれぞれ保持されている。上側押さえ４３はガイド４４およびスプリング４５によって独立懸架されている。下側押さえ５３の中央部には樹脂封止体１５を下から支持する支持台５４が突設されている。
【００３９】
上側ホルダ４２の下面にはパンチ４６が漏洩防止部材１０に対応するように配されて垂直下向きに固設されており、下側ホルダ５２にはダイ５５が形成されている。パンチ４６とダイ５５とは協働して漏洩防止部材１０の折り線痕１０ｃの部分を図７に示されているように長方形に剪断するように構成されている。パンチ４６およびダイ５５における打抜き部分以外の場所は剪断力を発生せずに、漏洩防止部材１０を切り起こし孔１０ｄから抜き落とすように構成されている。
【００４０】
漏洩防止部材１０の取り外しに際して、図６に示されているように、単位リードフレーム２の外枠３およびセクション枠４が下側押さえ５３に対向されるとともに、樹脂封止体１５が支持台５４に支持される。
【００４１】
続いて、シリンダ装置により上側取付板４１が下降され、上側押さえ４３が外枠３およびセクション枠４を下側押さえ５３にスプリング４５の付勢力により押さえ付ける。
【００４２】
上側取付板４１がさらに下降されて行くと、パンチ４６が下降されて行く。このとき、上側押さえ４３はスプリング４５が圧縮変形されるため、押さえ力を強める。パンチ４６の下降に伴って、漏洩防止部材１０の折り線痕１０ｃの部分はパンチ４６とダイ５５とによって剪断されるため、漏洩防止部材１０はパンチ４６の押し力によってダイ５５の内部に突き落とされる。
【００４３】
パンチ４６によって切り起こし孔１０ｄから漏洩防止部材１０が抜き落とされると、上側取付板４１が上昇されて元の待機位置に戻される。その後に、ワークとしての成形品１６が一ピッチ送られて次の樹脂封止体１５が下側押さえ５３にセットされる。以降、前記作動が繰り返されて、成形品１６から漏洩防止部材１０が外されて行く。
【００４４】
以上のようにして漏洩防止部材１０を除去された成形品１６は、半田メッキ工程に送られて図７に示されているように半田メッキ被膜１７を被着される。半田メッキ被膜被着工程において、第一アウタリード６および第二アウタリード８は外枠３、３に連結された状態になっているため、半田メッキ被膜１７は図７に示されているように露出面全体に被着されることになる。すなわち、図７（ｃ）に示されているように、半田メッキ被膜１７は第一アウタリード６および第二アウタリード８の両側面にも被着された状態になる。
【００４５】
半田メッキ被膜が被着された図７に示されている半田メッキ品１８は、その後、リード切断工程において、第一アウタリード６および第二アウタリード８を切断される。以上のようにして、図８に示されているダイオード１９が製造されたことになる。
【００４６】
図８に示されているように、ダイオード１９の樹脂封止体１５は平面視が長方形の略直方体に形成されており、樹脂封止体１５の下面の両短辺側端部には第一アウタリード６の下面および第二アウタリード８の下面がそれぞれ長方形に露出されている。この第一アウタリード６の下面および第二アウタリード８の下面には半田メッキ被膜１７が被着されている。ちなみに、このダイオード１９は樹脂封止体１５の下面側を下向きにしてプリント配線基板に表面実装される。この際、第一アウタリード６および第二アウタリード８の下面の半田メッキ被膜１７がプリント配線基板のランドに半田付けされる。
【００４７】
そして、ダイオード１９の樹脂封止体１５は第一アウタリード６と第二アウタリード８との間の両脇に嵌め込まれた漏洩防止部材１０によってレジン３０の漏洩を防止されて成形された成形品であり、漏洩防止部材１０は半田メッキ被膜被着工程以前に取り除かれているため、このダイオード１９の第一アウタリード６の両側面および第二アウタリード８の両側面にも半田メッキ被膜１７が被着された状態になっている。
【００４８】
ところで、前述したトランスファ成形工程において、組立品１１とキャビティー２３との位置がずれると、図９（ａ）に示されているように、漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅが樹脂封止体１５に食い込んだ状態になってしまう。このように漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅが樹脂封止体１５に食い込んだ状態になると、漏洩防止部材１０を樹脂封止体１５から外すことが困難になる。
【００４９】
しかし、本実施形態においては、漏洩防止部材１０は樹脂封止体１５の下面に配置された状態になっているため、図９（ｂ）に示されているように、漏洩防止部材１０は下方に突き落とすことにより樹脂封止体１５から容易に除去することができる。すなわち、漏洩防止部材１０の内側端辺１０ｅは樹脂封止体１５に干渉することなく下方に平行移動するため、内側端辺１０ｅによって樹脂封止体１５を損傷させることなく、漏洩防止部材１０を外すことができる。
【００５０】
前記実施形態によれば、次の効果が得られる。
1) リードフレームのプレス打ち抜きに際して、リードフレームの一部を切り起こした後にこれを漏洩防止部材として切り起こし孔にプッシュバックさせて嵌め込んでおくことにより、このリードフレームに対する樹脂封止体の成形に際してキャビティーからのレジンのキャビティー外への漏洩を漏洩防止部材によって阻止することができるため、レジンのキャビティー外への漏洩による樹脂封止体に対するバリの発生を防止することができる。
【００５１】
2) 樹脂封止体の外周にバリが発生するのを防止することにより、バリ取り工程を省略することができるため、生産コストを低減することができるばかりでなく、バリの不測の脱落によるアウタリードへの打痕等の当該バリ取り工程で派生する二次障害を未然に回避することができる。
【００５２】
3) 漏洩防止部材を折り線痕においてリードフレームに連結した状態で、切り起こし孔にプッシュバックすることにより、板厚が薄い場合であっても、プッシュバック法を使用することができる。
【００５３】
4) ダイオードの第一アウタリードの両側面および第二アウタリードの両側面にも半田メッキ被膜を被着させることにより、ダイオードのプリント配線基板への半田付けに際して、半田を第一アウタリードの両側面および第二アウタリードの両側面まで吸い上げることができるため、良好な半田付け状態を形成することができる。
【００５４】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５５】
例えば、ダイオードを製造するのに使用するに限らず、図１０に示されているように、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）等を製造する場合にも使用することができる。
【００５６】
図１０はＩＣの製造方法に使用されるリードフレームを示している。本実施形態が前記実施形態と異なる点は、漏洩防止部材１０が隣合うアウタリード８Ａ、８Ａ間に嵌め込まれている点である。
【００５７】
リードフレームの板厚は０．１ｍｍ程度に限らない。０．２ｍｍ以上のリードフレームにも適用することができるが、０．２ｍｍ以上になると、通常のプッシュバック法も使用可能であるので、０．２ｍｍ以下の場合に最も有効となる。
【００５８】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるダイオードおよびＩＣの製造技術に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備えているトランジスタ等の樹脂封止パッケージを備えている半導体装置の製造技術全般に適用することができる。特に、本発明は、リードフレームの板厚が０．２ｍｍ以下の場合に優れた効果を発揮する。
【００５９】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
【００６０】
リードフレームのプレス打ち抜きに際して、リードフレームの一部を切り起こした後にこれを漏洩防止部材として切り起こし孔にプッシュバックさせて嵌め込んでおくことにより、このリードフレームに対する樹脂封止体の成形に際してキャビティーからのレジンのキャビティー外への漏洩を漏洩防止部材によって阻止することができるため、レジンのキャビティー外への漏洩による樹脂封止体に対するバリの発生を防止することができる。
【００６１】
樹脂封止体の外周にバリが発生するのを防止することにより、バリ取り工程を省略することができるため、生産コストを低減することができるばかりでなく、バリの不測の脱落によるアウタリードへの打痕等の当該バリ取り工程で派生する二次障害を未然に回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態であるダイオードの製造方法に使用されるリードフレームを示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う側面断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は漏洩防止部材の嵌め込み方法の一実施形態を示す各一部切断斜視図である。
【図３】ペレットおよびワイヤボンディング後の組立品を示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う側面断面図である。
【図４】樹脂封止体の成形工程を示しており、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図である。
【図５】樹脂封止体成形後の組立品を示しており、（ａ）は一部省略一部切断平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う側面断面図である。
【図６】漏洩防止部材取外し工程を示す正面断面図であり、左半分は取り外し前を示しており、右半分は取り外し後を示している。
【図７】半田メッキ被膜形成品を示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う正面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う側面断面図である。
【図８】本発明の一実施形態であるダイオードを示しており、（ａ）は斜視図、（ｂ）は一部切断平面図、（ｃ）は底面図、（ｄ）は一部切断正面図、（ｅ）は側面断面図である。
【図９】（ａ）は漏洩防止部材が樹脂封止体に食い込んだ場合を示す正面断面図、（ｂ）はその漏洩防止部材の取り外し作用を示す一部省略正面断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態であるＩＣの製造方法に使用されるリードフレームを示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面端面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う断面端面図である。
【符号の説明】
１…多連リードフレーム、２…単位リードフレーム、３…外枠、４…セクション枠、５…枠体（フレーム）、６…第一アウタリード、７…第一インナリード、８…第二アウタリード、９…第二インナリード、１０…漏洩防止部材、１０ａ、１０ｂ…剪断線、１０ｃ…折り線痕、１０ｄ…切り起こし孔、１０ｅ…内側端辺、１１…ペレット・ワイヤボンディング後の組立品、１２…ボンディング層、１３…ペレット、１４…ボンディングワイヤ、１５…樹脂封止体、１６…成形品、１７…半田メッキ被膜、１８…半田メッキ品、１９…ダイオード（半導体装置）、２０…トランスファ成形装置、２１…上型、２２…下型、２３…キャビティー、２４…ポット、２５…プランジャ、２６…カル、２７…ランナ、２８…ゲート、２９…位置決め凸部、３０…レジン、４０…漏洩防止部材取外し装置、４１…上側取付板、４２…上側ホルダ、４３…上側押さえ、４４…ガイド、４５…スプリング、４６…パンチ、５１…下側取付板、５２…下側ホルダ、５３…下側押さえ、５４…支持台、５５…ダイ。
Claims (7)
- リードフレームの打ち抜きプレスに際して、リードフレームの一部が四辺形の漏洩防止部材として一対の対辺と樹脂封止体側となる一辺とが剪断されるとともに、残りの一辺を全幅においてリードフレームに連結した状態で、この一辺を起点に折り曲げられて切り起こされた後に、この切り起こし部分が切り起こし孔に嵌め込まれて形成され、
その後、このリードフレームに対する樹脂封止体の成形に際して、成形型のキャビティーからの樹脂の漏洩が前記漏洩防止部材によって阻止されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - プレス打ち抜きプレスによってリードフレームの一部が四辺形の漏洩防止部材として一対の対辺と樹脂封止体側になる一辺とが剪断されるとともに、残りの一辺を全幅においてリードフレームに連結した状態で、この一辺を起点に折り曲げられて切り起こされた後に、この切り起こし部分が切り起こし孔に嵌め込まれて形成されたリードフレームに対する樹脂封止体の成形に際して、成形型のキャビティーからの樹脂の漏洩が前記漏洩防止部材によって阻止されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記漏洩防止部材が前記リードフレームのアウタリードの両脇に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リードフレームの厚さが０．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１、２または３に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂封止体の成形後に前記漏洩防止部材がアウタリード間から外された後に、前記リードフレームにメッキ被膜が被着されることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂封止体の成形後に前記折り曲げ辺が前記リードフレームから切り抜かれることにより、前記漏洩防止部材が外されることを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リードフレームに前記メッキ被膜が被着された後に、アウタリードが前記リードフレームから切り離されることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。
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