JP2000174189A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄い板厚でもプッシュバック方法で樹脂封止
体を成形する。 【解決手段】 両アウタリード6、8の両脇には樹脂封
止体成形時にレジンの漏洩を防止するための長方形板形
状の漏洩防止部材10、10が嵌め込まれている。漏洩
防止部材10はセクション枠4と第一アウタリード6、
第二アウタリード8の側面辺との間の長さの短辺と、両
外枠3、3間の長辺とを有する長方形でリードフレーム
1の厚さの板形状に形成され、両短辺は剪断線10aで
切り離され、長辺は剪断線10bで両アウタリード6、
8の側面辺から切り離されている。漏洩防止部材10の
他の長辺は折り線痕10cでセクション枠4に連結され
ているため、漏洩防止部材10は板厚が約0.1mmと
薄くても脱落しない。 【効果】 レジンの漏洩防止により、樹脂封止体のバリ
の発生を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
技術、特に、樹脂封止体の成形技術に関し、例えば、樹
脂封止パッケージを備えているダイオードの製造に利用
して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】樹脂封止パッケージを備えているダイオ
ード(以下、ダイオードという。)の樹脂封止体をトラ
ンスファ成形装置によって成形するに際しては、樹脂を
せき止めるためのダムバー(タイバーとも称される。)
が使用されない場合がある。すなわち、ダイオードの樹
脂封止体を成形するためのトランスファ成形装置は互い
に型合わせされる上型および下型からなる成形型を備え
ており、上型および下型の合わせ面には樹脂封止体を成
形するためのキャビティーが没設されている。また、上
型または下型のいずれか一方の合わせ面にはランナを介
してポットに連通されたゲートが、キャビティーに成形
材料としての液状樹脂(以下、レジンという。)を注入
し得るように没設されている。そして、上型と下型との
合わせ面間にリードフレームがダイオードが作り込まれ
た半導体ペレットを取り囲むように配されて挟み込まれ
た後に、レジンがランナおよびゲートを通じてキャビテ
ィーに充填されることにより、リードフレームに樹脂封
止体が成形される。
【0003】トランスファ成形装置によってリードフレ
ームに樹脂封止体が成形される際に、リードフレームと
上型および下型との合わせ面間からレジンがキャビティ
ーの周囲に漏洩するため、樹脂封止体の外周に樹脂バリ
(以下、バリという。)が発生する。
【0004】このバリが樹脂封止体の外周に残ったまま
では、外観不良になるばかりでなく、後のアウタリード
の外装処理工程(Lead Finishing pr
ocess)においてメッキ被膜が被着しない等の障害
が発生する。このため、このバリはバリ取り工程(De
burring process)によって除去される
のが、一般的である。従来、バリは樹脂封止体の成形後
に、打ち抜き金型装置や、ショットブラスト装置等によ
って除去されている。
【0005】なお、樹脂封止パッケージの樹脂封止体成
形工程、バリ取り工程、外装処理工程およびリード切断
成形工程を述べてある例としては、日経BP社1993
年5月31日発行「実践講座VLSIパッケージング技
術(下)」第31頁〜第50頁がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バリ取り方法によってはバリを100%除去することが
できない。
【0007】なお、板厚の厚いリードフレームが使用さ
れる半導体装置の製造方法においては、リードフレーム
の抜き落とし部分を一度抜いた後にそのまま戻すプッシ
ュバック方法が使用される場合がある。しかし、ダイオ
ードの製造方法に使用されるリードフレームの板厚は
0.2mm以下と薄いことにより、プッシュバック方法
を使用しても脱落してしまうため、プッシュバック方法
を適用することができない。
【0008】本発明の目的は、板厚が薄い場合であって
もプッシュバック方法を適用することができる半導体装
置の製造技術を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0011】すなわち、リードフレームの打ち抜きプレ
スに際して、リードフレームの一部が四辺形の漏洩防止
部材として一対の対辺と樹脂封止体側となる一辺とが剪
断されるとともに残りの一辺を起点に折り曲げられて切
り起こされた後に、この切り起こし部分が切り起こし孔
に嵌め込まれて形成され、その後、このリードフレーム
に対する樹脂封止体の成形に際して、成形型のキャビテ
ィーからの樹脂の漏洩が前記漏洩防止部材によって阻止
されることを特徴とする。
【0012】前記した手段によれば、リードフレームに
対する樹脂封止体の成形に際して、成形型のキャビティ
ーの隙間に漏洩防止部材の内側端辺が位置された状態に
なるため、キャビティーからの樹脂の漏洩は漏洩防止部
材によって防止される。したがって、樹脂封止体成形時
の樹脂の漏洩によるバリの発生を未然に防止することが
できる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、図面に即して本発明の一実
施形態を説明する。
【0014】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置の製造方法は、樹脂封止パッケージを備えているダ
イオード(以下、ダイオードという。)を製造するのに
使用されている。以下、本発明の一実施形態であるダイ
オードの製造方法を説明する。この説明により、本発明
の一実施形態であるダイオードの構成が共に明らかにさ
れる。
【0015】本実施形態において、本発明に係るダイオ
ードの製造方法には、図1に示されている多連リードフ
レーム1が使用されている。この多連リードフレーム1
は銅系(銅またはその合金)材料または鉄系(鉄または
その合金)からなる薄板が用いられて、プレス加工によ
り一体成形されている。本実施形態において、多連リー
ドフレーム1の板厚は、約0.1mmに設定されてい
る。多連リードフレーム1には複数の単位リードフレー
ム2が横方向に一列に並設されている。但し、図示およ
び説明は一単位について行われる。
【0016】単位リードフレーム2は位置決め孔3aが
開設されている外枠3を一対備えており、両外枠3、3
は所定の間隔で平行になるように配されて一連にそれぞ
れ延設されている。隣り合う単位リードフレーム2、2
間には一対のセクション枠4、4が両外枠3、3間に互
いに平行に配されて一体的に架設されており、これら外
枠3、3、セクション枠4、4によって形成された略正
方形の枠体(フレーム)5内に単位リードフレーム2が
構成されている。
【0017】一方の外枠3には長方形の平板形状に形成
された第一アウタリード6が他方の外枠3の方向に突設
されており、第一アウタリード6の先端には第一アウタ
リード6の幅よりも小幅の長方形の平板形状に形成され
た第一インナリード7が他方の外枠3の方向に突設され
ている。他方の外枠3には長方形の平板形状に形成され
た第二アウタリード8が第一インナリード7の方向に突
設されており、第二アウタリード8の先端には第一イン
ナリード7の幅よりも小幅の長方形の平板形状に形成さ
れた第二インナリード9が第一インナリード7の方向に
突設されている。第二アウタリード8には長方形の肉抜
き孔8aが開設されている。
【0018】第一インナリード7は枠体5の面よりも多
連リードフレーム1の厚さよりも若干小さい高さだけ一
方の厚さ方向(以下、上方とする。)にクランク形状に
屈曲されており、第一インナリード7の上面は枠体5の
上面と平行になっている。また、第二インナリード9も
第一インナリード7と同様に屈曲されており、第二イン
ナリード9の上面は第一インナリード7と同一面になっ
ている。
【0019】本実施形態において、両アウタリード6、
8には後述する樹脂封止体成形時にレジンの流れをせき
止めるためのダムバーが架設されていない。その代わり
に、両アウタリード6、8の両脇には後述する樹脂封止
体成形時にレジンの漏洩を防止するための長方形板形状
の漏洩防止部材10、10がそれぞれ嵌め込まれてい
る。
【0020】すなわち、図1に示されているように、漏
洩防止部材10はセクション枠4と第一アウタリード6
および第二アウタリード8の側面辺との間隔に等しい長
さの短辺と、両外枠3と3との間隔に等しい長辺とを有
する長方形で、多連リードフレーム1の厚さと等しい厚
さを有する板形状に形成されている。漏洩防止部材10
の両短辺は剪断線10a、10aによって両外枠3、3
から切り離されており、漏洩防止部材10の一方の長辺
は剪断線10bによって第一アウタリード6および第二
アウタリード8の側面辺から切り離されている。しか
し、漏洩防止部材10の他方の長辺は折り線痕10cに
よってセクション枠4に連結されている。漏洩防止部材
10は折り線痕10cにおいて単位リードフレーム2に
一体になっているため、板厚が約0.1mmと薄くて
も、脱落することはない。
【0021】図2(a)に示されているように、多連リ
ードフレーム1のプレス加工に際して、漏洩防止部材1
0は両外枠3、3、第一アウタリード6および第二アウ
タリード8に一体となった状態に打抜かれる。次いで、
図2(b)に示されているように、漏洩防止部材10の
第一アウタリード6と第二アウタリード8との間の両脇
の部分が両外枠3、3にそれぞれ接する対辺と、この対
辺間の辺における両アウタリード6、8と接する部分と
が剪断されるとともに、セクション枠4と接する一辺を
起点に折り曲げられて切り起こされる。続いて、この切
り起こし部分が切り起こし孔10dにプッシュバックさ
れることによって嵌め込まれる。以上により、漏洩防止
部材10が図1に示されているように製造された状態に
なる。漏洩防止部材10の第1アウタリード6と第二ア
ウタリード8との間には樹脂封止体成形時にレジンの漏
洩を防止する部分(以下、内側端辺という。)10eが
形成されている。
【0022】なお、第一インナリード7および第二イン
ナリード9の屈曲加工は、図2(b)に示されているよ
うに漏洩防止部材10の切り起こし加工またはプッシュ
バック加工と同時に実施することができる。
【0023】以上のように構成されて準備された多連リ
ードフレーム1には、各単位リードフレーム2毎にペレ
ット・ボンディング作業、続いて、ワイヤ・ボンディン
グ作業が実施され、これら作業により、図3に示されて
いる組立品11が製造されることになる。これらのボン
ディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ送
りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次実
施される。
【0024】まず、ペレットボンディング作業により、
前工程においてダイオード素子を含む回路(図示せず)
を作り込まれたダイオード回路構造体としての半導体ペ
レット(以下、ペレットという。)13が、各単位リー
ドフレーム2における第一インナリード7上の略中央部
に配されて、銀ペーストや半田等の導電性を有する材料
が用いられて形成されるボンディング層12を介して固
着される。
【0025】次いで、第一インナリード7に固定的にボ
ンディングされたペレット13のボンディングパッド1
3aと第二インナリード9との間には、銅系材料(銅ま
たは銅合金)を使用されて形成されているワイヤ14が
超音波熱圧着式ワイヤボンディング装置が使用されるこ
とにより、その両端部をそれぞれボンディングされて橋
絡される。
【0026】ここで、ペレット13の下面およびペレッ
ト13のボンディングパッド13aにカソード電極およ
びアノード電極の一方がそれぞれ形成されていると、以
上のボンディング作業により、ペレット13に作り込ま
れたダイオード回路はボンディングパッド13a、ワイ
ヤ14、第二インナリード9およびペレット13の下
面、ボンディング層12、第一インナリード7を経由し
て第二アウタリード8おび第一アウタリード6に電気的
に引き出される状態になる。
【0027】その後、多連リードフレームにペレットお
よびワイヤ・ボンディングされた後の組立品11には、
各単位リードフレーム毎に樹脂封止する樹脂封止体群
が、図4に示されているトランスファ成形装置を使用さ
れて単位リードフレーム群について同時成形される。
【0028】図4に示されているトランスファ成形装置
20はシリンダ装置(図示せず)によって互いに型締め
される一対の上型21と下型22とを備えており、上型
21の下型22との合わせ面には長方形の平盤形状の上
型キャビティー凹部23aが下型22の合わせ面と協働
してキャビティー23を形成するように没設されてい
る。下型22の合わせ面にはポット24が開設されてお
り、ポット24にはシリンダ装置(図示せず)により進
退されるプランジャ25が成形材料としての樹脂から成
るタブレット(図示せず)が投入され、このタブレット
が溶融されて成る液状樹脂(レジン)を送給し得るよう
になっている。
【0029】上型21の合わせ面にはカル26がポット
24との対向位置に配されて没設されており、一端をカ
ル26に接続されたランナ27が没設されている。ラン
ナ27の他端は上側キャビティー凹部23aに接続され
ており、その接続部にはゲート28がレジンをキャビテ
ィー23内に注入し得るように形成されている。また、
下型22の合わせ面には外枠3の位置決め孔3aと嵌合
する位置決め凸部29が突設されている。
【0030】トランスファ成形に際して、ワークとして
のペレット・ワイヤボンディング後の組立品11は下型
22に置かれる。この際、外枠3の位置決め孔3aが位
置決め凸部29に嵌合され、各単位リードフレーム2に
おけるペレット13が各キャビティー23内に収容され
る。この状態において、第一アウタリード6および第二
アウタリード8の下面は下型22の上面に接した状態に
なっており、第一インナリード7および第二インナリー
ド9の下面は下型22の上面から浮いた状態になってい
る。
【0031】次いで、上型21と下型22とが型締めさ
れる。この状態において、図4(b)に示されているよ
うに、漏洩防止部材10の内側端辺10eは上型キャビ
ティー凹部23a、すなわち、キャビティー23の外周
辺と可及的に一致した状態になる。つまり、漏洩防止部
材10とキャビティー23との相関関係は漏洩防止部材
10の内側端辺10eとキャビティー23の外周辺とが
可及的に一致する状態になるように設定されている。
【0032】続いて、ポット24からプランジャ25に
よって成形材料としてのレジン30がランナ27および
ゲート28を通じて各キャビティー23に注入されてそ
れぞれ充填される。
【0033】キャビティー23内に注入されたレジン3
0はその充填に伴って、上型21と下型22との合わせ
面間においてキャビティー23の外部に漏洩する。しか
し、キャビティー23は第一アウタリード6、第二アウ
タリード8および両脇の漏洩防止部材10によって包囲
されているため、レジン30はキャビティー23から外
部へ流出することはない。つまり、キャビティー23の
第一アウタリード6および第二アウタリード8の両脇は
漏洩防止部材10によって埋められているため、キャビ
ティー23の外周にバリが形成されることはない。
【0034】多連リードフレーム1の加工公差によって
漏洩防止部材10の内側端辺10eとキャビティー23
の外周縁との間に誤差が形成されていたとしても、その
誤差は極僅かになるように各部の寸法が設定されている
ため、万一、バリが形成されたとしてもその突出量は極
僅かで支障にならない程度になる。
【0035】注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体
15が成形されると、上型21および下型22は型開き
されるとともに、エジェクタ・ピン(図示せず)によっ
て樹脂封止体15が離型される。つまり、多連リードフ
レーム1の各単位リードフレーム2に樹脂封止体15が
それぞれ成形された図5に示されている樹脂封止体成形
後の成形品16がトランスファ成形装置20から脱装さ
れる。
【0036】以上のようにして各単位リードフレーム2
毎に樹脂封止体15が樹脂成形されてトランスファ成形
装置20から離型されると、図5に示されている成形品
16が製造されたことになる。この成形品16の樹脂封
止体15の内部にはペレット13、第一インナリード
7、第二インナリード9およびワイヤ14が樹脂封止さ
れた状態になっている。この状態において、樹脂封止体
15の漏洩防止部材10の内側端辺10eと接していた
部分にはバリが形成されていない。形成されていたとし
てもバリはきわめて微細であるため、樹脂封止体15に
殆ど一体化されており、しかも、微細であるため、外観
上もバリと認識され得ない程度のものになっている。
【0037】図5に示されているように、樹脂封止体成
形後の成形品16においては、漏洩防止部材10が第一
アウタリード6と第二アウタリード8の両脇に嵌め込ま
れた状態になっている。この漏洩防止部材10はダイオ
ードの製品としての障害になるため、除去する必要があ
る。そこで、第一アウタリード6および第二アウタリー
ド8の両脇に嵌め込まれた漏洩防止部材10は、図6に
示されている漏洩防止部材取外し装置40によって外さ
れる。
【0038】図6に示されているように、漏洩防止部材
取外し装置40は上側取付板41および下側取付板51
を備えており、上側取付板41はシリンダ装置(図示せ
ず)によって上下動されることにより、機台上に固設さ
れている下側取付板51に対して接近および離反するよ
うに構成されている。両取付板41および51には上側
ホルダ42および下側ホルダ52がそれぞれ固定的に取
り付けられている。上側ホルダ42および下側ホルダ5
2には上側押さえ43および下側押さえ53が互いに心
合わせされてそれぞれ保持されている。上側押さえ43
はガイド44およびスプリング45によって独立懸架さ
れている。下側押さえ53の中央部には樹脂封止体15
を下から支持する支持台54が突設されている。
【0039】上側ホルダ42の下面にはパンチ46が漏
洩防止部材10に対応するように配されて垂直下向きに
固設されており、下側ホルダ52にはダイ55が形成さ
れている。パンチ46とダイ55とは協働して漏洩防止
部材10の折り線痕10cの部分を図7に示されている
ように長方形に剪断するように構成されている。パンチ
46およびダイ55における打抜き部分以外の場所は剪
断力を発生せずに、漏洩防止部材10を切り起こし孔1
0dから抜き落とすように構成されている。
【0040】漏洩防止部材10の取り外しに際して、図
6に示されているように、単位リードフレーム2の外枠
3およびセクション枠4が下側押さえ53に対向される
とともに、樹脂封止体15が支持台54に支持される。
【0041】続いて、シリンダ装置により上側取付板4
1が下降され、上側押さえ43が外枠3およびセクショ
ン枠4を下側押さえ53にスプリング45の付勢力によ
り押さえ付ける。
【0042】上側取付板41がさらに下降されて行く
と、パンチ46が下降されて行く。このとき、上側押さ
え43はスプリング45が圧縮変形されるため、押さえ
力を強める。パンチ46の下降に伴って、漏洩防止部材
10の折り線痕10cの部分はパンチ46とダイ55と
によって剪断されるため、漏洩防止部材10はパンチ4
6の押し力によってダイ55の内部に突き落とされる。
【0043】パンチ46によって切り起こし孔10dか
ら漏洩防止部材10が抜き落とされると、上側取付板4
1が上昇されて元の待機位置に戻される。その後に、ワ
ークとしての成形品16が一ピッチ送られて次の樹脂封
止体15が下側押さえ53にセットされる。以降、前記
作動が繰り返されて、成形品16から漏洩防止部材10
が外されて行く。
【0044】以上のようにして漏洩防止部材10を除去
された成形品16は、半田メッキ工程に送られて図7に
示されているように半田メッキ被膜17を被着される。
半田メッキ被膜被着工程において、第一アウタリード6
および第二アウタリード8は外枠3、3に連結された状
態になっているため、半田メッキ被膜17は図7に示さ
れているように露出面全体に被着されることになる。す
なわち、図7(c)に示されているように、半田メッキ
被膜17は第一アウタリード6および第二アウタリード
8の両側面にも被着された状態になる。
【0045】半田メッキ被膜が被着された図7に示され
ている半田メッキ品18は、その後、リード切断工程に
おいて、第一アウタリード6および第二アウタリード8
を切断される。以上のようにして、図8に示されている
ダイオード19が製造されたことになる。
【0046】図8に示されているように、ダイオード1
9の樹脂封止体15は平面視が長方形の略直方体に形成
されており、樹脂封止体15の下面の両短辺側端部には
第一アウタリード6の下面および第二アウタリード8の
下面がそれぞれ長方形に露出されている。この第一アウ
タリード6の下面および第二アウタリード8の下面には
半田メッキ被膜17が被着されている。ちなみに、この
ダイオード19は樹脂封止体15の下面側を下向きにし
てプリント配線基板に表面実装される。この際、第一ア
ウタリード6および第二アウタリード8の下面の半田メ
ッキ被膜17がプリント配線基板のランドに半田付けさ
れる。
【0047】そして、ダイオード19の樹脂封止体15
は第一アウタリード6と第二アウタリード8との間の両
脇に嵌め込まれた漏洩防止部材10によってレジン30
の漏洩を防止されて成形された成形品であり、漏洩防止
部材10は半田メッキ被膜被着工程以前に取り除かれて
いるため、このダイオード19の第一アウタリード6の
両側面および第二アウタリード8の両側面にも半田メッ
キ被膜17が被着された状態になっている。
【0048】ところで、前述したトランスファ成形工程
において、組立品11とキャビティー23との位置がず
れると、図9(a)に示されているように、漏洩防止部
材10の内側端辺10eが樹脂封止体15に食い込んだ
状態になってしまう。このように漏洩防止部材10の内
側端辺10eが樹脂封止体15に食い込んだ状態になる
と、漏洩防止部材10を樹脂封止体15から外すことが
困難になる。
【0049】しかし、本実施形態においては、漏洩防止
部材10は樹脂封止体15の下面に配置された状態にな
っているため、図9(b)に示されているように、漏洩
防止部材10は下方に突き落とすことにより樹脂封止体
15から容易に除去することができる。すなわち、漏洩
防止部材10の内側端辺10eは樹脂封止体15に干渉
することなく下方に平行移動するため、内側端辺10e
によって樹脂封止体15を損傷させることなく、漏洩防
止部材10を外すことができる。
【0050】前記実施形態によれば、次の効果が得られ
る。 1) リードフレームのプレス打ち抜きに際して、リード
フレームの一部を切り起こした後にこれを漏洩防止部材
として切り起こし孔にプッシュバックさせて嵌め込んで
おくことにより、このリードフレームに対する樹脂封止
体の成形に際してキャビティーからのレジンのキャビテ
ィー外への漏洩を漏洩防止部材によって阻止することが
できるため、レジンのキャビティー外への漏洩による樹
脂封止体に対するバリの発生を防止することができる。
【0051】2) 樹脂封止体の外周にバリが発生するの
を防止することにより、バリ取り工程を省略することが
できるため、生産コストを低減することができるばかり
でなく、バリの不測の脱落によるアウタリードへの打痕
等の当該バリ取り工程で派生する二次障害を未然に回避
することができる。
【0052】3) 漏洩防止部材を折り線痕においてリー
ドフレームに連結した状態で、切り起こし孔にプッシュ
バックすることにより、板厚が薄い場合であっても、プ
ッシュバック法を使用することができる。
【0053】4) ダイオードの第一アウタリードの両側
面および第二アウタリードの両側面にも半田メッキ被膜
を被着させることにより、ダイオードのプリント配線基
板への半田付けに際して、半田を第一アウタリードの両
側面および第二アウタリードの両側面まで吸い上げるこ
とができるため、良好な半田付け状態を形成することが
できる。
【0054】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0055】例えば、ダイオードを製造するのに使用す
るに限らず、図10に示されているように、半導体集積
回路装置(以下、ICという。)等を製造する場合にも
使用することができる。
【0056】図10はICの製造方法に使用されるリー
ドフレームを示している。本実施形態が前記実施形態と
異なる点は、漏洩防止部材10が隣合うアウタリード8
A、8A間に嵌め込まれている点である。
【0057】リードフレームの板厚は0.1mm程度に
限らない。0.2mm以上のリードフレームにも適用す
ることができるが、0.2mm以上になると、通常のプ
ッシュバック法も使用可能であるので、0.2mm以下
の場合に最も有効となる。
【0058】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるダイオ
ードおよびICの製造技術に適用した場合について説明
したが、それに限定されるものではなく、樹脂封止パッ
ケージを備えているトランジスタ等の樹脂封止パッケー
ジを備えている半導体装置の製造技術全般に適用するこ
とができる。特に、本発明は、リードフレームの板厚が
0.2mm以下の場合に優れた効果を発揮する。
【0059】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0060】リードフレームのプレス打ち抜きに際し
て、リードフレームの一部を切り起こした後にこれを漏
洩防止部材として切り起こし孔にプッシュバックさせて
嵌め込んでおくことにより、このリードフレームに対す
る樹脂封止体の成形に際してキャビティーからのレジン
のキャビティー外への漏洩を漏洩防止部材によって阻止
することができるため、レジンのキャビティー外への漏
洩による樹脂封止体に対するバリの発生を防止すること
ができる。
【0061】樹脂封止体の外周にバリが発生するのを防
止することにより、バリ取り工程を省略することができ
るため、生産コストを低減することができるばかりでな
く、バリの不測の脱落によるアウタリードへの打痕等の
当該バリ取り工程で派生する二次障害を未然に回避する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であるダイオードの製造方
法に使用されるリードフレームを示しており、(a)は
一部省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う正面
断面図、(c)は(a)のc−c線に沿う側面断面図で
ある。
【図2】(a)、(b)は漏洩防止部材の嵌め込み方法
の一実施形態を示す各一部切断斜視図である。
【図3】ペレットおよびワイヤボンディング後の組立品
を示しており、(a)は一部省略平面図、(b)は
(a)のb−b線に沿う正面断面図、(c)は(a)の
c−c線に沿う側面断面図である。
【図4】樹脂封止体の成形工程を示しており、(a)は
側面断面図、(b)は(a)のb−b線に沿う正面断面
図である。
【図5】樹脂封止体成形後の組立品を示しており、
(a)は一部省略一部切断平面図、(b)は(a)のb
−b線に沿う正面断面図、(c)は(a)のc−c線に
沿う側面断面図である。
【図6】漏洩防止部材取外し工程を示す正面断面図であ
り、左半分は取り外し前を示しており、右半分は取り外
し後を示している。
【図7】半田メッキ被膜形成品を示しており、(a)は
一部省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う正面
断面図、(c)は(a)のc−c線に沿う側面断面図で
ある。
【図8】本発明の一実施形態であるダイオードを示して
おり、(a)は斜視図、(b)は一部切断平面図、
(c)は底面図、(d)は一部切断正面図、(e)は側
面断面図である。
【図9】(a)は漏洩防止部材が樹脂封止体に食い込ん
だ場合を示す正面断面図、(b)はその漏洩防止部材の
取り外し作用を示す一部省略正面断面図である。
【図10】本発明の一実施形態であるICの製造方法に
使用されるリードフレームを示しており、(a)は一部
省略平面図、(b)は(a)のb−b線に沿う断面端面
図、(c)は(a)のc−c線に沿う断面端面図であ
る。
【符号の説明】
1…多連リードフレーム、2…単位リードフレーム、3
…外枠、4…セクション枠、5…枠体(フレーム)、6
…第一アウタリード、7…第一インナリード、8…第二
アウタリード、9…第二インナリード、10…漏洩防止
部材、10a、10b…剪断線、10c…折り線痕、1
0d…切り起こし孔、10e…内側端辺、11…ペレッ
ト・ワイヤボンディング後の組立品、12…ボンディン
グ層、13…ペレット、14…ボンディングワイヤ、1
5…樹脂封止体、16…成形品、17…半田メッキ被
膜、18…半田メッキ品、19…ダイオード(半導体装
置)、20…トランスファ成形装置、21…上型、22
…下型、23…キャビティー、24…ポット、25…プ
ランジャ、26…カル、27…ランナ、28…ゲート、
29…位置決め凸部、30…レジン、40…漏洩防止部
材取外し装置、41…上側取付板、42…上側ホルダ、
43…上側押さえ、44…ガイド、45…スプリング、
46…パンチ、51…下側取付板、52…下側ホルダ、
53…下側押さえ、54…支持台、55…ダイ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B29L 31:34 (72)発明者 星 彰郎 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 曽場 匠 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業本部内 (72)発明者 小山 泰弘 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業本部内 (72)発明者 白戸 健 埼玉県入間郡毛呂山町大字旭台15番地 日 立東部セミコンダクタ株式会社内 Fターム(参考) 4F202 AD33 AM33 CA12 CB01 CB12 CB17 CK42 CK87 4F206 AD33 AM33 JA02 JB12 JB17 JF05 JQ07 JQ81 JW23 4M109 AA01 BA01 CA21 DA10 FA02 5F061 AA01 BA01 CA21 DD12 DD13 EA03

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アウタリードが樹脂封止体の一主面の外
    周辺部に配置されており、このアウタリードの一主面は
    前記樹脂封止体の主面において露出されてメッキ被膜が
    被着され、このアウタリードの前記樹脂封止体から露出
    した三方の側面は剪断面によって形成され、二側面には
    メッキ被膜が被着されていることを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項2】 前記アウタリードの露出主面が前記樹脂
    封止体の主面の外周辺の全幅にわたっていることを特徴
    とする請求項1に記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 アウタリードの厚さが0.2mm以下で
    あることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体
    装置。
  4. 【請求項4】 リードフレームの打ち抜きプレスに際し
    て、リードフレームの一部が四辺形の漏洩防止部材とし
    て一対の対辺と樹脂封止体側となる一辺とが剪断される
    とともに残りの一辺を起点に折り曲げられて切り起こさ
    れた後に、この切り起こし部分が切り起こし孔に嵌め込
    まれて形成され、その後、このリードフレームに対する
    樹脂封止体の成形に際して、成形型のキャビティーから
    の樹脂の漏洩が前記漏洩防止部材によって阻止されるこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 プレス打ち抜きプレスによってリードフ
    レームの一部が四辺形の漏洩防止部材として一対の対辺
    と樹脂封止体側になる一辺とが剪断されるとともに残り
    の一辺を起点に折り曲げられて切り起こされた後に、こ
    の切り起こし部分が切り起こし孔に嵌め込まれて形成さ
    れたリードフレームに対する樹脂封止体の成形に際し
    て、成形型のキャビティーからの樹脂の漏洩が前記漏洩
    防止部材によって阻止されることを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記漏洩防止部材が前記リードフレーム
    のアウタリードの両脇に配置されることを特徴とする請
    求項4または5に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記リードフレームの厚さが0.2mm
    以下であることを特徴とする請求項4、5または6に記
    載の半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記樹脂封止体の成形後に前記漏洩防止
    部材がアウタリード間から外された後に、前記リードフ
    レームにメッキ被膜が被着されることを特徴とする請求
    項4、5、6または7に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記樹脂封止体の成形後に前記折り曲げ
    辺が前記リードフレームから切り抜かれることにより、
    前記漏洩防止部材が外されることを特徴とする請求項
    4、5、6、7または8に記載の半導体装置の製造方
    法。
  10. 【請求項10】 前記リードフレームに前記メッキ被膜
    が被着された後に、アウタリードが前記リードフレーム
    から切り離されることを特徴とする請求項8または9に
    記載の半導体装置の製造方法。
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JP2019147297A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 株式会社デンソー 樹脂成形品、成形金型、及び樹脂成形品の製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008211102A (ja) * 2007-02-28 2008-09-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用リードフレームとその製造方法およびそれを用いた半導体装置
JP2019147297A (ja) * 2018-02-27 2019-09-05 株式会社デンソー 樹脂成形品、成形金型、及び樹脂成形品の製造方法
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