JP3982925B2 - 研磨液組成物 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨液組成物、研磨方法、及び精密部品用基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスクの高密度化が進み、磁気ヘッドの浮上量はますます小さくなってきている。その結果、ハードディスク基板の研磨工程で、研磨速度の向上及び表面粗さの低減が図られた、研磨液組成物や研磨方法が検討されている（特開平5-311153号公報、 特開平7-216345号公報等）。また、半導体分野においても、高集積化、高速化が進むに伴って半導体装置のデザインルームの微細化が進み、デバイス製造プロセスでの焦点深度が浅くなり、パターン形成面の平坦化がより一層求められている。
【０００３】
しかしながら、従来の研磨液組成物では前述した基板及び半導体パターン形成面の表面粗さの低減、高平坦化及び研磨速度が充分ではなく、また被研磨物によってはスクラッチ、ピット等の表面欠陥を生じさせることがあり、研磨液組成物としては満足するものであるとはいえなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、被研磨物に表面欠陥を生じさせることなく、研磨速度が向上し、かつ表面粗さを低減し得る研磨液組成物、被研磨基板の研磨方法及び精密部品用基板の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の要旨は、
〔１〕ポリオキソ酸誘導体及び／又はその塩と、水とを含有してなる研磨液組成物（以下、第１研磨液組成物という）、
〔２〕さらに研磨材を含有してなる前記〔１〕記載の研磨液組成物（以下、第２研磨液組成物という）、
〔３〕前記〔１〕又は〔２〕に記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する被研磨基板の研磨方法、並びに
〔４〕前記〔１〕又は〔２〕に記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有する精密部品用基板の製造方法、
に関する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明におけるポリオキソ酸誘導体とは、周期律表（長周期型）３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、６Ａ、６Ｂ、７Ａ族に属する金属元素の酸素酸が縮合したポリオキソ酸の誘導体を指す。ポリオキソ酸の具体例としては、ポリモリブデン酸、ポリタングステン酸、ポリバナジン酸、ポリチタン酸、ポリニオブ酸、ポリタンタル酸等が挙げられる。これらの中では、研磨速度及び表面粗さの低減の観点から、ポリモリブデン酸、ポリタングステン酸及びポリバナジン酸が好ましい。これらのポリオキソ酸の誘導体としては、例えば、ポリオキソ酸を過酸化水素等の過酸化物を用いて過酸化処理を行うことにより得られるポリオキソ酸の過酸化物、ポリオキソ酸に有機金属基を付加させることにより得られるポリオキソ酸の有機金属付加物、ポリオキソ酸を構成する金属と異なる元素、即ちヘテロ元素を組み込むことによって得られるポリオキソ酸のヘテロ化物等が挙げられる。これらの中では研磨速度及び表面粗さ低減の観点から、ポリオキソ酸の過酸化物及びポリオキソ酸のヘテロ化物が好ましく、ポリオキソ酸のヘテロ化物が特に好ましい。
【０００７】
ヘテロ元素としては、ポリオキソ酸に組み込むことが可能な元素であれば特に限定されるものではない。ヘテロ元素の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、６Ａ、６Ｂ、７Ａ、７Ｂ、８族に属する元素が挙げられる。具体的には、「第４版 実験化学講座１６ 無機化合物 平成５年１月２０日発行 丸善株式会社」の第５７９頁表５・１０に記載のヘテロ元素が挙げられる。これらの中では研磨速度の観点から、アルミニウム、バナジウム、セリウム、タングステン、モリブデン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル等が好ましい。なお、ヘテロ元素は単独又は２種以上がポリオキソ酸に組み込まれていてもかまわない。
【０００８】
ポリオキソ酸ヘテロ化物の具体例としては、アルミノ六モリブデン酸、マンガノ九モリブデン酸、セロ十二モリブデン酸、ゲルマノ十二モリブデン酸、コバルト六モリブデン酸、ホスホ十二モリブデン酸、ジホスホ十八モリブデン、シリコ十二モリブデン酸、マンガノ六タングステン酸、シリコ十二タングステン酸等が挙げられ、研磨速度向上又は表面粗さ低減の観点から、アルミノ六モリブデン酸、マンガノ九モリブデン酸、セロ十二モリブデン酸、コバルト六モリブデン酸及びマンガノ六タングステン酸が好ましい。
【０００９】
ポリオキソ酸誘導体の塩としては、ポリオキソ酸誘導体と金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、アルカノールアミン等との塩が挙げられる。金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム、アルカノールアミン等は、ポリオキソ酸誘導体の塩を形成し得るものであれば特に限定されない。
【００１０】
金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、７Ｂ、８族等に属する金属元素が挙げられる。
【００１１】
アルキルアンモニウムの具体例としては、ジメチルアンモニウム、トリメチルアンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。
【００１２】
アルカノールアミンの具体例としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等が挙げられる。
【００１３】
ポリオキソ酸誘導体の塩の中では、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩及びジメチルアンモニウム塩が好ましく、ナトリウム塩、カリウム塩及びアンモニウム塩がさらに好ましい。
【００１４】
ポリオキソ酸誘導体の塩の具体例としては、ペルオキソ二モリブデン酸、ペルオキソ二タングステン酸、過酸化ポリタングステン酸、クロモ六モリブデン酸、ゲルマノ十二モリブデン酸、ホスホ十二モリブデン酸、ジホスホ十八モリブデン酸、シリコ十二モリブデン酸、セロ十二モリブデン酸、アルミノ六モリブデン酸、フェロ六モリブデン酸、コバルト六モリブデン酸、ジコバルト十モリブデン酸、マンガノ九モリブデン酸、シリコ十二タングステン酸、ジホスホ十八タングステン酸、コバルト六タングステン酸、コバルト十一タングステン酸、マンガノ六タングステン酸、ヘンデカタングストニッケロ（II）ケイ酸等のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等が挙げられる。これらの中では、研磨速度又は表面粗さの低減の観点から、セロ十二モリブデン酸、アルミノ六モリブデン酸、フェロ六モリブデン酸、コバルト六モリブデン酸、ジコバルト十モリブデン酸、マンガノ九モリブデン酸、コバルト六タングステン酸、コバルト十一タングステン酸、マンガノ六タングステン酸のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等が好ましく、セロ十二モリブデン酸、アルミノ六モリブデン酸、フェロ六モリブデン酸、コバルト六モリブデン酸、ジコバルト十モリブデン酸、マンガノ九モリブデン酸、コバルト十一タングステン酸、マンガノ六タングステン酸のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等がさらに好ましい。
【００１５】
ポリオキソ酸誘導体とその塩は、単独で又はそれらを混合して用いてもよい。
【００１６】
本発明の第１研磨液組成物は、固定砥石等を用いる研磨方式において有効である。例えば、固定砥石による研磨方式の研磨中に本発明の第１研磨液組成物を使用することによって被研磨基板にスクラッチやピット等の表面欠損を生じさせずに、研磨速度を向上させることができる。
【００１７】
第１研磨液組成物におけるポリオキソ酸誘導体及びその塩の含有量は、研磨速度を向上させる観点及び経済性の観点から、好ましくは0.05〜20重量％、より好ましくは0.1 〜15重量％、さらに好ましくは0.5 〜10重量％である。
【００１８】
本発明の第１研磨液組成物中の水は媒体として用いられるものであり、その含有量は、被研磨物を効率よく研磨することができるようにする観点から、好ましくは50〜99.95 重量％、より好ましくは70〜99.9重量％、さらに好ましくは90〜99.5重量％である。
【００１９】
本発明の第２研磨液組成物は、第１研磨液組成物に研磨材を含有させたものである。
【００２０】
本発明の第２研磨液組成物に用いられる研磨材は、研磨用に一般に使用されている砥粒を使用することができる。該砥粒の例としては、金属；金属又は半金属の炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物；ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は周期律表（長周期型）の２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、６Ａ、７Ａ、８族由来のものである。砥粒の具体例としては、アルミナ粒子、炭化ケイ素粒子、ダイヤモンド粒子、酸化マグネシウム粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子等が挙げられ、これらは研磨速度を向上させる観点から好ましい。特に、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子及びヒュームドシリカ粒子は、半導体ウェハや半導体素子、磁気記録媒体用基板等の精密部品の研磨に適しており、特にアルミナ粒子及びコロイダルシリカ粒子は磁気記録媒体用基板の研磨に適している。アルミナ粒子の中では、中間アルミナ粒子が、被研磨物の表面粗さを極めて低くし得るので好ましい。なお、本明細書にいう中間アルミナ粒子とは、α―アルミナ粒子以外のアルミナ粒子の総称であり、具体的には、γ―アルミナ粒子、δ―アルミナ粒子、θ―アルミナ粒子、η―アルミナ粒子及び無定型アルミナ粒子等が挙げられる。アルミナ粒子は、本発明の研磨液組成物を機械的に攪拌したり、研磨する際に、二次粒子が一次粒子に再分散するアルミナ系粒子を好適に用いることができる。
【００２１】
研磨材の一次粒子の平均粒径は、研磨速度を向上させる観点及び被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、好ましくは0.002 〜3 μｍ、より好ましくは0.01〜1 μｍ、さらに好ましくは0.02〜0.8 μｍ、特に好ましくは0.05〜0.5 μｍである。特に研磨材としてアルミナ系粒子を用いた場合には、被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、好ましくは0.01〜1 μｍ、さらに好ましくは0.02〜0.5 μｍ、特に好ましくは0.05〜0.3 μｍである。さらに、一次粒子が凝集して二次粒子を形成している場合は、同様に研磨速度を向上させる観点及び被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、その二次粒子の平均粒径は、好ましくは0.05〜2 μｍ、さらに好ましくは0.1 〜1.5 μｍ、特に好ましくは0.3 〜1.2 μｍである。研磨材の一次粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡で観察（好適には3000〜10000 倍）して画像解析を行い、２軸平均径を測定することにより求めることができる。また、二次粒子の平均粒径は、レーザー光回折法を用いて体積平均粒径として測定することができる。
【００２２】
研磨材のヌープ硬度（JIS Z-2251）は、充分な研磨速度を得る観点と被研磨物の表面欠陥を発生させない観点から、700 〜9000であることが好ましく、1000〜5000がさらに好ましく、1500〜3000であることがより一層好ましい。
【００２３】
研磨材の比重は、分散性及び研磨装置への供給性や回収再利用性の観点から、その比重は２〜６であることが好ましく、２〜４であることがより好ましい。
【００２４】
本発明の第２研磨液組成物において、ポリオキソ酸誘導体及び／又はその塩と研磨材とを配合することによる研磨速度の向上と表面欠陥の発生防止との相乗効果が向上する観点から、特に好ましく用いられる研磨材はヌープ硬度1500〜3000、純度が98重量％以上、好ましくは99重量％以上、特に好ましくは99.9重量％以上のα−アルミナ粒子又はγ−アルミナ粒子である。これらの研磨材は高純度アルミニウム塩を用いた結晶成長法（ベルヌーイ法等）により製造することができる。なお、これらの研磨材の純度は、研磨材１〜3gを酸又はアルカリ水溶液に溶かし、プラズマ発光分析測定法を用いてアルミニウムイオンを定量することによって測定できる。
【００２５】
研磨材は、水を媒体としたスラリー状態で使用される。本発明の第２研磨液組成物における研磨材の含有量は、研磨液組成物の粘度や被研磨物の要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。本発明の第２研磨液組成物における配合量は、経済性及び表面粗さを小さくし、効率よく研磨することができるようにする観点から、本発明の第１研磨液組成物100 重量部に対して、0.01〜40重量部、好ましくは0.1 〜25重量部、さらに好ましくは1 〜15重量部とすることが望ましい。
【００２６】
また、研磨速度を向上させ、表面粗さを低減させる効果を十分に発現させる観点から、本発明の第２研磨液組成物中における研磨材とポリオキソ酸誘導体及びその塩との含有量比〔研磨材の含有量（重量％）／ポリオキソ酸誘導体及びその塩の含有量（重量％）〕は、0.001 〜200 、好ましくは0.01〜100 、より好ましくは0.1 〜50、さらに好ましくは１〜25となるように配合することが望ましい。
【００２７】
本発明の第１及び第２研磨液組成物は、必要に応じて他の成分を配合することができる。該他の成分としては、単量体型の酸化合物の金属塩、アンモニウム塩や過酸化物、増粘剤、分散剤、防錆剤、キレート剤、塩基性物質、界面活性剤等が挙げられる。単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウム塩や過酸化物、増粘剤、分散剤の具体例としては、特開昭62-25187号公報２頁右上欄３〜11行、特開昭63-251163 号公報３頁左上欄４行〜右上欄２行、特開平1-205973号公報２頁右上欄３〜11行、特開平3-115383号公報２頁右下欄16行〜３頁左上欄11行、特開平4-275387号公報２頁右欄27行〜３頁左欄12行、特開平5-59351 号公報２頁右欄23〜37行、特開平2-158683号公報２頁左下欄35行〜右上欄21行、特開平7-216345号公報３頁左欄４行〜右欄25行に記載されているものが挙げられる。
【００２８】
これらの成分の本発明の第１又は第２研磨液組成物における含有量は、特に限定されないが、通常、それぞれ0.1 〜10重量％程度であることが好ましい。
【００２９】
本発明の第１及び第２研磨液組成物のｐＨは、被研磨物の種類や要求品質等に応じて適宜決定することが好ましい。例えば、本発明の第１及び第２研磨液組成物のｐＨは、基板の洗浄性、加工機械の腐食防止性の観点から、２〜12がより好ましい。また、被研磨物がNi-Pメッキされたアルミニウム基板等の金属を主対象とした精密部品用基板においては、研磨速度の向上と表面品質の向上の観点から、２〜８が特に好ましい。さらに半導体ウェハや半導体素子等の研磨、特にシリコンウェハの研磨に用いる場合は、研磨速度の向上と表面品質の向上の観点から、７〜12が好ましく、８〜12がより好ましく、９〜11が特に好ましい。該ｐＨは、必要により、硝酸、硫酸等の無機酸、前記の単量体型の酸化合物の金属塩、アンモニウム塩、過酸化物、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニウム、アルキルアンモニウム、有機アミン等の塩基性物質を適宜、所望量で配合することで調整することができる。
【００３０】
本発明の被研磨基板の研磨方法は、本発明の第１又は第２研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有し、特に本発明の第２研磨液組成物を用いると精密部品用基板を好適に製造することができる。
【００３１】
また、本発明の精密部品用基板の製造方法は、本発明の第１又は第２研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有する。
【００３２】
被研磨基板等に代表される被研磨物の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属又は半金属、及びこれらの金属を主成分とした合金、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、炭化チタン、二酸化ケイ素等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂、等が挙げられる。これらの中では、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金が被研磨物であるか、又はそれらの金属を含んだ半導体素子等の半導体基板が被研磨物であるのが好ましい。特にNi-Pメッキされたアルミニウム合金からなる基板を研磨する際に、本発明の研磨液組成物を用いた場合、表面欠陥の発生が抑制され、表面粗さを従来より低くしながら高速で研磨できるので好ましい。
【００３３】
これらの被研磨物の形状には、特に制限はなく、例えばディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が本発明の研磨液組成物を用いた研磨の対象となる。その中でも、ディスク状の被研磨物の研磨に特に優れている。
【００３４】
本発明の第１研磨液組成物は、特に精密部品の平面、曲面、円筒内面等の高精度の研磨に好適に用いられる。例えば光学レンズ、光学ミラー、ハーフミラー、光学プリズム等の高精度の平面や曲面を必要とする研磨に適している。
【００３５】
本発明の第２研磨液組成物は、特に精密部品基板の研磨に好適に用いられる。例えば、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板や半導体ウェハや半導体素子等の半導体基板、光学レンズ、光学ミラー、ハーフミラー及び光学プリズム等の研磨に適している。これらの中でも、磁気記録媒体の基板や半導体基板、特に、ハードディスク基板の研磨に適している。尚、半導体素子の研磨には、例えば、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、埋め込みキャパシタ形成工程等において行われる研磨がある。
【００３６】
以上のようにして被研磨基板を研磨することにより、精密部品用基板等を製造することができる。
【００３７】
なお、本発明の研磨液組成物は、ポリッシング工程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができる。
【００３８】
【実施例】
製造例１〔アルミノ六モリブデン酸アンモニウムの製造〕
パラモリブデン酸アンモニウム〔和光純薬工業（株）製、試薬特級〕30ｇを水に溶解させ総量170mL の水溶液とし、これを加熱装置付きマグネチックスターラーにて攪拌しながら沸騰させた。沸騰を維持しながら硫酸アンモニウムアルミニウム〔和光純薬工業（株）製、試薬特級〕の水溶液(0.1 mol/L) を滴下し、濁りが生じた時点で滴下を終了し25℃に冷却した。冷却後、析出した無色の結晶を濾過により得た。得られた結晶を熱水に再溶解させ、冷却、再結晶化、濾過、乾燥を行い結晶15ｇを得た。得られた結晶をプラズマ発光分析測定法を用いてモリブデンとアルミニウムの定量を行ったところ、モリブデンとアルミニウムの比率 (重量比) が21.1：1 であることから、アルミノ六モリブデン酸アンモニウムであると同定された。
【００３９】
製造例２〔フェロ六モリブデン酸アンモニウムの製造〕
パラモリブデン酸アンモニウム〔和光純薬工業（株）製、試薬特級〕26ｇを水に溶解させ、総量300mL の水溶液とし、これを80℃まで加熱した。その後、80℃、撹拌下で硝酸第二鉄〔和光純薬工業（株）製、試薬特級〕の水溶液(0.1mol/L)20mLを添加し、次いで、5 ℃に冷却し、12時間放置した。析出した結晶を濾過で回収した後、5 ℃の冷水100mL にて洗浄し、次いで乾燥して、結晶15ｇを得た。得られた結晶をプラズマ発光分析測定法を用いてモリブデンと鉄との定量を行ったところ、モリブデンと鉄との比率（重量比）が10.2:1であることから、フェロ六モリブデン酸アンモニウムであると同定された。
【００４０】
製造例３〔ペルオキソポリタングステン酸カリウムの製造〕
水2Lに、タングステン酸〔和光純薬工業（株）製、試薬〕40ｇと水酸化カリウム〔（85％品）和光純薬工業（株）製、試薬特級〕10.6ｇを添加し、１時間煮沸した後、25℃に冷却する。次いで、25℃を維持しながら、撹拌下、30％過酸化水素水2Lを添加する。その後、白金黒を使用し、過剰の過酸化水素水を除去後、減圧乾燥して、目的物（ペルオキソポリタングステン酸カリウム）40ｇを得た。
【００４１】
なお、後述の実施例３〜１３で使用したポリオキソ酸誘導体の塩は、製造例１に準じて、また、実施例１５で使用したペルオキソポリモリブデン酸カリウムは、製造例３に準じて製造した。
【００４２】
実施例１〜１５及び比較例１〜２
表１に示す組成となるように、ポリオキソ酸誘導体及び／又はその塩とイオン交換水とを混合・攪拌し、表１に示す第１研磨液組成物を得た。
この第１研磨液組成物100 重量部に対して、ヌープ硬度2000、一次平均粒径0.29μｍ、二次平均粒径0.56μｍのα−アルミナ（純度約99.9％）10重量部を添加、混合、攪拌して第２研磨液組成物を得た。
得られた第２研磨液組成物を用い、下記の方法によって測定した中心線平均粗さRaが 0.1μｍ、厚さ0.9mm 、直径2.5 インチのNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の表面を両面加工機により、以下の両面加工機の設定条件でポリッシングし、磁気記録媒体用基板として用いられるNi-Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨物を得た。
【００４３】
両面加工機の設定条件を以下に示す。
両面加工機：共立精機（株）製、6B型両面加工機
加工圧力：9.8kPa
研磨パッド：ポリテックスDG（ロデールニッタ社製）
定盤回転数：40r/min
研磨液組成物供給流量：30mL/min
研磨時間：７min
【００４４】
研磨後、アルミニウム合金基板の厚さを測定し、研磨前後のアルミニウム合金基板の厚さの変化から、厚さの減少速度を求め、比較例１を基準として相対値（相対速度）を求めた。その結果を表１に示す。
【００４５】
また、研磨後の各基板の表面の中心線平均粗さRa及びスクラッチを以下の方法に従って測定した。なお、中心線平均粗さRaは比較例１を基準として相対値（相対粗さ）を求めた。その結果を表１に示す。
【００４６】
［中心線平均粗さRa］
ランク・テーラーホブソン社製のタリーステップを用いて以下の条件で測定した。
触針先端サイズ：25μｍ×25μｍ、ハイパスフィルター：80μｍ、測定長：0.64mm
【００４７】
［表面欠陥（スクラッチ）］
光学顕微鏡観察（微分干渉顕微鏡）を用いて倍率×50倍で各基板の表面を60度おきに６ヵ所測定した。スクラッチの深さはザイゴ（Zygo）社製により測定した。評価基準は下記のとおりである。
【００４８】
S：深さ50nmを越えるスクラッチが０本／１視野
A：深さ50nmを越えるスクラッチが平均0.5 本未満／１視野
B：深さ50nmを越えるスクラッチが平均0.5 本以上１本未満／１視野
C：深さ50nmを越えるスクラッチが平均１本以上／１視野
【００４９】
【表１】

【００５０】
表１に示された結果から、実施例１〜１５で得られた第２研磨液組成物を用いた場合には、比較例１〜２で得られたものを用いた場合と対比して、研磨速度が高く、表面粗さが小さく、スクラッチも少なく、良好な研磨表面を有する被研磨基板を得ることができることがわかる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、研磨速度を向上させ、被研磨物の表面にスクラッチやピット等の表面欠陥を生じさせることなく、表面粗さが低減させ得る研磨液組成物を得ることができる。
また、本発明の研磨液組成物を用いれば、研磨速度を向上させ、被研磨物の表面に表面欠陥を生じさせることなく、表面粗さを低くすることができるという効果が奏される。

Claims (5)

1. ポリオキソ酸誘導体及び／又はその塩と、水とを含有してなる研磨液組成物。
2. さらに研磨材を含有してなる請求項１記載の研磨液組成物。
3. ポリオキソ酸誘導体及び／又はその塩がポリオキソ酸ヘテロ化物及び／又はその塩である請求項１又は２記載の研磨液組成物。
4. 請求項１〜３いずれか記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する被研磨基板の研磨方法。
5. 請求項１〜３いずれか記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有する精密部品用基板の製造方法。