JPH11293231A - 研磨液組成物 - Google Patents
研磨液組成物Info
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- JPH11293231A JPH11293231A JP9874998A JP9874998A JPH11293231A JP H11293231 A JPH11293231 A JP H11293231A JP 9874998 A JP9874998 A JP 9874998A JP 9874998 A JP9874998 A JP 9874998A JP H11293231 A JPH11293231 A JP H11293231A
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】被研磨物に欠陥を生じずに表面粗さを低減する
研磨液組成物を提供すること。 【解決手段】式（Ｉ）： 【化１】 〔Ｒ1 〜Ｒ2 は水素又はメチル基、Ｘは水素又は炭素数
１〜３のアルキル基、ＡＯは炭素数２〜３のアルキレン
オキシド基、ｍ1 は０〜２の整数、ｎは１〜300の整
数〕の単量体Ａと、式（II）： 【化２】 〔Ｒ3 〜Ｒ5 は水素、メチル基又は−（CH2)m2COOM2 基
（M2は水素、アルカリ金属又はアミノ基、m2は０〜２の
整数）、M1は水素、アルカリ金属又はアミノ基、Ｒ3 、
Ｒ4 又はＲ5 と−COOM1 基とで酸無水物基を形成しても
よい〕の単量体及び式(III) ： 【化３】 〔Ｒ6 は水素又はメチル基、Ｙは水素、アルカリ金属又
はアミノ基〕から選ばれた単量体Ｂとを単量体Ａ／単量
体Ｂの重量比0.5 〜50で重合させた共重合体、研磨材及
び水を含有する研磨液組成物。
研磨液組成物を提供すること。 【解決手段】式（Ｉ）： 【化１】 〔Ｒ1 〜Ｒ2 は水素又はメチル基、Ｘは水素又は炭素数
１〜３のアルキル基、ＡＯは炭素数２〜３のアルキレン
オキシド基、ｍ1 は０〜２の整数、ｎは１〜300の整
数〕の単量体Ａと、式（II）： 【化２】 〔Ｒ3 〜Ｒ5 は水素、メチル基又は−（CH2)m2COOM2 基
（M2は水素、アルカリ金属又はアミノ基、m2は０〜２の
整数）、M1は水素、アルカリ金属又はアミノ基、Ｒ3 、
Ｒ4 又はＲ5 と−COOM1 基とで酸無水物基を形成しても
よい〕の単量体及び式(III) ： 【化３】 〔Ｒ6 は水素又はメチル基、Ｙは水素、アルカリ金属又
はアミノ基〕から選ばれた単量体Ｂとを単量体Ａ／単量
体Ｂの重量比0.5 〜50で重合させた共重合体、研磨材及
び水を含有する研磨液組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面粗さを低くし
得る磁気記録媒体用研磨液組成物に関する。さらには、
該研磨液組成物を用いた磁気記録媒体用被研磨基板の研
磨方法及び磁気記録媒体用基板の製造方法に関する。
得る磁気記録媒体用研磨液組成物に関する。さらには、
該研磨液組成物を用いた磁気記録媒体用被研磨基板の研
磨方法及び磁気記録媒体用基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスクの高密度化が進
み、磁気ヘッドの浮上量はますます小さくなってきてい
る。その結果、ハードディスク基板の研磨工程で、表面
粗さの低減が求められ、研磨液組成物や研磨方法が検討
されている（特開平9-137156号公報、特開平5-311153号
公報等）。また、半導体分野においても、高集積化、高
速化が進むに伴って半導体装置のデザインルームの微細
化が進み、デバイス製造プロセスでの焦点深度が浅くな
り、パターン形成面の平坦化がより一層求められてい
る。
み、磁気ヘッドの浮上量はますます小さくなってきてい
る。その結果、ハードディスク基板の研磨工程で、表面
粗さの低減が求められ、研磨液組成物や研磨方法が検討
されている（特開平9-137156号公報、特開平5-311153号
公報等）。また、半導体分野においても、高集積化、高
速化が進むに伴って半導体装置のデザインルームの微細
化が進み、デバイス製造プロセスでの焦点深度が浅くな
り、パターン形成面の平坦化がより一層求められてい
る。
【０００３】従って、被研磨物の表面にスクラッチやピ
ット等の欠陥を生じさせずに、表面粗さを低減させ得る
磁気記録媒体用研磨液組成物の開発が望まれている。
ット等の欠陥を生じさせずに、表面粗さを低減させ得る
磁気記録媒体用研磨液組成物の開発が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術に鑑みてなされたものであり、被研磨物の表面にピッ
トやスクラッチ等の欠陥を生じさせることなく、表面粗
さを低くし得る磁気記録媒体用研磨液組成物並びに磁気
記録媒体用被研磨基板の研磨方法及び磁気記録媒体用基
板の製造方法を提供することを目的とする。
術に鑑みてなされたものであり、被研磨物の表面にピッ
トやスクラッチ等の欠陥を生じさせることなく、表面粗
さを低くし得る磁気記録媒体用研磨液組成物並びに磁気
記録媒体用被研磨基板の研磨方法及び磁気記録媒体用基
板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は〔１〕
式（Ｉ）：
式（Ｉ）：
【０００６】
【化４】
【０００７】〔式中、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ独立して
水素原子又はメチル基、Ｘは水素原子又は炭素数１〜３
のアルキル基、ＡＯは炭素数２又は３のアルキレンオキ
シド基、ｍ1 は０〜２の整数、ｎは１〜300 の整数を示
す〕で表される単量体（Ａ）と、式（II）：
水素原子又はメチル基、Ｘは水素原子又は炭素数１〜３
のアルキル基、ＡＯは炭素数２又は３のアルキレンオキ
シド基、ｍ1 は０〜２の整数、ｎは１〜300 の整数を示
す〕で表される単量体（Ａ）と、式（II）：
【０００８】
【化５】
【０００９】〔式中、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 はそれぞれ独
立して水素原子、メチル基又は−（ＣＨ2 ）ｍ2 ＣＯＯ
Ｍ2 基（Ｍ2 は水素原子、アルカリ金属原子又はアミノ
基、ｍ 2 は０〜２の整数を示す）、Ｍ1 は水素原子、ア
ルカリ金属原子又はアミノ基を示す。なお、Ｒ3 、Ｒ4
又はＲ5 と−ＣＯＯＭ1 基とは結合して酸無水物基を形
成してもよい〕で表される単量体及び式(III) ：
立して水素原子、メチル基又は−（ＣＨ2 ）ｍ2 ＣＯＯ
Ｍ2 基（Ｍ2 は水素原子、アルカリ金属原子又はアミノ
基、ｍ 2 は０〜２の整数を示す）、Ｍ1 は水素原子、ア
ルカリ金属原子又はアミノ基を示す。なお、Ｒ3 、Ｒ4
又はＲ5 と−ＣＯＯＭ1 基とは結合して酸無水物基を形
成してもよい〕で表される単量体及び式(III) ：
【００１０】
【化６】
【００１１】〔式中、Ｒ6 は水素原子又はメチル基、Ｙ
は水素原子、アルカリ金属原子又はアミノ基を示す〕で
表される単量体からなる群より選ばれた少なくとも１種
の単量体（Ｂ）とを、単量体（Ａ）と単量体（Ｂ）の重
量比〔単量体（Ａ）／単量体（Ｂ）〕が0.5 〜50となる
ようにして重合させて得られた共重合体、研磨材、及び
水とを含有する磁気記録媒体用研磨液組成物、〔２〕
前記〔１〕又は〔２〕記載の研磨液組成物を用いて被研
磨基板を研磨することを特徴とする磁気記録媒体用被研
磨基板の研磨方法、並びに〔３〕 前記〔１〕又は
〔２〕記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨す
る工程を有することを特徴とする磁気記録媒体用基板の
製造方法に関する。
は水素原子、アルカリ金属原子又はアミノ基を示す〕で
表される単量体からなる群より選ばれた少なくとも１種
の単量体（Ｂ）とを、単量体（Ａ）と単量体（Ｂ）の重
量比〔単量体（Ａ）／単量体（Ｂ）〕が0.5 〜50となる
ようにして重合させて得られた共重合体、研磨材、及び
水とを含有する磁気記録媒体用研磨液組成物、〔２〕
前記〔１〕又は〔２〕記載の研磨液組成物を用いて被研
磨基板を研磨することを特徴とする磁気記録媒体用被研
磨基板の研磨方法、並びに〔３〕 前記〔１〕又は
〔２〕記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨す
る工程を有することを特徴とする磁気記録媒体用基板の
製造方法に関する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の研磨液組成物は、式
（Ｉ）で表される単量体（Ａ）と、式（II）で表される
単量体及び式(III) で表される単量体からなる群より選
ばれた少なくとも１種の単量体（Ｂ）とを重合させて得
られた共重合体を含有する。
（Ｉ）で表される単量体（Ａ）と、式（II）で表される
単量体及び式(III) で表される単量体からなる群より選
ばれた少なくとも１種の単量体（Ｂ）とを重合させて得
られた共重合体を含有する。
【００１３】式（Ｉ）において、Ｒ1 及びＲ2 は、それ
ぞれ独立して水素原子又はメチル基を示すが、Ｒ1 及び
Ｒ2 が両方とも水素原子であるか、又はＲ1 が水素原子
であり、Ｒ2 がメチル基であることが特に好ましい。ｍ
1 は、０〜２の整数であるが、好ましくは０又は１であ
る。ＡＯは、炭素数２又は３のオキシアルキレン基、具
体的にはオキシエチレン基又はオキシプロピレン基であ
り、それぞれ単独で付加されていても併用して付加され
ていてもかまわない。また、オキシエチレン基及びオキ
シプロピレン基が併用して付加される場合には、ランダ
ム付加、ブロック付加、交互付加等のいずれであっても
よい。ｎは、１〜300 の整数であるが、好ましくは２〜
150 の整数である。Ｘは、水素原子又は炭素数１〜３の
アルキル基であるが、好ましくは水素原子、メチル基又
はエチル基である。
ぞれ独立して水素原子又はメチル基を示すが、Ｒ1 及び
Ｒ2 が両方とも水素原子であるか、又はＲ1 が水素原子
であり、Ｒ2 がメチル基であることが特に好ましい。ｍ
1 は、０〜２の整数であるが、好ましくは０又は１であ
る。ＡＯは、炭素数２又は３のオキシアルキレン基、具
体的にはオキシエチレン基又はオキシプロピレン基であ
り、それぞれ単独で付加されていても併用して付加され
ていてもかまわない。また、オキシエチレン基及びオキ
シプロピレン基が併用して付加される場合には、ランダ
ム付加、ブロック付加、交互付加等のいずれであっても
よい。ｎは、１〜300 の整数であるが、好ましくは２〜
150 の整数である。Ｘは、水素原子又は炭素数１〜３の
アルキル基であるが、好ましくは水素原子、メチル基又
はエチル基である。
【００１４】式（Ｉ）で表される単量体の具体例として
は、メトキシポリエチレングリコール、メトキシポリエ
チレンポリプロピレングリコール、エトキシポリエチレ
ングリコール、エトキシポリエチレンポリプロピレング
リコール、プロポキシポリエチレングリコール、プロポ
キシポリエチレンポリプロピレングリコール等の片末端
アルキル封鎖ポリアルキレングリコールとアクリル酸、
メタクリル酸又は脂肪酸の脱水素（酸化）反応物とのエ
ステル化物；アクリル酸、メタクリル酸又は脂肪酸の脱
水素（酸化）反応物へのアルキレンオキシド付加物等が
挙げられる。
は、メトキシポリエチレングリコール、メトキシポリエ
チレンポリプロピレングリコール、エトキシポリエチレ
ングリコール、エトキシポリエチレンポリプロピレング
リコール、プロポキシポリエチレングリコール、プロポ
キシポリエチレンポリプロピレングリコール等の片末端
アルキル封鎖ポリアルキレングリコールとアクリル酸、
メタクリル酸又は脂肪酸の脱水素（酸化）反応物とのエ
ステル化物；アクリル酸、メタクリル酸又は脂肪酸の脱
水素（酸化）反応物へのアルキレンオキシド付加物等が
挙げられる。
【００１５】式（II）で表される単量体の具体例として
は、不飽和モノカルボン酸であるアクリル酸、メタクリ
ル酸及びクロトン酸、不飽和ジカルボン酸であるマレイ
ン酸、イタコン酸、シトコラン酸及びフマル酸、それら
の酸無水物、それらのアルカリ金属塩、アンモニウム
塩、アミン塩等の塩基性塩等が挙げられる。
は、不飽和モノカルボン酸であるアクリル酸、メタクリ
ル酸及びクロトン酸、不飽和ジカルボン酸であるマレイ
ン酸、イタコン酸、シトコラン酸及びフマル酸、それら
の酸無水物、それらのアルカリ金属塩、アンモニウム
塩、アミン塩等の塩基性塩等が挙げられる。
【００１６】式(III) で表される単量体の具体例として
は、アリルスルホン酸及びメタクリルスルホン酸、それ
らのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン塩等の塩
基性塩等が挙げられる。
は、アリルスルホン酸及びメタクリルスルホン酸、それ
らのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、アミン塩等の塩
基性塩等が挙げられる。
【００１７】単量体（Ａ）と単量体（Ｂ）の重量比〔単
量体（Ａ）／単量体（Ｂ）〕は、研磨材や研磨屑の分散
安定性及び水溶性の点から、0.5 〜50、好ましくは２〜
50とされる。
量体（Ａ）／単量体（Ｂ）〕は、研磨材や研磨屑の分散
安定性及び水溶性の点から、0.5 〜50、好ましくは２〜
50とされる。
【００１８】共重合体の重量平均分子量〔ゲルパーミエ
イションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレ
ンスルホン酸換算〕は、500 〜100 万が好ましく、1000
〜50万がより好ましく、1000〜10万がさらに好ましい。
重量平均分子量は、分散安定性の観点から500 以上が好
ましく、水への溶解性又は分散性の観点から100 万以下
が好ましい。なお、該重量平均分子量が前記範囲内に入
るように調整する方法としては、得られる共重合体が含
有された研磨液組成物がその機能を損なわない限り、特
に制限されることなく、従来公知の調整方法、例えば、
特開平7-223852号公報４欄42行〜５欄11行に記載の方法
等が挙げられる。
イションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレ
ンスルホン酸換算〕は、500 〜100 万が好ましく、1000
〜50万がより好ましく、1000〜10万がさらに好ましい。
重量平均分子量は、分散安定性の観点から500 以上が好
ましく、水への溶解性又は分散性の観点から100 万以下
が好ましい。なお、該重量平均分子量が前記範囲内に入
るように調整する方法としては、得られる共重合体が含
有された研磨液組成物がその機能を損なわない限り、特
に制限されることなく、従来公知の調整方法、例えば、
特開平7-223852号公報４欄42行〜５欄11行に記載の方法
等が挙げられる。
【００１９】本発明の研磨液組成物における共重合体の
含有量は、研磨後の表面粗さの低減及び研磨材の分散性
の向上の観点から、0.05重量％以上、好ましくは0.1 重
量％以上、さらに好ましくは0.3 重量％以上であること
が望ましく、研磨粉の排出性の向上及び経済性の観点か
ら、10重量％以下、好ましくは７重量％以下、さらに好
ましくは５重量％以下であることが望ましい。
含有量は、研磨後の表面粗さの低減及び研磨材の分散性
の向上の観点から、0.05重量％以上、好ましくは0.1 重
量％以上、さらに好ましくは0.3 重量％以上であること
が望ましく、研磨粉の排出性の向上及び経済性の観点か
ら、10重量％以下、好ましくは７重量％以下、さらに好
ましくは５重量％以下であることが望ましい。
【００２０】研磨材としては、一般に研磨の際に使用さ
れている砥粒を用いることができる。該砥粒の例として
は、金属、金属又は半金属の炭化物、金属又は半金属の
窒化物、金属又は半金属の酸化物、金属又は半金属のホ
ウ化物、ダイヤモンド等があげられる。金属又は半金属
としては、周期律表の３Ａ、４Ａ、５Ａ、３Ｂ、４Ｂ、
５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ又は８Ｂ族に属するものがあげられ
る。砥粒の具体例としては、アルミナ粒子、ＳｉＣ粒
子、ダイヤモンド粒子、ＭｇＯ粒子、酸化セリウム粒
子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒ
ュームドシリカ粒子等があげられ、これらは単独で又は
混合して使用しうる。これらの砥粒は、研磨速度を向上
させる性質を有するので好適に使用しうるものである。
なかでもアルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコ
ニウム粒子、コロイダルシリカ粒子及びヒュームドシリ
カ粒子は半導体ウェハや半導体素子、磁気記録媒体用基
板等の精密部品の研磨に適しており、特にアルミナ粒子
は磁気記録媒体用基板の研磨に適している。アルミナ粒
子の中では、中間アルミナ粒子は、被研磨物の表面粗さ
を極めて低くしうるので好ましい。なお、本明細書にい
う中間アルミナ粒子とは、α―アルミナ粒子以外のアル
ミナ粒子の総称であり、具体的には、γ―アルミナ粒
子、δ―アルミナ粒子、θ―アルミナ粒子、η―アルミ
ナ粒子及び無定型アルミナ粒子があげられる。また、ア
ルミナ粒子として、本発明の研磨液組成物を機械的に攪
拌したり、研磨する際に、二次粒子が一次粒子に再分散
するアルミナ系粒子を好適に用いることができる。
れている砥粒を用いることができる。該砥粒の例として
は、金属、金属又は半金属の炭化物、金属又は半金属の
窒化物、金属又は半金属の酸化物、金属又は半金属のホ
ウ化物、ダイヤモンド等があげられる。金属又は半金属
としては、周期律表の３Ａ、４Ａ、５Ａ、３Ｂ、４Ｂ、
５Ｂ、６Ｂ、７Ｂ又は８Ｂ族に属するものがあげられ
る。砥粒の具体例としては、アルミナ粒子、ＳｉＣ粒
子、ダイヤモンド粒子、ＭｇＯ粒子、酸化セリウム粒
子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子、ヒ
ュームドシリカ粒子等があげられ、これらは単独で又は
混合して使用しうる。これらの砥粒は、研磨速度を向上
させる性質を有するので好適に使用しうるものである。
なかでもアルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコ
ニウム粒子、コロイダルシリカ粒子及びヒュームドシリ
カ粒子は半導体ウェハや半導体素子、磁気記録媒体用基
板等の精密部品の研磨に適しており、特にアルミナ粒子
は磁気記録媒体用基板の研磨に適している。アルミナ粒
子の中では、中間アルミナ粒子は、被研磨物の表面粗さ
を極めて低くしうるので好ましい。なお、本明細書にい
う中間アルミナ粒子とは、α―アルミナ粒子以外のアル
ミナ粒子の総称であり、具体的には、γ―アルミナ粒
子、δ―アルミナ粒子、θ―アルミナ粒子、η―アルミ
ナ粒子及び無定型アルミナ粒子があげられる。また、ア
ルミナ粒子として、本発明の研磨液組成物を機械的に攪
拌したり、研磨する際に、二次粒子が一次粒子に再分散
するアルミナ系粒子を好適に用いることができる。
【００２１】研磨材の一次粒子の平均粒径は、研磨効率
（研磨速度）を向上させる観点から、好ましくは0.002
μｍ以上、より好ましくは0.01μｍ以上、さらに好まし
くは0.02μｍ以上、特に好ましくは0.05μｍ以上であ
る。また、被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、
好ましくは３μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さ
らに好ましくは0.8 μｍ以下、特に好ましくは0.5 μｍ
以下、最も好ましくは0.3 μｍ以下である。特に研磨材
としてアルミナ系粒子を用いる場合には、研磨による材
料除去効率（研磨速度）を向上させる観点から、0.1 μ
ｍ以上、好ましくは0.5 μｍ以上、より好ましくは1.0
μｍ以上である。また、被研磨物の表面粗さを低減させ
る観点から、その一次粒子の平均粒径が0.01〜0.5 μ
ｍ、特に0.02〜0.3 μｍであることが好ましく、とりわ
けこの平均粒径を有する一次粒子が凝集した二次粒子の
平均粒径が0.1 〜1.5 μｍであることが好ましく、0.3
〜1.2μｍであることがさらに好ましい。研磨材の一次
粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察
して画像解析を行ない、二軸平均径を測定することによ
って求めることができる。また、二次粒子の平均粒径は
レーザー光回折法を用いて屈折率を考慮することにより
測定することができる。
（研磨速度）を向上させる観点から、好ましくは0.002
μｍ以上、より好ましくは0.01μｍ以上、さらに好まし
くは0.02μｍ以上、特に好ましくは0.05μｍ以上であ
る。また、被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、
好ましくは３μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さ
らに好ましくは0.8 μｍ以下、特に好ましくは0.5 μｍ
以下、最も好ましくは0.3 μｍ以下である。特に研磨材
としてアルミナ系粒子を用いる場合には、研磨による材
料除去効率（研磨速度）を向上させる観点から、0.1 μ
ｍ以上、好ましくは0.5 μｍ以上、より好ましくは1.0
μｍ以上である。また、被研磨物の表面粗さを低減させ
る観点から、その一次粒子の平均粒径が0.01〜0.5 μ
ｍ、特に0.02〜0.3 μｍであることが好ましく、とりわ
けこの平均粒径を有する一次粒子が凝集した二次粒子の
平均粒径が0.1 〜1.5 μｍであることが好ましく、0.3
〜1.2μｍであることがさらに好ましい。研磨材の一次
粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察
して画像解析を行ない、二軸平均径を測定することによ
って求めることができる。また、二次粒子の平均粒径は
レーザー光回折法を用いて屈折率を考慮することにより
測定することができる。
【００２２】研磨材のヌープ硬度(JIS Z 2251)は、充分
な研磨速度を得るという観点と被研磨物の表面に加工ダ
メージ層（マイクロクラックやピッチングの層）を発生
させないという観点から、700 〜9000であることが好ま
しく、1000〜5000であることがさらに好ましく、1500〜
3000であることがより一層好ましい。
な研磨速度を得るという観点と被研磨物の表面に加工ダ
メージ層（マイクロクラックやピッチングの層）を発生
させないという観点から、700 〜9000であることが好ま
しく、1000〜5000であることがさらに好ましく、1500〜
3000であることがより一層好ましい。
【００２３】研磨材の比重は、分散性及び研磨装置への
供給性や回収再利用性の観点から、２〜６であることが
好ましく、２〜４であることがより好ましい。
供給性や回収再利用性の観点から、２〜６であることが
好ましく、２〜４であることがより好ましい。
【００２４】本発明の研磨液組成物を磁気記録媒体用被
研磨基板の研磨に用いる場合、研磨材と共重合体とを添
加することによる相乗効果が向上する観点から、特に好
ましく用いられる研磨材は、ヌープ硬度が1500〜3000、
純度が98重量％以上、好ましくは99重量％以上、特に好
ましくは99.9重量％以上のα−Ａ１2 Ｏ3 粒子又はγ−
Ａ１2 Ｏ3 粒子である。この研磨材は、高純度アルミニ
ウム塩を用いた結晶成長法（ベルヌーイ法等）によって
製造することができる。なお、この研磨材の純度は、研
磨材１〜３ｇを酸又はアルカリ水溶液に溶かし、ＩＣＰ
（プラズマ発光分析）法によってアルミニウムイオンを
定量することによって測定することができる。
研磨基板の研磨に用いる場合、研磨材と共重合体とを添
加することによる相乗効果が向上する観点から、特に好
ましく用いられる研磨材は、ヌープ硬度が1500〜3000、
純度が98重量％以上、好ましくは99重量％以上、特に好
ましくは99.9重量％以上のα−Ａ１2 Ｏ3 粒子又はγ−
Ａ１2 Ｏ3 粒子である。この研磨材は、高純度アルミニ
ウム塩を用いた結晶成長法（ベルヌーイ法等）によって
製造することができる。なお、この研磨材の純度は、研
磨材１〜３ｇを酸又はアルカリ水溶液に溶かし、ＩＣＰ
（プラズマ発光分析）法によってアルミニウムイオンを
定量することによって測定することができる。
【００２５】研磨材は、水を媒体としたスラリー状態で
使用される。研磨液組成物中における研磨材の含有量
は、研磨液組成物の粘度や被研磨物の要求品質等に応じ
て適宜決定することが好ましい。研磨材の研磨液組成物
における含有量は、表面粗さを小さくする観点から、30
重量％以下、好ましくは20重量％以下、さらに好ましく
は10重量％以下とすることが望ましく、また効率よく研
磨することができるようにするために、0.01重量％以
上、好ましくは0.02重量％以上、さらに好ましくは0.05
重量％以上であることが望ましい。なお、研磨速度をよ
り向上させる場合には、研磨材の研磨液組成物における
含有量は、１重量％以上、好ましくは２重量％以上、さ
らに好ましくは５重量％以上とすることが望ましい。
使用される。研磨液組成物中における研磨材の含有量
は、研磨液組成物の粘度や被研磨物の要求品質等に応じ
て適宜決定することが好ましい。研磨材の研磨液組成物
における含有量は、表面粗さを小さくする観点から、30
重量％以下、好ましくは20重量％以下、さらに好ましく
は10重量％以下とすることが望ましく、また効率よく研
磨することができるようにするために、0.01重量％以
上、好ましくは0.02重量％以上、さらに好ましくは0.05
重量％以上であることが望ましい。なお、研磨速度をよ
り向上させる場合には、研磨材の研磨液組成物における
含有量は、１重量％以上、好ましくは２重量％以上、さ
らに好ましくは５重量％以上とすることが望ましい。
【００２６】また、研磨除去効率（設定取り代に対する
実際の取り代の比）を低下させずに、共重合体を配合し
た効果を十分に発現させる観点から、研磨液組成物中に
おける研磨材と共重合体との含有量比〔研磨材の含有量
（重量％）／共重合体の含有量（重量％）〕は、0.001
以上、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.1 以上、
特に好ましくは１以上とすることが望ましく、また200
以下、好ましくは100以下、より好ましくは50以下、さ
らに好ましくは25以下、特に好ましくは10以下とするこ
とが望ましい。
実際の取り代の比）を低下させずに、共重合体を配合し
た効果を十分に発現させる観点から、研磨液組成物中に
おける研磨材と共重合体との含有量比〔研磨材の含有量
（重量％）／共重合体の含有量（重量％）〕は、0.001
以上、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.1 以上、
特に好ましくは１以上とすることが望ましく、また200
以下、好ましくは100以下、より好ましくは50以下、さ
らに好ましくは25以下、特に好ましくは10以下とするこ
とが望ましい。
【００２７】本発明の研磨液組成物中の水は媒体として
用いられるものであり、その含有量は、被研磨物を効率
よく研磨することができるようにする観点から、60重量
％以上、好ましくは70重量％以上、より好ましくは90重
量％以上であることが望ましく、また99.8重量％以下、
好ましくは99.4重量％以下、より好ましくは99.0重量％
以下であることが望ましい。
用いられるものであり、その含有量は、被研磨物を効率
よく研磨することができるようにする観点から、60重量
％以上、好ましくは70重量％以上、より好ましくは90重
量％以上であることが望ましく、また99.8重量％以下、
好ましくは99.4重量％以下、より好ましくは99.0重量％
以下であることが望ましい。
【００２８】本発明の研磨液組成物には、必要に応じて
他の成分を含有させることができる。該他の成分として
は、例えば、単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウ
ム塩や過酸化物、増粘剤、分散剤、防錆剤、キレート
剤、塩基性物質、本発明に用いられる共重合体以外の界
面活性剤等があげられる。単量体型の酸化合物の金属塩
・アンモニウム塩や過酸化物の具体例としては、特開昭
62-25187号公報２頁右上欄３〜11行、特開昭63-251163
号公報３頁左上欄４行〜右上欄２行、特開平1-205973号
公報２頁右上欄３〜11行、特開平3-115383号公報２頁右
下欄16行〜３頁左上欄11行、特開平4-275387号公報２頁
右欄27行〜３頁左欄12行、特開平5-59351号公報２頁右
欄23〜37行に記載されているものがあげられる。これら
の成分の本発明の研磨液組成物における含有量は、通
常、それぞれ0.1 〜５重量％程度であることが好まし
い。
他の成分を含有させることができる。該他の成分として
は、例えば、単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウ
ム塩や過酸化物、増粘剤、分散剤、防錆剤、キレート
剤、塩基性物質、本発明に用いられる共重合体以外の界
面活性剤等があげられる。単量体型の酸化合物の金属塩
・アンモニウム塩や過酸化物の具体例としては、特開昭
62-25187号公報２頁右上欄３〜11行、特開昭63-251163
号公報３頁左上欄４行〜右上欄２行、特開平1-205973号
公報２頁右上欄３〜11行、特開平3-115383号公報２頁右
下欄16行〜３頁左上欄11行、特開平4-275387号公報２頁
右欄27行〜３頁左欄12行、特開平5-59351号公報２頁右
欄23〜37行に記載されているものがあげられる。これら
の成分の本発明の研磨液組成物における含有量は、通
常、それぞれ0.1 〜５重量％程度であることが好まし
い。
【００２９】本発明の研磨液組成物のｐＨは、基板の洗
浄性、加工機械の腐食防止性及び人体への安全性の観点
から、１〜13が好ましく、２〜11がより好ましく、２〜
９が特に好ましい。該ｐＨは、必要により、例えば、前
記単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウム塩、過酸
化物、、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、アミン等の塩基性物質を所
定量配合することにより、調整することができる。
浄性、加工機械の腐食防止性及び人体への安全性の観点
から、１〜13が好ましく、２〜11がより好ましく、２〜
９が特に好ましい。該ｐＨは、必要により、例えば、前
記単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウム塩、過酸
化物、、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、アミン等の塩基性物質を所
定量配合することにより、調整することができる。
【００３０】また、本発明の磁気記録媒体用基板の製造
方法は、本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研
磨する工程を有する。
方法は、本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研
磨する工程を有する。
【００３１】被研磨基板の材質は、例えば、アルミニウ
ム等の金属、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファス
カーボンのようなガラス状物質、ポリイミド樹脂のよう
な樹脂等があげられる。これらの中では、アルミニウム
等の延性材料からなる被研磨基板、特にＮｉ−Ｐメッキ
されたアルミニウム合金からなる基板を研磨する際に、
本発明の研磨液組成物を用いた場合、スクラッチやピッ
ト等の表面欠陥の発生が抑制され、表面粗さを従来より
も低減させながら高速で研磨できるので好ましい。
ム等の金属、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファス
カーボンのようなガラス状物質、ポリイミド樹脂のよう
な樹脂等があげられる。これらの中では、アルミニウム
等の延性材料からなる被研磨基板、特にＮｉ−Ｐメッキ
されたアルミニウム合金からなる基板を研磨する際に、
本発明の研磨液組成物を用いた場合、スクラッチやピッ
ト等の表面欠陥の発生が抑制され、表面粗さを従来より
も低減させながら高速で研磨できるので好ましい。
【００３２】被研磨基板の形状には特に制限がなく、例
えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状
等の平面部を有する形状、レンズ等の曲面部を有する形
状等があげられる。これらの形状の中では、ディスク状
は研磨に特に優れている。
えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状
等の平面部を有する形状、レンズ等の曲面部を有する形
状等があげられる。これらの形状の中では、ディスク状
は研磨に特に優れている。
【００３３】本発明の研磨液組成物は、ハードディス
ク、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体用基
板の研磨に適している。これらの中でも、本発明の研磨
液組成物は、特にハードディスク基板の研磨に適してい
る。
ク、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体用基
板の研磨に適している。これらの中でも、本発明の研磨
液組成物は、特にハードディスク基板の研磨に適してい
る。
【００３４】以上のようにして研磨を行うことにより、
磁気記録媒体用基板を製造することができる。
磁気記録媒体用基板を製造することができる。
【００３５】本発明の研磨液組成物は、ポリッシング工
程において特に好適に用いられるが、これ以外の研磨工
程、例えば、ラッピング工程等にも適用し得る。
程において特に好適に用いられるが、これ以外の研磨工
程、例えば、ラッピング工程等にも適用し得る。
【００３６】
【実施例】研磨材としてヌープ硬度約2000、平均粒子径
1.2 μｍのα−Ａ１2 Ｏ3 （純度99.6％）10重量％と、
表２に示す共重合体と、残部水とを混合、攪拌し、表１
に示す組成からなる研磨液組成物を得た。
1.2 μｍのα−Ａ１2 Ｏ3 （純度99.6％）10重量％と、
表２に示す共重合体と、残部水とを混合、攪拌し、表１
に示す組成からなる研磨液組成物を得た。
【００３７】得られた研磨液組成物を用い、下記の方法
によって測定した中心線平均粗さＲａを0.1 μｍとした
直径2.5 インチのＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合
金基板の表面を両面加工機により、以下の両面加工機の
設定条件でポリッシングした。
によって測定した中心線平均粗さＲａを0.1 μｍとした
直径2.5 インチのＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合
金基板の表面を両面加工機により、以下の両面加工機の
設定条件でポリッシングした。
【００３８】＜両面加工機の設定条件＞ 使用両面加工機：共立精機（株）製、６Ｂ型両面加工機 加工圧力：100 ｇｆ／ｃｍ2 研磨パッド：ポリテックスＤＧ（ロデールニッタ社製） 定盤回転数：40ｒｐｍ 研磨液組成物供給流量：30ｃｃ／ｍｉｎ 研磨時間：７分間
【００３９】研磨後、各基板の表面の中心線粗さＲａ及
びスクラッチを以下の方法に従って測定した。なお、中
心線粗さＲａは比較例１を基準として相対値（相対粗
さ）を求めた。その結果を表１に示す。
びスクラッチを以下の方法に従って測定した。なお、中
心線粗さＲａは比較例１を基準として相対値（相対粗
さ）を求めた。その結果を表１に示す。
【００４０】〔中心線平均粗さＲａ〕ランク・テーラー
ホブソン社製のタリーステップを用いて測定した。
ホブソン社製のタリーステップを用いて測定した。
【００４１】〔スクラッチ〕光学顕微鏡観察（微分干渉
顕微鏡）を用いて倍率×50倍で各基板の表面を60度おき
に６ヵ所測定した。スクラッチの深さはＺｙｇｏ（Ｚｙ
ｇｏ社製）により測定した。評価基準は以下の通りであ
る。 〔評価基準〕 Ｓ：深さ500 Åを越えるスクラッチが０本／１視野 Ａ：深さ500 Åを越えるスクラッチが平均0.5 本未満／
１視野 Ｂ：深さ500 Åを越えるスクラッチが平均0.5 本以上１
本未満／１視野 Ｃ：深さ500 Åを越えるスクラッチが平均１本以上／１
視野
顕微鏡）を用いて倍率×50倍で各基板の表面を60度おき
に６ヵ所測定した。スクラッチの深さはＺｙｇｏ（Ｚｙ
ｇｏ社製）により測定した。評価基準は以下の通りであ
る。 〔評価基準〕 Ｓ：深さ500 Åを越えるスクラッチが０本／１視野 Ａ：深さ500 Åを越えるスクラッチが平均0.5 本未満／
１視野 Ｂ：深さ500 Åを越えるスクラッチが平均0.5 本以上１
本未満／１視野 Ｃ：深さ500 Åを越えるスクラッチが平均１本以上／１
視野
【００４２】
【表１】
【００４３】
【表２】
【００４４】表１に示された結果から、実施例で得られ
た研磨液組成物を用いた場合には、比較例で得られたも
のを用いた場合と対比して、表面粗さが小さく、スクラ
ッチも少なく、良好な研磨表面を有する被研磨基板を得
ることができることがわかる。
た研磨液組成物を用いた場合には、比較例で得られたも
のを用いた場合と対比して、表面粗さが小さく、スクラ
ッチも少なく、良好な研磨表面を有する被研磨基板を得
ることができることがわかる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、被研磨物の表面にスク
ラッチやピット等の欠陥を生じさせずに、表面粗さを低
減させることができるという効果が奏される。
ラッチやピット等の欠陥を生じさせずに、表面粗さを低
減させることができるという効果が奏される。
Claims (4)
- 【請求項１】 式（Ｉ）： 【化１】 〔式中、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれ独立して水素原子又は
メチル基、Ｘは水素原子又は炭素数１〜３のアルキル
基、ＡＯは炭素数２又は３のアルキレンオキシド基、ｍ
1 は０〜２の整数、ｎは１〜300 の整数を示す〕で表さ
れる単量体（Ａ）と、式（II）： 【化２】 〔式中、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 はそれぞれ独立して水素原
子、メチル基又は−（ＣＨ2 ）ｍ2 ＣＯＯＭ2 基（Ｍ2
は水素原子、アルカリ金属原子又はアミノ基、ｍ 2 は０
〜２の整数を示す）、Ｍ1 は水素原子、アルカリ金属原
子又はアミノ基を示す。なお、Ｒ3 、Ｒ4 又はＲ5 と−
ＣＯＯＭ1 基とは結合して酸無水物基を形成してもよ
い〕で表される単量体及び式(III) ： 【化３】 〔式中、Ｒ6 は水素原子又はメチル基、Ｙは水素原子、
アルカリ金属原子又はアミノ基を示す〕で表される単量
体からなる群より選ばれた少なくとも１種の単量体
（Ｂ）とを、単量体（Ａ）と単量体（Ｂ）の重量比〔単
量体（Ａ）／単量体（Ｂ）〕が0.5 〜50となるようにし
て重合させて得られた共重合体、研磨材、及び水を含有
する磁気記録媒体用研磨液組成物。 - 【請求項２】 共重合体の重量平均分子量が500 〜20万
である請求項１記載の研磨液組成物。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の研磨液組成物を用
いて被研磨基板を研磨することを特徴とする磁気記録媒
体用被研磨基板の研磨方法。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載の研磨液組成物を用
いて被研磨基板を研磨する工程を有することを特徴とす
る磁気記録媒体用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9874998A JP4092011B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 研磨液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9874998A JP4092011B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 研磨液組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11293231A true JPH11293231A (ja) | 1999-10-26 |
| JP4092011B2 JP4092011B2 (ja) | 2008-05-28 |
Family
ID=14228122
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9874998A Expired - Fee Related JP4092011B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 研磨液組成物 |
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| JP (1) | JP4092011B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002006418A1 (fr) * | 2000-07-19 | 2002-01-24 | Kao Corporation | Composition de fluide de polissage |
| JP2007191696A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Kao Corp | ガラス基板用研磨液組成物 |
| JP2009050920A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| JP2009155466A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| US7666238B2 (en) | 2001-06-21 | 2010-02-23 | Kao Corporation | Polishing composition |
| JP2010170649A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP2010188514A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-09-02 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP2010199595A (ja) * | 2004-09-28 | 2010-09-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP2010540265A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 複合スラリーによるサファイアの研磨 |
| KR101104369B1 (ko) | 2009-04-22 | 2012-01-16 | 주식회사 엘지화학 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 |
| US8815396B2 (en) | 2007-10-05 | 2014-08-26 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Abrasive particles comprising nano-sized silicon carbide particles surface-coated with silica, and methods using same |
| US9228162B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-01-05 | Dong-A Teaching Materials Co., Ltd. | Transparency solid cleaning agent |
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|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-04-10 JP JP9874998A patent/JP4092011B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2002006418A1 (fr) * | 2000-07-19 | 2002-01-24 | Kao Corporation | Composition de fluide de polissage |
| US7955517B2 (en) | 2000-07-19 | 2011-06-07 | Kao Corporation | Polishing fluid composition |
| US7666238B2 (en) | 2001-06-21 | 2010-02-23 | Kao Corporation | Polishing composition |
| US8900335B2 (en) | 2004-09-28 | 2014-12-02 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CMP polishing slurry and method of polishing substrate |
| JP2010199595A (ja) * | 2004-09-28 | 2010-09-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP2007191696A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Kao Corp | ガラス基板用研磨液組成物 |
| JP2009050920A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| US8721917B2 (en) | 2007-10-05 | 2014-05-13 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Polishing of sapphire with composite slurries |
| US8815396B2 (en) | 2007-10-05 | 2014-08-26 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Abrasive particles comprising nano-sized silicon carbide particles surface-coated with silica, and methods using same |
| JP2010540265A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 複合スラリーによるサファイアの研磨 |
| JP2009155466A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Kao Corp | 研磨液組成物 |
| JP2010170649A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| JP2010188514A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-09-02 | Kao Corp | 磁気ディスク基板用研磨液組成物 |
| KR101104369B1 (ko) | 2009-04-22 | 2012-01-16 | 주식회사 엘지화학 | 화학적 기계적 연마용 슬러리 |
| US9228162B2 (en) | 2012-11-09 | 2016-01-05 | Dong-A Teaching Materials Co., Ltd. | Transparency solid cleaning agent |
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