JP4093506B2 - 研磨液組成物 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、研磨液組成物に関する。さらに詳しくは、表面粗さを低減し得る研磨液組成物、並びに該研磨液組成物を用いた被研磨基板の研磨方法及び精密部品用基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、ハードディスクの高密度化が進み、磁気ヘッドの浮上量はますます小さくなってきている。その結果、ハードディスク基板の研磨工程で、表面の粗さの低減が求められている。また、半導体分野においても、高集積化、高速化が進み、それに伴い半導体装置のデザインルールは年々微細化が進み、デバイス製造プロセスでの焦点深度は浅くなり、パターン形成面の平坦性がより一層求められている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来技術に鑑みてなされたものであり、被研磨物の表面にピットやスクラッチ等の欠陥を生じさせることなく、表面粗さを低減し得る研磨液組成物、該研磨液組成物を用いた被研磨基板の研磨方法及び精密部品用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の要旨は
〔1〕 (A)式(I):
【0005】
【化2】
【0006】
(式中、Rは炭素数1〜24の炭化水素基、A1 O及びA2 Oはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい炭素数2〜4のオキシアルキレン基、p及びqはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい0〜50の整数を示し、pとqとの和は1以上、p及びqがそれぞれ2以上のときp個のA1 Oとq個のA2 Oとは同一であっても異なっていてもよい)で表される化合物、(B)研磨材及び(C)水を含有することを特徴とする研磨液組成物、
〔2〕 前記研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを特徴とする被研磨基板の研磨方法、並びに
〔3〕 前記研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有することを特徴とする精密部品用基板の製造方法
に関する。
【0007】
【発明の実施の形態】
式(I)で表される化合物において、Rは炭素数1〜24の炭化水素基を示す。炭化水素基の炭素数は、研磨材の分散性向上、研磨粉の排出性向上及び研磨表面粗さの低減の観点から、1以上、好ましくは2以上、より好ましくは3以上、特に好ましくは4以上とされ、研磨助剤の水への溶解性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から、24以下、好ましくは22以下、より好ましくは18以下とされる。これらの炭化水素基は、脂肪族及び芳香族のいずれであってもよいが、研磨表面の表面粗さを低減させる観点から脂肪族が好ましい。また、脂肪族においては、飽和及び不飽和のいずれの基であってもよく、直鎖及び分岐鎖のいずれの基であってもよい。
【0008】
A1 O及びA2 Oは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい炭素数2〜4のオキシアルキレン基を示す。オキシアルキレン基の炭素数は、式(I)で表される化合物の水への溶解性向上の観点から2〜4であることが好ましく、特に2であることが好ましい。具体的には、オキシエチレン基、オキシプロピレン基及びオキシブチレン基があげられる。
【0009】
p及びqは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい0〜50の整数である。p及びqは、それぞれ研磨材の分散性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から、通常、50以下、好ましくは30以下、より好ましくは10以下とされる。また、研磨材の分散性向上及び研磨粉の排出性向上の観点から、pとqとの和は1以上である。p及びqがそれぞれ2以上の整数である場合、p個のA1 Oは同一であっても異なっていてもよく、q個のA2 Oは同一であっても異なっていてもよい。異なる場合は、ランダム体であってもブロック体であってもよい。
【0010】
式(I)で表される化合物は、単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
【0011】
式(I)で表される化合物は、カルボン酸をモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノ−2−プロパノールアミン、ジ−2−プロパノールアミン等のアルカノールアミンと反応させることにより、得ることができる。また、さらにアルキレンオキサイドを付加しても得られる。
【0012】
式(I)で表される化合物の研磨液組成物中における含有量は、研磨表面粗さの低減及び研磨材の分散性向上の観点から、好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.05重量%以上、さらに好ましくは0.1 重量%以上であることが望ましく、研磨粉の排出性向上及び経済性の観点から、好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下であることが望ましい。
【0013】
研磨材としては、一般に研磨用に使用されている砥粒を使用することができる。該砥粒としては、金属、金属又は半金属の炭化物、金属又は半金属の窒化物、金属又は半金属の酸化物、金属又は半金属のホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は周期律表の3A、4A、5A、3B、4B、5B、6B、7B又は8B族由来のものである。具体的には、アルミナ粒子、SiC粒子、ダイヤモンド粒子、MgO粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子及びヒュームドシリカ粒子から選ばれた1種以上は、研磨速度をより一層速くする観点から、好適に使用しうるものである。特に、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、コロイダルシリカ粒子及びヒュームドシリカ粒子は、半導体ウェハや半導体素子、磁気記録媒体用基板等の精密部品の研磨に適しており、中でもアルミナ粒子は磁気記録媒体用基板の研磨に適している。また、アルミナ粒子の中では、中間アルミナ粒子は、被研磨物の表面粗さを極めて低くするので、好適に使用しうるものである。尚、本発明において、中間アルミナ粒子とは、α―アルミナ粒子以外のアルミナ粒子の総称であり、具体的には、γ―アルミナ粒子、δ―アルミナ粒子、θ―アルミナ粒子、η―アルミナ粒子、無定型アルミナ粒子等が挙げられる。また、本発明の研磨液組成物を機械的に攪拌する際に、あるいは研磨に用いる際に、二次粒子が一次粒子に再分散するアルミナ系粒子を用いることも好ましい。
【0014】
研磨材は、水を媒体としたスラリー状態で使用することができる。研磨液組成物における研磨材の含有量は、研磨液組成物の粘度や被研磨物の要求品質などに応じて種々選択することができるが、通常、生産効率よく表面粗さを低減させる観点から、好ましくは30重量%以下、より好ましくは20重量%以下、さらに好ましくは10重量%以下であることが望ましく、また好ましくは0.01重量%以上、より好ましくは0.02重量%以上、特に好ましくは0.05重量%以上であることが望ましい。なお、研磨速度を上げたい場合には、研磨材の含有量は、好ましくは1重量%以上、より好ましくは2重量%以上、さらに好ましくは5重量%以上であることが望ましい。
【0015】
また、研磨材と研磨助剤の濃度の関係においては、研磨除去効率(設定取り代に対する実際の取り代の比)を低下させない観点と式(I)で表される化合物を配合した効果を十分に発現させる観点から、該研磨材と式(I)で表される化合物との濃度比〔研磨材の濃度(重量%)/式(I)で表される化合物の濃度(重量%)〕は、好ましくは0.001 以上、より好ましくは0.01以上、さらに好ましくは0.1 以上、特に好ましくは1以上であり、また好ましくは200 以下、より好ましくは100 以下、さらに好ましくは50以下、特に好ましくは25以下、最も好ましくは10以下である。
【0016】
研磨材の一次粒子の平均粒径は、研磨による材料除去効率(研磨速度)を向上させる観点から、好ましくは0.002 μm以上、より好ましくは0.01μm以上、さらに好ましくは0.02μm以上、特に好ましくは0.05μm以上である。また、該平均粒径は、被研磨物の表面粗さを低くする観点から、好ましくは3μm以下、より好ましくは1μm以下、さらに好ましくは0.8 μm以下、特に好ましくは0.5 μm以下、最も好ましくは0.3 μm以下である。特に、研磨材としてアルミナ系粒子を用いた場合には、その一次粒子の平均粒径が0.01〜0.5 μm、特に0.02〜0.3 μmであることが好ましく、とりわけかかる平均粒径を有する一次粒子が凝集した二次粒子の平均粒径が0.1 〜1.5 μmが好ましく、0.3 〜1.2 μmであることがさらに望ましい。研磨材の一次粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡(SEM)で観察して画像解析を行い、二軸平均径を測定することによって求めることができる。また、二次粒子の平均粒径は、レーザー光回折法を用いて屈折率を考慮することにより測定することができる。
【0017】
研磨材のヌープ硬度(JIS Z-2251)は、充分な研磨速度を得るという観点及び被研磨物の表面に加工ダメージ層(マイクロクラックやピッチングの層)を発生させないという観点から、700 〜9000であることが好ましく、1000〜5000であることがさらに好ましく、1500〜3000であることが一層好ましい。
【0018】
研磨材の比重は、分散性及び研磨装置への供給性や回収再利用性の観点から、2〜6であることが好ましく、2〜4であることがさらに好ましい。
【0019】
本発明の研磨液組成物を磁気記録媒体用被研磨基板の研磨に用いる場合、式(I)で表される化合物の添加効果を高め、表面粗さを低減する観点から、特に好ましく用いられる研磨材は、ヌープ硬度が1500〜3000、純度が好ましくは98重量%以上、より好ましくは99重量%以上、特に好ましくは99.9重量%以上であるα−Al2 O3 粒子又はγ−Al2 O3 粒子である。かかる研磨材は、高純度アルミニウム塩を用いた結晶成長法(ベルヌーイ法等)によって製造することができる。
【0020】
なお、研磨材の純度は、研磨材1〜3gを酸又はアルカリ水溶液に溶かし、ICP(プラズマ発光分析)法により、アルミニウムイオンを定量することによって測定することができる。
【0021】
本発明において、水は媒体として用いられるものである。研磨液組成物における水の含有量は、被研磨物を生産効率よく研磨することができる観点から、好ましくは60重量%以上、さらに好ましくは70重量%以上、より一層好ましくは90重量%以上であり、また好ましくは99.8重量%以下、さらに好ましくは99.4重量%以下、より一層好ましくは99.0重量%以下である。
【0022】
本発明の研磨液組成物には、さらに、必要に応じて他の成分を含有することができる。該他の成分としては、例えば、単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウム塩や過酸化物、増粘剤、分散剤、防錆剤、キレート剤、塩基性物質、前記研磨助剤以外の界面活性剤等が挙げられる。単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウム塩や過酸化物の具体例としては、特開昭62-25187号公報2頁右上欄3〜11行、特開平1-205973号公報3頁左上欄4行〜右上欄2行、特開平3-115383号公報2頁右下欄16行〜3頁左上欄11行、特開平4-275387号公報2頁右欄27行〜3頁左欄12行、特開平5-59351 号公報2頁右欄23〜37行に記載されているもの等が挙げられる。これらの成分の研磨液組成物中における含有量は、通常、それぞれ、0.1 〜5.0 重量%程度であることが好ましい。
【0023】
本発明の研磨液組成物は、式(I)で表される化合物、研磨材、水及び必要により他の成分を混合することによって容易に調製することができる。
【0024】
本発明の研磨液組成物のpHは、基板の洗浄性、加工機械の腐食防止性及び人体への安全性の観点から、1〜13であることが好ましく、2〜11であることがさらに好ましく、2〜10であることが一層好ましい。pHは、必要に応じて、前記単量体型の酸化合物の金属塩・アンモニウム塩や過酸化物、KOH、NaOH、アミン等の塩基性物質を所定量配合することにより、調整することができる。
【0025】
本発明の研磨液組成物を適用しうる被研磨材の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、タングステン、銅のような金属、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボンのようなガラス状物質、Al2 O3 ・TiC、二酸化ケイ素のようなセラミック材料、ポリイミド樹脂のような樹脂等が挙げられる。これらのうち、アルミニウムやシリコン等の延性材料からなる被研磨物、特にNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板の研磨を行う際に、本発明の研磨液組成物を用いた場合、従来の研磨液組成物を用いた場合と比べて、ピットやスクラッチ等の表面欠陥の発生を抑えて表面粗さをより低減させながら高速で研磨できる。
【0026】
被研磨物の形状には特に制限がない。被研磨物の形状としては、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状、レンズ等の曲面部を有する形状等が挙げられる。それらの中でも、ディスク状の被研磨物の研磨に本発明の研磨液組成物は優れている。
【0027】
本発明の研磨液組成物は、精密部品基板、例えば、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク等の磁気記録媒体の基板や半導体ウェハや半導体素子等の半導体基板、光学レンズ、光学ミラー、ハーフミラー、光学プリズム等の研磨に適している。それらの中でも、本発明の研磨液組成物は、磁気記録媒体基板や半導体基板の研磨に適しており、特にハードディスク基板の研磨に適している。なお、半導体素子の研磨には、例えば、層間絶縁膜の平坦化工程、埋め込み金属配線の形成工程、埋め込み素子分離膜の形成工程、埋め込みキャパシタ形成工程等において行われる研磨がある。
【0028】
本発明の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程により、精密部品用基板を製造することができる。
【0029】
なお、本発明の研磨液組成物は、ポリッシング工程において特に効果があるが、これ以外の研磨工程、例えば、ラッピング工程等にも同様に適用することができる。
【0030】
【実施例】
実施例及び比較例
研磨材として、研磨材A〔α-Al2O3、平均粒径1.0 μm 、純度99.9重量%、ヌープ硬度約2000〕又は研磨材B〔α-Al2O3、平均粒径1.2 μm 、純度99.6重量%、ヌープ硬度約2000〕を用い、これと、表1に示す化合物と、残部水とを混合、攪拌し、表2に示す組成からなる研磨液組成物を得た。
【0031】
得られた研磨液組成物を用い、中心線平均粗さRaを0.1 μmとした直径2.5 インチのNi−Pメッキされたアルミニウム合金基板の表面を両面加工機により、以下の両面加工機の設定条件でポリッシングした。
【0032】
<両面加工機の設定条件>
使用両面加工機:共立精機(株)製、6B型両面加工機
加工圧力:100gf/cm2
研磨パッド:ポリテックスDG(ロデールニッタ社製)
定盤回転数:40rpm
研磨液組成物の供給流量:30cc/min
研磨時間:7分間
【0033】
研磨後、各基板の表面の中心線平均粗さRa及びスクラッチを以下の方法に従って測定した。なお、中心線平均粗さRaは、実施例1〜3及び比較例2〜4においては比較例1を基準とし、また実施例4〜6及び比較例6〜7においては比較例5を基準として相対値(相対粗さ)を求めた。その結果を表2に示す。
【0034】
〔中心線平均粗さRa〕
ランク・テーラーホブソン社製のタリーステップを用いて測定した。
【0035】
〔スクラッチ〕
光学顕微鏡観察(微分干渉顕微鏡)を用いて倍率×50倍で各基板の表面状態を60度おきに6ヵ所観察した。スクラッチの深さはZygo(Zygo社製)により測定した。評価基準は以下のとおりである。
【0036】
〔評価基準〕
S:深さ500 Åを越えるスクラッチが0本/1視野
A:深さ500 Åを越えるスクラッチが平均0.5 本未満/1視野
B:深さ500 Åを越えるスクラッチが平均0.5 本以上1本未満/1視野
C:深さ500 Åを越えるスクラッチが平均1本以上/1視野
【0037】
【表1】
【0038】
【表2】
【0039】
表2に示された結果から、実施例で得られた研磨液組成物を用いた場合には、比較例で得られたものを用いた場合と対比して、表面粗さが小さく、スクラッチも少なく、良好な研磨表面を有する被研磨基板を得ることができることがわかる。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、被研磨物の表面にピットやスクラッチ等の欠陥を生じさせずに、表面粗さを低減させることができるという効果が奏される。
Claims (9)
- (A)式(I):
- 式(I)で表される化合物の含有量が、0.01〜30重量%である請求項1記載の研磨液組成物。
- 研磨材がアルミナ粒子である、請求項 1 又は2記載の研磨液組成物。
- 研磨材の二次粒子の平均粒径が、0.1〜1.5μmである、請求項 1 〜3いずれか記載の研磨液組成物。
- 研磨材と式(I)で表される化合物の濃度比[研磨材の濃度(重量%)/式(I)で表される化合物の濃度(重量%)]が、1以上 200 以下である、請求項 1 〜4いずれか記載の研磨液組成物。
- 研磨液組成物のpHが2〜11である、請求項 1 〜5いずれか記載の研磨液組成物。
- 磁気記録媒体用の被研磨基板が、Ni−Pメッキされたアルミニウム合金からなる基板である、請求項 1 〜6いずれか記載の研磨液組成物。
- 請求項1〜7いずれか記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを特徴とする被研磨基板の研磨方法。
- 請求項1〜7いずれか記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を有することを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
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