JP3980943B2 - Pll制御発振器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、通信システムに使用されるPLL制御発振器を産業上の技術分野とし、例えば携帯電話に内蔵されるPLL制御発振器に関する。
【0002】
【従来の技術】
(発明の背景)PLL制御発振器は、基準信号源とPLL制御される電圧制御発振器とからなり、例えば基準信号源の分周周波数に同期(追従)して電圧制御発振器の発振周波数が変化することから、特にセルラー方式の通信システムに採用される。通常では、基準信号源としては温度補償水晶発振器が、電圧制御発振器にはLC発振回路が採用される。
【0003】
(従来技術の一例)第8図乃至第10図は一従来例を説明する図で、第8図はPLL制御発振器の回路ブロック図で、第9図は温度補償水晶発振器1の構造断面図、第10図は同回路ブロック図ある。
【0004】
PLL制御発振器は基準信号源としての温度補償水晶発振器(TCXO)1と、PLL制御による電圧制御発振器(VCO)2とからなる。温度補償水晶発振器1は水晶振動子3と、発振回路4及び温度補償機構5を集積化したICチップ6とからからなる。例えば、凹状容器7の底面にICチップ6を、内壁の段部に水晶片3A(水晶振動子3)の一端部を固着し、カバー8を接合して密閉封入してなる。そして、温度補償機構5への温度補償データの図示しない書込端子を側面に有する。図中の符号9は導電性接着剤である。
【0005】
水晶振動子3は一般にATカットからなり、周波数温度特性を常温25℃近傍に変曲点を有する三次曲線とする。発振回路4は例えばインバータ増幅素子(反転増幅素子)を用いた一種のコルピッツ型とし、発振用コンデンサに電圧可変容量素子10を適用してなる。温度補償機構5は周囲温度を検出する例えば抵抗を含む三次関数となる電圧発生回路を有し、温度補償電圧を発生する。そして、温度補償電圧を電圧可変容量素子10に印加することによって、水晶振動子3の両端から見た直列等価容量(負荷容量)を変化させ、発振周波数を一定に維持する。
【0006】
PLL制御による電圧制御発振器2は、基本的に、第1と第2の分周器11(ab)と位相比較器12とローパスフィルタ(LPF)13と電圧制御発振器2とからなる。第1と第2の分周器11(ab)は基準信号源(温度補償水晶発振器1)からの基準周波数と電圧制御発振器2からの出力周波数を分周する。位相比較器12は基準周波数と出力周波数との分周周波数の位相を比較する。ローパスフィルタ13は基準周波数と出力周波数との分周周波数の位相差に基づいて制御電圧を発生し、電圧制御発振器2に印加する。
【0007】
電圧制御発振器2は例えばコルピッツ型としたLC発振回路4からなり、発振閉ループに電圧可変容量素子を挿入してなる。そして、電圧可変容量素子に印加される制御電圧に応答して出力周波数を可変する。これにより、出力周波数は基準周波数の分周周波数に追従する。なお、電圧制御発振器2の回路図は、前第10図の水晶振動子3をLC共振回路に置換したものと基本的に等価なので省略する(但し温度補償機構5は除く)。
【0008】
このようなPLL制御発振器を用いた例えば携帯電話の送受信系は、概ね第11図に示す回路ブロック図になる。すなわち、温度補償水晶発振器1(TCXO)を共通の基準信号源として、PLL制御される送信用及び受信用の電圧制御発振器2(ab)(TXVCO、RXVCO)を備える。そして、送信時には、TXVCO2aからの例えば900MHz帯とした出力周波数と音声等の情報を含む変調信号faとをミキサー14によって混合し、電力増幅器(PA)15等を経てアンテナ16から高周波を送信する。
【0009】
また、受信時には、アンテナ16から低雑音増幅器(LNA)17を経ての高周波とRXVCO2bからの出力周波数をミキサー14bによって混合し、復調信号を得て元情報に戻す。このようなものでは、例えば第12図に示したように、セット基板17上に変調信号や復調信号を形成する高機能IC18と、温度補償水晶発振器1、送受信用の電圧制御発振器2を構成するディスクリート部品19が搭載される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
(従来技術の問題点)しかしながら、上記構成のPLL制御発振器では、温度補償水晶発振器1と電圧制御発振器2とが別体で構成されるため、製造面においてコストが高い(生産性が悪い)。また、電圧制御発振器2はチップ素子としたコンデンサやインダクタ、増幅素子及び電圧可変容量素子等のディスクリート部品19で構成されるため、部品点数が多く小型化を阻害する。さらには、部品点数が多くなるほど、これらを接続する回路パターンも複雑化して、例えば回路パターン間での電磁気的な結合を生じて障害を生じる等の問題があった。
【0011】
(発明の目的)本発明は小型化を促進して生産性を良好にし、電気的性能を向上したPLL制御発振器を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、特許請求の範囲(請求項1)に示したように、水晶振動子と発振回路と温度補償回路とからなる温度補償水晶発振器と、前記温度補償水晶発振器を基準信号源としてPLL制御されたLC発振回路を備えたPLL制御発振器において、前記温度補償水晶発振器の水晶振動子を除く発振回路と、前記温度補償発振器の温度補償回路と、前記PLL制御されたLC発振回路とを1チップICに集積化して、前記1ICチップと前記水晶振動子とを一体化してなり、前記水晶振動子は両主面に対向する溝を有して厚みの小さい中央部の振動領域と厚みの大きい外周部の保持領域とからなる水晶片と、前記水晶片の両主面に直接接合される一方と他方のカバーとからり、前記一方のカバーの前記水晶片と対面する一主面には前記LC発振回路のLを形成するプリントによるインダクタが形成され、前記1チップICは前記一方のカバーの他主面に予め接合されて前記LC発振器の発振周波数が前記インダクタによって調整された後、前記一方のカバーと前記他方のカバーとを前記水晶片の両主面に直接接合された構成とする。
【0013】
【第1実施例、請求項1に対応】
第1図は本発明の一実施例を説明するPLL制御発振器の概ねの分解組立図、第2図は同断面図である。なお、前従来例と同一部分には同番号を付与してその説明は簡略又は省略する。
PLL制御発振器は、前述したように、基本的に基準信号源としての温度補償水晶発振器1と、PLL制御によるLC発振回路4を用いた電圧制御発振器2とからなる(前第8図参照)。ここでも、PLL制御発振器は温度補償水晶発振器1を共通の基準信号源として、送受信用の電圧制御発振器2(ab)を備える(前第11図参照)。そして、この実施例では、温度補償水晶発振器1の水晶振動子3と送受信用の電圧制御発振器2(ab)のインダクタ(L)を除き、1チップIC(発振用1チップICとする)20に集積化される。
【0014】
すなわち、温度補償水晶発振器1の発振回路4(水晶振動子3を除く)及び温度補償器機構5と、PLL制御の各回路を含む送受信用の電圧制御発振器2のLC発振回路4(Lを除く)とが発振用1チップIC20に集積化される。ここでは、PLL制御の各回路も発振用1チップIC20に集積化するが、前述した高機能IC18内に設けてもよく、要は電圧制御発振器2がPLL制御されればよい。
【0015】
ここでの水晶振動子3は、振動子用水晶板21の両主面に対向する溝を設けて、厚みの小さい中央部の振動領域と厚みの大きい外周部の保持領域からなる所謂逆メサ構造とする。振動子用水晶板21の溝底面には励振電極22が形成され、引出電極23を経て例えば両端部の保持領域に接合端子26を形成する。接合端子26は例えばスルーホール27によって互いに他主面側に折り返して形成される。
【0016】
そして、振動子用水晶板21の両主面には、これと同一材あるいは膨張係数の近いガラス等のカバー25(ab)を直接接合によって接続する。直接接合は例えばシロキサン結合(Si−O−Si)とする。一方のカバー25aの一方の両端側には接合端子26が両主面に形成され、励振電極22からの接合端子と接続する。両主面の接合端子26はスルーホール27によって接続する。また、一方のカバー25aの外表面には、2個のインダクタ28(ab)がプリントされる。そして、各インダクタ28(ab)の各一組の接合端子26が他方の両端側に形成される。そして、両主面のカバー25(ab)の外表面には各接合端子26を除いて、アース電位に接地する図示しないシールド電極が形成される。
【0017】
発振用1チップIC20は、出力、電源、アース等のIC端子29を上面の外周に有し、水晶振動子3及びインダクタ28(ab)と接続するIC端子29を下面に有する。そして、一方のカバー25aに設けられた水晶振動子3及びインダクタ28(ab)の各接合端子26同士をバンプ30を用いた超音波熱圧着によって接続する。なお、発振用1チップIC20の上面には、温同補償機構に温度補償データを書き込む図示しない書込端子を有する。
【0018】
このようなものでは、先ず、発振用1チップICチップ20と水晶振動子3のカバー25(ab)とを接合する。これにより、発振用1チップIC20内における送受信用の電圧制御発振器のインダクタ28(ab)が接続されてLC発振回路を形成する。そして、電圧制御発振器2を動作させながら、例えばレーザによって線路幅を切断して線路長を変え、発振周波数(公称周波数)を調整する。
【0019】
次に、発振用1チップIC20に接続した一方のカバー25a直接接合によって振動子用水晶板21の一主面に接合する。このとき、直接接合の圧力によって振動子用水晶板21とカバー25aの接合端子26が接触して、発振用1チップIC20内の発振回路4と水晶振動子3とが電気的に接続し、温度補償水晶発振器1を構成する。そして、温度補償水晶発振器1を動作させながら、振動子用水晶板21の他主面側から例えばイオンビームを励振電極22に照射して質量を減じて発振周波数を調整する。最後に、振動子用水晶板21の他主面に他方のカバー25bを直接接合によって接合する。
【0020】
このような構成であれば、発振用1チップIC20内に、温度補償水晶発振器1の水晶振動子3及びPLL制御される送受信用の電圧制御発振器2のインダクタ28(ab)を除く、各発振回路を集積化する。そして、発振用1チップIC20とインダクタ28(ab)の形成された水晶振動子3とを積層して一体化する。したがって、部品点数を大幅に削減したPLL制御発振器を得られ、小型化を促進して製造コストを削減できる。また、部品点数が小さくなるので、これらが配置される回路パターンも単純化できて、電磁結合による影響を小さくして特性を良好に維持する。
【0021】
ちなみに、このPLL制御発振器は、第3図(ab)に示したように、例えば金属フレーム(外部端子)31に接続した高機能ICチップ18と発振用1チップIC20とをワイヤボンディング32によって接続して、一体的に樹脂モールド33され、変調及び復調を含む送受信素子としてのマルチチップICを形成する。したがって、従来(前第11図)の実装に比較して実装スペースに大幅な余裕ができ、設計の自由度を増す。
【0022】
【第2実施例、請求項1に対応】
第4図は本発明の第2実施例を説明するPLL制御発振器の組立て分解図である。なお、前実施例と同一部分の説明は省略又は簡略する。
前第1実施例では発振用ICチップ20は両主面にIC端子29を設けたが、第2実施例は一主面にのみIC端子29を有する場合の構成例である。すなわち、第2実施例では、発振用1チップICの下面には、水晶振動子3及びインダクタ28(ab)と接続するIC端子以外の電源、アース、出力等のIC端子29を外周に有する。そして、振動子用水晶板21と直接接合する一方のカバー25aの外周両面に、水晶振動子3及びインダクタ28(ab)の接合端子26とともに、温度補償機構5の電源、アース、出力等の接合端子26を有する。両主面間はスルーホール27によって接続する。
【0023】
また、これらの電源、アース、出力等の接合端子26は、振動子用水晶板21及び他方のカバー25bにも同様に形成される。そして、他方のカバー25bの外表面に露出した接合端子26は、前述したように高機能ICチップ18とワイヤーボンディング32によって接続され、送受信系のマルチチップICを形成する。
【0024】
【第3実施例、請求項1に対応】
第5図は本発明の第3実施例を説明する図で、同図(a)はPLL制御発振器の平面図、同図(b)は断面図である。前実施例と同一部分の説明は省略又は簡略する。
前第2実施例では、発振用1チップIC20の一主面に各IC端子29を設けてスルーホール27によって他方のカバー25bの外表面に接合端子26を導出したが、第3実施例では一方のカバー25aの外表面に導出する。
【0025】
すなわち、第3実施例では、水晶振動子3の外形を発振用1チップIC20より大きくする。発振用1チップIC20は、水晶振動子3及びインダクタ28(ab)の各接合端子26を一端側に、電源、出力、アース等の各端子を他端側に有する。そして、水晶振動子3の一方のカバー25aの外表面には、発振用1チップIC20に対応して各接合端子26が形成される。そして、電源、出力、アース等の各接合端子26に接続する導出接合端子34がカバーの一端側にさらに形成される。
【0026】
このような構成であれば、前述同様に高機能ICチップ18と導出接合端子34とをワイヤボンディングによって接続でき、例えば樹脂モールドした送受信系のマルチICチップを形成できる。
【0027】
【第4実施例、参考】
第6図は本発明の第4実施例を説明するPLL制御発振器の断面図である。前実施例と同一部分の説明は省略又は簡略する。
前各実施例では高機能ICチップ18と接続して送受信系のマルチICチップを形成することを前提としたPLL制御発振器を説明したが、第4実施例は独立した素子として機能するPLL制御発振器の例である。
【0028】
すなわち、第4実施例では、積層セラミックからなる両主面に凹部及びその内壁に段部を有し、外表面に実装端子35を有するH状とした容器本体36を使用する。そして、容器本体36の一方の凹部底面に、温度補償水晶発振器1の発振回路4、温度補償機構5及び送受信用の電圧制御発振器2のインダクタを除くLC発振回路4を集積化した発振用1チップIC20を、凹部内壁の段部に水晶片3Aの一端部両側を固着し、密閉封入する。
【0029】
そして、容器本体36の他方の凹部底面にプリントによるインダクタ28(ab)を形成し、アース電位に接地するシールド板37を段部に接合する。なお、シールド板37は電圧制御発振器2のインダクタによる周波数調整後に接合される。また、発振周波数が低い場合には、チップインダクタでも対応できる。
【0030】
このような構成であっても、温度補償水晶発振器1及び送受信用の電圧制御発振器2を一体化したPLL制御発振器を得られ、大幅な小型化を達成できる。なお、前第1〜第3実施例においても、例えば直接接合による水晶振動子3と発振用1チッププIC20とを一体化したPLL制御発振器を樹脂モールド等によって独立した素子として形成できる。
【0031】
【他の事項】
なお、上記実施例では、振動子用水晶板21の引出電極23及びカバーの接合端子26とは直接接合による圧力によって電気的接続を得たが、例えば第7図に示したようにスルーホール27を分割して端面電極を設け、直接接合後に図示しない半田等を塗布して、電気的接続をさらに確実にしてもよい。
【0032】
また、電圧制御発振器2のインダクタ28(ab)は発振用1チップIC外に形成したが、調整が不要等の場合は発振用1チップIC20内に集積化してもよい。そして、PLL制御発振器は送受信用の電圧制御発振器を備えたが、送信あるいは受信のみに使用する場合は一方の電圧制御発振器のみを発振用1チップIC20内に集積化すればよい。さらに、インダクタ28(ab)は一方のカバー25aの表面(平坦面)に形成したが、例えばカバー25aの表面に凹部を設けて凹部底面に形成してギャップを確実にしてQを高めるようにしてもよい。
【0033】
また、直接接合はシロキサン結合(Si−O−Si)としたが、接合強度がさらに高いSi−Si結合してもよい(参照:特開2000-269106号公報)。そして、電圧制御発振器2の周波数調整はプリントインダクタとしたが、プリントコンデンサであってもよく、要は周波数を可変するリアクタンスであればよい。
【0034】
また、水晶振動子3は逆メサ型とした振動子用水晶板21とカバー25(ab)の直接接合によって形成したが、例えば両主面に励振電極及び引出電極を有する図示しない水晶片を容器内に密閉封入した場合でも適用できる。
【0035】
要するに、本発明では、従来では基準信号源としての温度補償水晶発振器1と電圧制御発振器2とが別体であったものを、電圧制御発振器2の一方のリアクタンス(L又はC)を除いてあるいは含めて発振用1チップIC2内に集積化して水晶振動子3とともに一体化したことを趣旨とするもので、このような趣旨に基づくものは本発明の技術的範囲に基本的に包含される。
【0036】
【発明の効果】
本発明は、水晶振動子と発振回路と温度補償回路とからなる温度補償水晶発振器と、前記温度補償水晶発振器を基準信号源としてPLL制御されたLC発振回路を備えたPLL制御発振器において、前記温度補償水晶発振器の水晶振動子を除く発振回路と、前記温度補償発振器の温度補償回路と、前記PLL制御されたLC発振回路とを1チップICに集積化して、前記1ICチップと前記水晶振動子とを一体化してなり、前記水晶振動子は両主面に対向する溝を有して厚みの小さい中央部の振動領域と厚みの大きい外周部の保持領域とからなる水晶片と、前記水晶片の両主面に直接接合される一方と他方のカバーとからり、前記一方のカバーの前記水晶片と対面する一主面には前記LC発振回路のLを形成するプリントによるインダクタが形成され、前記1チップICは前記一方のカバーの他主面に予め接合されて前記LC発振器の発振周波数が前記インダクタによって調整された後、前記一方のカバーと前記他方のカバーとを前記水晶片の両主面に直接接合された構成とする。したがって、PLL制御発振器の大幅な小型化を促進するとともに、パターン配線を単純化して電気的性能を高め、しかも生産性を良好とする。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施例を説明するPLL制御発振器の分解組立図である。
【図2】 本発明の第1実施例を説明するPLL制御発振器の断面図である。
【図3】 本発明の第1実施例を説明する図で、同図(a)はマルチチップICの分解組立図、同図(b)は断面図である。
【図4】 本発明の第2実施例を説明するPLL制御発振器の分解組立図である。
【図5】 本発明の第3実施例を説明する図で、同図(a)は平面図、同図(b)は断面図である。
【図6】 本発明の第4実施例を説明するPLL制御発振器の断面図である。
【図7】 本発明の他の例を説明するPLL制御発振器の一部図である。
【図8】 従来例を説明するPLL制御発振器の回路ブロック図である。
【図9】 従来例を説明する温度補償水晶発振器の断面図である。
【図10】 従来例を説明する温度補償水晶発振器の回路ブロック図である。
【図11】 従来例を説明する送受信系のシステム図である。
【図12】 従来例を説明する送受信系のセット基板への配置図である。
【符号の説明】
1 温度補償水晶発振器、2 電圧制御発振器、3 水晶振動子、4 発振回路、5 温度補償機構、6 ICチップ、7、36 容器本体、8 カバー、9 導電性接着剤、10 電圧可変容量素子、11 分周器、12 位相比較器、13 ローパスフィルタ、14 ミキサー、15 電力増幅器、16 アンテナ、17 低ノイズ増幅器、18 高機能ICチップ、19 ディスクリート部品、20 発振用1チップIC、21 振動子用水晶板、22 励振電極、24 引出電極、26 接合端子、27 スルーホール、28 インダクタ、29 IC端子、30 バンプ、31 外部端子、32 ワイヤ、33 樹脂モールド、34 導出接合端子、35 実装電極、37 シールド板.
Claims (1)
- 水晶振動子と発振回路と温度補償回路とからなる温度補償水晶発振器と、前記温度補償水晶発振器を基準信号源としてPLL制御されたLC発振回路を備えたPLL制御発振器において、
前記温度補償水晶発振器の水晶振動子を除く発振回路と、前記温度補償発振器の温度補償回路と、前記PLL制御されたLC発振回路とを1チップICに集積化して、前記1ICチップと前記水晶振動子とを一体化してなり、
前記水晶振動子は両主面に対向する溝を有して厚みの小さい中央部の振動領域と厚みの大きい外周部の保持領域とからなる水晶片と、前記水晶片の両主面に直接接合される一方と他方のカバーとからり、前記一方のカバーの前記水晶片と対面する一主面には前記LC発振回路のLを形成するプリントによるインダクタが形成され、
前記1チップICは前記一方のカバーの他主面に予め接合されて前記LC発振器の発振周波数が前記インダクタによって調整された後、前記一方のカバーと前記他方のカバーとを前記水晶片の両主面に直接接合されたことを特徴とするPLL制御発振器。
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