JP3967606B2 - 処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,基板の処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程は,塗布現像処理システムにおいて行われている。当該塗布現像処理システムは,ウェハ表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理部,露光処理後のウェハに対して現像を行う現像処理部,塗布処理前,露光処理前後及び現像処理後のウェハを熱処理する加熱処理部,冷却処理部等を有している。これらの各処理部は,例えば一連のフォトリソグラフィー工程が連続して効率的に行えるように塗布現像処理システムの処理ステーションに集約されており,当該処理ステーションの中央部には,各処理部にアクセス可能でウェハの搬送を行う搬送装置が設けられている。
【0003】
また,各処理部は,各々の処理に適合したそれぞれの温度に制御されており,例えば加熱処理部では,ウェハを加熱する熱板が高温に維持され,冷却処理部では,ウェハを冷却する冷却プレートが低温に維持されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,上述した処理ステーション内には,複数の加熱処理部が設けられることが多く,当該加熱処理部から放出される輻射熱によって,処理ステーション内の雰囲気温度は上昇する。そして,当該雰囲気内で前記搬送装置によるウェハの搬送が行われると,当該搬送中に温度の上昇された雰囲気によってウェハの温度が上昇する。このようなウェハの温度上昇は,例えば冷却処理部においてウェハを所定温度に冷却し,ウェハ上の塗布膜の化学反応を停止させたにもかかわらず,当該温度上昇によって再び塗布膜の反応が始まる等の弊害を生じさせる。したがって,処理ステーション内の温度上昇は,ウェハ温度を上昇させ,最終的にウェハ上に形成される回路パターンの線幅に影響を与えることになり,歩留まりの低下を招く原因となる。
【0005】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,加熱処理部からの輻射熱によって,例えば処理ステーション内の雰囲気温度が上昇することを抑制する処理装置を提供することをその目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明によれば,基板の処理が行われる処理装置であって,前記処理装置のケーシング内に設けられ,基板の加熱処理が行われる加熱処理部と,前記ケーシングの側部に設けられたダクトと,前記ダクト内を流れる気流を発生させる気流発生機構とを有し,前記ダクト内には,前記気流の熱を吸熱する吸熱部材が設けられていることを特徴とする,処理装置が提供される。
【0007】
請求項1によれば,吸熱部材を設けることによって,加熱処理部からの熱を積極的に吸熱し,当該吸収した熱を前記ダクト内の気流によって排熱することができる。これによって,加熱処理部内の熱を効果的に排熱することができるので,加熱処理部の熱がケーシング外に放出され,ケーシング外の温度が上昇することを抑制できる。
【0008】
請求項2の発明によれば,基板の処理が行われる処理装置であって,前記処理装置のケーシング内に設けられ,基板の加熱処理が行われる加熱処理部と,前記ケーシングの側部に設けられたダクトと,前記ダクト内を流れる気流を発生させる気流発生機構とを有し,前記加熱処理部は,基板を加熱する加熱部と基板を冷却する冷却部とを並列して有し,前記ダクトは,前記ケーシングの前記加熱部側の側部に設けられていることを特徴とする,処理装置が提供される。
【0009】
このように,処理装置のケーシング側部にダクトを設け,当該ダクト内を流れる気流を発生させる気流発生機構を設けることによって,加熱処理部からダクトに伝導した熱をダクト内を流れる気流によって所定の場所に排熱することができる。これによって,加熱処理部からの熱がケーシング外に放熱されることが抑制され,ケーシング外の雰囲気温度が上昇することを抑制できる。
しかも加熱処理部が加熱部と冷却部との両者を有することによって,例えば加熱された基板を即座に冷却することができる。これによって,加熱によって基板に与えられる熱履歴を基板間で均一に揃えることができる。また,この場合にダクトを加熱部側にのみ設けることによって,必要のない冷却部側への設置を省き,加熱処理部からの熱の排熱を効率的に行うことができる。
【0010】
請求項3のように前記気流発生機構が,前記ダクト内に上昇気流を形成するものであってもよい。このように,ダクト内に伝導した熱の移送を上昇気流によって行うことによって,本来の熱による上昇気流に逆らわず,熱の排熱をスムーズに行うことができる。また,加熱処理部が,処理装置の上部に配置された場合には,下部の他の処理部に熱的な影響を与えることなく好適に熱を排出することができる。
【0012】
前記ダクト内には,前記気流を冷却する冷却装置が設けられていてもよい。このように,ダクト内を流れる気流を冷却する冷却装置を設けることによって,加熱処理部からの熱を受け取って温度が上昇した気流を冷却することができる。これによって,多量の熱を保有した気体がダクトに沿ってそのまま流され,下流域に配置された処理部等に熱的な影響を与えることを防止できる。また,気流が高温になることを抑制できるため,例えばそのまま処理装置が設置されているクリーンルーム内に放出したとしても,クリーンルーム内の温度を維持することが可能となる。
【0013】
前記冷却装置が冷却板を有し,前記冷却板は,冷媒としての流体を流通させるための管路を有していてもよい。このように,ダクト内に冷却板を設けることによって,その分ダクト内の気体との接触面積が大きくなり,ダクト内の気体を効果的に冷却することができる。また,冷却板内に冷媒としての流体を流通させることによって,冷却板に伝導した熱を適宜排熱して,冷却板による気流の冷却を好適に行うことができる。
【0014】
また前記冷却板にフィンを取り付けるようにしてもよい。このようにフィンを取り付けることによって,ダクト内の気流と冷却板との接触面積がさらに増大し,ダクト内の気流をより効果的に冷却することができる。
【0015】
基板を冷却処理する冷却処理部を有し,前記流体には,前記冷却処理部の前記冷却処理の際に用いられる冷媒が使用されるようにしてもよい。このように,冷却処理部に用いられる冷媒を前記冷却板内に流通させる流体に利用することによって,冷媒を供給するための機構や,温度調節機構を新たに設ける必要が無く,既存の機構を利用することができるので,処理装置全体の構成が複雑になったり,装置の製造コストや消費冷媒のコストが増大したりすることを防止できる。
【0016】
かかる各処理装置において,ダクト内に冷却水のミストを供給するミスト供給機構を有するようにしてもよい。これによれば,ダクト内に冷却水のミストを供給し,当該ミストが蒸発する際の潜熱によって,ダクト内の気流の熱を奪い,ダクト内の気流を冷却することができる。これによって,多量の熱を保有した気体がダクトに沿ってそのまま流され,下流域に配置された処理部等に熱的な影響を与えることを防止できる。
【0018】
請求項9によれば,基板の処理が行われる処理装置であって,前記処理装置のケーシング内に設けられ,基板の加熱処理が行われる加熱部を有する加熱処理部と,前記ケーシングの側部に設けられたダクトと,前記ダクトに設けられ,冷却流体が流れる冷却流路と,少なくとも電気配線を収容する配線収容部と,当該配線収容部と前記加熱部との間に配置され,冷却流体が流通する流路が形成された熱遮蔽パネルとを有し,前記加熱処理部は基板を冷却する冷却部を有し,前記冷却流体には,前記冷却部の前記冷却の際に用いられた後の冷媒が使用されることを特徴とする,処理装置が提供される。
かかる処理装置によれば,ダクト内に流れる気流によって断熱されるので,ケーシングからの放熱が抑えられる。しかも冷却流路に流れる冷却流体によって熱が吸収されるから,さらに前記放熱は抑えられる。また加熱処理部に基板を冷却する冷却部が付加され,前記冷却流体には,この冷却部の前記冷却処理の際に用いられた後の冷媒が使用されるので,格別専用の冷媒の供給源は不要である。
さらに少なくとも電気配線を収容する配線収容部を具備し,当該配線収容部と前記加熱部との間には,冷却流体が流通する流路が形成された熱遮蔽パネルを配置するようにしたので,例えば制御系のケーブル等も当該配線収容部に納めるとよい。これによって制御系に対する熱による外乱は抑えられ,安定したかつ正確な制御を実施することができる。
この場合,前記冷却流路が前記ダクトにおける外側寄りに設けられていると,前記したように,ダクト内の気流によって一旦断熱され,しかもケーシングから冷却流路への熱の急激な移動はないので,ケーシング内での熱処理を安定して行える。しかもまた熱の急激な移動がないので,その分温度低下を補償するための電力を極めて低く抑えて,全体として必要電力量を節約することができる。
ダクトは複数の流路に分割されていれば,排気する量に応じた流路設定,それに伴う排気ポンプ等の定格を適切に行うことができる。
【0021】
また請求項12の発明は,基板の処理が行われる処理装置であって,基板を加熱処理する加熱処理部を含む複数の処理部が多段に配置される略直方体形状のケーシングと,前記ケーシングの両側部にそれぞれ設けられ,気流を流通させるダクトと,前記ダクト内の気流を処理装置外に排気するためのファンと,を具備し,
前記ダクトは,垂直方向に気流が流通する複数の流路に分割され,前記処理部における溶剤や処理液を排気するための流路を備え,前記各流路は,各々排気流量を変えて設定できることを特徴とする。
さらにまた本発明は,基板の処理が行われる処理装置であって,基板を加熱処理する加熱処理部を含む複数の処理部が多段に配置される略直方体形状のケーシングと,前記ケーシングの両側部にそれぞれ設けられ,気流を流通させるダクトと,前記ダクト内の気流を処理装置外に排気するためのファンと,を具備し,前記ダクトは,垂直方向に気流が流通する複数の流路に分割され,前記処理部における溶剤や処理液を排気するための流路を備え,前記ケーシングに対して前記ダクトの外側に位置する外側パネルには,冷却流体が流れる冷却流路が形成されていることを特徴としている。
前記ダクトは,前記各処理部内の排気を行うための流路を備えていてもよい。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図1は,本発明にかかる処理装置を有する塗布現像処理システム1の概略を示す平面図であり,図2は,塗布現像処理システム1の正面図であり,図3は本発明にかかる処理装置の斜視図,図4は,塗布現像処理システム1の背面図である。
【0023】
塗布現像処理システム1は,図1に示すように,例えば25枚のウェハWをカセット単位で外部から塗布現像処理システム1に対して搬入出したり,カセットCに対してウェハWを搬入出したりするカセットステーション2と,塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理部を多段配置してなる処理ステーション3と,この処理ステーション3に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハWの受け渡しをするインターフェイス部4とを一体に接続した構成を有している。
【0024】
カセットステーション2では,載置部となるカセット載置台5上の所定の位置に,複数のカセットCをX方向(図1中の上下方向)に一列に載置自在となっている。そして,このカセット配列方向(X方向)とカセットCに収容されたウェハWのウェハ配列方向(Z方向;鉛直方向)に対して移送可能なウェハ搬送体7が搬送路8に沿って移動自在に設けられており,各カセットCに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【0025】
ウェハ搬送体7は,ウェハWの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体7は後述するように処理ステーション3側の第3の処理装置G3に属するエクステンション部33に対してもアクセスできるように構成されている。
【0026】
処理ステーション3では,その中心部に主搬送装置13が設けられており,この主搬送装置13の周辺には各種処理部が多段に配置されて処理装置を構成している。該塗布現像処理システム1においては,4つの処理装置G1,G2,G3,G4が配置されており,第1及び第2の処理装置G1,G2は塗布現像処理システム1の正面側に配置され,処理装置としての第3の処理装置G3は,カセットステーション2に隣接して配置され,第4の処理装置G4は,インターフェイス部4に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第5の処理装置G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置13は,これらの処理装置G1,G2,G3,G4,G5に配置されている後述する各種処理部に対して,ウェハWを搬入出可能である。なお,処理装置の数や配置は,ウェハWに施される処理の種類によって異なり,処理装置の数は,1以上であれば任意に選択できる。
【0027】
第1の処理装置G1では,例えば図2に示すように,ウェハWにレジスト液を供給し,レジスト膜を形成するレジスト塗布処理部17と,露光後のウェハWを現像する現像処理部18とが下から順に2段に配置されている。処理装置G2の場合も同様に,レジスト塗布処理部19と,現像処理部20とが下から順に2段に積み重ねられている。
【0028】
第3の処理装置G3は,図3に示すように略直方体形状のケーシング30を有している。ケーシング30内には,ケーシング30内を複数の部屋に分割する水平板30aが複数設けられており,複数の処理部を多段に配置できるようになっている。当該ケーシング30内には,例えば図4に示すように,ウェハWを冷却処理するクーリング部31,レジスト液とウェハWとの定着性を高めるためのアドヒージョン部32,ウェハWを待機させるエクステンション部33,レジスト液中の溶剤を乾燥させる加熱処理部としてのプリベーキング部34が下から順に,例えば4段に積層されて設けられている。
【0029】
ケーシング30のX方向側の両側面には,図3に示すように当該側面全面に接し,上下方向に気体を流通させる熱遮断部材としてのダクト35,36がそれぞれ設けられている。以下,ダクト35及び36の構成をダクト35を例にとって説明する。
【0030】
ダクト35は,ケーシング30の上端部に一端の開口部37を有し,ダクト35の他端は,ケーシング30の下方から,例えば塗布現像処理システム1外に開口されている。ダクト35のケーシング30側の側部38の材質は,熱伝導性の優れた材質,例えばアルミニウムが使用されており,当該側部38の逆側の側部39,すなわちケーシング30の外方の側部39には,熱伝導性の低い材質,例えば多孔質セラミックが使用されている。これによって,ケーシング30内のプリベーキング部34から放射される熱が容易にダクト35内に伝導され,また当該ダクト35内に伝導された熱がダクト35の側部39からケーシング30外方に漏れないようになっている。なお,ダクト35の全部に熱伝導性の優れた材質のものを使用してもよいし,熱伝導性の低い材質のものを使用してもよい。また,側部39を構成する部材に所定の厚みを有する樹脂材を設けてもよいし,スポンジ状の断熱部材を設けてもよい。
【0031】
ダクト35内には,図5に示すように気流発生機構としてのファン40が設けられており,ダクト35内に下降気流を形成し,処理ステーション3内の雰囲気をダクト35の開口部37から流入させ,ダクト35の下方から排出できるようになっている。なお,請求項1に記載の熱移送手段は,本実施の形態に関しては,ファン40と当該ファン40によって形成された気流によって構成される。
【0032】
また,ダクト35内には,ダクト35内の気流と接触し,当該気流を冷却するための略直方体形状の冷却板41,42,43及び44が上下方向に並べられて設けられている。冷却板41〜44には,熱伝導性の優れた材質,例えばアルミニウムが使用されている。
【0033】
また,各冷却板41〜44には,図6に示すようにその表面に複数のフィン45が設けられており,ダクト35内の気流との接触面積がより大きくなるように構成されている。各冷却板41〜44内には,冷媒としての冷却水を流通させるための管路46〜49がそれぞれ設けられており,ダクト35内の気流から各冷却板41〜44に伝導した熱を排熱し,各冷却板41〜44を低温に維持できるようになっている。例えば管路46は,冷却板41内部に設けられた空間部46aと,冷却板41の上部から空間部46aに通じる流入部46bと,空間部46aから冷却板41の下部に通じる流出部46cとを有しており,図示しない冷媒供給源から冷却板41内に流入された冷却水は空間部46aで一旦貯留され,そこで冷却板41の熱が冷却水に十分に伝導されるようになっている。なお,各冷却板41〜44は,加熱処理部,例えばプリベーキング部34に対応するダクト35のケーシング30側の側部38に直接取り付けられていてもよい。
【0034】
また,上下方向に隣り合う各冷却板41〜44の各管路46〜49間は,接続管50によって接続されており,最上部の冷却板41から流入した冷却水は,各冷却板41〜44内を順に通って最下部の冷却板44から流出されるようになっている。なお,上述した冷却水は,例えば図示しない冷媒供給源から供給されるようになっており,冷却板41〜44を通過した冷却水は,再び冷媒供給源に戻され,温度調節されるように構成されている。なお,ダクト36やダクト36内部の構成は,ダクト35と同様であり,説明を省略する。
【0035】
上述したプリベーキング部34は,図7に示すように例えば中央部にウェハWを載置し加熱するための円盤状で厚みのある熱板55を有しており,所定温度に熱せされた熱板55上にウェハWを所定時間載置することによって,ウェハWを加熱処理できるようになっている。また,プリベーキング部34へのウェハWの搬送は,ダクト35及び36の無いY方向側の側面からできるようになっている。
【0036】
第4の処理装置G4は,図1に示すように第3の処理装置G3と同様に略直方形状のケーシング60とX方向側の両側面のダクト61及び62とを有している。ケーシング60内には,図4に示すように例えばクーリング部65,エクステンション・クーリング部66,エクステンション部67,露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング部68,現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング部69が下から順に例えば5段に積み重ねられている。なお,その他の構成は,第3の処理装置G3と同様であり,説明を省略する。
【0037】
インターフェイス部4の中央部にはウェハ搬送体70が設けられている。このウェハ搬送体70はX方向(図1中の上下方向),Z方向(垂直方向)の移動とθ方向(Z軸を中心とする回転方向)の回転が自在にできるように構成されており,第4の処理装置G4に属するエクステンション・クーリング部66,エクステンション部67,周辺露光装置71及び図示しない露光装置に対してアクセスして,各々に対してウェハWを搬送できるように構成されている。
【0038】
次に,以上のように構成されている塗布現像処理システム1における第3の処理装置G3の作用をフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【0039】
先ず,ウェハWの処理が開始される前に,第3の処理装置G3におけるプリベーキング部34の熱板55がウェハWの加熱温度,例えば140℃に加熱され,維持される。このとき,ダクト35及び36のファン40が稼動され,処理ステーション3内の雰囲気が開口部37からダクト35及び36内に流入して,ダクト35及び36内に下降気流が形成される。また,図示しない冷媒供給源から低温の冷却水が供給され始め,冷却板41〜44が低温に維持される。これによって,プリべーキング部34の熱板55で発熱された熱はダクト35及び36に伝導され,その中を流れる気流によって移送される。そして,当該熱は気流が冷却板41〜44に接触することによって,冷却板41〜44に移動し,ダクト35及び36内の気流が冷却される。さらに,冷却板41〜44に移動した熱は,冷却水に受け渡されて排熱される。また,冷却された気流は,ダクト35及び36の下方から例えば塗布現像処理システム1が設置されているクリーンルーム内に排出される。
【0040】
そして,ウェハWの処理が開始されると,先ず,ウェハ搬送体7がカセットCから未処理のウェハWを1枚取りだし,第3の処理装置G3に属するアドヒージョン部32に搬入する。次いで,アドヒージョン部32において,レジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤を塗布されたウェハWは,主搬送装置13によって,例えばクーリング部31に搬送され,所定の温度に冷却される。
【0041】
その後,ウェハWは,レジスト塗布処理部17又19に搬送され,レジスト塗布処理が施される。そして,レジスト膜が形成されたウェハWは,プリベーキング部34に搬送される。ペリベーキング部34に搬送されたウェハWは,熱板55上に載置され,所定時間加熱処理される。そして,加熱処理の終了したウェハWは,エクステンション・クーリング部66に搬送される。
【0042】
次いで,ウェハWはエクステンション・クーリング部66からウェハ搬送体70によって取り出され,周辺露光装置71に搬送され,ウェハWの周辺部が露光される。周辺露光の終了したウェハWは,再びウェハ搬送体70に保持され,露光装置(図示せず)に搬送される。そして,露光処理の終了したウェハWは,ウェハ搬送体70によりエクステンション部67に搬送され,次いで主搬送装置13によってポストエクスポージャーベーキング部68,クーリング部65に順次搬送されて,所定の処理が施される。
【0043】
その後,ウェハWは,現像処理部18又は20に搬送され,現像処理される。そして,現像処理されたウェハWは,ポストベーキング部69に搬送されて加熱され,その後クーリング部31に搬送され,所定温度に冷却される。そして,エクステンション部33に搬送され,そこからウェハ搬送体7によって,カセットステーション2のカセットCに戻される。以上の工程により,一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【0044】
以上の実施の形態によれば,プリべーキング部34から発生する熱が処理ステーション3内に放出される前にダクト35及び36内を流れる気流によって移送されるため,処理ステーション3内の温度上昇を抑制することができる。したがって,各処理部間でウェハWを搬送させる際に,処理ステーション3の雰囲気によってウェハWの温度が上昇されることを抑制できる。
【0045】
また,プリべーキング部34から熱を受け取ったダクト35及び36内の気流を冷却板41〜44によって冷却できるので,気流が大量の熱を保持したまま流れて,下流に配置されている例えばクーリング部31等に熱的な影響を与えることを抑制できる。また,温度制御されているクリーンルーム内にそのまま排気することも可能となる。
【0046】
冷却板41内の管路46に空間部46aを設けたため,冷却水が当該空間部46aに一旦貯留されて,ダクト35内の気流から冷却板41に受け渡された熱が冷却水に伝導される時間を十分に確保できるので,当該熱交換を効果的に行うことができる。
【0047】
また,冷却板41〜44にフィン45を取り付けたことによって,冷却板41〜44の表面積が増大し,前記気流との接触面積が増えたため,当該気流を効果的に冷却することができる。
【0048】
以上の実施の形態では,ダクト35及び36を第3の処理装置G3のケーシング30のX方向側の二辺に取り付けたが,ケーシング30の側面のいずれか一面だけでもよく,Y方向側の側面を含めた三面に設けるようにしてもよい。特に三面に設けた場合には,第3の処理装置G3から発生する熱がより多く遮断され,処理ステーション3内に放出される熱量をより少なくすることができる。
【0049】
また,以上の実施の形態では,ファン40によってダクト35及び36内に下降気流を形成していたが,上昇気流を形成するようにしてもよい。こうすることによって,温められ上昇しようとする気体に逆うことなく,好適に気流を形成することができる。また,大量の熱を保持した気体をクーリング部31等の熱的な影響が懸念される処理部の無い上方側に流すことによって,当該処理部への影響を最小限に抑制することができる。
【0050】
さらに,上述した冷却板41内には,空間部46aを有する管路46を設けていたが,他のパターン,例えば図8に示すように管路80を冷却板41内において蛇行するように設けてもよい。また,図9に示すように管路90を露出した状態で蛇行させて設けるようにしてもよい。なお,管路90には,直接フィンを取り付け表面積を増大させるようにしてもよい。
【0051】
また,冷却板41〜44を冷却するための冷却水に,他の冷却処理部,例えば冷却処理部としてのクーリング部31で用いられている冷媒としての冷却水を使用してもよい。例えばクーリング部31には,図10に示すようにウェハWを載置し冷却する冷却プレート100が設けられている。冷却プレート100には,ペルチェ素子101が設けられており,当該ペルチェ素子101によって冷却プレート100は所定の温度に維持できるようになっている。冷却プレート100内には,ペルチェ素子101で発熱した熱をクーリング部31外に排熱するための冷却水を流通させる配管102が設けられている。当該配管102は,温度調節機能を有する冷媒供給装置103に冷却水を戻す帰還路104と,冷媒供給装置103から冷却プレート100に冷却水を供給する供給路105とを有しており,循環路を形成している。
【0052】
また,供給路105には,供給路105から分岐し,ダクト35及び36の最上部の冷却板41に冷却水を供給するダクト供給路106が設けられている。また帰還路104には,最下部の冷却板44からの冷却水を帰還路104に戻すダクト帰還路107が設けられている。かかる構成によって,冷却プレート100で使用される冷却水の一部をダクト35及び36の冷却板41に供給し,当該冷却水を冷却板41〜44用の冷却水として使用し,その後冷媒供給装置103に戻すことができる。これによって,冷却板41〜44に冷却水を供給するための装置を別途設ける必要が無く,既存の循環路を用いて冷却板41〜44に冷却水を供給することができる。なお,冷却板41〜44用の冷却水を供給路105から最下部の冷却板44に供給し,最上部の冷却板41から帰還路104に戻すようにしてもよい。
【0053】
以上の実施の形態では,ダクト35及び36内の気流を冷却するために冷却板41〜44を設けていたが,ダクト35及び36内に冷却水としての純水のミストを供給するミスト供給機構を設けて,気流を冷却するようにしてもよい。このような場合には,例えば図11に示すようにダクト35及び36の開口部37に,ダクト35及び36内にミストを噴出する供給ノズル110を設ける。供給ノズル110は,図示しないミスト供給源との間を供給管111によって接続されており,供給管111には,ミストの供給量を変えられる弁112が設けられる。当該弁112は,コントローラ113によってその開閉度が制御されており,当該コントローラ113によって,ミストの噴出タイミング及び噴出量が制御できるようになっている。そして,例えばウェハWの処理が開始されてから断続的にミストを噴出して,ミストの潜熱によってダクト35及び36内の気流から熱を奪い,当該気流を冷却するようにする。こうすることによっても,ダクト35及び36内の気流が冷却され,下流域の処理部に熱的な影響を及ぼすことを抑制できる。
【0054】
また,上述の実施の形態では,ダクト35及び36内に冷媒を通した冷却板41〜44を設けていたが,ダクト35及び36内に,単に当該ダクト35及び36内の気流の熱を吸熱する,例えばアルミニウム板等の吸熱部材を設けてもよい。これによっても,プリべーキング部34から発生する熱を積極的に吸熱し,ダクト35及び36内の気流によって排熱することができるので,処理ステーション3内の温度上昇を抑制することができる。
【0055】
さらに,上述したプリベーキング部34の代わりに,加熱部と冷却部とを有する加熱処理部を設け,当該加熱部側にのみダクトを設けるようにしてもよい。例えば図12に示すように加熱処理部120内には,加熱部としての熱板121と冷却部としての冷却プレート122を並べて設けられている。そして,上述したダクト35と同様の構成を有するダクト123を,熱板121側のケーシング30の側面に熱板121を取り囲むようにして設ける。これによって,加熱処理部120を用いた場合においても,熱板121側からの熱の放射を抑制し,処理ステーション3内の温度上昇を抑制することができる。
【0056】
図13に示したものは,加熱処理部の別な例を示している。この加熱処理部130は,ケーシング131内に加熱部132と冷却部133を有している。このケーシングは,例えば第3の処理装置G3や第4の処理装置G4の組み込んだ場合,これら第3の処理装置G3や第4の処理装置G4全体のケーシングを兼ねるものである。加熱部132は熱板134を有し,熱板134内にはヒータが内蔵されている。したがって熱板134上のウエハWに対して,所定の加熱処理を行うことが可能である。熱板134には,ウエハWを昇降させる際に熱板134上から突出する3本の昇降ピン135が設けられている。この昇降ピン135は,例えばモータ等の適宜の駆動装置によって上下動する。
【0057】
ケーシング131の内部には,以上の加熱部132の他に,冷却部133が設けられている。この冷却部133は,移動レール141に沿って移動し,また上下動する冷却プレート142を有している。冷却プレート142は,全体として略方形の平板形状をなし,その内部には,外部に設置されている恒温水供給源143から供給される所定温度(たとえば23℃)の冷却流体,たとえば水CW1が,冷却プレート142の入口142aから冷却プレート142内に形成されている流路を巡り,冷却プレート142の出口142bから出るようになっている。これによって冷却プレート142上に載置されたウエハWを冷却する構成を有している。
【0058】
なお冷却プレート142における前記加熱部132側の端部には,2つのスリット144,145が形成されている。これらスリット144,145は,冷却プレート142が加熱部132側に移動して,熱板134上で昇降ピン135に支持されているウエハWを受け取るために熱板134上に位置した際に,該昇降ピン135が障害とならないように設けられているものである。したがって,冷却プレート142は,熱板132の上方で昇降ピン135に対してウエハWを受け渡すことが可能である。
【0059】
ケーシング131の外側における加熱部132に対応した両側には,ダクト151,152が取り付けられている。ダクト151は垂直方向に気流が流通する第1のダクト151a,第2のダクト151b,第3のダクト151cに分割されている。またダクト152についても,垂直方向に気流が流通する第1のダクト152a,第2のダクト152b,第3のダクト152cに分割されている。第1のダクト151a,152aは,例えば第3の処理装置G3や,第4の処理装置G4に搭載される各種のユニットとしての処理部のユニット排気を行うための流路であり,例えばユニット内全体の排気がかかる第1のダクト151a,152aを通じて処理装置外に排気される。第2のダクト151b,152bは,例えば第3の処理装置G3や第4の処理装置G4に搭載される各種のユニットとしての処理部において,高温の排気,例えば熱板を有するユニットから発生する高温の排気を行うための流路である。そして第3のダクト151c,152cは,例えば第3の処理装置G3や第4の処理装置G4に搭載される各種のユニットとしての処理部において,排気中に溶剤や各種処理液,例えばウエハWに対してアドヒージョン処理を行うために用いたHMDS(ヘキサ・メチル・ジ・シ・ラザン)を排気するための流路である。
【0060】
なお図14に示したように,外側パネル153,154は,例えば第3の処理装置に適用された場合,多段に積み重ねられている各加熱処理部130の側面全てに渡る上下方向の長さを有している。すなわちダクト151,152は各加熱処理部130からの排気を行うことが可能である。
【0061】
第1のダクト151a,152a,第2のダクト151b,152b,第3のダクト151c,152cは,各々単位時間あたりの排気流量を変えて設定することが可能であり,排気のされる空気の特性に応じて最適なかつ必要最小限の排気量で各種の排気を実施することが可能である。
【0062】
各ダクト151,152におけるこれら第1のダクト151a,152a,第2のダクト151b,152b,第3のダクト151c,152cを形成し,かつこれらの外側に位置することになる外側パネル153,154は,例えばアルミニウムで構成することができ,かつ当該外側パネル153の内部には,垂直方向に,冷却流路153a,153bが形成され,外側パネル154の内部には,垂直方向に,冷却流路154a,154bが形成されている。
【0063】
冷却流路153a,153bは,ダクト151を3つに区画している仕切板151d,151eのちょうど外側に位置するように形成されている。また冷却流路154a,154bも,ダクト152を3つに区画している仕切板152d,152eのちょうど外側に位置するように形成されている。
【0064】
前記各冷却流路153a,153b,冷却流路154a,154bには,恒温水供給源155から供給される所定温度(たとえば23℃)の冷却流体,たとえば水CW2が,流通する。例えば恒温水供給源155から供給される水は,例えば図14に示したように,外側パネル153の冷却流路153aの頂部から,外側パネル153内に入り,外側パネル153の下部にて連通管を経て冷却流路153bに入って頂部から出て,次いで外側パネル154の冷却流路154bの上方から,外側パネル154内に入り,外側パネル154の下部にて連通管154cを経て冷却流路154aに入ってその頂部から出て,恒温水供給源155に戻るようになっている。
【0065】
ケーシング131内における加熱部132の背面側空間には,配線収容部161が設けられている。配線収容部161には,各種の配線や電気機器等が収容されている。配線収容部161と加熱部132との間には,熱遮蔽パネル162が配線収容部161と加熱部132とを仕切るようにして配置されている。この熱遮蔽パネル162は,例えばアルミニウムで構成され,その内部には冷却流体が水平方向に流通するための流路163が上下多段に形成されている。
【0066】
そして前記流路163には,図13に示したように,冷却プレート142の出口142bから出た冷却水が流通し,その後この流路163を出て,恒温水供給源143に戻るようになっている。
【0067】
加熱処理部130周りは以上のような構成を有しており,この例によれば,加熱部132に対面したケーシング131における両側に,空気が流通するダクト151,152が設けられているので,加熱部132ので発生した熱は,まずこれら空気によって熱が加熱処理部130の外方に伝達することが抑制される。しかもダクト151,152の外側パネル153,154の内部には,冷却流路153a,153b,154a,154bが設けられており,その中を冷却流体としての水が流れているので,外側パネル153,154が冷却パネルとして機能し,加熱部132ので発生した熱の外部への伝達をさらに抑制することができる。
【0068】
ところでケーシング131を直接冷却流体で冷却すると,加熱部132からケーシング131への熱の移動が急激になり,その結果,加熱部132での加熱の安定性が損なわれ,また当該熱移動に伴う温度低下を補償するために,加熱部132のヒータへの電力を多く供給する必要が生ずる。
【0069】
この点前記実施の形態では,ケーシング131における加熱部132に対応した両側には,ダクト151,152によって,すなわちダクト内の気流によって一旦断熱しているので,加熱部132からケーシングや外部への熱の急激な移動はなく,安定した加熱が行える。また熱の急激な移動がないので,その分温度低下を補償するための電力を極めて低く抑えて,全体として必要電力量を節約することができる。
【0070】
ところでケーシング131を直接冷却流体で冷却すると,加熱部130からケーシング131への熱の移動が急激になり,その結果,加熱部131での加熱の安定性が損なわれ,また当該熱移動に伴う温度低下を補償するために,加熱部130のヒータへの電力を多く供給する必要が生ずる。
この点前記実施の形態では,ケーシング130における加熱部130に対応した両側には,ダクト151,152によって,すなわちダクト内の気流によって一旦断熱しているので,加熱部131からケーシングや外部への熱の急激な移動はなく,安定した加熱が行える。また熱の急激な移動がないので,その分温度低下を補償するための電力を極めて低く抑えて,全体として必要電力量を節約することができる。
【0071】
またダクト151,152自体は,各々第1のダクト151a,152a,第2のダクト151b,152b,第3のダクト151c,152cに分割されており,高温の排気は第2のダクト151b,152b内を流れるようになっているが,前記冷却流路153a,153bは,ダクト151を3つに区画している仕切板151d,151eのちょうど外側に位置し,また冷却流路154a,154bも,ダクト152を3つに区画している仕切板152d,152eのちょうど外側に位置しているので,最も高温の排気が流れる第2のダクト151b,152bは,各々冷却流路153a,153b,冷却流路154a,154bの間に位置している。したがって,第2のダクト151b,152b内を流れる排気の熱自体も,これら冷却流路153a,153b,冷却流路154a,154bを流れる冷却流体によって,その外部への伝達が抑制されている。
【0072】
そして各種配線が収容されている配線収容部161と,加熱部132との間には熱遮蔽パネル162が配置され,この熱遮蔽パネル162内の流路163には,冷媒として水が流れているので,加熱部132で発生した熱が配線収容部161に伝達することが抑制される。配線収容部161に収容されている各種配線は,例えば熱板134や冷却プレート142の温度を測定する温度センサからの信号線があり,これに温度センサからの信号に基づいて熱板134や冷却プレート142の温度が制御されているが,そのように加熱部132からの熱の影響を抑えることで,外乱を抑えて,正確,かつ安定した温度制御を実施することが可能である。
【0073】
しかも前記流路163に流れる冷媒としての水は,冷却プレート142の冷却に使用した水であるので,格別他の冷媒供給源からの冷媒の供給を受ける必要はない。
【0074】
なおかかる構成の加熱処理部130は,第3の処理装置G3,第4の処理装置G4のいずれにも設置可能である。そしてこの加熱処理部130は両側に開閉自在なシャッタを有する搬入出口130a,130bを有しているので,第3の処理装置G3に設置した場合にはウエハ搬送体7と主搬送装置13の双方が,冷却プレート142に対してウエハWの受け渡しが可能であり,また第4の処理装置G4に設置した場合にはウエハ搬送体70と主搬送装置13の双方が,冷却プレート142に対してウエハWの受け渡しが可能である。
【0075】
以上の実施の形態では,第3処理装置G3について説明したが,第4の処理装置G4も当然に同様の構成を有するようにしてもよい。
【0076】
また,以上で説明した実施の形態は,半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハの処理装置についてであったが,本発明は半導体ウェハ以外の基板,例えばLCDの処理装置においても応用できる。
【0077】
【発明の効果】
本発明によれば,ケーシング外の雰囲気の温度上昇を抑制できるので,基板の搬送時等に基板の温度が上昇することが無くなり,基板の不測の温度変動が抑制され,基板を適切な温度に維持することができる。これによって,基板の厳格な温度制御が可能となり歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態にかかる第3の処理装置を有する塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】図1の塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】第3の処理装置の構成の概略を示す斜視図である。
【図4】図1の塗布現像処理システムの背面図である。
【図5】ダクト内部の構成を模式的に示す第3の処理装置の縦断面の説明図である。
【図6】ダクト内の冷却板の構成を示す縦断面の説明図である。
【図7】プリべーキング部の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図8】冷却板内を通る管路の他の構成例を示す縦断面の説明図である。
【図9】冷却水が流通する管路の他の構成例を示す説明図である。
【図10】冷却水の配管例を模式的に示す説明図である。
【図11】ダクト内にミストを供給する場合の第3の処理装置の構成を示す縦断面の説明図である。
【図12】加熱冷却部の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図13】加熱処理部の他の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図14】図13の加熱処理部を有する処理装置の斜視図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理システム
3 処理ステーション
30 ケーシング
31 クーリング部
34 プリベーキング部
35,36 ダクト
40 ファン
41〜44 冷却板
55 熱板
G3 第3の処理装置
W ウェハ
Claims (14)
- 基板の処理が行われる処理装置であって,
前記処理装置のケーシング内に設けられ,基板の加熱処理が行われる加熱処理部と,
前記ケーシングの側部に設けられたダクトと,
前記ダクト内を流れる気流を発生させる気流発生機構とを有し,
前記ダクト内には,前記気流の熱を吸熱する吸熱部材が設けられていることを特徴とする,処理装置。 - 基板の処理が行われる処理装置であって,
前記処理装置のケーシング内に設けられ,基板の加熱処理が行われる加熱処理部と,
前記ケーシングの側部に設けられたダクトと,
前記ダクト内を流れる気流を発生させる気流発生機構とを有し,
前記加熱処理部は,基板を加熱する加熱部と基板を冷却する冷却部とを並列して有し,
前記ダクトは,前記ケーシングの前記加熱部側の側部に設けられていることを特徴とする,処理装置。 - 前記気流発生機構は,前記ダクト内に上昇気流を形成するものであることを特徴とする,請求項1又は2に記載の処理装置。
- 前記ダクト内には,前記気流を冷却する冷却装置が設けられていることを特徴とする,請求項2又は3のいずれかに記載の処理装置。
- 前記冷却装置は,冷却板を有し,
前記冷却板は,冷媒としての流体を流通させるための管路を有することを特徴とする,請求項4に記載の処理装置。 - 前記冷却板には,フィンが設けられていることを特徴とする,請求項5に記載の処理装置。
- 基板を冷却処理する冷却処理部を有し,
前記流体には,前記冷却処理部の前記冷却処理の際に用いられる冷媒が使用されることを特徴とする,請求項5又は6に記載の処理装置。 - 前記ダクト内に冷却水のミストを供給するミスト供給機構を有することを特徴とする,請求項1〜7のいずれかに記載の処理装置。
- 基板の処理が行われる処理装置であって,
前記処理装置のケーシング内に設けられ,基板の加熱処理が行われる加熱部を有する加熱処理部と,
前記ケーシングの側部に設けられたダクトと,
前記ダクトに設けられ,冷却流体が流れる冷却流路と,
少なくとも電気配線を収容する配線収容部と,
当該配線収容部と前記加熱部との間に配置され,冷却流体が流通する流路が形成された熱遮蔽パネルとを有し,
前記加熱処理部は基板を冷却する冷却部を有し,
前記冷却流体には,前記冷却部の前記冷却の際に用いられた後の冷媒が使用されることを特徴とする,処理装置。 - 前記冷却流路は,前記ダクトにおける外側寄りに設けられていることを特徴とする,請求項9に記載の処理装置。
- 前記ダクトは複数の流路に分割されていることを特徴とする,請求項9又は10に記載の処理装置。
- 基板の処理が行われる処理装置であって,
基板を加熱処理する加熱処理部を含む複数の処理部が多段に配置される略直方体形状のケーシングと,
前記ケーシングの両側部にそれぞれ設けられ,気流を流通させるダクトと,
前記ダクト内の気流を処理装置外に排気するためのファンと,を具備し,
前記ダクトは,垂直方向に気流が流通する複数の流路に分割され,前記処理部における溶剤や処理液を排気するための流路を備え,
前記各流路は,各々排気流量を変えて設定できることを特徴とする,処理装置。 - 基板の処理が行われる処理装置であって,
基板を加熱処理する加熱処理部を含む複数の処理部が多段に配置される略直方体形状のケーシングと,
前記ケーシングの両側部にそれぞれ設けられ,気流を流通させるダクトと,
前記ダクト内の気流を処理装置外に排気するためのファンと,を具備し,
前記ダクトは,垂直方向に気流が流通する複数の流路に分割され,前記処理部における溶剤や処理液を排気するための流路を備え,
前記ケーシングに対して前記ダクトの外側に位置する外側パネルには,冷却流体が流れる冷却流路が形成されていることを特徴とする,処理装置。 - 前記ダクトは,前記各処理部内の排気を行うための流路を備えていることを特徴とする,請求項12又は13に記載の処理装置。
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