JP3965215B2 - 半導体基材の製造方法 - Google Patents
半導体基材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3965215B2 JP3965215B2 JP10453695A JP10453695A JP3965215B2 JP 3965215 B2 JP3965215 B2 JP 3965215B2 JP 10453695 A JP10453695 A JP 10453695A JP 10453695 A JP10453695 A JP 10453695A JP 3965215 B2 JP3965215 B2 JP 3965215B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- semiconductor substrate
- semiconductor
- amorphous
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、大面積電子デバイス等に用いるIV族半導体多結晶を基材上に形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
太陽電池や薄膜トランジスタをはじめとする大面積電子デバイス用IV族多結晶半導体薄膜の製造においては、基板にガラスなどの安価な低融点材料の使用を可能にする低温成長技術の開発が大きな課題である。これまで、多結晶薄膜の作製には、対応するIV族元素非晶質膜を数百℃以上の温度において熱的に結晶化させる熱結晶化法やレーザ照射により結晶化させるレーザアニール法などのように予め堆積した非晶質膜を結晶化させる方法、あるいは、熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法などのように原料ガスを出発として、それを分解し気相から膜を堆積する気相成長法などが検討されてきた。
しかしながら、熱結晶化法では、600℃付近の高い温度で長時間の熱処理を必要とすること、またレーザアニール法では一度のレーザ照射によって結晶化させうる面積に限度があり、大面積薄膜の作製に適用した場合、均一性が確保できないなどの実用上の問題のほか、特性の改善に役立つ結晶粒の積極的な配向性の制御が困難であるという点が指摘される。
一方、気相成長法による堆積では、原料ガスの分解に熱を用いる熱CVD法では600℃程度の高い成長温度を必要とし、ガラスなどの低融点の基材が利用できないこと、また、原料ガスの分解にプラズマを用いるプラズマCVD法では、膜厚方向における結晶性の不均一性が避けられず、特にガラスなどの非晶質基材上への500℃以下の低温成長では膜の堆積初期に基材上に非晶質相の生成を伴う場合が多く、結晶性の高い膜の作製には、膜を厚く堆積する必要があるなどの問題がある。
さらに、従来のIV族多結晶半導体薄膜の製造においては、材料の特性に大きな影響を与える結晶粒の粒径制御や結晶の配向性を制御する方法が確立されていないという問題点があった。
従来、これらの問題を解決するために、多結晶膜の成長において、予めSiとほぼ同じ格子定数をもつ硫化亜鉛やプラズマCVD法により形成した結晶粒を含む非晶質層を下地層(核発生層)に用いて結晶成長を促進する方法が提案されている。しかしながら、前者の方法では、亜鉛、硫黄などIV族以外の元素をもちいるため実際のデバイスへの応用には問題があり、後者の方法では、下地層が非晶質相を含むため、結晶性の高い多結晶を得るためには、多結晶層の形成方法が固相成長法などに限られるなどの問題点がある。
一方、センタキシーと呼ばれる方法では、Siによる選択的な結晶核の形成と選択成長との組み合わせにより、多結晶Si膜の高品質化と粒径制御が実現できることが報告されているが、この場合、多結晶膜の成長に900℃以上の高温を必要とするため、ガラスなどの低融点基材を用いることができないという問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする問題点】
本発明は、IV族半導体多結晶の製造において、従来の低温結晶成長技術を用いて、結晶性に優れ、かつ結晶粒の粒径及びその配向性を制御し得る方法を提供することを目的とする。
【0005】
【問題を解決するための手段】
本発明者は、研究の結果、ハロゲン化ゲルマニウムとシラン類との熱CVDにおいては、550℃以下の低い成長温度において、膜の成長初期に非晶質層の形成を伴うことなく、直接、基材上に結晶成長のもととなる結晶核が形成できること、さらにその結晶核の形成密度は熱CVD条件により広い範囲にわたって制御可能であることを見出した。この知見をもとに、IV族多結晶半導体薄膜の製造において、前記熱CVD法により、まず基材上へ結晶核の形成を行なった後、この結晶核を利用して、従来の低温結晶成長技術を用いて結晶成長を行なうことにより、従来困難であった高い結晶性と結晶粒径および配向性が制御がされた多結晶薄膜を容易にかつ低温で作製できる技術を確立した。
【0006】
すなわち、本発明は、550℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱CVD法を用いて、その成長条件や核形成時間を選択することにより、制御された密度や配向性を有するSiGeあるいはGeの結晶核を基材上に形成し、これを核として、プラズマCVD法、光CVD法、あるいは非晶質相の熱結晶化法などの従来知られているIV族半導体薄膜の低温結晶成長技術を用いて結晶成長を行うことにより、半導体の多結晶を形成することを特徴とするIV族半導体多結晶の製造法である。
詳しくは、(1)本発明に係る請求項1に記載の半導体基材の製造方法は、550℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱CVD法により、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上に、IV族元素を含む半導体材料の結晶核を形成した後、該結晶核を核として利用し、前記結晶核の形成条件よりも温度を下げた熱CVD法でIV族元素を含む半導体材料の多結晶を形成することを特徴とする。
(2)本発明に係る請求項2に記載の半導体基材の製造方法は、550℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱CVD法により、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上に、IV族元素を含む半導体材料の結晶核を形成した後、該結晶核を核として利用し、前記結晶核の形成条件よりも圧力を下げた熱CVD法でIV族元素を含む半導体材料の多結晶を形成することを特徴とする。
(3)請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の半導体基材の製造方法において、前記結晶核の形成密度の制御を圧力を変えて行うことを特徴とする。
(4)請求項4に記載の発明は、請求項1又は2に記載の半導体基材の製造方法において、前記結晶核の形成密度の制御を時間を変えて行うことを特徴とする。
(5)請求項5に記載の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体基材の製造方法において、前記非晶質基材が、 (1) ガラス、 (2) 金属やITO等の導電性薄膜がパターニングされたガラス、 (3) 基材上に酸化ケイ素、窒化ケイ素から選ばれる非晶質薄膜を積層した基材、 (4) 金属やITO等の導電性薄膜がパターニングされた基材上に酸化ケイ素、窒化ケイ素から選ばれる非晶質薄膜を積層した基材、から選ばれるいずれかであることを特徴とする。
(6)請求項6に記載の発明は、請求項1〜5のいずれかに記載の半導体基材の製造方法において、前記結晶核が膜の成長初期に非晶質層の形成を伴うことなく前記基材上に直接形成されることを特徴とする。
(7)請求項7に記載の発明は、請求項1〜6のいずれかに記載の半導体基材の製造方法において、前記結晶核を構成するIV族元素がSi、SiGe、Geから選ばれることを特徴とする。
(8)請求項8に記載の発明は、請求項7のいずれかに記載の半導体基材の製造方法において、前記結晶核がP、As、Sb、Bから選ばれる不純物を含むことを特徴とする。
(9)請求項9に記載の発明は、請求項1〜8のいずれかに記載の半導体基材の製造方法において、前記多結晶を構成するIV族元素がSi、SiGe、Geから選ばれることを特徴とする。
(10)請求項10に記載の発明は、請求項9に記載の半導体基材の製造方法において、前記多結晶がP、As、Sb、Bから選ばれる不純物を含むことを特徴とする。
【0007】
結晶核の形成には、フッ化ゲルマニウムや塩化ゲルマニウムなどのハロゲン化ゲルマニウムとその還元に有効なシラン、ジシラン、あるいはそのハロゲン誘導体を用いることが重要である。この場合、原料ガスは、He、Ar、窒素などの不活性ガスや水素などで希釈して用いることが出来る。これらの選択により、核形成の条件やその密度の制御の範囲を広げることが出来る。また、応用の際に、P、As、Sb、Bなどの不純物を含む結晶核が必要となる場合は、それらの元素を含むガスを原料ガスに添加することが有効である。
【0008】
結晶核の形成温度は、基材温度が200℃〜550℃の範囲が望ましい。
200℃以下では形成反応の速度が遅く、また、550℃以上では基材にガラスなどの低融点材料を用いることが困難となる。
【0009】
結晶核の形成密度は、目的とするデバイスにより選択する必要があり、一般には、103〜1014cm−2から選ばれる。より好ましくは、太陽電池などの縦型デバイスのための材料を作製する場合は、一般に核形成密度は小さいほどよく、また薄膜トランジスタ等へ応用する場合は個々のデバイスのサイズにより決定され、105〜1014cm−2が好ましい。
【0010】
基材上に形成する結晶核の形状は、必ずしも各結晶核が基材上に孤立して存在する必要はなく、連続的につながった状態でも良くその形状に限定されるものではない。
【0011】
形成した結晶核を核として、これを利用して成長させる多結晶の成長法は、熱CVD法、プラズマCVD法、光CVD法などの気相成長法が利用できるが、これに限定されるものではなく、形成した結晶核上にIV半導体の非晶質相をプラズマCVD法、熱CVD法、真空蒸着法、スパッタリング法などによって堆積し、これを熱的に結晶化する固相成長法を用いることが可能である。
【0012】
初期の結晶核の形成条件や形成した初期結晶核層の厚さを選択することにより、成長した多結晶の優先配向を、例えば(111)、(110)、(100)が優勢となるように条件を設定することができる。
【0013】
【実施例】
以下の実施例によつて、本発明を詳細に説明するが、これらによって限定されるものではない。
【0014】
実施例1
Siウェーハ上に形成したSiO2を基板として、フッ化ゲルマニウムとジシランをそれぞれ2.7sccmおよび20sccm、希釈のためにHeを500sccm反応容器に流し、圧力を15〜50torrまで変えて、425℃で20分堆積を行うと、15torrでは約105〜106cm−2、20torrでは約107〜108cm−2、25torrでは約108〜109cm−2、50torrでは約109〜1010cm−2の密度で結晶核が生成した。これらの条件で予め基板上に結晶核を形成した後、375℃に成長温度を下げ、成長を継続すると高い結晶性をもつSiGeの多結晶が得られた。成長した多結晶の電子顕微鏡観察から、初期に形成した結晶核の密度が小さいほど、結晶の粒径は大きくなる傾向が確認された。
【0015】
実施例2
ガラス基板を用いて実施例1と同様な条件で膜を成長したところ、基板による大きな違いは見られず、結晶粒径が制御された多結晶SiGe膜が得られた。
【0016】
実施例3
Siウェーハ上に形成したSiO2を基板として、フッ化ゲルマニウムとジシランをそれぞれ2.7sccmおよび20sccm、希釈のためにHeを500sccm反応容器に流し、圧力を20torrに固定し、375℃で成長時間をかえて堆積を行なったところ、10分では約106〜107cm−2、20分では約107〜108cm−2の結晶核の形成された。これらの条件で予め基板上に結晶核を形成した後、反応圧力を10torrにさげ、成長を継続したところ、高い結晶性をもつSiGeの多結晶が得られた。得られた多結晶の結晶粒径は、10分間の核づけを行なった場合の方が20分核づけを行なった場合に比較して大きいことが電子顕微鏡による観察で確認された。
【0017】
実施例4
ガラスを基板として、フッ化ゲルマニウムとジシランをそれぞれ2.7sccmおよび20sccm、希釈のためにHeを500sccm反応容器に流し圧力を10torrとして、450℃で60秒堆積した後、いったん原料ガスを反応容器から排気し、成長温度を375℃に下げ1分間膜の成長を行なったところ、約0.1μmのSiGe膜が得られた。ラマンスペクトルにより結晶性を評価したところ、450℃で連続的に成長した膜に比較して、スペクトル強度と半値幅の比較から結晶性が大幅に改善されていることが確認された。
【0018】
実施例5
実施例1と同様な条件下で、ガラス基板上に結晶核の形成を行なった後、シラン−フッ化シラン−水素をそれぞれ2sccm、98sccm、50sccmの流量に設定し、圧力1torrでグロー放電分解法により400℃で膜成長を行なったところ、ラマンスペクトルより非晶質層がほとんど見られない多結晶膜が成長した。電子顕微鏡による成長膜の観察から、その結晶粒径は初期に形成した結晶核の密度が小さいほど大きくなる傾向が確認された。
【0019】
実施例6
実施例1と同様な条件でガラス基板上に結晶核の形成を行なった後、水素希釈したシラン(2%)を用いて、rf−グロー放電法により300℃で膜成長を行なったところ、ラマンスペクトルより非晶質層がほとんど見られない多結晶膜が得られた。
【0020】
実施例7
実施例1と同様な条件下でガラス基板上に結晶核の形成を行なった後、シラン−フッ素の化学反応を利用した成膜法により、シラン25sccm、フッ素(10%He希釈)25sccmの流量条件下、反応圧力550mtorr,350℃で膜成長を行なったところ、極めて結晶性の高い多結晶膜が成長した。ラマンスペクトルでは、成長した多結晶膜には、非晶質層がほとんど認められず、X線回折の測定から結晶性が大幅に改善されていることが明かとなった。また、粒径サイズは、初期に形成した結晶核の密度の小さいほ大きくなる傾向が認められた。
【0021】
実施例8
実施例1と同様な条件下でガラス基板上に結晶核の形成を行なった後、シランのグロー放電分解法により100℃で非晶質Si膜を0.5μm堆積し、450℃で予め膜中の水素を除去した後、600℃で10時間熱処理を行なったところ、多結晶膜が得られた。X線回折の測定から、成長した多結晶の配向性はもとの結晶核の配向性が優勢で、かつ、そのサイズは、初期の核形成密度の小さいほど大きくなる傾向が見られた。
【0022】
実施例9
実施例1と同様な条件でガラス基板上に結晶核の形成を行なった後、ジシランの熱分解により480℃で非晶質Si膜を0.5μm堆積した後、600℃で10時間熱処理を行なったところ、粒径サイズは、初期に形成した結晶核の少ない膜ほど大きな結晶粒をもつ多結晶が成長した。X線回折の測定から、成長した多結晶の配向性はもとの結晶核の配向性が優勢であった。
【0023】
実施例10
実施例1と同様な条件でガラス基板上に結晶核の形成を行なつた後、スパッタリング法により非晶質Si膜を堆積した後、600℃で10時間熱処理を行なったところ、高い結晶性を示す多結晶膜が得られた。その粒径は、初期に形成した結晶核の少ない膜ほど大きな結晶粒をもつことが分かった。X線回折の測定から、成長した多結晶の配向性はもとの結晶核の配向性が優勢であった。
【0024】
【発明の効果】
本発明は、熱CVD法により550℃以下の低い温度で基材上に結晶核を形成し、これを核として利用しIV族半導体の低温結晶技術を用いて結晶成長を行なうことにより、結晶性に優れた多結晶半導体膜を容易にかつ低温で製造する方法であって、従来困難であった結晶粒径やその配向性の制御の道を拓くもので、IV族多結晶半導体薄膜をもちいる電子デバイスの新たな発展をもたらす、きわめて有益な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1で示した条件で形成した結晶核の電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
(a)反応圧力が15torrの場合(図中白線は、10μm)
(b)反応圧力が20torrの場合〔図中白線は、10μm)
(c)反応圧力が25torrの場合(図中白線は、1μm)
(d)反応圧力が50torrの場合(図中白線は、1μm)
【図2】熱CVD法によるSiGe膜の堆積において、予め結晶核を形成した場合と結晶核の形成を行わなかった場合の堆積したSiGe堆積膜の結晶性をラマンスペクトルの強度により比較した図である。
【符号の説明】
(a)フッ化ゲルマニウム−ジシラン系熱CVD法によりガラス基板上に450℃で1分間核形成を行なった後、375℃で1分間堆積した場合に堆積したSiGe膜のラマンスペクトル
(b)核形成することなく、450℃で同様に堆積したSiGe膜のラマンスペクトル
【図3】実施例1に示すフッ化ゲルマニウムとジシランを用いた熱CVD法によるSiGe膜の堆積において、結晶核の形成条件を選択することにより核形成を行ない、これによりSiGe多結晶膜の配向性を制御した例を示すX線回折スペクトルである。
【符号の説明】
(a)予め結晶核の形成をすることなく、反応圧力10torr、425℃で堆積したSiGe膜のX線回折スペクトル
(b)反応圧力10torr、425℃で1分間、結晶核の形成を予め行なった後、375℃で成長したSiGe膜のX線回折スペクトル
(c)反応圧力20torr、375℃で5分間、結晶核の形成を予め行なった後、反応圧力10torr、375℃で成長したSiGe膜のX線回折スペクトル
Claims (10)
- 550℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱CVD法により、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上に、IV族元素を含む半導体材料の結晶核を形成した後、該結晶核を核として利用し、前記結晶核の形成条件よりも温度を下げた熱CVD法でIV族元素を含む半導体材料の多結晶を形成することを特徴とする半導体基材の製造方法。
- 550℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱CVD法により、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上に、IV族元素を含む半導体材料の結晶核を形成した後、該結晶核を核として利用し、前記結晶核の形成条件よりも圧力を下げた熱CVD法でIV族元素を含む半導体材料の多結晶を形成することを特徴とする半導体基材の製造方法。
- 前記結晶核の形成密度の制御を圧力を変えて行う、請求項1又は2に記載の半導体基材の製造方法。
- 前記結晶核の形成密度の制御を時間を変えて行う、請求項1又は2に記載の半導体基材の製造方法。
- 前記非晶質基材が、(1)ガラス、(2)金属やITO等の導電性薄膜がパターニングされたガラス、(3)基材上に酸化ケイ素、窒化ケイ素から選ばれる非晶質薄膜を積層した基材、(4)金属やITO等の導電性薄膜がパターニングされた基材上に酸化ケイ素、窒化ケイ素から選ばれる非晶質薄膜を積層した基材、から選ばれるいずれかである、請求項1〜4の何れかに記載の半導体基材の製造方法。
- 前記結晶核が膜の成長初期に非晶質層の形成を伴うことなく前記基材上に直接形成される、請求項1〜5の何れかに記載の半導体基材の製造方法。
- 前記結晶核を構成するIV族元素がSi、SiGe、Geから選ばれる、請求項1〜6の何れかに記載の半導体基材の製造方法。
- 前記結晶核がP、As、Sb、Bから選ばれる不純物を含む、請求項7に記載の半導体基材の製造方法。
- 前記多結晶を構成するIV族元素がSi、SiGe、Geから選ばれる、請求項1〜8の何れかに記載の半導体基材の製造方法。
- 前記多結晶がP、As、Sb、Bから選ばれる不純物を含む、請求項9に記載の半導体基材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10453695A JP3965215B2 (ja) | 1995-03-25 | 1995-03-25 | 半導体基材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10453695A JP3965215B2 (ja) | 1995-03-25 | 1995-03-25 | 半導体基材の製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006215122A Division JP4527090B2 (ja) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 半導体基材の製造方法 |
JP2007010129A Division JP2007165921A (ja) | 2007-01-19 | 2007-01-19 | 半導体基材及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08264440A JPH08264440A (ja) | 1996-10-11 |
JP3965215B2 true JP3965215B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=14383221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10453695A Expired - Lifetime JP3965215B2 (ja) | 1995-03-25 | 1995-03-25 | 半導体基材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3965215B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4456341B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-04-28 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
JP2006156921A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Rikogaku Shinkokai | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4527090B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2010-08-18 | 純一 半那 | 半導体基材の製造方法 |
JP2007165921A (ja) * | 2007-01-19 | 2007-06-28 | Junichi Hanna | 半導体基材及びその製造方法 |
JP5152827B2 (ja) | 2007-03-22 | 2013-02-27 | 株式会社日立製作所 | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた有機el表示装置 |
JP4488039B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2010-06-23 | ソニー株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP5297629B2 (ja) * | 2007-11-01 | 2013-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4635062B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2011-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP4892579B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2012-03-07 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法 |
JP6348707B2 (ja) | 2013-12-11 | 2018-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | アモルファスシリコンの結晶化方法、結晶化シリコン膜の成膜方法、半導体装置の製造方法および成膜装置 |
JP7058575B2 (ja) * | 2018-09-12 | 2022-04-22 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
JP7190880B2 (ja) * | 2018-11-26 | 2022-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体膜の形成方法及び成膜装置 |
-
1995
- 1995-03-25 JP JP10453695A patent/JP3965215B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08264440A (ja) | 1996-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2616741B2 (ja) | 多結晶シリコン−ゲルマニウム薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP3322440B2 (ja) | 薄膜多結晶シリコンの製造方法 | |
JP3965215B2 (ja) | 半導体基材の製造方法 | |
JPH10291897A (ja) | 微結晶フィルムの結晶化による多結晶フィルムの形成方法、薄膜トランジスタの形成方法、およびその方法によって形成される液晶ディスプレイ | |
KR970006723B1 (ko) | 입자 크기가 큰 다결정 규소 박막의 제조방법 | |
AU623861B2 (en) | Crystal article, method for producing the same and semiconductor device utilizing the same | |
JPH0948694A (ja) | 単結晶ダイヤモンド膜の形成方法 | |
JP4527090B2 (ja) | 半導体基材の製造方法 | |
JPH03290924A (ja) | 結晶性シリコン膜の製造方法および結晶性シリコン半導体の製造方法 | |
JP2007165921A (ja) | 半導体基材及びその製造方法 | |
JP4321925B2 (ja) | 半導体基材の製造方法 | |
JP3102772B2 (ja) | シリコン系半導体薄膜の製造方法 | |
JPS5840820A (ja) | シリコン単結晶膜形成法 | |
JP3234403B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
JPH02191321A (ja) | 結晶の形成方法 | |
JP2675174B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH01149483A (ja) | 太陽電池 | |
JPH0660401B2 (ja) | シリコン薄膜製造方法 | |
JP4372211B2 (ja) | 半導体基材の製造方法 | |
KR100786801B1 (ko) | 실리콘 에피택시 층을 적용한 고품질의 다결정 실리콘박막의 제조방법 및 다결정 실리콘 박막을 포함하는전자소자 | |
JPH0817730A (ja) | 半導体装置の多結晶薄膜およびその製造方法 | |
JP2592984B2 (ja) | シリコン薄膜の製造方法 | |
JPH04180617A (ja) | 大結晶粒径の多結晶シリコンを製造する方法およびそれを使用した薄膜半導体 | |
JPH04318921A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP2737152B2 (ja) | Soi形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040615 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060606 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060807 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070501 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070528 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110601 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120601 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130601 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140601 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |