JP3962850B2 - Sdramの制御装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、SDRAMの制御装置に関し、特にセルフリフレッシュモード中のSDRAMの制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
今日各種電子機器において記憶装置が広く使用され、特にDRAM(ダイナミック・ランダムアクセスメモリ)は、SRAM(スタテック・ランダムアクセスメモリ)に比べメモリ容量、及び価格において優れている。また、DRAMの中でSDRAM(シンクロナスDRAM)は、CPUのシステムクロックの周波数とメモリ(RAM)のバスクロックの周波数が同期し、高速処理を行うことができるので、DRAMの主流となっている。
【0003】
図8はSDRAMの制御を説明するタイムチャートである。尚、同図に示すタイムチャートにおいて、RAS(ロウアドレスストローブ)、CAS(カラムアドレスストローブ)、書き込み信号(W信号)、及びチップセレクト信号(S)は負論理で示している。
【0004】
例えば、データの書き込み処理はRAS(ロウアドレスストローブ)を出力し、メモリ内のワード線を指定した後、CAS(カラムアドレスストローブ)を出力し、対応するデータ線を指定し、書き込み信号(W信号)の出力によって指定された素子にデータの書き込み処理を行う(図8に示す▲1▼)。また、セルフリフレッシュの設定は、上述のRAS(ロウアドレスストローブ)、CAS(カラムアドレスストローブ)、及びクロックイネーブル(CKE)をローレベルに設定することによって行う。すなわち、セルフリフレッシュモードの設定は、I/O命令によって、上記RAS(ロウアドレスストローブ)、CAS(カラムアドレスストローブ)、クロックイネーブル(CKE)を全て“L”レベルに設定し、セルフリフレッシュモードの設定を行う(図8に示す▲2▼)。このセルフリフレッシュの設定によって、メモリ内の各素子(コンデンサ)には、電荷の充電放電が繰り返され、セルフリフレッシュ処理が行われる。
【0005】
その後、例えば保持するデータに代えて新たなデータをメモリに書き込む際、セルフリフレッシュ処理を終了する。例えば、図8において▲3▼に示すタイミングでセルフリフレッシュ処理を終了する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のSDRAMの制御では以下の問題がある。すなわち、例えばパラレルインターフェイスに新たなデータが供給され、メモリ(SDRAM)に対してDMA(ダイレクト・メモリ・アクセス)の要求が発生しても、直ちにパラレルインターフェイスからメモリ(SDRAM)に対してデータ転送を行うことができない。その理由はCPUからの指示によって上記セルフリフレッシュモードを解除した後、新たなデータ入力を行う必要があるからである。 図9はこのことを説明するタイムチャートである。尚、同図に示す▲1▼の処理は、前述の図8の▲1▼で示したセルフリフレッシュの開始処理と同じ処理である。先ず、新たなデータ受信があると、パラレルインターフェイスがデータを受信し、DMA転送のためのインタラプトを発生させる(図9に示す▲2▼)。次に、CPUからSDRAMのセルフリフレッシュ解除を指示するI/O命令を出力し、セルフリフレッシュ処理を終了させ(図9に示す▲3▼)、その後メモリへのデータ転送処理を行う。したがって、上記複雑なアクセス処理のため、データのDMA転送に時間を要する。
【0007】
本発明の課題は、セルフリフレッシュモードにおいても、データのDMA転送を迅速に行うことが可能なSDRAMの制御装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題は請求項1記載の発明によれば、セルフリフレッシュのステータスを設定するステータス設定手段と、該セルフリフレッシュのステータスを判断し、セルフリフレッシュモードに設定するモード設定手段と、該モード設定手段によってセルフリフレッシュモードに設定した後、該セルフリフレッシュモードを解除する解除手段と、前記ステータスを監視する監視手段とを有し、前記セルフリフレッシュモードの設定、及び該セルフリフレッシュモードの解除は、前記監視手段によって行うとともに、前記監視手段は、一定時間毎に前記ステータスの設定の有無を監視することを特徴とするSDRAMの制御装置を提供することによって達成できる。
【0009】
ここで、セルフリフレッシュモードは、RAS(ロウアドレスストローブ)、CAS(カラムアドレスストローブ)を供給することなく、SDRAM内で行うリフレッシュ処理であり、書き込みデータの保持処理モードである。また、セルフリフレッシュのステータスは、SDRAMをセルフリフレッシュモードに設定する際のステータスコードであり、例えばコードデータとして設定される。
【0010】
モード設定手段は、SDRAMをセルフリフレッシュモードに設定する際、上記ステータスコードを確認し、該ステータスコードが設定されている場合、SDRAMをセルフリフレッシュモードに設定する。ここで、ステータスコードの確認は、例えばリフレッシュ信号の入力時、又はタイマー出力時などのタイミングに従って実行する。
【0011】
また、セルフリフレッシュモードの解除も上記ステータスコードを確認して行い、例えばステータスコードが設定されている場合、ステータスコードを消去することなく、セルフリフレッシュモードを終了し、例えば再度のリフレッシュ信号の入力によってセルフリフレッシュモードの自動設定を行う。
【0012】
このように構成することにより、セルフリフレッシュモードの設定の際、及びセルフリフレッシュモードの解除の際、CPUを介する必要がなく、データのDMA転送を迅速に行うことができる。
【0013】
また、前記セルフリフレッシュモードの設定、及び該セルフリフレッシュモードの解除は、前記ステータスを監視する監視手段によって行う構成である。
【0014】
このように構成することにより、監視手段はステータスコードの有無を判断し、その結果によってSDRAMのセルフリフレッシュの設定状態を確認でき、CPUを介することなくセルフリフレッシュモードの設定、又は解除を迅速に行うことができる。
【0015】
さらに、前記監視手段は、例えば一定時間毎に前記ステータスの設定の有無を監視する構成である。ここで、セルフリフレッシュの設定の有無は、上記ステータスコードの有無を確認することによって実行され、ステータスコードの設定の有無を例えばタイマー出力に従って一定時間毎に行う。
【0016】
このように構成することにより、ステータスコードが設定されている場合には、必ず一定時間内にセルフリフレッシュモードの再設定がCPUを介することなく行われる。
【0017】
請求項の記載は、前記請求項の記載において、前記一定時間は、例えばリフレッシュ周期である。このように構成することにより、上記一定時間を、リフレッシュ信号が出力されるリフレッシュ周期に合わせることができ、例えばタイマー等の計数回路や、計数処理を省略することができる。
【0018】
請求項の記載は、前記請求項1記載の発明において、前記セルフリフレッシュモードの解除は、例えばデータの書き込み指示、又はデータの読み出し指示によって行われる構成である。
【0019】
このセルフリフレッシュモードの解除も、上記監視手段がステータスコードを判断することによって実行され、CPUを介することなく、容易にセルフリフレッシュモードの解除処理を行うことができる。
【0020】
このように構成することにより、セルフリフレッシュモードを解除し、メモリへのデータのDMA転送を迅速に行うことができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図1は、本実施形態のSDRAM制御装置を示すシステムブロック図である。同図において、本システムはSDRAM1、及びSDRAM1のデータ書き込みやリフレッシュ制御等を行うコントローラ2、CPU3、リフレッシュタイマ4、セルフリフレッシュステータス5、DMA(ダイレクト・メモリ・アクセス)6で構成されている。
【0022】
DRAM1は、例えば記憶セルが縦及び横方向に多数個配設され、横(ロー)方向ラインと縦(カラム)方向ラインの交点位置に記憶素子が設けられている。ここで、横(ロー)方向ラインはワード線であり、上記RAS(ロウアドレスストローブ)によって選択される。また、縦(カラム)方向ラインはデータ線であり、CAS(カラムアドレスストローブ)によって指定される。また、書き込み信号(W信号)は、コントローラ2から出力されるデータ(SDATA)をDRAM1に書き込む際の指示信号であり、上記RAS(ロウアドレスストローブ)とCAS(カラムアドレスストローブ)によって選択されたアドレスにデータが書き込まれる。尚、SDRAM1は例えば複数枚のメモリで構成され、チップセレクト信号(S信号)によってメモリが選択される。
【0023】
コントローラ2は、CPU3又はDMA6から供給されるアドレス信号(Address )に従って上記RAS(ロウアドレスストローブ)及びCAS(カラムアドレスストローブ)を作成する。また、コントローラ2はDMA6から出力されるデータ(Data)を上記RAS/CASによって指定するアドレスに書き込む。
【0024】
また、コントローラ2にはリフレッシュタイマ4からリフレッシュタイミングを示す一定周期のリフレッシュ信号が供給される。このリフレッシュタイマ4はCPU3から出力される制御信号に従って制御される。また、コントローラ2にはセルフリフレッシュステータス5からセルフリフレッシュモードの設定を行うためのステータスコードが供給される。また、このステータスコードの出力は、CPU3から出力される制御信号に従って実行される。コントローラ2は供給されるステータスコードに基づいて後述する各種制御を行う。
【0025】
DMA(ダイレクト・メモリ・アクセス)6は、上記のようにアドレス信号(Address )、及びデータ(Data)をコントローラ2に供給する。ここで、アドレス信号(Address )はCPU3から供給され、CPU3から供給されるアドレス信号(Address )は、例えば一連のデータの初期アドレスであり、当該初期アドレスから順次所定ビット毎に更新するアドレスデータを出力する。例えば、一連のデータがフレームメモリに記憶された画像データであれば、当該フレームメモリの初期アドレスデータ(アドレス信号)がDMA(ダイレクト・メモリ・アクセス)6に供給される。また、この場合DMA(ダイレクト・メモリ・アクセス)6に供給されるデータは、不図示のフレームメモリから供給され、上記アドレスデータに対応するデータである。
【0026】
以上の構成において、以下に本例のDRAM制御装置の処理動作について説明する。図2は本例のSDRAMの制御装置が行う処理動作を説明するフローチャートである。
【0027】
先ず、図1に示す本システムの初期設定処理を行い、例えばSDRAM1のメモリ内のデータクリア処理、リフレッシュタイマ4のイニシャライズ処理、セルフリフレッシュステータス5のイニシャライズ処理等を行い、アイドル状態とする(ステップ(以下Sで示す)1)。
【0028】
次に、この状態においてCPU3からの直接制御によってプリチャージ処理、及びリフレッシュ処理を開始する。図3はこの処理を説明するタイムチャートであり、先ずCPU3からプリチャージ命令が供給される。コントローラ2はこのプリチャージ命令に従ってコマンド準備(Command 準備)を行う(S2)。すなわち、RAS(ロウアドレスストローブ)、及び書き込み信号(W信号)の準備を行い、コントローラ2からRAS(ロウアドレスストローブ)、及び書き込み信号(W信号)を出力する(S3)。また、チップセレクト信号(S信号)を出力する。尚、図3において、上記各信号は負論理で示している。
【0029】
上記信号の供給により、SDRAM1内のワード線がアクティブとなり、書き込み信号(W信号)の供給により、例えばワード線に電荷を蓄積する(ワード線の浮遊容量に電荷を蓄積する)。
【0030】
次に、CPU3からリフレッシュ命令を送り、RAS(ロウアドレスストローブ)、CAS(カラムアドレスストローブ)、書き込み信号(W信号)をコントローラ2から出力する。このリフレッシュ処理によってプリチャージされた電荷が保持される。
【0031】
一方、前述のリフレッシュタイマ4を使用してSDRAM1のリフレッシュ処理を行う場合には、CPU3はリフレッシュタイマ4に制御信号を送り、タイマの起動を行う。この制御により、リフレッシュタイマ4は一定時間を計数し、一定周期のリフレッシュ信号をコントローラ2に供給する。リフレッシュ信号が供給されたコントローラ2ではリフレッシュ処理の準備を行い(S4)、RAS(ロウアドレスストローブ)、CAS(カラムアドレスストローブ)をチップセレクト信号(S信号)に同期して出力する。
【0032】
尚、図4は上記リフレッシュ処理を示すタイムチャートである。また、このリフレッシュ処理は、以後リフレッシュタイマ4がタイマ処理を継続する間同様に行われる。
【0033】
また、CPU3又はDMA6からデータをデータの書き込み、読み出し要求(リード/ライト要求)が出力されると、コントローラ2は以下の処理を行う。図5はこの処理を説明するタイムチャートである。
【0034】
先ず、同図に示すタイミングでCPU3からリードアクセス要求が出力され、コントローラ2はデータ読み出し処理(リード処理)の準備を行う(S6、図5に示す▲1▼))。そして、先ずコントローラ2からチップセレクト信号(S信号)に同期してRAS(ロウアドレスストローブ)を出力し(RAS(カラムアドレスストローブ)をアクティブとし)(S7)、次にCAS(カラムアドレスストローブ)を出力し、SDRAM1の対応するアドレスからデータを読み出す(S8)(図5に示す▲2▼)。その後、RAS(ロウアドレスストローブ)、書き込み信号(W信号)を出力し、プリチャージ処理を行う(S8、図5に示す▲3▼)。
【0035】
次に、図5に示すタイミングでCPU3からライトアクセス要求が出力されると、上記と同様コントローラ2はデータ書き込み処理(ライト処理)の準備を行い、チップセレクト信号(S信号)に同期してRAS(ロウアドレスストローブ)を出力し(CAS(カラムアドレスストローブ)をアクティブとし)(S7、図5に示す▲4▼)、次にRAS(カラムアドレスストローブ)、及び書き込み信号(W信号)を出力し、SDRAM1の対応するアドレスからデータを読み出す(S8)(図5に示す▲5▼)。その後、前述と同様RAS(ロウアドレスストローブ)、書き込み信号(W信号)を出力し、プリチャージ処理を行う(S9、図5に示す▲6▼)。
【0036】
次に、セルフリフレッシュモードについて説明する。図6及び図7はセルフリフレッシュモード処理について説明するタイムチャートである。先ず、セルフリフレッシュの設定を行う。この場合、CPU3はセルフリフレッシュステータス5に対し制御信号を送り、セルフリフレッシュステータス5からコントローラ2に対し、ステータコードの出力を行わせる。コントローラ2では供給されるステータスコードを保持し、以下の制御に際しステータスコードを参照する(監視する)。
【0037】
上記のようにステータスコードを設定した後、リフレッシュ処理の要求があると、コントローラ2は上記ステータコードを確認し、セルフリフレッシュモードの設定を行う。図6に示す▲1▼はリフレッシュ要求に基づいてセルフリフレッシュモードの設定処理を示すものである。具体的な処理は、図2に示すフローチャートに記載するように、先ずセルフリフレッシュモードへの移行のための準備を行い、RAS(ロウアドレスストローブ)、CAS(カラムアドレスストローブ)をSDRAM1の設定を行う(S10)。次に、この状態において、チップセレクト信号(S信号)に同期して、RAS(ロウアドレスストローブ)、CAS(カラムアドレスストローブ)、及びクロックイネーブル信号(CKE)をSDRAM1に出力し、セルフリフレッシュモードの設定を行う(S11)。
【0038】
その後、SDRAM1はセルフリフレッシュ処理を開始する。そして、CPU3からの直接の制御要求、又はCPU3、DMA6からのリード要求又はライト要求、又はセルフリフレッシュの解除要求があるとリカバリ処理を行い、セルフリフレッシュモードを解除する。例えば、図6の▲2▼に示す処理はセルフリフレッシュの解除要求がある場合の処理を説明する部分である。セルフリフレッシュの解除要求があると、クロックイネーブル信号(CKE)をハイレベルとし、リカバリ処理を行う(S12)。
【0039】
一方、図7はセルフリフレッシュの設定後、DMA6からライトアクセス要求がある場合の処理を示す。ここで、図7に示す▲1▼はセルフリフレッシュモードへの移行処理であり、上述の図6に示す▲1▼と同じ処理である。したがって、上記処理と同様にして、セルフリフレッシュモードに移行した後、DMA6からライトアクセス要求があると、コントローラ2ではステータスコードの設定の有無を判断する。そして、ステータスコードの設定がある場合、データをDMA転送するため上記と同じリカバリ処理を行い(S12)、セルフリフレッシュモードを解除する(図7に示す▲2▼)。その後、ライトアクセス要求に従ってRAS(ロウアドレスストローブ)、CAS(カラムアドレスストローブ)、及び書き込み信号(W信号)を出力し、データの書き込み処理を行う(図7に示す▲3▼)。
【0040】
その後、新たなリフレッシュ信号が供給されると、前述の図6及び図7に示すようにセルフリフレッシュモードに再設定される。その際、コントローラ2はステータスコードの有無を確認し、セルフリフレッシュモードへの移行を判断する。したがって、CPU3はセルフリフレッシュモードの設定の際関与することがなく、ステータスコードの設定のみを行うことでセルフリフレッシュモードへの移行を行うことができる。
【0041】
尚、本例においてはステータスコードを設定した後、セルフリフレッシュモードへの移行をリフレッシュ信号の出力に対応させたが、リフレッシュ信号に限らず、例えばリフレッシュタイマ4からの出力に従ってセルフリフレッシュモードへの移行処理を行ってもよい。
【0042】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によればセルフリフレッシュモードの設定をCPUを介することなく、ステータスコードの有無によって判断でき、CPUに負担を課すことなく、データ転送を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態のSDRAM制御装置を示すシステムブロック図である。
【図2】SDRAMの制御装置が行う処理動作を説明するフローチャートである。
【図3】CPUからの直接制御によってプリチャージ処理、及びリフレッシュ処理を説明する図である。
【図4】リフレッシュ処理を示すタイムチャートである。
【図5】CPU又はDMAからデータをデータの書き込み、読み出し要求(リード/ライト要求)が出力された際のコントローラの処理を示すタイムチャートである。
【図6】セルフリフレッシュ処理を説明するタイムチャートである。
【図7】セルフリフレッシュのステータスコードの設定、及びその後のライトアクセス要求を説明するタイムチャートである。
【図8】従来のSDRAMの制御を説明するタイムチャートである。
【図9】従来のSDRAMの制御を説明するタイムチャートである。
【符号の説明】
1 SDRAM
2 コントローラ
3 CPU
4 リフレッシュタイマ
5 セルフリフレッシュステータス
6 DMA(ダイレクト・メモリ・アクセス)

Claims (3)

  1. セルフリフレッシュのステータスを設定するステータス設定手段と、
    該セルフリフレッシュのステータスを判断し、セルフリフレッシュモードに設定するモード設定手段と、
    該モード設定手段によってセルフリフレッシュモードに設定した後、該セルフリフレッシュモードを解除する解除手段と、
    前記ステータスを監視する監視手段とを有し、前記セルフリフレッシュモードの設定、及び該セルフリフレッシュモードの解除は、前記監視手段によって行うとともに、前記監視手段は、一定時間毎に前記ステータスの設定の有無を監視すること
    を特徴とするSDRAMの制御装置。
  2. 前記一定時間は、リフレッシュ周期である請求項記載のSDRAMの制御装置。
  3. 前記セルフリフレッシュモードの解除は、データの書き込み指示、又はデータの読み出し指示によって行われる請求項1記載のSDRAMの制御装置。
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JP2008305209A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Ricoh Co Ltd 情報処理装置と情報処理方法とプログラムとコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP5330365B2 (ja) * 2010-12-20 2013-10-30 Necアクセステクニカ株式会社 集積装置、および、制御方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745066A (ja) * 1993-07-28 1995-02-14 Sanyo Electric Co Ltd Dramのバックアップ装置
JPH09306164A (ja) * 1996-05-13 1997-11-28 Internatl Business Mach Corp <Ibm> メモリ・リフレッシュ・システム
AU1040297A (en) * 1996-12-04 1998-06-29 Hitachi Limited Semiconductor integrated circuit device
JP4174835B2 (ja) * 1997-04-25 2008-11-05 沖電気工業株式会社 マイクロコントローラ

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