JP3935303B2

JP3935303B2 - Heat treatment device

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Publication number: JP3935303B2
Application number: JP2000075125A
Authority: JP
Inventors: 清久立山
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-03-17
Filing date: 2000-03-17
Publication date: 2007-06-20
Anticipated expiration: 2020-03-17
Also published as: KR100693563B1; JP2001267217A; TW498405B; KR20010092357A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレジスト膜が表面に形成された液晶表示装置（ＬＣＤ）基板や半導体基板の熱処理に用いられる加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造における、例えば、電極パターンの形成等の工程においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、各種パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により所定のパターンが形成される。
【０００３】
フォトリソグラフィ技術を用いたこれら一連の処理工程においては、レジスト塗布後にレジスト膜と基板との密着性を向上させるための加熱処理（プリベーク）や、現像後の加熱処理（ポストベーク）等の加熱処理が行われている。これらの加熱処理は、通常、ヒータによって加熱される加熱プレート（ホットプレート）を備えてなるホットプレートユニット（以下、「ＨＰユニット」という。）を用いて行われる。
【０００４】
一般的にＨＰユニットを用いた基板等の加熱処理においては、図８に示すように、まず、機械搬送された基板６１は加熱プレート６２から突出するように設けられた昇降ピン６３上に載置される。次に、基板６１が、加熱プレート６２の載置面に設けられたプロキシミティピン６４上に支持されるように、或いは直接に加熱プレート６２上に載置されるように、昇降ピン６３を降下させる。次いで、所定時間、所定温度の熱処理終了後に、再び昇降ピン６３を上昇させて基板６１を持ち上げ、次工程へ搬送させるという手段が採られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、基板において昇降ピンが接触した部分は、他の非接触な部分と比較して加熱プレートからの伝熱の形態が異なることとなり、これにより部分的に基板に異なる熱履歴が発生することがあった。また、加熱プレートにおいて、昇降ピンが形成されている部分は、構造上、一様な性状を有する加熱プレート表面と比較して、基板への熱輻射の状態に差異が生ずることがあり、これによっても基板に部分的に異なる熱履歴が発生することがあった。このような熱履歴は、レジスト膜の厚みむらといった転写の発生の原因となり、外観を損なうばかりでなく、歩留まりの低下を引き起こす問題があった。
【０００６】
本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板に部分的に異なる熱履歴を発生させない昇降ピンを備えた加熱処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第１の加熱処理装置として、基板を載置面に近接もしくは載置して前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンの先端部分は胴体部分よりも外径が小さく、かつ、前記昇降ピンの少なくとも先端部分に、断面略十字形の柱状部材が用いられていることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。なお、「断面略十字形」の「断面」とは、昇降ピンの長さ方向に垂直な断面を指し、十字型断面を有する部分は、加熱プレートの載置面から突出する部分のみでよい。
【０００８】
本発明によれば、第２の加熱処理装置として、基板を載置面に近接して基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上に設けられ、基板を支持するプロキシミティピンと、前記加熱プレート上において基板を昇降して前記プロキシミティピンとの間で基板の受け渡しを行う昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンの先端部分はその胴体部分よりも外径が小さく、かつ、前記昇降ピンは、前記昇降ピンを降下させて基板を前記プロキシミティピン上に載置した状態において、前記胴体部分の上面が前記加熱プレートの上面と一致する高さに配置されることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。
この加熱処理装置でも、昇降ピンの少なくとも先端部分を断面略十字形とすることは好ましい。
【０００９】
本発明によれば、第３の加熱処理装置として、基板を載置面に近接もしくは載置して、前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンは、側面を構成する筒状部材と前記筒状部材の中心孔から突出する支持部材とにより構成され、かつ、前記筒状部材が、前記加熱プレートと同一の材料で形成されていることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。
【００１０】
本発明によれば、第４の加熱処理装置として、基板を載置面に近接もしくは載置して、前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンは、側面を構成する筒状部材と前記筒状部材の中心孔から突出する支持部材とにより構成され、かつ、前記筒状部材が所定位置より下に下がらないように前記昇降ピンを位置決めするストッパが前記加熱プレートの裏面に配設されていることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。
この加熱処理装置では、昇降ピンを降下させた状態で筒状部材の上面が加熱プレートの上面と実質的に同じ高さとなるように、ストッパを配置することが好ましい。
【００１１】
本発明によれば、第５の加熱処理装置として、基板を載置面に近接もしくは載置して、前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンは、側面を構成する筒状部材と前記筒状部材の中心孔から突出する支持部材とにより構成され、かつ、前記筒状部材が所定位置より下に下がらないように前記筒状部材の上部端面が拡がった形状となっていることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。
この加熱処理装置では、昇降ピンを降下させた状態で、筒状部材の上部端面の高さを加熱プレートの上面の高さと実質的に同じすることが好ましい。また、第２から第５の加熱処理装置においても、支持部材の少なくとも先端部分を断面略十字形の形状とすることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る加熱処理装置では、昇降ピンと基板との接触面積を小さくしているので、基板への熱輻射を均一にすることができ、こうして基板の熱履歴を面内で均一なものとすることができるので、転写の発生を防止することができる。また、第１の加熱処理装置においては、支持部材において基板と接する先端部分を熱伝導率の小さい材料で形成し、胴体部分を剛性の大きい材料で形成することも好ましい。これにより、基板の昇降に必要な機械的強度を確保することができる。第２〜第５の加熱処理装置では、筒状部材により基板の昇降に必要な機械的強度を確保することができ、筒状部材を加熱プレートと同じ材料で構成することで、基板への熱輻射を均一にすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の加熱処理装置が好適に適用されるＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００１４】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず。）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００１５】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００１６】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５・１６が設けられている。
【００１７】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２７が配置されている。
【００１８】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２および基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置されている。
【００１９】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック３２・３３が配置されている。
【００２０】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００２１】
また、中継部１５・１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うためのスペース３５が設けられている。
【００２２】
主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアーム（図示せず。）を有している。
【００２３】
主搬送装置１７は、搬送機構１０のアーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１５・１６は冷却プレートとしても機能する。
【００２４】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する２つのバッファステージ３７と、これらと露光装置（図示せず。）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２５】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００２６】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００２７】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、処理ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００２８】
その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３２・３３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９・１８・１７および搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００２９】
次に、上述した処理システムに適用される本発明の加熱処理装置（前述の加熱処理ユニット（ＨＰ）と同義。）の実施の形態について、図面を参照しながら詳述する。図２は本発明の加熱処理装置の一実施形態を示す断面図であるが、ここで図２は加熱処理装置の概略構成を示すものであって、加熱処理装置を構成する種々の部材については、適宜、構成や形状等の変更が可能であることはいうまでもない。
【００３０】
加熱処理装置５２には、主搬送装置１７・１８・１９の搬送アームにより搬入された基板Ｇを加熱処理する処理室４０が形成されている。処理室４０には、基板Ｇを加熱する発熱体４１を内蔵した加熱プレート４２が備えられており、加熱プレート４２はアルミニウム等の金属や窒化アルミ等の熱伝導性の良好なセラミックス等で形成される。そして、加熱プレート４２の外周側には、加熱プレート４２の周辺部を包囲するシャッタ４３が備えられている。
【００３１】
シャッタ４３は、昇降シリンダ４４の作動により上下動自在であり、シャッタ４３が上昇した際には、シャッタ４３と上部中央に排気口４５を有するカバー４６から垂下したストッパ４７とが接触して、処理室４０内が気密に維持されるように構成されている。また、ストッパ４７には、給気口が設けられており、この給気口から処理室４０に内に流入した空気は排気口４５から排気されるように構成されている。なお、この給気口から流入された空気は処理室４０内の基板Ｇに直接に触れないために、基板Ｇを所定の処理温度で加熱処理することができるように構成されている。
【００３２】
処理室４０内には、基板Ｇを支持可能な昇降ピン４８が備えられている。昇降ピン４８は、モータ４９等の駆動で上下動自在に形成されており、基板Ｇを２点鎖線で示す位置で支持することができるように形成されている。また、この状態から昇降ピン４８を下降させると、基板Ｇは実線で示される位置において、加熱プレート４２上に載置される。この際、基板Ｇはプロキシミティピン５１上に支持されるように構成することができる。
【００３３】
本発明の加熱処理装置５２に用いられる昇降ピン４８の一実施形態として、図３に示される昇降ピン４８ａのように、先端部分４８Ｐが胴体部分４８Ｑよりも外径が小さくなるように構成されたものが挙げられる。ここで、図３（ａ）は、昇降ピン４８ａを下降させて基板Ｇをプロキシミティピン５１上に載置した状態を示し、図３（ｂ）は、昇降ピン４８ａを上昇させた状態を示している。先端部分の外径を胴体部分の外径よりも小さく構成することにより、基板Ｇと昇降ピン４８ａとの接触面積が低減され、従って、昇降ピン４８ａから基板Ｇへの熱伝達が抑制されて、基板Ｇの面内における部分的な熱履歴の発生が抑制される。
【００３４】
なお、図３（ａ）では、基板Ｇがプロキシミティピン５１上に載置した状態において、胴体部分４８Ｑの上面が加熱プレート４２の載置面よりも低い場所に位置する構造となっているが、図３（ｃ）に示すように、胴体部分４８Ｑの上面が、加熱プレート４２の載置面と一致するように形成して、加熱プレート４２における基板Ｇの載置面からの熱輻射の均一化を図ることも好ましい。
【００３５】
昇降ピン４８ａにおいて、先端部分４８Ｐと胴体部分４８Ｑは、同一材料で形成されていてもよく、また、異なる材料で形成されていてもよい。ここで、昇降ピン４８ａを構成する材料としては、蓄熱し難く熱伝導性の低いもの、また、比熱の小さいものを用いることが好ましいが、昇降ピン４８ａには、基板Ｇを安定に上下に数十ミリメートルほどは昇降させるに十分な機械的強度もまた必要とされる。
【００３６】
そこで、このような昇降ピン４８ａが満足すべき熱的特性および機械的特性を考慮すれば、例えば、昇降ピン４８ａにおいて、基板Ｇと接触する先端部分４８Ｐについては、フッ素樹脂やＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）等の熱伝導性の低い小さい材料で形成し、胴体部分４８Ｑについては、加熱プレート４２と同じ材料であるアルミニウムや窒化アルミ等の機械的強度に優れた材料で構成することも、好ましい。胴体部分４８Ｑに加熱プレート４２と同じ材料を用いた場合には、加熱プレート４２の載置面からの熱輻射の均一化が図られる。
【００３７】
昇降ピン４８ａにおいて、先端部分４８Ｐの外径は、好ましくは１ｍｍφ以下とされ、少なくともモータ４９等の駆動により加熱プレート４２の載置面から突出することとなる部分の外径を１ｍｍφ以下とすることが、より好ましい。つまり、昇降ピン４８ａでは、胴体部分４８Ｑの外径もまた１ｍｍφ以下であると、より好ましい形態となり、このとき、先端部分４８Ｐと胴体部分４８Ｑの外径を同じものとすることも可能である。
【００３８】
このように、昇降ピン４８ａの各部分の外径を小さくした場合には、基板Ｇとの接触面積が小さくなることに加えて、昇降ピン４８ａ自体が有することとなる熱容量も小さくなり、こうして昇降ピン４８ａを通じての基板Ｇへの熱の移動が小さく抑えられる。また、昇降ピン４８ａが、加熱プレート４２からの輻射熱の伝達を乱し難くなり、基板Ｇにおける部分的に異なる熱履歴の発生を抑えて、転写の発生を抑制することができるようになる。さらに、昇降ピン４８ａの直径を極力小さくすることにより、加熱プレート４２に形成される昇降ピン穴径も小さくすることができる。これにより、昇降ピン穴部分での加熱プレート４２の熱変化を小さくなり、基板Ｇへの輻射熱の伝達を均一して、転写の発生をさらに抑制することができるようになる。
【００３９】
さらに、昇降ピン４８ａから基板Ｇへの熱移動を小さく抑えるためには、昇降ピン４８ａの先端形状、つまり、先端部分４８Ｐの先端形状を、図４の各断面図に示すように、球面形状、楕円球面等の曲面形状（図４（ａ））としたり、円錐や角錐等の尖塔形状（図４（ｂ））として、昇降ピン４８ａと基板Ｇとが、点接触するような形態とすることが好ましい。ここで、図４（ｂ）のような尖塔形状では、基板Ｇの載置による摩耗や損傷が起こり易くなることから、図４（ｃ）に示すように、最先端部分が平面状もしくは曲面状に形成された略尖塔形状に形成することも好ましい。なお、図４（ｄ）に示すように、先端部４８Ｐの先端がさらに外径が細くなるように、段差を形成することも可能である。
【００４０】
次に、加熱処理装置５２に好適に用いられる昇降ピンの別の形態について、図５の各断面図を参照しながら説明する。図５（ａ）に示された昇降ピン４８ｂは、側面を構成する筒状部材９１と筒状部材９１の中心孔９２から突出する支持部材９３とにより構成されている。昇降ピン４８ｂの使用に当たっては、図５（ａ）・（ｂ）の状態間を遷移するように、筒状部材９１については、好ましくは、その上部端面が加熱プレート４２の基板載置面より下方に下がらないように注意しつつ昇降し、かつ、筒状部材９１が基板Ｇ等に直接に触れることのないように支持部材９３を筒状部材９１の上部端面から所定長さほど突出させた状態として、基板Ｇ等の昇降を行う。
【００４１】
従って、昇降ピン４８ｂにおいては、筒状部材９１もまた加熱プレートから突出するようにして用いられることから、筒状部材９１により機械的強度の確保が図られる。また、支持部材９３のみが直接に基板Ｇと接触することから、支持部材９３からのからの熱伝導が小さく抑えられ、また、支持部材９３からの輻射熱をも小さく抑えられる。
【００４２】
支持部材９３の外径、正確には支持部材９３において筒状部材９１の上部端面から突出することとなる部分の外径は、先に説明した昇降ピン４８ａの場合と同様に１ｍｍφ以下とすることが好ましい。また、支持部材９３には、前述した昇降ピン４８ａと同じ材料を用いることができ、その先端形状についても昇降ピン４８ａと同様の構造を採用することができる。
【００４３】
一方、筒状部材９１の外径は、基板Ｇを保持するために機械的強度の確保が十分に図られ、また、加熱プレート４２から基板Ｇへの輻射熱の状態に与える悪影響が小さい範囲で任意に定められ、最も好ましくは１ｍｍφ以下とされる。これは、筒状部材９１からも加熱プレート４２と同様に、熱輻射が起こるためである。従って、筒状部材９１を加熱プレート４２と同じ材料から構成すると、筒状部材９１の端面からの熱輻射が加熱プレート４２からの熱輻射の状態を外乱し難くなり、好ましい。
【００４４】
続いて、図６は、上述した支持部材と筒状部材を用いた昇降ピンのさらに別の実施の形態を示した断面図である。図６（ａ）に示した昇降ピン４８ｃにおいて、筒状部材９８ａは外径が一様な円筒形状を有しているが、加熱プレート４２の下面にストッパ９６が配設されていることから、筒状部材９８ａは所定位置より下方に下がることはない。一方、図６（ｂ）の昇降ピン４８ｄにおける筒状部材９８ｂは、その上部端面の面積が大きくなるように拡がった形状としたものであり、この拡がり部分がストッパの役割を果たして、下方への落下が防止される。従って、ストッパ９６の配設は不要となる。筒状部材９８ａ・９８ｂは、加熱プレート４２と同じ材料で形成することが好ましい。
【００４５】
支持部材９５は、ピン９５ａと作動バー９５ｂの２部材から構成されており、基板Ｇと接する部材であるピン９５ａは、前述した昇降ピン４８ａの先端部分４８Ｐや昇降ピン４８ｂにおける支持部材９３と同様の材料を用いて構成され、その外径は好ましくは１ｍｍφ以下とされ、先端形状は球面状または略尖塔形状とすることが好ましい。作動バー９５ｂは、ピン９５ａの昇降方向における位置決め、すなわち、ピン９５ａの筒状部材９８ａ・９８ｂからの突出長さの制御を行うものであり、内蔵されたバネ９７の力によって、所定長さほどピン９５ａを筒状部材９８ａ・９８ｂの端面から突出させることができる。
【００４６】
作動バー９５ｂを上昇させると、図６（ａ）・（ｂ）の構造から明らかなように、ピン９５ａが筒状部材９８ａ・９８ｂから所定長さほど突出した状態で、筒状部材９８ａ・９８ｂが作動バー９５ｂとともに上方に押し上げられ、筒状部材９８ａ・９８ｂもまた加熱プレート４２から突出した状態へと移行する。これに対し、作動バー９５ｂを下方へ引き下げた場合には、まず、ピン９５ａが筒状部材９８ａ・９８ｂから所定長さほど突出した状態で、昇降ピン４８ｃ・４８ｄは筒状部材９８ａ・９８ｂとともに下降し、筒状部材９８ａ・９８ｂは加熱プレート４２内に収容される。その後、さらに作動バー９５ｂを下降させると、内部に備えられたバネ９７が縮み、ピン９５ａの筒状部材９８ａ・９８ｂ上面からの突出長さを短くすることができる。
【００４７】
以上、昇降ピン４８の種々の実施形態である昇降ピン４８ａ〜４８ｄについて説明してきたが、昇降ピン４８の形状としては、円柱状のものが好適に用いられるが、例えば、多角柱状ものを用いることも可能である。多角柱状の昇降ピンにおいては、最も長くなる対角線の長さを、その外径と考えることができる。
【００４８】
さて、前述した昇降ピン４８ａや、昇降ピン４８ｂにおける支持部材９３、昇降ピン４８ｃ・４８ｄにおけるピン９５ａの形状は、図７の斜視図に示すような断面略十字形の柱状とすることも好ましい。ここで、「断面略十字形」とは、長さ方向に垂直な断面の形状が略十字形であることをいう。このような形状とすることにより、昇降ピンの熱容量を低減して昇降ピンから基板への熱伝達を低減しつつ、機械的強度の向上を図ることも可能となる。
【００４９】
この場合、昇降ピン４８ａでは先端部分４８Ｐ、昇降ピン４８ｂにおける支持部材９３では筒状部材９１の端面から突出することとなる部分、昇降ピン４８ｃ・４８ｄにおけるピン９５ａでは筒状部材９８ａ・９８ｂの端面から突出する部分、の各部分が断面略十字型であることが好ましく、必ずしも昇降ピン４８ａ〜４８ｄ全体が断面略十字型である必要はない。
【００５０】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態ではレジスト塗布・現像処理システムに本発明の加熱装置を適用した場合について説明したが、これに限るものではない。また、被処理基板としてＬＣＤ基板について説明してきたが、半導体ウエハ、ＣＤ基板等の他の基板についても用いることが可能である。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、昇降ピンの熱容量が低減されて、また、基板と昇降ピンとの接触面積が低減されるとともに、昇降ピンの外径を制限することによって昇降ピンにより遮られる加熱プレートからの輻射熱が従来よりも低減され、また、昇降ピンからの熱輻射が加熱プレートからの熱輻射へ悪影響を及ぼし難い構造とすることができる。その結果、基板に局部的な熱履歴の差が生じ難く、基板における転写の発生が有効に回避される。これにより、生産効率を高め、処理コストの低減が図られるという顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の対象となる加熱処理装置が適用されるレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】本発明の加熱処理装置の一実施形態を示す断面図。
【図３】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンの一実施形態を示す断面図。
【図４】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンの先端形状の一実施形態を示す断面図。
【図５】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンの別の実施形態を示す断面図。
【図６】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンのさらに別の実施形態を示す断面図。
【図７】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンの先端形状の別の実施形態を示す斜視図。
【図８】加熱処理装置における基板等の移動経路を示す説明図。
【符号の説明】
４０；処理室
４１；発熱体
４２；加熱プレート
４３；シャッタ
４４；昇降シリンダ
４５；排気口
４６；カバー
４７；ストッパ
４８〜４８ｄ；昇降ピン
５２；加熱処理装置
９１；筒状部材
９３；支持部材、
９５；支持部材
９６；ストッパ
９７；バネ
９８ａ・９８ｂ；筒状部材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a heat treatment apparatus used for heat treatment of, for example, a liquid crystal display (LCD) substrate having a resist film formed on a surface thereof or a semiconductor substrate.
[0002]
[Prior art]
In the manufacture of liquid crystal displays (LCDs), for example, in the process of forming electrode patterns, a resist film is formed by applying a photoresist solution to a glass rectangular LCD substrate, and resist films corresponding to various patterns. Then, a predetermined pattern is formed by a so-called photolithography technique in which this is exposed and developed.
[0003]
In these series of processing steps using photolithography technology, heat treatment (pre-bake) for improving the adhesion between the resist film and the substrate after resist application, heat treatment after development (post-bake), etc. Has been done. These heat treatments are usually performed using a hot plate unit (hereinafter referred to as “HP unit”) including a heating plate (hot plate) heated by a heater.
[0004]
In general, in the heat treatment of a substrate or the like using an HP unit, as shown in FIG. 8, first, the substrate 61 which has been mechanically transported is placed on a lift pin 63 provided so as to protrude from the heating plate 62. Is done. Next, the lift pins 63 are lowered so that the substrate 61 is supported on the proximity pins 64 provided on the mounting surface of the heating plate 62 or directly mounted on the heating plate 62. Let Next, after the heat treatment at a predetermined temperature is completed for a predetermined time, the lift pins 63 are raised again to lift the substrate 61 and transport it to the next process.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Here, the portion of the substrate where the elevating pins are in contact has a different heat transfer form from the heating plate compared to other non-contact portions, and this causes a partially different thermal history on the substrate. was there. Also, in the heating plate, the portion where the lifting pins are formed may have a difference in the state of heat radiation to the substrate as compared with the surface of the heating plate having a uniform property. In some cases, different thermal histories may be generated on the substrate. Such a thermal history causes a transfer such as uneven thickness of the resist film, which not only impairs the appearance but also causes a decrease in yield.
[0006]
The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus provided with elevating pins that do not generate a partially different thermal history on a substrate. It is in.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, as the first heat treatment apparatus, a heating plate that heats the substrate by placing the substrate close to or on the placement surface, and the substrate is moved up and down on the placement surface of the heating plate. Elevating pins,
Provided is a heat treatment apparatus characterized in that a tip portion of the elevating pin has a smaller outer diameter than a body portion , and a columnar member having a substantially cross-shaped cross section is used at least at the tip portion of the elevating pin. Is done. The “cross section” of the “substantially cross section” refers to a cross section perpendicular to the length direction of the elevating pins, and the portion having the cross section may be only a portion protruding from the mounting surface of the heating plate.
[0008]
According to the present invention, as the second heat treatment apparatus, a heating plate that heats the substrate close to the placement surface, and a proximity that is provided on the placement surface of the heating plate and supports the substrate. A pin, and a lift pin that moves the substrate up and down on the heating plate and transfers the substrate between the proximity pins,
The tip portion of the lift pin has a smaller outer diameter than the body portion, and the lift pin lowers the lift pin and places the substrate on the proximity pin. Is disposed at a height coinciding with the upper surface of the heating plate.
Also in this heat treatment apparatus, it is preferable that at least the tip portion of the elevating pin has a substantially cross-shaped cross section.
[0009]
According to the present invention, as the third heat treatment apparatus, the substrate is brought close to or placed on the placement surface, and the substrate is heated, and the substrate is moved up and down on the placement surface of the heating plate. Elevating and lowering pins,
The elevating pin is constituted by a cylindrical member that constitutes a side surface and a support member that protrudes from a central hole of the cylindrical member, and the cylindrical member is formed of the same material as the heating plate. The heat processing apparatus characterized by this is provided.
[0010]
According to the present invention, as a fourth heat treatment apparatus, a substrate is brought close to or placed on a placement surface, and the substrate is heated, and the substrate is moved up and down on the placement surface of the heating plate. Elevating and lowering pins,
The elevating pin is composed of a cylindrical member constituting a side surface and a support member protruding from a central hole of the cylindrical member, and the elevating pin is arranged so that the cylindrical member does not fall below a predetermined position. There is provided a heat treatment apparatus in which a stopper for positioning is disposed on the back surface of the heating plate .
In this heat treatment apparatus, it is preferable to arrange the stopper so that the upper surface of the cylindrical member is substantially the same height as the upper surface of the heating plate in a state where the elevating pins are lowered.
[0011]
According to the present invention, as the fifth heat treatment apparatus, the substrate is brought close to or placed on the placement surface, and the substrate is heated, and the substrate is moved up and down on the placement surface of the heating plate. Elevating and lowering pins,
The elevating pin is constituted by a cylindrical member that constitutes a side surface and a support member that protrudes from a central hole of the cylindrical member, and the cylindrical member does not fall below a predetermined position. The heat processing apparatus characterized by having the shape which the upper end surface of expanded has been provided .
In this heat treatment apparatus, it is preferable that the height of the upper end surface of the cylindrical member is substantially the same as the height of the upper surface of the heating plate with the lifting pins lowered. Also in the second to fifth heat treatment apparatuses, it is preferable that at least the tip portion of the support member has a substantially cross-shaped cross section.
[0012]
In the heat treatment apparatus according to the present invention, the contact area between the lift pins and the substrate is made small, so that the heat radiation to the substrate can be made uniform, and thus the heat history of the substrate is made uniform in the plane. Therefore, the occurrence of transfer can be prevented. In the first heat treatment apparatus, it is also preferable that the tip portion of the support member that contacts the substrate is formed of a material having low thermal conductivity, and the body portion is formed of a material having high rigidity. Thereby, the mechanical strength required for raising and lowering the substrate can be ensured. In the second to fifth heat treatment apparatuses, the cylindrical member can ensure the mechanical strength necessary for raising and lowering the substrate, and the cylindrical member is made of the same material as that of the heating plate. Radiation can be made uniform.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a plan view showing an LCD substrate resist coating / development processing system to which the heat treatment apparatus of the present invention is preferably applied.
[0014]
This coating / development processing system includes a cassette station 1 on which a cassette C that accommodates a plurality of substrates G is placed, and a processing including a plurality of processing units for performing a series of processes including resist coating and development on the substrates G. And an interface unit 3 for transferring the substrate G between the exposure unit (not shown) and the cassette station 1 and the interface unit 3 are arranged at both ends of the processing unit 2, respectively. ing.
[0015]
The cassette station 1 includes a transport mechanism 10 for transporting the substrate G between the cassette C and the processing unit 2. Then, the cassette C is loaded and unloaded at the cassette station 1. Further, the transport mechanism 10 includes a transport arm 11 that can move on a transport path 10 a provided along the cassette arrangement direction, and the transport arm 11 can transport the substrate G between the cassette C and the processing unit 2. Done.
[0016]
The processing section 2 is divided into a front stage section 2a, a middle stage section 2b, and a rear stage section 2c. Each of the processing sections 2 has a transport path 12, 13, and 14 at the center, and each processing unit is disposed on both sides of the transport path. Yes. In addition, relay sections 15 and 16 are provided between them.
[0017]
The front stage portion 2a includes a main transport device 17 that can move along the transport path 12, and two cleaning units (SCRs) 21a and 21b are arranged on one side of the transport path 12, and the transport path 12, the processing block 25 in which the ultraviolet irradiation unit (UV) and the cooling unit (COL) are stacked in two stages, the processing block 26 in which the heating processing unit (HP) is stacked in two stages, and the cooling unit. A processing block 27 in which (COL) is stacked in two stages is arranged.
[0018]
The middle stage 2 b includes a main transfer device 18 that can move along the transfer path 13. On one side of the transfer path 13, a resist coating processing unit (CT) 22 and a resist on the peripheral edge of the substrate G are provided. The peripheral resist removing unit (ER) 23 for removing the substrate is integrally provided, and on the other side of the conveyance path 13, the processing block 28 in which the heating processing units (HP) are stacked in two stages, the heating processing unit A processing block 29 in which (HP) and a cooling processing unit (COL) are vertically stacked and a processing block 30 in which an adhesion processing unit (AD) and a cooling unit (COL) are vertically stacked are arranged. .
[0019]
Further, the rear stage portion 2 c includes a main transport device 19 that can move along the transport path 14, and three development processing units (DEV) 24 a, 24 b, and 24 c are disposed on one side of the transport path 14. On the other side of the conveyance path 14, a heat treatment unit (HP) is stacked in two stages, and a heat treatment unit (HP) and a cooling processing unit (COL) are stacked vertically. Processing blocks 32 and 33 are arranged.
[0020]
The processing unit 2 has only one spinner system unit such as a cleaning processing unit 21a, a resist coating processing unit (CT) 22 and a development processing unit 24a on one side of the conveyance path, and the other side. Only a heat treatment unit such as a heat treatment unit or a cooling treatment unit is arranged.
[0021]
Further, a chemical liquid supply unit 34 is disposed at a portion of the relay units 15 and 16 on the spinner system unit arrangement side, and a space 35 for performing maintenance of the main transfer device is further provided.
[0022]
Each of the main transport devices 17, 18, and 19 includes a two-direction X-axis drive mechanism, a Y-axis drive mechanism, and a vertical Z-axis drive mechanism in a horizontal plane, and further, a rotational drive that rotates about the Z-axis. It has a mechanism, and each has an arm (not shown) for supporting the substrate G.
[0023]
The main transfer device 17 transfers the substrate G to / from the arm 11 of the transfer mechanism 10, loads / unloads the substrate G to / from each processing unit of the front-stage unit 2 a, and further transfers the substrate G to / from the relay unit 15. It has a function to deliver. The main transfer device 18 transfers the substrate G to and from the relay unit 15, and loads and unloads the substrate G to / from each processing unit of the middle stage 2 b, and further transfers the substrate G to and from the relay unit 16. It has a function to perform. Further, the main transfer device 19 transfers the substrate G to and from the relay unit 16, loads and unloads the substrate G to / from each processing unit of the rear-stage unit 2 c, and transfers the substrate G to and from the interface unit 3. It has a function to perform. The relay parts 15 and 16 also function as cooling plates.
[0024]
The interface unit 3 includes an extension 36 that temporarily holds a substrate when the substrate is transferred to and from the processing unit 2, two buffer stages 37 that are provided on both sides of the substrate and that are provided with buffer cassettes, and these And a transfer mechanism 38 that carries in and out the substrate G between the exposure apparatus (not shown). The transport mechanism 38 includes a transport arm 39 that can move on a transport path 38 a provided along the arrangement direction of the extension 36 and the buffer stage 37. The transport arm 39 allows the substrate G to be transferred between the processing unit 2 and the exposure apparatus. Is carried out.
[0025]
By consolidating and integrating the processing units in this way, it is possible to save space and improve processing efficiency.
[0026]
In the resist coating / development processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the processing unit 2, and the processing unit 2 firstly includes an ultraviolet irradiation unit (UV) of the processing block 25 of the preceding stage 2 a. ) Is subjected to surface modification / cleaning processing and cooled by a cooling processing unit (COL), and then scrubber cleaning is performed by cleaning units (SCR) 21a and 21b. After being heated and dried by HP), it is cooled by one of the cooling units (COL) in the processing block 27.
[0027]
Thereafter, the substrate G is transported to the middle stage 2b and subjected to a hydrophobic treatment (HMDS process) in the upper adhesion processing unit (AD) of the processing block 30 in order to improve the fixing property of the resist, and the lower cooling processing unit ( After cooling by COL), a resist is applied by a resist application processing unit (CT) 22, and excess resist on the periphery of the substrate G is removed by a peripheral resist removal unit (ER) 23. Thereafter, the substrate G is pre-baked by one of the heat processing units (HP) in the middle stage 2b and cooled by the lower cooling unit (COL) of the processing block 29 or 30.
[0028]
Thereafter, the substrate G is transported from the relay section 16 to the exposure apparatus via the interface section 3 by the main transport apparatus 19, where a predetermined pattern is exposed. And the board | substrate G is again carried in via the interface part 3, and after performing a post-exposure baking process in the heat processing unit (HP) of the process blocks 31, 32, and 33 of the back | latter stage part 2c as needed, Development processing is performed in one of the development processing units (DEV) 24a, 24b, and 24c, and a predetermined circuit pattern is formed. The developed substrate G is subjected to a post-baking process in any one of the heat treatment units (HP) in the rear stage 2c, and is then cooled in any cooling unit (COL). 18 and 17 and the transport mechanism 10 are accommodated in a predetermined cassette on the cassette station 1.
[0029]
Next, an embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention (synonymous with the above-described heat treatment unit (HP)) applied to the above-described treatment system will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of the heat treatment apparatus of the present invention. Here, FIG. 2 shows a schematic structure of the heat treatment apparatus, and various members constituting the heat treatment apparatus are as follows. Needless to say, the configuration and shape can be changed as appropriate.
[0030]
In the heat processing apparatus 52, a processing chamber 40 is formed in which the substrate G carried by the transfer arms of the main transfer apparatuses 17, 18, and 19 is heated. The processing chamber 40 is provided with a heating plate 42 including a heating element 41 for heating the substrate G. The heating plate 42 is formed of a metal such as aluminum or a ceramic having good thermal conductivity such as aluminum nitride. The A shutter 43 surrounding the periphery of the heating plate 42 is provided on the outer peripheral side of the heating plate 42.
[0031]
The shutter 43 can be moved up and down by the operation of the elevating cylinder 44. When the shutter 43 is raised, the shutter 43 and a stopper 47 suspended from a cover 46 having an exhaust port 45 at the upper center come into contact with each other. The interior of the chamber 40 is configured to be kept airtight. Further, the stopper 47 is provided with an air supply port, and the air flowing into the processing chamber 40 from the air supply port is exhausted from the exhaust port 45. In addition, since the air which flowed in from this air supply port does not touch the board | substrate G in the process chamber 40 directly, it is comprised so that the board | substrate G can be heat-processed with predetermined | prescribed process temperature.
[0032]
In the processing chamber 40, lift pins 48 that can support the substrate G are provided. The elevating pins 48 are formed so as to be movable up and down by driving a motor 49 or the like, and are formed so that the substrate G can be supported at a position indicated by a two-dot chain line. When the lifting pins 48 are lowered from this state, the substrate G is placed on the heating plate 42 at the position indicated by the solid line. At this time, the substrate G can be configured to be supported on the proximity pins 51.
[0033]
As an embodiment of the lifting pin 48 used in the heat treatment apparatus 52 of the present invention, the tip portion 48P is configured to have a smaller outer diameter than the body portion 48Q, as in the lifting pin 48a shown in FIG. Things. Here, FIG. 3A shows a state in which the lift pins 48a are lowered and the substrate G is placed on the proximity pins 51, and FIG. 3B shows a state in which the lift pins 48a are raised. ing. By configuring the outer diameter of the tip portion to be smaller than the outer diameter of the body portion, the contact area between the substrate G and the lift pins 48a is reduced, and accordingly, heat transfer from the lift pins 48a to the substrate G is suppressed, Generation of a partial thermal history in the plane of the substrate G is suppressed.
[0034]
In FIG. 3A, in the state where the substrate G is placed on the proximity pin 51, the upper surface of the body portion 48Q is positioned lower than the placement surface of the heating plate 42. 3C, the upper surface of the body portion 48Q is formed so as to coincide with the mounting surface of the heating plate 42, so that the heat radiation from the mounting surface of the substrate G on the heating plate 42 is uniform. It is also preferable to make it easier.
[0035]
In the elevating pin 48a, the tip end portion 48P and the body portion 48Q may be formed of the same material, or may be formed of different materials. Here, as the material constituting the elevating pin 48a, it is preferable to use a material that is difficult to store heat and has low thermal conductivity, or that has a small specific heat. Mechanical strength sufficient to raise and lower as much as ten millimeters is also required.
[0036]
Therefore, considering the thermal characteristics and mechanical characteristics that the elevating pin 48a should satisfy, for example, in the elevating pin 48a, the tip portion 48P that contacts the substrate G is made of fluororesin or PEEK (polyether ether). It is also preferable that the body portion 48Q is made of a material having excellent mechanical strength, such as aluminum or aluminum nitride, which is the same material as the heating plate 42. When the same material as the heating plate 42 is used for the body portion 48Q, the heat radiation from the mounting surface of the heating plate 42 is made uniform.
[0037]
In the elevating pin 48a, the outer diameter of the tip portion 48P is preferably 1 mmφ or less, and the outer diameter of at least the portion that protrudes from the mounting surface of the heating plate 42 by driving the motor 49 or the like is 1 mmφ or less. Is more preferable. That is, in the elevating pin 48a, it is more preferable that the outer diameter of the body portion 48Q is also 1 mmφ or less. At this time, the outer diameter of the tip portion 48P and the body portion 48Q can be made the same.
[0038]
As described above, when the outer diameter of each part of the lifting pins 48a is reduced, in addition to the contact area with the substrate G being reduced, the heat capacity that the lifting pins 48a itself has is also reduced. Heat transfer to the substrate G through the pins 48a is suppressed to a small level. In addition, the elevating pins 48a are less likely to disturb the transmission of radiant heat from the heating plate 42, so that generation of a partially different thermal history in the substrate G can be suppressed and generation of transfer can be suppressed. Furthermore, the diameter of the lift pin hole formed in the heating plate 42 can be reduced by making the diameter of the lift pin 48a as small as possible. As a result, the thermal change of the heating plate 42 at the elevation pin hole portion is reduced, the transmission of radiant heat to the substrate G is made uniform, and the occurrence of transfer can be further suppressed.
[0039]
Furthermore, in order to suppress the heat transfer from the lift pins 48a to the substrate G, the tip shape of the lift pins 48a, that is, the tip shape of the tip portion 48P is a spherical shape, as shown in each sectional view of FIG. A curved surface shape such as an elliptical spherical surface (FIG. 4A) or a spire shape such as a cone or a pyramid (FIG. 4B) is used so that the lift pins 48a and the substrate G are in point contact. Is preferred. Here, in the spire shape as shown in FIG. 4 (b), wear and damage due to the placement of the substrate G are likely to occur. Therefore, as shown in FIG. 4 (c), the most advanced portion is flat or curved. It is also preferable to form in the shape of a substantially spire. As shown in FIG. 4D, a step can be formed so that the outer diameter of the tip of the tip 48P is further reduced.
[0040]
Next, another embodiment of the lifting pins suitably used for the heat treatment apparatus 52 will be described with reference to the cross-sectional views of FIG. The lifting pin 48b shown in FIG. 5A is composed of a cylindrical member 91 that constitutes a side surface and a support member 93 that protrudes from the center hole 92 of the cylindrical member 91. When using the lifting pins 48b, the upper end surface of the cylindrical member 91 is preferably below the substrate mounting surface of the heating plate 42 so as to transition between the states of FIGS. 5 (a) and 5 (b). The support member 93 is protruded from the upper end surface of the cylindrical member 91 by a predetermined length so that the cylindrical member 91 does not directly touch the substrate G or the like. The substrate G is moved up and down.
[0041]
Therefore, since the cylindrical member 91 is also used so as to protrude from the heating plate in the elevating pin 48b, the cylindrical member 91 can ensure the mechanical strength. Further, since only the support member 93 is in direct contact with the substrate G, the heat conduction from the support member 93 is suppressed to be small, and the radiant heat from the support member 93 is also suppressed to be small.
[0042]
The outer diameter of the supporting member 93, more precisely, the outer diameter of the portion of the supporting member 93 that protrudes from the upper end surface of the cylindrical member 91 should be 1 mmφ or less, as in the case of the lifting pins 48a described above. Is preferred. Further, the support member 93 can be made of the same material as that of the lifting pins 48a described above, and the tip shape can be the same as that of the lifting pins 48a.
[0043]
On the other hand, the outer diameter of the cylindrical member 91 is arbitrary as long as the mechanical strength is sufficiently secured to hold the substrate G and the adverse effect on the state of radiant heat from the heating plate 42 to the substrate G is small. And most preferably 1 mmφ or less. This is because thermal radiation also occurs from the cylindrical member 91 as in the heating plate 42. Therefore, it is preferable that the cylindrical member 91 is made of the same material as that of the heating plate 42 because the heat radiation from the end face of the cylindrical member 91 hardly disturbs the state of the heat radiation from the heating plate 42.
[0044]
Subsequently, FIG. 6 is a cross-sectional view showing still another embodiment of the lifting pins using the above-described support member and cylindrical member. In the elevating pin 48c shown in FIG. 6A, the cylindrical member 98a has a cylindrical shape with a uniform outer diameter, but a stopper 96 is disposed on the lower surface of the heating plate 42. The cylindrical member 98a does not fall below the predetermined position. On the other hand, the cylindrical member 98b in the elevating pin 48d in FIG. 6 (b) has a shape expanded so that the area of the upper end surface thereof becomes larger, and this expanded portion serves as a stopper and moves downward. Falling is prevented. Accordingly, the arrangement of the stopper 96 is not necessary. The tubular members 98a and 98b are preferably formed of the same material as the heating plate 42.
[0045]
The support member 95 is composed of two members, a pin 95a and an operating bar 95b. The pin 95a, which is a member in contact with the substrate G, is the same as the support member 93 in the tip portion 48P of the lift pin 48a and the lift pin 48b described above. The outer diameter is preferably 1 mmφ or less, and the tip shape is preferably spherical or substantially spire-shaped. The actuating bar 95b is for positioning the pin 95a in the up-and-down direction, that is, for controlling the protruding length of the pin 95a from the cylindrical members 98a and 98b. 95a can be protruded from the end faces of the cylindrical members 98a and 98b.
[0046]
When the actuating bar 95b is raised, as is apparent from the structure of FIGS. 6A and 6B, the cylindrical members 98a and 98b are in a state where the pins 95a protrude from the cylindrical members 98a and 98b by a predetermined length. The cylinders 98a and 98b are pushed upward together with the operation bar 95b, and the cylindrical members 98a and 98b are also shifted from the heating plate 42. On the other hand, when the operating bar 95b is pulled downward, first, the pins 95a protrude from the cylindrical members 98a and 98b by a predetermined length, and the elevating pins 48c and 48d are lowered together with the cylindrical members 98a and 98b. The cylindrical members 98 a and 98 b are accommodated in the heating plate 42. Thereafter, when the actuating bar 95b is further lowered, the spring 97 provided inside is contracted, and the protruding length of the pin 95a from the upper surfaces of the cylindrical members 98a and 98b can be shortened.
[0047]
As mentioned above, although the raising / lowering pins 48a-48d which are various embodiment of the raising / lowering pin 48 were demonstrated, as a shape of the raising / lowering pin 48, a cylindrical thing is used suitably, For example, using a polygonal column-shaped thing is used. Is also possible. In the polygonal column-shaped lifting pins, the length of the longest diagonal line can be considered as the outer diameter.
[0048]
Now, it is also preferable that the above-described lifting pins 48a, the supporting members 93 in the lifting pins 48b, and the pins 95a in the lifting pins 48c and 48d have a columnar shape with a substantially cross section as shown in the perspective view of FIG. Here, the “substantially cross-shaped cross section” means that the shape of the cross section perpendicular to the length direction is a substantially cross shape. By adopting such a shape, it is possible to improve the mechanical strength while reducing the heat capacity of the lifting pins to reduce the heat transfer from the lifting pins to the substrate.
[0049]
In this case, the lift pin 48a has a tip portion 48P, the support member 93 at the lift pin 48b protrudes from the end surface of the cylindrical member 91, and the pin 95a at the lift pins 48c and 48d has end surfaces of the cylindrical members 98a and 98b. It is preferable that each portion of the portion protruding from the cross section has a substantially cross-shaped cross section, and the entire lifting pins 48a to 48d do not necessarily have a cross-shaped substantially cross shape.
[0050]
As mentioned above, although embodiment of this invention has been described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the above embodiment, the case where the heating apparatus of the present invention is applied to the resist coating / development processing system has been described. However, the present invention is not limited to this. Further, although the LCD substrate has been described as the substrate to be processed, other substrates such as a semiconductor wafer and a CD substrate can also be used.
[0051]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the heat capacity of the elevating pins is reduced, the contact area between the substrate and the elevating pins is reduced, and the elevating pins are shielded by limiting the outer diameter of the elevating pins. The radiant heat from the heating plate can be reduced as compared with the prior art, and the heat radiation from the elevating pins can hardly affect the heat radiation from the heating plate. As a result, a difference in local thermal history hardly occurs on the substrate, and transfer on the substrate is effectively avoided. Thereby, the prominent effect that the production efficiency is increased and the processing cost is reduced can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating / development processing system to which a heat treatment apparatus as an object of the present invention is applied.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a heat treatment apparatus of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing one embodiment of a lift pin applied to the heat treatment apparatus of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an embodiment of a tip shape of a lifting pin applied to the heat treatment apparatus of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing another embodiment of the lifting pins applied to the heat treatment apparatus of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing still another embodiment of the lifting pins applied to the heat treatment apparatus of the present invention.
FIG. 7 is a perspective view showing another embodiment of the tip shape of a lifting pin applied to the heat treatment apparatus of the present invention.
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a movement path of a substrate or the like in the heat treatment apparatus.
[Explanation of symbols]
40; Processing chamber 41; Heating element 42; Heating plate 43; Shutter 44; Elevating cylinder 45; Exhaust port 46; Cover 47; Stopper 48-48d; Elevating pin 52;
95; support member 96; stopper 97; springs 98a and 98b; cylindrical member

Claims

A heating plate that heats the substrate by placing the substrate close to or on the mounting surface, and a lift pin that lifts and lowers the substrate on the mounting surface of the heating plate,
The heat treatment apparatus according to claim 1 , wherein a tip portion of the elevating pin has an outer diameter smaller than that of the body portion , and at least a tip portion of the elevating pin has a substantially cross-shaped cross section .

A heating plate that heats the substrate close to the mounting surface, a proximity pin that is provided on the mounting surface of the heating plate and supports the substrate, and moves the substrate up and down on the heating plate to move the proxy Elevating pins that transfer the substrate to and from the Mitty pins,
The tip of the lift pin has an outer diameter smaller than that of the body portion, and the lift pin lowers the lift pin and places the substrate on the proximity pin. Is disposed at a height matching the upper surface of the heating plate.

The heat treatment apparatus according to claim 2, wherein at least a tip portion of the elevating pin has a substantially cross-shaped cross section.

A heating plate that heats the substrate by placing the substrate close to or on the mounting surface, and a lift pin that lifts and lowers the substrate on the mounting surface of the heating plate,
The elevating pin is constituted by a cylindrical member that constitutes a side surface and a support member that protrudes from a central hole of the cylindrical member , and the cylindrical member is formed of the same material as the heating plate. The heat processing apparatus characterized by the above-mentioned.

A heating plate that heats the substrate by placing the substrate close to or on the mounting surface, and a lift pin that lifts and lowers the substrate on the mounting surface of the heating plate,
The elevating pin is composed of a cylindrical member constituting a side surface and a support member protruding from a central hole of the cylindrical member, and the elevating pin is arranged so that the cylindrical member does not fall below a predetermined position. A heat treatment apparatus, wherein a stopper for positioning is disposed on the back surface of the heating plate.

The said stopper is arrange | positioned so that the upper surface of the said cylindrical member may become substantially the same height as the upper surface of the said heating plate in the state which lowered | lowered the said raising / lowering pin. Heat treatment equipment.

A heating plate that heats the substrate by placing the substrate close to or on the mounting surface, and a lift pin that lifts and lowers the substrate on the mounting surface of the heating plate,
The elevating pin is constituted by a cylindrical member that constitutes a side surface and a support member that protrudes from a central hole of the cylindrical member, and the cylindrical member does not fall below a predetermined position. The heat processing apparatus characterized by the shape which the upper end surface of expanded.

8. The heat treatment apparatus according to claim 7, wherein an upper end surface of the cylindrical member is substantially the same height as an upper surface of the heating plate in a state where the lifting pins are lowered.

9. The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein at least a front end portion of the support member has a substantially cross-shaped cross section.