JP2024110221A - SUBSTRATE PLACING TABLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

SUBSTRATE PLACING TABLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDF

Info

Publication number
JP2024110221A
JP2024110221A JP2023014680A JP2023014680A JP2024110221A JP 2024110221 A JP2024110221 A JP 2024110221A JP 2023014680 A JP2023014680 A JP 2023014680A JP 2023014680 A JP2023014680 A JP 2023014680A JP 2024110221 A JP2024110221 A JP 2024110221A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pin
substrate
hole
diameter
mounting table
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023014680A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
潤一 深沢
篤 邊見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2023014680A priority Critical patent/JP2024110221A/en
Priority to CN202410097610.1A priority patent/CN118431059A/en
Priority to KR1020240009880A priority patent/KR20240121667A/en
Publication of JP2024110221A publication Critical patent/JP2024110221A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】本開示は、昇降ピンに対応する位置において基板処理が不均一になることを抑制する技術を提供する。【解決手段】基板を載置する載置面を有する基板載置台であって、前記載置面に開口するピン孔と、前記ピン孔の内部において昇降し、前記載置面から突没可能な昇降ピンと、を備え、前記ピン孔は、ピン孔上部と、ピン孔下部と、前記ピン孔上部と前記ピン孔下部とを接続する段差部と、から構成され、前記昇降ピンは、本体部と、ヘッド部と、ガイド部と、から構成され、前記ヘッド部は、第１円筒部を有し、前記ガイド部は、第２円筒部を有し、前記第１円筒部と前記第２円筒部とが、少なくとも一部において互いに変位可能に重ね合わさり、内部にピン内空間を形成し、前記第１円筒部に、前記ピン孔と前記昇降ピンとの間に形成された隙間空間と前記ピン内空間とが連通可能な通気口を有する基板載置台。【選択図】図１[Problem] The present disclosure provides a technology for suppressing uneven substrate processing at positions corresponding to lift pins. [Solution] A substrate mounting table having a mounting surface on which a substrate is mounted includes a pin hole opening into the mounting surface, and a lift pin that rises and falls inside the pin hole and can protrude and retract from the mounting surface, the pin hole being composed of a pin hole upper portion, a pin hole lower portion, and a step portion connecting the pin hole upper portion and the pin hole lower portion, the lift pin being composed of a main portion, a head portion, and a guide portion, the head portion having a first cylindrical portion, the guide portion having a second cylindrical portion, the first cylindrical portion and the second cylindrical portion being overlapped with each other at least in a displaceable manner to form an internal pin space, and the first cylindrical portion has an air hole that allows a gap space formed between the pin hole and the lift pin to communicate with the internal pin space. [Selected Figure] Figure 1

Description

本開示は、基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 This disclosure relates to a substrate placement table, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method.

特許文献１には、基板を加熱処理する加熱プレートと、加熱プレートの載置面上において基板を昇降する昇降ピンとを具備する加熱処理装置が開示されている。特許文献１には、ピン（昇降ピン）を備える支持部材にバネを備えることが開示されている。 Patent Document 1 discloses a heat treatment device that includes a heating plate for heat-treating a substrate and lifting pins for raising and lowering the substrate on the mounting surface of the heating plate. Patent Document 1 also discloses that a support member with pins (lifting pins) is provided with a spring.

特開２００１－２６７２１７号公報JP 2001-267217 A

本開示は、昇降ピンに対応する位置において基板処理が不均一になることを抑制する技術を提供する。 This disclosure provides technology that prevents uneven substrate processing at positions corresponding to lift pins.

本開示の一の態様によれば、基板を載置する載置面を有する基板載置台であって、前記載置面に開口するピン孔と、前記ピン孔の内部において昇降し、前記載置面から突没可能な昇降ピンと、を備え、前記ピン孔は、第１孔径を有するピン孔上部と、前記第１孔径よりも小さな第２孔径を有するピン孔下部と、前記ピン孔上部と前記ピン孔下部とを接続する段差部と、から構成され、前記昇降ピンは、前記第２孔径よりも小さな第１ピン径を有する本体部と、前記本体部の先端に固定され、外径として前記第１孔径よりも小さく前記第２孔径よりも大きな第２ピン径を有するヘッド部と、前記本体部が貫通する貫通孔を有し、前記ヘッド部に弾性部を介して接続され、外径として前記第２ピン径よりも小さく前記第２孔径よりも大きな第３ピン径を有するガイド部と、から構成され、前記ヘッド部は、下方に延び前記本体部から離隔する第１円筒部を有し、前記ガイド部は、上方に延び前記本体部から離隔する第２円筒部を有し、前記第１円筒部と前記第２円筒部とが、少なくとも一部において互いに変位可能に重ね合わさり、内部にピン内空間を形成し、前記第１円筒部に、前記ピン孔と前記昇降ピンとの間に形成された隙間空間と前記ピン内空間とが連通可能な通気口を有する基板載置台が提供される。 According to one aspect of the present disclosure, there is provided a substrate mounting table having a mounting surface on which a substrate is mounted, the substrate mounting table comprising a pin hole opening into the mounting surface, and a lift pin that rises and falls inside the pin hole and can be protruded and retracted from the mounting surface, the pin hole being composed of a pin hole upper portion having a first hole diameter, a pin hole lower portion having a second hole diameter smaller than the first hole diameter, and a step portion connecting the pin hole upper portion and the pin hole lower portion, the lift pin being composed of a main body portion having a first pin diameter smaller than the second hole diameter, a head portion fixed to the tip of the main body portion and having a second pin diameter as an outer diameter smaller than the first hole diameter and larger than the second hole diameter, and a step portion through which the main body portion passes. and a guide portion connected to the head portion via an elastic portion and having a third pin diameter as an outer diameter smaller than the second pin diameter and larger than the second hole diameter, the head portion having a first cylindrical portion extending downward and spaced apart from the main body portion, the guide portion having a second cylindrical portion extending upward and spaced apart from the main body portion, the first cylindrical portion and the second cylindrical portion overlap each other in a displaceable manner at least in part to form an internal pin space, and the first cylindrical portion has an air vent that allows the gap space formed between the pin hole and the lift pin to communicate with the internal pin space.

本開示は、昇降ピンに対応する位置において基板処理が不均一になることを抑制する技術を提供する。 This disclosure provides technology that prevents uneven substrate processing at positions corresponding to lift pins.

図１は、本実施形態に係る基板載置台を備える基板処理装置を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus including a substrate mounting table according to this embodiment. 図２は、本実施形態に係る基板載置台におけるピン孔付近の拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of a pin hole in the substrate mounting table according to this embodiment. 図３は、本実施形態に係る基板載置台における昇降ピンの拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a lift pin in the substrate mounting table according to the present embodiment. 図４は、本実施形態に係る基板載置台における昇降ピンの分解断面図である。FIG. 4 is an exploded cross-sectional view of the lift pins in the substrate mounting table according to the present embodiment. 図５は、本実施形態に係る基板載置台における昇降ピンの使用状態を示す拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which lift pins are used in the substrate mounting table according to this embodiment. 図６は、本実施形態に係る基板載置台における昇降ピンの使用状態を示す拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which lift pins are used in the substrate mounting table according to this embodiment. 図７は、本実施形態に係る基板載置台における昇降ピンの使用状態を示す拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which lift pins are used in the substrate mounting table according to this embodiment. 図８は、本実施形態に係る基板載置台を備える基板処理装置を用いた基板処理方法を説明するフロー図である。FIG. 8 is a flow diagram illustrating a substrate processing method using a substrate processing apparatus including a substrate mounting table according to this embodiment.

以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態に係る明細書及び図面の記載に関して、実質的に同一の又は対応する機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する場合がある。また、理解を容易にするために、図面における各部の縮尺は、実際とは異なる場合がある。 Below, the embodiments for implementing the present disclosure will be described with reference to the drawings. Note that, in the description of the specification and drawings relating to each embodiment, components having substantially the same or corresponding functional configurations may be given the same reference numerals to avoid redundant description. Also, to facilitate understanding, the scale of each part in the drawings may differ from the actual scale.

平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右及び前後等の方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直には、それぞれ略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直が含まれてもよい。 In directions such as parallel, right-angled, orthogonal, horizontal, vertical, up-down, left-right, and front-back, deviations are permitted to the extent that they do not impair the effects of the embodiment. The shape of the corners is not limited to right angles and may be rounded. Parallel, right-angled, orthogonal, horizontal, and vertical may include approximately parallel, approximately right-angled, approximately orthogonal, approximately horizontal, and approximately vertical, respectively.

図１は、本実施形態に係る基板載置台の一例である基板載置台２０を備える基板処理装置１を示す断面図である。基板処理装置１は、例えば、プラズマエッチング装置である。基板処理装置１は、例えば、容量結合型平行平板プラズマエッチング装置である。 Figure 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 1 including a substrate mounting stage 20, which is an example of a substrate mounting stage according to this embodiment. The substrate processing apparatus 1 is, for example, a plasma etching apparatus. The substrate processing apparatus 1 is, for example, a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus.

基板処理装置１は、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用のガラス基板Ｇに対して、エッチング処理を行う装置である。基板処理装置１が製造に用いられるフラットパネルディスプレイは、例えば、液晶ディスプレイ、発光ダイオードディスプレイ、エレクトロルミネセンスディスプレイ、蛍光表示管、プラズマディスプレイ等である。 The substrate processing apparatus 1 is an apparatus that performs an etching process on, for example, a glass substrate G for a flat panel display (FPD). The flat panel displays that the substrate processing apparatus 1 is used to manufacture include, for example, liquid crystal displays, light-emitting diode displays, electroluminescence displays, fluorescent display tubes, plasma displays, etc.

基板処理装置１は、処理容器１０と、基板載置台２０と、電力供給部３０と、ガス供給部４０と、排気部５０と、伝熱ガス供給部６０と、を備える。 The substrate processing apparatus 1 includes a processing vessel 10, a substrate mounting table 20, a power supply unit 30, a gas supply unit 40, an exhaust unit 50, and a heat transfer gas supply unit 60.

［処理容器１０］
処理容器１０は、いわゆる、処理チャンバである。処理容器１０は、例えば、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム又はアルミニウム合金により形成される。処理容器１０は、角筒状の形状を有する。 [Processing vessel 10]
The processing vessel 10 is a so-called processing chamber. The processing vessel 10 is made of, for example, aluminum or an aluminum alloy whose surface has been anodized (anodized). The processing vessel 10 has a rectangular cylindrical shape.

処理容器１０は、上部に、シャワーヘッド１１を備える。シャワーヘッド１１は、基板載置台２０と平行に対向して上部電極として機能する。また、シャワーヘッド１１は、処理容器１０の処理空間１０Ｓにガスを供給する。 The processing vessel 10 is provided with a shower head 11 at the top. The shower head 11 faces the substrate mounting table 20 in parallel and functions as an upper electrode. The shower head 11 also supplies gas to the processing space 10S of the processing vessel 10.

シャワーヘッド１１は、基板載置台２０の上方に設けられる。シャワーヘッド１１は、処理容器１０の上部に支持される。シャワーヘッド１１は、接地される。シャワーヘッド１１は、基板載置台２０とともに一対の平行平板電極を構成する。 The shower head 11 is provided above the substrate mounting table 20. The shower head 11 is supported on the upper part of the processing vessel 10. The shower head 11 is grounded. The shower head 11 and the substrate mounting table 20 form a pair of parallel plate electrodes.

シャワーヘッド１１は、内部に内部空間１１ａを有する。また、シャワーヘッド１１は、基板載置台２０との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔１１ｂを有する。 The shower head 11 has an internal space 11a inside. The shower head 11 also has multiple outlet holes 11b that discharge process gas onto the surface facing the substrate mounting table 20.

シャワーヘッド１１の上面にはガス導入口１１ｃが設けられる。ガス導入口１１ｃには、処理ガス供給管４０ｐが接続される。処理ガス供給管４０ｐには、ガス供給部４０が接続される。 A gas inlet 11c is provided on the upper surface of the shower head 11. A process gas supply pipe 40p is connected to the gas inlet 11c. A gas supply unit 40 is connected to the process gas supply pipe 40p.

処理容器１０は、底壁１０ａに、基板載置台２０を載置するためにスペーサ部材１２を備える。スペーサ部材１２は、絶縁体により形成される。スペーサ部材１２は、基板載置台２０の外形に対応するように設けられる。スペーサ部材１２の上に、基板載置台２０が載置される。基板載置台２０は、本体部２１と絶縁部材２２により構成される。 The processing vessel 10 has a spacer member 12 on the bottom wall 10a for placing the substrate mounting table 20. The spacer member 12 is made of an insulator. The spacer member 12 is provided to correspond to the outer shape of the substrate mounting table 20. The substrate mounting table 20 is placed on the spacer member 12. The substrate mounting table 20 is composed of a main body 21 and an insulating member 22.

スペーサ部材１２と底壁１０ａとの間、スペーサ部材１２と本体部２１及び絶縁部材２２との間は気密にシールされる。したがって、基板載置台２０が備える本体部２１と底壁１０ａとの間に大気雰囲気の空間１０Ａが形成される。そして、空間１０Ａにより大気絶縁される。 The spacer member 12 and the bottom wall 10a, and the spacer member 12 and the main body 21 and the insulating member 22 are hermetically sealed. Therefore, a space 10A of atmospheric air is formed between the main body 21 and the bottom wall 10a of the substrate mounting table 20. The space 10A provides atmospheric insulation.

処理容器１０は、複数の絶縁部材１３を備える。絶縁部材１３は、処理容器１０の底壁１０ａに埋設される。絶縁部材１３の中心に鉛直に設けられた貫通孔に、ボルト１４が挿入される。ボルト１４により、基板載置台２０の本体部２１が底壁１０ａに固定される。本体部２１が、複数のボルト１４を用いて底壁１０ａに固定されることにより、処理容器１０内が真空に保持されても、真空雰囲気の処理空間１０Ｓと大気雰囲気の空間１０Ａとの差圧により基板載置台２０が撓むことを防止できる。 The processing vessel 10 includes a plurality of insulating members 13. The insulating members 13 are embedded in the bottom wall 10a of the processing vessel 10. A bolt 14 is inserted into a through hole provided vertically in the center of the insulating member 13. The bolt 14 fixes the main body 21 of the substrate mounting table 20 to the bottom wall 10a. By fixing the main body 21 to the bottom wall 10a using a plurality of bolts 14, it is possible to prevent the substrate mounting table 20 from bending due to the pressure difference between the processing space 10S in a vacuum atmosphere and the space 10A in an air atmosphere, even if the inside of the processing vessel 10 is maintained at a vacuum.

処理容器１０は、底壁１０ａに接続される排気管１５を備える。排気管１５は、排気部５０に接続される。排気部５０は、処理容器１０の処理空間１０Ｓ内を排気する。排気部５０が、処理容器１０の処理空間１０Ｓ内を所定の減圧雰囲気まで真空引きする。 The processing vessel 10 has an exhaust pipe 15 connected to the bottom wall 10a. The exhaust pipe 15 is connected to an exhaust unit 50. The exhaust unit 50 exhausts the processing space 10S of the processing vessel 10. The exhaust unit 50 evacuates the processing space 10S of the processing vessel 10 to a vacuum state at a predetermined reduced pressure.

処理容器１０は、側壁に、基板搬入出口１６と、基板搬入出口１６を開閉するゲートバルブ１７と、を備える。ゲートバルブ１７を開にした状態で、隣接するロードロック室（図示せず）との間で、ガラス基板Ｇが基板処理装置１に搬送される。 The processing vessel 10 has a substrate loading/unloading port 16 on its side wall, and a gate valve 17 for opening and closing the substrate loading/unloading port 16. With the gate valve 17 open, the glass substrate G is transported to the substrate processing apparatus 1 between the processing vessel 1 and an adjacent load lock chamber (not shown).

［基板載置台２０］
基板処理装置１は、処理容器１０の底部に、被処理基板であるガラス基板Ｇを載置する基板載置台２０を備える。基板載置台２０は、載置面２０Ｓの上にガラス基板Ｇを載置する。すなわち、基板載置台２０は、載置面２０Ｓを有する。基板載置台２０は、処理容器１０の内部に配置される。 [Substrate mounting table 20]
The substrate processing apparatus 1 includes a substrate mounting table 20 for mounting a glass substrate G, which is a substrate to be processed, at the bottom of a processing vessel 10. The substrate mounting table 20 mounts the glass substrate G on a mounting surface 20S. That is, the substrate mounting table 20 has a mounting surface 20S. The substrate mounting table 20 is disposed inside the processing vessel 10.

基板載置台２０は、本体部２１と、絶縁部材２２と、複数の基板昇降部２３と、を備える。図２は、本実施形態に係る基板載置台の一例である基板載置台２０の拡大断面図である。より詳しくは、図２は、基板載置台２０におけるピン孔２１ｈ付近の拡大断面図である。 The substrate mounting table 20 includes a main body 21, an insulating member 22, and a plurality of substrate lifting units 23. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the substrate mounting table 20, which is an example of a substrate mounting table according to this embodiment. More specifically, FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the substrate mounting table 20 near the pin hole 21h.

（本体部２１）
本体部２１は、電力供給部３０から高周波電力が供給されることにより、下部電極として作用する。 (Main body portion 21)
When high frequency power is supplied from the power supply unit 30, the main body portion 21 acts as a lower electrode.

本体部２１は、基材２１ａと、誘電体層２１ｂと、複数の凸部２１ｃと、土手部２１ｄと、を備える。土手部２１ｄは本体部２１の上面の周縁部に、誘電体層２１ｂから上部に突出して枠状に形成される。 The main body 21 includes a base material 21a, a dielectric layer 21b, a plurality of protrusions 21c, and a bank portion 21d. The bank portion 21d is formed in a frame shape on the periphery of the upper surface of the main body 21, protruding upward from the dielectric layer 21b.

本体部２１は、基板昇降部２３が備える昇降ピン２３ｐが突没するピン孔２１ｈを備える。ピン孔２１ｈは、昇降ピン２３ｐが内部を突没可能に設けられる。昇降ピン２３ｐは、ピン孔２１ｈの内部において昇降する。また、昇降ピン２３ｐは、載置面２０Ｓから突没可能になっている。ピン孔２１ｈは、基材２１ａ及び誘電体層２１ｂを貫通して設けられる。ピン孔２１ｈは、載置面２０Ｓに開口する。ピン孔２１ｈは、中心軸として軸ＡＸを有する。 The main body 21 has pin holes 21h through which the lift pins 23p of the substrate lift unit 23 protrude. The pin holes 21h are provided so that the lift pins 23p can protrude and retract inside. The lift pins 23p rise and fall inside the pin holes 21h. The lift pins 23p can protrude and retract from the mounting surface 20S. The pin holes 21h are provided penetrating the substrate 21a and the dielectric layer 21b. The pin holes 21h open to the mounting surface 20S. The pin holes 21h have an axis AX as their central axis.

ピン孔２１ｈは、ピン孔上部２１ｈ１と、ピン孔下部２１ｈ２と、を有する。ピン孔上部２１ｈ１は、ピン孔下部２１ｈ２に連なって設けられる。 The pin hole 21h has an upper pin hole portion 21h1 and a lower pin hole portion 21h2. The upper pin hole portion 21h1 is provided so as to be continuous with the lower pin hole portion 21h2.

ピン孔上部２１ｈ１は、ピン孔２１ｈにおける載置面２０Ｓ側に設けられる。ピン孔上部２１ｈ１は、載置面２０Ｓから誘電体層２１ｂを貫通して基材２１ａまで形成される。ピン孔上部２１ｈ１は、孔径Ｄ１を有し、上下方向に深さＨ１の孔である。ピン孔上部２１ｈ１は、側面２１ｈ１Ｃを有する。側面２１ｈ１Ｃは、軸ＡＸを中心軸とする円筒面である。また、ピン孔上部２１ｈ１は、底面２１ｈＳを有する。 The pinhole upper portion 21h1 is provided on the mounting surface 20S side of the pinhole 21h. The pinhole upper portion 21h1 is formed from the mounting surface 20S through the dielectric layer 21b to the base material 21a. The pinhole upper portion 21h1 has a hole diameter D1 and is a hole with a depth H1 in the vertical direction. The pinhole upper portion 21h1 has a side surface 21h1C. The side surface 21h1C is a cylindrical surface with the axis AX as the central axis. The pinhole upper portion 21h1 also has a bottom surface 21hS.

ピン孔下部２１ｈ２は、底面２１ｈＳから本体部２１を貫通する貫通孔である。ピン孔下部２１ｈ２は、孔径Ｄ２を有する。孔径Ｄ２は、孔径Ｄ１より小さい。 The lower pinhole portion 21h2 is a through hole that penetrates the main body portion 21 from the bottom surface 21hS. The lower pinhole portion 21h2 has a hole diameter D2. The hole diameter D2 is smaller than the hole diameter D1.

底面２１ｈＳは、ピン孔上部２１ｈ１とピン孔下部２１ｈ２とを接続する段差部２１ｈ３を構成する。なお、底面２１ｈＳは、図２において、軸ＡＸに対して垂直な面であるが、軸ＡＸに対して傾きを有する面でもよい。 The bottom surface 21hS forms a step portion 21h3 that connects the upper pinhole portion 21h1 and the lower pinhole portion 21h2. Note that, although the bottom surface 21hS is a surface perpendicular to the axis AX in FIG. 2, it may be a surface that is inclined with respect to the axis AX.

本体部２１は、載置面２０Ｓに、ヘリウムガス等の冷却用ガス（バッククーリングガス）を供給するための複数の冷却ガス孔２１ｇを備える。冷却ガス孔２１ｇは、載置面２０Ｓに開口し設けられる。冷却用ガスは、載置面２０Ｓとガラス基板Ｇの下側の面（裏面）との間に供給される。冷却用ガスは、ガラス基板Ｇと載置面２０Ｓとの間の熱交換を媒介してガラス基板Ｇの温度を調節する。 The main body 21 has a plurality of cooling gas holes 21g for supplying a cooling gas (back-cooling gas) such as helium gas to the mounting surface 20S. The cooling gas holes 21g are provided and open on the mounting surface 20S. The cooling gas is supplied between the mounting surface 20S and the lower surface (rear surface) of the glass substrate G. The cooling gas mediates heat exchange between the glass substrate G and the mounting surface 20S to adjust the temperature of the glass substrate G.

基材２１ａは、導電性の部材、すなわち、導体、で構成される。基材２１ａは、例えば、金属により形成される。具体的には、基材２１ａは、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス合金又はアルミニウム合金とステンレス合金の組み合わせにより形成される。基材２１ａは、載置面２０Ｓの下方に位置する。基材２１ａには、基板昇降部２３が取り付けられる。 The substrate 21a is made of a conductive material, i.e., a conductor. The substrate 21a is made of, for example, a metal. Specifically, the substrate 21a is made of, for example, aluminum, an aluminum alloy, a stainless steel alloy, or a combination of an aluminum alloy and a stainless steel alloy. The substrate 21a is located below the mounting surface 20S. The substrate lifting unit 23 is attached to the substrate 21a.

本体部２１は、基材２１ａの上部に、誘電体層２１ｂを備える。誘電体層２１ｂは、例えば、セラミック等の誘電体により形成される。誘電体層２１ｂは、内部に静電吸着用の電極２１ｂ１が埋設される。電極２１ｂ１は、静電吸着電極である。電極２１ｂ１には、図示しない外部の電源より電圧が印加される。電極２１ｂ１に電圧が印加されることにより、クーロン力により、ガラス基板Ｇを吸着する。電極２１ｂ１は、例えば、タングステン等により形成される。 The main body 21 has a dielectric layer 21b on top of the base material 21a. The dielectric layer 21b is made of a dielectric material such as ceramic. An electrode 21b1 for electrostatic adsorption is embedded inside the dielectric layer 21b. The electrode 21b1 is an electrostatic adsorption electrode. A voltage is applied to the electrode 21b1 from an external power source (not shown). When a voltage is applied to the electrode 21b1, the glass substrate G is adsorbed by Coulomb force. The electrode 21b1 is made of, for example, tungsten.

なお、基材２１ａは、内部に図示しない流路を備える。基材２１ａの流路に予め定められた温度に設定された熱媒体が流れることにより、基材２１ａは予め定められた所望の温度に、温度を調整される。基材２１ａが温度調整されることにより、誘電体層２１ｂ、載置面２０Ｓ及び冷却用ガスを経て、ガラス基板Ｇの温度が調整される。 The base material 21a has a flow path (not shown) inside. A heat medium set to a predetermined temperature flows through the flow path of the base material 21a, and the temperature of the base material 21a is adjusted to a predetermined desired temperature. By adjusting the temperature of the base material 21a, the temperature of the glass substrate G is adjusted through the dielectric layer 21b, the mounting surface 20S, and the cooling gas.

本体部２１は、誘電体層２１ｂの上部に、複数の凸部２１ｃ及び土手部２１ｄを備える。凸部２１ｃ及び土手部２１ｄは、例えば、誘電体材料により形成される。凸部２１ｃは、誘電体層２１ｂの上部に突起状に形成され、土手部２１ｄは、誘電体層２１ｂの上部の周縁部に設けられる。土手部２１ｄの上面と、凸部２１ｃの上面とは、土手部２１ｄの上面が凸部２１ｃの上面よりも高いか又は同じ高さになっている。なお、図２において、凸部２１ｃは省略されている。 The main body 21 has a plurality of protrusions 21c and banks 21d on the top of the dielectric layer 21b. The protrusions 21c and banks 21d are formed, for example, from a dielectric material. The protrusions 21c are formed in a protruding shape on the top of the dielectric layer 21b, and the banks 21d are provided on the periphery of the top of the dielectric layer 21b. The top surface of the banks 21d and the top surface of the protrusions 21c are at the same height or higher than the top surface of the protrusions 21c. Note that the protrusions 21c are omitted in FIG. 2.

ガラス基板Ｇを基板載置台２０に載置する場合には、ガラス基板Ｇは、土手部２１ｄの上面又は土手部２１ｄの上面及び凸部２１ｃの上面に接触した状態になる。なお、本体部２１は、必ずしも複数の凸部２１ｃを備えていなくてもよく、土手部２１ｄの内側の領域は平坦であってもよい。また、土手部２１ｄの内側の領域を平坦な面とする場合、粗面化してもよい。 When the glass substrate G is placed on the substrate mounting table 20, the glass substrate G is in contact with the upper surface of the bank portion 21d or with the upper surface of the bank portion 21d and the upper surface of the protrusion portion 21c. The main body portion 21 does not necessarily have to have multiple protrusions 21c, and the inner region of the bank portion 21d may be flat. If the inner region of the bank portion 21d is to be a flat surface, it may be roughened.

（基板昇降部２３）
基板昇降部２３は、ガラス基板Ｇを基板載置台２０にローディング及びアンローディングのそれぞれを行うときに、ガラス基板Ｇを基板載置台２０から離隔した上方において支持する。基板載置台２０から離隔した上方において支持されたガラス基板Ｇは、不図示の搬送装置により搬入及び搬出される。 (Substrate lifting unit 23)
The substrate lifting unit 23 supports the glass substrate G above and spaced apart from the substrate mounting table 20 when loading and unloading the glass substrate G onto and from the substrate mounting table 20. The glass substrate G supported above and spaced apart from the substrate mounting table 20 is carried in and out by a transport device (not shown).

基板昇降部２３は、昇降ピン２３ｐと、接続部２３ｅと、昇降部２３ｆと、を備える。昇降ピン２３ｐ、接続部２３ｅ及び昇降部２３ｆのそれぞれについて詳細を説明する。 The substrate lifting unit 23 includes lifting pins 23p, a connection unit 23e, and a lifting unit 23f. The lifting pins 23p, the connection unit 23e, and the lifting unit 23f will each be described in detail below.

（昇降ピン２３ｐ）
昇降ピン２３ｐは、ガラス基板Ｇを支持する。また、昇降ピン２３ｐは、ガラス基板Ｇを昇降する。昇降ピン２３ｐは、本体部２１に形成されたピン孔２１ｈを突没する。昇降ピン２３ｐは、導電性の部材、例えば、ステンレスにより形成される。 (Lifting pin 23p)
The lift pins 23p support the glass substrate G. The lift pins 23p also raise and lower the glass substrate G. The lift pins 23p protrude and sink into pin holes 21h formed in the main body 21. The lift pins 23p are made of a conductive material, for example, stainless steel.

図３は、本実施形態に係る基板載置台の一例である基板載置台２０における昇降ピン２３ｐの拡大断面図である。図４は、本実施形態に係る基板載置台の一例である基板載置台２０における昇降ピンの分解断面図である。 Figure 3 is an enlarged cross-sectional view of lift pin 23p on substrate mounting table 20, which is an example of a substrate mounting table according to this embodiment. Figure 4 is an exploded cross-sectional view of lift pins on substrate mounting table 20, which is an example of a substrate mounting table according to this embodiment.

昇降ピン２３ｐは、ピン本体部２３ａと、ヘッド部２３ｂと、ガイド部２３ｃと、弾性部２３ｄと、を備える。昇降ピン２３ｐは、中心軸として軸ＢＸを有する。なお、図４において、弾性部２３ｄは図示を省略している。 The lift pin 23p includes a pin body 23a, a head 23b, a guide 23c, and an elastic portion 23d. The lift pin 23p has an axis BX as its central axis. Note that the elastic portion 23d is not shown in FIG. 4.

（ピン本体部２３ａ）
ピン本体部２３ａは、軸ＢＸに対して回転対称となる棒状の形状を有する。ピン本体部２３ａは、径ｄ２を有する下部２３ａ１と、径ｄ４１を有する上部２３ａ２と、を有する。径ｄ２は、孔径Ｄ２より小さい。また、径ｄ４１は、径ｄ２より小さい。 (Pin body portion 23a)
The pin body 23a has a rod-like shape that is rotationally symmetrical about the axis BX. The pin body 23a has a lower portion 23a1 having a diameter d2 and an upper portion 23a2 having a diameter d41. The diameter d2 is smaller than the hole diameter D2. The diameter d41 is also smaller than the diameter d2.

ピン本体部２３ａは、下部２３ａ１と上部２３ａ２とが連続して形成される。また、下部２３ａ１と上部２３ａ２とが径が異なる。したがって、ピン本体部２３ａは、下部２３ａ１と上部２３ａ２との間に、段差２３ａｓを有する。 The pin body 23a is formed by continuously forming a lower portion 23a1 and an upper portion 23a2. The lower portion 23a1 and the upper portion 23a2 have different diameters. Therefore, the pin body 23a has a step 23as between the lower portion 23a1 and the upper portion 23a2.

ピン本体部２３ａは、上部２３ａ２の先端に、ヘッド部２３ｂを取り付けるための凹部２３ａｈを有する。凹部２３ａｈは、例えば、雌ねじが形成されたねじ穴である。 The pin body 23a has a recess 23ah at the tip of the upper portion 23a2 for attaching the head portion 23b. The recess 23ah is, for example, a screw hole with a female thread.

（ヘッド部２３ｂ）
ヘッド部２３ｂは、おおよそ軸ＢＸに対して回転対称となる形状を有する。言い換えると、通気口２３ｂｈを除いて、軸ＢＸに対して回転対称となる形状を有する。ヘッド部２３ｂは、ピン本体部２３ａの先端に取り付けられる。ヘッド部２３ｂは、頂部２３ｂ１と、円筒部２３ｂ２と、凸部２３ｂ３と、を有する。 (Head portion 23b)
The head portion 23b has a shape that is approximately rotationally symmetrical about the axis BX. In other words, except for the vent hole 23bh, the head portion 23b has a shape that is rotationally symmetrical about the axis BX. The head portion 23b is attached to the tip of the pin body portion 23a. The head portion 23b has a top portion 23b1, a cylindrical portion 23b2, and a protruding portion 23b3.

頂部２３ｂ１は、径ｄ１の円板状の形状を有する。頂部２３ｂ１は、上側に支持面２３Ｓを備える。昇降ピン２３ｐは、支持面２３Ｓにガラス基板Ｇを載置する。すなわち、頂部２３ｂ１は、昇降ピン２３ｐのピン頂部を形成する。円筒部２３ｂ２は、頂部２３ｂ１の端から下側に延びる円筒形状を有する。円筒部２３ｂ２は、頂部２３ｂ１の周縁部から下方に延びる。そして、円筒部２３ｂ２は、ピン本体部２３ａから離隔する。円筒部２３ｂ２の外径は、径ｄ１である。また、円筒部２３ｂ２の内径は、径ｄ３２である。 The top 23b1 has a disk shape with a diameter d1. The top 23b1 has a support surface 23S on the upper side. The lift pin 23p places the glass substrate G on the support surface 23S. That is, the top 23b1 forms the pin top of the lift pin 23p. The cylindrical portion 23b2 has a cylindrical shape extending downward from the end of the top 23b1. The cylindrical portion 23b2 extends downward from the peripheral portion of the top 23b1. The cylindrical portion 23b2 is separated from the pin main body 23a. The outer diameter of the cylindrical portion 23b2 is a diameter d1. The inner diameter of the cylindrical portion 23b2 is a diameter d32.

凸部２３ｂ３は、頂部２３ｂ１の下面の中心から下に延びる。凸部２３ｂ３は、例えば、雄ねじが形成される。凸部２３ｂ３が凹部２３ａｈにねじ込まれることにより、ヘッド部２３ｂは、ピン本体部２３ａに取り付けられる。ヘッド部２３ｂは、ピン本体部２３ａに分離可能に固定されてもよい。また、ヘッド部２３ｂは、ピン本体部２３ａに固着して固定されてもよい。 The protrusion 23b3 extends downward from the center of the lower surface of the top 23b1. The protrusion 23b3 is formed with, for example, a male thread. The head 23b is attached to the pin body 23a by screwing the protrusion 23b3 into the recess 23ah. The head 23b may be detachably fixed to the pin body 23a. The head 23b may also be fixed by being fixedly attached to the pin body 23a.

なお、ピン本体部２３ａとヘッド部２３ｂとの結合方法は上記に限らず、例えば、接着、溶接又は嵌合により結合してもよい。また、凹部と凸部の関係を逆にして、ヘッド部２３ｂに凹部を設けて、ピン本体部２３ａに凸部を設けてもよい。 The method of joining the pin body 23a and the head 23b is not limited to the above, and they may be joined by, for example, gluing, welding, or fitting. Also, the relationship between the recess and protrusion may be reversed, with a recess provided on the head 23b and a protrusion provided on the pin body 23a.

ヘッド部２３ｂは、円筒部２３ｂ２を貫通する通気口２３ｂｈを有する。通気口２３ｂｈは、冷却用ガスが通流する。 The head portion 23b has a vent hole 23bh that penetrates the cylindrical portion 23b2. The vent hole 23bh allows cooling gas to flow through.

（ガイド部２３ｃ）
ガイド部２３ｃは、軸ＢＸに対して回転対称となる概略形状を有する。ガイド部２３ｃは、底部２３ｃ１と、円筒部２３ｃ２と、を有する。 (Guide portion 23c)
The guide portion 23c has a general shape that is rotationally symmetrical with respect to the axis BX. The guide portion 23c has a bottom portion 23c1 and a cylindrical portion 23c2.

底部２３ｃ１は、外径が径ｄ３１である円板状の形状を有する。底部２３ｃ１は、下方に下面２３ｃＳを備える。底部２３ｃ１は、ピン本体部２３ａにおける上部２３ａ２が貫通する孔２３ｃｈを有する。孔２３ｃｈの孔径は、径ｄ４２である。円筒部２３ｃ２は、底部２３ｃ１の端から上側に延びる円筒形状を有する。円筒部２３ｃ２は、底部２３ｃ１の周縁部から上方に延びる。そして、円筒部２３ｃ２は、ピン本体部２３ａから離隔する。円筒部２３ｃ２の外径は、径ｄ３１である。 The bottom portion 23c1 has a disk-like shape with an outer diameter of diameter d31. The bottom portion 23c1 has a lower surface 23cS on the lower side. The bottom portion 23c1 has a hole 23ch through which the upper portion 23a2 of the pin main body portion 23a penetrates. The hole diameter of the hole 23ch is diameter d42. The cylindrical portion 23c2 has a cylindrical shape extending upward from the end of the bottom portion 23c1. The cylindrical portion 23c2 extends upward from the peripheral portion of the bottom portion 23c1. The cylindrical portion 23c2 is separated from the pin main body portion 23a. The outer diameter of the cylindrical portion 23c2 is diameter d31.

（弾性部２３ｄ）
弾性部２３ｄは、軸ＢＸと平行な方向において、ヘッド部２３ｂとガイド部２３ｃとの間に設けられる。また、弾性部２３ｄは、軸ＢＸと垂直な方向において、ヘッド部２３ｂ及びガイド部２３ｃと、ピン本体部２３ａとの間に設けられる。弾性部２３ｄは、ヘッド部２３ｂを上側から押すと、ガイド部２３ｃをヘッド部２３ｂから離れる方向に押す。弾性部２３ｄは、例えば、巻きばねである。ガイド部２３ｃは、段差２３ａｓにより、段差２３ａｓより下側（下部２３ａ１側）には動かないようになっている。ガイド部２３ｃは、ヘッド部２３ｂを上側から押すことにより、弾性部２３ｄによって段差２３ａｓに押し付けられる。一方、例えば、ガイド部２３ｃを下側から押すと、ガイド部２３ｃは、弾性部２３ｄが押す力に抗して上に動くことができる。 (Elastic portion 23d)
The elastic portion 23d is provided between the head portion 23b and the guide portion 23c in a direction parallel to the axis BX. The elastic portion 23d is also provided between the head portion 23b and the guide portion 23c and the pin body portion 23a in a direction perpendicular to the axis BX. When the head portion 23b is pressed from above, the elastic portion 23d presses the guide portion 23c in a direction away from the head portion 23b. The elastic portion 23d is, for example, a coil spring. The step 23as prevents the guide portion 23c from moving below the step 23as (toward the lower portion 23a1). When the head portion 23b is pressed from above, the guide portion 23c is pressed against the step 23as by the elastic portion 23d. On the other hand, when the guide portion 23c is pressed from below, for example, the guide portion 23c can move upward against the pushing force of the elastic portion 23d.

（昇降ピン２３ｐを組み立てた状態についての説明）
ガイド部２３ｃにおける円筒部２３ｃ２の外径である径ｄ３１は、ヘッド部２３ｂにおける円筒部２３ｂ２の内径である径ｄ３２より小さい。すなわち、円筒部２３ｃ２の外径である径ｄ３１と、ヘッド部２３ｂにおける円筒部２３ｂ２の内径である径ｄ３２とは、すきまばめの関係になっている。したがって、円筒部２３ｂ２と円筒部２３ｃ２とは、図３において楕円ＬＡで示す領域において、少なくとも一部において互いに変位可能に重なり合っている。なお、円筒部２３ｃ２の外径である径ｄ３１と、ヘッド部２３ｂにおける円筒部２３ｂ２の内径である径ｄ３２との差は５０マイクロメートル以下にしてもよい。 (Description of the lift pin 23p in an assembled state)
The diameter d31, which is the outer diameter of the cylindrical portion 23c2 in the guide portion 23c, is smaller than the diameter d32, which is the inner diameter of the cylindrical portion 23b2 in the head portion 23b. That is, the diameter d31, which is the outer diameter of the cylindrical portion 23c2, and the diameter d32, which is the inner diameter of the cylindrical portion 23b2 in the head portion 23b, are in a loose fit relationship. Therefore, the cylindrical portion 23b2 and the cylindrical portion 23c2 overlap each other at least partially in the region indicated by the ellipse LA in FIG. 3 so as to be displaceable from each other. The difference between the diameter d31, which is the outer diameter of the cylindrical portion 23c2, and the diameter d32, which is the inner diameter of the cylindrical portion 23b2 in the head portion 23b, may be 50 micrometers or less.

ガイド部２３ｃにおける底部２３ｃ１に形成された孔２３ｃｈの内径である径ｄ４２は、ピン本体部２３ａにおける上部２３ａ２の外径である径ｄ４１より大きい。すなわち、ガイド部２３ｃにおける底部２３ｃ１に形成された孔２３ｃｈの内径である径ｄ４２と、ピン本体部２３ａにおける上部２３ａ２の外径である径ｄ４１とは、すきまばめの関係になっている。したがって、ガイド部２３ｃは、ピン本体部２３ａにおける上部２３ａ２に沿って変位できる。なお、ガイド部２３ｃにおける底部２３ｃ１に形成された孔２３ｃｈの内径である径ｄ４２と、ピン本体部２３ａにおける上部２３ａ２の外径である径ｄ４１との差は５０マイクロメートル以下にしてもよい。 The diameter d42, which is the inner diameter of the hole 23ch formed in the bottom 23c1 of the guide portion 23c, is larger than the diameter d41, which is the outer diameter of the upper portion 23a2 of the pin body portion 23a. In other words, the diameter d42, which is the inner diameter of the hole 23ch formed in the bottom 23c1 of the guide portion 23c, and the diameter d41, which is the outer diameter of the upper portion 23a2 of the pin body portion 23a, are in a loose fit relationship. Therefore, the guide portion 23c can be displaced along the upper portion 23a2 of the pin body portion 23a. The difference between the diameter d42, which is the inner diameter of the hole 23ch formed in the bottom 23c1 of the guide portion 23c, and the diameter d41, which is the outer diameter of the upper portion 23a2 of the pin body portion 23a, may be 50 micrometers or less.

昇降ピン２３ｐを組み立てた状態で、支持面２３Ｓと下面２３ｃＳとの距離ｈ１は、ピン孔２１ｈにおける深さＨ１と略等しい。 When the lift pin 23p is assembled, the distance h1 between the support surface 23S and the lower surface 23cS is approximately equal to the depth H1 of the pin hole 21h.

（接続部２３ｅ）
接続部２３ｅは、本体部２１と昇降部２３ｆとの間を接続する。接続部２３ｅは、例えば、ベローズにより形成される。接続部２３ｅは、導電性部材により形成される。 (Connection portion 23e)
The connecting portion 23e connects the main body 21 and the lifting portion 23f. The connecting portion 23e is made of, for example, a bellows. The connecting portion 23e is made of a conductive material.

（昇降部２３ｆ）
昇降部２３ｆは、昇降ピン２３ｐを垂直方向に移動させる。昇降部２３ｆは、例えば、モータにより構成される。昇降部２３ｆは、モータを駆動することにより、昇降ピン２３ｐを垂直方向に移動させる。 (Lifting section 23f)
The lifting unit 23f moves the lifting pins 23p in the vertical direction. The lifting unit 23f is configured with, for example, a motor. The lifting unit 23f drives the motor to move the lifting pins 23p in the vertical direction.

＜昇降ピンの使用状態について＞
本実施形態に係る基板載置台における昇降ピンの使用状態について説明する。図５は、本実施形態に係る基板載置台の一例である基板載置台２０における昇降ピン２３ｐの使用状態を示す拡大断面図である。具体的には、図５は、基板載置台２０における基板昇降部２３の先端部分（支持面２３Ｓを含む部分）を拡大した断面図である。なお、図５は、基板昇降部２３における支持面２３Ｓの高さが、基板載置台２０における載置面２０Ｓの高さと等しくなっている状態を示す。 <About the use of the lift pin>
A state in which the lift pins in the substrate mounting table according to the present embodiment are used will be described. Fig. 5 is an enlarged cross-sectional view showing a state in which the lift pins 23p are used in the substrate mounting table 20, which is an example of the substrate mounting table according to the present embodiment. Specifically, Fig. 5 is an enlarged cross-sectional view of a tip portion (a portion including a support surface 23S) of the substrate lifting unit 23 in the substrate mounting table 20. Note that Fig. 5 shows a state in which the height of the support surface 23S in the substrate lifting unit 23 is equal to the height of the mounting surface 20S in the substrate mounting table 20.

基板載置台２０に形成されたピン孔２１ｈに、昇降ピン２３ｐが挿入される。基板載置台２０に形成されたピン孔２１ｈに、昇降ピン２３ｐが挿入されると、昇降ピン２３ｐが備えるガイド部２３ｃにおける下面２３ｃＳが、図５の矢印ＣＡに示すように、ピン孔２１ｈにおける底面２１ｈＳに接触する。ガイド部２３ｃにおける下面２３ｃＳがピン孔２１ｈにおける底面２１ｈＳに接触することにより、ガイド部２３ｃ及びガイド部２３ｃに接触するヘッド部２３ｂとの間で熱交換を促進できる。 The lift pin 23p is inserted into the pin hole 21h formed in the substrate mounting table 20. When the lift pin 23p is inserted into the pin hole 21h formed in the substrate mounting table 20, the lower surface 23cS of the guide portion 23c of the lift pin 23p comes into contact with the bottom surface 21hS of the pin hole 21h, as shown by the arrow CA in FIG. 5. The lower surface 23cS of the guide portion 23c comes into contact with the bottom surface 21hS of the pin hole 21h, thereby promoting heat exchange between the guide portion 23c and the head portion 23b in contact with the guide portion 23c.

ヘッド部２３ｂとガイド部２３ｃとの間に、ピン内空間ＳＰ１が形成される。ピン孔２１ｈの孔径Ｄ１は、昇降ピン２３ｐにおけるヘッド部２３ｂの外径である径ｄ１より大きい。すなわち、ピン孔２１ｈの孔径Ｄ１と、昇降ピン２３ｐにおけるヘッド部２３ｂの外径である径ｄ１とは、すきまばめの関係となっている。ピン孔２１ｈと昇降ピン２３ｐにおけるヘッド部２３ｂとの間には隙間空間ＳＰ２が形成される。 A space SP1 is formed inside the pin between the head portion 23b and the guide portion 23c. The diameter D1 of the pin hole 21h is larger than the diameter d1, which is the outer diameter of the head portion 23b of the lift pin 23p. In other words, the diameter D1 of the pin hole 21h and the diameter d1, which is the outer diameter of the head portion 23b of the lift pin 23p, are in a loose fit relationship. A space SP2 is formed between the pin hole 21h and the head portion 23b of the lift pin 23p.

なお、ピン孔２１ｈの孔径Ｄ１と、昇降ピン２３ｐにおけるヘッド部２３ｂの径ｄ１との差は、１００マイクロメートル以下である。言い換えると、隙間空間ＳＰ２を形成する、ピン孔２１ｈと昇降ピン２３ｐにおけるヘッド部２３ｂとの間の隙間は５０マイクロメートル以下になるようにする。 The difference between the diameter D1 of the pin hole 21h and the diameter d1 of the head portion 23b of the lift pin 23p is 100 micrometers or less. In other words, the gap between the pin hole 21h and the head portion 23b of the lift pin 23p, which forms the gap space SP2, is set to 50 micrometers or less.

隙間空間ＳＰ２を通って、伝熱用のヘリウムガスがピン孔２１ｈに入り込む。ピン孔２１ｈに入り込んだ伝熱ガスであるヘリウムガスは、通気口２３ｂｈを通って、ピン内空間ＳＰ１に充填される。すなわち、通気口２３ｂｈは、隙間空間ＳＰ２とピン内空間ＳＰ１を連通可能となっている。 Helium gas for heat transfer enters the pin hole 21h through the gap space SP2. The helium gas, which is the heat transfer gas that has entered the pin hole 21h, passes through the ventilation hole 23bh and fills the pin space SP1. In other words, the ventilation hole 23bh can connect the gap space SP2 and the pin space SP1.

ピン孔２１ｈの孔径Ｄ１と、昇降ピン２３ｐにおけるヘッド部２３ｂの径ｄ１との差について説明する。ピン孔２１ｈの孔径Ｄ１と、昇降ピン２３ｐにおけるヘッド部２３ｂの径ｄ１との差が５０マイクロメートルの場合、昇降ピン２３ｐの温度とピン孔２１ｈ周辺の温度との差は、０．７度であった。一方、ピン孔２１ｈの孔径Ｄ１と、昇降ピン２３ｐにおけるヘッド部２３ｂの径ｄ１との差が４５０マイクロメートルの場合、昇降ピン２３ｐの温度とピン孔２１ｈ周辺の温度との差は、５．５度であった。 The difference between the diameter D1 of the pin hole 21h and the diameter d1 of the head portion 23b of the lift pin 23p will be explained. When the difference between the diameter D1 of the pin hole 21h and the diameter d1 of the head portion 23b of the lift pin 23p is 50 micrometers, the difference between the temperature of the lift pin 23p and the temperature around the pin hole 21h is 0.7 degrees. On the other hand, when the difference between the diameter D1 of the pin hole 21h and the diameter d1 of the head portion 23b of the lift pin 23p is 450 micrometers, the difference between the temperature of the lift pin 23p and the temperature around the pin hole 21h is 5.5 degrees.

上述の結果のように、ピン孔２１ｈの孔径Ｄ１と、昇降ピン２３ｐにおけるヘッド部２３ｂの径ｄ１との差を１００マイクロメートル以下にすることによって、昇降ピン２３ｐの温度とピン孔２１ｈ周辺の温度との差を低減できる。 As shown by the results above, by making the difference between the diameter D1 of the pin hole 21h and the diameter d1 of the head portion 23b of the lift pin 23p 100 micrometers or less, the difference in temperature between the lift pin 23p and the temperature around the pin hole 21h can be reduced.

次に、昇降ピン２３ｐを上に移動したときの状態について説明する。図６は、本実施形態に係る基板載置台の一例である基板載置台２０における昇降ピン２３ｐの使用状態を示す拡大断面図である。具体的には、図６は、基板載置台２０における基板昇降部２３の先端部分を拡大した断面図である。なお、図６は、基板昇降部２３における支持面２３Ｓの高さが、基板載置台２０における載置面２０Ｓの高さより高くなった状態を示す。 Next, the state when the lift pin 23p is moved upward will be described. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view showing the use of the lift pin 23p on the substrate mounting table 20, which is an example of a substrate mounting table according to this embodiment. Specifically, FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of the tip portion of the substrate lifting section 23 on the substrate mounting table 20. Note that FIG. 6 shows a state in which the height of the support surface 23S on the substrate lifting section 23 is higher than the height of the mounting surface 20S on the substrate mounting table 20.

図６に示す基板昇降部２３における支持面２３Ｓの高さが基板載置台２０における載置面２０Ｓの高さより高くなった状態において、支持面２３Ｓにガラス基板Ｇが載置される。基板昇降部２３における支持面２３Ｓの高さが、基板載置台２０における載置面２０Ｓの高さより高くなった状態で、支持面２３Ｓにガラス基板Ｇが載置されることにより、載置面２０Ｓからガラス基板Ｇを離隔することができる。載置面２０Ｓからガラス基板Ｇを離隔することにより、ガラス基板Ｇを搬入、搬出することができる。 When the height of the support surface 23S in the substrate lifting section 23 shown in FIG. 6 is higher than the height of the mounting surface 20S in the substrate mounting table 20, the glass substrate G is placed on the support surface 23S. When the height of the support surface 23S in the substrate lifting section 23 is higher than the height of the mounting surface 20S in the substrate mounting table 20, the glass substrate G is placed on the support surface 23S, so that the glass substrate G can be separated from the mounting surface 20S. By separating the glass substrate G from the mounting surface 20S, the glass substrate G can be carried in and out.

次に、昇降ピン２３ｐを載置面２０Ｓから突出しないように下に移動したときの状態について説明する。言い換えると、昇降ピン２３ｐを、ピン孔２１ｈの奥に収納した際の状態について説明する。図７は、本実施形態に係る基板載置台の一例である基板載置台２０における昇降ピン２３ｐの使用状態を示す拡大断面図である。具体的には、図７は、基板載置台２０における基板昇降部２３の先端部分を拡大した断面図である。なお、図７は、基板昇降部２３における支持面２３Ｓの高さが、基板載置台２０における載置面２０Ｓの高さより低くなった状態を示す。 Next, we will explain the state when the lift pin 23p is moved downward so that it does not protrude from the mounting surface 20S. In other words, we will explain the state when the lift pin 23p is stored at the back of the pin hole 21h. Figure 7 is an enlarged cross-sectional view showing the use of the lift pin 23p on the substrate mounting table 20, which is an example of a substrate mounting table according to this embodiment. Specifically, Figure 7 is an enlarged cross-sectional view of the tip portion of the substrate lifting section 23 on the substrate mounting table 20. Note that Figure 7 shows the state when the height of the support surface 23S on the substrate lifting section 23 is lower than the height of the mounting surface 20S on the substrate mounting table 20.

図７に示す基板昇降部２３における支持面２３Ｓの高さが基板載置台２０における載置面２０Ｓの高さより低くなった状態において、支持面２３Ｓを載置面２０Ｓより低くできる。基板昇降部２３における支持面２３Ｓの高さを基板載置台２０における載置面２０Ｓの高さより低くすることにより、例えば、ピン孔２１ｈ周辺の電界を調整できる。ピン孔２１ｈ周辺の電界を調整することにより、ピン孔２１ｈ周辺の処理むら等を調整できる。 When the height of the support surface 23S in the substrate lifting unit 23 shown in FIG. 7 is lower than the height of the mounting surface 20S in the substrate mounting table 20, the support surface 23S can be made lower than the mounting surface 20S. By making the height of the support surface 23S in the substrate lifting unit 23 lower than the height of the mounting surface 20S in the substrate mounting table 20, it is possible to adjust the electric field around the pin hole 21h, for example. By adjusting the electric field around the pin hole 21h, it is possible to adjust processing unevenness around the pin hole 21h, etc.

昇降ピン２３ｐは、昇降ピン２３ｐの中心軸と平行な方向においてヘッド部２３ｂとガイド部２３ｃとの間に弾性部２３ｄを備える。ヘッド部２３ｂとガイド部２３ｃとの間に弾性部２３ｄを備えることにより、ヘッド部２３ｂと結合されたピン本体部２３ａがガイド部２３ｃに沿って移動して、昇降ピン２３ｐをピン孔２１ｈの奥に収納できる。また、昇降ピン２３ｐをピン孔２１ｈの奥に収納しても、底面２１ｈＳと下面２３ｃＳとの接触を維持できる。さらに、弾性部２３ｄによりガイド部２３ｃを底面２１ｈＳに押し付けることができる。 The lift pin 23p has an elastic portion 23d between the head portion 23b and the guide portion 23c in a direction parallel to the central axis of the lift pin 23p. By providing the elastic portion 23d between the head portion 23b and the guide portion 23c, the pin body portion 23a connected to the head portion 23b moves along the guide portion 23c, allowing the lift pin 23p to be stored deep inside the pin hole 21h. Even when the lift pin 23p is stored deep inside the pin hole 21h, contact between the bottom surface 21hS and the lower surface 23cS can be maintained. Furthermore, the elastic portion 23d allows the guide portion 23c to be pressed against the bottom surface 21hS.

［電力供給部３０］
電力供給部３０は、基板載置台２０が備える基材２１ａに高周波電力を供給する。電力供給部３０は、基材２１ａと給電線３０ｗを介して接続される。電力供給部３０は、高周波電源３１ａ及び高周波電源３１ｂと、整合器３２ａ及び整合器３２ｂと、を備える。給電線３０ｗは、給電線３０ｗａ及び給電線３０ｗｂに分岐される。分岐された給電線３０ｗａは、整合器３２ａに接続される。また、分岐された給電線３０ｗｂは、整合器３２ｂに接続される。 [Power supply unit 30]
The power supply unit 30 supplies high frequency power to the base material 21a of the substrate mounting table 20. The power supply unit 30 is connected to the base material 21a via a power feed line 30w. The power supply unit 30 includes high frequency power sources 31a and 31b, and matching units 32a and 32b. The power feed line 30w is branched into a power feed line 30wa and a power feed line 30wb. The branched power feed line 30wa is connected to the matching unit 32a. The branched power feed line 30wb is connected to the matching unit 32b.

高周波電源３１ａは、プラズマ生成用の高周波電源である。高周波電源３１ａが生成する高周波電力の周波数は、例えば、１３．５６メガヘルツである。高周波電源３１ａは、整合器３２ａに高周波電力を出力する。整合器３２ａは、インピーダンスを整合させて、プラズマ生成用の高周波電力を、給電線３０ｗａ及び給電線３０ｗを介して、基材２１ａに出力する。 The high frequency power supply 31a is a high frequency power supply for generating plasma. The frequency of the high frequency power generated by the high frequency power supply 31a is, for example, 13.56 MHz. The high frequency power supply 31a outputs the high frequency power to the matching device 32a. The matching device 32a matches the impedance and outputs the high frequency power for generating plasma to the substrate 21a via the power supply line 30wa and the power supply line 30w.

高周波電源３１ｂは、バイアス生成用の高周波電源である。高周波電源３１ｂが生成する高周波電力の周波数は、例えば、３．２メガヘルツである。高周波電源３１ｂは、整合器３２ｂに高周波電力を出力する。整合器３２ｂは、インピーダンスを整合させて、バイアス生成用の高周波電力を、給電線３０ｗｂ及び給電線３０ｗを介して、基材２１ａに出力する。 The high frequency power supply 31b is a high frequency power supply for generating a bias. The frequency of the high frequency power generated by the high frequency power supply 31b is, for example, 3.2 megahertz. The high frequency power supply 31b outputs high frequency power to the matching device 32b. The matching device 32b matches the impedance and outputs the high frequency power for generating the bias to the substrate 21a via the power supply line 30wb and the power supply line 30w.

［ガス供給部４０］
ガス供給部４０は、ガラス基板Ｇを処理するための処理ガスを、処理容器１０に供給する。ガス供給部４０は、処理ガス供給源４１と、マスフローコントローラ４２と、バルブ４３と、を備える。 [Gas supply unit 40]
The gas supply unit 40 supplies a processing gas for processing the glass substrate G to the processing chamber 10. The gas supply unit 40 includes a processing gas supply source 41, a mass flow controller 42, and a valve 43.

処理ガス供給源４１は、ガラス基板Ｇを処理するためのガスを供給する。処理ガス供給源４１は、例えば、ガラス基板Ｇ上に形成された金属膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜などをエッチングするための処理ガスとして、ハロゲン系ガス、酸素ガス、アルゴンガス等、通常この分野で用いられるガスを供給する。 The processing gas supply source 41 supplies gas for processing the glass substrate G. The processing gas supply source 41 supplies gases typically used in this field, such as halogen gases, oxygen gas, and argon gas, as processing gases for etching, for example, metal films, silicon oxide films, silicon nitride films, and the like formed on the glass substrate G.

マスフローコントローラ４２は、処理ガス供給源４１から供給される処理ガスの流量を調整する。マスフローコントローラ４２により流量調整された処理ガスは、バルブ４３を通過して、処理ガス供給管４０ｐを介して、シャワーヘッド１１に供給される。 The mass flow controller 42 adjusts the flow rate of the processing gas supplied from the processing gas supply source 41. The processing gas whose flow rate has been adjusted by the mass flow controller 42 passes through the valve 43 and is supplied to the shower head 11 via the processing gas supply pipe 40p.

［排気部５０］
排気部５０は、処理容器１０の処理空間１０Ｓ内を排気する。排気部５０は、真空ポンプ５１を備える。真空ポンプ５１は、排気管１５に接続する。真空ポンプ５１は、例えば、ターボ分子ポンプである。 [Exhaust section 50]
The exhaust unit 50 exhausts the inside of the processing space 10S of the processing vessel 10. The exhaust unit 50 includes a vacuum pump 51. The vacuum pump 51 is connected to the exhaust pipe 15. The vacuum pump 51 is, for example, a turbo molecular pump.

［伝熱ガス供給部６０］
伝熱ガス供給部６０は、基板載置台２０に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスは、例えば、ヘリウムガスである。伝熱ガス供給部６０は、伝熱ガス供給源６１と、配管６２と、を備える。伝熱ガス供給源６１は、伝熱ガスを供給する。伝熱ガス供給源６１は、配管６２により基板載置台２０に接続される。伝熱ガス供給源６１から供給された伝熱ガスは、配管６２及び基板載置台２０の冷却ガス孔２１ｇを通って、載置面２０Ｓに供給される。 [Heat transfer gas supply unit 60]
The heat transfer gas supply unit 60 supplies a heat transfer gas to the substrate mounting table 20. The heat transfer gas is, for example, helium gas. The heat transfer gas supply unit 60 includes a heat transfer gas supply source 61 and a pipe 62. The heat transfer gas supply source 61 supplies a heat transfer gas. The heat transfer gas supply source 61 is connected to the substrate mounting table 20 by the pipe 62. The heat transfer gas supplied from the heat transfer gas supply source 61 passes through the pipe 62 and the cooling gas holes 21g of the substrate mounting table 20 and is supplied to the mounting surface 20S.

＜基板処理方法＞
本実施形態に係る基板載置台を備える基板処理装置を用いた基板処理方法を説明する。図８は、本実施形態に係る基板載置台の一例である基板載置台２０を備える基板処理装置１を用いた基板処理方法を説明するフロー図である。図８により、本実施形態に係る基板処理方法の工程について詳細を説明する。 <Substrate Processing Method>
A substrate processing method using a substrate processing apparatus including a substrate mounting table according to this embodiment will be described. Fig. 8 is a flow diagram illustrating a substrate processing method using a substrate processing apparatus 1 including a substrate mounting table 20, which is an example of a substrate mounting table according to this embodiment. The steps of the substrate processing method according to this embodiment will be described in detail with reference to Fig. 8.

（ステップＳ１０）
処理を開始すると、基板処理装置１における処理容器１０の内部に、ガラス基板Ｇを搬入する。具体的には、ゲートバルブ１７を開にした状態で、基板搬入出口１６からガラス基板Ｇを、搬送装置により、処理容器１０の内部に搬送する。 (Step S10)
When the processing is started, the glass substrate G is loaded into the processing container 10 in the substrate processing apparatus 1. Specifically, with the gate valve 17 open, the glass substrate G is transported from the substrate loading/unloading port 16 into the processing container 10 by the transport device.

（ステップＳ２０）
次に、昇降ピン２３ｐを上昇させて、載置面２０Ｓから突出させる。そして、突出した昇降ピン２３ｐの支持面２３Ｓに搬入したガラス基板Ｇを載置する。そして、昇降ピン２３ｐにより、ガラス基板Ｇを支持する。 (Step S20)
Next, the lift pins 23p are raised to protrude from the placement surface 20S. Then, the carried-in glass substrate G is placed on the support surface 23S of the protruding lift pins 23p. Then, the glass substrate G is supported by the lift pins 23p.

ガラス基板Ｇを搬入した搬送装置は、処理容器１０から退出する。そして、ゲートバルブ１７を閉にする。 After loading the glass substrate G, the transport device leaves the processing vessel 10. Then, the gate valve 17 is closed.

（ステップＳ３０）
次に、昇降ピン２３ｐを下降させて、ピン孔２１ｈの段差部２１ｈ３に接触させる。 (Step S30)
Next, the lift pin 23p is lowered so as to come into contact with the stepped portion 21h3 of the pin hole 21h.

（ステップＳ４０）
次に、昇降ピン２３ｐを更に下降させて、ピン孔２１ｈに収納する。昇降ピン２３ｐを更に下降して、ピン孔２１ｈに収納すると、ガラス基板Ｇは凸部２１ｃ及び土手部２１ｄの上に載置される。ガラス基板Ｇが凸部２１ｃ及び土手部２１ｄの上に載置されることにより、ガラス基板Ｇが載置面２０Ｓに載置される。 (Step S40)
Next, the lift pins 23p are further lowered and stored in the pin holes 21h. When the lift pins 23p are further lowered and stored in the pin holes 21h, the glass substrate G is placed on the convex portions 21c and the banks 21d. By placing the glass substrate G on the convex portions 21c and the banks 21d, the glass substrate G is placed on the placement surface 20S.

（ステップＳ５０）
次に、伝熱ガスを、通気口２３ｂｈを介してピン内空間ＳＰ１に充填する。 (Step S50)
Next, the heat transfer gas is filled into the pin space SP1 through the ventilation hole 23bh.

（ステップＳ６０）
次に、基板を処理する。ガラス基板Ｇに対してプラズマ処理を行う。言い換えると、ガラス基板Ｇに対してプラズマにより処理を施す。具体的には、ガス供給部４０から処理ガスを供給し、電力供給部３０から電力を供給することにより処理ガスをプラズマ化し、プラズマ処理を行う。プラズマ処理が終了したら、処理ガスを排気部５０により排気する。 (Step S60)
Next, the substrate is processed. A plasma process is performed on the glass substrate G. In other words, the glass substrate G is processed by plasma. Specifically, a process gas is supplied from the gas supply unit 40, and power is supplied from the power supply unit 30 to convert the process gas into plasma, thereby performing the plasma process. After the plasma process is completed, the process gas is exhausted by the exhaust unit 50.

（ステップＳ７０）
ガラス基板Ｇに対するプラズマ処理が終了したら、昇降ピン２３ｐを上昇させて、載置面２０Ｓから突出させる。そして、突出した昇降ピン２３ｐにより、プラズマ処理を施したガラス基板Ｇを持ち上げる。 (Step S70)
When the plasma processing of the glass substrate G is completed, the lift pins 23p are raised and protruded from the placement surface 20S. Then, the glass substrate G that has been subjected to the plasma processing is lifted up by the protruding lift pins 23p.

（ステップＳ８０）
次に、基板処理装置１における処理容器１０の内部から、ガラス基板Ｇを搬出する。具体的には、ゲートバルブ１７を開にした状態で、搬送装置を基板搬入出口１６から処理容器１０の内部に侵入させる。そして、ガラス基板Ｇを、搬送装置に載置して、処理容器１０の内部から搬出する。 (Step S80)
Next, the glass substrate G is transferred out of the processing vessel 10 in the substrate processing apparatus 1. Specifically, with the gate valve 17 open, the transfer device is inserted into the processing vessel 10 through the substrate transfer opening 16. Then, the glass substrate G is placed on the transfer device and transferred out of the processing vessel 10.

＜まとめ＞
本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれによれば、昇降ピンに対応する位置において基板処理が不均一になることを抑制できる。 <Summary>
According to the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method of the present disclosure, it is possible to prevent non-uniform substrate processing at positions corresponding to the lift pins.

プラズマ処理装置等の基板処理装置において、昇降ピンと、昇降ピンの周辺部との温度差と電界差によって、エッチングレート及びアッシングレートのそれぞれについて、基板における均一性が低下する。均一性が低下することにより、基板処理を行った場合に、基板に処理むらが発生する。 In substrate processing apparatuses such as plasma processing apparatuses, the temperature difference and electric field difference between the lift pins and the area around the lift pins reduces the uniformity of the etching rate and ashing rate on the substrate. This reduction in uniformity causes uneven processing on the substrate when the substrate is processed.

本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれによれば、昇降ピンのガイド部の底面と、ピン孔の底面とを接触させることにより、ピンと基板載置台との間の熱伝達性を向上できる。ピンと基板載置台との間の熱伝達性が向上することにより、本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれは、昇降ピンと、昇降ピン周辺との温度差を低減できる。 According to the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method of the present disclosure, the bottom surface of the guide portion of the lift pin is brought into contact with the bottom surface of the pin hole, thereby improving the heat transfer between the pin and the substrate mounting table. By improving the heat transfer between the pin and the substrate mounting table, the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method of the present disclosure can reduce the temperature difference between the lift pin and the area around the lift pin.

また、本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれによれば、昇降ピンのヘッド部を大きくすることにより、昇降ピンとピン孔との隙間空間による電界落ち込みを軽減できる。昇降ピンとピン孔との隙間空間による電界落ち込みを軽減することにより、本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれは、昇降ピンと、昇降ピン周辺との電界差を低減できる。 Furthermore, according to the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method of the present disclosure, the head portion of the lift pin is enlarged, thereby reducing the electric field drop caused by the gap between the lift pin and the pin hole. By reducing the electric field drop caused by the gap between the lift pin and the pin hole, the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method of the present disclosure can reduce the electric field difference between the lift pin and the area around the lift pin.

さらに、本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれによれば、昇降ピンのヘッド部を大きくすることにより、昇降ピンとピン孔との間の伝熱ガスによる熱伝達性を向上できる。昇降ピンとピン孔との間で熱伝達性が向上することにより、本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれは、昇降ピンと、昇降ピン周辺との温度差を低減できる。 Furthermore, according to the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method of the present disclosure, the head portion of the lift pin is enlarged, thereby improving the heat transfer by the heat transfer gas between the lift pin and the pin hole. By improving the heat transfer between the lift pin and the pin hole, the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method of the present disclosure can reduce the temperature difference between the lift pin and the area around the lift pin.

さらにまた、本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれによれば、ヘッド部とガイド部との間に弾性部を備えることにより、ガイド部の底面を段差部に接触させた状態で昇降ピンの高さを調整できる。昇降ピンの高さを調整することにより、本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれは、昇降ピンによる電界の影響を低減できる。 Furthermore, according to the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method of the present disclosure, by providing an elastic portion between the head portion and the guide portion, the height of the lift pins can be adjusted with the bottom surface of the guide portion in contact with the step portion. By adjusting the height of the lift pins, the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method of the present disclosure can reduce the effect of the electric field caused by the lift pins.

上述のように、本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれによれば、昇降ピンと昇降ピンの周辺部との温度差及び電界差を低減できる。昇降ピンと昇降ピンの周辺部との温度差及び電界差を低減することにより、本開示の基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法のそれぞれは、昇降ピン周辺における処理むらを低減できる。 As described above, the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method disclosed herein can reduce the temperature difference and electric field difference between the lift pins and the surrounding areas of the lift pins. By reducing the temperature difference and electric field difference between the lift pins and the surrounding areas of the lift pins, the substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method disclosed herein can reduce processing unevenness around the lift pins.

なお、孔径Ｄ１が第１孔径の一例、孔径Ｄ２が第２孔径の一例、径ｄ２が第１ピン径の一例、径ｄ１が第２ピン径の一例、径ｄ３１が第３ピン径の一例、である。円筒部２３ｂ２が第１円筒部の一例、円筒部２３ｃ２が第２円筒部の一例、である。 The hole diameter D1 is an example of a first hole diameter, the hole diameter D2 is an example of a second hole diameter, the diameter d2 is an example of a first pin diameter, the diameter d1 is an example of a second pin diameter, and the diameter d31 is an example of a third pin diameter. The cylindrical portion 23b2 is an example of a first cylindrical portion, and the cylindrical portion 23c2 is an example of a second cylindrical portion.

なお、上記の説明では、ガラス基板Ｇを処理する場合について説明したが、処理する基板は、ガラス基板に限らず、例えば、シリコン、ガリウム又はそれらの合金等により形成される半導体基板等の基板でもよい。 In the above explanation, the case of processing a glass substrate G has been described, but the substrate to be processed is not limited to a glass substrate, and may be, for example, a semiconductor substrate formed of silicon, gallium, or an alloy thereof, or the like.

今回開示された本実施形態に係る基板載置台、基板処理装置及び基板処理方法は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。例えば、上記の説明では、基板処理装置として容量結合型平行平板プラズマエッチング装置の場合について説明したが、誘導結合型プラズマ装置など他の方式のプラズマ装置であってもよい。例えば、誘導結合プラズマ装置に備えられる基板載置台においては、プラズマ生成用の高周波電源は接続されず、基板載置台と対向した位置に配置される誘導結合アンテナに接続される。 The substrate placement table, substrate processing apparatus, and substrate processing method according to the present embodiment disclosed herein should be considered as illustrative in all respects and not restrictive. For example, in the above description, a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus was used as the substrate processing apparatus, but other types of plasma apparatus such as an inductively coupled plasma apparatus may also be used. For example, the substrate placement table provided in the inductively coupled plasma apparatus is not connected to a high frequency power source for generating plasma, but is connected to an inductively coupled antenna located opposite the substrate placement table.

また、基板処理は、エッチング処理に限らず、成膜処理やアッシング処理など他の基板処理であってもよい。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。 The substrate processing is not limited to etching processing, and may be other substrate processing such as film formation processing or ashing processing. The above-described embodiments may be modified and improved in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims. The matters described in the above-described embodiments may be configured in other ways as long as they are not inconsistent, and may be combined as long as they are not inconsistent.

１ 基板処理装置
１０ 処理容器
２０ 基板載置台
２０Ｓ 載置面
２１ 本体部
２１ｇ 冷却ガス孔
２１ｈ ピン孔
２１ｈ１ ピン孔上部
２１ｈ１Ｃ 側面
２１ｈ２ ピン孔下部
２１ｈＳ 底面
２３ 基板昇降部
２３ａ ピン本体部
２３ａ１ 下部
２３ａ２ 上部
２３ａｈ 凹部
２３ａｓ 段差
２３ｂ ヘッド部
２３ｂ１ 頂部
２３ｂ２ 円筒部
２３ｂ３ 凸部
２３ｂｈ 通気口
２３ｃ ガイド部
２３ｃ１ 底部
２３ｃ２ 円筒部
２３ｃｈ 孔
２３ｃＳ 下面
２３ｄ 弾性部
２３ｐ 昇降ピン
２３Ｓ 支持面
３０ 電力供給部
４０ ガス供給部
５０ 排気部
６０ 伝熱ガス供給部 1 Substrate processing apparatus 10 Processing vessel 20 Substrate mounting table 20S Mounting surface 21 Main body 21g Cooling gas hole 21h Pin hole 21h1 Pin hole upper part 21h1C Side surface 21h2 Pin hole lower part 21hS Bottom surface 23 Substrate lifting part 23a Pin main body part 23a1 Lower part 23a2 Upper part 23ah Recess 23as Step 23b Head part 23b1 Top part 23b2 Cylindrical part 23b3 Convex part 23bh Vent 23c Guide part 23c1 Bottom part 23c2 Cylindrical part 23ch Hole 23cS Lower surface 23d Elastic part 23p Lifting pin 23S Support surface 30 Power supply part 40 Gas supply part 50 Exhaust part 60 Heat transfer gas supply part

Claims (10)

基板を載置する載置面を有する基板載置台であって、
前記載置面に開口するピン孔と、
前記ピン孔の内部において昇降し、前記載置面から突没可能な昇降ピンと、を備え、
前記ピン孔は、
第１孔径を有するピン孔上部と、
前記第１孔径よりも小さな第２孔径を有するピン孔下部と、
前記ピン孔上部と前記ピン孔下部とを接続する段差部と、から構成され、
前記昇降ピンは、
前記第２孔径よりも小さな第１ピン径を有する本体部と、
前記本体部の先端に固定され、外径として前記第１孔径よりも小さく前記第２孔径よりも大きな第２ピン径を有するヘッド部と、
前記本体部が貫通する貫通孔を有し、前記ヘッド部に弾性部を介して接続され、外径として前記第２ピン径よりも小さく前記第２孔径よりも大きな第３ピン径を有するガイド部と、から構成され、
前記ヘッド部は、下方に延び前記本体部から離隔する第１円筒部を有し、
前記ガイド部は、上方に延び前記本体部から離隔する第２円筒部を有し、
前記第１円筒部と前記第２円筒部とが、少なくとも一部において互いに変位可能に重ね合わさり、内部にピン内空間を形成し、
前記第１円筒部に、前記ピン孔と前記昇降ピンとの間に形成された隙間空間と前記ピン内空間とが連通可能な通気口を有する、
基板載置台。 A substrate mounting table having a mounting surface on which a substrate is mounted,
A pin hole opening on the mounting surface;
a lift pin that moves up and down inside the pin hole and can protrude and retract from the placement surface,
The pin hole is
a pin hole upper portion having a first hole diameter;
a pinhole lower portion having a second hole diameter smaller than the first hole diameter;
a step portion connecting the upper portion of the pin hole and the lower portion of the pin hole,
The lift pin is
a main body portion having a first pin diameter smaller than the second hole diameter;
a head portion fixed to a tip of the body portion and having an outer diameter of a second pin diameter smaller than the first hole diameter and larger than the second hole diameter;
a guide portion having a through hole through which the main body portion passes, connected to the head portion via an elastic portion, and having a third pin diameter as an outer diameter smaller than the second pin diameter and larger than the second hole diameter;
The head portion has a first cylindrical portion extending downward and spaced from the body portion,
The guide portion has a second cylindrical portion extending upward and spaced apart from the main body portion,
The first cylindrical portion and the second cylindrical portion are at least partially displaceably overlapped with each other to form a pin space therein,
The first cylindrical portion has an air vent that allows a gap space formed between the pin hole and the lift pin to communicate with the pin internal space.
Substrate placement stand. 前記ヘッド部が前記載置面から突出しないように前記昇降ピンを収納した際に、前記ガイド部と前記段差部とが接触するように構成されている、
請求項１に記載の基板載置台。 the guide portion and the step portion are configured to come into contact with each other when the lift pins are stored so that the head portion does not protrude from the placement surface.
The substrate mounting table according to claim 1 . 前記ヘッド部と前記本体部とは分離可能である、
請求項１に記載の基板載置台。 The head portion and the main body portion are separable.
The substrate mounting table according to claim 1 . 基板に処理を施す基板処理装置であって、
内部において前記基板に処理を施す処理容器と、
前記処理容器の内部に備えられ前記基板を載置する載置面を有する基板載置台と、
前記基板載置台に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、を有し、
前記基板載置台は、
前記載置面に開口するピン孔と、
前記ピン孔の内部において昇降し、前記載置面から突没可能な昇降ピンと、を備え、
前記ピン孔は、
第１孔径を有するピン孔上部と、
前記第１孔径よりも小さな第２孔径を有するピン孔下部と、
前記ピン孔上部と前記ピン孔下部とを接続する段差部と、から構成され、
前記昇降ピンは、
前記第２孔径よりも小さな第１ピン径を有する本体部と、
前記本体部の先端に固定され、外径として前記第１孔径よりも小さく前記第２孔径よりも大きな第２ピン径を有するヘッド部と、
前記本体部が貫通する貫通孔を有し、前記ヘッド部に弾性部を介して接続され、外径として前記第２ピン径よりも小さく前記第２孔径よりも大きな第３ピン径を有するガイド部と、から構成され、
前記ヘッド部は、下方に延び前記本体部から離隔する第１円筒部を有し、
前記ガイド部は、上方に延び前記本体部から離隔する第２円筒部を有し、
前記第１円筒部と前記第２円筒部とが、少なくとも一部において互いに変位可能に重ね合わさり、内部にピン内空間を形成し、
前記第１円筒部に、前記ピン孔と前記昇降ピンとの間に形成された隙間空間と前記ピン内空間とが連通可能な通気口を有する、
基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate, comprising:
a processing vessel in which the substrate is processed;
a substrate mounting table provided inside the processing chamber and having a mounting surface on which the substrate is mounted;
a heat transfer gas supply unit that supplies a heat transfer gas to the substrate mounting table,
The substrate mounting table is
A pin hole opening on the mounting surface;
a lift pin that moves up and down inside the pin hole and can protrude and retract from the placement surface,
The pin hole is
a pin hole upper portion having a first hole diameter;
a pinhole lower portion having a second hole diameter smaller than the first hole diameter;
a step portion connecting the upper portion of the pin hole and the lower portion of the pin hole,
The lift pin is
a main body portion having a first pin diameter smaller than the second hole diameter;
a head portion fixed to a tip of the body portion and having an outer diameter of a second pin diameter smaller than the first hole diameter and larger than the second hole diameter;
a guide portion having a through hole through which the main body portion passes, connected to the head portion via an elastic portion, and having a third pin diameter as an outer diameter smaller than the second pin diameter and larger than the second hole diameter;
The head portion has a first cylindrical portion extending downward and spaced from the body portion,
The guide portion has a second cylindrical portion extending upward and spaced apart from the main body portion,
The first cylindrical portion and the second cylindrical portion are at least partially displaceably overlapped with each other to form a pin space therein,
The first cylindrical portion has an air vent that allows a gap space formed between the pin hole and the lift pin to communicate with the pin internal space.
Substrate processing equipment. 前記ヘッド部が前記載置面から突出しないように前記昇降ピンを前記基板載置台に収納した際に、前記ガイド部と前記段差部とが接触するように構成されている、
請求項４に記載の基板処理装置。 the guide portion and the step portion are configured to come into contact with each other when the lift pins are stored in the substrate mounting table so that the head portion does not protrude from the mounting surface.
The substrate processing apparatus according to claim 4 . 前記隙間空間に供給された前記伝熱ガスが前記通気口を介して前記ピン内空間に充填される、
請求項４又は請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。 The heat transfer gas supplied to the gap space is filled into the pin space through the vent hole.
The substrate processing apparatus according to claim 4 or 5. 前記伝熱ガスはヘリウムガスである、
請求項６に記載の基板処理装置。 The heat transfer gas is helium gas.
The substrate processing apparatus according to claim 6 . 前記ヘッド部と前記本体部とは分離可能である、
請求項４に記載の基板処理装置。 The head portion and the main body portion are separable.
The substrate processing apparatus according to claim 4 . 基板処理装置において基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
内部において前記基板に処理を施す処理容器と、
前記処理容器の内部に備えられ前記基板を載置する載置面を有する基板載置台と、
前記基板載置台に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部と、を有し、
前記基板載置台は、
前記載置面に開口するピン孔と、
前記ピン孔の内部において昇降し、前記載置面から突没可能な昇降ピンと、を備え、
前記ピン孔は、
第１孔径を有するピン孔上部と、
前記第１孔径よりも小さな第２孔径を有するピン孔下部と、
前記ピン孔上部と前記ピン孔下部とを接続する段差部と、から構成され、
前記昇降ピンは、
前記第２孔径よりも小さな第１ピン径を有する本体部と、
前記本体部の先端に固定され、外径として前記第１孔径よりも小さく前記第２孔径よりも大きな第２ピン径を有するヘッド部と、
前記本体部が貫通する貫通孔を有し、前記ヘッド部に弾性部を介して接続され、外径として前記第２ピン径よりも小さく前記第２孔径よりも大きな第３ピン径を有するガイド部と、から構成され、
前記ヘッド部は、下方に延び前記本体部から離隔する第１円筒部を有し、
前記ガイド部は、上方に延び前記本体部から離隔する第２円筒部を有し、
前記第１円筒部と前記第２円筒部とが、少なくとも一部において互いに変位可能に重ね合わさり、内部にピン内空間を形成し、
前記第１円筒部に、前記ピン孔と前記昇降ピンとの間に形成された隙間空間と前記ピン内空間とが連通可能な通気口を有し、
前記昇降ピンを前記載置面から突出させ、前記処理容器内に搬入された前記基板を支持する工程と、
前記昇降ピンを下降して前記基板載置台に収納し前記基板を前記載置面に載置する工程と、
前記昇降ピンと前記段差部とを接触させる工程と、
前記伝熱ガス供給部から前記隙間空間に供給された前記伝熱ガスを、前記通気口を介して前記ピン内空間に充填する工程と、
前記基板に前記処理を施す工程と、
を有する基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate in a substrate processing apparatus, comprising:
The substrate processing apparatus includes:
a processing vessel in which the substrate is processed;
a substrate mounting table provided inside the processing chamber and having a mounting surface on which the substrate is mounted;
a heat transfer gas supply unit that supplies a heat transfer gas to the substrate mounting table,
The substrate mounting table is
A pin hole opening on the mounting surface;
a lift pin that moves up and down inside the pin hole and can protrude and retract from the placement surface,
The pin hole is
a pin hole upper portion having a first hole diameter;
a pinhole lower portion having a second hole diameter smaller than the first hole diameter;
a step portion connecting the upper portion of the pin hole and the lower portion of the pin hole,
The lift pin is
a main body portion having a first pin diameter smaller than the second hole diameter;
a head portion fixed to a tip of the body portion and having an outer diameter of a second pin diameter smaller than the first hole diameter and larger than the second hole diameter;
a guide portion having a through hole through which the main body portion passes, connected to the head portion via an elastic portion, and having a third pin diameter as an outer diameter smaller than the second pin diameter and larger than the second hole diameter;
The head portion has a first cylindrical portion extending downward and spaced from the body portion,
The guide portion has a second cylindrical portion extending upward and spaced apart from the main body portion,
The first cylindrical portion and the second cylindrical portion are at least partially displaceably overlapped with each other to form a pin space therein,
the first cylindrical portion has an air vent that allows a gap space formed between the pin hole and the lift pin to communicate with the pin internal space,
a step of supporting the substrate carried into the processing chamber by protruding the lift pins from the placement surface;
a step of lowering the lift pins and storing them in the substrate placement table and placing the substrate on the placement surface;
bringing the lift pin into contact with the step portion;
filling the heat transfer gas supplied from the heat transfer gas supply unit into the gap space through the vent hole into the pin space;
subjecting the substrate to the treatment;
A substrate processing method comprising the steps of: 前記伝熱ガスはヘリウムガスである、
請求項９に記載の基板処理方法。 The heat transfer gas is helium gas.
The substrate processing method according to claim 9 .
JP2023014680A 2023-02-02 2023-02-02 SUBSTRATE PLACING TABLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Pending JP2024110221A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023014680A JP2024110221A (en) 2023-02-02 2023-02-02 SUBSTRATE PLACING TABLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
CN202410097610.1A CN118431059A (en) 2023-02-02 2024-01-23 Substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method
KR1020240009880A KR20240121667A (en) 2023-02-02 2024-01-23 Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023014680A JP2024110221A (en) 2023-02-02 2023-02-02 SUBSTRATE PLACING TABLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024110221A true JP2024110221A (en) 2024-08-15

Family

ID=92029710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023014680A Pending JP2024110221A (en) 2023-02-02 2023-02-02 SUBSTRATE PLACING TABLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2024110221A (en)
KR (1) KR20240121667A (en)
CN (1) CN118431059A (en)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3935303B2 (en) 2000-03-17 2007-06-20 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment device

Also Published As

Publication number Publication date
CN118431059A (en) 2024-08-02
KR20240121667A (en) 2024-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108183058B (en) Mounting table and plasma processing apparatus
TWI754077B (en) Plasma processing device
JP4782733B2 (en) Mounting table and plasma processing apparatus using the same
KR102434559B1 (en) Mounting table and plasma processing apparatus
JP6994981B2 (en) Manufacturing method of plasma processing equipment and mounting table
JP4255747B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
TW202349553A (en) Mounting base, substrate processing device, edge ring, and edge ring transfer method
JP6199638B2 (en) Plasma processing equipment
JP7018801B2 (en) Plasma processing equipment and method of transporting the object to be processed
JP2007273685A (en) Substrate placing stage and substrate processing apparatus
JP6184760B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TWI445119B (en) A substrate stage and a substrate processing device
JP2007277702A (en) Substrate placing stand and substrate treatment apparatus
KR102241740B1 (en) Temperature controlling method and plasma processing apparatus
JP2009187990A (en) Plasma processing apparatus
JPH10223621A (en) Vacuum treating apparatus
JP2021064695A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH06302678A (en) Electrostatic chuck
JP2020126755A (en) Plasma processing apparatus and electrode structure
JP2009076598A (en) Mounting stand structure and treatment equipment
JP2007220926A (en) Apparatus and method for plasma treatment
JP2024110221A (en) SUBSTRATE PLACING TABLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP2010267708A (en) Device and method for vacuum processing
TW202401634A (en) Substrate mounting table, substrate processing apparatus, and substrate processing method
KR20230136530A (en) Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method