JP3822752B2 - Processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は,例えばLCD基板や半導体ウェハ等の基板を載置台で加熱処理する処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に,液晶表示装置(LCD)の製造工程においては,LCD基板の表面に,例えばITO(Indium Tin Oxide)の薄膜や電極パターンを形成するために,半導体製造工程の場合と同様にフォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォトリソグラフィ技術は,LCD基板の表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布工程と,形成されたレジスト膜に回路パターンを露光する露光処理工程と,露光処理後のLCD基板に現像液を供給する現像処理工程とを有している。
【0003】
これらの処理工程のうち,レジスト塗布工程と露光処理工程との間では,レジスト膜中の残留溶剤を蒸発させてLCD基板とレジスト膜との密着性を向上させるための加熱処理工程が行われている。そして,かかる工程の際に使用される加熱処理装置にはLCD基板を所定の温度に加熱可能な加熱載置台が備えられており,加熱載置台には通常,LCD基板を支持するプロキシミティピンが取り付けられている。
【0004】
プロキシミティピン100は図10に示すように,LCD基板Gの裏面を支持する支持部101を有しており,支持部101は先端部が滑らかな球面状及び円錐状に形成されている。かかるプロキシミティピン100がLCD基板Gを支持した際には,図11に示すように,LCD基板Gと加熱載置台103との間に例えば0.2〜0.3mm程度の隙間が形成される。そして,この隙間を伝わる加熱載置台103からの輻射熱によりLCD基板Gに対する所定の加熱処理が行われてきた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,従来では支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が必要となる場合があり,支持部材の肥大化,複雑化を招くおそれがあった。また支持部101の形状により輻射熱が遮られる場合があり,上記輻射熱が図12の矢印で示すようにLCD基板Gの全面に対して均一に伝わらないことがあった。その結果として,LCD基板G上に支持部101の転写跡が残ってしまい,歩留まりの低下を引き起こす場合があった。
【0006】
本発明はかかる点に鑑みて成されたものであり,支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が不要な処理装置を提供する。そして基板に対する均一な加熱処理が可能な新しい処理装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために,請求項1に記載の処理装置は,載置台に設けられた支持部材に基板を支持させた状態で,前記載置台からの輻射熱により当該基板を加熱処理する処理装置において,前記支持部材は,基板を支持する支持部と,該支持部を載置台に取り付ける基台部とから構成されており,前記基台部には,該基台部の略中央に位置しかつ前記支持部を取り付け自在な固定孔と,該固定孔に前記支持部を案内する誘導溝とが設けられたことを特徴としている。
【0008】
かかる構成によれば,支持部を固定孔に嵌入させることにより,支持部を固定孔にしっかりと固定することができる。従って,支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が不要となり,支持部材の肥大化,複雑化を防止することが可能となる。
この際,載置台から基板に対する輻射熱の伝搬を妨げにくくするためには,請求項2のように,前記支持部の直径を1mm以下の柱形状に形成するとよい。
【0009】
また請求項3の発明は,請求項1または2に記載の処理装置において,前記支持部は,熱伝導性の低い材質で形成されたことを特徴としている。
かかる構成によれば,支持部の熱伝導性が低いために,載置台の熱が支持部を通じて基板に伝わることを抑制することができる。従って,基板と支持部との接触部分には熱が過剰に供給されないために,基板に対してより均一な加熱処理を施すことが可能となる。その結果,支持部の転写跡が基板上に残ることをより確実に抑制することが可能となる。
【0010】
請求項4の発明は,請求項1,2または3に記載の処理装置において,前記基台部は,前記載置台と同一の材質で形成されたことを特徴としている。
かかる構成によれば,載置台からの輻射熱の熱量と,基台部からの輻射熱の熱量とがより等しくなる。従って,基板の全面に輻射熱をより均等に行き渡らせることができる。その結果,基板に対してより均一な加熱処理を施すことが可能となる。
【0011】
請求項5の発明は,請求項1,2,3または4に記載の処理装置において,前記基台部の表面は,前記載置台の表面と同色となるように形成されたことを特徴としている。
かかる構成によれば,載置台および基台部からそれぞれ発せられる熱量がより等しくなるために,基板の全面に対して輻射熱をより均等に行き渡らせることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を説明する。この実施の形態は,塗布現像処理装置内に組み込まれた加熱処理装置として具体化されている。なお,図1は塗布現像処理装置の斜視図を,図2は塗布現像処理装置の平面図をそれぞれ示している。
【0014】
塗布現像処理装置1は図1,2に示すように,例えば矩形状のLCD基板Gを搬入出するローダ部2と,LCD基板Gを処理する第1の処理部3と,この第1の処理部3とインターフェイス部4とを介して連設された第2の処理部5と,この第2の処理部5と例えば露光装置(図示せず)との間でLCD基板Gを授受するためのインターフェイス部7から構成されている。
【0015】
ローダ部2にはカセット載置台10が設けられており,このカセット載置台10には,例えば未処理のLCD基板Gを収納するカセット11,11と,処理済みのLCD基板Gが収納されるカセット12,12とがLCD基板Gの出入口を第1の処理部3側に向けて一列に載置自在である。またローダ部2には,LCD基板を搬送自在な副搬送装置13が備えられている。
【0016】
副搬送装置13は搬送レール13aに沿った方向(Y方向)と,各カセット11,12内のLCD基板Gの収納方向(Z方向)に移動自在であり,かつθ方向にも回転自在となるように構成されている。そして,副搬送装置13はLCD基板Gを載置自在な受け渡し台14に対してもアクセス可能となるように構成されている。
【0017】
第1の処理部3には,LCD基板Gに対して所定の処理を施す各種の処理装置が主搬送装置15の搬送レール16を挟んだ両側に配置されている。即ち,搬送レール16の一側には,各カセット11,11から取り出されたLCD基板Gを洗浄するスクラバ洗浄装置17と,LCD基板Gに対して現像処理を施す現像処理装置18とが並んで配置され,搬送レール16の他側には紫外線オゾン洗浄装置19と,LCD基板Gを冷却処理する冷却処理装置20,21と,LCD基板Gを加熱処理する加熱処理装置22とが適宜多段に配置されている。これら各種の処理装置に対するLCD基板Gの搬入出は,主搬送装置15に装備された搬送アーム15aにより行われる。なお,かかる第1の処理部3と後述する第2の処理部5との間に形成された前記インターフェイス部4には,LCD基板Gを載置自在な受け渡し台23が備えられている。
【0018】
第2の処理部5には,主搬送装置25の搬送レール26を挟んだ一側に,塗布・周縁部除去装置27が配置され,この搬送レール26を挟んだ他側には,LCD基板Gに疎水化処理を施す疎水化処理装置28と,LCD基板Gを冷却する冷却処理装置29と,本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置30とが多段に配置されている。なお,上記主搬送装置25には第2の処理部5に属する各種処理装置にLCD基板Gを搬入出する搬送アーム25aが装備されている。
【0019】
インターフェイス部7には塗布現像処理装置1と露光装置(図示せず)とのタクトを調整するために,LCD基板Gを一時的に収納して待機させるカセット31,31と,LCD基板Gを載置自在な受け渡し台32と,各カセット31,31,受け渡し台32,露光装置(図示せず)に対してLCD基板Gを搬送自在な副搬送装置33とが装備されている。
【0020】
塗布現像処理装置1は以上のように構成されている。次に,塗布現像処理装置1に組み込まれた加熱処理装置30について説明する。
【0021】
加熱処理装置30には図3に示すように,主搬送装置25の搬送アーム25aにより搬入されたLCD基板Gを加熱処理する処理室40が形成されている。この処理室40には,LCD基板Gを加熱する発熱体41を内蔵した矩形状の加熱載置台42が備えられている。加熱載置台42はアルミニューム等の材質で形成されており,加熱載置台42の外周側には当該加熱載置台42の周辺部を包囲するシャッタ43が備えられている。
【0022】
シャッタ43は昇降シリンダ44の作動により上下動自在であり,シャッタ43が上昇した際には,シャッタ43と上部中央に排気口45を有するカバー46から垂下したストッパ47とが接触して,処理室40内が気密に維持されるように構成されている。また,ストッパ47には給気口(図示せず)が設けられており,この給気口(図示せず)から処理室40内に流入した空気は上記排気口45から排気されるように構成されている。なお,かかる給気口(図示せず)から流入された空気は処理室40内のLCD基板Gに直接触れないために,LCD基板Gを所定の処理温度で加熱処理することができるように構成されている。
【0023】
また,処理室40内にはLCD基板Gを支持可能な昇降ピン48が備えられている。昇降ピン48はモータ49の駆動で上下動自在に形成されており,LCD基板Gを2点鎖線で示す位置で支持することができるように形成されている。また,この状態から昇降ピン48を下降させると,LCD基板Gは実線で示すように加熱載置台42上に載置される。この際,LCD基板Gはプロキシミティピン51上に支持される。
【0024】
プロキシミティピン51は図4,5に示すように,LCD基板Gの裏面を支持する支持部52と,この支持部52を固定可能な環状の基台部53とから構成されている。
【0025】
支持部52は例えば直径1mm以下の柱形状に形成されており,フッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質から構成されている。そして支持部52の上端は滑らかな曲面に形成されており,支持部52とLCD基板Gとの接触面積が極力小さくなるように構成されている。
【0026】
基台部53は上記加熱載置台42と同じ材料で構成されており,加熱載置台42に設けられた凹部(図示せず)に取り付けられている。そして,加熱載置台42および基台部53の各表面は同色となるように形成されており,加熱載置台42から発せられる輻射熱の熱量と,基台部53から発せられる輻射熱の熱量とが等しくなるように形成されている。
【0027】
さらに基台部53には図6に示すように,上記支持部52の基端部を取り付け自在な円形状の固定孔54と,上記支持部52を固定孔54に誘導する誘導溝55とが形成されている。この固定孔54は基台部53の略中央部に設けられており,固定孔54の直径は支持部52の直径と等しくなるように形成されている。
【0028】
そして,LCD基板Gが支持部52に支持された際には,LCD基板Gと加熱載置台42との間に,例えば0.2〜0.3mmの隙間,いわゆるプロキシミティギャップが形成されるように構成されている。
【0029】
本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置30は以上のように構成されている。次に,加熱処理装置30の作用,効果について説明する。
【0030】
カセット載置台10上に未処理のLCD基板Gを収納したカセット11が載置されると,副搬送装置13がカセット11にアクセスしてLCD基板Gを1枚抜き取る。次いで,副搬送装置13はローダ部2に装備された受け渡し台14までこのLCD基板Gを搬送し,このLCD基板Gを受け渡し台14上に受け渡す。
【0031】
次いで,LCD基板Gは主搬送装置15の搬送アーム15aに保持された状態で紫外線オゾン洗浄装置19に搬送され,LCD基板Gに付着した有機汚染物が除去される。その後,かかるオゾン洗浄が終了したLCD基板Gは主搬送装置15でスクラバ洗浄装置17に搬送されてスクラブ洗浄処理が施された後,再び搬送アーム15aに支持された状態で受け渡し台23に搬送される。
【0032】
受け渡し台23に受け渡されたLCD基板Gは,主搬送装置25の搬送アーム25aに保持された状態で疎水化処理装置28に搬送される。そして,疎水化処理が終了したLCD基板Gは,再び搬送アーム25aに保持された状態で塗布・周縁部除去装置27に搬送される。
【0033】
この塗布・周縁部除去装置27で表面にレジスト膜が形成されると共に,周縁部の不要なレジスト膜が除去される。その後,LCD基板Gは搬送アーム25aに保持された状態で加熱処理装置30に搬送される。
【0034】
この際,LCD基板Gは図7に示すように,下降したシャッタ43の上方から搬送アーム25aと共に処理室40内に進入し,1点鎖線で示す上昇した昇降ピン48上に支持される。そして,搬送アーム25aを処理室40から退出させた後にシャッタ43を上昇させて処理室40内を気密にする。その後,LCD基板Gを昇降ピン48と共に図8の1点鎖線で示した位置から実線の位置まで下降させて,LCD基板Gをプロキシミティピン51上に支持させる。プロキシミティピン51上に支持されたLCD基板Gは,加熱載置台42および基台部53からの輻射熱で加熱処理される。
【0035】
かかる加熱処理が終了した後は,昇降ピン48が上昇すると共にシャッタ43が下降する。次いで,処理室40内に進入した搬送アーム25aが昇降ピン48からLCD基板Gを受け取り,その後,このLCD基板Gと共に処理室40内から退出する。
【0036】
その後,このLCD基板Gは搬送アーム25aに保持された状態で受け渡し台32まで搬送され,受け渡し台32上に受け渡される。そして,受け渡し台32上のLCD基板Gは今度は副搬送装置33で露光装置(図示せず)に搬送された後に所定の露光処理が施される。
【0037】
本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置30では,プロキシミティピン51の支持部52の形状を従来よりも細く形成している。従って,LCD基板Gに対して与えられる輻射熱のうち,支持部52で遮られる輻射熱が減少する。その結果,このLCD基板Gには図9の矢印で示すように,輻射熱が均等に行き渡るために,LCD基板G上に支持部52の転写跡が残ることを従来よりも抑制することが可能となる。
【0038】
また,基台部53は加熱載置台42と同一の材料で形成されており,加熱載置台42の表面と基台部53の表面とは各々同色となるように形成されている。従って,加熱載置台42からの輻射熱の熱量と,基台部53からの輻射熱の熱量とが等しくなるために,LCD基板Gに対して均一な輻射熱を与えることができる。その結果,LCD基板Gに対する均一な加熱処理が可能となる。
【0039】
また,支持部52はフッ素樹脂等の熱伝導性の低い材質で形成されているために,基台部53の熱が支持部52を通じてLCD基板Gに伝わることが抑制される。その結果,LCD基板Gと支持部52との接触部分に過剰な熱が供給されないために,LCD基板Gに対する均一な加熱処理を施すことが可能となる。
【0040】
そして,支持部52と固定孔54の各直径が等しくなるように形成されているために,支持部52を固定孔54に嵌入させた際には,支持部52が基台部53にしっかりと固定される。従って,固定孔54にはフランジ等の別設した固定孔材が不要となり,プロキシミティピン51の複雑化や肥大化を防止することが可能となる。
【0041】
なお,上記の実施の形態では加熱処理装置22を例に挙げて説明したが,本発明はこのような例に限定されず,プロキシミティピンを備えた他の処理装置,例えば疎水化処理装置等についても適用が可能である。また,使用する基板もLCD基板Gに限らず,本発明はCD基板や半導体ウェハ等に対しても適用が可能である。
【0042】
【発明の効果】
本発明によれば,支持部は固定孔に嵌入された状態で固定されるために,支持部を固定するためのフランジ等の固定部材が不要である。従って,支持部材の複雑化や肥大化を防止することが可能となる。また支持部で遮られる輻射熱が従来よりも少なくなるために,基板に対して均一な輻射熱を与えることができる。従って,基板に対して均一な加熱処理を施すことができ,結果的に支持部の転写跡が基板上に残ることを従来よりも抑制することが可能となる。
【0043】
特に請求項3によれば,支持部と基板との接触部分に過剰な熱が供給されないために,基板に対してより均一な加熱処理を施すことが可能となる。
【0044】
特に請求項4,5によれば,基台部からの輻射熱の熱量と,載置台からの輻射熱の熱量とがより等しくなるために,基板に対してより均一な輻射熱を与えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置を有する塗布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
【図2】図1の塗布現像処理装置の平面図である。
【図3】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置の断面図である。
【図4】図3の加熱処理装置に具備されたプロキシミティピンの外観を示す斜視図である。
【図5】図4のプロキシミティピンにLCD基板が支持された様子を示す断面図である。
【図6】図4のプロキシミティピンの基台部に設けられた誘導溝と固定孔とを示す斜視図である。
【図7】図3の加熱処理装置にLCD基板が搬入される様子を示す断面図である。
【図8】図7のLCD基板が加熱載置台に載置される様子を示す断面図である。
【図9】図8のLCD基板に対して輻射熱が伝わる様子を示す断面図である。
【図10】従来のプロキシミティピンの外観を示す説明図である。
【図11】従来のプロキシミティピンにLCD基板が支持された様子を示す断面図である。
【図12】図11のLCD基板に対して輻射熱が伝わる様子を示す断面図である。
【符号の説明】
1 塗布現像処理装置
15,25 主搬送装置
30 加熱処理装置
42 加熱載置台
51 プロキシミティピン
52 支持部
53 基台部
54 固定孔
55 誘導溝[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a processing apparatus that heats a substrate such as an LCD substrate or a semiconductor wafer on a mounting table.
[0002]
[Prior art]
In general, in the manufacturing process of a liquid crystal display device (LCD), in order to form, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) thin film or an electrode pattern on the surface of an LCD substrate, a photolithography technique is used as in the semiconductor manufacturing process. It is used. This photolithography technology includes a resist coating process for applying a resist solution to the surface of an LCD substrate, an exposure processing process for exposing a circuit pattern to the formed resist film, and a development for supplying a developer to the LCD substrate after the exposure process. And processing steps.
[0003]
Among these processing steps, a heat treatment step is performed between the resist coating step and the exposure processing step to evaporate the residual solvent in the resist film and improve the adhesion between the LCD substrate and the resist film. Yes. The heat treatment apparatus used in such a process is provided with a heating table that can heat the LCD substrate to a predetermined temperature. Usually, the heating table has a proximity pin that supports the LCD substrate. It is attached.
[0004]
As shown in FIG. 10, the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, conventionally, a fixing member such as a flange for fixing the support portion may be required, and the support member may be enlarged and complicated. Further, the radiant heat may be blocked by the shape of the
[0006]
The present invention has been made in view of this point, and provides a processing apparatus that does not require a fixing member such as a flange for fixing a support portion. Another object of the present invention is to provide a new processing apparatus capable of performing uniform heat treatment on a substrate.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, a processing apparatus according to claim 1 is a processing apparatus for heat-treating a substrate by radiant heat from the mounting table in a state where the substrate is supported by a support member provided on the mounting table. The support member is composed of a support part for supporting the substrate and a base part for attaching the support part to the mounting table, and the base part is located substantially at the center of the base part. A fixing hole to which the support portion can be attached and a guide groove for guiding the support portion to the fixing hole are provided .
[0008]
According to such a configuration, the support portion can be firmly fixed to the fixing hole by fitting the support portion into the fixing hole. Therefore, a fixing member such as a flange for fixing the support portion is not necessary, and it is possible to prevent the support member from becoming enlarged and complicated.
At this time, in order to make it difficult to prevent the propagation of radiant heat from the mounting table to the substrate, it is preferable to form the support portion in a column shape having a diameter of 1 mm or less, as in
[0009]
According to a third aspect of the present invention, in the processing apparatus according to the first or second aspect, the support portion is formed of a material having low thermal conductivity.
According to this configuration, since the heat conductivity of the support portion is low, it is possible to suppress the heat of the mounting table from being transmitted to the substrate through the support portion. Accordingly, since heat is not excessively supplied to the contact portion between the substrate and the support portion, the substrate can be subjected to more uniform heat treatment. As a result, it is possible to more reliably suppress the transfer trace of the support portion from remaining on the substrate.
[0010]
According to a fourth aspect of the present invention, in the processing apparatus according to the first, second, or third aspect, the base portion is formed of the same material as the mounting table.
According to such a configuration, the amount of radiant heat from the mounting table is more equal to the amount of radiant heat from the base. Accordingly, the radiant heat can be more evenly distributed over the entire surface of the substrate. As a result, a more uniform heat treatment can be performed on the substrate.
[0011]
According to a fifth aspect of the present invention, in the processing apparatus according to the first, second, third, or fourth aspect, the surface of the base portion is formed to have the same color as the surface of the mounting table. .
According to such a configuration, the amounts of heat generated from the mounting table and the base unit become more equal, so that the radiant heat can be more evenly distributed over the entire surface of the substrate.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. This embodiment is embodied as a heat treatment apparatus incorporated in a coating and developing treatment apparatus. 1 is a perspective view of the coating and developing treatment apparatus, and FIG. 2 is a plan view of the coating and developing treatment apparatus.
[0014]
As shown in FIGS. 1 and 2, the coating and developing treatment apparatus 1 includes, for example, a
[0015]
The
[0016]
The
[0017]
In the
[0018]
In the
[0019]
In order to adjust the tact between the coating and developing treatment apparatus 1 and the exposure apparatus (not shown), the
[0020]
The coating and developing treatment apparatus 1 is configured as described above. Next, the
[0021]
As shown in FIG. 3, the
[0022]
The
[0023]
In the processing chamber 40, lifting pins 48 that can support the LCD substrate G are provided. The elevating pins 48 are formed so as to be movable up and down by driving a
[0024]
As shown in FIGS. 4 and 5, the
[0025]
The
[0026]
The
[0027]
Further, as shown in FIG. 6, the
[0028]
When the LCD substrate G is supported by the
[0029]
The
[0030]
When the
[0031]
Next, the LCD substrate G is transported to the ultraviolet
[0032]
The LCD substrate G transferred to the transfer table 23 is transferred to the
[0033]
A resist film is formed on the surface by the coating / peripheral
[0034]
At this time, as shown in FIG. 7, the LCD substrate G enters the processing chamber 40 together with the
[0035]
After the heat treatment is finished, the elevating
[0036]
Thereafter, the LCD substrate G is transported to the delivery table 32 while being held by the
[0037]
In the
[0038]
The
[0039]
Further, since the
[0040]
Since the
[0041]
In the above-described embodiment, the
[0042]
【The invention's effect】
According to the present invention, since the support portion is fixed in a state of being fitted in the fixing hole, a fixing member such as a flange for fixing the support portion is not necessary. Therefore, it is possible to prevent the support member from becoming complicated and enlarged . In addition, since the radiant heat blocked by the support portion is less than that of the prior art, uniform radiant heat can be applied to the substrate. Therefore, uniform heat treatment can be performed on the substrate, and as a result, it is possible to suppress the transfer trace of the support portion from remaining on the substrate.
[0043]
In particular, according to the third aspect, since excessive heat is not supplied to the contact portion between the support portion and the substrate, the substrate can be subjected to more uniform heat treatment.
[0044]
In particular, according to
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing an external appearance of a coating and developing treatment apparatus having a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the coating and developing treatment apparatus of FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a perspective view showing an appearance of a proximity pin provided in the heat treatment apparatus of FIG. 3. FIG.
5 is a cross-sectional view showing a state in which an LCD substrate is supported on the proximity pins of FIG. 4;
6 is a perspective view showing a guide groove and a fixing hole provided in the base portion of the proximity pin of FIG. 4; FIG.
7 is a cross-sectional view showing a state in which an LCD substrate is carried into the heat treatment apparatus of FIG. 3;
8 is a cross-sectional view showing a state in which the LCD substrate of FIG. 7 is placed on a heating placement table.
9 is a cross-sectional view showing how radiant heat is transmitted to the LCD substrate of FIG. 8;
FIG. 10 is an explanatory view showing the appearance of a conventional proximity pin.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a state in which an LCD substrate is supported on a conventional proximity pin.
12 is a cross-sectional view showing a state in which radiant heat is transmitted to the LCD substrate of FIG. 11. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Coating /
Claims (5)
前記支持部材は,基板を支持する支持部と,該支持部を載置台に取り付ける基台部とから構成されており,
前記基台部には,該基台部の略中央に位置しかつ前記支持部を取り付け自在な固定孔と,該固定孔に前記支持部を案内する誘導溝とが設けられたことを特徴とする,処理装置。In a processing apparatus for heat-treating a substrate by radiant heat from the mounting table in a state where the substrate is supported by a support member provided on the mounting table,
The support member includes a support portion that supports the substrate and a base portion that attaches the support portion to the mounting table.
The base portion is provided with a fixing hole positioned substantially at the center of the base portion and to which the supporting portion can be attached, and a guide groove for guiding the supporting portion to the fixing hole. A processing device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17394698A JP3822752B2 (en) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | Processing equipment |
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