JP3504822B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing exposure apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing exposure apparatus

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JP3504822B2
JP3504822B2 JP11038597A JP11038597A JP3504822B2 JP 3504822 B2 JP3504822 B2 JP 3504822B2 JP 11038597 A JP11038597 A JP 11038597A JP 11038597 A JP11038597 A JP 11038597A JP 3504822 B2 JP3504822 B2 JP 3504822B2
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優樹 岩見
譲一 西村
彰彦 森田
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、露光処理された
基板を熱処理しその後に現像処理する基板処理装置、お
よび、基板を露光処理する露光装置に関し、特に、化学
増幅型レジストのように露光処理された基板を加熱処理
することによって反応が促進されるレジストを使用した
フォトリソグラフィ工程により、半導体基板等の基板の
処理を行う基板処理装置、および、基板の露光処理を行
う基板処理用露光装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for heat-treating an exposed substrate and then developing the substrate, and an exposure apparatus for exposing the substrate, and more particularly to an exposure process such as a chemically amplified resist. The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor substrate by a photolithography process using a resist in which a reaction is accelerated by heating the processed substrate, and an exposure apparatus for processing a substrate for exposing the substrate. .

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化に伴っ
て回路パターンを高精細化する技術が求められており、
この要求に応えるために、半導体デバイスの製造工程で
化学増幅型レジストを使用することが行われている。こ
の化学増幅型レジストは、それが塗布された基板を所望
のパターンに露光処理することによりレジスト中に含ま
れた光酸発生剤が酸を発生させ、その後、基板を加熱処
理することにより触媒作用をもつ酸が活性化して、レジ
ストの露光部分における架橋反応(ネガ型の場合)また
は分解反応(ポジ型の場合)が促進される、といったも
のである。そして、加熱処理後に基板を冷却処理してレ
ジストの反応を停止させ、その後に基板を現像処理する
ことによりレジストの未反応部分(ネガ型の場合)また
は反応部分(ポジ型の場合)が現像液で溶解除去され、
所望のレジスト膜が得られる。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been a demand for a technique for making a circuit pattern highly precise as semiconductor devices become highly integrated.
In order to meet this demand, chemical amplification resist is used in the manufacturing process of semiconductor devices. In this chemically amplified resist, the photo-acid generator contained in the resist generates an acid by exposing the substrate coated with the resist to a desired pattern, and then the substrate is subjected to a heat treatment to produce a catalytic action. Is activated, and the crosslinking reaction (in the case of negative type) or the decomposition reaction (in the case of positive type) in the exposed portion of the resist is promoted. Then, after the heat treatment, the substrate is cooled to stop the reaction of the resist, and then the substrate is developed so that the unreacted portion (in the case of a negative type) or the reaction portion (in the case of a positive type) of the resist is a developing solution. Is dissolved and removed by
A desired resist film can be obtained.

【0003】図6に、化学増幅型レジストを使用して基
板の処理を行う従来装置の概略構成例を示す。この例で
は、基板処理装置1と露光装置STとから装置全体が構
成されている。基板処理装置1は、複数枚の基板を収納
可能であるカセット(図示せず)が載置され、処理しよ
うとする基板をカセットから1枚ずつ取り出して搬出す
るとともに、すべての処理を終えた基板を1枚ずつ受け
取って再びカセットに収納するインデクサ部(カセット
ステージ)ID、基板移載用のアームを備えた自走式基
板搬送ロボット(図示せず)が配設された搬送ユニット
TR、基板に対し所定の処理をそれぞれ施す複数の基板
処理部を有する基板処理エリア2、ならびに、露光装置
STとの間で基板の受渡しを行うインタフェース部IF
から構成されている。基板処理エリア2の複数の基板処
理部は、この例では、スピンコータ(図示せず)を備え
たコーティング処理部SC、基板の表面とレジストとの
密着性を良くするためにHMDS(ヘキサメチルジシラ
ザン)の雰囲気下で基板を加熱処理するアドヒージョン
部AH、それぞれホットプレート(図示せず)を備えた
4つの加熱処理部HP1、HP2、HP3、HP4、ホ
ットプレート(図示せず)を備え露光処理された後の基
板を加熱処理(ポストエクスポージャベーク)する加熱
処理部(以下、「ベーク部」という)PEB、それぞれ
クールプレート(図示せず)を備えた4つの冷却処理部
CP1、CP2、CP3、CP4、および、それぞれス
ピンデベロッパ(図示せず)を備えた2つの現像処理部
SD1、SD2である。また、露光装置STは、基板を
露光処理するステッパを備えた露光処理部(図示せず)
を有している。なお、図6では、複数の基板処理部が平
面的に配置されているように描かれているが、アドヒー
ジョン部AH、熱処理部HP1〜HP4およびベーク部
PEBならびに冷却処理部CP1〜CP4は、適宜の
数、上下方向に配置されている(図1および図8におい
ても同じ)。
FIG. 6 shows a schematic configuration example of a conventional apparatus for processing a substrate using a chemically amplified resist. In this example, the substrate processing apparatus 1 and the exposure apparatus ST constitute the entire apparatus. In the substrate processing apparatus 1, a cassette (not shown) that can store a plurality of substrates is placed, the substrates to be processed are taken out one by one from the cassette, and the processed substrates are all processed. The indexer unit (cassette stage) ID for receiving each one by one and storing it again in the cassette, the transport unit TR provided with the self-propelled substrate transport robot (not shown) having the substrate transfer arm, and the substrate On the other hand, a substrate processing area 2 having a plurality of substrate processing units for respectively performing a predetermined process, and an interface unit IF for transferring a substrate to and from the exposure apparatus ST.
It consists of In this example, the plurality of substrate processing units in the substrate processing area 2 are a coating processing unit SC equipped with a spin coater (not shown), and HMDS (hexamethyldisilazane) for improving the adhesion between the substrate surface and the resist. ), An adhesion part AH for heat-treating the substrate, and four heat-treating parts HP1, HP2, HP3, HP4, and hot plates (not shown) each equipped with a hot plate (not shown) are exposed to light. A heat treatment unit (hereinafter, referred to as a "bake unit") PEB that heat-treats (post-exposure bake) the substrate after being heated, four cooling treatment units CP1, CP2, and CP3 each including a cool plate (not shown), CP4 and two development processing sections SD1 and SD2 each equipped with a spin developer (not shown). Further, the exposure apparatus ST has an exposure processing unit (not shown) including a stepper for performing exposure processing on the substrate.
have. In addition, in FIG. 6, although a plurality of substrate processing units are depicted as being arranged in a plane, the adhesion unit AH, the heat treatment units HP1 to HP4, the baking unit PEB, and the cooling processing units CP1 to CP4 are appropriately arranged. Are arranged in the vertical direction (the same applies to FIGS. 1 and 8).

【0004】図6に示した基板処理装置1および露光装
置STにおける基板の処理フローの1例を図7に示す。
この図7に基づいて基板の処理手順を簡単に説明する
と、まず、インデクサ部IDからカセットに収納された
処理前の基板が1枚ずつ搬送ユニットTRへ供給され、
基板搬送ロボットが、アドヒージョン部AH、冷却処理
部CP1、コーティング処理部SC、加熱処理部HP
1、HP2および冷却処理部CP2へと順番に移動しな
がら、それぞれの基板処理部において、先に入っていた
基板を取り出すとともに処理しようとする基板を投入
し、それぞれの基板処理部により基板に対し所要の処理
が施される。これにより、基板の表面にレジスト膜が塗
布形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基
板は、搬送ユニットTRからインタフェース部IFへ渡
され、インタフェース部IFを通して露光装置STへ搬
入される。そして、露光装置STの露光処理部において
基板が露光処理され、露光処理が終了した基板は、露光
装置STからインタフェース部IFへ戻され、インタフ
ェース部IFを通して搬送ユニットTRへ受け渡され
る。
FIG. 7 shows an example of a substrate processing flow in the substrate processing apparatus 1 and the exposure apparatus ST shown in FIG.
The substrate processing procedure will be briefly described based on FIG. 7. First, the unprocessed substrates stored in the cassette are supplied to the transport unit TR one by one from the indexer ID.
The substrate transfer robot includes an adhesion unit AH, a cooling processing unit CP1, a coating processing unit SC, and a heating processing unit HP.
1, while moving to the HP2 and the cooling processing unit CP2 in order, in each of the substrate processing units, the substrate that has been contained in the substrate is taken out and the substrate to be processed is loaded, and the substrate processing unit applies the substrate to the substrate. Required processing is performed. As a result, a resist film is applied and formed on the surface of the substrate. Next, the substrate having the resist film formed on its surface is transferred from the transport unit TR to the interface unit IF and carried into the exposure apparatus ST through the interface unit IF. Then, the substrate is subjected to the exposure processing in the exposure processing section of the exposure apparatus ST, and the substrate subjected to the exposure processing is returned from the exposure apparatus ST to the interface section IF and transferred to the transport unit TR through the interface section IF.

【0005】搬送ユニットTRに戻された露光処理後の
基板は、基板搬送ロボットによってベーク部PEBへ搬
送され、ベーク部PEBにより加熱処理される。この加
熱処理により、上記したように化学増幅型レジストの露
光部分における化学反応が促進される。そして、基板搬
送ロボットによって基板がベーク部PEBから冷却処理
部CP3へ搬送され、冷却処理部CP3で基板が冷却処
理される。この冷却処理により、化学増幅型レジストの
露光部分における反応が停止する。この後に、基板搬送
ロボットが、冷却処理部CP3から現像処理部SD1、
SD2、熱処理部HP3、HP4および冷却処理部CP
4へと順番に移動しながら、それぞれの基板処理部にお
いて、先に入っていた基板を取り出すとともにこれから
処理しようとする基板を投入し、それぞれの基板処理部
により基板に対し所要の処理が施される。これにより、
基板の表面に所望のパターンのレジスト膜が形成され
る。そして、表面に所望パターンのレジスト膜が形成さ
れた基板は、搬送ユニットTRからインデクサ部IDへ
渡され、インデクサ部ID上のカセット内へ収納されて
いく。
The exposed substrate returned to the transport unit TR is transported to the bake unit PEB by the substrate transport robot and heat-treated by the bake unit PEB. By this heat treatment, the chemical reaction in the exposed portion of the chemically amplified resist is promoted as described above. Then, the substrate transfer robot transfers the substrate from the baking unit PEB to the cooling processing unit CP3, and the cooling processing unit CP3 performs the cooling process on the substrate. This cooling process stops the reaction in the exposed portion of the chemically amplified resist. After this, the substrate transfer robot moves from the cooling processing unit CP3 to the development processing unit SD1.
SD2, heat treatment parts HP3 and HP4, and cooling treatment part CP
While sequentially moving to 4, each substrate processing unit takes out the previously placed substrate and inputs the substrate to be processed, and each substrate processing unit performs the required processing on the substrate. It This allows
A resist film having a desired pattern is formed on the surface of the substrate. Then, the substrate on the surface of which the resist film having the desired pattern is formed is transferred from the transport unit TR to the indexer section ID and is stored in the cassette on the indexer section ID.

【0006】また、例えば特開平6−151293号公
報等には、図8に概略構成図を示すように、基板処理装
置3の基板処理エリア4にベーク部PEBおよび冷却処
理部CP3を配置せずに、インタフェース部IFにベー
ク部PEBおよび冷却処理部CP3を配置した構成が開
示されている。このような構成の装置では、露光装置S
Tの露光処理部で露光処理された基板は、露光装置ST
からインタフェース部IFへ渡され、インタフェース部
IFにおいてベーク部PEBにより基板が加熱処理され
て化学増幅型レジストの化学反応が促進され、冷却処理
部CP3により基板が冷却処理されてレジストの反応が
停止させられる。この後、基板は、インタフェース部I
Fから搬送ユニットTRへ戻され、基板処理エリア4に
配置された現像処理部SD1、SD2で現像処理される
ことになる。
Further, for example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-151293, the baking unit PEB and the cooling processing unit CP3 are not arranged in the substrate processing area 4 of the substrate processing apparatus 3 as shown in the schematic block diagram of FIG. Discloses a configuration in which the bake unit PEB and the cooling processing unit CP3 are arranged in the interface unit IF. In the apparatus having such a configuration, the exposure apparatus S
The substrate subjected to the exposure processing by the exposure processing unit of T is the exposure apparatus ST.
To the interface unit IF, the baking unit PEB heats the substrate in the interface unit IF to accelerate the chemical reaction of the chemically amplified resist, and the cooling processing unit CP3 cools the substrate to stop the reaction of the resist. To be After this, the substrate is placed in the interface unit I.
It is returned from F to the transport unit TR and is developed in the development processing sections SD1 and SD2 arranged in the substrate processing area 4.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、化学増幅型
レジストは、上記したように露光処理によってレジスト
内部に酸を発生させ、加熱処理によって酸の触媒作用に
よるレジストの化学反応を促進させるものである。この
ため、雰囲気中にアルカリ物質が存在すると、レジスト
内部に発生した酸が中和され、酸の触媒作用が失活して
レジストの化学反応が阻害されることになる。そこで、
基板処理装置1、3には、その上部全体を覆うように配
設されたクリーンベンチに化学吸着フィルタを設置し
て、雰囲気中からアルカリ物質を除去するようにしてい
る。しかしながら、雰囲気中のアルカリ物質を完全に除
去することは困難である。従って、レジスト中の酸とア
ルカリ物質との中和反応を極力抑えるためには、露光処
理後からベーク部PEBでの加熱処理までの時間を出来
るだけ短くする必要がある。
By the way, as described above, the chemically amplified resist is one in which an acid is generated inside the resist by the exposure treatment and the chemical reaction of the resist by the catalytic action of the acid is promoted by the heat treatment. . Therefore, when the alkaline substance is present in the atmosphere, the acid generated inside the resist is neutralized, the catalytic action of the acid is deactivated, and the chemical reaction of the resist is hindered. Therefore,
In the substrate processing apparatuses 1 and 3, a chemical adsorption filter is installed on a clean bench arranged so as to cover the entire upper part thereof to remove an alkaline substance from the atmosphere. However, it is difficult to completely remove the alkaline substance in the atmosphere. Therefore, in order to suppress the neutralization reaction between the acid and the alkaline substance in the resist as much as possible, it is necessary to shorten the time from the exposure process to the heating process in the baking part PEB as short as possible.

【0008】ところが、図6に示したような従来の装置
では、露光処理された基板は、露光装置STから一旦イ
ンタフェース部IFへ渡され、インタフェース部IF内
を搬送されて、インタフェース部IFから搬送ユニット
TRへ渡され、搬送ユニットTRによりベーク部PEB
へ搬送される。このように、露光処理後の基板をベーク
部PEBへ搬送する過程でインタフェース部IFでの基
板の受け渡し工程が介在するため、露光処理後からベー
ク部PEBでの加熱処理までに時間がかかることにな
る。この結果、加熱処理時における酸の触媒作用が低下
してレジストの化学反応が不十分となり、現像処理した
ときにレジストパターンの形状異状が発生して、製品の
歩留りが低下する、といった問題点がある。
However, in the conventional apparatus as shown in FIG. 6, the exposed substrate is once passed from the exposure apparatus ST to the interface section IF, is transported in the interface section IF, and is transported from the interface section IF. It is transferred to the unit TR, and the baking unit PEB is transferred by the transport unit TR.
Be transported to. As described above, since the substrate transfer process in the interface unit IF is involved in the process of transporting the substrate after the exposure processing to the baking unit PEB, it takes time from the exposure processing to the heating processing in the baking unit PEB. Become. As a result, there is a problem in that the catalytic action of the acid during the heat treatment is reduced and the chemical reaction of the resist becomes insufficient, and when the development treatment is performed, the shape of the resist pattern is irregular and the yield of the product is reduced. is there.

【0009】また、基板処理装置1における基板処理や
基板搬送は、一定の時間により行われるように時間管理
されているが、露光装置STでは、基板の位置合せのた
めの時間などが基板ごとに異なり、時間管理されていな
い。このため、露光装置STへ搬入された基板が露光処
理部で露光処理されてインタフェース部IFとの基板受
け渡し位置へ戻ってくるタイミングは一定でない。一
方、インタフェース部IFにおいては、基板搬送ロボッ
トが、搬送ユニットTRから基板を受け取って、その基
板を露光装置STへ渡し、また、露光処理後の基板を露
光装置STから受け取って、その基板を搬送ユニットT
Rへ渡すようにしている。このため、露光処理された基
板がインタフェース部IFとの基板受け渡し位置へ戻さ
れてくるタイミングが一定でないと、露光装置STから
基板を受け取るために基板受け渡し位置へ基板搬送ロボ
ットが移動してきても、基板受け渡し位置に基板が存在
しないために基板を受け取ることができない場合が起こ
る。また、露光処理を終えた基板が基板受け渡し位置へ
戻されてきても、基板搬送ロボットが基板受け渡し位置
へ未だ到着していない場合もある。この結果、露光処理
が終了してからインタフェース部IFへ基板が渡される
までの時間が基板ごとに異なり、従って、露光処理が終
了してから基板がベーク部PEBへ搬送されるまでの時
間が基板ごとに異なることとなる。
Further, the substrate processing and the substrate transfer in the substrate processing apparatus 1 are time-controlled so as to be performed in a fixed time, but in the exposure apparatus ST, the time for the substrate alignment and the like are different for each substrate. Unlike, it is not time-managed. Therefore, the timing at which the substrate carried into the exposure apparatus ST is subjected to the exposure processing by the exposure processing unit and returned to the substrate transfer position with the interface unit IF is not constant. On the other hand, in the interface unit IF, the substrate transfer robot receives the substrate from the transfer unit TR, transfers the substrate to the exposure apparatus ST, receives the substrate after the exposure processing from the exposure apparatus ST, and transfers the substrate. Unit T
I am trying to hand over to R. Therefore, if the timing at which the exposed substrate is returned to the substrate transfer position with the interface unit IF is not constant, even if the substrate transfer robot moves to the substrate transfer position to receive the substrate from the exposure apparatus ST, There may be a case where the substrate cannot be received because there is no substrate at the substrate transfer position. Further, there is a case where the substrate transfer robot has not yet arrived at the substrate transfer position even if the substrate after the exposure processing is returned to the substrate transfer position. As a result, the time from the end of the exposure process to the delivery of the substrate to the interface unit IF differs depending on the substrate, and thus the time from the end of the exposure process to the transfer of the substrate to the bake unit PEB is the substrate. Each will be different.

【0010】露光装置STの露光処理部とベーク部PE
Bとの間における基板の搬送時間のばらつきがあると、
雰囲気中のアルカリ物質の影響によりレジストの露光部
分における架橋反応または分解反応の進み具合がばらつ
く。この結果、現像処理後におけるレジスト膜上のパタ
ーンの線幅がばらつき、製品の歩留りが大きく低下す
る、といった問題点があった。
Exposure processing section and bake section PE of the exposure apparatus ST
If there is variation in the transfer time of the substrate between B and
Due to the influence of the alkaline substance in the atmosphere, the progress of the crosslinking reaction or the decomposition reaction in the exposed portion of the resist varies. As a result, there has been a problem that the line width of the pattern on the resist film after the development process varies and the product yield is greatly reduced.

【0011】また、露光処理を終えた基板が基板受け渡
し位置へ戻されてきても、インタフェース部IFの基板
搬送ロボットとの受け渡しタイミングが合わない場合に
は、露光処理が終了してから基板がベーク部PEBへ搬
送されるまでの時間が長時間になるという不都合も生じ
ることとなる。
Even if the substrate after the exposure process is returned to the substrate transfer position, if the interface unit IF does not match the transfer timing with the substrate transfer robot, the substrate is baked after the exposure process is completed. There is also an inconvenience that it takes a long time to be transported to the section PEB.

【0012】また、図8に示したようにインタフェース
部IFにベーク部PEBおよび冷却処理部CP3を配置
した構成の装置では、図6に示したような装置に比べる
と、露光処理後からベーク部PEBでの加熱処理までの
時間が多少短縮されるとしても、露光処理された基板
は、露光装置STから一旦インタフェース部IF内をベ
ーク部PEBへ搬送されるので、その分だけ時間を要す
る。また、図8に示した装置においても、露光装置ST
からインタフェース部IFのベーク部PEBへの基板の
搬送は、インタフェース部IFに配設された基板搬送ロ
ボットにより図6に示した装置と同様に行われるので、
やはり、露光装置STの露光処理部とインタフェース部
IFのベーク部PEBとの間における基板の搬送時間の
ばらつきを生じるとともに、露光処理を終えて基板受け
渡し位置へ戻ってきた基板についてインタフェース部I
Fの基板搬送ロボットとの受け渡しタイミングが合わな
い場合には、露光処理が終了してから基板がベーク部P
EBへ搬送されるまでの時間が長時間になるという不都
合も同様に生じることとなる。このため、現像処理後に
おけるレジストパターンの形状異常が発生したり、レジ
スト膜上のパターンの線幅がばらついたりして、製品の
歩留りが低下する、といった問題は依然として解決され
ない。
Further, in the apparatus having the structure in which the baking section PEB and the cooling processing section CP3 are arranged in the interface section IF as shown in FIG. 8, as compared with the apparatus shown in FIG. Even if the time until the heat treatment in the PEB is shortened to some extent, the exposed substrate is once transported from the exposure apparatus ST to the bake unit PEB in the interface unit IF, and therefore, it takes time accordingly. In the apparatus shown in FIG. 8 also, the exposure apparatus ST
The transfer of the substrate from the interface unit IF to the bake unit PEB of the interface unit IF is performed by the substrate transfer robot arranged in the interface unit IF in the same manner as the apparatus shown in FIG.
Similarly, the substrate transfer time varies between the exposure processing unit of the exposure apparatus ST and the bake unit PEB of the interface unit IF, and the interface unit I is applied to the substrate that has finished the exposure process and returned to the substrate transfer position.
If the transfer timing of the substrate F with the substrate transfer robot does not match, the substrate is transferred to the bake unit P after the exposure processing is completed.
The disadvantage that it takes a long time to be transported to the EB similarly occurs. Therefore, problems such as abnormal shape of the resist pattern after the development process and variation of the line width of the pattern on the resist film, resulting in a decrease in product yield, are still unsolved.

【0013】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、露光処理された基板を加熱処理する
までの時間を短縮し、かつ、基板の露光処理が終了して
から加熱処理されるまでの時間の基板間でのばらつきを
無くして、現像処理品質の低下を防ぐとともに現像処理
品質の均一化を図り、製品歩留りを向上させることがで
きる基板処理装置を提供すること、ならびに、露光処理
された基板を加熱処理するまでの時間を短縮し、かつ、
基板の露光処理が終了してから加熱処理されるまでの時
間の基板間でのばらつきを無くして、現像処理品質の低
下を防ぐとともに現像処理品質の均一化を図り、製品歩
留りを向上させることができる露光装置を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and shortens the time until a heat treatment is performed on a substrate that has been subjected to an exposure process, and performs the heat treatment after the substrate has been exposed. To provide a substrate processing apparatus capable of eliminating the variation in the time until being processed between the substrates, preventing the deterioration of the development processing quality and achieving uniform development processing quality, and improving the product yield, and Shortens the time to heat-treat the exposed substrate, and
It is possible to improve the product yield by eliminating the variation in the time from the end of the exposure processing of the substrate to the heat treatment between the substrates, preventing the deterioration of the development processing quality and making the development processing quality uniform. It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus that can be used.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
基板の受け渡しを行うインタフェース部と、少なくと
も、露光処理された基板を現像処理する現像手段を有す
る基板処理部とを備えた基板処理装置において、露光処
理された基板を加熱処理する加熱処理部とこの加熱処理
部により加熱処理された基板を冷却処理する冷却処理部
とから構成された熱処理部、この熱処理部の前記加熱処
理部へ露光処理された基板を搬送する専用の第1の基板
搬送手段、および、前記熱処理部の前記加熱処理部によ
り加熱処理された基板を前記冷却処理部へ搬送するとと
もに前記冷却処理部により冷却処理された基板を前記イ
ンタフェース部へ搬出するための第2の基板搬送手段か
らなる熱処理ユニットと、前記第1の基板搬送手段によ
る前記熱処理部の前記加熱処理部への露光処理終了直後
の基板の搬送に要する搬送時間、および、前記第2の基
板搬送手段による前記加熱処理部から前記冷却処理部へ
の基板の搬送に要する搬送時間、ならびに、前記加熱処
理部および前記冷却処理部における基板の各処理時間が
それぞれ一定に保たれるように制御する制御手段とを設
け、露光処理された基板が、前記熱処理ユニットを経て
前記インタフェース部へ搬送され、そのインタフェース
部から前記基板処理部へ受け渡されて、前記現像手段に
より基板が現像処理されるようにしたことを特徴とす
る。
The invention according to claim 1 is
In a substrate processing apparatus including an interface unit for delivering and receiving a substrate and at least a substrate processing unit having a developing means for developing the exposed substrate, a heat treatment unit for heat-treating the exposed substrate Heat treatment
Cooling unit that cools the substrate that has been heat-treated by the unit
Thermal processing unit that is composed of a, the heating treatment of the heat treatment unit
First substrate transfer means dedicated for conveying the substrate exposed process to management unit, and, in the heating section of the heat treatment unit
When the substrate that has been subjected to reheating treatment is transported to the cooling processing unit,
The heat treatment unit for transporting the substrate, which has been cooled by the cooling processing unit, to the interface unit, and the first substrate transportation unit.
Immediately after the end of the exposure processing of the heat treatment section of the heat treatment section
Transport time required to transport the substrate, and the second substrate
From the heat treatment section to the cooling treatment section by the plate conveying means
Transfer time required to transfer the substrate, and the heating process
Each processing time of the substrate in the processing section and the cooling processing section
And a control means for controlling so that each of the substrates is kept constant , the exposed substrate is conveyed to the interface unit via the heat treatment unit, and transferred from the interface unit to the substrate processing unit. It is characterized in that the substrate is developed by the developing means.

【0015】[0015]

【0016】[0016]

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【0019】 請求項2に係る発明は、基板を露光処理
する露光処理部と、この露光処理部へ基板を搬送する基
板搬送手段とを備えた露光装置において、露光処理され
た基板を加熱処理する加熱処理部とこの加熱処理部によ
り加熱処理された基板を冷却処理する冷却処理部とから
構成された熱処理部、前記露光処理部から前記熱処理
の前記加熱処理部へ露光処理された基板を搬送する専
用の第1の基板搬送手段と、前記熱処理部の前記加熱処
理部により加熱処理された基板を前記冷却処理部へ搬送
するとともに前記冷却処理部により冷却処理された基板
を外部へ搬出するための第2の基板搬送手段と、前記第
1の基板搬送手段による前記熱処理部の前記加熱処理部
への露光処理終了直後の基板の搬送に要する搬送時間、
および、前記第2の基板搬送手段による前記加熱処理部
から前記冷却処理部への基板の搬送に要する搬送時間、
ならびに、前記加熱処理部および前記冷却処理部におけ
る基板の各処理時間がそれぞれ一定に保たれるように制
御する制御手段とを設けたことを特徴とする。
[0019] The invention according to claim 2, the exposure processing section for exposure processing of the substrate, the exposure apparatus and a substrate transport means for transporting the substrate to the exposure processing unit, to heat treatment exposure treated substrate The heat treatment section and this heat treatment section
From the cooling processing unit that cools the heat-treated substrate
And configured heat treated portion, the first substrate transfer means dedicated for conveying the substrate that has been exposed process to heat treatment section of the heat treatment unit from the exposure processing section, said heating treatment of the heat treatment unit
The substrate heated by the processing unit is transferred to the cooling unit.
And second substrate transfer means for unloading the substrate which is cooled process to the outside by the cooling unit as well as the first
1. The heat treatment section of the heat treatment section by the first substrate transfer means.
Transfer time required to transfer the substrate immediately after the exposure process to
And the heat treatment section by the second substrate transfer means.
From the transfer time required to transfer the substrate from the cooling processing unit,
In addition, in the heat treatment section and the cooling treatment section,
The substrate processing time is controlled so that it is kept constant.
A control means for controlling is provided.

【0020】[0020]

【0021】[0021]

【0022】[0022]

【0023】 請求項1に係る発明の基板処理装置で
は、露光処理された基板は、熱処理ユニットに投入さ
れ、第1の基板搬送手段によって熱処理部の加熱処理部
へ搬送され、加熱処理部により加熱処理される。この場
合、第1の基板搬送手段は、熱処理ユニット内において
基板を加熱処理部へ搬送するためだけに使用される。こ
のため、加熱処理部へ基板を投入した第1の基板搬送手
段は、直ちに、露光処理された基板の受け渡し位置へ移
動して、露光処理された基板を受け取るために常に待機
した状態にある。従って、露光処理された基板が基板の
受け渡し位置へ搬送されてくると、その基板は、待機さ
せられることなく第1の基板搬送手段によってそのまま
熱処理部の加熱処理部へ搬送される。このため、露光処
理された基板を加熱処理するまでの時間が短縮され、ま
た、基板の露光処理が終了してから加熱処理されるまで
の時間の基板間でのばらつきが無くなる。従って、化学
増幅型レジストを使用した場合には、雰囲気中のアルカ
リ物質の影響が低減されかつ均一になって、レジストの
化学反応が阻害されることがなくなり、また、化学反応
の進み具合が基板間でばらつくことがなくなる。熱処理
の加熱処理部により加熱処理された基板は、第2の基
板搬送手段により加熱処理部から冷却処理部へ搬送さ
れ、冷却処理部により冷却処理される。そして、制御手
段による制御により、熱処理部の加熱処理部への露光処
理終了直後の基板の搬送に要する搬送時間、および、加
熱処理部から冷却処理部への基板の搬送に要する搬送時
間、換言すると、基板の加熱処理が終了してから冷却処
理が開始されてレジストの化学反応が停止するまでの時
間、ならびに、加熱処理部および冷却処理部における基
板の各処理時間がそれぞれ一定に保たれるので、基板間
での熱処理の履歴の均等化が図られ、処理品質の管理が
容易になって、基板間での処理品質がより均一化する。
熱処理部の冷却処理部により冷却処理された基板は、第
2の基板搬送手段により冷却処理部からインタフェース
部へ搬出され、インタフェース部から基板処理部へ受け
渡されて、現像処理手段により現像処理される。
In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the substrate that has been subjected to the exposure processing is loaded into the thermal processing unit, and is transferred to the heat processing section of the thermal processing section by the first substrate transfer means and heated. Heat treatment is performed by the processing unit . In this case, the first substrate carrying means is used only for carrying the substrate to the heat treatment section in the heat treatment unit . For this reason, the first substrate transfer means that has loaded the substrate into the heat treatment section immediately moves to the delivery position of the exposed substrate, and is always in a standby state for receiving the exposed substrate. Therefore, when the exposed substrate is conveyed to the substrate transfer position, the substrate is directly conveyed to the heat treatment section of the heat treatment section by the first substrate conveyance means without being put on standby. Therefore, the time until the heat treatment of the exposed substrate is shortened, and the time from the completion of the exposure treatment of the substrate to the heat treatment is not varied among the substrates. Therefore, when the chemically amplified resist is used, the influence of the alkaline substance in the atmosphere is reduced and becomes uniform, the chemical reaction of the resist is not hindered, and the progress of the chemical reaction is reduced. There is no variation between them. Transport of the substrate which has been heat treated by the heat treatment section of the heat treatment unit, the heating unit by the second substrate transfer means to the cooling processing unit
Then, the cooling processing unit performs cooling processing. And control hand
The exposure process to the heat treatment part of the heat treatment part is controlled by the step.
The transfer time required to transfer the board immediately after
During transfer required to transfer the substrate from the heat treatment section to the cooling section
In other words, in other words, after the heat treatment of the substrate is completed, the cooling treatment is performed.
When the processing starts and the chemical reaction of the resist stops
Between the heat treatment part and the cooling treatment part.
Since each plate processing time is kept constant,
The history of heat treatment in
It becomes easier and the processing quality between the substrates becomes more uniform.
The substrate cooled by the cooling processing unit of the heat treatment unit is
The second substrate carrying means carries out the cooling processing section to the interface section, transfers it from the interface section to the substrate processing section, and develops it by the developing processing section.

【0024】[0024]

【0025】[0025]

【0026】[0026]

【0027】[0027]

【0028】 請求項2に係る発明の露光装置では、装
置内へ搬入された基板は、基板搬送手段によって露光処
理部へ搬送され、露光処理部により露光処理される。露
光処理された基板は、第1の基板搬送手段によって熱処
理部の加熱処理部へ搬送され、加熱処理部により加熱処
理される。この場合、第1の基板搬送手段は、露光装置
内において基板を熱処理部の加熱処理部へ搬送するため
だけに使用される。このため、熱処理部の加熱処理部
基板を投入した第1の基板搬送手段は、直ちに、露光処
理された基板の受け渡し位置へ移動して、露光処理され
た基板を受け取るために常に待機した状態にある。従っ
て、露光処理された基板が基板の受け渡し位置へ搬送さ
れてくると、その基板は、待機させられることなく第1
の基板搬送手段によってそのまま熱処理部の加熱処理部
へ搬送される。このため、露光処理された基板を加熱処
理するまでの時間が短縮され、また、基板の露光処理が
終了してから加熱処理されるまでの時間の基板間でのば
らつきが無くなる。従って、化学増幅型レジストを使用
した場合には、雰囲気中のアルカリ物質の影響が低減さ
れかつ均一になって、レジストの化学反応が阻害される
ことがなくなり、また、化学反応の進み具合が基板間で
ばらつくことがなくなる。熱処理部の加熱処理部により
加熱処理された基板は、第2の基板搬送手段により加熱
処理部から冷却処理部へ搬送され、冷却処理部により冷
却処理される。そして、制御手段による制御により、熱
処理部の加熱処理部への露光処理終了直後の基板の搬送
に要する搬送時間、および、加熱処理部から冷却処理部
への基板の搬送に要する搬送時間、換言すると、基板の
加熱処理が終了してから冷却処理が開始されてレジスト
の化学反応が停止するまでの時間、ならびに、加熱処理
部および冷却処理部における基板の各処理時間がそれぞ
れ一定に保たれるので、基板間での熱処理の履歴の均等
化が図られ、処理品質の管理が容易になって、基板間で
の処理品質がより均一化する。熱処理部の冷却処理部に
より冷却処理された基板は、第2の基板搬送手段により
冷却処理部から装置外部との基板受け渡し位置へ搬送さ
れる。
In the exposure apparatus according to the second aspect of the present invention, the substrate carried into the apparatus is transferred to the exposure processing section by the substrate transfer means and is subjected to the exposure processing by the exposure processing section. Exposed substrate processed is conveyed to the heating unit of the thermal processing unit by the first substrate transport means, it is heated by the heating unit. In this case, the first substrate carrying means is used only for carrying the substrate to the heat treatment section of the heat treatment section in the exposure apparatus. For this reason, the first substrate transfer means that has loaded the substrate into the heat treatment section of the heat treatment section immediately moves to the delivery position of the substrate subjected to the exposure treatment, and always stands by to receive the substrate subjected to the exposure treatment. It is in. Therefore, when the exposed substrate is conveyed to the substrate transfer position, the substrate is not put on standby, and the first substrate is transferred.
The substrate is directly transferred to the heat treatment section of the heat treatment section . Therefore, the time until the heat treatment of the exposed substrate is shortened, and the time from the completion of the exposure treatment of the substrate to the heat treatment is not varied among the substrates. Therefore, when the chemically amplified resist is used, the influence of the alkaline substance in the atmosphere is reduced and becomes uniform, the chemical reaction of the resist is not hindered, and the progress of the chemical reaction is reduced. There is no variation between them. By the heat treatment section of the heat treatment section
Substrate heated treatment is heated by the second substrate transfer means
It is transferred from the processing unit to the cooling processing unit and cooled by the cooling processing unit.
Will be rejected. Then, by the control by the control means, the heat
Transfer of the substrate immediately after the exposure processing to the heat processing section of the processing section
Transport time required for heating and cooling
Transfer time required to transfer the board to
After the heating process is finished, the cooling process is started and the resist
Time to stop the chemical reaction and heat treatment
Processing time of each substrate in the cooling unit and the cooling unit
Since it is kept constant, the history of heat treatment between substrates is uniform.
And the process quality can be controlled easily,
The processing quality of is more uniform. For the cooling treatment section of the heat treatment section
The substrate that has been further cooled is processed by the second substrate transfer means.
The substrate is transferred from the cooling processing unit to the substrate transfer position with the outside of the apparatus.

【0029】[0029]

【0030】[0030]

【0031】[0031]

【0032】[0032]

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図1ないし図5を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0033】図1は、この発明に係る基板処理装置に露
光装置を連設した装置全体の概略構成図である。この基
板処理装置10は、図6および図8に示した各基板処理
装置1、3と同様、インデクサ部ID、搬送ユニットT
R、複数の基板処理部を有する基板処理エリア12、お
よびインタフェース部IFとを備えて構成されている。
基板処理エリア12には、図8に示した基板処理装置3
と同様に、コーティング処理部SC、アドヒージョン部
AH、4つの加熱処理部HP1〜HP4、3つの冷却処
理部CP1、CP2、CP4、および2つの現像処理部
SD1、SD2が配置されている。そして、この基板処
理装置10には、基板処理エリア12やインタフェース
IFにベーク部PEBおよび冷却処理部CP3を配置す
るのに代えて、基板処理装置10に熱処理ユニット14
を設け、熱処理ユニット14にベーク部PEBおよび冷
却処理部CP3を配置している。この熱処理ユニット1
4は、インタフェースIFと露光装置STとの間に介在
するように、基板処理装置10の、露光装置STと対向
する端部に配設されている。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an entire apparatus in which an exposure apparatus is connected to a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 10 is similar to the substrate processing apparatuses 1 and 3 shown in FIGS.
R, a substrate processing area 12 having a plurality of substrate processing units, and an interface unit IF.
In the substrate processing area 12, the substrate processing apparatus 3 shown in FIG.
Similarly, the coating processing unit SC, the adhesion unit AH, the four heating processing units HP1 to HP4, the three cooling processing units CP1, CP2, CP4, and the two developing processing units SD1 and SD2 are arranged. Then, in the substrate processing apparatus 10, instead of disposing the baking unit PEB and the cooling processing unit CP3 in the substrate processing area 12 and the interface IF, the heat treatment unit 14 is provided in the substrate processing apparatus 10.
And the baking unit PEB and the cooling processing unit CP3 are arranged in the heat treatment unit 14. This heat treatment unit 1
4 is arranged at the end of the substrate processing apparatus 10 facing the exposure apparatus ST so as to be interposed between the interface IF and the exposure apparatus ST.

【0034】インタフェース部IFおよび熱処理ユニッ
ト14の構成の1例を、図3に示した概略平面図により
説明する。まず、インタフェース部IFには、搬送ユニ
ットTR(図1参照)の一端部に対向する位置に、搬送
ユニットTRとの間で基板Wの受け渡しを行う基板受け
渡し部Pが設けられている。基板受け渡し部Pには、複
数本、例えば3本の支持ピン16が植設されている。そ
して、それら支持ピン16上に、搬送ユニットTRの基
板搬送ロボット(図示せず)によって搬送されてきた露
光処理前の基板Wが移載されて支持され、また、支持ピ
ン16上に露光処理済みの基板Wが支持されて、その支
持ピン16上から基板Wを搬送ユニットTRの基板搬送
ロボットが受け取る。この基板受け渡し部Pを挾んで搬
送ユニットTRの一端部と対向する位置に、基板移載用
のアーム20を備えた基板移載ロボット18が配設され
ている。基板移載ロボット18は、そのアーム20が昇
降するとともにその長手方向に伸縮し、さらにアーム2
0が水平面内において180°の角度範囲内で回動する
ように構成されている。
An example of the structure of the interface unit IF and the heat treatment unit 14 will be described with reference to the schematic plan view shown in FIG. First, the interface unit IF is provided with a substrate transfer unit P that transfers a substrate W to and from the transport unit TR at a position facing one end of the transport unit TR (see FIG. 1). A plurality of, for example, three support pins 16 are implanted in the substrate transfer part P. Then, the pre-exposure substrate W transferred by the substrate transfer robot (not shown) of the transfer unit TR is transferred and supported on the support pins 16, and the support pins 16 are exposed. Substrate W is supported, and the substrate transport robot of the transport unit TR receives the substrate W from above the support pins 16. A substrate transfer robot 18 having an arm 20 for transferring a substrate is arranged at a position facing the one end of the transport unit TR across the substrate transfer part P. The substrate transfer robot 18 moves up and down with its arm 20 and expands and contracts in its longitudinal direction.
0 is configured to rotate within an angle range of 180 ° in the horizontal plane.

【0035】また、基板移載ロボット18を挾んで基板
受け渡し部Pと対向する位置に、露光装置STへ露光処
理前の基板Wを渡すための基板搬出用テーブル22が配
設されている。また、基板移載ロボット18に対向し基
板受け渡し部Pおよび基板搬出用テーブル22とそれぞ
れ90°の角度をなす位置に、処理ユニット14から露
光処理済みの基板を受け取るための基板搬入用テーブル
30が配設されている。基板搬出用テーブル22および
基板搬入用テーブル30にはそれぞれ、複数本、例えば
3本の支持ピン26、32が植設されており、それら支
持ピン26、32上に基板Wが支持される。また、基板
搬出用テーブル22および基板搬入用テーブル30には
それぞれ、支持ピン26、32を挾んでその両側に対向
するように配設され互いに離間および接近するように移
動自在に支持された一対のガイド板28a、28b;3
3a、33bから構成された基板センタリング機構が設
けられている。各ガイド板28a、28b;33a、3
3bは、互いに対向する端縁が基板Wの外周縁形状に合
わせてそれぞれ円弧状に形成されており、一対のガイド
板28a、28b;33a、33bが互いに接近したと
きに、各ガイド板28a、28b;33a、33bの円
弧状の端縁が基板Wの外周縁に当接することにより、基
板Wが基板搬出用テーブル22および基板搬入用テーブ
ル30に対し心合わせされて位置決めされるようになっ
ている。
Further, a substrate unloading table 22 for delivering the substrate W before the exposure processing to the exposure apparatus ST is arranged at a position facing the substrate transfer section P with the substrate transfer robot 18 interposed therebetween. In addition, a substrate loading table 30 for receiving the exposed substrate from the processing unit 14 is provided at a position facing the substrate transfer robot 18 and forming an angle of 90 ° with the substrate transfer part P and the substrate unloading table 22, respectively. It is arranged. A plurality of, for example, three support pins 26, 32 are planted in the substrate unloading table 22 and the substrate unloading table 30, respectively, and the substrate W is supported on these support pins 26, 32. A pair of substrate unloading table 22 and substrate unloading table 30 are arranged so as to face both sides of support pins 26 and 32, respectively, and are movably supported so as to be spaced apart from and approach each other. Guide plates 28a, 28b; 3
A substrate centering mechanism composed of 3a and 33b is provided. Each guide plate 28a, 28b; 33a, 3
3b is formed in a circular arc shape so that the opposite edges thereof match the outer peripheral edge shape of the substrate W, and when the pair of guide plates 28a, 28b; 33a, 33b approach each other, the guide plates 28a, 28b; 33a and 33b are brought into contact with the outer peripheral edge of the substrate W so that the substrate W is aligned and positioned with respect to the substrate carry-out table 22 and the substrate carry-in table 30. There is.

【0036】 次に、熱処理ユニット14には、ベーク
部PEBおよび冷却処理部CP3が配設されている。ベ
ーク部PEBと冷却処理部CP3とは、図4に概略正面
図を示すように、上下に配置されている。上段のベーク
部PEBには、ホットプレート34が配設され、そのホ
ットプレート34に穿設された貫通孔(図示せず)を貫
通して上下方向に移動する複数本、例えば3本の支持ピ
ン36が設けられている。そして、ベーク部PEBは、
支持ピン36が上昇した状態において基板Wを受け取
り、その後に支持ピン36が下降することにより、二点
鎖線で示したように基板Wをホットプレート34の上面
に当接もしくは近接させ、その状態で基板Wを加熱処理
する。加熱処理後、支持ピン36が上昇することによ
り、基板Wはホットプレート34の上面から離間し、こ
の状態でベーク部PEBから基板Wが取り出される。ま
た、下段の冷却処理部CP3には、クールプレート38
が配設されており、図示されていないが、ベーク部PE
Bと同様に、クールプレート38に穿設された貫通孔を
貫通して上下方向に移動する複数本、例えば3本の支持
ピンが設けられている。そして、冷却処理部CP3は、
支持ピンが上昇した状態で基板Wを受け取り、その後に
支持ピンが下降して基板Wをクールプレート38の上面
に当接もしくは近接させ、その状態で基板Wを冷却処理
し、冷却処理後、支持ピンが上昇して基板Wをクールプ
レート38の上面から離間させ、この状態で基板Wの取
出しが行われる。なお、ベーク部PEBと冷却処理部
P3とを上下に配置せずに、横方向に並べるようにして
もよい。また、ベーク部PEBと冷却処理部CP3とを
別々に設けずに、ペルチェ素子を用いるなどしてホット
プレートとクールプレートとの両機能をもつプレートを
備えた熱処理部としてもよい。
Next, the heat treatment unit 14 is provided with a bake portion PEB and a cooling treatment portion CP3. The baking unit PEB and the cooling processing unit CP3 are arranged one above the other as shown in the schematic front view of FIG. A hot plate 34 is provided in the upper baking unit PEB, and a plurality of, for example, three support pins that move vertically through a through hole (not shown) formed in the hot plate 34. 36 are provided. And the bake part PEB is
The substrate W is received while the support pins 36 are raised, and then the support pins 36 are lowered to bring the substrates W into contact with or close to the upper surface of the hot plate 34 as indicated by the chain double-dashed line. The substrate W is heat-treated. After the heat treatment, the support pins 36 are lifted to separate the substrate W from the upper surface of the hot plate 34, and in this state, the substrate W is taken out from the bake portion PEB. In addition, the cooling plate CP3 in the lower stage has a cool plate 38
Although not shown, the baking part PE is provided.
Similar to B, a plurality of, for example, three support pins that vertically move through the through holes formed in the cool plate 38 are provided. Then, the cooling processing unit CP3
The substrate W is received with the support pins raised, and then the support pins are lowered to bring the substrate W into contact with or close to the upper surface of the cool plate 38, cool the substrate W in that state, and after the cooling process, support the substrate W. The pins are raised to separate the substrate W from the upper surface of the cool plate 38, and the substrate W is taken out in this state. The baking unit PEB and the cooling processing unit C
P3 and P3 may not be arranged vertically but may be arranged in the horizontal direction. Further, instead of separately providing the baking unit PEB and the cooling processing unit CP3, it is possible to use a Peltier element or the like as a heat treatment unit including a plate having both functions of a hot plate and a cool plate.

【0037】 また、熱処理ユニット14には、基板搬
送ユニット40が設けられており、基板搬送ユニット4
0には、それぞれ基板移載用のアーム44、48を備え
た2台の基板搬送ロボット42、46が配設されてい
る。各基板搬送ロボット42、46のアーム44、48
はそれぞれ、昇降するとともにその長手方向に伸縮し、
さらに水平面内において回動する。また、一方の基板搬
送ロボット42は、露光装置STの基板搬出位置に対向
する位置とベーク部PEB(冷却処理部CP3)の前方
位置との間を直線的に往復移動する移動機構を有してお
り、他方の基板搬送ロボット46は、冷却処理部CP3
(ベーク部PEB)の前方位置とインタフェース部IF
の基板搬入用テーブル30に対向する位置との間を直線
的に往復移動する移動機構を有している。そして、基板
搬送ロボット42は、露光装置STから露光処理後の基
板Wを受け取って、その基板Wをベーク部PEBに投入
する。また、基板搬送ロボット46は、ベーク部PEB
により加熱処理された基板Wをベーク部PEBから取り
出して、その基板Wを冷却処理部CP3へ投入し、ま
た、冷却処理部CP3により冷却処理された基板Wを冷
却処理部CP3から取り出して、インタフェース部IF
の基板搬入用テーブル30へ搬送する。そして、基板搬
送ロボット42により露光処理終了直後の基板Wをベー
ク部PEBへ搬送する搬送時間、ベーク部PEBにおい
て基板Wを加熱処理する処理時間、基板搬送ロボット4
6によりベーク部PEBから冷却処理部CP3へ基板W
を搬送する搬送時間、ならびに、冷却処理部CP3にお
いて基板Wを冷却処理する処理時間は、図示しないコン
トローラによりそれぞれ一定に保たれるように制御され
るようになっている。
A substrate transfer unit 40 is provided in the heat treatment unit 14, and the substrate transfer unit 4 is provided.
At 0, two substrate transfer robots 42 and 46 equipped with substrate transfer arms 44 and 48 are arranged. Arms 44 and 48 of each substrate transfer robot 42 and 46
Each move up and down and expand and contract in the longitudinal direction,
Furthermore, it rotates in a horizontal plane. Further, one of the substrate transfer robots 42 has a moving mechanism that linearly reciprocates between a position facing the substrate unloading position of the exposure apparatus ST and a front position of the baking unit PEB (cooling processing unit CP3 ). And the other substrate transfer robot 46 uses the cooling processing unit CP3.
Front position of (bake part PEB) and interface part IF
It has a moving mechanism that linearly reciprocates between the position facing the substrate loading table 30 and the position. Then, the substrate transport robot 42 receives the substrate W after the exposure processing from the exposure device ST and puts the substrate W into the baking unit PEB. In addition, the substrate transfer robot 46 uses the baking unit PEB.
The heat-treated substrate W is removed from the baking unit PEB, was charged with the substrate W to the cooling unit CP3, also takes out the substrate W that is cooled processed by the cooling unit CP3 from the cooling unit CP3, interface Department IF
The substrate carrying table 30 is carried. The substrate transport robot 42 transports the substrate W immediately after the exposure processing to the bake unit PEB, the heat treatment time of the substrate W in the bake unit PEB, the substrate transport robot 4
Substrate W from bake part PEB to cooling process part CP3 by 6
And a processing time for cooling the substrate W in the cooling processing unit CP3 are controlled by a controller (not shown) so as to be kept constant.

【0038】 図3に示したインタフェース部IFおよ
び熱処理ユニット14における動作を説明すると、表面
にレジスト膜が形成された露光処理前の基板Wが搬送ユ
ニットTRからインタフェース部IFの基板受け渡し部
Pへ搬送されてきて支持ピン16上に支持されると、基
板Wは、基板移載ロボット18によって基板搬出用テー
ブル22の支持ピン26上へ移し替えられ、一対のガイ
ド板28a、28bによって位置決めされる。そして、
基板Wは、露光装置STの基板搬送機構(図示せず)に
より支持ピン26上から露光装置STへ受け渡され、露
光装置STの露光処理部(図示せず)へ投入される。露
光処理部による露光処理が終了すると、露光処理後の基
板Wは、露光装置STの基板搬送機構によって露光装置
STの基板搬出位置へ搬送され、熱処理ユニット14の
基板搬送ロボット42により、露光装置STの基板搬出
位置からベーク部PEBへ搬送される。そして、露光処
理後の基板Wは、ベーク部PEBにより加熱処理された
後、基板搬送ロボット46によってベーク部PEBから
冷却処理部CP3へ搬送され、加熱処理後の基板Wが冷
却処理される。露光処理され加熱および冷却処理された
基板Wは、基板搬送ロボット46によって冷却処理部
P3からインタフェース部IFの基板搬入テーブル30
へ搬送されて支持ピン32上に支持される。そして、露
光処理済みの基板Wは、一対のガイド板33a、33b
によって位置決めされた後、基板移載ロボット18によ
って支持ピン32上から基板受け渡し部Pの支持ピン1
6上へ移し替えられ、搬送ユニットTRの基板搬送ロボ
ット(図示せず)によりインタフェース部IFから搬出
されて、現像処理部SD1、SD2(図1参照)へ搬送
される。
The operation of the interface unit IF and the heat treatment unit 14 shown in FIG. 3 will be described. The pre-exposure substrate W having a resist film formed on its surface is transferred from the transfer unit TR to the substrate transfer unit P of the interface unit IF. When the substrate W is supported on the support pins 16, the substrate W is transferred onto the support pins 26 of the substrate unloading table 22 by the substrate transfer robot 18, and positioned by the pair of guide plates 28a and 28b. And
The substrate W is transferred from the support pins 26 to the exposure device ST by a substrate transport mechanism (not shown) of the exposure device ST, and is input to the exposure processing unit (not shown) of the exposure device ST. When the exposure processing by the exposure processing unit is completed, the substrate W after the exposure processing is transferred to the substrate unloading position of the exposure apparatus ST by the substrate transfer mechanism of the exposure apparatus ST, and the substrate transfer robot 42 of the thermal processing unit 14 causes the exposure apparatus ST to be exposed. From the substrate unloading position to the baking unit PEB. Then, the substrate W after the exposure processing is heat-treated by the baking unit PEB, and then transferred from the baking unit PEB to the cooling processing unit CP3 by the substrate transfer robot 46, and the substrate W after the heating processing is cooled. Exposure to heating and cooling processed substrates W, the cooling unit C by the substrate transfer robot 46
From P3 to the board loading table 30 of the interface unit IF
And is supported on the support pins 32. Then, the substrate W that has been subjected to the exposure processing has a pair of guide plates 33a and 33b
After being positioned by the substrate transfer robot 18, the support pins 1 of the substrate transfer part P are moved from above the support pins 32 by the substrate transfer robot 18.
6, and is carried out from the interface section IF by the substrate carrying robot (not shown) of the carrying unit TR and carried to the developing processing sections SD1 and SD2 (see FIG. 1).

【0039】図1に示した基板処理装置10および露光
装置STにおける基板の処理フローを図2に示す。この
図2に基づいて基板の処理手順を説明すると、まず、イ
ンデクサ部IDからカセットに収納された処理前の基板
が1枚ずつ搬送ユニットTRへ供給される。搬送ユニッ
トTRへ供給された基板は、アドヒージョン部AH、冷
却処理部CP2、コーティング処理部SC、加熱処理部
HP1、HP2および冷却処理部CP2へと順番に搬送
されながら、それぞれの基板処理部により所要の処理が
施される。これにより、基板の表面にレジスト膜が塗布
形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基板
は、搬送ユニットTRからインタフェース部IFへ渡さ
れ、上記したような動作によりインタフェース部IFを
通して露光装置STへ搬入される。そして、露光装置S
Tの露光処理部において基板が露光処理され、露光処理
が終了した基板は、露光装置STから熱処理ユニット1
4へ搬入される。熱処理ユニット14内へ搬入された露
光処理後の基板は、上記したような動作により、ベーク
部PEBで加熱処理された後冷却処理部CP3で冷却処
理され、その後に、インタフェース部IFへ戻され、イ
ンタフェース部IFを通して搬送ユニットTRへ受け渡
される。搬送ユニットTRに戻された露光処理済みの基
板は、現像処理部SD1、SD2、熱処理部HP3、H
P4および冷却処理部CP4へと順番に搬送されなが
ら、それぞれの基板処理部により所要の処理が施され
る。これにより、基板の表面に所望のパターンのレジス
ト膜が形成され、表面に所望パターンのレジスト膜が形
成された基板は、搬送ユニットTRからインデクサ部I
Dへ渡され、インデクサ部ID上のカセット内へ収納さ
れていく。
FIG. 2 shows a substrate processing flow in the substrate processing apparatus 10 and the exposure apparatus ST shown in FIG. The substrate processing procedure will be described with reference to FIG. 2. First, the unprocessed substrates stored in the cassette are supplied to the transport unit TR one by one from the indexer ID. The substrate supplied to the transport unit TR is required by each substrate processing unit while being sequentially transported to the adhesion unit AH, the cooling processing unit CP2, the coating processing unit SC, the heating processing units HP1 and HP2, and the cooling processing unit CP2. Is processed. As a result, a resist film is applied and formed on the surface of the substrate. Next, the substrate having the resist film formed on its surface is transferred from the transport unit TR to the interface section IF, and is carried into the exposure apparatus ST through the interface section IF by the above-described operation. Then, the exposure apparatus S
The substrate is subjected to the exposure processing in the exposure processing unit of T, and the substrate subjected to the exposure processing is transferred from the exposure apparatus ST to the heat treatment unit 1
It is carried to 4. The substrate after the exposure processing carried into the heat treatment unit 14 is heat-treated by the baking unit PEB and then cooled by the cooling treatment unit CP3 by the above-described operation, and then returned to the interface unit IF. It is delivered to the transport unit TR through the interface unit IF. The exposed substrate that has been returned to the transport unit TR is subjected to the development processing sections SD1 and SD2 and the heat processing sections HP3 and H.
While being sequentially transported to P4 and the cooling processing unit CP4, a required processing is performed by each substrate processing unit. As a result, a resist film having a desired pattern is formed on the surface of the substrate, and the substrate having the resist film having the desired pattern formed on the surface is transferred from the transport unit TR to the indexer unit I.
It is transferred to D and stored in the cassette on the indexer ID.

【0040】次に、図5により、この発明に係る露光装
置について説明する。図5は、この発明の実施形態の1
例を示す露光装置の概略平面図である。
Next, the exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a first embodiment of the present invention.
It is a schematic plan view of the exposure apparatus which shows an example.

【0041】 この露光装置50は、ベーク部PEBお
よび冷却処理部CP3をそれ自体に備えており、ベーク
部PEBおよび冷却処理部CP3が設けられていない基
板処理装置に連設されて使用される。露光装置50に
は、ステッパ(図示せず)が設けられた露光処理部5
2、および、基板処理装置のインタフェース部IFから
露光処理前の基板Wを受け取ってその基板Wを露光処理
部52へ投入する基板搬送ロボット56を備えた基板搬
送ユニット54の他に、それぞれ基板移載用のアーム6
0、64を備えた2台の基板搬送ロボット58、62が
配設されている。各基板搬送ロボット58、62のアー
ム60、64はそれぞれ、昇降するとともにその長手方
向に伸縮し、さらに水平面内において回動する。また、
一方の基板搬送ロボット58は、露光処理部52との基
板受け渡し位置とベーク部PEB(冷却処理部CP3
の前方位置との間を直線的に往復移動する移動機構を有
しており、他方の基板搬送ロボット62は、冷却処理部
CP3(ベーク部PEB)の前方位置とインタフェース
部IFへの基板Wの搬出を行う基板搬出位置との間を直
線的に往復移動する移動機構を有している。そして、基
板搬送ロボット58は、露光処理部から取り出された露
光処理後の基板Wを直ちに受け取って、その基板Wをベ
ーク部PEBに投入する。また、基板搬送ロボット62
は、ベーク部PEBにより加熱処理された基板Wをベー
ク部PEBから取り出して、その基板Wを冷却処理部
P3へ投入し、また、冷却処理部CP3により冷却処理
された基板Wを冷却処理部CP3から取り出して、基板
処理装置のインタフェース部IFとの境界位置である基
板搬出位置へ搬送する。そして、基板搬送ロボット58
により露光処理部52から取り出された直後の基板Wを
ベーク部PEBへ搬送する搬送時間、ベーク部PEBに
おいて基板Wを加熱処理する処理時間、基板搬送ロボッ
ト62によりベーク部PEBから冷却処理部CP3へ基
板Wを搬送する搬送時間、ならびに、冷却処理部CP3
において基板Wを冷却処理する処理時間は、図示しない
コントローラによりそれぞれ一定に保たれるように制御
される。
The exposure apparatus 50 is provided with a baking unit PEB and a cooling processing unit CP3, and is used by being connected to a substrate processing apparatus that is not provided with the baking unit PEB and the cooling processing unit CP3. The exposure device 50 includes a stepper (not shown) in the exposure device 50.
2, and the substrate transfer unit 54 including the substrate transfer robot 56 that receives the substrate W before the exposure processing from the interface unit IF of the substrate processing apparatus and inputs the substrate W into the exposure processing unit 52, and also transfers the substrate. Mounting arm 6
Two substrate transfer robots 58 and 62 having 0 and 64 are provided. The arms 60 and 64 of the respective substrate transfer robots 58 and 62 move up and down, expand and contract in the longitudinal direction, and further rotate in the horizontal plane. Also,
The substrate transfer robot 58 on one side transfers the substrate to the exposure processing unit 52 and the baking unit PEB (cooling processing unit CP3 ).
Of the cooling processing unit.
It has a moving mechanism that linearly reciprocates between a front position of CP3 (baking unit PEB) and a substrate unloading position for unloading the substrate W to the interface unit IF. Then, the substrate transfer robot 58 immediately receives the substrate W after the exposure processing taken out from the exposure processing unit, and puts the substrate W into the baking unit PEB. In addition, the substrate transfer robot 62
Retrieves a substrate W which has been heat treated by baking unit PEB from baking unit PEB, the cooling processing unit C of the substrate W
And poured into P3, also takes out the substrate W cooling treatment by the cooling unit CP3 from the cooling unit CP3, transported to the substrate carry-out position is a boundary position between the interface unit IF of the substrate processing apparatus. Then, the substrate transfer robot 58
The transfer time for transferring the substrate W immediately after being taken out from the exposure processing section 52 to the bake section PEB by the processing, the processing time for heating the substrate W in the bake section PEB, and the baking section PEB to the cooling processing section CP3 by the substrate transfer robot 62. The transfer time for transferring the substrate W and the cooling processing unit CP3
In, the processing time for cooling the substrate W is controlled by a controller (not shown) so as to be kept constant.

【0042】図5に示した露光装置50においては、基
板搬送ロボット58は、露光処理部52により露光処理
された基板Wをベーク部PEBへ搬送するためだけに使
用される。このため、基板搬送ロボット58は、ベーク
部PEBへ基板Wを投入すると直ちに、露光処理部52
との基板受け渡し位置へ移動し、常に、露光処理部52
から次の基板Wが取り出されてくるのを待機している。
従って、露光処理部52により露光処理された基板Wが
基板受け渡し位置へ搬送されると、その基板Wは、待機
させられることなく基板搬送ロボット58によってその
ままベーク部PEBへ搬送される。このため、露光処理
部52による基板Wの露光処理が終了してからベーク部
PEBによる基板Wの加熱処理が行われるまでの時間が
極めて短縮され、また、その間における搬送時間が基板
間でばらつくことが無くなる。
In the exposure apparatus 50 shown in FIG. 5, the substrate transfer robot 58 is used only to transfer the substrate W exposed by the exposure processing unit 52 to the baking unit PEB. Therefore, the substrate transfer robot 58 immediately puts the substrate W into the baking unit PEB, and immediately thereafter, the exposure processing unit 52.
The substrate is moved to the substrate transfer position with the exposure processing unit 52.
It waits for the next substrate W to be taken out from.
Therefore, when the substrate W subjected to the exposure processing by the exposure processing unit 52 is transported to the substrate delivery position, the substrate W is directly transported to the baking unit PEB by the substrate transportation robot 58 without being put on standby. Therefore, the time from the end of the exposure processing of the substrate W by the exposure processing unit 52 to the heating processing of the substrate W by the baking unit PEB is extremely shortened, and the transfer time during that time varies between the substrates. Disappears.

【0043】なお、上記実施形態の露光装置において
は、露光処理部からの露光処理後の基板Wの取出しとベ
ーク部PEBへの基板Wの搬送とを別の基板搬送手段に
より行う例を示したが、これを1台の基板搬送手段によ
り実現するようにしてもよい。この場合にも、露光処理
が終了してからベーク部PEBによる基板Wの加熱処理
が行われるまでの時間を従来より短縮することができ
る。
In the exposure apparatus of the above embodiment, an example is shown in which the substrate W after the exposure processing is taken out from the exposure processing section and the substrate W is transferred to the bake section PEB by another substrate transfer means. However, this may be realized by one substrate transfer means. In this case as well, the time from the end of the exposure processing to the heating processing of the substrate W by the baking unit PEB can be shortened as compared with the conventional case.

【0044】[0044]

【発明の効果】請求項1に係る発明の基板処理装置を使
用すると、露光処理された基板を加熱処理するまでの時
間が短縮され、かつ、基板の露光処理が終了してから加
熱処理されるまでの時間の基板間でのばらつきが無くな
るので、化学増幅型レジストを使用したような場合に
は、雰囲気中のアルカリ物質の影響が低減されかつ均一
になって、レジストの化学反応が阻害されたり、化学反
応の進み具合が基板間でばらついたりすることがなくな
る。従って、現像処理品質の低下を防ぐとともに現像処
理品質の均一化を図ることができ、この結果、製品歩留
りが向上することとなる。そして、基板間での熱処理の
履歴の均等化が図られ、処理品質の管理が容易になっ
て、基板間での処理品質がより均一化する。
When the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention is used, the time taken to heat-treat an exposed substrate is shortened, and the substrate is heat-treated after the exposure process is completed. Since there is no variation between the substrates in the time until, the influence of the alkaline substance in the atmosphere is reduced and becomes uniform when the chemically amplified resist is used, and the chemical reaction of the resist is hindered. , The progress of chemical reaction does not vary between substrates. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the development processing quality and to make the development processing quality uniform, and as a result, the product yield is improved. And the heat treatment between the substrates
Equalization of history facilitates management of processing quality
As a result, the processing quality between the substrates becomes more uniform.

【0045】[0045]

【0046】[0046]

【0047】[0047]

【0048】[0048]

【0049】 請求項2に係る発明の露光装置を使用す
ると、露光処理された基板を露光処理部から受け取って
加熱処理するまでの時間が極めて短縮され、かつ、基板
の露光処理が終了してから加熱処理されるまでの時間の
基板間でのばらつきが無くなるので、化学増幅型レジス
トを使用したような場合には、雰囲気中のアルカリ物質
の影響が低減されかつ均一になって、レジストの化学反
応が阻害されたり、化学反応の進み具合が基板間でばら
ついたりすることがなくなる。従って、現像処理品質の
低下を防ぐとともに現像処理品質の均一化を図ることが
でき、この結果、製品歩留りが向上することとなる。そ
して、基板間での熱処理の履歴の均等化が図られ、処理
品質の管理が容易になって、基板間での処理品質が均一
化する。そして、基板間での熱処理の履歴の均等化が図
られ、処理品質の管理が容易になって、基板間での処理
品質がより均一化する。
When the exposure apparatus according to the second aspect of the present invention is used, the time from receiving the exposed substrate from the exposure processing unit to performing the heat treatment is extremely shortened, and after the substrate exposure processing is completed. Since there is no variation between substrates in the time until heat treatment, when using a chemically amplified resist, the effect of the alkaline substance in the atmosphere is reduced and becomes uniform, and the chemical reaction of the resist Is prevented, and the progress of chemical reaction does not vary between substrates. Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the development processing quality and to make the development processing quality uniform, and as a result, the product yield is improved. Then, the history of the heat treatment is made uniform among the substrates, the management of the processing quality is facilitated, and the processing quality is made uniform between the substrates. In addition, it is possible to make the history of heat treatment uniform between substrates.
This makes it easier to control the processing quality and allows processing between substrates.
Quality becomes more uniform.

【0050】[0050]

【0051】[0051]

【0052】[0052]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明に係る基板処理装置に露光装置を連設
した装置全体の概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an entire apparatus in which an exposure apparatus is connected to a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1に示した基板処理装置および露光装置にお
ける基板の処理フローを示すである。
FIG. 2 is a diagram showing a substrate processing flow in the substrate processing apparatus and the exposure apparatus shown in FIG .

【図3】図1に示した基板処理装置のインタフェース部
および熱処理ユニットの構成の1例を示す概略平面図で
ある。
3 is a schematic plan view showing an example of a configuration of an interface unit and a heat treatment unit of the substrate processing apparatus shown in FIG.

【図4】図1に示した基板処理装置の熱処理ユニットに
おけるベーク部および冷却処理部の構成の1例を示す概
略正面図である。
4 is a schematic front view showing an example of the configurations of a bake unit and a cooling treatment unit in the heat treatment unit of the substrate processing apparatus shown in FIG.

【図5】この発明に係る露光装置の1実施形態を示す概
略平面図である。
FIG. 5 is a schematic plan view showing an embodiment of the exposure apparatus according to the present invention.

【図6】従来の基板処理装置の1例を示す概略構成図で
ある。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing an example of a conventional substrate processing apparatus.

【図7】図6に示した基板処理装置および露光装置にお
ける基板の処理フローを示すである。
7 is a diagram showing a substrate processing flow in the substrate processing apparatus and the exposure apparatus shown in FIG .

【図8】従来の基板処理装置の別の例を示す概略構成図
である。
FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing another example of a conventional substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板処理装置 12 基板処理エリア 14 熱処理ユニット 18 基板移載ロボット 22 基板搬出用テーブル 30 基板搬入用テーブル 40 基板搬送ユニット 42、46、56、58、62 基板搬送ロボット 50 露光装置 52 露光処理部 54 基板搬送ユニット ID インデクサ部 TR 搬送ユニット IF インタフェース部 SC コーティング処理部 AH アドヒージョン部 HP1〜HP4 加熱処理部 CP1〜CP4 冷却処理部 PEB 露光処理後の基板を加熱する加熱処理部(ベー
ク部) SD1、SD2 現像処理部 ST 露光装置 P 基板受け渡し部
10 Substrate Processing Apparatus 12 Substrate Processing Area 14 Heat Treatment Unit 18 Substrate Transfer Robot 22 Substrate Loading Table 30 Substrate Loading Table 40 Substrate Transfer Units 42, 46, 56, 58, 62 Substrate Transfer Robot 50 Exposure Device 52 Exposure Processing Section 54 Substrate transport unit ID Indexer unit TR Transport unit IF interface unit SC Coating unit AH Adhesion unit HP1 to HP4 Heat treatment unit CP1 to CP4 Cooling unit PEB Heat treatment unit (bake unit) SD1 and SD2 for heating the substrate after exposure processing Development processing unit ST Exposure device P Substrate transfer unit

フロントページの続き (72)発明者 今西 保夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西事業 所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西事業 所内 (72)発明者 西村 譲一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西事業 所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西事業 所内 (72)発明者 川本 隆範 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大 日本スクリーン製造株式会社 洛西事業 所内 (56)参考文献 特開 平7−142356(JP,A) 特開 平6−151293(JP,A) 特開 平8−255750(JP,A) 特開 平8−316130(JP,A) 特開 平7−153662(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 H01L 21/68 Front page continuation (72) Inventor Yasuo Imanishi 322 Hazashishi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dai Nippon Screen Mfg. Co., Ltd.Rakusai Plant (72) Inventor Yuki Iwami 322 Hazushi-Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dai Nippon Screen Mfg. Co., Ltd. Inside the Rakusai Plant (72) Inventor, Jouichi Nishimura 322, Hazushi, Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Dai Nippon Screen Mfg. Co., Ltd. Inside the Rakusai Plant (72), Akihiko Morita, 322, Hazushi, Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto Nippon Screen Mfg. Co., Ltd. Rakusai Plant (72) Inventor Takanori Kawamoto 322, Fukumi-ku, Fushimi-ku, Kyoto Large Futagawa-cho 322, Nippon Screen Mfg. Co., Ltd. Rakusai Plant (56) ) JP-A-6-151293 (JP, A) JP-A-8-255750 (JP, A) JP-A-8-316130 (JP, A) JP-A-7-153662 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/027 H01L 21/68

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 基板の受け渡しを行うインタフェース部
と、 少なくとも、露光処理された基板を現像処理する現像手
段を有する基板処理部と、を備えた基板処理装置におい
て、 露光処理された基板を加熱処理する加熱処理部とこの加
熱処理部により加熱処理された基板を冷却処理する冷却
処理部とから構成された熱処理部、この熱処理部の前記
加熱処理部へ露光処理された基板を搬送する専用の第1
の基板搬送手段、および、前記熱処理部の前記加熱処理
部により加熱処理された基板を前記冷却処理部へ搬送す
るとともに前記冷却処理部により冷却処理された基板を
前記インタフェース部へ搬出するための第2の基板搬送
手段からなる熱処理ユニットと、 前記第1の基板搬送手段による前記熱処理部の前記加熱
処理部への露光処理終了直後の基板の搬送に要する搬送
時間、および、前記第2の基板搬送手段による前記加熱
処理部から前記冷却処理部への基板の搬送に要する搬送
時間、ならびに、前記加熱処理部および前記冷却処理部
における基板の各処理時間がそれぞれ一定に保たれるよ
うに制御する制御手段と を設け、 露光処理された基板を、前記熱処理ユニットを経て前記
インタフェース部へ搬送し、そのインタフェース部から
前記基板処理部へ受け渡して、前記現像手段により基板
を現像処理するようにしたことを特徴とする基板処理装
置。
And 1. A interface unit for transferring the substrate, at least the heat treatment in the substrate processing apparatus and a substrate processing unit having a developing means for developing the exposed treated substrate, exposed treated substrate Heat treatment part and
Cooling that cools the substrate that has been heat-treated by the heat treatment unit
A heat treatment section composed of a treatment section, and the heat treatment section described above.
Dedicated first for carrying the exposed substrate to the heat treatment section
Substrate transfer means, and the heat treatment of the heat treatment section
The substrate that has been heat-treated by the processing section to the cooling processing section
And a heat treatment unit including second substrate transfer means for carrying out the substrate cooled by the cooling processing part to the interface part, and the heating of the heat treatment part by the first substrate transfer means.
Transport required for transporting the substrate immediately after the exposure process to the processing unit
Time and the heating by the second substrate transfer means
Transfer required to transfer the substrate from the processing unit to the cooling processing unit
Time, and the heat treatment unit and the cooling treatment unit
The processing time for each substrate in
A control means for controlling the substrate is provided, and the exposed substrate is conveyed to the interface section through the heat treatment unit, and is transferred from the interface section to the substrate processing section, and the substrate is developed by the developing section. A substrate processing apparatus characterized in that
【請求項2】 基板を露光処理する露光処理部と、 この露光処理部へ基板を搬送する基板搬送手段と、を備
えた露光装置において、 露光処理された基板を加熱処理する加熱処理部とこの加
熱処理部により加熱処理された基板を冷却処理する冷却
処理部とから構成された熱処理部と、 前記露光処理部から前記熱処理部の前記加熱処理部へ露
光処理された基板を搬送する専用の第1の基板搬送手段
と、 前記熱処理部の前記加熱処理部により加熱処理された基
板を前記冷却処理部へ搬送するとともに前記冷却処理部
により冷却処理された基板を外部へ搬出するための第2
の基板搬送手段と、 前記第1の基板搬送手段による前記熱処理部の前記加熱
処理部への露光処理終了直後の基板の搬送に要する搬送
時間、および、前記第2の基板搬送手段による前記加熱
処理部から前記冷却処理部への基板の搬送に要する搬送
時間、ならびに、前記加熱処理部および前記冷却処理部
における基板の各処理時間がそれぞれ一定に保たれるよ
うに制御する制御手段とを設けたことを特徴とする基板
処理用露光装置
Bei 2. A exposure processing unit for exposure processing of the substrate, and a substrate conveying means for conveying the substrate to the exposure processing unit, the
In this exposure apparatus, a heat treatment unit that heat-treats the exposed substrate and this
Cooling that cools the substrate that has been heat-treated by the heat treatment unit
A heat treatment section including a treatment section; and the exposure treatment section exposing the heat treatment section of the heat treatment section.
Dedicated first substrate transfer means for transferring the optically processed substrate
And a substrate heat-treated by the heat treatment unit of the heat treatment unit.
The plate is conveyed to the cooling processing unit and the cooling processing unit
Second for carrying out the substrate cooled by
Substrate transfer means and the heating of the heat treatment section by the first substrate transfer means.
Transport required for transporting the substrate immediately after the exposure process to the processing unit
Time and the heating by the second substrate transfer means
Transfer required to transfer the substrate from the processing unit to the cooling processing unit
Time, and the heat treatment unit and the cooling treatment unit
The processing time for each substrate in
And a control means for controlling
Exposure equipment for processing .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020036251A (en) * 2000-11-09 2002-05-16 윤종용 Equpiment for farbricating semiconductor
JP2004342654A (en) 2003-05-13 2004-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing apparatus
JP2006228776A (en) * 2005-02-15 2006-08-31 Advantest Corp Charged particle beam aligner and charged particle beam exposure method
JP4965925B2 (en) * 2006-07-26 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 Substrate processing system
US7679714B2 (en) * 2006-10-12 2010-03-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, combination of lithographic apparatus and processing module, and device manufacturing method
JP5270108B2 (en) * 2007-05-21 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
US8636458B2 (en) 2007-06-06 2014-01-28 Asml Netherlands B.V. Integrated post-exposure bake track

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