JP3657186B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、LCD基板等の基板を加熱して処理する加熱処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ(LCD)の製造においては、ガラス製の矩形LCD基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形成される。従来から、このような一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備えたレジスト塗布・現像処理システムが用いられている。
【0003】
このレジスト塗布・現像処理システムにおいては、基板にフォトレジストを塗布した後、あるいは現像の前後において、加熱処理ユニットにより基板に加熱処理を施している。このような加熱処理ユニットでは、熱板上に基板を直接載置するコンタクトベーク、または熱板と基板との間にわずかなギャップを設けて加熱するプロキシミティベークが採用されている。これらのうちプロキシミティベーク処理は、熱板上に基板を直接載置しないので、基板が帯電することによる製品不良が回避されるという利点がある。
【0004】
しかしながら、従来の加熱処理ユニットでは、構造上、基板や熱板の面内温度が均一になりにくいという問題がある。特に、上記プロキシミティベークの場合に、面内温度分布の均一性が悪化しやすい。この問題を解決するために、密閉気密構造にして温度分布均一性を向上させた加熱処理装置を加熱処理ユニットとして使用することが考えられるが、加熱処理装置を密閉気密構造にすると、フォトレジスト膜からの昇華物や揮発物が溜まり易くなり、かつ、装置のメンテナンスが困難になるため、実用には適さない。
【0005】
そこで、熱板と天井部との間になされる加熱処理空間をシャッターによって開閉可能に構成し、シャッターと熱板との間に若干の隙間を設けた状態で排気を行なう加熱処理装置が加熱処理ユニットとして用いられている。この加熱処理装置では、シャッターと熱板との隙間から外気を導入しながら排気を行ってレジスト昇華物等が加熱処理空間に溜まることを防止し、さらに、開閉可能な囲繞部材によってメンテナンスを容易に行なえるように構成されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のような加熱処理装置においては、シャッターと熱板との間の隙間から導入された外気が熱板や基板の熱を奪って、これらの温度均一性を悪化させやすいという問題がある。特に、このような加熱処理装置をLCD基板の加熱処理に用いた場合には、熱板や基板の四隅が冷えやすくなり、基板は四隅の温度が低い特徴的な温度分布を示し、温度均一性が悪くなる。
【0007】
この問題を解決するべく、上記の加熱処理装置においては、さらにカバー部材とシャッターとの間に隙間を設けて、ここから外気を取り込むようにし、熱板とシャッターとの間の隙間から流入する外気の量を減少させるという対策がとられている。しかし、このような対策をとると、基板が外気(ダウンフロー)の影響を受けやすくなり、温度分布の安定性が悪くなるという問題がある。特に、この場合には複数の加熱処理装置間の個体差が出やすい。
【0008】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、装置内にレジスト昇華物等が溜まりにくく、外気の侵入によって被処理基板の温度分布が不安定になることを防止することができ、被処理基板の温度を高精度に制御することができる加熱処理装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点によれば、
その上またはその上方に被処理基板が載置され、被処理基板を加熱する熱板と、
熱板の上方に規定される被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、
前記囲繞部材により加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板の周囲を略密閉するシール機構と、
前記加熱処理空間において外周から中央に向かう気流を形成する気流形成手段と
を具備し、
前記囲繞部材は昇降可能に配置されていて、上昇時に前記加熱処理空間を囲繞することを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【0010】
このような構成によれば、熱板の周囲を略密閉して熱板の周囲の隙間からの外気の侵入を防止しているので、不所望の外気の侵入によって被処理基板の温度にバラツキが生じたり温度分布が不安定になることを防止することができ、しかも、加熱処理空間に外周から中央へ向かう気流を形成するので、被処理基板の温度を均一にすることができる。したがって、基板温度を高精度に制御することができる。また、形成される気流により昇華物の溜まりも防止することができる。また、上記の囲繞部材は昇降可能に配置し、上昇時に加熱処理空間を囲繞可能に構成することにより、加熱処理を行う際には囲繞部材を上昇させて加熱処理空間を囲繞することができ、かつ、メンテナンスを行う際には囲繞部材を下降させることにより装置のメンテナンス性を向上することができる。
【0011】
本発明者らは、先に、熱板の周囲を略密閉して、熱板の中央から外周へ向かう気流を形成する加熱処理装置を提案しており、これにより被処理基板の温度分布を均一・安定にし、かつ基板温度を高精度化することができるとしている。しかし、中央から外周へ向かう気流を形成することによってある程度の効果は得られるものの、中央から外周へ向かう気流を形成すると基板の長手方向中央に空気が偏って流れやすく、排気のバランスがとりにくいため、基板周縁部の長辺中央部分で、局部的な温度低下が生じる場合があることが判明した。そこで本発明では、外周から中央へ向かう気流を形成することにより排気バランスをとりやすくしてこのような基板の局部的な温度低下を防止し、高精度の温度制御を実現している。
【0012】
この加熱処理装置の気流形成手段としては、前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間に外気を導入するための外気導入部と、前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間を排気するための排気部と、前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機構と、前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配置され、その中央に開口が形成された第1の整流板とを有し、前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導入された外気は前記第1の整流板の上面に沿って前記加熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第1の整流板の下面に沿って前記加熱処理空間の外周側から中央に至り、前記第1の整流板の開口を介して前記排気部から排気されるものを好適に用いることができる。
【0013】
このような気流形成手段を用いることにより、加熱処理空間に外周から中央へ向かう気流を有効に形成することができ、また、排気を行いながら外気を導入することができるので、加熱処理空間内におけるレジスト昇華物等の溜まりを極めて効果的に防止することができる。
【0014】
また、上記の気流形成手段の第1の整流板と熱板との間に、第1の整流板の開口と対向するように配置された第2の整流板を設けることにより、開口周辺における空気の流れを整えることができ、被処理基板や熱板の温度を均一化するとともに高精度で制御することができる。
【0015】
本発明の第2の観点によれば、
その上またはその上方に被処理基板が載置され、被処理基板を加熱する熱板と、
熱板の上方に規定される被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、
前記囲繞部材により加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板の周囲を略密閉するシール機構と、
前記加熱処理空間において外周から中央に向かう気流を形成する気流形成手段と
を具備し、
前記気流形成手段は、
前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間に外気を導入するための外気導入部と、
前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間を排気するための排気部と、
前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機構と、
前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配置され、その中央に開口が形成された第1の整流板と
を有し、
前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導入された外気は前記第1の整流板の上面に沿って前記加熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第1の整流板の下面に沿って前記加熱処理空間の外周側から中央に至り、前記第1の整流板の開口を介して前記排気部から排気され、
前記気流形成手段は、前記第1の整流板と前記熱板との間に、前記整流板に形成された開口と対向するように配置された第2の整流板を有することを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【0016】
上記気流形成手段においては、第1の整流板の熱板側の面に反射率の高い表面仕上げを施すことにより、被処理基板を熱板側からと整流板側からとの両面から加熱することができ、被処理基板の加熱を効率よく行なうことができる。
【0017】
上記第2の整流板においては、熱板側の面には反射率の低い表面仕上げを施すことにより、第2の整流板が熱板からの熱を反射して被処理基板に局部的な高温部が生じることを防止することができる。
【0018】
さらに、加熱処理空間の上方をカバー部材によって覆い、シール機構で熱板の下方の隙間およびカバー部材と囲繞部材との間の隙間をふさいだ構成とすることができる。これにより、熱板の周囲における外気の侵入を防止することができる。
【0019】
さらにまた、熱板からの熱を反射する反射板を熱板の下面と側面とを覆うように配置することにより、熱板からの熱を有効に加熱処理に利用することができる。この場合には、シール機構で反射板と囲繞部材との間の隙間をふさぐことにより、熱板の周囲における外気の侵入を有効に防止することができる。
【0020】
シール機構としては、反射板の外周側と囲繞部材の内周側下部とに配置され、囲繞部材を上昇させた際に相互に係合する一対の係合部材と、カバー部材下部と囲繞部材上部とに配置され、囲繞部材を上昇させた際に相互に当接する一対の当接部材とを有するものが例示される。
【0021】
上記シール機構においては、係合部材の少なくとも一方に、他方の係合部材と係合する位置に弾性部材を配置するとともに、当接部材の少なくとも一方に、他方の当接部材と当接する位置に弾性部材を配置することにより、加熱処理空間への外気の侵入を有効に防ぐことができる。
【0022】
本発明の第3の観点によれば、
その上またはその上方に被処理基板が配置され、被処理基板を加熱する熱板と、
熱板の上方に規定された被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、
前記加熱処理空間の上方を覆うカバー部材と、
前記囲繞部材により前記加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板と前記囲繞部材との間の隙間および前記カバー部材と前記囲繞部材との間の隙間をふさぐシール機構と、
前記カバー部材の外側中央部に設けられ、外気を導入するための外気導入部および前記加熱処理空間を排気するための排気部を有するダクト部材と、
前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機構と、
前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配置され、その中央に開口が形成された第1の整流板と
を具備し、
前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導入された外気は前記第1の整流板の上面に沿って前記加熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第1の整流板の下面に沿って前記加熱処理空間の外側から中央に至り、前記第1の整流板の開口を介して前記ダクト部材の排気部から排気され、
前記囲繞部材は昇降可能に配置されていて、上昇時に前記加熱処理空間を囲繞することを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【0023】
このような構成によれば、加熱処理空間をシール機構によって略密閉した状態で、ダクト部材の排気部を介して加熱処理空間の排気を行なうとともに外気導入部から外気を導入し、第1の整流板の下面に沿って外周から中央へ向かう気流を形成するので、排気バランスがとりやすくなり、基板の温度分布を不安定にすることなく加熱処理空間の雰囲気を外気で置換してレジスト昇華等の溜まりを防止することができ、また、被処理基板の温度を均一にして、基板温度を高精度に制御することができる。また、上記の囲繞部材は昇降可能に配置し、上昇時に加熱処理空間を囲繞可能に構成することにより、加熱処理を行う際には囲繞部材を上昇させて加熱処理空間を囲繞することができ、かつ、メンテナンスを行う際には囲繞部材を下降させることにより装置のメンテナンス性を向上することができる。
【0024】
ここで、第1の整流板と熱板との間に、第1の整流板の開口と対向するように第2の整流板を配置して、加熱処理空間からの空気が第1の整流板と第2の整流板との隙間を通って第1の整流板の開口へ流れるようにすることが好ましい。これにより第1の整流板の開口周辺における空気の流れを整えることができ、基板温度が不均一になることを防止することができる。
【0025】
本発明の第4の観点によれば、
その上またはその上方に被処理基板が配置され、被処理基板を加熱する熱板と、
前記熱板の上方に規定された被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、
前記加熱処理空間の上方を覆うカバー部材と、
前記囲繞部材により前記加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板と前記囲繞部材との間の隙間および前記カバー部材と前記囲繞部材との間の隙間をふさぐシール機構と、
前記カバー部材の外側中央部に設けられ、外気を導入するための外気導入部および前記加熱処理空間を排気するための排気部を有するダクト部材と、
前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機構と、
前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配置され、その中央に開口が形成された第1の整流板と
を具備し、
前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導入された外気は前記第1の整流板の上面に沿って前記加熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第1の整流板の下面に沿って前記加熱処理空間の外側から中央に至り、前記第1の整流板の開口を介して前記ダクト部材の排気部から排気され、
前記第1の整流板と熱板との間に、前記第1の整流板に形成された開口と対向するように配置された第2の整流板をさらに具備し、前記排気機構を作動させた際に、前記加熱処理空間からの空気が前記第1の整流板と前記第2の整流板との隙間を通って前記第1の整流板の開口へ流れることを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【0026】
上記ダクト部材は、中央に加熱処理空間につながる筒状部材を有し、加熱処理空間からの空気がこの筒状部材を経て排気部から排気され、外気導入部から導入された空気は筒状部材の外側を通って加熱処理空間に供給されるように構成することができる。これにより、加熱処理空間からの空気の排気と、加熱処理空間への空気の導入とを有効に行い、加熱処理空間に所望の気流を形成することができる。
【0027】
また、カバー部材と第1の整流板との間に通流路が形成され、外気導入部から導入された外気がこの通流路を通って加熱処理空間に至るように構成することにより、外気を通流路で暖めた後に加熱処理空間に供給することができ、外気が基板や熱板の温度に与える影響をさらに小さくすることができるので、基板や熱板の温度を高精度に制御する上で好ましい。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明が適用されるLCD基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
このレジスト塗布・現像処理システムは、複数のLCD基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイス部3とを備えており、処理部2の両端にそれぞれカセットステーション1およびインターフェイス部3が配置されている。
【0029】
カセットステーション1は、カセットCと処理部2との間でLCD基板Gの搬送を行うための搬送機構10を備えている。そして、カセットステーション1においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機構10はカセットCの配列方向に沿って設けられた搬送路10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板Gの搬送が行われる。
【0030】
処理部2は、前段部2aと中段部2bと後段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送路12、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部15、16が設けられている。
【0031】
前段部2aは、搬送路12に沿って移動可能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射ユニット(UV)と冷却処理ユニット(COL)とが2段に重ねられた処理ブロック25、加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック26および冷却処理ユニット(COL)が2段に重ねられてなる処理ブロック27が配置されている。
【0032】
また、中段部2bは、搬送路13に沿って移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22および基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、搬送路13の他方側には、加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック28、加熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねられてなる処理ブロック29、およびアドヒージョン処理ユニット(AD)と冷却処理ユニット(COL)とが上下に重ねられてなる処理ブロック30が配置されている。
【0033】
さらに、後段部2cは、搬送路14に沿って移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14の一方側には、3つの現像処理ユニット24a、24b、24cが配置されており、搬送路14の他方側には加熱処理ユニット(HP)が2段に重ねられてなる処理ブロック31、およびともに加熱処理ユニット(HP)と冷却処理ユニット(COL)が上下に重ねられてなる処理ブロック32、33が配置されている。
【0034】
なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット21a、レジスト塗布処理ユニット(CT)22、現像処理ユニット(DEV)24aのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【0035】
また、中継部15、16のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うためのスペース35が設けられている。
【0036】
上記主搬送装置17,18,19は、それぞれ水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、および垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Gを支持する搬送アーム17a,18a,19aを有している。
【0037】
上記主搬送装置17は、搬送機構10の搬送アーム11との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、前段部2aの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部15との間で基板Gの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置18は中継部15との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、中段部2bの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらには中継部16との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置19は中継部16との間で基板Gの受け渡しを行うとともに、後段部2cの各処理ユニットに対する基板Gの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部3との間の基板Gの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部15、16は冷却プレートとしても機能する。
【0038】
インターフェイス部3は、処理部2との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション36と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板Gの搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構38はエクステンション36およびバッファステージ37の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39により処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われる。
【0039】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【0040】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの処理ブロック25の紫外線照射ユニット(UV)で表面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット(COL)で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)21a,21bでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック26のいずれかの加熱処理ユニット(HP)で加熱乾燥された後、処理ブロック27のいずれかの冷却処理ユニット(COL)で冷却される。
【0041】
その後、基板Gは中段部2bに搬送され、レジストの定着性を高めるために、処理ブロック30の上段のアドヒージョン処理ユニット(AD)にて疎水化処理(HMDS処理)され、下段の冷却処理ユニット(COL)で冷却後、レジスト塗布処理ユニット(CT)22でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット(ER)23で基板Gの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Gは、中段部2bの中の加熱処理ユニット(HP)の一つでプリベーク処理され、処理ブロック29または30の下段の冷却処理ユニット(COL)で冷却される。
【0042】
その後、基板Gは中継部16から主搬送装置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、必要に応じて後段部2cの処理ブロック31,32,33のいずれかの加熱処理ユニット(HP)でポストエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット(DEV)24a,24b,24cのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれかの加熱処理ユニット(HP)にてポストベーク処理が施された後、いずれかの冷却処理ユニット(COL)にて冷却され、主搬送装置19,18,17および搬送機構10によってカセットステーション1上の所定のカセットCに収容される。
【0043】
次に、上記レジスト塗布・現像処理システムの処理ブロック26,28、31,32,33において用いられる、本発明の加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)について説明する。図2は、本発明の第1の実施形態に係る加熱処理ユニットの模式的断面図である。図3は図2のA−A断面を上から見た状態を示す概略図、図4は図2のB−B断面を上から見た状態を示す概略図である。
【0044】
図2から図4に示すように、この加熱処理ユニット(HP)は、主として、レジスト塗布・現像処理システムの搬送路12、13または14側に面して開口部60aを有するケース60と、ケース60内に収納された基板Gを加熱する熱板41と、ケース60の上方を覆うように配置されたカバー部材57と、カバー部材57と熱板41の間に形成される加熱処理空間65を囲繞可能なシャッター(囲繞部材)48と、加熱処理空間65の上方に熱板41と対向して配置された、第1の整流板54および第2の整流板55と、外気導入部59および排気部58を有するダクト部材66と、排気部58に接続された排気管58aに設けられた排気機構76とを有している。これらのうち、外気導入部59、排気部58、排気機構76、第1の整流板54、および第2の整流板55で後述する気流を形成する気流形成手段を構成している。なお、第2の整流板55は、開口53近傍で気流に乱れが生じることを防止するとともに、開口53が基板Gや熱板41の温度分布に悪影響を及ぼすることを防止するために、補助的に設けられるものであり、後述する気流を形成するために必須なものではない。
【0045】
前記熱板41は、例えば、アルミニウム合金等で構成されており、基板Gの形状に合わせて上面が長方形に形成されている。熱板41の裏面側には、図示しないヒーターおよび温度センサが埋設されており、温度センサにより検出した温度を図示しない制御部に伝達し、これに応じてヒーターの発熱量を調節することで、熱板41の温度は例えば120〜150℃の所定の温度に保たれるようになっている。
【0046】
熱板41には、例えば9つの貫通穴43が設けられている。これらの貫通穴43には、それぞれ基板Gを支持するための支持ピン44が貫挿されている。支持ピン44は、熱板41の下方に設けられた保持部材46により保持されている。保持部材46は、保持部材昇降機構47に接続されている。したがって、保持部材昇降機構47により保持部材46を昇降させることにより、支持ピン44は熱板41の表面に対して突没可能となっている。
【0047】
そして、この加熱処理ユニット(HP)装置と搬送アーム17a、18a、19aとの間で基板Gの受け渡しを行なう際には、保持部材昇降機構47により保持部材46を上昇させ、支持ピン44が熱板41の表面から突出した状態として、搬送アーム17a、18a、19aと支持ピン44との間で基板Gの受け渡しを行なう。
【0048】
基板Gを受け取った後、加熱処理を行なう際には、保持部材昇降機構47により保持部材46を所定距離だけ下降させ、基板Gを所定の位置とする。例えば、基板Gが熱板41と接触した状態で加熱を行なうコンタクトベークによる場合には、支持ピン44が熱板41の表面から完全に没入するようにし、基板Gが熱板41に直接載置されるようにして加熱処理を行なえばよい。また、基板Gが熱板41と接触せずにその上方に支持された状態で加熱を行なうプロキシミティベークによる場合には、支持ピン44が熱板41の表面から所定長さだけ突出した状態として加熱処理を行うようにしてもよいし、図示しないスペーサ−により基板Gと熱板41との間隔を確保して加熱処理を行ってもよい。
【0049】
熱板41の下方には、熱板41からの熱を反射する反射板42が配置されている。この反射板42は熱板41の下面ばかりでなく側面も覆っており、つまり反射板42は熱板41を収納する薄型の容器のような形状をなしている。反射板42と熱板41とは図示しないスペーサ−によって所定の間隔を隔てて配置されていて、反射板42と熱板41との間には熱板下からの外気侵入を防ぐシール部材42aが配置されている。反射板42の形状や、反射板42と熱板41との位置関係は、熱板41に配置されたヒーターの発熱パターンや、熱板41に要求される温度パターンに応じて適宜決定される。シール部材42aは、例えばシリコンゴムで構成することができる。
【0050】
前記第1の整流板54は、加熱処理空間65の上方に、熱板41と対向するように設けられており、その熱板41の中央と対応する位置には開口53が設けられている。第1の整流板54は、熱板41や基板Gの形状に合わせて長方形に形成されている。第1の整流板54の熱板41側の面に鏡面処理やめっき等の反射率の高い表面仕上げを施せば、熱板41から放射される熱が第1の整流板54で反射され、基板Gを両面から効率よく加熱することができるので好ましい。
【0051】
前記第2の整流板55は、第1の整流板54と熱板41との間に、第1の整流板54に設けられた開口53と対向するように配置されており、開口53よりも少し大きく構成されている。第2の整流板55は熱板41の形状に合わせて長方形に構成され、図5に示すように第2の整流板55と熱板41とは実質的に相似形であり、基板Gに対して面内均一に加熱処理を施すことができる。さらに、開口53の形状と第2の整流板55とも実質的に相似形である。また、第2の整流板55の反射率を高くすると、第2の整流板55が反射した熱によって基板Gの温度を局部的に上昇させるおそれがあるため、第2の整流板55の熱板41側の面には、表面を黒色とする等の反射率を低くする表面仕上げを施すことが好ましい。
【0052】
前記カバー部材57は、第1の整流板54の上方に、加熱処理空間65の上部を覆うように配置されており、このカバー部材57の上部中央に前記ダクト部材66が設けられている。ダクト部材66は、上部66aと下部66bを有しており、上部66aに2つの排気部58が設けられ、下部66bに2つの外気導入部59が設けられている。そして、ダクト部材66は、その中央部に上部66aの底部から下部66bを貫通して、第1の整流板54の開口53に至る筒状部材56を有している。上記2つの排気部58は、上部66aの一方の側壁に並設されており、上記外気導入部59は下部66bの側面に筒状部材56を挟んで相対向して設けられている。
【0053】
前記筒状部材56の下部は、カバー部材57の中央に形成された、筒状部材56よりも大きく構成された孔部57aに挿入されている。したがって、その部分において、カバー部材57と筒状部材56との間には隙間56aが形成されている。したがって、外気導入部59から導入された外気は隙間56aを通って加熱処理空間65に至り、隙間56aは外気導入経路として機能する。一方、筒状部材56の内側は開口53を介して加熱処理空間65につながっており、排気経路として機能する。
【0054】
排気部58には排気管58aが接続されており、この排気管58aに前記排気機構76が接続されている。したがって、排気機構76を作動させることにより、外気が外気導入部59から隙間56aを通って加熱処理空間65に至り、加熱処理空間65から筒状部材56の内側、上部66a内の空間、排気部58を通って排気される。
【0055】
前記シャッター48は、熱板41および反射板42を取り囲むように、昇降可能に配置されている。シャッター48にはシャッター昇降機構49が連結されており、シャッター昇降機構49を駆動することによりシャッター48を上昇または下降させることができる。搬送アーム17a、18a、または19aとの間で基板Gの受け渡しを行なう際には、シャッター昇降機構49によりシャッター48を下降させて作業を行い、基板Gの加熱処理を行なう際には、シャッター昇降機構49によりシャッター48を上昇させ、カバー部材57と熱板41の間に形成される加熱処理空間65を囲繞する。シャッター48を下降させた状態とすれば、装置のメンテナンスを容易に行なうことができる。
【0056】
ここで、シャッター48の上端部には第1の当接部材61が配置されており、カバー部材57の下面外周側には第2の当接部材63が配置されていて、第2の当接部材63の下面には弾性部材64が貼り付けられている。第1の当接部材61と第2の当接部材63とは、シャッター48を上昇させた際に、弾性部材64を介して相互に当接し、シャッター48とカバー部材57との間を密閉するように構成されており、加熱処理中にシャッター48とカバー部材57との間から外気が侵入しないようにする。
【0057】
一方、シャッター48の内側下部には第1の係合部材51が内周へ向けて突出するように配置されており、第1の係合部材51の上面には弾性部材50が貼り付けられている。また、反射板42には第2の係合部材45が外周へ向けて突出するように配置されている。第1の係合部材51と第2の係合部材45とは、シャッター48を上昇させた際に、弾性部材50を介して相互に係合し、シャッター48と反射板42との間を密閉するように構成されており、加熱処理中にシャッター48と反射板42との間から外気が侵入しないようにする。
【0058】
次に、この実施の形態に係る加熱処理装置を用いて基板Gの加熱処理を行なう際の処理動作について、図6に基づいて説明する。まず、シャッター48を下降させた状態で、支持ピン44を熱板41の表面から突出させる。次いで基板Gを保持した搬送アーム17a、18a、19aを開口部60aから進入させて、支持ピン44上に基板Gを渡す。次いで、搬送アーム17a、18a、19aを開口部60aから退出させた後に、シャッター昇降機構49によりシャッター48を上昇させ、熱板41の周囲を略密閉するとともに、支持ピン44を熱板の表面から所定長さだけ没入させて基板Gを所定の位置とし、排気機構76を作動させて排気を行いながら熱板41により基板Gの加熱処理を行なう。
【0059】
排気機構76を作動させることにより、加熱処理空間65の雰囲気は排気部58から排気され、外気導入部59から外気が加熱処理空間65に導入される。このように排気を行いながら外気を導入することによって、外気導入部59より導入された外気は、筒状部材56とカバー部材57との間の隙間56aから第1の整流板54とカバー部材57との間に流入し、第1の整流板54の上面に沿って加熱処理空間65の外周側へと流れ、次いで第1の整流板54の下面に沿って加熱処理空間の外周から中央へと流れ、第1の整流板54と第2の整流板55との隙間を通って開口53へと流れる気流を形成する。図6には、この気流を点線で示し、気流の流れる方向に矢印を付した。
【0060】
この実施形態に係る加熱処理装置では、上記のようにシャッター48を上昇させて熱板41の周囲を略密閉状態として加熱処理を行なうので、従来のように加熱処理中に熱板41の周囲の隙間から外気が侵入することはなく、外気が基板Gの温度分布を悪化させたり不安定にすることを防止することができる。また、上記のように第1の整流板54の下面に沿って加熱処理空間の外側から中央に至る空気の流れをなし、外周から中央へ向かう気流を形成することにより、基板Gの温度に局部的な偏りが生じることを防ぐことができ、基板Gや熱板41の温度を高精度に制御することができる。さらに、加熱処理空間65内の雰囲気を置換しながら加熱処理を行なうことにより、レジスト昇華物等が溜まりにくい状態で加熱処理を行なうことができる。
【0061】
上記の加熱処理装置において、外気導入部59から排気を行い、開口53から外気を導入するように構成して、空気の流れを本発明とは逆方向に形成した場合には、基板Gや熱板41の周縁部の長辺中央部分に局部的な低温部分が発生しやすく、基板Gの温度を高精度に制御することが困難である。
【0062】
これに対して、この実施形態に係る加熱処理装置のように、外周から中央へ向かう気流を形成した場合には、基板Gや熱板41の温度に局部的な偏りが生じることはない。これは、中央から外周へ向かう気流を形成する場合には排気バランスがとりにくく気流に偏りが生じやすいため、この気流の偏りによって局部的な温度の偏りが生じるが、本発明のように外周から中央へ向かう気流を形成する場合には排気バランスがとりやすく均一な気流を形成することは比較的容易であり、基板や熱板に局部的な温度の偏りが生じないためと考えられる。
【0063】
このことを確認するため、加熱処理装置内に外周から中央へ向かう気流を形成した場合と、中央から外周へ向かう気流を形成した場合との熱板41の加熱状態の面内ばらつきを測定した。すなわち、図7に示すように熱板41を9つの領域101〜109に分割し、1.37m3/minの排気量で排気を行い、外周から中央へ向かう気流と中央から外周へ向かう気流とのいずれかを形成しながら熱板41を加熱し、各領域101〜109における熱板温度の経時変化を測定した。測定結果を図8に示す。図8の(a)は中央から外周へ向かう気流を形成した場合であり、図8の(b)は外周から中央へ向かう気流を形成した場合である。図8より、外周から中央へ向かう気流を形成した場合の方が、中央から外周へ向かう気流を形成した場合よりも熱板41面内における温度ばらつきが少ないことが確認された。加熱処理装置では基板Gの加熱状態は熱板の加熱状態とほぼ類似の挙動を示すので、この測定結果は、外周から中央へ向かう気流を形成した場合の方が、面内での温度ばらつきが少ない加熱処理を基板Gに施すことができることを示す。
【0064】
この実施形態に係る加熱処理装置では、第1の整流板54を用いて上記のように加熱処理空間の外周から中央へ向かうように気流を形成することにより、外気導入部59から導入された外気が加熱処理空間65の外周全体に向かって分散しやすく、第1の整流板54の熱板41側の面に沿ってほぼ均一な空気の流れを形成することができ、気流の偏りにより生じる基板Gや熱板41の局部的な温度の偏りを有効に防止することができる。
【0065】
また、第1の整流板54を用いて上記のように気流を形成することにより、外気は第1の整流板54と上部カバー57との隙間で暖められた後に熱板41側に至るので、外気が基板Gや熱板41におよぼす熱的影響を小さくすることができる。
【0066】
さらに、第1の整流板54の開口53と対向して第2の整流板55が配置されているので、開口53近傍で気流に乱れが生じることが防止され、また、開口53が基板Gや熱板41の温度分布に悪影響を及ぼすことが防止される。
【0067】
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
本実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)においては、図9に示すように、シャッター48の内周に沿って液体71を貯留するように構成し、シャッター48の上昇時に反射板42の外周に設けられた突起部75が液体71内に没し、突起部75と液体71によってシャッター48と反射板42との間を密閉するように構成する。このような構成によってもシャッター48と反射板42との間を十分に密閉することができ、この部分からの外気の侵入を防止することができる。また、熱板41に設けられた貫通穴43と支持ピン44との間に軸用のシール部材を介在させ、貫通穴43と支持ピン44との間を密閉するようにしてもよい。
【0068】
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図10は、本実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)の模式断面図である。本実施形態では、加熱処理空間からの排気量を変更可能な構成として、排気量を変更しながら加熱処理を行う。
【0069】
図10に示すように、この加熱処理ユニット(HP)は、その基本構成は第1の実施形態に係る加熱処理ユニットと同様であるが、本実施形態では第2の整流板155が昇降機構156により昇降可能に構成されており、この点で第1の実施形態と相違する。昇降機構156により第2の整流板155を昇降することにより、第1の整流板54と第2の整流板155との間隔を変更することができ、これにより開口53からの排気量を調節することができる。すなわち、第2の整流板155を下降させることにより第1の整流板54と第2の整流板155との間隔を拡げて排気量を増やすことができ、また、第2の整流板155を上昇させることにより第1の整流板54と第2の整流板155との間隔を狭めて排気量を減らすことができる。さらに、第2の整流板155を、開口53を塞ぐ位置まで上昇させることにより、開口53からの排気を停止することも可能である。
【0070】
このような構成により、例えば、加熱処理中に時間経過に応じて徐々に第2の整流板155を上昇させることにより排気量を減少させることができ、また、加熱処理中に排気を停止することができる。このような処理では、加熱処理開始時の排気によりレジスト昇華物を加熱処理空間の外に排出することができ、かつ、所定時間が経過してレジスト昇華物がほぼ全て加熱処理空間外へ排出された頃に、排気量を減少または停止することにより加熱処理空間内に生じる気流に影響を受けることなく効率よく基板Gの加熱処理を行うことができる。
【0071】
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図11は、本実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)の模式断面図であり、図12は第2の整流板255の拡大上面図である。
【0072】
図11に示すように、この加熱処理ユニット(HP)は、第1の実施形態に係る加熱処理ユニットと同様の基本構成に加えて、第2の整流板255の第1の整流板54側の面に、複数(図では8つ)の板状体253が放射状に設けられている。このような構造とすることにより、第2の整流板255から排気部58にかけての熱排気の偏りを低減することができ、これにより気流の偏りにより生じる基板G表面や第1の整流板54が受ける熱的影響を低減することができる。このような観点からは、例えば図13に示すように、第2の整流板255の中心部に向かって高さが徐々に高くなる構造の板状体253’を設けてもよく、図14の(a)および(b)に示すように第2の整流板255の中心部で互いに交わるように放射状に配置された4つの板状体253’’を設けてもよい。
【0073】
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。
図15は、本実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)の模式断面図である。図15に示すように、この加熱処理ユニット(HP)は、第1の実施形態に係る加熱処理ユニット(HP)と同様の基本構成において、筒状部材356の上端が排気部358の底部よりも高くなるように構成されている。
【0074】
前述した実施形態のように、筒状部材の上端を排気部の底部と同じ高さに構成した場合には、図16および図17に矢印で示すように、筒状部材56の上端から排気部58に向けて直接的な気流が発生し、この気流が接触する部分の温度が局部的に上昇して排気部58内で熱偏りが生じるおそれがある。これに対して、本実施形態のように筒状部材356の上端を排気部358の底部よりも高くなるように構成した場合には、筒状部材356内を通過した排気は水平方向に向きを変えて流れるため、筒状部材356の上端から排気部358に向けて直接的な気流は発生せず、排気部358内での熱偏りを防止することができる。この場合に、筒状部材356の上端が排気部358の中央部よりも高くなるようにすることが望ましい。一方、筒状部材356の上端を排気部358の最上部よりも高くすると排気圧損が多くなってしまうため、筒状部材356の上端は排気部358の最上部以下の高さにすることが望ましい。
【0075】
次に、本発明の第6の実施形態について説明する。
本実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)では、熱板41上に、基板Gを位置決めする位置決めローラーを設けることにより、基板Gを正確に位置決めして加熱処理を行うようにする。図18は本実施形態における位置決めローラーの斜視図であり、図19は熱板41上に位置決めローラーを配置する位置を示す平面図であり、図20は位置決めローラーにより基板Gが位置決めされる際の動作を説明するための説明図である。
【0076】
位置決めローラー400は、図18に示すように、ローラー401と、下部に基板Gの位置をガイドするガイド402が設けられ、ローラー401を回転可能に支持する支持体403とを具備しており、図19に示すように、熱板41上に配置される基板Gの4隅に対応する位置に2箇所ずつ、合計8箇所に配置されている。
【0077】
このような構成によれば、基板Gを熱板41上の所定位置に正確に配置することができる。すなわち、基板Gが支持ピン44上の所定位置に正確に受け渡された場合には、基板Gは位置決めローラー400の内側を下降してそのまま熱板41上に配置される。一方、基板Gが支持ピン44上の所定位置に正確に受け渡されず、位置ずれが生じていた場合には、図20に示すように基板Gのいずれかの端部が位置決めローラー400のローラー401上に載り、この基板Gを載せたローラー401が基板Gの自重で回転することにより、基板Gは位置決めローラー400の内側に落とし込まれ、熱板41上の所定位置に配置される。さらに、支持体403の下部にガイド402が設けられているので、熱板41上の所定位置に配置された基板Gの各コーナーはこのガイド402によりガイドされ、これにより熱板41上に配置された後に基板Gの位置がずれることが防止される。
【0078】
このように、本実施形態では位置決めローラー400により基板Gを熱板41上の所定位置に正確に配置することができるので、熱板41、第1の整流板、第1の整流板の開口53および第2の整流板等と、基板Gとの位置関係、さらには、前述した加熱処理空間内に形成される気流と基板Gとの位置関係を所望のものとすることができ、さらに基板Gの温度分布を向上させることができる。
【0079】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、本発明に係る加熱装置をレジスト塗布・現像処理システムに用いられる加熱処理ユニットに適用した例を示したが、本発明はこれに限らず他の処理に適用してもよい。また、上記実施形態では、基板としてLCD基板を用いた場合について示したが、本発明はこれに限らず他の基板の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。
【0080】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、シール機構により熱板を略密閉とした状態で加熱処理を行なうので、加熱処理中に熱板周辺から外気が侵入することが防止され、それに伴なう基板温度のバラツキや不安定性が回避されるとともに、気流形成手段により積極的に加熱処理空間内に外周から中央へ向かう気流を形成することにより、排気バランスがとりやすくなり、基板に局部的に温度が低下する部分が形成されることが防止され、被処理基板の温度を均一にすることができる。したがって、基板温度を高精度に制御することが可能となる。また、このような気流を形成することにより、レジスト昇華物等の溜まりも防止することができる。また、上記の囲繞部材は昇降可能に配置し、上昇時に加熱処理空間を囲繞可能に構成することにより、加熱処理を行う際には囲繞部材を上昇させて加熱処理空間を囲繞することができ、かつ、メンテナンスを行う際には囲繞部材を下降させることにより装置のメンテナンス性を向上することができる。
【0081】
この場合に、気流形成手段を、外気導入部から導入した外気を第1の整流板の上面に沿って外周側へ導き、第1の整流板の下面に沿って外周から中央へ向かう気流を形成し、第1の整流板の中央に設けた開口を介して排気するようにすることにより、加熱処理空間に外周から中央へ向かう気流を有効に形成することができ、また、加熱処理空間内におけるレジスト昇華物等の溜まりを極めて効果的に防止することができる。さらに、このような気流形成手段においては、第1の整流板の開口と対向するように第2の整流板を配置すれば、開口近傍における気流を整え、開口が基板温度に与える悪影響を防止することができる。
【0082】
さらにまた、上記の気流形成手段においては、第1の整流板に反射率の高い表面処理を施すことにより効率よく基板の加熱処理を行なうことができ、また、第2の整流板に反射率の低い表面処理を施すことにより基板温度の均一性を一層向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明が適用されるLCD基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図2】 本発明の第1の実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)の模式的断面図。
【図3】 図2に示した加熱処理ユニット(HP)のA−A断面を上から見た状態を示す概略図。
【図4】 図2のB−B断面を上から見た状態を示す概略図。
【図5】 図2に示した加熱処理ユニット(HP)における第2の整流板と、熱板との形状を比較して示す図である。
【図6】 図2に示した加熱処理ユニット(HP)を用いて基板Gの加熱処理を行なっている状態を示す模式的断面図。
【図7】 熱板を9つの領域101〜109に分割した状態を示す図。
【図8】 熱板温度の経時変化を測定した結果を示すグラフ。
【図9】 本発明の第2の実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)におけるシール機構を示す図。
【図10】 本発明の第3の実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)の模式断面図。
【図11】 本発明の第4の実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)の模式断面図。
【図12】 図11に示した加熱処理ユニット(HP)における第2の整流板の拡大上面図。
【図13】 図12に示した第2の整流板における板状体の他の例を示す図。
【図14】 図12に示した第2の整流板における板状体のまた他の例を示す図。
【図15】 第5の実施形態に係る加熱処理装置が適用される加熱処理ユニット(HP)の模式断面図。
【図16】 筒状部材の上端を排気部の底部と同じ高さに構成した場合に生じる気流を説明するための縦断面図。
【図17】 筒状部材の上端を排気部の底部と同じ高さに構成した場合に生じる気流を説明するための横断面図。
【図18】 第6の実施形態における位置決めローラーの斜視図。
【図19】 第6の実施形態における熱板41に位置決めローラーを配置する位置を示す平面図。
【図20】 第6の実施形態における位置決めローラーにより基板Gが位置決めされる際の動作を説明するための説明図
【符号の説明】
40:HP
41:熱板
42:反射板
43:貫通穴
44:支持ピン
45:第2の係合部材
46:保持部材
47:保持部材昇降機構
48:シャッター(囲繞部材)
49:シャッター昇降機構(囲繞部材昇降機構)
50:弾性部材
51:第1の係合部材
53:開口
54:第1の整流板
55:第2の整流板
56:筒状部材
56a:隙間
57:カバー部材
57a:孔部
58:排気部
58a:排気管
59:外気導入部
60:ケース
61:第1の当接部材
63:第2の当接部材
64:弾性部材
66:ダクト部材
66a:上部
66b:下部
71:液体
75:突起部
76:排気機構[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a heat treatment apparatus that heats and processes a substrate such as an LCD substrate.
[0002]
[Prior art]
In the production of a liquid crystal display (LCD), a photoresist liquid is applied to a glass rectangular LCD substrate to form a resist film, the resist film is exposed in accordance with a circuit pattern, and this is developed. A circuit pattern is formed by photolithography. Conventionally, a resist coating / development processing system including a plurality of processing units for performing such a series of steps has been used.
[0003]
In this resist coating / development processing system, the substrate is subjected to heat treatment by the heat treatment unit after the photoresist is coated on the substrate or before and after development. In such a heat treatment unit, a contact bake in which the substrate is directly placed on the hot plate or a proximity bake in which a slight gap is provided between the hot plate and the substrate is used. Among these, the proximity bake treatment has an advantage that a product defect due to charging of the substrate is avoided because the substrate is not placed directly on the hot plate.
[0004]
However, the conventional heat treatment unit has a problem that the in-plane temperature of the substrate and the hot plate is difficult to be uniform due to the structure. In particular, in the case of the proximity bake, the uniformity of the in-plane temperature distribution tends to deteriorate. In order to solve this problem, it is conceivable to use a heat treatment apparatus having a hermetic airtight structure and improved temperature distribution uniformity as a heat treatment unit. However, if the heat treatment apparatus has a hermetic airtight structure, a photoresist film Sublimates and volatiles from the water are likely to accumulate, and the maintenance of the apparatus becomes difficult.
[0005]
Therefore, the heat treatment space formed between the heat plate and the ceiling portion is configured to be openable and closable by a shutter, and a heat treatment device that exhausts in a state where a slight gap is provided between the shutter and the heat plate is a heat treatment. Used as a unit. In this heat treatment apparatus, exhaust is performed while introducing outside air through the gap between the shutter and the hot plate to prevent the resist sublimate and the like from accumulating in the heat treatment space, and maintenance is facilitated by an openable / closable surrounding member. It is configured to be able to do.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the heat treatment apparatus as described above, there is a problem that the outside air introduced from the gap between the shutter and the hot plate tends to take away the heat of the hot plate and the substrate and deteriorate the temperature uniformity thereof. . In particular, when such a heat treatment apparatus is used for the heat treatment of an LCD substrate, the four corners of the hot plate and the substrate are easily cooled, and the substrate exhibits a characteristic temperature distribution in which the temperatures at the four corners are low, and the temperature uniformity. Becomes worse.
[0007]
In order to solve this problem, in the above heat treatment apparatus, a gap is further provided between the cover member and the shutter so that outside air is taken in from this, and the outside air flowing in from the gap between the hot plate and the shutter. Measures are taken to reduce the amount of However, if such measures are taken, there is a problem that the substrate is easily affected by outside air (downflow), and the stability of the temperature distribution is deteriorated. In particular, in this case, individual differences among a plurality of heat treatment apparatuses tend to occur.
[0008]
The present invention has been made in view of such circumstances, and resist sublimates and the like are not easily accumulated in the apparatus, and it is possible to prevent the temperature distribution of the substrate to be processed from becoming unstable due to intrusion of outside air. It is an object of the present invention to provide a heat treatment apparatus capable of controlling the temperature of a treatment substrate with high accuracy.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, according to a first aspect of the present invention,
A hot plate on which the substrate to be processed is placed or heated, and heats the substrate to be processed;
A surrounding member provided so as to be able to surround a heat treatment space for heat-treating the substrate to be treated defined above the hot plate;
A seal mechanism for substantially sealing the periphery of the hot plate when the heat treatment space is surrounded by the surrounding member;
An air flow forming means for forming an air flow from the outer periphery toward the center in the heat treatment space;
Equipped withAnd
The surrounding member is arranged to be movable up and down, and surrounds the heat treatment space when ascending.The heat processing apparatus characterized by this is provided.
[0010]
According to such a configuration, since the outside of the hot plate is substantially sealed to prevent intrusion of outside air from the gap around the hot plate, the temperature of the substrate to be processed varies due to intrusion of undesired outside air. It is possible to prevent the temperature distribution and the temperature distribution from becoming unstable, and to form an air flow from the outer periphery to the center in the heat treatment space, so that the temperature of the substrate to be processed can be made uniform. Therefore, the substrate temperature can be controlled with high accuracy. In addition, accumulation of sublimates can be prevented by the airflow formed.In addition, the above-mentioned surrounding member is disposed so as to be able to move up and down, and by configuring the heat treatment space so as to be able to surround at the time of ascent, when performing heat treatment, the surrounding member can be raised to surround the heat treatment space, And when performing maintenance, the maintainability of the apparatus can be improved by lowering the surrounding member.
[0011]
The inventors of the present invention have previously proposed a heat treatment apparatus that forms an air flow from the center of the hot plate to the outer periphery by substantially sealing the periphery of the hot plate, thereby making the temperature distribution of the substrate to be processed uniform.・ It is said that the substrate temperature can be stabilized and the substrate temperature can be increased. However, although a certain amount of effect can be obtained by forming an air flow from the center to the outer periphery, if an air flow from the center to the outer periphery is formed, air tends to flow unevenly in the center in the longitudinal direction of the substrate, making it difficult to balance exhaust It has been found that a local temperature drop may occur in the central part of the long side of the peripheral edge of the substrate. Therefore, in the present invention, it is easy to balance the exhaust gas by forming an air flow from the outer periphery to the center, thereby preventing a local temperature drop of the substrate and realizing highly accurate temperature control.
[0012]
The airflow forming means of the heat treatment apparatus is provided above the heat treatment space, and is provided above the heat treatment space with an outside air introduction unit for introducing outside air into the heat treatment space. An exhaust part for exhausting the space, an exhaust mechanism for exhausting the heat treatment space through the exhaust part, and an upper part of the heat treatment space are arranged so as to face the hot plate, and an opening is provided at the center thereof. And when the exhaust mechanism is operated, the outside air introduced from the outside air introduction section is arranged along the upper surface of the first rectifying plate, and the outer periphery of the heat treatment space. Preferably, the gas is exhausted from the exhaust section through the opening of the first rectifying plate, from the outer peripheral side of the heat treatment space to the center along the lower surface of the first rectifying plate. Can be used.
[0013]
By using such airflow forming means, an airflow from the outer periphery to the center can be effectively formed in the heat treatment space, and outside air can be introduced while exhausting. Accumulation of resist sublimates and the like can be prevented very effectively.
[0014]
Further, by providing a second rectifying plate disposed so as to face the opening of the first rectifying plate between the first rectifying plate and the heat plate of the air flow forming means, air around the opening is provided. Therefore, the temperature of the substrate to be processed and the hot plate can be made uniform and controlled with high accuracy.
[0015]
According to a second aspect of the invention,
A hot plate on which the substrate to be processed is placed or heated, and heats the substrate to be processed;
A surrounding member provided so as to be able to surround a heat treatment space for heat-treating the substrate to be treated defined above the hot plate;
A seal mechanism for substantially sealing the periphery of the hot plate when the heat treatment space is surrounded by the surrounding member;
An air flow forming means for forming an air flow from the outer periphery toward the center in the heat treatment space;
Comprising
The airflow forming means includes
An outside air introduction section provided above the heat treatment space, for introducing outside air into the heat treatment space;
An exhaust unit provided above the heat treatment space, for exhausting the heat treatment space;
An exhaust mechanism for exhausting the heat treatment space through the exhaust unit;
A first rectifying plate disposed above the heat treatment space so as to face the hot plate and having an opening formed in the center thereof;
Have
When the exhaust mechanism is operated, the outside air introduced from the outside air introduction portion reaches the outer peripheral side of the heat treatment space along the upper surface of the first rectifying plate, and further, the lower surface of the first rectifying plate. From the outer peripheral side of the heat treatment space to the center, and exhausted from the exhaust part through the opening of the first rectifying plate,
The airflow forming means has a second rectifying plate disposed between the first rectifying plate and the heat plate so as to face an opening formed in the rectifying plate. A processing device is provided.
[0016]
In the air flow forming means, the substrate to be processed is heated from both the hot plate side and the rectifying plate side by applying a highly reflective surface finish to the surface of the first rectifying plate on the hot plate side. And the substrate to be processed can be efficiently heated.
[0017]
In the second rectifying plate, the surface on the heat plate side is subjected to a surface finish with low reflectivity, so that the second rectifying plate reflects the heat from the heat plate and is locally high on the substrate to be processed. It can prevent that a part arises.
[0018]
Furthermore, the upper part of the heat treatment space can be covered with a cover member, and the gap below the hot plate and the gap between the cover member and the surrounding member can be closed with a sealing mechanism. Thereby, intrusion of outside air around the hot plate can be prevented.
[0019]
Furthermore, by disposing a reflecting plate that reflects heat from the hot plate so as to cover the lower surface and the side surface of the hot plate, the heat from the hot plate can be effectively used for the heat treatment. In this case, it is possible to effectively prevent intrusion of outside air around the hot plate by closing the gap between the reflecting plate and the surrounding member by the sealing mechanism.
[0020]
As a sealing mechanism, a pair of engaging members that are disposed on the outer peripheral side of the reflector and the inner peripheral lower portion of the surrounding member and engage with each other when the surrounding member is raised, the lower portion of the cover member, and the upper portion of the surrounding member And a pair of abutting members that abut against each other when the surrounding member is raised.
[0021]
In the sealing mechanism, at least one of the engaging members is provided with an elastic member at a position that engages with the other engaging member, and at least one of the contacting members is in a position that comes into contact with the other contacting member. By disposing the elastic member, it is possible to effectively prevent the outside air from entering the heat treatment space.
[0022]
First of the present invention3From the point of view
A substrate to be processed is disposed on or above the substrate, and a heat plate for heating the substrate to be processed;
A surrounding member provided so as to be able to surround a heat treatment space for heat-treating the substrate to be processed defined above the hot plate;
A cover member covering the upper part of the heat treatment space;
A sealing mechanism that closes a gap between the hot plate and the surrounding member and a gap between the cover member and the surrounding member when the heating processing space is surrounded by the surrounding member;
A duct member provided at an outer central portion of the cover member, and having an outside air introduction portion for introducing outside air and an exhaust portion for exhausting the heat treatment space;
An exhaust mechanism for exhausting the heat treatment space through the exhaust unit;
A first rectifying plate disposed above the heat treatment space so as to face the hot plate and having an opening formed in the center thereof;
Comprising
When the exhaust mechanism is operated, the outside air introduced from the outside air introduction portion reaches the outer peripheral side of the heat treatment space along the upper surface of the first rectifying plate, and further, the lower surface of the first rectifying plate. Along the direction from the outside to the center of the heat treatment space and exhausted from the exhaust part of the duct member through the opening of the first rectifying plate.,
The surrounding member is arranged to be movable up and down, and surrounds the heat treatment space when ascending.The heat processing apparatus characterized by this is provided.
[0023]
According to such a configuration, in the state where the heat treatment space is substantially sealed by the sealing mechanism, the heat treatment space is exhausted through the exhaust portion of the duct member, and the outside air is introduced from the outside air introduction portion, and the first rectification is performed. Since an air flow from the outer periphery to the center is formed along the lower surface of the plate, it becomes easy to balance the exhaust, and the atmosphere in the heat treatment space is replaced with the outside air without destabilizing the temperature distribution of the substrate. Accumulation can be prevented, the temperature of the substrate to be processed can be made uniform, and the substrate temperature can be controlled with high accuracy.In addition, the above-mentioned surrounding member is disposed so as to be able to move up and down, and by configuring the heat treatment space so as to be able to surround at the time of ascent, when performing heat treatment, the surrounding member can be raised to surround the heat treatment space, And when performing maintenance, the maintainability of the apparatus can be improved by lowering the surrounding member.
[0024]
Here, a second rectifying plate is disposed between the first rectifying plate and the heat plate so as to face the opening of the first rectifying plate, and air from the heat treatment space is supplied to the first rectifying plate. It is preferable to flow through the gap between the first rectifying plate and the second rectifying plate. Thereby, the air flow around the opening of the first rectifying plate can be adjusted, and the substrate temperature can be prevented from becoming non-uniform.
[0025]
According to a fourth aspect of the invention,
A substrate to be processed is disposed on or above the substrate, and a heat plate for heating the substrate to be processed;
An enclosing member provided so as to enclose a heat treatment space for heat-treating the substrate to be treated defined above the hot plate;
A cover member covering the upper part of the heat treatment space;
A sealing mechanism that closes a gap between the hot plate and the surrounding member and a gap between the cover member and the surrounding member when the heating processing space is surrounded by the surrounding member;
A duct member provided at an outer central portion of the cover member, and having an outside air introduction portion for introducing outside air and an exhaust portion for exhausting the heat treatment space;
An exhaust mechanism for exhausting the heat treatment space through the exhaust unit;
A first rectifying plate disposed above the heat treatment space so as to face the hot plate and having an opening formed in the center thereof;
Comprising
When the exhaust mechanism is operated, the outside air introduced from the outside air introduction portion reaches the outer peripheral side of the heat treatment space along the upper surface of the first rectifying plate, and further, the lower surface of the first rectifying plate. From the outside of the heat treatment space to the center, exhausted from the exhaust portion of the duct member through the opening of the first rectifying plate,
A second baffle plate is further disposed between the first baffle plate and the heat plate so as to face an opening formed in the first baffle plate, and the exhaust mechanism is operated. In this case, there is provided a heat treatment apparatus in which air from the heat treatment space flows through the gap between the first rectifying plate and the second rectifying plate to the opening of the first rectifying plate. Is done.
[0026]
The duct member has a cylindrical member connected to the heat treatment space at the center, and air from the heat treatment space is exhausted from the exhaust part through the cylindrical member, and the air introduced from the outside air introduction part is the cylindrical member. It can comprise so that it may be supplied to heat processing space through the outer side. Thereby, exhaust of air from the heat treatment space and introduction of air into the heat treatment space can be effectively performed, and a desired airflow can be formed in the heat treatment space.
[0027]
In addition, a flow path is formed between the cover member and the first rectifying plate, and the outside air introduced from the outside air introduction portion passes through this flow path and reaches the heat treatment space, thereby allowing the outside air to flow. Since it can be supplied to the heat treatment space after being heated in the flow path, the influence of outside air on the temperature of the substrate and hot plate can be further reduced, so the temperature of the substrate and hot plate is controlled with high accuracy. Preferred above.
[0028]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating / development processing system for an LCD substrate to which the present invention is applied.
This resist coating / development processing system includes a
[0029]
The
[0030]
The
[0031]
The
[0032]
The
[0033]
Further, the
[0034]
The
[0035]
Further, a chemical
[0036]
The
[0037]
The
[0038]
The
[0039]
By consolidating and integrating the processing units in this way, it is possible to save space and improve processing efficiency.
[0040]
In the resist coating / development processing system configured as described above, the substrate G in the cassette C is transported to the
[0041]
Thereafter, the substrate G is transported to the
[0042]
Thereafter, the substrate G is transported from the
[0043]
Next, a heat treatment unit (HP) to which the heat treatment apparatus of the present invention used in the processing blocks 26, 28, 31, 32, 33 of the resist coating / development processing system is applied will be described. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the heat treatment unit according to the first embodiment of the present invention. 3 is a schematic view showing a state of the AA cross section of FIG. 2 as viewed from above, and FIG. 4 is a schematic view of a state of the BB cross section of FIG. 2 as viewed from above.
[0044]
As shown in FIGS. 2 to 4, this heat treatment unit (HP) mainly includes a
[0045]
The
[0046]
For example, nine through
[0047]
When the substrate G is transferred between the heat treatment unit (HP) apparatus and the
[0048]
When the heat treatment is performed after receiving the substrate G, the holding
[0049]
Below the
[0050]
The first
[0051]
The
[0052]
The
[0053]
The lower part of the
[0054]
An
[0055]
The
[0056]
Here, a
[0057]
On the other hand, a
[0058]
Next, a processing operation when performing the heat treatment of the substrate G using the heat treatment apparatus according to this embodiment will be described with reference to FIG. First, the support pins 44 are projected from the surface of the
[0059]
By operating the
[0060]
In the heat treatment apparatus according to this embodiment, the
[0061]
In the above heat treatment apparatus, exhaust air is introduced from the outside
[0062]
On the other hand, when the air flow from the outer periphery to the center is formed as in the heat treatment apparatus according to this embodiment, the temperature of the substrate G and the
[0063]
In order to confirm this, in-plane variation in the heating state of the
[0064]
In the heat treatment apparatus according to this embodiment, the outside air introduced from the outside
[0065]
Further, by forming the airflow as described above using the
[0066]
Further, since the
[0067]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the heat treatment unit (HP) to which the heat treatment apparatus according to the present embodiment is applied, the liquid 71 is stored along the inner periphery of the
[0068]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a heat treatment unit (HP) to which the heat treatment apparatus according to this embodiment is applied. In the present embodiment, the heat treatment is performed while changing the exhaust amount as a configuration in which the exhaust amount from the heat treatment space can be changed.
[0069]
As shown in FIG. 10, the basic configuration of this heat treatment unit (HP) is the same as that of the heat treatment unit according to the first embodiment, but in this embodiment, the
[0070]
With such a configuration, for example, the amount of exhaust can be reduced by gradually raising the
[0071]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a heat treatment unit (HP) to which the heat treatment apparatus according to this embodiment is applied, and FIG. 12 is an enlarged top view of the
[0072]
As shown in FIG. 11, this heat treatment unit (HP) has a basic configuration similar to that of the heat treatment unit according to the first embodiment, in addition to the second
[0073]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of a heat treatment unit (HP) to which the heat treatment apparatus according to this embodiment is applied. As shown in FIG. 15, this heat treatment unit (HP) has the same basic configuration as the heat treatment unit (HP) according to the first embodiment, but the upper end of the
[0074]
When the upper end of the cylindrical member is configured to be the same height as the bottom of the exhaust part as in the above-described embodiment, the exhaust part extends from the upper end of the
[0075]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
In the heat treatment unit (HP) to which the heat treatment apparatus according to the present embodiment is applied, by providing a positioning roller for positioning the substrate G on the
[0076]
As shown in FIG. 18, the
[0077]
According to such a configuration, the substrate G can be accurately arranged at a predetermined position on the
[0078]
Thus, in this embodiment, since the substrate G can be accurately placed at a predetermined position on the
[0079]
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the above embodiment, the heating apparatus according to the present invention is applied to the heat processing unit used in the resist coating / development processing system. However, the present invention is not limited to this and may be applied to other processes. Good. Moreover, although the case where the LCD substrate was used as the substrate has been described in the above embodiment, the present invention is not limited to this and can be applied to the processing of other substrates.
[0080]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, since the heat treatment is performed in a state where the heat plate is substantially sealed by the sealing mechanism, it is possible to prevent outside air from entering from the periphery of the heat plate during the heat treatment, and accordingly. In addition to avoiding substrate temperature variation and instability, the airflow forming means positively forms an airflow from the outer periphery to the center in the heat treatment space, making it easier to balance the exhaust, and the temperature locally on the substrate. Is prevented from being formed, and the temperature of the substrate to be processed can be made uniform. Therefore, the substrate temperature can be controlled with high accuracy. Moreover, accumulation of resist sublimates and the like can be prevented by forming such an air flow.In addition, the above-mentioned surrounding member is disposed so as to be able to move up and down, and by configuring the heat treatment space so as to be able to surround at the time of ascent, when performing heat treatment, the surrounding member can be raised to surround the heat treatment space, And when performing maintenance, the maintainability of the apparatus can be improved by lowering the surrounding member.
[0081]
In this case, the air flow forming means guides the outside air introduced from the outside air introducing portion to the outer peripheral side along the upper surface of the first rectifying plate, and forms the air flow from the outer periphery to the center along the lower surface of the first rectifying plate. And by making it exhaust through the opening provided in the center of the 1st baffle plate, the air current which goes to the heat treatment space from the perimeter to the center can be formed effectively, and in the heat treatment space, Accumulation of resist sublimates and the like can be prevented very effectively. Further, in such an air flow forming means, if the second rectifying plate is disposed so as to face the opening of the first rectifying plate, the air flow in the vicinity of the opening is adjusted and the adverse effect of the opening on the substrate temperature is prevented. be able to.
[0082]
Furthermore, in the above airflow forming means, the first rectifying plate can be efficiently heated by subjecting the first rectifying plate to a surface treatment having a high reflectivity, and the second rectifying plate has a reflectivity. By applying a low surface treatment, the uniformity of the substrate temperature can be further improved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a resist coating / development processing system for an LCD substrate to which the present invention is applied.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a heat treatment unit (HP) to which the heat treatment apparatus according to the first embodiment of the present invention is applied.
FIG. 3 is a schematic view showing a state of the AA cross section of the heat treatment unit (HP) shown in FIG. 2 as viewed from above.
4 is a schematic view showing a state of a BB cross section of FIG. 2 viewed from above. FIG.
FIG. 5 is a diagram showing a comparison between shapes of a second rectifying plate and a heat plate in the heat treatment unit (HP) shown in FIG. 2;
6 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a heat treatment of a substrate G is performed using the heat treatment unit (HP) shown in FIG.
FIG. 7 is a view showing a state in which a hot plate is divided into nine
FIG. 8 is a graph showing the results of measuring the change over time in the hot plate temperature.
FIG. 9 is a view showing a sealing mechanism in a heat treatment unit (HP) to which a heat treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention is applied.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a heat treatment unit (HP) to which a heat treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention is applied.
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a heat treatment unit (HP) to which a heat treatment apparatus according to a fourth embodiment of the present invention is applied.
12 is an enlarged top view of a second current plate in the heat treatment unit (HP) shown in FIG.
13 is a view showing another example of a plate-like body in the second rectifying plate shown in FIG.
14 is a view showing still another example of the plate-like body in the second rectifying plate shown in FIG. 12. FIG.
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of a heat treatment unit (HP) to which a heat treatment apparatus according to a fifth embodiment is applied.
FIG. 16 is a vertical cross-sectional view for explaining airflow generated when the upper end of a cylindrical member is configured at the same height as the bottom of the exhaust part.
FIG. 17 is a transverse cross-sectional view for explaining airflow generated when the upper end of a cylindrical member is configured at the same height as the bottom of the exhaust part.
FIG. 18 is a perspective view of a positioning roller according to a sixth embodiment.
FIG. 19 is a plan view showing a position where a positioning roller is arranged on a
FIG. 20 is an explanatory diagram for explaining an operation when the substrate G is positioned by the positioning roller in the sixth embodiment.
[Explanation of symbols]
40: HP
41: Hot plate
42: Reflector
43: Through hole
44: Support pin
45: Second engaging member
46: Holding member
47: Holding member lifting mechanism
48: Shutter (go member)
49: Shutter lifting mechanism (going member lifting mechanism)
50: Elastic member
51: First engaging member
53: Opening
54: First current plate
55: Second current plate
56: Cylindrical member
56a: gap
57: Cover member
57a: hole
58: Exhaust section
58a: exhaust pipe
59: Outside air introduction part
60: Case
61: First contact member
63: Second contact member
64: Elastic member
66: Duct member
66a: upper part
66b: lower part
71: Liquid
75: Projection
76: Exhaust mechanism
Claims (21)
熱板の上方に規定される被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、
前記囲繞部材により加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板の周囲を略密閉するシール機構と、
前記加熱処理空間において外周から中央に向かう気流を形成する気流形成手段と
を具備し、
前記囲繞部材は昇降可能に配置されていて、上昇時に前記加熱処理空間を囲繞することを特徴とする加熱処理装置。A hot plate on which the substrate to be processed is placed or heated, and heats the substrate to be processed;
A surrounding member provided so as to be able to surround a heat treatment space for heat-treating the substrate to be treated defined above the hot plate;
A seal mechanism for substantially sealing the periphery of the hot plate when the heat treatment space is surrounded by the surrounding member;
An airflow forming means for forming an airflow from the outer periphery toward the center in the heat treatment space ;
The enveloping member is arranged to be movable up and down, and encloses the heat treatment space when ascending .
前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間に外気を導入するための外気導入部と、
前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間を排気するための排気部と、
前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機構と、
前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配置され、その中央に開口が形成された第1の整流板と
を有し、
前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導入された外気は前記第1の整流板の上面に沿って前記加熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第1の整流板の下面に沿って前記加熱処理空間の外周側から中央に至り、前記第1の整流板の開口を介して前記排気部から排気されることを特徴とする請求項1に記載の加熱処理装置。The airflow forming means is
An outside air introduction section provided above the heat treatment space for introducing outside air into the heat treatment space;
An exhaust unit provided above the heat treatment space, for exhausting the heat treatment space;
An exhaust mechanism for exhausting the heat treatment space through the exhaust unit;
A first rectifying plate disposed at an upper portion of the heat treatment space so as to face the hot plate and having an opening formed at a center thereof;
When the exhaust mechanism is operated, the outside air introduced from the outside air introduction portion reaches the outer peripheral side of the heat treatment space along the upper surface of the first rectifying plate, and further, the lower surface of the first rectifying plate. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat treatment space extends from the outer peripheral side of the heat treatment space to the center of the heat treatment space and is exhausted from the exhaust portion through the opening of the first rectifying plate.
熱板の上方に規定される被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、 A surrounding member provided so as to be able to surround a heat treatment space for heat-treating the substrate to be treated defined above the hot plate;
前記囲繞部材により加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板の周囲を略密閉するシール機構と、 A seal mechanism for substantially sealing the periphery of the hot plate when the heat treatment space is surrounded by the surrounding member;
前記加熱処理空間において外周から中央に向かう気流を形成する気流形成手段と An air flow forming means for forming an air flow from the outer periphery toward the center in the heat treatment space;
を具備し、Comprising
前記気流形成手段は、 The airflow forming means is
前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間に外気を導入するための外気導入部と、 An outside air introduction section provided above the heat treatment space for introducing outside air into the heat treatment space;
前記加熱処理空間の上方に設けられ、前記加熱処理空間を排気するための排気部と、 An exhaust section provided above the heat treatment space, for exhausting the heat treatment space;
前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機構と、 An exhaust mechanism for exhausting the heat treatment space through the exhaust unit;
前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配置され、その中央に開口が形成された第1の整流板と A first rectifying plate disposed above the heat treatment space so as to face the hot plate and having an opening formed in the center thereof;
を有し、Have
前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導入された外気は前記第1の整流板の上面に沿って前記加熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第1の整流板の下面に沿って前記加熱処理空間の外周側から中央に至り、前記第1の整流板の開口を介して前記排気部から排気され、 When the exhaust mechanism is operated, the outside air introduced from the outside air introduction part reaches the outer peripheral side of the heat treatment space along the upper surface of the first rectifying plate, and further, the lower surface of the first rectifying plate. From the outer peripheral side of the heat treatment space to the center, and exhausted from the exhaust part through the opening of the first rectifying plate,
前記気流形成手段は、前記第1の整流板と前記熱板との間に、前記整流板に形成された開口と対向するように配置された第2の整流板を有することを特徴とする加熱処理装置。 The airflow forming means has a second rectifying plate disposed between the first rectifying plate and the heat plate so as to face an opening formed in the rectifying plate. Processing equipment.
前記反射板の外周側と前記囲繞部材の内周側下部とに配置され、前記囲繞部材を上昇させた際に相互に係合する一対の係合部材と、
前記カバー部材下部と前記囲繞部材上部とに配置され、前記囲繞部材を上昇させた際に相互に当接する一対の当接部材と
を有することを特徴とする請求項14に記載の加熱処理装置。The sealing mechanism is
A pair of engaging members disposed on the outer peripheral side of the reflecting plate and the lower part on the inner peripheral side of the surrounding member and engaged with each other when the surrounding member is raised;
The heat treatment apparatus according to claim 14 , further comprising: a pair of abutting members that are disposed at the lower part of the cover member and the upper part of the surrounding member and abut against each other when the surrounding member is raised.
前記熱板の上方に規定された被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、
前記加熱処理空間の上方を覆うカバー部材と、
前記囲繞部材により前記加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板と前記囲繞部材との間の隙間および前記カバー部材と前記囲繞部材との間の隙間をふさぐシール機構と、
前記カバー部材の外側中央部に設けられ、外気を導入するための外気導入部および前記加熱処理空間を排気するための排気部を有するダクト部材と、
前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機構と、
前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配置され、その中央に開口が形成された第1の整流板と
を具備し、
前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導入された外気は前記第1の整流板の上面に沿って前記加熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第1の整流板の下面に沿って前記加熱処理空間の外側から中央に至り、前記第1の整流板の開口を介して前記ダクト部材の排気部から排気され、
前記囲繞部材は昇降可能に配置されていて、上昇時に前記加熱処理空間を囲繞することを特徴とする加熱処理装置。A substrate to be processed is disposed on or above the substrate, and a heat plate for heating the substrate to be processed;
An enclosing member provided so as to enclose a heat treatment space for heat-treating a substrate to be processed defined above the hot plate;
A cover member covering the upper part of the heat treatment space;
A sealing mechanism that closes a gap between the hot plate and the surrounding member and a gap between the cover member and the surrounding member when the heating processing space is surrounded by the surrounding member;
A duct member provided at an outer central portion of the cover member, and having an outside air introduction portion for introducing outside air and an exhaust portion for exhausting the heat treatment space;
An exhaust mechanism for exhausting the heat treatment space through the exhaust unit;
A first rectifying plate disposed at the upper part of the heat treatment space so as to face the hot plate and having an opening formed in the center thereof;
When the exhaust mechanism is operated, the outside air introduced from the outside air introduction portion reaches the outer peripheral side of the heat treatment space along the upper surface of the first rectifying plate, and further, the lower surface of the first rectifying plate. From the outside of the heat treatment space to the center, exhausted from the exhaust portion of the duct member through the opening of the first rectifying plate ,
The enveloping member is arranged to be movable up and down, and encloses the heat treatment space when ascending .
前記熱板の上方に規定された被処理基板を加熱処理する加熱処理空間を囲繞可能に設けられた囲繞部材と、 An enclosing member provided so as to enclose a heat treatment space for heat-treating a substrate to be processed defined above the hot plate;
前記加熱処理空間の上方を覆うカバー部材と、 A cover member covering the upper part of the heat treatment space;
前記囲繞部材により前記加熱処理空間を囲繞した際に、前記熱板と前記囲繞部材との間の隙間および前記カバー部材と前記囲繞部材との間の隙間をふさぐシール機構と、 A sealing mechanism that closes a gap between the hot plate and the surrounding member and a gap between the cover member and the surrounding member when the heating processing space is surrounded by the surrounding member;
前記カバー部材の外側中央部に設けられ、外気を導入するための外気導入部および前記加熱処理空間を排気するための排気部を有するダクト部材と、 A duct member provided at an outer central portion of the cover member, and having an outside air introduction portion for introducing outside air and an exhaust portion for exhausting the heat treatment space;
前記排気部を介して前記加熱処理空間を排気する排気機構と、 An exhaust mechanism for exhausting the heat treatment space through the exhaust unit;
前記加熱処理空間の上部に前記熱板と対向するように配置され、その中央に開口が形成された第1の整流板と、 A first rectifying plate disposed above the heat treatment space so as to face the hot plate and having an opening formed in the center thereof;
前記第1の整流板と熱板との間に、前記第1の整流板に形成された開口と対向するように配置された第2の整流板とA second rectifying plate disposed between the first rectifying plate and the heat plate so as to face an opening formed in the first rectifying plate;
を具備し、Comprising
前記排気機構を作動させた際に、前記外気導入部から導入された外気は前記第1の整流板の上面に沿って前記加熱処理空間の外周側に至り、さらに前記第1の整流板の下面に沿って前記加熱処理空間の外側から中央に至り、前記第1の整流板の開口を介して前記ダクト部材の排気部から排気され、 When the exhaust mechanism is operated, the outside air introduced from the outside air introduction part reaches the outer peripheral side of the heat treatment space along the upper surface of the first rectifying plate, and further, the lower surface of the first rectifying plate. To the center from the outside of the heat treatment space along, and exhausted from the exhaust portion of the duct member through the opening of the first rectifying plate,
前記加熱処理空間からの空気が前記第1の整流板と前記第2の整流板との隙間を通って前記第1の整流板の開口へ流れることを特徴とする加熱処理装置。 The heat treatment apparatus, wherein air from the heat treatment space flows to an opening of the first rectifying plate through a gap between the first rectifying plate and the second rectifying plate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000318178A JP3657186B2 (en) | 1999-10-19 | 2000-10-18 | Heat treatment equipment |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11-297093 | 1999-10-19 | ||
JP29709399 | 1999-10-19 | ||
JP2000318178A JP3657186B2 (en) | 1999-10-19 | 2000-10-18 | Heat treatment equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001196299A JP2001196299A (en) | 2001-07-19 |
JP3657186B2 true JP3657186B2 (en) | 2005-06-08 |
Family
ID=26560993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000318178A Expired - Fee Related JP3657186B2 (en) | 1999-10-19 | 2000-10-18 | Heat treatment equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3657186B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100787873B1 (en) * | 2006-07-07 | 2007-12-27 | (주)나노테크 | Apparatus and method for drying substrates |
CN113140480A (en) * | 2020-01-19 | 2021-07-20 | 聚昌科技股份有限公司 | Wafer heating module with upper cover guide plate for improving temperature uniformity |
CN114158196B (en) * | 2021-12-07 | 2024-02-27 | 江西华兴四海机械设备有限公司 | Heating device and heating method for working groove of circuit board manufacturing equipment |
-
2000
- 2000-10-18 JP JP2000318178A patent/JP3657186B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001196299A (en) | 2001-07-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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