JP3935218B2 - 放射性遷移金属窒化物へテロ錯体 - Google Patents

Description

発明の属する技術分野
本発明は，放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体，該錯体を含んでなる放射性医薬品及び該錯体の製造方法に関する。さらに詳しくは，本発明は，放射性テクネチウム又は放射性レニウムの窒化物に二種の異なる配位子が配位した放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体，該錯体を有効成分とする放射性イメージング診断剤又は放射性治療薬及びそれらの製造方法に関する。
背景技術
放射性医薬品として用いられる放射性遷移金属の中でも，^99mＴｃは放射性イメージング診断剤の分野では最もよく使用される核種であり，¹⁸⁶Ｒｅ及び¹⁸⁸Ｒｅは治療剤の分野で好ましく用いられている核種である。これらの放射性遷移金属は，種々の酸化状態で異なる配位数を有し，多数の配位子と種々の錯体を形成することができるので，一般に錯体の形態で用いられる。例えば錯体を得る方法として，配位子をまずＴｃにキレートさせ，次いでキレートに生理活性物質を結合させるか，又は最初に配位子に生理活性物質を結合させた後，Ｔｃを配位させるという方法があるが，いずれの方法を採用しても，通常は生理活性物質の活性をそっくり維持したまま上記結合を行うことは困難であり，特に小さな化合物ではなおさら困難である。
最近，生理活性物質の一部を，その活性を損なうことなく金属イオンを含む錯体で置換する方法が提案されている（D.Y.Chi et al., J.Med.Chem. 1994, 37, 928-937）。この方法は，金属を含有するブロックが正確に生理活性物質に結合し，オリジナルの生理活性物質と非常に近い構造を保つことができるという利点を有する。しかし，一般的に用いることができる方法は未だ確立されていない。
遷移金属の窒化物錯体は，加水分解に対する安定性に優れているので，医薬品への適用に際して種々の有用な生理活性を有する配位子と交換反応を行う場合に，窒化物錯体のニトリド基が金属原子と強固に結合したまま留まることができる。したがって，種々の置換基を有する遷移金属窒化物錯体が提案されてきた。例えば，ＷＯ９０／０６１３７には，ビスジチオカルバミン酸ジエチル−Ｔｃ窒化物錯体，ビスジチオカルバミン酸ジメチル−Ｔｃ窒化物錯体，ビスジチオカルバミン酸−ジ−ｎ−プロピル−Ｔｃ窒化物錯体，ビスジチオカルバミン酸−Ｎ−エチル−Ｎ−（２−エトキシエチル）−Ｔｃ窒化物錯体等が開示されている。
また，ＷＯ８９／０８６５７には，遷移金属の酸化物に遷移金属の還元剤としてポリホスフィン等を作用させ，次いで窒化物の窒素源として金属又はアンモニウムの窒化物を反応させて窒化物とした後，生理活性を有するモノクローナル抗体等を配位させて遷移金属窒化物錯体を得る方法が開示されている。
しかしこれらの方法では，生理活性基を有する配位子の選択が得られる医薬品の性質を決定づけるほどに非常に重要であるにもかかわらず，金属窒化物錯体が単座から四座までの様々な数の配位座を採り得るので複数の型の錯体が形成されてしまい，生理活性を有する特定の配位子を化学量論的に有する単一の錯体を得ることが困難であった。
発明の開示
放射性金属がテクネチウム又はレニウムでは酸化数が＋Ｉ価から＋VII価まで存在し，窒化物錯体は通常＋V価で，それらの金属原子は５つの配位座を有し，その立体的な分子配置として下記式（V）又は式（VI）のような配置をとることが予想されている。

式（V）の配置構造を正方錐構造（Square Pyramidal Geometry,sp構造），式（VI）の配置構造を三方両錐構造（Trigonal Bipyramidal Geometry, tbp構造）という。ただし，a,b,c,d及びa',b',c',d'は説明の便宜上配位座に付した符号である。
式（V）のsp構造は，配位座a,b,c,dが正方形を形成し，この正方形を底面としてNを頂点とする正方錐構造である。式（VI）のtbp構造は，b',c',及びNが同一平面で一の三角形を形成し，この三角形を共通の底面としてa'及びd'をそれぞれ頂点とする二つの三角錐構造からなると考えられる。
本発明者等は，二座配位子，三座配位子，四座配位子等遷移金属窒化物に配位する可能性のある配位子の中から，単一構造の錯体を形成させることのできる配位子の組合せ及びそのような錯体を形成する方法について鋭意検討した結果，異なる二つの二座配位子を非対称的に配位させることによって単一で且つ安定な遷移金属窒化物が得られることを見出し，本発明を完成した。
本発明は，ペプチド，ホルモン等の生理活性物質を，その活性を損なうことなく，標識することができる新規な単一の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体を提供することを目的とする。
本発明は，放射性遷移金属の窒化物に二つの異なる配位子が配位してなる下記式（１）で表される放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体である：
（Ｍ≡Ｎ）ＸＹ （Ｉ）
ただし，放射性遷移金属Ｍは放射性テクネチウム又は放射性レニウム，Ｎは窒素原子，Ｘはジホスフィン化合物又はジアルシン化合物，ＹはＯ，Ｓ及びＮからなる群より選ばれる二つの電子供与性原子の組合せを有する二座配位子であって，該電子供与性原子は荷電していてもいなくてもよい。
本発明の他の態様は，放射性遷移金属Ｍの酸化物を，溶液中で還元剤の存在下又は非存在下に，カルバジン酸若しくはその誘導体又はヒドラジン若しくはその誘導体のいずれかと，ジホスフィン化合物又はジアルシン化合物とを反応させて放射性遷移金属窒化物中間体を得る第一の工程，及び該中間体を，Ｏ，Ｓ及びＮからなる群より選ばれる二つの電子供与性原子の組合せを有する二座配位子と反応させる第二の工程からなる請求項１記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体の製造方法である。
本発明の新親な放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体の製造法によって，光学異性体等を生成することなく単一の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体が高収率で得られる。該錯体は遷移金属窒化物のコアに一つの中性二座配位子であるジホスフィン化合物と一つの電子供与性二座配位子より構成された新規な錯体であり，かつ電子供与性二座配位子自体の生理活性又はこれに結合された生理活性種の分子構造が損なわれることが少ない。このように本発明により，厳密にコントロールされた分子構造を有する放射性医薬品を得ることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
図１は，テクネチウム−９９ｍ−窒化物中間錯体の酸性におけるクロマトグラムを示す。
図２は，テクネチウム−９９ｍ−窒化物中間錯体のアルカリ性におけるクロマトグラムを示す。
図３は，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）エチルアミン（ＰＮＰ）及び１−チオ−β−Ｄ−グルコース（β−ｇｌｕ）が配位したテクネチウム−９９ｍ−窒化物ヘテロ錯体のクロマトグラムを示す。
図４は，ＰＮＰ及びチオサリチル酸（ｔｓａ）が配位したテクネチウム−９９ｍ−窒化物ヘテロ錯体のクロマトグラムを示す。
図５は，ＰＮＰ及びジチオカルバミン酸−Ｎ−エトキシ−Ｎ−エチル（ＮＯＥｔ）が配位したテクネチウム−９９ｍ−窒化物ヘテロ錯体のクロマトグラムを示す。
図６は，ＰＮＰ及びシステイン（Ｃｙｓ）が配位したテクネチウム−９９ｍ−窒化物ヘテロ錯体のクロマトグラムを示す。
図７は，ＰＮＰ及びシステインエチルエステル（ＣｙｓＯＥｔ）が配位したテクネチウム−９９ｍ−窒化物ヘテロ錯体のクロマトグラムを示す。
図８は，ＰＮＰ及びＣｙｓ−Ｌｙｓ−Ｐｒｏ−Ｖａｌ−ＮＨ₂が配位したテクネチウム−９９ｍ−窒化物ヘテロ錯体のクロマトグラムを示す。
図９は，システイン−デシプラミン（ＤＥＳＩ）の合成スキームを示す図である。図中の略称は，以下の置換基又は化合物を表す。
Ｍｅ：メチル基
Ｅｔ：エチル基
ＨＯＢｔ：Ｎ−ヒドロキシベンゾトリアゾール
ＥＤＣ：１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド
ＴＦＡ：トリフルオロ酢酸
ＴＩＳ：トリイソプロピルシラン
ＢＯＣ：ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基
Ｔｒｔ：トリチル基
図１０は，ビス（ジメトキシプロピルホスフィノエチル）メトキシエチルアミン（ＰＮＰ３）及びシステイン−デシプラミン（ＤＥＳＩ）が配位したテクネチウム−９９ｍ−窒化物ヘテロ錯体の構造式を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
本発明の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体は，Ｍ≡Ｎ結合を有する金属窒化物のコアに異なる二つの二座配位子Ｘ，Ｙが配位してなるものである。二種の配位子Ｘ，ＹはＭ≡Ｎ結合を有する金属窒化物のコアに配位し，かつ配位に際して光学異性体や幾何異性体を生じさせずに非対称なtbp構造をとって錯体を安定化するように選ばれる。式（VI）に示すtbp構造において金属窒化物のコアが有するa',b',c',d'の四つの配位座のうち，最も遠い位置で相対するａ'及びｄ'の二座を架橋するように，金属イオンに対してトランス位に配位する配位子が好適に選ばれる。このようにa'及びd'の二座に配位させることによって，残りの二座b',c'に選択的にもう一つの配位子をシス位に配位させることができる。このような２つの配位子Ｘ，Ｙの結合状態を模式的に示すと，式（VII）のようであると考えられる。

ただし，

は配位子Ｘを表す。
このような配位子Ｘとしては，ジホスフィン化合物又はジアルシン化合物を挙げることができ，π電子との親和性を有するリン原子又はヒ素原子のような原子を対称的な位置に有するジホスフィン化合物又はジアルシン化合物であることが好ましい。例えば，π電子受容体である２個のリン原子を有し，かつそれらのリン原子がＴｃに対してトランス位に配位するように適当な長さでメチレン基，酸素原子，イオウ原子，窒素原子，エチレンジオキシ基等を介して結合されている，下記式（II）に示すようなビスホスフィン化合物が好適である。

ただし，Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々水素原子，アルキル基，置換アルキル基，アリール基及び置換アリール基からなる群より選ばれる一つであって，互いに同じであっても異なっていてもよく，Ｒ⁵はメチレン基，Ｚは各々酸素原子，イオウ原子，メチレン基，ＮＲ⁶（ただし，Ｎは窒素原子，Ｒ⁶は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖，生理活性を有する基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁷基（ただし，Ｒ⁷は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖又は生理活性を有する基である））又はエチレンジオキシ基からなる群より選ばれる一つであり，Ｐはリン原子，ｎは１≦ｎ≦５の整数，ｍは０又は１である。より好適にはｎは２≦ｎ≦４の整数である。
上記式（II）のジホスフィン化合物のうち，ＺがＮＲ⁶の場合，具体的には下記式（III）又は式（IV）で表されるビスホスフィン化合物（以下ＰＮＰ型と略す）が好適に用いられる。

ただし，Ｐｈはフェニル基，Ｒ⁶は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖，生理活性を有する基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁷基（ただし，Ｒ⁷は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖又は生理活性を有する基である）を示す。

ただし，Ｘは０≦Ｘ≦４の整数，Ｗは０≦Ｗ≦３の整数であり，Ｒ⁶は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖，生理活性を有する基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁷基（ただし，Ｒ⁷は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖又は生理活性を有する基である）を示す。
式（III）のジホスフィン化合物の例として，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）アミン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＮＨ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）メチルアミン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）エチルアミン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）プロピルアミン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）ブチルアミン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）アセトニルアミン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＯＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）メトキシエチルアミン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂）等が挙げられる。
式（IV）のジホスフィン化合物の例として，ビス（ジメトキシホスフィノエチル）アミン（（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＮＨ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂），ビス（ジメトキシホスフィノエチル）メチルアミン（（ＣＨ₃Ｏ）₂Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂），ビス（ジメトキシホスフィノエチル）エチルアミン（（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂），ビス（ジメトキシホスフィノエチル）プロピルアミン（（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂），ビス（ジメトキシプロピルホスフィノエチル）エチルアミン（［ＣＨ₃Ｏ（ＣＨ₂）₃］₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−［（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃］₂），ビス（ジメトキシプロピルホスフィノエチル）プロピルアミン（［ＣＨ₃Ｏ（ＣＨ₂）₃］₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−［（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃］₂），ビス（ジエトキシエチルホスフィノエチル）エチルアミン（（ＣＨ₃ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₂），ビス（ジエトキシエチルホスフィノエチル）プロピルアミン（（ＣＨ₃ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₂），ビス（ジメトキシプロピルホスフィノエチル）メトキシエチルアミン（［ＣＨ₃Ｏ（ＣＨ₂）₃］₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−［（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃］₂）及びビス（ジエトキシエチルホスフィノエチル）メトキシエチルアミン（（ＣＨ₃ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₂）等が挙げられる。
また，上記式（II）のジホスフィン化合物のうち，Ｚがエチレンジオキシ基である場合（以下ＰＯＯＰ型と略す）の例として，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）ジオキシエチレン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂）又はビス（ジメトキシホスフィノエチル）ジオキシエチレン（（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂），Ｚが酸素である場合（以下ＰＯＰ型と略す），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）エーテル（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｏ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂），Ｚが硫黄である場合（以下ＰＳＰ型と略す），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）スルフィド（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｓ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂），Ｚがメチレン基である場合（以下Ｐ（ＣＨ₂）_nＰ型と略す），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）アルキレンとして，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）テトラメチレン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−（ＣＨ₂）₄−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂），ビス（ジフェニルホスフィノエチル）ペンタメチレン（（Ｃ₆Ｈ₅）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−（ＣＨ₂）₅−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（Ｃ₆Ｈ₅）₂）等が挙げられる。
上記のように配位子Ｘとしてジホスフィン化合物がＭ≡Ｎ結合に配位した中間体は，残りの二つの配位座にＣｌ^-，ＯＨ^-等が配位してtbp構造を形成して安定化されている。安定化された中間体は，電子供与性原子対を有する二座配位子Ｙと容易に交換反応を行い，有用な放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体を形成する。このような中間体を形成すると，ひき続いて電子供与性原子対を有する二座配位子と交換反応を行わせる際に，光学異性体等を発生させることなく単一の配位構造の錯体を得ることができる。
二座配位子ＹはＯ，Ｓ及びＮからなる群より選ばれる二つの電子供与性原子の組合せを有するが，この電子供与性原子は荷電していてもいなくてもよい。上記電子供与性原子の組合せとして，［Ｎ^-，Ｓ^-］，［Ｏ^-，Ｓ^-］，［Ｓ^-，Ｓ^-］，［Ｎ^-，Ｓ］，［Ｎ，Ｓ^-］，［Ｏ，Ｓ^-］，［Ｏ，Ｏ^-］，［Ｏ^-，Ｎ^-，］，［Ｎ^-，Ｎ^-］，［Ｏ^-，Ｓ］，［Ｏ^-，Ｏ^-］，［Ｏ^-，Ｎ］，［Ｓ，Ｓ^-］，［Ｎ，Ｎ^-］，［Ｏ，Ｎ^-］，［Ｏ，Ｎ］，［Ｎ，Ｎ］，［Ｓ，Ｓ］，［Ｏ，Ｏ］，［Ｎ，Ｓ］及び［Ｏ，Ｓ］が挙げられる。好ましくは，［Ｎ^-，Ｓ^-］，［Ｏ^-，Ｓ^-］，［Ｓ^-，Ｓ^-］，［Ｎ^-，Ｓ］，［Ｎ，Ｓ^-］，［Ｏ，Ｓ^-］，［Ｏ，Ｏ^-］，［Ｏ^-，Ｎ^-］，［Ｎ^-，Ｎ^-］，［Ｏ^-，Ｓ］，［Ｏ^-，Ｏ^-］，［Ｏ^-，Ｎ］及び［Ｓ，Ｓ^-］が挙げられる。二座配位子自体が生理活性物質からなることが好ましい。生理活性物質としては，糖，アミノ酸，脂肪酸，ホルモン，ペプチド，リセプター結合性リガンド等が挙げられる。これらの生理活性物質に，上記電子供与性原子の組合せを結合せしめることにより，種々の有用な放射性金属窒化物ヘテロ錯体を形成する二座配位子が得られる。例えば，電子供与性原子の組合せ［Ｏ^-，Ｓ^-］を有する化合物の例として，１−チオ−β−Ｄ−グルコース，チオサリチル酸及びそれらの誘導体等，電子供与性原子の組合せ［Ｎ^-，Ｓ^-］を有する化合物の例として，システイン及びシステインのエチルエステル等のエステル類，システイン残基を有するペプチド，２−アミノエタンチオール（Ｈ₂Ｎ−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＳＨ）等，電子供与性原子の組合せ［Ｓ，Ｓ^-］を有する化合物の例として，ジチオカルバミン酸［Ｈ₂Ｎ−Ｃ（＝Ｓ）−ＳＨ］及びジチオカルバミン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチル［ＨＮ（ＣＨ₃）−Ｃ（＝Ｓ）−ＳＣＨ₃］，ジチオカルバミン酸−Ｎ−ジエチル［（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｎ−Ｃ（＝Ｓ）−ＳＨ］，ジチオカルバミン酸−Ｎ−エチル［ＨＮ（Ｃ₂Ｈ₅）−Ｃ（＝Ｓ）−ＳＨ］，ジチオカルバミン酸−Ｎ−エトキシ−Ｎ−エチル［Ｃ₂Ｈ₅ＯＮ（Ｃ₂Ｈ₅）−Ｃ（＝Ｓ）−ＳＨ］等のジチオカルバミン酸誘導体，ジチオカルバジン酸−Ｎ−エチル［Ｈ₂Ｎ−Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）−Ｃ（＝Ｓ）−ＳＨ］，ジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチル［Ｈ₂Ｎ−Ｎ（ＣＨ₃）−Ｃ（＝Ｓ）−ＳＣＨ₃］等のジチオカルバジン酸誘導体や［（シクロペンタジエニル）（ジチオカルボニルシクロペンタジエニル）鉄（II）］｛Ｆｅ（Ｃ₅Ｈ₅）［Ｃ₅Ｈ₄Ｃ＝Ｓ（ＳＨ）］｝等が挙げられる。［Ｎ，Ｎ］を有する化合物の例としてエチレンジアミン類，フェニレンジアミン類，［Ｏ，Ｏ］を有する化合物の例としてサリチル酸，［Ｏ，Ｎ］を有する化合物の例としてグルコサミン等が挙げられる。これらの化合物自体も生理活性を有しているが，さらに糖，アミノ酸，脂肪酸，ホルモン，ペプチド，リセプター結合性リガンド等の生理活性物質をこれらの化合物に結合してもよい。
本発明の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体は，まず放射性遷移金属Ｍの酸化物と上述のジホスフィン化合物又はジアルシン化合物Ｘとから，tbp構造又は擬tbp構造を有する遷移金属窒化物錯体の中間体［（Ｍ≡Ｎ）Ｘ］int.を得，次いでこれと上述の電子供与性原子の組合せを有する二座配位子Ｙとを反応させることにより製造される。
すなわち，下記の如く反応が行われる：
ＭＯ₄ ^-＋Ｘ＋Ｄ → ［（Ｍ≡Ｎ）Ｘ］_int. （１）
［（Ｍ≡Ｎ）Ｘ］_int.十Ｙ → （Ｍ≡Ｎ）ＸＹ （２）
ここで，Ｄは金属窒化物を形成するための窒素ドナーである。窒素ドナーは，原則として官能基＞Ｎ−Ｎ＜を有する化合物から選ばれる。窒素ドナーＤの例として，カルバジン酸及びジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチル（Ｈ₂Ｎ−Ｎ（ＣＨ₃）−Ｃ（＝Ｓ）ＳＣＨ₃），ジチオカルバジン酸−Ｓ−メチル（Ｈ₂Ｎ−ＮＨ−Ｃ（＝Ｓ）ＳＣＨ₃），ジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−２−プロピオン酸（Ｈ₂Ｎ−Ｎ（ＣＨ₃）−Ｃ（＝Ｓ）ＳＣＨ（ＣＨ₃）ＣＯＯＨ）等のカルバジン酸誘導体；ヒドラジン及びヒドラジン誘導体，コハク酸ジヒドラジド，アセチルヒドラジド，イソニコチン酸ヒドラジド等のヒドラジド誘導体，及びアジ化ナトリウムなどが挙げられる。ジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチル，コハク酸ジヒドラジド，アセチルヒドラジド，イソニコチン酸ヒドラジド，アジ化ナトリウム等が，窒素ドナーＤとして好適に用いられる。窒素ドナーＤは単独で用いてもよいが，異なる種類を併用したり追加したりして用いることによって中間体の収率を向上することもできる。（１）式の中間体の生成反応において，塩化第一スズ，亜ジチオン酸ナトリウム等の還元剤を併用してもよい。遷移金属Ｍの酸化物としては，^99mＴｃＯ₄ ^-，¹⁸⁶ＲｅＯ₄ ^-，¹⁸⁸ＲｅＯ₄ ^-等が用いられる。
生理活性分子と遷移金属窒化物との配位をより厳密にコントロールすることは，得られる放射性医薬品の性質を決定する上で非常に重要である。上記（１）式で得られる中間体は，反応溶液のｐＨが酸性領域である場合は，ビスホスフィン化合物が配位した後の残りの配位子にＣｌ^-又はＯＨ^-等が配位した中間体の混合物であるので，ｐＨ緩衝液の存在下でｐＨを７〜１０に調整することによって単一の構造の中間体を得ることができ，交換反応をより厳密にコントロールすることができる。
中間体の生成反応は，室温〜１５０℃，酸性ｐＨで１０〜３０分間実施される。上記（２）式で表される配位子の交換反応は，（１）式で生成した中間体を，室温〜５０℃に冷却後，ｐＨが７〜１０好ましくは約８になるように，例えばＨＣＯ₃ ^-／ＣＯ₃ ^2-緩衝液を添加して行われる。緩衝液はｐＨを７〜１０に保つことができればその種類は制限されず，リン酸二水素カリウム／リン酸水素二ナトリウム，リン酸二水素カリウム／水酸化ナトリウム等のリン酸ナトリウム緩衝液も使用される。
配位子Ｘと二座配位子Ｙとの化学量論比Ｘ／Ｙは得られる放射性金属窒化物ヘテロ錯体の収率に影響するが，配位子Ｘと二座配位子Ｙの組み合わせによって適切な比率は異なる。例えば，配位子ＸがＰＮＰ型の場合，二座配位子Ｙがジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチル，アミノエタンチオール，システインエチルエステル，１−チオ−β−Ｄ−グルコース，チオサリチル酸の場合は特に化学量論比Ｘ／Ｙの制限はないが，ジチオカルバミン酸ジメチル，ジチオカルバミン酸−Ｎ−ジエチル，ジチオカルバミン酸−Ｎ−エトキシ−Ｎ−エチルを用いた場合はＸ／Ｙ＜１では二座配位子Ｙが二つ置換した錯体，^99mＴｃ（Ｎ）（Ｙ）₂が副産物として生成し目的とする非対称な放射性金属窒化物ヘテロ錯体の収率が減少する。従ってＸ／Ｙ≧１となるように条件を選択するのが好ましい。
又，Ｙの二置換錯体^99mＴｃ（Ｎ）（Ｙ）₂の生成を防ぐ他の方法として，Ｙの立体障害を増大させることが考えられる。例えば，Ｙとして［（シクロペンタジエニル）（ジチオカルボニルシクロペンタジエニル）鉄（II）］（以下ＦｃＣＳと略す）を用いた場合，ＦｃＣＳの二置換錯体の生成は殆どなく，Ｘ／ＦｃＣＳ＝１のとき^99mＴｃ（Ｎ）（ＦｃＣＳ）₂の生成率は５％以下であった。これは例えば，この二座配位子の大きい立体障害によって二置換体の生成が抑制されたものと考えられる。このことは，Ｒ（Ｒ′）−Ｎ−Ｃ（＝Ｓ）Ｓ^-やＲ（Ｒ′）−Ｃ−Ｃ（＝Ｓ）Ｓ^-タイプの大きい立体障害を有する二座配位子を用いると二置換錯体^99mＴｃ（Ｎ）（Ｙ）₂の生成が少いことを示している。
（１）式及び（２）式の反応により得られた放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体は，薬学的に許容されるアスコルビン酸，ｐ−アミノ安息香酸等の安定化剤，炭酸ナトリウム緩衝液，リン酸ナトリウム緩衝液等のｐＨ調節剤，メグルミン等の溶解剤，Ｄ−マンニトール等の賦形剤等の添加物と無菌的に混合することにより，放射性イメージング診断剤又は放射性治療薬に調製することができる。また，これらの添加物と組合せた用時調製用キットの形態でも本発明の放射性イメージング診断剤又は放射性治療薬の提供が可能である。
本発明の放射性イメージング診断剤及び放射性治療薬は，静脈内投与等の一般的に用いられる非経口手段により投与することができ，その投与量は患者の年齢，体重，対象疾患状態，使用する放射線イメージング装置等を考慮し，イメージング及び治療が可能と考えられる放射能の量に応じて決定される。ヒトを対象とする場合，^99mＴｃの標識物を用いた診断剤の投与量は，^99mＴｃの放射活性に換算して，３７ＭＢｑ〜１，８５０ＭＢｑであり，好ましくは１８５ＭＢｑ〜７４０ＭＢｑである。
¹⁸⁶Ｒｅ又は¹⁸⁸Ｒｅの標識物を用いた治療薬の投与量は，放射活性に換算して，３７ＭＢｑ〜１８，５００ＭＢｑであり，好ましくは３７０ＭＢｑ〜７，４００ＭＢｑである。
本発明に係る放射性イメージング診断剤及び放射性治療薬は上述の投与量で使用する限り，何ら急性毒性は見られなかった。
実施例
以下本発明を実施例により，さらに詳細に説明するが，本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
以下の実施例の配位子Ｘとして用いるジホスフィン化合物および二座配位子Ｙに次のように略称を付する。
ジホスフィン化合物Ｘ：
ＰＮＰ ；（C₆H₅）₂PCH₂CH₂N（C₂H₅）CH₂CH₂P（C₆H₅）₂
ＰＮＰｌ；（C₆H₅）₂CH₂CH₂PCH₂CH₂N（CH₂CH₂CH₃）CH₂CH₂PCH₂CH₂（C₆H₅）₂
ＰＮＰ２；（C₆H₅）₂PCH₂CH₂N（CH₂CH₂OCH₃）CH₂CH₂P（C₆H₅）₂
ＰＮＰ３；［CH₃O（CH₂）₃］₂PCH₂CH₂N（CH₂CH₂OCH₃）CH₂CH₂P［（CH₂）₃OCH₃］₂
ＰＮＰ４；（C₆H₅）₂PCH₂CH₂N（CH₂CH₂CH₂CH₃）CH₂CH₂P（C₆H₅）₂
ＰＮＰ５；（C₆H₅）₂PCH₂CH₂N（CH₂COCH₃）CH₂CH₂P（C₆H₅）₂
ＰＯＰ ；（C₆H₅）₂PCH₂CH₂OCH₂CH₂P（C₆H₅）₂
ＰＯＯＰ；（C₆H₅）₂PCH₂CH₂OCH₂CH₂OCH₂CH₂P（C₆H₅）₂
ＰＳＰ ；（C₆H₅）₂PCH₂CH₂SCH₂CH₂P（C₆H₅）₂
二座配位子Ｙ：
ＤＴＣ；ジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチル
ＮＳ ；アミノエタンチオール
ＣｙｓＯＥｔ；システインエチルエステル
ｔｓａ；チオサリチル酸
ＤＥＤＣ；ジチオカルバミン酸−Ｎ−ジエチル
ＮＯＥｔ； ジチオカルバミン酸−Ｎ−エトキシ−Ｎ−エチル
β−ｇｌｕ；１−チオ−β−Ｄ−グルコース
ＦｃＣＳ；［（シクロペンタジエニル）（ジチオカルボニルシクロペンタジエニル）鉄（II）］
例１ 中間体の生成反応
５ｍｇのコハク酸ジヒドラジド（以下ＳＤＨと略す）を含むバイアルに，１．５ｍｇのビス（ジフェニルホスフィノエチル）エチルアミン（ＰＮＰ）をエタノール０．６ｍｌと塩酸水溶液０．１ｍｌ（１．０ｍｏｌ／ｌ）との混合物に溶解させて得られた溶液を，次いで生理学的に認容性の^99mTcO₄ ^-溶液（０．５ｍｌ，５０ＭＢｑ）を加え，得られた混合物を８０℃で２０分間加熱した。
得られた中間錯体を高速薄層クロマトグラフィー（ＨＴＬＣ）及び高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）によって分析した。図１及び図２にエタノール／クロロホルム／ベンゼン（０．８５／２／１．５）混合物でシリカゲルプレートに展開した錯体のラジオクロマトグラムを示す。酸性におけるクロマトグラムには３つのピークが見られ，３種の生成物が得られたことが分かる（図１）。一方ｐＨを約８以上に調整するとクロマトグラムは単一のピークとなる（図２）。このことからは，ＰＮＰが配位した残りの配位座が，酸性においてはＣｌ^-又は水分子のような不安定な配位子によって占められ，ｐＨを約８以上に変化させることによって，これらの配位子がＯＨ基により置換され単一のピークを示すと考えられる。
例２ １−チオ−β−Ｄ−グルコース（β−ｇｌｕ）と中間体との反応
５ｍｇのＳＤＨと１．５ｍｇのＰＮＰとを，エタノール０．６ｍｌ及びＨＣｌ水溶液０．１ｍｌ（１ｍｏｌ／ｌ）の混合物に溶解し，次いで生理学的に認容性の^99mTcO₄ ^-溶液（０．５ｍｌ，５０ＭＢｑ）を加えた。混合物を８０℃で２０分間加熱し，次いで４０℃に冷却後，これに０．２５ｍｌのHCO₃ ^-/CO₃ ^2-緩衝液を加えてｐＨを約８．０に調整し，続いて１．５ｍｌの水に溶解した０．５ｍｇのβ−ｇｌｕを添加した。最終的に得られた錯体をＨＴＬＣ及びＨＰＬＣによって分析した。図３にテトラヒドロフランでシリカゲルプレートに展開した錯体のラジオクロマトグラムを示す。最終錯体の放射化学的純度は９５％より高かった。錯体はＴｃ≡Ｎ基を含み，その金属イオンに一つのＰＮＰ二座配位子がトランス位に配位し，また残りの二座にジアニオンを含むもう一つの二座配位子であるβ−ｇｌｕが，陰性イオウ原子とヒドロキシ基のプロトンを失った酸素とを介してシス位に配位しており，錯体は安定であった。
例３ チオサリチル酸（ｔｓａ）と中間体との反応
５ｍｇのＳＤＨと１．５ｍｇのＰＮＰとを，エタノール０．６ｍｌ及びＨＣｌ水溶液０．１ｍｌ（１ｍｏｌ／ｌ）の混合物に溶解し，次いで生理学的に認容性の^99mTcO₄ ^-溶液（０．５ｍｌ，５０ＭＢｑ）を加えた。混合物を８０℃で２０分間加熱し，次いで室温に冷却後，これに０．０５ｍｏｌ／ｌのリン酸ナトリウム緩衝液１ｍｌを加えてｐＨを約７．８に調整し，続いて０．２０ｍｌのエタノールに溶解した５．０ｍｇのｔｓａを加え，混合物を室温に５分間放置した。最終的に得られた錯体をＨＴＬＣ及びＨＰＬＣによって分析した。図４にエタノール／クロロホルム／ベンゼン（０．７／２／１．５）混合物でシリカゲルプレートに展開した錯体のラジオクロマトグラムを示す。最終錯体の放射体の放射化学的純度は９５％より高かった。錯体はＴｃ≡Ｎ基を含み，その金属イオンに一つのＰＮＰ二座配位子がトランス位に配置し，また残りの一座に，二座配位子であるジアニオンｔｓａが，プロトンを失った陰性イオウ原子とカルボキシル基のプロトンを失った酸素とを介して配位しており，錯体の溶液は安定であった。
例４ ジチオカルバミン酸−Ｎ−エトキシ−Ｎ−エチル（ＮＯＥｔ）と中間体との反応
５ｍｇのＳＤＨと１．５ｍｇのＰＮＰとを，エタノール０．６ｍｌ及びＨＣｌ水溶液０．１ｍｌ（１ｍｏｌ／ｌ）の混合物に溶解し，次いで生理学的に認容性の^99mTcO₄ ^-溶液（０．５ｍｌ，５０ＭＢｑ）を加えた。混合物を８０℃で２０分間加熱し，次いで室温に冷却後，これに０．０５ｍｏｌ／ｌのリン酸ナトリウム緩衝液１ｍｌを加えてｐＨを約７．８に調整し，続いて０．５０ｍｌの水に溶解した５．０ｍｇのＮＯＥｔを加え，混合物を室温に５分間放置した。最終的に得られた錯体をＨＴＬＣ及びＨＰＬＣによって分析した。図５にエタノール／クロロホルム／ベンゼン（１／２／１．５）混合物でシリカゲルプレートに展開した錯体のラジオクロマトグラムを示す。最終錯体の放射化学的純度は９５％より高かった。錯体はＴｃ≡Ｎ基を含み，その金属イオンに一つのＰＮＰ二座配位子がトランス位に配位し，またモノアニオンＮＯＥｔがＣＳ₂ ^-基の二つのイオウ原子により残りの二座に配位しており，錯体の溶液は安定であった。
例５ システイン（Ｃｙｓ）及びシステインエステル（ＣｙｓＯＥｔ）と中間体との反応
５ｍｇのＳＤＨと１．５ｍｇのＰＮＰとを，エタノール０．６ｍｌ及びＨＣｌ水溶液０．１ｍｌ（１ｍｏｌ／ｌ）の混合物に溶解し，次い生理学的に認容性の^99mTcO₄ ^-溶液（０．５ｍｌ，５０ＭＢｑ）を加えた。混合物を８０℃で２０分間加熱し，次いで室温に冷却後，これに０．０５ｍｏｌ／ｌのリン酸ナトリウム緩衝液１ｍｌを加えてｐＨを約７．８に調整し，続いて０．５０ｍｌの水に溶解した３．０ｍｇのＣｙｓを加え，混合物を室温に３０分間放置した。最終的に得られた錯体をＨＴＬＣ及びＨＰＬＣによって分析した。図６にエタノール／クロロホルム／ベンゼン（０．８５／２／１．５）混合物でシリカゲルプレートに展開した錯体のラジオクロマトグラムを示す。最終錯体の放射化学的純度は９０％より高かった。錯体はＴｃ≡Ｎ基を含み，その金属イオンに一つのＰＮＰ二座配位子がトランス位に配位し，ジアニオンＣｙｓが，プロトンを失ったイオウ原子及びプロトンを失ったアミノ基の窒素原子により残りの二座に配位している。Ｃｙｓのカルボキシル基が金属の配位に関与していないことは，上記工程において，エステル誘導体（ＣｙｓＯＥｔ）を用いる実験によってわかった。ＣｙｓＯＥｔはＣｙｓのカルボキシル基のＯＨ基がエトキシ基で置換されてなるものであるが，この配位子（ＣｙｓＯＥｔ）から得られた最終錯体の放射化学的純度は９３％より高かった（図７）。すべての錯体の溶液は安定であった。
例６ テトラペプチドＣｙｓ−Ｌｙｓ−Ｐｒｏ−Ｖａｌ−ＮＨ ₂ と中間体との反応
５ｍｇのＳＤＨと１．５ｍｇのＰＮＰとを，エタノール０．６ｍｌ及びＨＣｌ水溶液０．１ｍｌ（１ｍｏｌ／ｌ）の混合物に溶解し，次いで生理学的に認容性の^99mＴｃＯ₄ ^-溶液（０．５ｍｌ，５０ＭＢｑ）を加えた。混合物を８０℃で２０分間加熱し，次いで室温に冷却後，これに０．０５ｍｏｌ／ｌのリン酸ナトリウム緩衝液１ｍｌを加えてｐＨを約７．８に調整し，続いて０．２０ｍｌの水に溶解した１．０ｍｇのテトラペプチドＣｙｓ−Ｌｙｓ−Ｐｒｏ−Ｖａｌ−ＮＨ₂を加え，混合物を室温に３０分間放置した。最終的に得られた錯体をＨＴＬＣ及びＨＰＬＣによって分析した。図８にメタノール／アセトニトリル／テトラヒドロフラン／酢酸アンモニウム（３／３／２／２）混合物で逆相Ｃ１８プレートに展開した錯体のラジオクロマトグラムを示す。最終錯体の放射化学的純度は９０％より高かった。錯体はＴｃ≡Ｎ基を含み，その金属イオンに一つのＰＮＰ二座配位子がトランス位に配位し，ジアニオン性テトラペプチドリガンドが，プロトンを失ったイオウ原子及び末端システイン残基のプロトンを失った窒素原子により残りの二座に配位しており，錯体の溶液は安定であった。
例７ 中間体の生成反応
（１）式で示される金属窒化物ヘテロ錯体の中間体の製造において，窒素ドナーＤの種類およびジホスフィン化合物Ｘの種類を変えて，それらの影響について調べた。
遷移金属として^99mＴｃ，窒素ドナーＤとしてＤＴＣ，ジホスフィン化合物ＸとしてＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ４，ＰＮＰ５，ＰＯＰ，ＰＯＯＰを用いた。
１．０ｍｇのＤＴＣと３．０ｍｇのＸ（Ｘ＝ＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ４，ＰＮＰ５，ＰＯＰ，ＰＯＯＰ）をそれぞれ１ｍｌのエタノールに溶解し，０．１ｍｌの塩酸水溶液（１．０ｍｏｌ／ｌ）と１．０ｍｌの^99mＴｃＯ₄Ｎａ（約４００ＭＢｑ）をバイアルに加え，１５−３０分間室温に保った。
得られた中間体を薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ：シリカゲルプレート）で展開したところ，ジホスフィン化合物Ｘの種類を変更した中間体のいずれも単一のピークを示し収率は９８％以上であった。
ＴＬＣ（シリカゲルプレート）の条件は，移動相；エタノールクロロホルム／ベンゼン（１．５／２／１．５；Ｒｆ＝０．５３），又は，エタノール／クロロホルム／トルエン／酢酸アンモニウム（０．５Ｍ）（５／３／３／１；Ｒｆ＝０．６８）で行った。
例８ 中間体の生成反応
例７と同様にして，５．０ｍｇのＳＤＨと３．０ｍｇのＸ（Ｘ＝ＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ４，ＰＮＰ５，ＰＯＰ，ＰＯＯＰ）を，それぞれ１ｍｌのエタノールに溶解し，０．ｌｍｌの塩酸水溶液（１．０ｍｏｌ／１）と１．０ｍｌの^99mＴｃＯ₄Ｎａ（約４００ＭＢｑ）をバイアルに加え，１５−３０分間室温に保った。
得られたそれぞれの中間体をＴＬＣ（シリカゲルプレート）で展開したところ，残留パーテクネテートは見られなかったが中間体はいずれも混合物であった。そこでこの混合物に，二座配位子Ｙとして１．０ｍｇのＤＴＣを更に室温で加えるといずれの中間体混合物も瞬間的に単一のピークを示す化合物に変化した。収率は９８％以上であった。この化合物のＴＬＣのパターンは例７の化合物と同じであることから，同一化合物であると考えられた。このことからＤＴＣは窒素ドナーＤとして有用であると同時に，二座配位子Ｙとしても有用であることが明らかにされた。
例９ 中間体の生成反応
例７と同様にして，窒素ドナーＤとして５．０ｍｇのＤＴＣＯＯＨ（ジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−２−プロピオン酸）と３．０ｍｇのジホスフィン化合物Ｘ（Ｘ＝ＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ４，ＰＮＰ５，ＰＯＰ，ＰＯＯＰ）をそれぞれ０．１ｍｌのエタノールに溶解し，０．１ｍｌの塩酸水溶液（１．０ｍｏｌ／ｌ）と１．０ｍｌの^99mＴｃＯ₄Ｎａ（約４００ＭＢｑ）をバイアルに加えた。バイアルを１５−３０分間室温に保った後，ｐＨを０．２５ｍｇのＮａＨＣＯ₃／Ｎａ₂ＣＯ₃（０．５Ｍ）を加えてｐＨ＝１０に調整した。
得られた中間体をＴＬＣ（シリカゲルプレート）で展開した。ジホスフィン化合物Ｘの異なるいずれの中間体も，単一ピークを示し収率は９８％以上であった。
例１０ 錯体の生成反応
非対称な放射性金属窒化物ヘテロ錯体の生成反応に対するジホスフィン化合物Ｘと二座配位子Ｙの影響を調べるため，式（１）で示される中間体の生成反応に続いて，緩衝液（ＮａＨ₂ＰＯ₄／Ｎａ₂ＨＰＯ₄，ｐＨ＝７．４又はＮａＨＣＯ₃／Ｎａ₂ＣＯ₃，ｐＨ＝１０）を添加して反応液のｐＨを調整し，適当な二座配位子Ｙを添加してバイアルを室温に保った。最終的に得られた錯体^99mＴｃ（Ｎ）（Ｘ）（Ｙ）をＴＬＣでモニターした。
窒素ドナーＤとしてＳＤＨ，ジホスフィン化合物ＸとしてＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ４，ＰＮＰ５，二座配位子Ｙとして電子供与性原子対［ＮＨ^-，Ｓ］，［ＮＨ，Ｓ^-］又は［Ｏ^-，Ｓ^-］を有するＤＴＣ，ＮＳ，ＣｙｓＯＥｔ，ｔｓａ，β−ｇｌｕをそれぞれ用いた。
５．０ｍｇのＳＤＨと３．０ｍｇのＸ（Ｘ＝ＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ４，ＰＮＰ５）それぞれを１ｍｌのエタノールに溶解し，０．１ｍｌの塩酸水溶液（１．０ｍｏｌ／ｌ）と１．０ｍｌの^99mＴｃＯ₄Ｎａ（約４００ＭＢｑ）をバイアルに加え，混合物を３０分間室温に保った。０．２５ｍｇのＮａＨＣＯ₃／Ｎａ₂ＣＯ₃（０．５Ｍ）を加えｐＨ＝１０に調整した後，０．７ｍｇのＮＳを加えた。錯体^99mＴｃ（Ｎ）（Ｘ）（ＮＳ）の形成は一瞬のうちに行われ，収率は９５％以上であった。ＮＳ以外の二座配位子Ｙについても同様であった。
得られた錯体をＴＬＣ（シリカゲルプレート）に展開したところ，単一のピークを示した。ＴＬＣ（シリカゲルプレート）は，移動相；エタノール／クロロホルム／ベンゼン（１．５／２／１．５；Ｒｆ＝０．４５），又はエタノール／クロロホルム／トルエン／酢酸アンモニウム（０．５Ｍ）（５／３／３／０．５；Ｒｆ＝０．５２）で行った。
例１１ 錯体の生成反応
ジホスフィン化合物ＸとしてＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ４，ＰＮＰ５，二座配位子Ｙとして電子供与性原子対［Ｓ^-，Ｓ］を有するＤＥＤＣ，ＮＯＥｔ，ＦｃＣＳを用いてその錯体形成に対する影響を検討した。典型的な工程をＹ＝ＤＥＤＣの場合について示す。
５．０ｍｇのＳＤＨと３．０ｍｇのＸ（Ｘ＝ＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ４，ＰＮＰ５）をそれぞれ１ｍｌのエタノールに溶解し，０．１ｍｌの塩酸水溶液（１．０ｍｏｌ／ｌ）と１．０ｍｌの^99mＴｃＯ₄Ｎａ（約４００ＭＢｑ）をバイアルに加え，混合物を３０分間室温に保った。０．２５ｍｇのＮａＨＣＯ₃／Ｎａ₂ＣＯ₃（０．５Ｍ）を加えｐＨ＝１０に調整した後，０．２ｍｇのＤＥＤＣを加えた。錯体^99mＴｃ（Ｎ）（Ｘ）（ＤＥＤＣ）の形成は一瞬のうちに行われ，収率は９０％以上であった。
得られた錯体をＴＬＣ（シリカゲルプレート）で展開したところ，単一のピークを示した。ＴＬＣ（シリカゲルプレート）は，移動相；エタノール／クロロホルム／ベンゼン（１．５／２／１．５；Ｒｆ＝０．３４），又はエタノール／クロロホルム／トルエン／酢酸アンモニウム（０．５Ｍ）（５／３／３／０．５；Ｒｆ＝０．７５）で行った。
二座配位子ＤＥＤＣ，ＮＯＥｔを用いた場合，二座配位子Ｙの使用量を増大すると，非対称な^99mＴｃ窒化物ヘテロ錯体形成の副反応である^99mＴｃ（Ｎ）（Ｙ）₂の生成反応が伴ったが，生成量はＸとＹの比率によって変化し，Ｙの絶対量に依存するものではなかった。即ち，本実施例で用いた二座配位子Ｙはいずれのジホスフィン化合物に対しても，ジホスフィン化合物Ｘと二座配位子Ｙの化学量論比Ｘ／Ｙ≧１のとき非対称な^99mＴｃ窒化物ヘテロ錯体の収率は高く，Ｘ／Ｙ＜１のときは二座配位子の二置換体^99mＴｃ（Ｎ）（Ｙ）₂の生成が多く見られ非対称な^99mＴｃ窒化物ヘテロ錯体の生成は減少した。又，二座配位子ＦｃＣＳを用いた場合^99mＴｃ（Ｎ）（Ｙ）₂の生成は殆どなく，Ｘ／ＦｃＣＳ＝１のとき５％以下であった。
ＤＥＤＣを用いた場合のＸとＹの比率Ｘ／Ｙ，Ｘの使用量，Ｙの使用量，及び^99mＴｃ（Ｎ）（ＰＮＰ１）（ＤＥＤＣ）の収率との関係を下表に示す。

例１２ 錯体の生成反応
ジホスフィン化合物ＸとしてＰＯＰ，二座配位子Ｙとして［ＮＨ^-，Ｓ］，［ＮＨ^-，Ｓ^-］，［Ｏ^-，Ｓ^-］，［Ｓ，Ｓ^-］等を有するＤＴＣ，ＤＥＤＣ，ＮＯＥｔ，ｔｓａ，ＦｃＣＳ，β−ｇｌｕ，ＣｙｓＯＥｔ，ＮＳを用いてその錯体形成に対する影響を，実施例１０と同様に錯体^99mＴｃ（Ｎ）（Ｘ）（Ｙ）を合成し検討した。
Ｙ＝ＤＴＣの場合，^99mＴｃ窒化物ヘテロ錯体^99mＴｃ（Ｎ）（ＰＯＰ）（ＤＴＣ）⁺が放射化学純度９５％以上で得られた。しかし，Ｙ＝ＤＥＤＣ，ＮＯＥｔ，ｔｓａ，ＦｃＣＳ，β−ｇｌｕ，ＣｙｓＯＥｔ，ＮＳを用いた場合はＹの二置換体である錯体^99mＴｃ（Ｎ）（Ｙ）₂の生成が常に伴った。Ｙを二つ含む二置換錯体の生成の程度は，ＤＥＤＣ＞ＮＯＥｔ＞ｔｓａ＞ＦｃＣＳ＞β−ｇｌｕ＞ＣｙｓＯＥｔ＞ＮＳの順であった。
例１３ 錯体の生成反応
ジホスフィン化合物ＸとしてＰＯＯＰ，二座配位子Ｙとして［ＮＨ^-，Ｓ］，［ＮＨ^-，Ｓ^-］，［Ｏ^-，Ｓ^-］，［Ｓ，Ｓ^-］等を有するＤＴＣ，ＤＥＤＣ，ＮＯＥｔ，ｔｓａ，ＦｃＣＳ，β−ｇｌｕ，ＣｙｓＯＥｔ，ＮＳを用いてその錯体形成に対する影響を，実施例１０と同様に錯体^99mＴｃ（Ｎ）（Ｘ）（Ｙ）を合成し検討した。
ＰＯＯＰを用いた場合は，使用したすべての二座配位子に対して^99mＴｃ窒化物ヘテロ錯体^99mＴｃ（Ｎ）（ＰＯＯＰ）（Ｙ）^0/+が得られ，Ｙの二置換錯体は生成しなかった。
例１４ 体内分布
一般式^99mＴｃ（Ｎ）（Ｘ）（Ｙ）で示される^99mＴｃ窒化物ヘテロ錯体の体内分布を，二座配位子ＹとしてＤＴＣを用い，下記のジホスフィン化合物Ｘについて^99mＴｃ窒化物ヘテロ錯体を合成し，それらのラットにおける体内分布について検討した。
^99mＴｃ（Ｎ）（Ｘ）（ＤＴＣ）⁺タイプの^99mＴｃ窒化物ヘテロ錯体を，下記ジホスフィン化合物ＰＯＰ，ＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ３を用いて合成した。
ＰＯＰ：（C₆H₅）₂PCH₂CH₂OCH₂CH₂P（C₆H₅）₂
ＰＮＰ１：（C₆H₅）₂PCH₂CH₂N（CH₂CH₂CH₃）CH₂CH₂P（C₆H₅）₂
ＰＮＰ２：（C₆H₅）₂PCH₂CH₂N（CH₂CH₂OCH₃）CH₂CH₂P（C₆H₅）₂
ＰＮＰ３：［CH₃O（CH₂）₃］₂PCH₂CH₂N（CH₂CH₂OCH₃）CH₂CH₂P［（CH₂）₃OCH₃］₂
^99m Ｔｃ窒化物ヘテロ錯体 ^99m Ｔｃ（Ｎ）（Ｘ）（ＤＴＣ） ⁺ の生成
１．０ｍｇのＤＴＣ，０．１ｍｇのＳｎＣｌ₂を溶解した水０．１ｍｌ，１．０ｍｌのエタノール及び３．０ｍｇのＸ（Ｘ＝ＰＯＰ，ＰＮＰ１，ＰＮＰ２，ＰＮＰ３）を含むバイアルに０．２５ｍｌの^99mＴｃＯ₄ ^-（１００−５００ＭＢｑ）を添加し，このバイアルを室温で３０分又は８０℃で１５分放置した。錯体の収率は９０％以上であった。得られた錯体は，逆相クロマトグラフィーで，使用カラム；ＰＲＰ−１ハミルトンカラム，移動層；［ＮＨ₄］［ＣＨ₃ＣＯＯ］（０．１Ｍ）／ＣＨ₃ＣＮ（０．１％ＴＨＦを含む）＝９０／１０，流速；０．５ｍｌ／ｍｉｎの条件で確認した。
体内分布測定
ラットに注射する前に，バイアルの内容物を１０％のＴｗｅｅｎ８０（ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート）を含むリン酸緩衝液（０．１ｍｏｌ／ｄｍ³，ｐＨ＝７．０６）で希釈した。錯体は溶液中又はヒト血漿中で少なくとも６時間安定であった。
体重２００−２５０ｇの雄のSpraque-Dawleyラット（ＳＤラット）を用いて体内分布を測定した。２４時間断食の後ラットに腹腔内麻酔を行い，頸静脈に注射の後異なる時間ごとに器官を切除し，洗浄，重量測定を行った。又血液サンプルを集め重量測定した。体内分布データは投与放射能量に対する器官重量当り（ｇ）の放射能量の割合（% dose/g）を平均値±有意差で示した。ラット数はｎ＝５で行った。測定結果を表１〜表４に示す。
実験に用いたヘテロ錯体の構造は，ジホスフィン化合物の相違点以外は同じなので体内分布の相違はジホスフィン化合物の相違を反映していると考えられる。ここで用いたジホスフィン化合物は，Ｒ₂Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｚ−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＰＲ₂と表すことができ，二つのＲ基がそれぞれリン原子に結合し，橋掛け基であるＺは，二つのエチレン基に結合している。Ｒがフェニル基で，Ｚ基をＺ＝Ｏ，＞Ｎ−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃，＞Ｎ−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃の如く変化させたとき，すべての錯体の体内分布は，脳および心臓に対する集積は特に著しいものではなく，肺および血液からのウォッシュアウトは比較的早く，錯体は肝臓および腎臓を通じて排泄された。
Ｒを−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃で置換し，Ｚを＞Ｎ−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃とした錯体^99mＴｃ（Ｎ）（ＰＮＰ３）（ＤＴＣ）⁺は特に心臓に著しく高い集積を示しかつ測定時間内は殆ど一定の値を示した。肺，血液からのウォッシュアウトは速く，腎臓及び肝臓からも比較的速く排出され，この錯体の代謝は容易であると思われる。このような心臓への高い集積は，^99mＴｃ（Ｎ）（ＰＮＰ３）（ＤＴＣ）⁺或いはその誘導体が心筋血流の診断薬として用いることができる可能性を示すものである。
例１５ 二座配位子システイン−デシプラミンおよびその ^99m Ｔｃ窒化物ヘテロ錯体の合成
システイン−デシプラミンの合成
抗うつ作用を有する生理活性物質であるイミプラミンの誘導体であるデシプラミンにシステインを結合したシステイン−デシプラミン（以下ＤＥＳＩと略す）を図９に示した合成スキームにしたがって合成した。
この二座配位子ＤＥＳＩはシステインのカルボキシル基とデシプラミンの末端窒素原子間のアミド結合により得られる。
錯体の合成
ジホスフィン化合物ＸとしてＰＮＰ３，二座配位子ＹとしてＤＥＳＩを用いた^99mＴｃ窒化物ヘテロ錯体（以下^99mＴｃＮ−ＤＥＳＩと略す）を下記の如く合成した。
（１）５ｍｇのＳＤＨと０．１ｍｇのＳｎＣｌ₂を懸濁させた０．１ｍｌの生理食塩水の入ったバイアルに，０．２５０ｍｌの^99mＴｃＯ₄Ｎａ（５０．０ＭＢｑ−３．０ＧＢｑ）を加え１．０ｍｌのエタノールを添加し，室温に１５分保った。次いで，この溶液に０．１ｍｌのエタノールに溶解した３．０ｍｇのＰＮＰ３および０．１ｍｌの水に溶解した５．０ｍｇのＤＥＳＩを加え，１００℃で１５分加熱した。この放射化学的純度は９５％以上であった。
（２）^99mＴｃＯ₄Ｎａ，ＳＤＨ，ＳｎＣｌ₂，ＰＮＰ３およびＤＥＳＩを同じバイアルに，次のような方法で添加する一段法で（１）と同じ錯体を合成した。ＳＤＨ５ｍｇ，ＳｎＣｌ₂０．１ｍｇ，ＰＮＰ３３．０ｍｇおよびＤＥＳＩ５ｍｇを，１．０ｍｌのエタノール，０．５ｍｌの生理食塩水を含むバイアルに加え，次いで０．２５０ｍｌの^99mＴｃＯ₄Ｎａ（５０．０ＭＢｑ−３．０ＧＢｑ）を添加した。このバイアルを１００℃で３０分間加熱した。放射化学的純度は９０％以上であった。
分析
得られた^99mＴｃＮ−ＤＥＳＩ錯体を薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ），高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ），電気泳動及びイオン交換クロマトグラフィーによって同定した。測定条件は以下の通りである。
ＴＬＣ：シリカゲルプレート；移動相；エタノール／クロロホルム／ベンゼン（１．５／２／１．５），Ｒｆ：０．１９：逆相；Ｃ１８プレート：移動相；メタノール／アセトニトリル／テトラヒドロフラン／酢酸アンモニウム（０．５ｍｏｌ／ｃｃ），Ｒｆ：０．３１
ＨＰＬＣ：ベックマン社製高速液体クロマトグラフィーを用いた。逆相；Ｃ１８プレート：溶出；１ｍｌ／ｍｉｎ，Ａ：トリエチルアミン（ＮＥｔ₃０．１Ｍ，ｐＨ＝３（１Ｍ−Ｈ₃ＰＯ₄添加），Ｂ：アセトニトリル
錯体の保持時間２５分に対し，錯体を形成していないリガンドの保持時間は７分であった。
電気泳動：ワットマンペーパー，電圧（△Ｖ）：１５０Ｖ，１．５ｈｒ，リン酸緩衝液（０．１Ｍ）を用いて行った。錯体が中性であるということを示す移動は見られなかった。
イオン交換クロマトグラフィー：陽イオン交換樹脂；Ｓｅｐ−Ｐａｋ ＣＭ（ＣＯＯＮａ），Ｍｉｌｌｐｏｒｅ，陰イオン交換樹脂；Ｓｅｐ−Ｐａｋ ＱＭＡ（ＣＯＮＨ（ＣＨ₂）₃Ｎ（ＣＨ₃）₃ ⁺Ｃｌ），Ｍｉｌｌｐｏｒｅ，逆相カラム；Ｓｅｐ−Ｐａｋ Ｃ１８ Ｍｉｌｌｐｏｒｅを用いた。錯体は，陽イオン交換樹脂では約９５％，陰イオン交換樹脂では約６０％，逆相カラムでは９９．５％保持された。逆相カラムの高い保持は，錯体が高い脂質親和性を有することを示している。
^99m ＴｃＮ−ＤＥＳＩの構造
以上の実験から，^99mＴｃＮ−ＤＥＳＩの構造は，図１０に示した如くであると推定した。
例１６ ^99m ＴｃＮ−ＤＥＳＩの体内分布
例１５で得られた^99mＴｃＮ−ＤＥＳＩのＳＤラットにおける体内分布を測定した。
ラットに注射する前に，^99mＴｃＮ−ＤＥＳＩをＨＰＬＣによって過剰の遊離した二座配位子から分離精製した。活性成分は５ｍ１の９５％エタノールで活性化したＳｅＰ−Ｐａｋカートリッジに通して，更に精製した。最終の活性成分を９５％により回収し，１０％Ｔｗｅｅｎ８０を含む生理食塩水で希釈した。
ラットはＡ群とＢ群の二つのグループに分けた。Ａ群には２０μＣｉの^99mＴｃＮ−ＤＥＳＩを注射した。Ｂ群には，２０μＣｉの^99mＴｃＮ−ＤＥＳＩを注射すると同時に１．０ｍｇ／ｋｇの未標識のデシプラミンを注射した。
体重約２５０ｇのＳＤラットをキシラジン（１８ｍｇ／ｋｇ），ケタミン（１５ｍｇ／ｋｇ）の混合物で腹腔内麻酔を行い，頸静脈に注射の後異なる時間ごとに器官（脳，心臓，肺，肝臓，脾臓，腎臓，筋肉，副腎，顎下腺）を切除し，洗浄，重量測定を行った。又血液サンプルを重量測定した。体内分布データは投与放射能量に対する器官重量当り（ｇ）の放射能量の割合（％dose／ｇ）を平均値±有意差で示した。ラット数はｎ＝３で行った。測定結果を表５〜表８に示す。
^99mＴｃＮ−ＤＥＳＩ錯体は，心臓にかなり集積し，副腎には非常に高い集積を示した。活性成分は肝臓および腎臓を通じて極めて速い速度で排泄された。又，表７，８に示したように，脳領域における体内分布については，非標識デシプラミンを投与したＢ群は，皮質への集積が極度に低いのに対して非標識デシプラミンを投与していないＡ群は，^99mＴｃＮ−ＤＥＳＩ錯体が皮質に特異的に集積していることが示されており，セロトニンレセプター対する特異性が保持されていることを示唆している。

Claims (25)

1. 放射性遷移金属の窒化物に二つの異なる配位子が配位してなる下記式（Ｉ）で表される放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体：
   （Ｍ≡Ｎ）ＸＹ （Ｉ）
   （ただし，放射性遷移金属Ｍは放射性テクネチウム又は放射性レニウム，Ｎは窒素原子，Ｘは下記式（II）で表されるビスホスフィン化合物
   

   

   （ただし，Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々水素原子，アルキル基，置換アルキル基，アリール基及び置換アリール基からなる群より選ばれる一つであって，互いに同じであっても異なっていてもよく，Ｒ⁵はメチレン基，Ｚは酸素原子，イオウ原子，ＮＲ⁶（ただし，Ｎは窒素原子，Ｒ⁶は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖，生理活性を有する基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁷基（ただし，Ｒ⁷は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖又は生理活性を有する基である））及びエチレンジオキシ基からなる群より選ばれる一つであり，Ｐはリン原子，ｎは１≦ｎ≦５の整数である）又はジアルシン化合物であり、ＹはＯ，ＳおよびＮからなる群から選ばれる二つの電子供与性原子の組合せを有する二座配位子であって，該電子供与性原子は荷電していてもいなくてもよい。）
2. 前記ジホスフィン化合物Ｘが下記式（III）又は下記式（IV）で表されるビスホスフィン化合物である請求項１記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体：
   

   

   （ただし，Ｐｈはフェニル基，Ｒ⁶は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖，生理活性を有する基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁷基（ただし，Ｒ⁷は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖又は生理活性を有する基である）を示す。）、
   

   

   （ただし，ｘは０≦ｘ≦４の整数，ｗは０≦ｗ≦３の整数であり，Ｒ⁶は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖，生理活性を有する基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁷基（ただし，Ｒ⁷は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖又は生理活性を有する基である）を示す。）
3. 前記ジホスフィン化合物Ｘが，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）アミン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）メチルアミン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）エチルアミン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）プロピルアミン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）ブチルアミン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）アセトニルアミン及びビス（ジフェニルホスフィノエチル）メトキシエチルアミンからなる群より選ばれる請求項１又は２に記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体。
4. 前記ジホスフィン化合物Ｘが，（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＮＨ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂，（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−
   Ｎ（ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂，（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−
   ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂，
   （ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂，［ＣＨ₃Ｏ（ＣＨ₂）₃］₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−
   Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−［（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃］₂，
   ［ＣＨ₃Ｏ（ＣＨ₂）₃］₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−
   ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−［（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃］₂，（ＣＨ₃ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−
   （ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₂，（ＣＨ₃ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−
   （ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₂，［ＣＨ₃Ｏ（ＣＨ₂）₃］₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−［（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃］₂及び（ＣＨ₃ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₂からなる群より選ばれる請求項１又は２に記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体。
5. 前記ジホスフィン化合物Ｘがビス（ジフェニルホスフィノエチル）ジオキシエチレン，ビス（ジメトキシホスフィノエチル）ジオキシエチレン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）エーテル，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）スルフィド及びビス（ジフェニルホスフィノエチル）アルキレンからなる群より選ばれる請求項１に記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体。
6. 前記二座配位子Ｙが，［Ｎ^-，Ｓ^-］，［Ｏ^-，Ｓ^-］，［Ｓ^-，Ｓ^-］，［Ｎ^-，Ｓ］，［Ｎ，Ｓ^-］，［Ｏ，Ｓ^-］，［Ｏ，Ｏ^-］，［Ｏ^-，Ｎ^-］，［Ｎ^-，Ｎ^-］，［Ｏ^-，Ｓ］，［Ｏ^-，Ｏ^-］，［Ｏ^-，Ｎ］，［Ｓ，Ｓ^-］，［Ｎ，Ｎ^-］，［Ｏ，Ｎ^-］，［Ｏ，Ｎ］，［Ｎ，Ｎ］，［Ｓ，Ｓ］，［Ｏ，Ｏ］，［Ｎ，Ｓ］及び［Ｏ，Ｓ］からなる群より選ばれる電子供与性原子の組合せを有する二座配位子である請求項１から５のいずれか一項に記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体。
7. 前記二座配位子Ｙが，生理活性を有する請求項１から６のいずれか一項に記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体。
8. 前記二座配位子Ｙが，糖，アミノ酸，脂肪酸，ホルモン，ペプチド及びリセプター結合性リガンドからなる群より選ばれる生理活性物質と前記電子供与性原子との組合せからなる請求項１から７のいずれか一項に記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体。
9. 前記二座配位子Ｙが，１−チオ−β−Ｄ−グルコース，チオサリチル酸，システイン，システインエチルエステル，２−アミノエタンチオール，ジチオカルバミン酸及びその誘導体，及びジチオカルバジン酸及びその誘導体からなる群より選ばれる一つである請求項７又は８記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体。
10. 前記ジチオカルバミン酸誘導体が，ジチオカルバミン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチル，ジオチカルバミン酸−Ｎ−ジエチル，ジチオカルバミン酸−Ｎ−エチル及びジチオカルバミン酸−Ｎ−エトキシ−Ｎ−エチル，又は前記ジチオカルバジン酸誘導体が，ジチオカルバジン酸−Ｎ−エチル及びジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチルからなる群より選ばれる一つである請求項９に記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体。
11. 前記放射性遷移金属元素Ｍが，^99mＴｃ，¹⁸⁶Ｒｅ及び¹⁸⁸Ｒｅからなる群より選ばれる一つである請求項１から１０のいずれか一項に記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体。
12. 請求項１から１１に記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体を有効成分として含有する放射性医薬品。
13. 放射性遷移金属Ｍの酸化物を，溶液中で還元剤の存在下又は非存在下に，カルバジン酸若しくはその誘導体又はヒドラジン若しくはその誘導体のいずれかと，ジホスフィン化合物又はジアルシン化合物とを反応させて放射性遷移金属窒化物中間体を得る第一の工程，及び
    該中間体を，Ｏ，Ｓ及びＮからなる群より選ばれる二つの電子供与性原子の組合せを有する二座配位子と反応させる第二の工程からなる請求項１記載の放射性遷移金属窒化物ヘテロ錯体の製造方法。
14. 前記カルバジン酸誘導体がジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチル，ジチオカルバジン酸−Ｓ−メチル及びジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−２−プロピオン酸からなる群より選ばれる請求項１３記載の方法。
15. 前記ヒドラジン誘導体が，コハク酸ヒドラジド，アセチルヒドラジド及びイソニコチン酸ヒドラジドからなる群より選ばれる請求項１３記載の方法。
16. 前記ジホスフィン化合物Ｘが下記式（II）で表されるビスホスフィン化合物である請求項１３から１５のいずれか一項に記載の方法。
    

    

    （ただし，Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³及びＲ⁴は各々水素原子，アルキル基，置換アルキル基，アリール基及び置換アリール基からなる群より選ばれる一つであって，互いに同じであっても異なっていてもよく，Ｒ⁵はメチレン基，Ｚは酸素原子，イオウ原子，ＮＲ⁶（ただし，Ｎは窒素原子，Ｒ⁶は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖，生理活性を有する基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ⁷基（ただし，Ｒ⁷は水素，アルキル基，置換アルキル基，アリール基，置換アリール基，アミノ基，アミノ酸鎖又は生理活性を有する基である））及びエチレンジオキシ基からなる群より選ばれる一つであり，Ｐはリン原子，ｎは１≦ｎ≦５の整数である）。
17. 前記ジホスフィン化合物Ｘが，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）アミン、ビス（ジフェニルホスフィノエチル）メチルアミン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）エチルアミン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）プロピルアミン、ビス（ジフェニルホスフィノエチル）ブチルアミン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）アセトニルアミン及びビス（ジフェニルホスフィノエチル）メトキシエチルアミンからなる群より選ばれる請求項１３から１６のいずれか一項に記載の方法。
18. 前記ジホスフィン化合物Ｘが，（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−ＮＨ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂，（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−
    Ｎ（ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ（ＯＣＨ₃）₂，（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂，（ＣＨ₃Ｏ）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＯＣＨ₃）₂，
    ［ＣＨ₃Ｏ（ＣＨ₂）₃］₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−［（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃］₂，［ＣＨ₃Ｏ（ＣＨ₂）₃］₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−［（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃］₂，
    （ＣＨ₃ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₃）−
    ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₂，
    （ＣＨ₃ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₂，［ＣＨ₃Ｏ（ＣＨ₂）₃］₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−
    ［（ＣＨ₂）₃ＯＣＨ₃］₂及び（ＣＨ₃ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂）₂−Ｐ−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｎ（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₃）−ＣＨ₂ＣＨ₂−Ｐ−（ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₃）₂からなる群より選ばれる請求項１３から１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 前記ジホスフィン化合物Ｘが，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）ジオキシエチレン，ビス（ジメトキシホスフィノエチル）ジオキシエチレン，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）エーテル，ビス（ジフェニルホスフィノエチル）スルフィド及びビス（ジフェニルホスフィノエチル）アルキレンからなる群より選ばれる請求項１３から１６のいずれか一項に記載の方法。
20. 前記二座配位子Ｙが，
    ［Ｎ^-，Ｓ^-］，［Ｏ^-，Ｓ^-］，［Ｓ^-，Ｓ^-］，［Ｎ^-，Ｓ］，［Ｎ，Ｓ^-］，［Ｏ，Ｓ^-］，［Ｏ，Ｏ^-］，［Ｏ^-，Ｎ^-］，［Ｎ^-，Ｎ^-］，［Ｏ^-，Ｓ］，［Ｏ^-，Ｏ^-］，［Ｏ^-，Ｎ］，［Ｓ，Ｓ^-］，［Ｎ，Ｎ^-］，［Ｏ，Ｎ^-］，［Ｏ，Ｎ］，［Ｎ，Ｎ］，［Ｓ，Ｓ］，［Ｏ，Ｏ］，［Ｎ，Ｓ］及び［Ｏ，Ｓ］からなる群より選ばれる電子供与性原子の組合せを有する二座配位子である請求項１３から１９のいずれか一項に記載の方法。
21. 前記二座配位子Ｙが生理活性を有する請求項１３から２０のいずれか一項に記載の方法。
22. 前記二座配位子Ｙが、糖，アミノ酸，脂肪酸，ホルモン，ペプチド及びリセプター結合性リガンドからなる群より選ばれる生理活性物質と前記電子供与性原子との組合せよりなる請求項１３から２１のいずれか一項に記載の方法。
23. 前記二座配位子Ｙが，１−チオ−β−Ｄ−グルコース，チオサリチル酸，システイン，システインエチルエステル，２−アミノエタンチオール，ジチオカルバミン酸及びその誘導体，及びジチオカルバジン酸及びその誘導体からなる群より選ばれる請求項２１又は２２に記載の方法。
24. 前記ジチオカルバミン酸誘導体が，ジチオカルバミン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチル，ジオチカルバミン酸−Ｎ−ジエチル，ジチオカルバミン酸−Ｎ−エチル及びジチオカルバミン酸−Ｎ−エトキシ−Ｎ−エチル，又は前記ジチオカルバジン酸誘導体が，ジチオカルバジン酸−Ｎ−エチル及びジチオカルバジン酸−Ｎ−メチル−Ｓ−メチルからなる群より選ばれる一つである請求項２３に記載の方法。
25. 前記放射性遷移金属Ｍの酸化物が^99mＴｃＯ₄ ^-，¹⁸⁶ＲｅＯ₄ ^-及び¹⁸⁸ＲｅＯ₄ ^-からなる群より選ばれる請求項１３から２３のいずれか一項に記載の方法。

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