JP3935151B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の第1実施形態に係る半導体集積回路装置の、メモリセルとDQ線との接続関係の一例を示す回路図である。
リードの際、選択されたワード線WLの電位が、例えば、“L”レベルから“H”レベルとなり、メモリセル1にストアされていたデータがビット線対BLt、BLcに読み出される。読み出しデータは、センスアンプSAによって増幅される。次いで、選択されたカラム選択線CSLの電位が、例えば、“L”レベルから“H”レベルとなり、カラムスイッチ3が導通し、読み出しデータはDQ線対DQt、DQcに伝えられる。この後、特に、図示しないが、読み出しデータは、例えば、DQ線センスアンプ(リードデータ線バッファ)、データバス線、及び入力/出力回路を介して、入力/出力端子に伝えられる。読み出しデータは入力/出力端子から出力される。
ライトの際、入力/出力端子に入力された書き込みデータが、特に、図示しないが、入力/出力回路、データバス線を介して、ライトデータ線バッファに伝えられる。ライトデータ線バッファは、DQ線対DQt、DQcをドライブし、DQ線対DQt、DQcの電位を、書き込みデータの論理に応じて、“0、1”、もしくは“1、0”とする。次いで、選択されたカラム選択線CSLの電位が、例えば、“L”レベルから“H”レベルとなり、カラムスイッチ3が導通し、書き込みデータがビット線対BLt、BLcに伝えられる。次いで、選択されたワード線WLの電位が、例えば、“L”レベルから“H”レベルとなって、書き込みデータはメモリセル1にストアされる。
図6は、この発明の第2実施形態に係る半導体集積回路装置の、メモリセルとDQ線との接続関係の一例を示す回路図である。
図12は、この発明の第3実施形態に係る半導体集積回路装置の、メモリセルとDQ線との接続関係の一例を示す回路図である。図13は、この発明の第3実施形態に係る半導体集積回路装置の、DQ線、リードデータ線及びライトデータ線の接続関係の一例を示す回路図である。なお、第3実施形態は、数3に示す生成行列G3を使用する。
論理補正回路9は、例えば、ロウアドレスRA0、RA1が“不一致”であるのか“一致”であるのかを検知する。
さらに、論理補正回路9は、例えば、ロウアドレスRA2の論理が“H”であるのか“L”であるのかを検知する。
ロウアドレスRA2が“H”であるとき、“ワード線の切り替わり”は発生しない。
ロウアドレスRA2が“L”であるとき、カラムアドレスCA0に応じて、“ワード線の切り替わり”が発生する。
ロウアドレスRA2が“L”であるとき、“ワード線の切り替わり”が発生する可能性があるので、論理補正回路9は、例えば、カラムアドレスCA0の論理が“H”であるのか“L”であるのかを検知する。
カラムアドレスCA0が“L”であるとき、“ワード線の切り替わり”は発生しない。
カラムアドレスCA0が“H”であるとき、“ワード線の切り替わり”が発生する。
図16は、この発明の第4実施形態に係る半導体集積回路装置の、メモリセルとDQ線との接続関係の一例を示す回路図である。図17は、この発明の第3実施形態に係る半導体集積回路装置の、DQ線、リードデータ線及びライトデータ線の接続関係の一例を示す回路図である。第4実施形態は、数3に示す生成行列G3を使用する。
図18は、この発明の第5実施形態に係る半導体集積回路装置の、ロウ制御回路(ロウデコーダ)の一例を示す回路図である。第5実施形態に係る半導体集積回路装置は、リダンダンシ回路付きの半導体集積回路装置である。
2.ロウアドレスRAが、置換選択されたリダンダントワード線RWLj以外のRWLにヒットした時、RINVj=L
3.ロウアドレスRAが、置換選択されたリダンダントワード線RWLjにヒットし、かつRWLjのセル配置が、置換前のノーマルワード線WLと同じである時、RINVj=L
4.ロウアドレスRAが、置換選択されたリダンダントワード線RWLjにヒットし、かつRWLjのセル配置が、置換前のノーマルワード線WLと逆である時、RINVj=H
このような、信号RINV0〜RINV3の論理和(OR)をとり、信号DQINVを生成する。信号DQINVは、パリティビットに対応するリードデータ線PRDへの出力論理の反転、及びライトデータ線PWDからの出力論理の反転を実行するか否かを指示する信号である。信号DQINVは、論理補正回路9に入力される。
次に、上記実施形態を適用できるECC機能付半導体メモリの例を、この発明の第6実施形態として説明する。
図23は、図22に示す半導体メモリの第1のライト動作例を示す流れ図である。
図24は図22に示す半導体メモリのリード動作例を示す流れ図である。
図25は、図22に示す半導体メモリの第2のライト動作例を示す流れ図である。
図26は、図22に示す半導体メモリの第3のライト動作例を示す流れ図である。
Claims (6)
- アドレスに基づいて選択される第1、第2ワード線と、
情報ビット用相補ビット線対と、
パリティビット用相補ビット線対と、
前記第1ワード線と、前記情報ビット用相補ビット線対の一方とに、結合された第1メモリセルと、
前記第1ワード線と、前記パリティビット用相補ビット線対の一方とに、結合された第2メモリセルと、
前記第2ワード線と、前記情報ビット用相補ビット線対の他方とに、結合された第3メモリセルと、
前記第2ワード線と、前記パリティビット用相補ビット線対の他方とに、結合された第4メモリセルと、
前記情報ビット用相補ビット線対を情報ビット用データ線対に接続し、前記パリティビット用相補ビット線対をパリティビット用データ線対に接続するカラムスイッチ群と、
前記パリティビット用データ線対の一方に接続された論理補正回路とを具備し、
前記論理補正回路は、前記アドレスに基づいて、データのリード動作時に前記パリティビット用データ線から読み出されたデータの論理を反転させ、データのライト動作時に前記パリティビット用データ線に書き込むデータの論理を反転させるパリティビット書き換え動作を実行することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記情報ビット用相補ビット線対、及びパリティビット用相補ビット線対はそれぞれ、捩れビット線であり、
前記論理補正回路は、選択したワード線が逆相カラムに交差するか否か、及び選択したカラムが逆相カラムであるか否かを判断し、
前記選択したワード線が逆相カラムに交差するとともに、前記選択したカラムが逆相カラムである場合には、前記パリティビット書き換え動作を実行しないことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - リダンダントワード線と、
置換前ワード線を前記リダンダントワード線に置換するリダンダンシ回路とを、さらに、具備し、
前記論理補正回路は、前記アドレスに基づいてリダンダントワード線が選択されたか否か、及び前記リダンダントワード線のメモリセルの配置が、前記置換前ワード線のメモリセルの配置と同じであるか否かを判断し、
前記リダンダントワード線が選択されるとともに、前記リダンダントワード線のメモリセルの配置が、前記置換前ワード線のメモリセルの配置と異なる場合には、前記パリティビット書き換え動作を、前記置換前ワード線選択時と逆の動作に従って実行することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記ライト動作は、
前記第1メモリセル及び前記第3メモリセルのいずれか一つを含む第1メモリセル群に蓄えられている未訂正データを読み出す第1の手順と、
前記未訂正データにライトデータを上書きした状態と実質的に同一になるように、前記第1メモリセル群に書き込む第2の手順と、
前記未定正データに対して誤り検知及び誤り訂正を施した訂正済データの一部に、前記ライトデータを上書きした状態でパリティビットを発生させる第3の手順と、
前記パリティビットを、前記第2メモリセル及び前記第4メモリセルのいずれか一つを含む第2メモリセル群に書き込む第4の手順と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 第1のアドレスに対する前記ライト動作における第1から第4の手順のうち、少なくとも第4の手順は、第2のアドレスに対する前記ライト動作、もしくは第2のアドレスに対するリード動作を実行している期間内に実行することを特徴とする請求項4に記載の半導体集積回路装置。
- 前記論理補正回路は、電源投入時のメモリセルの状態、もしくはデータ初期化時のメモリセルの状態に応じ、誤り訂正符号における正しい符号語の読み出しを保障することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
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