JP3916424B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板処理装置に関する。さらに詳しくは、表示装置や半導体装置の製造装置における、とくにエッチングや洗浄などの湿式工程で用いられる洗浄液、現像液またはエッチング液などの処理液を用いた基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶表示装置の製造工程の一部において、ガラス基板に金属薄膜を成膜したのち、この金属薄膜のパターニングを完成させるまでの一連のプロセスを湿式工程で行なうことが知られている。
【0003】
この湿式工程の一例を液晶表示装置のアレイ基板に形成されたソース・ドレイン膜の形成で説明する。
【0004】
まず半導体膜(a−Si膜とn+a−Si膜)上にクロム金属をスパッタ法で成膜したのち、このクロム金属膜にレジストを全面塗布し、写真製版法でこのレジスト膜をパターニングする。この状態でウェットエッチング法を用いてクロム金属膜をパター二ングするため、基板全面を硝酸第二セリウムアンモニウムを含む酸性水溶液で浸す。ついでエッチング液を取り除くため、基板全面を純水中に浸したのち、基板をスピン乾燥やエアナイフ乾燥などを用いた乾燥室で乾燥させて一連の湿式工程が完了する。
【0005】
以上のように、ソース・ドレイン膜形成の湿式工程では、基板全面を液体に浸す工程として、少なくともクロム金属膜エッチング工程と基板洗浄工程がある。これらの工程を実現する手法は、基板全面に対して処理液を噴射させるスプレー方式と、基板を処理槽の処理液中に沈めるディップ方式に大別される。しかし、近年ディップ方式では、液晶表示装置の大型化に対応できず、スプレー方式が主流となってきている。
【0006】
つぎに図10に基づいてスプレー方式による湿式装置の概要を説明する。処理室TR1、TR2のブロックで基板のウェットエッチングが行なわれ、洗浄室WR1、WR2のブロックで基板の洗浄が行なわれる。
【0007】
そののち、基板51は乾燥室DRにて乾燥され次工程へと搬送される。
【0008】
まず、基板51は搬送ローラ52によって水平に搬送され処理室TR1に入る。処理室TR1では基板51の上方にパイプ53が複数本配置されるとともに、このパイプ53には処理液54を噴射する噴射口55が形成されている。処理液はタンク56に貯蔵されており、定量ポンプ57で処理液を汲み上げてパイプ53によって、基板51上まで圧送したのち、パイプ53のマニホールド58を流れる処理液54を定量ポンプ57で加圧して噴射口55より噴射する。また、処理液54を定量ポンプ57で汲み上げる際の処理液の量および処理時間は制御装置59にて管理されている。なお、処理室TR2および洗浄室WR1、WR2においても同様の動作で基板の処理が行なわれる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
図11に基板処理装置の搬送系および処理液の噴射系の側面図、および図12にこの平面図を示す。従来の湿式工程で用いられるスプレー方式においては、図11に示されるように、パイプ60のノズル噴射口60aから基板51の表面に向かって垂直に処理液54が噴射されている。このため、図12に示すように処理液54の流れFは様々な方向に分散するため、各噴射口から噴射した処理液54の流れFは互いに基板51上で衝突を起こす。すなわち処理液は、基板面内の衝突部分で流速を急激に失い、乱流となった処理液の滞留が発生し循環できなくなるため、基板全面において均一な処理条件を確保できず、結果として処理ムラを起こすことになる。具体的には、エッチング工程ではエッチング遅れによる残さの発生または洗浄工程においては不充分な洗浄による洗浄ムラが原因で配線の断線を引き起こす。なお、この現象を解消するために水洗時間を延長したり、洗浄のための液量を増加させたりする方法も考えられるが、タクト時間が長くなったり、処理コストが高くなるという不具合が生じる。
【0010】
一方、処理液を基板に滞留させない方法は、たとえば特開平11−44877号公報、特開平11−307434号公報および特開平9−160006号公報などに開示されている。いずれの方法においてもパイプに設置したノズル(噴射口)から処理液を噴射する方向を基板に対して垂直にならないように配置し、処理液を層流状に流すように配慮されている。
【0011】
前記特開平11−44877号公報の記載によれば、図13に示されるように、くの字に湾曲したシャワーノズル61を使って、基板51に対して処理液54の噴射方向を基板51の搬送方向62に対して傾斜した処理噴射系が採用されている。くの字に湾曲していることで、シャワーノズル61から噴射される処理液54は基板51の両サイドおよび基板51の搬送方向62の後側に分散して流出するため、処理液噴出系のコンパクト化を図れるというメリットがある。しかし、処理液54の噴出方向が一方向であるため、処理液54の上流側の基板端において処理液54の交換量が少ないために処理ムラを生じ、充分な基板処理を行なえないという問題がある。同様にシャワーノズル61をくの字に曲げた構造のため、屈曲部近傍でも充分な基板処理は期待できない。処理液54の流れる方向が両サイドに分かれるために基板51の中央部分の処理液54の交換が遅くなる可能性があり処理ムラが発生しやすくなる。
【0012】
また、前記特開平11−307434号公報の記載によれば、図14に示されるように、ノズル71の処理液54の噴射方向が基板51の中央から基板51の端縁に向かう方向に傾斜している。このような構造とすることで、基板51の表面における処理液54を基板51の中央から基板51の端縁に向かって層流状に流すことができる。しかし、基板51の中央部付近のノズル71からの処理液54の噴射方向は基板面に対してほぼ垂直となるため、図11〜12に示した既存の処理液噴射系と同様の問題を内在している。
【0013】
これに対し、前記特開平9−160006号公報の記載によれば、図15に示されるように、ノズルパイプ81のノズル82の噴射方向83は基板51の搬送方向に対して概略直交する方向84に処理液の流れを揃えるように、ノズル82の方向を工夫している。また、各ノズルパイプ81に形成されたノズル82から二方向に噴射された処理液は衝突することなく交差する。しかし、中央付近の処理液の滞留はなくなるものの、基板51の搬送方向に対し直交する方向に流れる方向84を生成させ、基板51上で合流が生じる際に処理液は流速を急激に失い、処理の効率化が損なわれる。また、基板全面でこのような流れを生成させるためには図15に示すとおり基板51の端に処理液が滞留しないよう、ノズル82およびノズルパイプ81を基板の外側に至るまで形成しなければならず処理装置の大型化、さらには処理液が大量に必要となるため製造コストが上昇する。
【0014】
また、各パイプ81に設置されたノズル82の噴射口は時間の経過とともに、処理液の成分の凝固などで詰まったり、パイプ81や噴射口そのものが腐食して局所的に噴射形状が不均一となるため、噴射量および噴射方向がばらつくという問題が起こる。この結果、処理液を基板に単位時間および単位面積当りの定量を維持できずに処理ムラを引き起こすという問題がある。
【0015】
本発明は前述のような問題を解決するために鑑みなされたものであり、洗浄、現像またはエッチングなどの処理において、処理液の流れを滞留させないように基板処理装置を構成することで、基板上に供給される処理液を均一にし、処理液の交換速度の部分的な違いをなくし、処理ムラを低減させる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0016】
また、噴射口の経時変化(パイプのつまりや腐食)による処理液の噴射量および噴射時間のばらつきを事前に察知し、処理ムラを未然に防ぐ基板処理装置を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明の基板処理装置は、基板に処理液を噴射する湿式工程で用いられる表示装置または半導体装置用の基板処理装置であって、
前記基板の主面に対して互いに略平行に配置された複数の筒状パイプが、
前記基板の主面に向けて前記パイプの軸方向と垂直な平面に沿って、処理液を噴射する複数の噴射口を有しており、
前記複数の筒状パイプの軸方向に垂直な断面において、中心軸を原点として前記基板と平行な方向をX軸に取り、このX軸に垂直な方向をY軸に取る場合、第4象限に位置する前記筒状パイプに配置される第1の噴射口と、第3象限に位置する前記筒状パイプに配置される第2の噴射口とが、前記筒状パイプの軸方向に沿って交互に並べられてなることを特徴とする。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を用いて、本発明の基板処理装置の実施の形態について詳細に説明する。
【0020】
実施の形態1
図1は本発明の実施の形態1にかかわる基板処理装置を示す側面図、図2は図1の基板処理装置の平面図、図3は図2のパイプのA−A線断面図、図4は図2のパイプのB−B線断面図である。図1〜2に示される基板処理装置は、スプレー方式による湿式装置の洗浄またはエッチングなどに用いられる処理装置であって、処理室TRには基板1に洗浄液、現像液またはエッチング液などの処理液2を矢印3a、3bの方向に噴射するため、基板の主面(基板の表面)4に対して、互いに略平行に、複数の筒状パイプの第1のパイプ5と第2のパイプ6(以下、単にパイプという)のパイプ群が配置されている。このパイプ5、6には複数の噴射口7、8が形成されている。また、パイプ5、6のマニホールド9には処理液2が循環させられる。前記噴射口7、8の直径は1mm前後であり、パイプ1本につき3〜5個の噴射口を設けたパイプ5、6を8本程度配置している。なお、図1〜2においては、6本のパイプを示している。また、10は基板1を水平に搬送する搬送ローラであり、11は基板搬送方向である。
【0021】
前記パイプ5、6は貯蔵タンク12に接続されており、該貯蔵タンク12内の処理液をパイプ5、6で圧送するため、定容量ポンプ13、14が貯蔵タンク12とパイプ5、6とのあいだに設置されている。そして、制御装置15でポンプ13、14が処理液を噴射する操作を繰り返し行ない、パイプ5、6まで圧送する処理液の容量および時間を制御している。また、定容量ポンプ13、14から吐出された処理液を全てパイプから噴射させることによって、処理液の噴射量の管理を定容量ポンプ13、14の吐出性能(吐出ムラ)のみで把握できるようにするため、パイプ5、6のマニホールド9中の処理液を循環させないように、マニホールド9 の一方端が塞がれている構成を採用している。
【0022】
つぎに噴射口の具体的な配置方法を図3〜4を参照しながら説明する。パイプの中心軸を原点として基板1と平行な方向をX軸とし、このX軸に垂直な方向をY軸という座標系を考えると、第4象限にパイプ5の噴射口7が配置される場合、端部のパイプを除くその両側のパイプ6の噴射口8は第3象限に配置される。処理液の噴射方向3a、3bは基板の主面4に対し傾斜される方向で、かつ基板の主面4に向けて噴射される。
【0023】
つぎに処理液が流れる方向について説明する。図1〜2に示されるようにパイプ5、6は基板の主面4に対して略平行で、かつ略同平面上に交互に配置されている。また、処理液2がパイプ5、6の軸方向と垂直な平面に沿って噴射され、かつ噴射液同士の衝突が起きないように一定の間隔にて噴射口7、8がパイプ5、6に配置されている。このような配置を行なうことで、パイプ5から噴射した処理液は基板の主面4に向けて、パイプ5の軸方向と垂直な平面に沿うF1方向に流れ、パイプ6から噴射した処理液は基板の主面4に向けてパイプ6の軸方向と垂直な平面に沿うF2方向で、前記F1方向とは逆方向に流れる。
【0024】
さらに、本実施の形態1では処理液が衝突および滞留しないように、まずパイプ5から処理液2を一定時間噴射させたのち、パイプ5からの処理液2の噴射を止める。ついで基板1上の処理液2がF1方向へ流れきったのち、パイプ6から処理液2を一定時間噴射させ、同様の動作を繰り返す。なお、パイプ5とパイプ6の処理液噴射管理(噴射のタイミングと噴射時間の管理)を行なうため、ポンプのオン・オフスイッチング動作を制御装置15で実行する。より具体的にはパイプ5へ処理液を圧送するポンプ13を駆動させて処理液を5秒間噴射させたのち、このポンプ13の駆動を停止させ、そののち、パイプ6へ処理液を圧送するようポンプ14を駆動させて処理液を5秒間噴射させるように交互にパイプ5、6を切り換える操作を合計2〜10回繰り返す。処理液2の噴射で、パイプ5、6を切り換える操作を4回とした場合、基板1枚の処理には20リットル程度の処理液を要し、圧力は0.1MPa程度となった。これは従来使用した処理液の量と同量程度であった。このとき、処理液は均一に基板の主面4に向かって噴射され、滞留するような現象は見られなかった。
【0025】
基板処理装置を前記のような構成とし、噴射する処理液の方向を一定時間ごとに変えたため、基板上に噴射される処理液は衝突をおこさず、基板上に滞留しなくなる。このため、基板面内での処理液の交換速度の違いがなくなり、処理ムラが低減される。
【0026】
実施の形態2
図5は本発明の実施の形態2にかかわる基板処理装置を示す側面図、図6は図5の基板処理装置の平面図、図7は図6のパイプのC−C線断面図である。図5〜6において、処理室TRには基板1に処理液2を噴射するため、基板の主面4に対して、互いに略平行に、複数の筒状パイプ21(以下、単にパイプという)が配置され、パイプ21には複数の噴射口22a、22bが形成されている。パイプ21のマニホールド23には処理液が循環させられる。噴射口22a、22bの直径は1mm前後であり、パイプ1本につき6〜8個の噴射口を設けたパイプ21を8本程度配置した。なお、図5〜7においては、4本のパイプを示している。
【0027】
貯蔵タンク12内の処理液をパイプ21で圧送するため、定容量ポンプ24がタンク25とパイプ21とのあいだに設置され、制御装置25で定容量ポンプ24がパイプ21まで圧送する処理液の容量および時間を制御している。また、前記実施の形態1と同様、定容量ポンプ24から吐出された処理液を全てパイプ21から噴射させることによって、処理液の噴射量の管理を定容量ポンプ24の吐出性能(吐出ムラ)のみで把握できるようにするため、パイプ21のマニホールド23中の処理液を循環させないように、マニホールド23の一方端が塞がれている構成を採用している。
【0028】
つぎに噴射口の具体的な配置方法を図7を参照しながら説明する。パイプの中心軸を原点として基板1と平行な方向をX軸とし、このX軸に垂直な方向をY軸という座標系を考えると、第4象限に噴射口22aが配置される場合、隣接している噴射口22bは第3象限に配置される。1本のパイプ21にこのような噴射口22a、22bを形成することで、処理液は基板の主面4に傾斜される噴射方向3a、3bで、かつ基板の主面4に向けて一気に噴射される。
【0029】
つぎに処理液の流れる方向について説明する。図5〜6に示されるようにパイプ21は基板の主面4に対して略平行で、かつ略同一面上に配置した。また、処理液2がパイプ21の軸方向と垂直な平面に沿って噴射され、かつ処理液同士の衝突が起きないように、噴射口22a、22bは1本のパイプ21に交互に、かつ一定の間隔にて配置されている。このような配置を行なうことで、噴射口22aから噴出した処理液は基板の主面4に向けて,パイプ21の軸方向と垂直な平面に沿うF1方向に流れ、噴射口22bから噴射した処理液は基板の主面4に向けてパイプ21の軸方向と垂直な平面に沿うF2方向で、前記F1方向とは逆方向に流れる。
【0030】
本実施の形態2において、基板1枚の処理に要する処理液の噴射時間は30〜100秒程度とする。このとき使用する処理液の量は20〜50リットル程度である。望ましくは基板1枚の処理に30秒間の処理液を噴射させる。このとき使用した処理液の量は20リットルであり、圧力が0.1MPa程度となり、従来使用した処理液の量と同量程度であった。また、処理液は均一に基板上に噴射され、滞留するような現象は見られなかった。
【0031】
基板処理装置を前記のような構成とし、同時に噴射する処理液の方向を対向する2つの方向に設定したため、基板上に噴射される処理液は衝突をおこさず、基板上に滞留しなくなる。また、基板面内での処理液の交換速度の違いがなくなり処理ムラが低減される。
【0032】
実施の形態3
図8は本発明の実施の形態3にかかわる基板処理装置を示す平面図、図9は図8のパイプのD−D線断面図である。図8〜9に示されるように基板1に処理液を噴射するため、基板の主面4に対して、互いに略平行に、複数の筒状パイプ(以下、単にパイプという)31が配置されている。なお、図8においては、6本のパイプを示している。また、12は貯蔵タンク、13、14は定容量ポンプ、15は制御装置である。パイプ31には複数の噴射口32が形成されている。このパイプ31に沿うように先端にホットワイヤなどの流量計33を設置したワイヤ34が取り付けられている。流量計33は、直径が数ミリ以下のものを用い、処理液の水流の抵抗にならないように噴射口32の一部である処理液噴射部に取り付けられている。流量計33は、ワイヤを介して流量計制御装置35に接続させ、個々の噴射口32から噴射される処理液が単位時間および単位面積当りの定量の維持が図られているかどうかを処理液の温度変化にて把握する。パイプ31や噴射口32には、時間の経過とともに処理液の成分の凝固による詰りや、パイプ31や噴射口32そのものの腐食により処理液が滞留し、処理液の流量が変化する。これを感知するために、噴射口32付近に設置したホットワイヤに電流を流してワイヤを加熱し、処理液の流れにより生じる温度変化を抵抗変化として検出する。たとえば処理液によりホットワイヤの温度が下がると、ホットワイヤの抵抗が下がる。この抵抗変化による電位差を流量計によって感知することで処理液の流量変化を把握することができる。このような構成とすることで、噴射口32の経時変化(パイプの詰りや腐食)による処理液の噴射量のばらつきを事前に察知する。また、ホットワイヤは噴射口に設置をしたが、水流の抵抗にならない構成とするなら、パイプなどに設置してもよい。本実施の形態3における基板処理装置を前記のような構成とするため、噴射口の詰りや腐食が起因の処理ムラを未然に防ぐことができる。
【0033】
以上、本発明を実施の形態1〜3に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。たとえば実施の形態3では、実施の形態1での構成の基板処理装置に流量計を配置したが、実施の形態2の構成である基板処理装置に流量計を配置しても同様な効果が得られる。また、本発明を処理室内に設置した基板処理装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、洗浄室内に設置される基板処理装置に適用することもできる。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、洗浄液、現像液またはエッチング液などの処理液の流れを滞留させないように、第3象限および第4象限にそれぞれ噴射口を配置するパイプを交互に並べたり、または第3象限および第4象限に配置される噴射口を軸方向に並べたパイプを並べたりすることにより、基板上に供給される処理液を均一にし、処理液の交換速度の違いをなくし処理ムラを低減させることができる。また、噴射口の経時変化による処理液の噴射量および噴射時間のばらつきを事前に察知し、処理ムラを未然に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1にかかわる基板処理装置を示す側面図である。
【図2】図1の基板処理装置の平面図である。
【図3】図2のパイプのA−A線断面図である。
【図4】図2のパイプのB−B線断面図である。
【図5】本発明の実施の形態2にかかわる基板処理装置を示す側面図である。
【図6】図5の基板処理装置の平面図である。
【図7】図6のパイプのC−C線断面図である。
【図8】本発明の実施の形態3にかかわる基板処理装置を示す平面図である。
【図9】図8のパイプのD−D線断面図である。
【図10】スプレー方式による湿式装置を説明する概略図である。
【図11】従来の基板処理装置の搬送系および処理液の噴射系の例を示す側面図である。
【図12】図11の基板処理装置の平面図である。
【図13】従来の処理室に配置されるノズルの一例を示す平面図である。
【図14】従来の処理室に配置されるノズルの他の例を示す側面図である。
【図15】従来の処理室に配置されるノズルのさらに他の例を示す部分平面図である。
【符号の説明】
TR 処理室
1 基板
2 処理液
3a、3b 噴射方向
4 基板の主面
5、6、21、31 パイプ
7、8、22a、22b、32 噴射口
9、23 マニホールド
10 搬送ローラ
11 基板搬送方向
12 貯蔵タンク
13、14 定容量ポンプ
15 制御装置
33 流量計
34 ワイヤ
35 流量計制御装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus. More particularly, the present invention relates to a substrate processing apparatus using a processing solution such as a cleaning solution, a developing solution or an etching solution used in a wet process such as etching or cleaning in a display device or a semiconductor device manufacturing apparatus.
[0002]
[Prior art]
In a part of the manufacturing process of the liquid crystal display device, it is known that a series of processes from forming a metal thin film on a glass substrate to completing patterning of the metal thin film is performed by a wet process.
[0003]
An example of this wet process will be described with reference to formation of source / drain films formed on an array substrate of a liquid crystal display device.
[0004]
First, chromium metal is formed on a semiconductor film (a-Si film and n + a-Si film) by a sputtering method, and then a resist is coated on the entire surface of the chromium metal film, and this resist film is patterned by a photoengraving method. In this state, in order to pattern the chromium metal film using a wet etching method, the entire surface of the substrate is immersed in an acidic aqueous solution containing ceric ammonium nitrate. Next, in order to remove the etching solution, the entire surface of the substrate is immersed in pure water, and then the substrate is dried in a drying chamber using spin drying, air knife drying, or the like, thereby completing a series of wet processes.
[0005]
As described above, in the wet process of forming the source / drain film, there are at least a chromium metal film etching process and a substrate cleaning process as the process of immersing the entire surface of the substrate in the liquid. Methods for realizing these processes are roughly classified into a spray method in which a processing liquid is sprayed on the entire surface of the substrate and a dip method in which the substrate is submerged in the processing liquid in the processing tank. However, in recent years, the dip method cannot cope with the increase in size of the liquid crystal display device, and the spray method has become mainstream.
[0006]
Next, an outline of a wet apparatus using a spray method will be described with reference to FIG. The substrate is wet-etched in the processing chambers TR1 and TR2, and the substrate is cleaned in the cleaning chambers WR1 and WR2.
[0007]
After that, the
[0008]
First, the
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
FIG. 11 is a side view of the substrate processing apparatus transport system and processing liquid injection system, and FIG. 12 is a plan view thereof. In the spray method used in the conventional wet process, as shown in FIG. 11, the
[0010]
On the other hand, methods for preventing the treatment liquid from staying on the substrate are disclosed in, for example, JP-A-11-44877, JP-A-11-307434, JP-A-9-160006, and the like. In any of the methods, consideration is given to arranging the treatment liquid to be ejected from a nozzle (ejection port) installed in the pipe so that the treatment liquid is not perpendicular to the substrate and causing the treatment liquid to flow in a laminar flow.
[0011]
According to the description of Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-44877, as shown in FIG. 13, the spray direction of the
[0012]
Further, according to the description of Japanese Patent Laid-Open No. 11-307434, as shown in FIG. 14, the spraying direction of the
[0013]
On the other hand, according to the description of Japanese Patent Laid-Open No. 9-160006, as shown in FIG. 15, the
[0014]
In addition, the
[0015]
The present invention has been made in order to solve the above-described problems. In the processing such as cleaning, development, or etching, the substrate processing apparatus is configured so as not to retain the flow of the processing liquid, thereby providing a substrate on the substrate. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that makes the processing liquid supplied to the substrate uniform, eliminates a partial difference in the replacement speed of the processing liquid, and reduces processing unevenness.
[0016]
It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus that detects in advance variations in the injection amount and injection time of the processing liquid due to changes in the injection port over time (piping or corrosion of the pipe) and prevents processing unevenness.
[0018]
[Means for Solving the Problems]
A substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus for a display device or a semiconductor device used in a wet process for injecting a processing liquid onto a substrate,
A plurality of cylindrical pipes arranged substantially parallel to each other with respect to the main surface of the substrate,
A plurality of injection ports for injecting treatment liquid along a plane perpendicular to the axial direction of the pipe toward the main surface of the substrate,
In a cross section perpendicular to the axial direction of the plurality of cylindrical pipes, when the central axis is the origin and the direction parallel to the substrate is taken as the X axis and the direction perpendicular to the X axis is taken as the Y axis, The first injection port arranged in the cylindrical pipe located and the second injection port arranged in the cylindrical pipe located in the third quadrant alternate along the axial direction of the cylindrical pipe. It is characterized by being arranged in.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0020]
1 is a side view showing a substrate processing apparatus according to
[0021]
The
[0022]
Next, a specific method of arranging the injection ports will be described with reference to FIGS. Considering a coordinate system in which the center axis of the pipe is the origin, the direction parallel to the
[0023]
Next, the direction in which the processing liquid flows will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, the
[0024]
Further, in the first embodiment, first, the
[0025]
Since the substrate processing apparatus is configured as described above, and the direction of the processing liquid to be sprayed is changed every predetermined time, the processing liquid sprayed onto the substrate does not collide and does not stay on the substrate. For this reason, there is no difference in the replacement speed of the processing liquid within the substrate surface, and processing unevenness is reduced.
[0026]
5 is a side view showing a substrate processing apparatus according to
[0027]
In order to pump the processing liquid in the
[0028]
Next, a specific arrangement method of the injection ports will be described with reference to FIG. Considering a coordinate system in which the central axis of the pipe is the origin, the direction parallel to the
[0029]
Next, the direction in which the processing liquid flows will be described. As shown in FIGS. 5 to 6, the
[0030]
In the second embodiment, the spray time of the processing liquid required for processing one substrate is about 30 to 100 seconds. The amount of the processing liquid used at this time is about 20 to 50 liters. Desirably, a processing liquid for 30 seconds is sprayed to process one substrate. The amount of the treatment liquid used at this time was 20 liters, and the pressure was about 0.1 MPa, which was about the same amount as that of the conventionally used treatment liquid. In addition, the treatment liquid was sprayed uniformly on the substrate and no phenomenon of retention was observed.
[0031]
Since the substrate processing apparatus is configured as described above and the directions of the processing liquid sprayed at the same time are set to two opposing directions, the processing liquid sprayed onto the substrate does not collide and does not stay on the substrate. Further, there is no difference in the replacement speed of the processing liquid within the substrate surface, and processing unevenness is reduced.
[0032]
Embodiment 3
8 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view of the pipe of FIG. As shown in FIGS. 8 to 9, a plurality of cylindrical pipes (hereinafter simply referred to as pipes) 31 are arranged substantially parallel to the
[0033]
As mentioned above, although this invention was demonstrated based on Embodiment 1-3, this invention is not limited to these Embodiment, In the range which does not deviate from the summary, various changes are possible. For example, in the third embodiment, the flow meter is arranged in the substrate processing apparatus having the configuration in the first embodiment. However, the same effect can be obtained even if the flow meter is arranged in the substrate processing apparatus having the configuration in the second embodiment. It is done. Further, although the present invention has been described with respect to the substrate processing apparatus installed in the processing chamber, the present invention is not limited to this and can be applied to a substrate processing apparatus installed in the cleaning chamber.
[0034]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, pipes in which injection ports are respectively arranged in the third quadrant and the fourth quadrant are alternately arranged so that the flow of processing liquid such as cleaning liquid, developer, or etching liquid is not retained. Alternatively, by arranging pipes in which the injection ports arranged in the third and fourth quadrants are arranged in the axial direction, the processing liquid supplied onto the substrate is made uniform, and the difference in the processing liquid replacement speed is eliminated. Processing unevenness can be reduced. In addition, it is possible to detect in advance the variation in the amount and time of spraying of the processing liquid due to the change in the ejection port with time, and to prevent processing unevenness.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side view showing a substrate processing apparatus according to
FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG.
3 is a cross-sectional view of the pipe of FIG. 2 along the line AA.
4 is a cross-sectional view of the pipe of FIG. 2 along the line BB.
FIG. 5 is a side view showing a substrate processing apparatus according to
6 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG.
7 is a cross-sectional view of the pipe of FIG. 6 along the line CC.
FIG. 8 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
9 is a cross-sectional view of the pipe of FIG. 8 along the line DD.
FIG. 10 is a schematic view for explaining a wet-type apparatus using a spray method.
FIG. 11 is a side view showing an example of a conventional transport system and processing liquid injection system of a substrate processing apparatus.
12 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 11. FIG.
FIG. 13 is a plan view showing an example of a nozzle arranged in a conventional processing chamber.
FIG. 14 is a side view showing another example of a nozzle arranged in a conventional processing chamber.
FIG. 15 is a partial plan view showing still another example of a nozzle disposed in a conventional processing chamber.
[Explanation of symbols]
Claims (2)
前記基板の主面に対して互いに略平行に配置された複数の筒状パイプが、
前記基板の主面に向けて前記パイプの軸方向と垂直な平面に沿って、処理液を噴射する複数の噴射口を有しており、
前記複数の筒状パイプの軸方向に垂直な断面において、中心軸を原点として前記基板と平行な方向をX軸に取り、このX軸に垂直な方向をY軸に取る場合、第4象限に位置する前記筒状パイプに配置される第1の噴射口と、第3象限に位置する前記筒状パイプに配置される第2の噴射口とが、前記筒状パイプの軸方向に沿って交互に並べられてなることを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus for a display device or a semiconductor device used in a wet process for injecting a processing liquid onto a substrate,
A plurality of cylindrical pipes arranged substantially parallel to each other with respect to the main surface of the substrate,
A plurality of injection ports for injecting treatment liquid along a plane perpendicular to the axial direction of the pipe toward the main surface of the substrate,
In a cross section perpendicular to the axial direction of the plurality of cylindrical pipes, when the central axis is the origin and the direction parallel to the substrate is taken as the X axis and the direction perpendicular to the X axis is taken as the Y axis, The first injection port arranged in the cylindrical pipe located and the second injection port arranged in the cylindrical pipe located in the third quadrant alternate along the axial direction of the cylindrical pipe. A substrate processing apparatus, which is arranged in a row.
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