KR20200084152A - Cleaning apparatus for semiconductor components - Google Patents

Cleaning apparatus for semiconductor components Download PDF

Info

Publication number
KR20200084152A
KR20200084152A KR1020190000198A KR20190000198A KR20200084152A KR 20200084152 A KR20200084152 A KR 20200084152A KR 1020190000198 A KR1020190000198 A KR 1020190000198A KR 20190000198 A KR20190000198 A KR 20190000198A KR 20200084152 A KR20200084152 A KR 20200084152A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
injection
semiconductor component
inner tank
semiconductor
Prior art date
Application number
KR1020190000198A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR102149695B1 (en
Inventor
박성기
Original Assignee
박성기
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박성기 filed Critical 박성기
Priority to KR1020190000198A priority Critical patent/KR102149695B1/en
Publication of KR20200084152A publication Critical patent/KR20200084152A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102149695B1 publication Critical patent/KR102149695B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Abstract

The present invention relates to a cleaning device for a semiconductor component to improve flow of a cleaning liquid supplied into a cleaning chamber by a vortex method so that pollutants are discharged smoothly, thereby improving the cleaning efficiency of a semiconductor component. The cleaning device for a semiconductor component comprises: an inner tank in which a cleaning liquid and a semiconductor component to be cleaned are accommodated; an outer tub installed outside the inner tub and serving to circulate the cleaning liquid in the inner tub; one pair of spray plates disposed on side surfaces of the semiconductor component in the inner tank to form a vortex around the semiconductor component; and a high-pressure spray unit disposed under the inner tank to inject a cleaning solution at the high temperature.

Description

반도체 부품용 세정장치{CLEANING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS}CLEANING APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS

본 발명은 웨이퍼 등 반도체 부품용 세정에 사용하기 위한 반도체 부품용 세정장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 세정챔버 내에 공급되는 세정액의 유동이 와류방식으로 개선되어 오염물질의 배출이 원활히 이루어져서 반도체 부품의 세정효율을 높일 수 있도록 하는 반도체 부품용 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning device for semiconductor parts for use in cleaning semiconductor parts such as wafers, and more specifically, the flow of cleaning liquid supplied into the cleaning chamber is improved by a vortex method to smoothly discharge contaminants. It relates to a cleaning device for semiconductor components that can increase the cleaning efficiency.

웨이퍼 등 반도체 부품을 세정하는 방법에는, 플라즈마 처리나 자외선 조사 등에 의한 건식 세정과, 세정액을 사용하는 습식 세정이 있다. 건식 세정은 반도체 프로세스 전체의 건식화가 진행중에 제안된 기술이며, 균일성이 우수하고, 오염물질의 재부착이 적고, 다른 건식 프로세스와의 연속화가 가능하고, 건조가 불필요하다는 등의 이점을 가지고 있다.Methods for cleaning semiconductor components such as wafers include dry cleaning by plasma treatment or ultraviolet irradiation, and wet cleaning using a cleaning solution. Dry cleaning is a technology proposed during the drying process of the entire semiconductor process, and has advantages such as excellent uniformity, low re-attachment of contaminants, continuation with other dry processes, and no drying. .

그러나, 건식 세정은 다량의 오염물 제거에 적합하지 않고, 파티클 제거를 할 수 없으며, 또한 2차 오염의 염려를 완전히 불식할 수 없는 등의 문제를 갖는다. 건식 세정을 적용했다고 하더라도 이후에 습식 세정이나 순수 린스를 하지 않으면 안되는 것이 현상황이다.However, dry cleaning is not suitable for removing a large amount of contaminants, cannot remove particles, and has problems such as being unable to completely eliminate the concern of secondary contamination. Even if dry cleaning is applied, it is necessary to perform wet cleaning or pure rinse afterwards.

이에 반해, 습식 세정은 장치 비용이 낮고, 처리량이 우수하고, 여러 종류의 오염을 동시에 제거 가능하며, 또한 방법에 따라서는 배치 처리나 전후면 동시 세정도 가능하다는 등의 이점을 가지고 있으므로, 현재 반도체 프로세스에서는 이들이 주류를 이루고 있다.On the other hand, wet cleaning has advantages such as low device cost, excellent throughput, simultaneous removal of various types of contamination, and depending on the method, batch cleaning and simultaneous cleaning of front and back surfaces are also possible. In the process, they are mainstream.

통상적으로, 웨이퍼 세정 공정에서는 다수의 반도체 웨이퍼가 투입되는 세정조 내에 세정액을 유입시켜 세정챔버의 내조로부터 외조로 오버 플로우(Over-flow)시키는 방식이 널리 사용된다.In general, in a wafer cleaning process, a method in which a cleaning liquid is introduced into a cleaning tank in which a plurality of semiconductor wafers are introduced and overflows from an inner tank of the cleaning chamber to an outer tank is widely used.

이와 관련하여, 도 6의 (a)에는 SC-1, SC-2와 같은 세정액과 순수(DIW)를 공급하고 순환시킴으로써 웨이퍼를 세정하는 케미컬 세정챔버의 개략적인 구성이 도시되어 있으며, 도 6의 (b)에는 순수(DIW)를 내조로 지속적으로 공급하여 웨이퍼를 린스하는 DIW 세정챔버의 개략적인 구성이 도시되어 있다.In this regard, FIG. 6(a) shows a schematic configuration of a chemical cleaning chamber for cleaning wafers by supplying and circulating cleaning liquids such as SC-1 and SC-2 and pure water (DIW). (b) shows a schematic configuration of a DIW cleaning chamber in which pure water (DIW) is continuously supplied to the inner tank to rinse the wafer.

도 7에 도시된 바와 같이, 세정챔버의 내조(10) 하부로 공급된 세정액은 상부로 상승하여 외조(11)로 오버 플로우되고, 세정액을 펌핑하는 펌프(12), 세정액에 포함된 이물질을 필터링하는 필터(13) 등을 포함하는 순환 시스템을 통해 다시 내조(10)로 공급된다. 이와 같은 구성을 갖는 웨이퍼 세정조는 예컨대, 대한민국 공개특허공보 제2001-0026116호에 개시되어 있다.As illustrated in FIG. 7, the cleaning liquid supplied to the lower portion of the inner tank 10 of the cleaning chamber rises to the top and overflows to the outer tank 11, the pump 12 pumping the cleaning liquid, and filters foreign substances contained in the cleaning liquid It is supplied to the inner tank 10 again through a circulation system including a filter 13 and the like. A wafer cleaning tank having such a configuration is disclosed, for example, in Korean Patent Publication No. 2001-0026116.

그런데, 종래방식에 따른 세정 공정은 세정챔버 내부에서 세정액이 유동하는 과정에서 난류(Turbulence)가 심하게 발생하여 웨이퍼 표면에 오염 패턴이 발생하는 등 세정 성능이 좋지 않은 취약점이 있다.However, the cleaning process according to the conventional method has a weakness in that the cleaning performance is poor, such as a contamination pattern on the wafer surface due to severe turbulence in the process of cleaning fluid flowing inside the cleaning chamber.

즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 세정챔버 내부에 난류가 발생하여 세정챔버의 상부와 가운데 부분에 사각지대(타원 표시 참조)가 생기게 되며, 이 사각지대로 인해 파티클이나 오염물질의 배출이 방해되어 웨이퍼의 표면에는 각종 오염 패턴이 발생하게 되는 문제점이 있었다.That is, as illustrated in FIG. 7, turbulence occurs inside the cleaning chamber to generate a blind spot (see an oval mark) in the upper and middle parts of the cleaning chamber, and the discharge of particles or contaminants is prevented due to the blind spot. As a result, various contamination patterns were generated on the surface of the wafer.

이러한 문제점을 해결하기 위해서, 등록특허 제10-1063039호에서는 세정액이 세정챔버 내부의 가로방향으로 공급되도록 함으로써 플로우에 방향성을 부여하는 방식으로 난류의 발생을 억제하는 구성을 제안하고 있다.In order to solve this problem, Patent No. 10-1063039 proposes a configuration that suppresses the occurrence of turbulence in a manner that imparts directionality to the flow by allowing the cleaning liquid to be supplied in the transverse direction inside the cleaning chamber.

그러나, 세정액이 세정챔버 내부의 일방향으로만 유동하게 되므로 여전히 새정액의 공급관이 상부, 중부, 하부 중 어느 한 지점에 치우치게 배치된 경우에는 세정액의 공급 불균형으로 인하여 오버플로우 과정에서 소정의 난류가 발생할 수 있어, 각종 파티클이나 오염물질의 배출이 원활히 이루어지지 못하는 문제점이 발생될 수 있다.However, since the cleaning liquid flows only in one direction inside the cleaning chamber, when the supply pipe of the new liquid is biased at any one of the upper, middle, and lower portions, some turbulence occurs in the overflow process due to the imbalance in the supply of the cleaning liquid. As a result, problems may occur in which various particles or pollutants are not discharged smoothly.

등록특허 제10-1063039호Registered Patent No. 10-1063039 등록특허 제10-0892754호Registered Patent No. 10-0892754 등록특허 제10-0526214호Registered Patent No. 10-0526214

본 발명의 목적은 세정챔버 내에 공급되는 세정액의 유동 방식이 개선되어 오염물질의 배출이 원활히 이루어져서 반도체 부품의 세정효율을 높일 수 있도록 하는 반도체 부품용 세정장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a cleaning device for semiconductor parts that improves the cleaning efficiency of semiconductor parts by smoothly discharging contaminants by improving the flow of cleaning liquid supplied into the cleaning chamber.

본 발명의 일측면에 따르면, 웨이퍼 등 반도체 부품의 세정에 사용하기 위한 반도체 부품용 세정장치에 있어서, 세정액과 세정대상인 반도체 부품이 수용되는 내조; 상기 내조의 외측에 설치되고, 상기 내조에서의 세정액을 순환시키는 역할을 하는 외조; 상기 내조 내에서 상기 반도체 부품의 측면에 배치되어 상기 반도체 부품의 주위에 와류를 형성하는 한 쌍의 분사판; 및 상기 내조의 하측에 배치되어 고압의 세정액을 분사하는 고압분사부를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, a cleaning device for semiconductor parts for use in cleaning semiconductor parts such as wafers, comprising: an inner tank in which a cleaning liquid and a semiconductor part to be cleaned are accommodated; An outer tank installed outside the inner tank and serving to circulate the cleaning liquid in the inner tank; A pair of spray plates disposed on a side surface of the semiconductor component in the inner tank to form a vortex around the semiconductor component; And a high-pressure injection unit disposed under the inner tank and spraying high-pressure cleaning liquid.

또한, 상기 한 쌍의 분사판은 곡선형상으로 만곡된 곡면판으로 형성되며, 상기 한 쌍의 분사판은 각각, 분사판 몸체에 길이방향으로 배치되며 지그재그로 배열되는 노즐들을 구비한 복수의 분사 파이프를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the pair of spray plates are formed of a curved curved plate, each of the pair of spray plates is disposed in the longitudinal direction on the body of the spray plate, and a plurality of spray pipes having nozzles arranged in a zigzag manner It characterized in that it comprises.

또한, 상기 제1 분사판의 노즐들 및 상기 제2 분사판의 노즐들은 분사구의 방향이 서로 다른 방향으로 향하는 것을 특징으로 한다.In addition, the nozzles of the first injection plate and the nozzles of the second injection plate are characterized in that the direction of the injection port is directed in different directions.

또한, 상기 복수의 분사 파이프는 일자형상 또는 물결형상 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the plurality of injection pipes are characterized in that formed in either a straight or wavy shape.

또한, 상기 노즐들은 나선형상의 분사구들을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the nozzles are characterized in that it comprises a helical jet.

또한, 상기 고압분사부는 압축공기와 세정액을 분사하는 복수의 벤츄리관 형상의 고압분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the high-pressure injection unit is characterized in that it comprises a plurality of high-pressure injection nozzles of the venturi tube shape for spraying compressed air and cleaning liquid.

본 발명에 의하면, 세정챔버 내에 공급되는 세정액의 유동이 와류 방식으로 개선되어 오염물질의 배출이 원활히 이루어져서 반도체 부품의 세정효율을 높일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the flow of the cleaning liquid supplied into the cleaning chamber is improved in a vortex manner, and the discharge of contaminants is smoothly performed, thereby improving the cleaning efficiency of semiconductor components.

즉, 세정액이 세정챔버 내부의 세정대상인 반도체 부품의 주위에 와류 형태의 유동을 형성하므로 각종 파티클이나 오염물질의 배출이 원활히 이루어질 수 있다. 따라서, 반도체 부품 표면의 이물질과 관련된 품질 및 산포가 개선되고 수율이 향상될 수 있는 장점이 있다.That is, since the cleaning liquid forms a vortex flow around the semiconductor component to be cleaned inside the cleaning chamber, discharge of various particles or contaminants can be smoothly performed. Accordingly, there is an advantage in that the quality and dispersion related to the foreign matter on the surface of the semiconductor component can be improved and the yield can be improved.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 부품용 세정장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고,
도 2는 도 1에 따른 분사판을 개략적으로 나타낸 구성도이고,
도 3은 도 2에 따른 노즐을 개략적으로 나타낸 구성도이고,
도 4는 도 1에 따른 고압분사부를 개략적으로 나타낸 구성도이며,
도 5는 도 1에 따른 다른 실시예의 분사판을 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a schematic view showing a cleaning device for a semiconductor component according to the present invention,
Figure 2 is a schematic view showing the spray plate according to Figure 1,
Figure 3 is a schematic view showing the nozzle according to Figure 2,
Figure 4 is a schematic view showing a high-pressure injection unit according to Figure 1,
5 is a configuration diagram schematically showing the injection plate of another embodiment according to FIG. 1.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부되는 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공 되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 또한, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings may be exaggerated to emphasize a clearer description. It should be noted that in each drawing, the same members may be indicated by the same reference numerals. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that are judged to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention are omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 반도체 부품용 세정장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a cleaning device for a semiconductor component of the present invention will be described in detail by explaining a preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 부품용 세정장치를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 도 1에 따른 분사판을 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 3은 도 2에 따른 노즐을 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 4는 도 1에 따른 고압분사부를 개략적으로 나타낸 구성도이며, 도 5는 도 1에 따른 다른 실시예의 분사판을 개략적으로 나타낸 구성도이다.1 is a schematic view showing a cleaning device for a semiconductor component according to the present invention, FIG. 2 is a schematic view showing a spray plate according to FIG. 1, and FIG. 3 is a schematic view showing a nozzle according to FIG. FIG. 4 is a schematic view showing a high-pressure injection unit according to FIG. 1, and FIG. 5 is a schematic view showing a spray plate of another embodiment according to FIG. 1.

본 발명의 반도체 부품용 세정장치는 반도체 부품이 투입되는 세정챔버 내에 세정액을 유입시켜 세정챔버의 내조로부터 외조로 오버플로우시키는 방식이다.The cleaning device for a semiconductor component of the present invention is a method in which a cleaning liquid is introduced into a cleaning chamber into which a semiconductor component is introduced and overflows from the inner tank to the outer tank of the cleaning chamber.

도 1을 참조하면, 웨이퍼 등 반도체 부품의 세정에 사용하기 위한 반도체 부품용 세정장치는, 세정액과 세정대상인 반도체 부품(W)이 수용되는 내조(110); 상기 내조(110)의 외측에 설치되고, 상기 내조(110)에서의 세정액을 순환시키는 역할을 하는 외조(120); 상기 내조(110) 내에서 상기 반도체 부품(W)의 측면에 배치되어 상기 반도체 부품(W)의 주위에 와류를 형성하는 한 쌍의 분사판(130); 및 상기 내조(110)의 하측에 배치되어 고압의 세정액을 분사하는 고압분사부(140)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 1, a cleaning device for semiconductor parts for use in cleaning semiconductor parts such as wafers includes: an inner tank 110 in which a cleaning liquid and a semiconductor part W to be cleaned are accommodated; The outer tank 120 is installed outside the inner tank 110, and serves to circulate the cleaning liquid in the inner tank 110; A pair of jet plates 130 disposed on the side surfaces of the semiconductor component W in the inner tank 110 to form a vortex around the semiconductor component W; And a high pressure injection unit 140 disposed under the inner tank 110 and spraying a high-pressure cleaning liquid.

도 1에 도시된 바와 같이, 세정챔버의 내조(110) 하부로 공급된 세정액은 상부로 상승하여 외조(120)로 오버 플로우되고, 세정액을 펌핑하는 펌프(112), 세정액에 포함된 이물질을 필터링하는 필터(113) 등을 포함하는 순환 시스템을 통해 다시 내조(110)로 공급된다.As shown in Figure 1, the cleaning liquid supplied to the lower portion of the inner tank 110 of the cleaning chamber rises to the top and overflows to the outer tank 120, the pump 112 pumps the cleaning liquid, and filters foreign substances contained in the cleaning liquid The filter is supplied to the inner tank 110 again through a circulation system including a filter 113 and the like.

한 쌍의 분사판(130)은 내조(110) 내에서 상기 반도체 부품(W)의 측면에 배치되어 상기 반도체 부품(W)의 주위에 와류를 형성함으로써 각종 파티클이나 오염물질의 배출이 원활히 이루어지도록 한다.The pair of spray plates 130 are disposed on the side surfaces of the semiconductor component W in the inner tank 110 to form a vortex around the semiconductor component W so that various particles or pollutants are discharged smoothly. do.

도 2를 참조하면, 한 쌍의 분사판(130)은 와류의 형성이 용이하도록 곡선형상으로 만곡된 곡면판으로 형성될 수 있다. 하지만, 분사판(130)의 형태는 이에 한정되지는 않고 다양한 형태로 형성가능함은 물론이다.Referring to FIG. 2, the pair of spray plates 130 may be formed of a curved curved plate to facilitate formation of a vortex. However, the shape of the jet plate 130 is not limited to this, and it can be formed in various shapes.

상기 한 쌍의 분사판(130)은 각각 복수의 분사 파이프(132)를 포함하고 있다. Each of the pair of injection plates 130 includes a plurality of injection pipes 132.

상기 분사 파이프(132)는 분사판 몸체에 대해서 길이방향으로 배치되어 있다. 여기서, 분사 파이프(132)는 일자형태로 구성되어 있으나, 이에 한정되지는 않는다.The injection pipe 132 is disposed in the longitudinal direction with respect to the body of the injection plate. Here, the injection pipe 132 is configured in a straight shape, but is not limited thereto.

상기 노즐(134)들은 분사 파이프(132)의 통과면에 대해 일정한 간격을 두고 설치되어 세정액을 분사하는 구조를 가진다.The nozzles 134 are installed at regular intervals with respect to the passage surface of the injection pipe 132 to have a structure for spraying the cleaning liquid.

바람직하게, 한 쌍의 분사판(130)의 노즐(134)들은 와류의 형성이 용이하도록 분사구의 방향이 서로 다른 방향으로 향하고 있다.Preferably, the nozzles 134 of the pair of jet plates 130 are directed in different directions so that the vortices are easily formed.

예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이, 좌측의 분사판(130)의 노즐(134)들은 분사구의 방향이 상부 방향으로 향하고 있는 반면, 우측의 분사판(130)의 노즐(134)들은 분사구의 방향이 하부 방향으로 향하고 있다. 이런 경우에는 반시계방향의 와류가 형성될 수 있을 것이다. 그 역의 경우에는 시계방향의 와류가 형성될 수 있을 것이다.For example, as shown in FIG. 1, the nozzles 134 of the left injection plate 130 face the upper direction, while the nozzles 134 of the right injection plate 130 face the injection hole The direction of is pointing downward. In this case, a counterclockwise vortex may be formed. In the reverse case, a clockwise vortex may be formed.

또한, 상기 노즐(134)들은 상기 분사 파이프(132) 상에 지그재그 배열을 가지고 설치될 수 있다. 즉, 상기 노즐(134)들은 분사 파이프(132)에 있어서 상류측의 제1 열과 하류측의 제2 열의 2열로 구분되어 배열될 수 있다. 제1 열 및 제2 열 방향은 분사 파이프(132)의 길이방향이다. 이때, 제1 열에 배열되어 있는 노즐(134)들과 제2 열에 배열되어 있는 노즐(134)들 사이의 상호 배열 상태는 지그재그 배열이다. 이러한 노즐(134)들의 지그재그 배열도 실질적으로는 와류의 형성을 용이하도록 하는 구성이 될 수 있다.In addition, the nozzles 134 may be installed with a zigzag arrangement on the injection pipe 132. That is, the nozzles 134 may be arranged to be divided into two rows of the first row on the upstream side and the second row on the downstream side of the injection pipe 132. The first row and the second row direction are the longitudinal direction of the injection pipe 132. At this time, the mutual arrangement state between the nozzles 134 arranged in the first column and the nozzles 134 arranged in the second column is a zigzag arrangement. The zigzag arrangement of the nozzles 134 may also be configured to substantially facilitate vortex formation.

상기 노즐(134)들은 나선형상의 분사구들을 포함하여 나선형으로 세정액을 분사하도록 구성되어 있다.The nozzles 134 are configured to spray the cleaning liquid in a spiral, including spiral-shaped injection holes.

도 3를 참조하면, 상기 노즐(134)들은 나선형상의 분사구(132a)들과, 원뿔형의 유도부(132b)을 포함하고 있다. 여기서, 나선형상의 분사구(132a)들은 유도부(132b)를 향해 외주부터 나선형태로 형성되어 나선형태의 경로로 세정액을 유동시키게 된다.Referring to FIG. 3, the nozzles 134 include helical injection holes 132a and a conical guide portion 132b. Here, the spiral injection holes 132a are formed in a spiral shape from the outer circumference toward the guide portion 132b to flow the cleaning solution in a spiral path.

상기 고압분사부(140)는 상기 내조(110)의 하측에 배치되어 고압의 세정액을 분사하며, 상기 한 쌍의 분사판(130)과 협력하여 보다 효율적인 세정이 이루어지도록 보조한다. 물론, 한 쌍의 분사판(130)과 고압분사부(140)는 각각의 메커니즘으로 작동되거나 동일한 메커니즘으로 둘다 함께 작동될 수도 있다.The high-pressure injection unit 140 is disposed under the inner tank 110 to inject a high-pressure cleaning solution, and assists to achieve more efficient cleaning in cooperation with the pair of spray plates 130. Of course, the pair of injection plates 130 and the high-pressure injection unit 140 may be operated by each mechanism or both by the same mechanism.

도 4를 참조하면, 상기 고압분사부(140)는 압축공기(Air)와 세정액을 분사하는 복수의 벤츄리관 형상의 고압분사노즐을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the high pressure injection unit 140 may include a compressed air (Air) and a plurality of Venturi tube-shaped high pressure injection nozzles for spraying cleaning liquid.

여기서, 상기 고압분사노즐은, 양측 단부가 상대적으로 큰 직경을 갖도록 형성되고 상기 양측 단부 사이에 배치된 중앙 영역이 상대적으로 작은 직경을 갖도록 형성된 관상의 벤츄리부재(142)와, 상기 중앙 영역과 외부공기를 공급하는 공기흡입구가 연결되도록 하는 연결부재(144)로 이루어진다.Here, the high-pressure injection nozzle, both ends are formed to have a relatively large diameter and the tubular venturi member 142 is formed to have a relatively small diameter of the central region disposed between the both ends, and the center region and the outside It is made of a connecting member 144 to connect the air intake port for supplying air.

따라서, 상기 고압분사노즐은 벤츄리 원리에 세정액의 분사 유속은 빨라지고 압력은 낮아지게 되어 적은 에너지로 세정액을 강하게 분사할 수 있다.Therefore, the high-pressure injection nozzle is a Venturi principle, the flow rate of the cleaning liquid is increased and the pressure is lowered, so that the cleaning liquid can be strongly injected with less energy.

한편, 도 5는 도 1에 따른 다른 실시예의 분사판을 개략적으로 나타낸 구성도이다.On the other hand, Figure 5 is a schematic view showing a spray plate of another embodiment according to Figure 1.

도 5를 참조하면, 분사판(130a)은 도 2에 따른 분사판(130)과 비교할 때 분사 파이프(136)가 물결형상으로 형성된다는 점에서 두드러진 차이를 가진다. 즉, 분사 파이프(136)은 볼록부(136a)와 오목부(136b)가 교번하도록 구성됨에 특징이 있다. 여기서, 볼록부(136a)와 오목부(136b)의 부분에는 노즐(138)이 설치될 수 있다. 상기 분사 파이프(136)이 복수의 단으로 형성되고, 각각의 단에는 볼록부(136a)와 오목부(136b)가 교번하도록 구성되기 때문에, 와류의 형성을 용이하게 하며, 세정액이 전체적으로 균일하게 분사되도록 해준다.Referring to FIG. 5, the jet plate 130a has a significant difference in that the jet pipe 136 is formed in a wavy shape when compared with the jet plate 130 according to FIG. 2. That is, the injection pipe 136 is characterized in that the convex portion 136a and the concave portion 136b are configured to alternate. Here, nozzles 138 may be installed at portions of the convex portion 136a and the concave portion 136b. Since the injection pipe 136 is formed of a plurality of stages, and convex portions 136a and concave portions 136b are alternately formed at each stage, it facilitates formation of vortices and uniformly sprays the cleaning solution as a whole. It is possible.

따라서, 본 발명에 의하면, 세정챔버 내에 공급되는 세정액의 유동이 와류 방식으로 개선되어 오염물질의 배출이 원활히 이루어져서 반도체 부품의 세정효율을 높일 수 있는 효과가 있다.Accordingly, according to the present invention, the flow of the cleaning liquid supplied into the cleaning chamber is improved in a vortex manner, and the discharge of contaminants is smoothly performed, thereby improving the cleaning efficiency of the semiconductor components.

상기 반도체 부품용 세정장치의 작동은 컴퓨터에 의하여 제어되고, 캐리어 암과, 개폐 기구의 동작 및 처리실 내에서의 세정 또는 건조 처리는 미리 짜여진 소정의 프로그램에 따라 자동적으로 행하여진다.The operation of the cleaning device for semiconductor components is controlled by a computer, and the operation of the carrier arm, the opening/closing mechanism, and the cleaning or drying process in the processing chamber are automatically performed according to a predetermined program prepared in advance.

또한, 본 발명은 반도체 웨이퍼만이 아니라, LCD기판, 프린터 기판 등의 세정장치에도 적용 가능하며, 연속처리하도록 여러 개의 처리부를 갖춘 각종 처리 장치, 예를 들어 반도체 기판 에칭 장치에도 적용가능하다.In addition, the present invention can be applied not only to semiconductor wafers, but also to cleaning devices such as LCD substrates and printer substrates, and is applicable to various processing devices, for example, semiconductor substrate etching devices, having multiple processing units for continuous processing.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is to illustrate the present invention. In addition, the foregoing is merely a description and description of a preferred embodiment of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, it is possible to change or modify the scope of the concept of the invention disclosed in the present specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and/or the scope of technology or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state for carrying out the present invention, and using other inventions, such as the present invention, are performed in other states known in the art, and are required in specific application fields and uses of the invention. Various changes are possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

110 : 내조
120 : 외조
130 : 분사판
132 : 분사 파이프
134 : 노즐
140 : 고압분사부110: inner house
120: foreign language
130: spray plate
132: injection pipe
134: nozzle
140: high pressure injection unit

Claims (6)

웨이퍼 등 반도체 부품의 세정에 사용하기 위한 반도체 부품용 세정장치에 있어서,
세정액과 세정대상인 반도체 부품이 수용되는 내조;
상기 내조의 외측에 설치되고, 상기 내조에서의 세정액을 순환시키는 역할을 하는 외조;
상기 내조 내에서 상기 반도체 부품의 측면에 배치되어 상기 반도체 부품의 주위에 와류를 형성하는 한 쌍의 분사판; 및
상기 내조의 하측에 배치되어 고압의 세정액을 분사하는 고압분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품용 세정장치.A cleaning device for semiconductor parts for use in cleaning semiconductor parts such as wafers,
An inner tank in which the cleaning liquid and the semiconductor component to be cleaned are accommodated;
An outer tank installed outside the inner tank and serving to circulate the cleaning liquid in the inner tank;
A pair of spray plates disposed on a side surface of the semiconductor component in the inner tank to form a vortex around the semiconductor component; And
And a high-pressure injection unit disposed under the inner tank and spraying a high-pressure cleaning liquid. 제1항에 있어서,
상기 한 쌍의 분사판은 곡선형상으로 만곡된 곡면판으로 형성되며,
상기 한 쌍의 분사판은 각각,
분사판 몸체에 길이방향으로 배치되며 지그재그로 배열되는 노즐들을 구비한 복수의 분사 파이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품용 세정장치.According to claim 1,
The pair of jet plates is formed of a curved curved plate,
Each of the pair of spray plates,
A cleaning device for a semiconductor component, characterized in that it comprises a plurality of injection pipes with nozzles arranged in the longitudinal direction and arranged in a zigzag manner on the body of the injection plate. 제2항에 있어서,
상기 제1 분사판의 노즐들 및 상기 제2 분사판의 노즐들은 분사구의 방향이 서로 다른 방향으로 향하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품용 세정장치.According to claim 2,
The nozzles of the first injection plate and the nozzles of the second injection plate are semiconductor parts cleaning apparatus, characterized in that the direction of the injection port is directed to different directions. 제2항에 있어서,
상기 복수의 분사 파이프는 일자형상 또는 물결형상 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 부품용 세정장치.According to claim 2,
The plurality of injection pipes is a cleaning device for semiconductor parts, characterized in that formed in either a straight or wavy. 제1항에 있어서,
상기 노즐들은 나선형상의 분사구들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품용 세정장치.According to claim 1,
The nozzles are a cleaning device for semiconductor components, characterized in that it comprises a spiral injection hole. 제1항에 있어서,
상기 고압분사부는 압축공기와 세정액을 분사하는 복수의 벤츄리관 형상의 고압분사노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 부품용 세정장치.According to claim 1,
The high-pressure injection unit cleaning device for semiconductor components, characterized in that it comprises a plurality of high-pressure injection nozzles in the form of a venturi tube for spraying compressed air and cleaning liquid.
KR1020190000198A 2019-01-02 2019-01-02 Cleaning apparatus for semiconductor components KR102149695B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190000198A KR102149695B1 (en) 2019-01-02 2019-01-02 Cleaning apparatus for semiconductor components

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190000198A KR102149695B1 (en) 2019-01-02 2019-01-02 Cleaning apparatus for semiconductor components

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200084152A true KR20200084152A (en) 2020-07-10
KR102149695B1 KR102149695B1 (en) 2020-08-31

Family

ID=71604216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190000198A KR102149695B1 (en) 2019-01-02 2019-01-02 Cleaning apparatus for semiconductor components

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102149695B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112139092A (en) * 2020-07-29 2020-12-29 北京烁科精微电子装备有限公司 Cleaning device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08195372A (en) * 1995-01-12 1996-07-30 Tokyo Electron Ltd Cleaning device and its method
KR20020076675A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 (주)케이.씨.텍 Apparatus for washing substrates
KR100526214B1 (en) 2003-09-25 2005-11-03 주식회사 실트론 A Wafer Cleaning Device Using Megasonic
KR20060007954A (en) * 2004-07-23 2006-01-26 삼성전자주식회사 Wet cleaner
KR100816743B1 (en) * 2006-09-22 2008-03-25 세메스 주식회사 Nozzle and substrate cleaning apparatus with the nozzle
KR20090025840A (en) * 2007-09-07 2009-03-11 주식회사 케이씨텍 Wet station
KR100892754B1 (en) 2007-11-02 2009-04-15 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR101063039B1 (en) 2009-12-02 2011-09-07 주식회사 엘지실트론 Wafer cleaning method with improved flow method and wafer cleaning tank for same

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08195372A (en) * 1995-01-12 1996-07-30 Tokyo Electron Ltd Cleaning device and its method
KR20020076675A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 (주)케이.씨.텍 Apparatus for washing substrates
KR100526214B1 (en) 2003-09-25 2005-11-03 주식회사 실트론 A Wafer Cleaning Device Using Megasonic
KR20060007954A (en) * 2004-07-23 2006-01-26 삼성전자주식회사 Wet cleaner
KR100816743B1 (en) * 2006-09-22 2008-03-25 세메스 주식회사 Nozzle and substrate cleaning apparatus with the nozzle
KR20090025840A (en) * 2007-09-07 2009-03-11 주식회사 케이씨텍 Wet station
KR100892754B1 (en) 2007-11-02 2009-04-15 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
KR101063039B1 (en) 2009-12-02 2011-09-07 주식회사 엘지실트론 Wafer cleaning method with improved flow method and wafer cleaning tank for same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112139092A (en) * 2020-07-29 2020-12-29 北京烁科精微电子装备有限公司 Cleaning device

Also Published As

Publication number Publication date
KR102149695B1 (en) 2020-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR19980014754A (en) Cleaning device
TWI411476B (en) Micro-bubble generating device and silicon wafer cleaning apparatus
KR100673024B1 (en) Nozzle and apparatus for treating substrates with the nozzle
US6199568B1 (en) Treating tank, and substrate treating apparatus having the treating tank
KR100710803B1 (en) Apparatus for cleaning substrates
JP4514140B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20200084152A (en) Cleaning apparatus for semiconductor components
KR100749544B1 (en) Apparatus and method for cleaning a substrate
KR100746645B1 (en) Supporter and apparatus for cleaning substrates with the supporter, and method for cleaning substrates
KR20050102966A (en) Semi-conductor parts washing device
KR100872870B1 (en) Circulation nozzle and chemicals supplying apparatus having the same
TWI323913B (en) Two-fluid jet module for cleaning substrate and cleaning device using thereof
JP3960457B2 (en) Substrate processing equipment
KR200305052Y1 (en) Slit Type Device Nozzle for Jetting Fluid
KR101933080B1 (en) Substrate treating apparatus, process fluid treating apparatus and ozone decomposition method
KR101971151B1 (en) Apparatus For Wafer Cleaning
KR100424913B1 (en) Apparatus for washing substrates
KR100616248B1 (en) Two-fluid jet module for cleaning substrate and cleaning device using thereof
KR100641026B1 (en) Device Having a Slit Type Nozzle for Jetting Mixed Fluid
KR102190903B1 (en) Dispensing apparatus for fluid mixture and cleaning apparatus
KR102020230B1 (en) Substrate treating apparatus, process fluid treating apparatus and ozone decomposition method
JP2703424B2 (en) Cleaning equipment
KR101063039B1 (en) Wafer cleaning method with improved flow method and wafer cleaning tank for same
KR200357681Y1 (en) Semi-Conductor Parts Washing Device
JP3247322B2 (en) Cleaning equipment

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant