KR19990023551A - Substrate Processing Equipment - Google Patents

Substrate Processing Equipment Download PDF

Info

Publication number
KR19990023551A
KR19990023551A KR1019980032726A KR19980032726A KR19990023551A KR 19990023551 A KR19990023551 A KR 19990023551A KR 1019980032726 A KR1019980032726 A KR 1019980032726A KR 19980032726 A KR19980032726 A KR 19980032726A KR 19990023551 A KR19990023551 A KR 19990023551A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing liquid
liquid
etching
processing
Prior art date
Application number
KR1019980032726A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100343044B1 (en
Inventor
사토시 스즈키
Original Assignee
이시다 아키라
다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP23243597A external-priority patent/JP3535707B2/en
Priority claimed from JP23243497A external-priority patent/JP3535706B2/en
Application filed by 이시다 아키라, 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 filed Critical 이시다 아키라
Publication of KR19990023551A publication Critical patent/KR19990023551A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100343044B1 publication Critical patent/KR100343044B1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

기판에 대한 처리액의 치환성을 향상시킴으로써, 기판 표면 전체를 균일하게 처리한다.The whole surface of a board | substrate is processed uniformly by improving the substitution property of the process liquid with respect to a board | substrate.

반송기구(16)의 반송롤러(18)로 기판(W)을 수평면에 대해서 경사진 상태로 지지하면서, 슬릿 모양의 토출구(30a)를 구비한 노즐(30)을 기판(W)의 경사방향의 상단부에 설치하고, 이 노즐(30)로 기판 표면에 에칭액을 공급하여 기판(W)에 에칭처리를 행하도록 에칭장치(10)를 구성하였다. 기판(W)의 경사각도는 5°∼ 20°의 범위내에서 설정하도록 하였다.While supporting the substrate W in an inclined state with respect to the horizontal plane by the conveying roller 18 of the conveying mechanism 16, the nozzle 30 provided with the slit-shaped ejection opening 30a in the inclined direction of the substrate W is supported. It was provided in the upper end part, and the etching apparatus 10 was comprised so that the etching liquid may be supplied to the surface of a board | substrate by this nozzle 30, and the board | substrate W may be etched. The inclination angle of the substrate W was set within the range of 5 ° to 20 °.

Description

기판 처리장치Substrate Processing Equipment

본 발명은 액정 표시장치용 유리기판, 플라즈마 디스플레이용 유리기판, 프린트 기판, 반도체 웨이퍼 등의 기판에 에칭액이나 네가레지스트용 현상액 등의 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid such as an etching solution or a negative resist developer to a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a printed substrate, or a semiconductor wafer.

종래부터, 상기와 같은 액정 표시장치용 유리기판 등의 기판에 대한 처리공정의 하나로서, 현상처리가 행해진 후 기판의 표면에 산성의 에칭액을 공급하여 기판 표면에 형성된 금속막을 용해하고, 이것에 의해 소망의 패턴을 기판 표면에 형성한다는, 소위 에칭처리의 공정이 있다.Conventionally, as one of the processing steps for a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device as described above, after the development treatment is performed, an acidic etching solution is supplied to the surface of the substrate to dissolve the metal film formed on the surface of the substrate. There is a so-called etching process for forming a desired pattern on the substrate surface.

이 처리를 행하는 장치(에칭장치)로서는, 롤러 컨베이어에 의해 기판을 수평자세로 반송하면서, 기판 표면에 대향해서 배치된 다수의 노즐을 통해서 에칭액을 분사하도록 한 것이 일반적이다. 그러나, 이 장치에서는 기판이 대형화하면 기판 표면에서 에칭액이 정체하기(체류하기) 쉽고, 에칭처리의 균일성을 확보하는, 요컨대 기판 전체에 균일하게 에칭처리를 행하는 것이 어렵다는 문제점이 있었다.As an apparatus (etching apparatus) which performs this process, it is common to make it spray the etching liquid through the many nozzle arrange | positioned facing the substrate surface, conveying a board | substrate horizontally by a roller conveyor. However, this apparatus has a problem that when the substrate is enlarged, the etching liquid is likely to be stagnant (retention) on the surface of the substrate, and in other words, it is difficult to uniformly etch the entire substrate, which ensures uniformity of the etching treatment.

그런데, 근년에는 노즐을 기판의 폭 방향, 즉 기판의 반송방향과 수평면상에서 직교하는 방향으로 요동시켜 에칭액의 분사방향을 변화시킴과 동시에, 노즐에 대해서 기판을 반송방향으로 진퇴(요동)시키고, 이것에 의해 기판 밖으로 에칭액의 유출을 촉진함으로써, 에칭액의 치환성을 향상시키도록 하고 있다.In recent years, however, the nozzle is swung in the width direction of the substrate, that is, the direction perpendicular to the conveyance direction of the substrate and on the horizontal plane to change the spraying direction of the etching liquid, and the substrate is moved back and forth to the nozzle in the conveying direction. By promoting the outflow of the etchant out of the substrate, the substitution of the etchant is improved.

그러나, 이렇게 노즐 및 기판을 요동시키면서 기판 표면에 에칭액을 공급하는 장치라도, 기판이 어느 정도의 크기 이상으로 되면 에칭액을 신속하게 기판 밖으로 유출하는 것이 어렵고, 전과 다름없이 기판상에 에칭액이 체류하는 경향이 있다. 그 때문에, 에칭처리의 균일성을 높이는 점에서는 아직 개선의 여지가 있다.However, even in the apparatus for supplying the etchant to the surface of the substrate while rocking the nozzle and the substrate in this way, it is difficult for the etchant to quickly flow out of the substrate when the substrate becomes a certain size or more, and the etchant tends to remain on the substrate as before. There is this. Therefore, there is still room for improvement in increasing the uniformity of the etching treatment.

또, 이 문제는 에칭처리에 한정되지 않고, 예컨대 네가레지스트 현상 등의 현상처리에서도 마찬가지로 발생하고 있고, 이것을 해결할 필요도 있다.In addition, this problem is not limited to the etching treatment, and similarly occurs in the developing treatment such as negative resist development, and this needs to be solved.

본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 기판에 대한 처리액의 치환성을 향상시킴으로써, 기판 표면 전체를 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.This invention is made | formed in order to solve the said problem, It aims at providing the substrate processing apparatus which can process the whole substrate surface uniformly by improving the substitution property of the processing liquid with respect to a board | substrate.

또한, 본 발명은, 기판 표면 전체를 보다 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.Moreover, an object of this invention is to provide the substrate processing apparatus which can process the whole substrate surface more uniformly.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 기판의 표면에 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리장치에 있어서, 수평면에 대해서 소정의 각도를 이루는 경사자세로 기판을 유지하는 자세 유지수단과, 상기 경사자세로 유지된 기판에 대해서 처리액을 공급하는 처리액 공급수단을 구비하고 있는 것이다(청구항 1).In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a surface of a substrate to perform a predetermined treatment, comprising: posture holding means for holding the substrate in an inclined position at a predetermined angle with respect to a horizontal plane; It is provided with the process liquid supply means which supplies a process liquid with respect to the board | substrate hold | maintained in the said inclined posture (claim 1).

이 장치에 의하면, 기판 표면으로 공급된 처리액이 기판을 따라서 흘러 기판의 경사방향에서 하위측의 단부로부터 흘러 내린다. 그 때문에, 대상이 되는 기판이 대형의 기판이라도 처리액이 기판상에 체류하는 일이 거의 없고, 기판에 대한 처리액의 치환성이 효과적으로 향상한다.According to this apparatus, the processing liquid supplied to the substrate surface flows along the substrate and flows down from the lower end in the oblique direction of the substrate. Therefore, even if the target substrate is a large substrate, the processing liquid hardly stays on the substrate, and the substitution of the processing liquid with respect to the substrate is effectively improved.

특히, 상기 자세 유지수단에 의한 기판의 경사각도를 5°∼ 20°의 범위내에서 설정하도록 하면(청구항 2), 처리액을 기판에 대해서 유효하게 작용시키면서 신속하게 기판 밖으로 흘려 내리는 것이 가능하게 된다.In particular, if the inclination angle of the substrate by the posture holding means is set within the range of 5 ° to 20 ° (claim 2), it is possible to quickly flow the processing liquid out of the substrate while effectively acting on the substrate. .

또, 청구항 1 또는 2 기재의 장치에 있어서, 상기 처리액 공급수단은, 기판으로의 수선(垂線)방향 또는 이 수선방향보다도 기판의 경사방향에서 하위측으로 향해 처리액을 공급하도록 구성하는 것이 바람직하다(청구항 3). 이렇게 하면, 처리액의 밀어올림 현상, 요컨대 복수의 처리액 공급수단을 기판의 경사방향으로 나란히 배치한 구성에 있어서, 상위측의 처리액 공급수단으로부터 공급되어 기판을 따라 흘러 내리는 처리액이 하위측의 처리액 공급수단으로부터 공급되는 처리액의 압력에 의해 상위측으로 다시 되돌아 온다는 현상의 발생을 확실하게 방지할 수 있다.In the apparatus according to claim 1 or 2, it is preferable that the processing liquid supplying means is configured to supply the processing liquid toward the lower side from the inclination direction of the substrate or from the inclined direction of the substrate to the lower side than the repair direction. (Claim 3). In this case, in the configuration in which the processing liquid is pushed up, that is, the plurality of processing liquid supplying means are arranged side by side in the inclined direction of the substrate, the processing liquid supplied from the upper processing liquid supplying means and flowing down the substrate is lowered. The occurrence of the phenomenon of returning to the upper side again by the pressure of the processing liquid supplied from the processing liquid supplying means can be reliably prevented.

한편, 청구항 1 또는 2 기재의 장치에 있어서, 처리액의 공급방향을 기판의 경사방향으로 가변하는 가변수단을 설치하도록 하면(청구항 4), 적은 처리액 공급수단으로 보다 넓은 면적에 대해서 처리액을 직접 공급하는 것이 가능하게 된다.On the other hand, in the apparatus according to claim 1 or 2, if the variable means for varying the supply direction of the processing liquid in the inclined direction of the substrate is provided (claim 4), the processing liquid is supplied to a larger area with less processing liquid supplying means. It is possible to supply directly.

이 경우, 기판으로의 수선을 경계로 기판의 경사방향에서 상위측으로 0°∼ 10°, 하위측으로 0°∼ 30°의 범위내에서 상기 처리액 공급수단을 요동시키도록 가변수단을 구성하던가(청구항 5), 혹은 기판으로의 수선을 경계로 기판의 경사방향에서 상위측으로 전체 요동각도의 20∼30%의 범위내에서 상기 처리액 공급수단을 요동시키도록 상기 가변수단을 구성하는(청구항 6) 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 처리액을 기판에 대해서 직접 공급할 수 있는 범위를 처리액의 밀어올림 현상의 발생을 유효하게 방지할 수 있는 범위내에서 가급적 넓게 설정하는 것이 가능하게 된다.In this case, the variable means is configured to oscillate the processing liquid supply means within a range of 0 ° to 10 ° upward and 0 ° to 30 ° downward in the inclined direction of the substrate at the boundary of the repair to the substrate (claims). 5) or the variable means configured to oscillate the processing liquid supply means within the range of 20 to 30% of the total swing angle from the inclined direction of the substrate to the upper side at the boundary of the repair to the substrate (claim 6). desirable. In this way, it becomes possible to set the range which can supply process liquid directly to a board | substrate as wide as possible within the range which can prevent the generation | occurrence | production of a process liquid raising phenomenon effectively.

또한, 청구항 1 내지 6 기재의 어느 장치에 있어서, 기판의 경사방향과 직교하고, 또 기판과 평행한 방향으로 기판을 반송하는 반송장치에 의해 상기 자세 유지수단을 구성하고, 기판의 반송중에 기판으로 처리액을 공급하도록 하면(청구항 7), 기판을 반송하면서 효율 좋게 기판에 처리를 행하는 것이 가능하게 된다.The apparatus of any one of claims 1 to 6, wherein the posture maintaining means is constituted by a conveying device that conveys the substrate in a direction perpendicular to the inclination direction of the substrate and parallel to the substrate. When the processing liquid is supplied (claim 7), the substrate can be efficiently processed while transferring the substrate.

또한, 청구항 1 내지 6 기재의 어느 장치에 있어서, 처리액의 공급중에 처리액 공급수단과 기판과를 기판의 경사방향과 직교하고, 또 기판과 평행한 방향으로 상대적으로 왕복 이동시키는 이동수단을 설치하도록 하면(청구항 8), 청구항 5, 6과 마찬가지로, 적은 처리액 공급수단으로 보다 넓은 면적에 대해서 처리액을 직접 공급하는 것이 가능하게 된다. 특히, 청구항 5, 6과의 조합에서 유효하게 된다.Further, in any of the apparatuses of claims 1 to 6, during the supply of the processing liquid, a moving means is provided for relatively reciprocating the processing liquid supplying means and the substrate in a direction perpendicular to the inclination direction of the substrate and parallel to the substrate. (Claim 8), similarly to Claims 5 and 6, it is possible to directly supply the processing liquid over a larger area with less processing liquid supplying means. In particular, it becomes effective in combination with Claims 5 and 6.

또한, 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 수평면에 대해서 소정의 각도를 이루는 경사자세로 유지된 기판에 대해서 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리장치에 있어서, 기판의 경사방향에서 상위측의 단부로 처리액을 공급하여 상기 기판 표면상에서 처리액을 상기 경사방향으로 흘려 내리는 제1 처리액 공급수단을 구비함과 동시에, 이 제1 처리액 공급수단보다도 기판의 경사방향에서 하위측에 배치되어 기판에 처리액을 분사하는 제2 처리액 공급수단을 구비하고 있는 것이다(청구항 9).Moreover, in order to solve the said subject, this invention differs from the inclination direction of a board | substrate in the substrate processing apparatus which supplies a process liquid with respect to the board | substrate hold | maintained in the inclined posture which makes a predetermined angle with respect to a horizontal plane, and performs a predetermined process. And a first processing liquid supplying means for supplying the processing liquid to the end of the side and flowing the processing liquid down the inclined direction on the surface of the substrate, and at a lower side in the inclined direction of the substrate than the first processing liquid supplying means. It is provided with the 2nd process liquid supply means which arrange | positions and injects a process liquid to a board | substrate (claim 9).

이 장치에 의하면, 제1 처리액 공급수단으로부터 공급된 처리액이 기판을 따라 흐르면서 기판의 경사방향에서 하위측의 단부로부터 흘러 내린다. 이것에 의해 기판 전체에 처리액이 작용하면서 신속하게 기판 밖으로 유출하게 된다. 이때, 제2 처리액 공급수단에 의해 처리액이 기판으로 분사되는 것에 의해, 기판의 경사방향에서 하위측에서의 처리액의 열화(활성도의 저하)가 억제된다.According to this apparatus, the processing liquid supplied from the first processing liquid supplying means flows along the substrate and flows down from the lower end in the inclined direction of the substrate. As a result, the processing liquid acts on the entire substrate and quickly flows out of the substrate. At this time, the processing liquid is injected onto the substrate by the second processing liquid supply means, so that deterioration (decrease in activity) of the processing liquid in the lower side in the inclined direction of the substrate is suppressed.

이 장치에 있어서는, 제1 처리액 공급수단으로서, 기판의 경사방향과 직교하고, 또 기판 표면과 평행하게 연장되는 슬릿 모양의 액 공급구를 가진 슬릿노즐을 설치하고, 또한 제2 처리액 공급수단으로서, 기판에 대향하는 다수의 액 공급구를 가진 샤워노즐을 설치하는(청구항 10) 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 기판의 경사방향에서 상위측의 단부로부터 균일하게 처리액을 흘려 내릴 수 있고, 또한 처리액의 분사시에, 기판의 넓은 범위에 걸쳐 적절히 처리액을 분사하는 것이 가능하게 된다.In this apparatus, as the first processing liquid supplying means, a slit nozzle having a slit-shaped liquid supply port which is orthogonal to the inclination direction of the substrate and extends in parallel with the substrate surface is provided, and the second processing liquid supplying means is provided. As a preferred embodiment, a shower nozzle having a plurality of liquid supply ports facing the substrate is provided (claim 10). This makes it possible to uniformly flow the processing liquid from the upper end in the inclined direction of the substrate, and also makes it possible to spray the processing liquid appropriately over a wide range of the substrate during the injection of the processing liquid.

또한, 청구항 9 또는 10의 장치에 있어서, 제1 처리액 공급수단에 의한 처리액의 공급방향을 기판의 경사방향으로 가변하는 제1 가변수단을 설치하도록 하면(청구항 11), 제1 처리액 공급수단으로부터 기판의 특정 부분에 활성도가 높은 처리액이 계속해서 공급되는 것에 기인하는 처리 불균일, 요컨대 해당 특정 부분에 서의 처리가 다른 부분에 비해서 매우 신속하게 진행하는 현상을 효과적으로 억제하는 것이 가능하게 된다.Further, in the apparatus of claim 9 or 10, when the first variable means for varying the supply direction of the processing liquid by the first processing liquid supply means in the inclined direction of the substrate is provided (claim 11), the first processing liquid supply It is possible to effectively suppress the processing unevenness caused by the continuous supply of a high activity treatment liquid from the means to a specific portion of the substrate, that is, the processing in the specific portion proceeds very quickly compared to other portions. .

또한, 청구항 9 내지 11의 어느 장치에 있어서, 상기 제2 처리액 공급수단에 의한 처리액의 공급방향을 가변하는 제2 가변수단을 설치하도록 하면(청구항 12), 합리적인 구성으로 기판의 보다 넓은 범위에 걸쳐 처리액을 분사하는 것이 가능하게 된다.Further, in any of the apparatuses of claims 9 to 11, if the second variable means for varying the supplying direction of the processing liquid by the second processing liquid supplying means is provided (claim 12), a wider range of substrates in a reasonable configuration is provided. It is possible to inject the processing liquid over.

또, 청구항 1 내지 12의 어느 장치는, 각 처리액 공급수단이 기판에 대해서 에칭액 또는 네가레지스트용 현상액을 공급하도록 한(청구항 13) 에칭장치 또는 네가레지스트 현상장치로서 특히 유용하다.Moreover, the apparatus of any one of Claims 1-12 is especially useful as an etching apparatus or negative resist developing apparatus in which each process liquid supply means supplied the etching liquid or the negative resist developing solution to a board | substrate (claim 13).

도 1은 본 발명에 관한 기판 처리장치(제1 실시형태)인 에칭장치를 나타내는 사시도,1 is a perspective view showing an etching apparatus which is a substrate processing apparatus (first embodiment) according to the present invention;

도 2는 에칭장치의 내부구조를 나타내는 측면도,2 is a side view showing the internal structure of the etching apparatus;

도 3의 (A)∼(C)는 에칭장치에 의한 기판의 처리동작을 설명하는 도면,3A to 3C are views for explaining the processing operation of the substrate by the etching apparatus;

도 4는 본 발명에 관한 기판 처리장치(제2 실시형태)인 에칭장치를 나타내는 사시도,4 is a perspective view showing an etching apparatus which is a substrate processing apparatus (second embodiment) according to the present invention;

도 5는 에칭장치의 내부구조를 나타내는 측면도,5 is a side view showing the internal structure of the etching apparatus;

도 6은 노즐의 요동(搖動)각도를 설명하는 모식도,6 is a schematic diagram illustrating the swing angle of a nozzle;

도 7의 (A)∼(C)는 에칭장치에 의한 기판의 처리동작을 설명하는 도면,7A to 7C are views for explaining the processing operation of the substrate by the etching apparatus;

도 8은 노즐에 의한 에칭액의 분사영역을 설명하는 도면,8 is a view for explaining an injection region of etching liquid by a nozzle;

도 9는 본 발명에 관한 기판 처리장치(제3 실시형태)인 에칭장치를 나타내는 사시도,9 is a perspective view showing an etching apparatus which is a substrate processing apparatus (third embodiment) according to the present invention;

도 10은 에칭장치의 내부구조를 나타내는 측면도,10 is a side view showing the internal structure of the etching apparatus;

도 11은 샤워노즐(shower nozzle)에 의한 에칭액의 분사방향을 설명하는 도면이다.FIG. 11 is a view for explaining a spraying direction of etching liquid by a shower nozzle. FIG.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 에칭장치 12 : 처리조10: etching apparatus 12: treatment tank

14 : 기판 도입구 15 : 기판 배출구14 substrate inlet 15 substrate outlet

16 : 반송기구 18 : 반송롤러16 conveying mechanism 18 conveying roller

20 : 롤러 축 22 : 중앙롤러20: roller shaft 22: center roller

24 : 측부롤러 30 : 노즐, 슬릿노즐24: side roller 30: nozzle, slit nozzle

30a : 토출구 34, 42 : 액 공급관30a: discharge port 34, 42: liquid supply pipe

36 : 서지탱크 40 : 샤워노즐36: surge tank 40: shower nozzle

W : 기판W: Substrate

본 발명의 제1 실시형태에 대해서 도면을 사용해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION The 1st Embodiment of this invention is described using drawing.

도 1은 본 발명에 관한 기판처리장치인 에칭장치를 나타내는 사시도이다. 이 도면에 나타낸 바와 같이, 에칭장치(10)는 박스(box)형의 처리조(12)를 가지고 있고, 이 처리조(12)의 내부에 사각형의 기판(W)을 반송하기 위한 반송기구(16)(반송장치)와, 기판(W)의 표면으로 에칭액을 공급하기 위한 노즐(30)(처리액 공급수단)을 구비하고 있다.1 is a perspective view showing an etching apparatus which is a substrate processing apparatus according to the present invention. As shown in this figure, the etching apparatus 10 has a box-shaped processing tank 12, and a conveyance mechanism for conveying a rectangular substrate W inside the processing tank 12 ( 16) (the conveying apparatus) and the nozzle 30 (process liquid supply means) for supplying etching liquid to the surface of the board | substrate W.

상기 처리조(12)에는, 그 측면에 기판 도입구(14)가 설치됨과 동시에, 이것에 대향하는 측면에 기판 배출구(15)가 설치되어 있다. 요컨대, 기판 도입구(14)를 통해서 기판(W)이 처리조(12)로 도입되어 에칭처리가 행해진 후, 처리후의 기판(W)이 기판 배출구(15)를 통해서 다음 공정으로 배출되도록 되어 있다.The processing tank 12 is provided with a substrate introduction port 14 on its side and a substrate discharge port 15 on its side opposite to it. In other words, after the substrate W is introduced into the treatment tank 12 through the substrate introduction port 14 and the etching treatment is performed, the substrate W after the treatment is discharged through the substrate discharge port 15 to the next step. .

상기 반송기구(16)는, 롤러 컨베이어로서 반송방향으로 나란히 축 지지되는 반송롤러(18...)와, 모터를 구동원으로 해서 이들 반송롤러(18)를 동기해서 회전시키는 도면 밖의 구동기구를 구비하고 있고, 상기 기판 도입구(14)를 통해서 도입되는 기판(W)을 받아 들이고, 이 기판(W)을 반송롤러(18)로 지지하면서 반송하도록 구성되어 있다.The conveying mechanism 16 includes a conveying roller 18... Which is axially supported side by side in the conveying direction as a roller conveyor, and an out-of-drawing driving mechanism which rotates the conveying rollers 18 synchronously using a motor as a driving source. It accepts the board | substrate W introduce | transduced through the said board | substrate introduction port 14, and is comprised so that it may convey, supporting this board | substrate W with the conveyance roller 18.

상기 반송롤러(18)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 수평면에 대해서 각도 θ만큼 경사진 상태에서 처리조(12)의 측벽 사이에 회전 자유롭게 지지되는 롤러 축(20)을 가지고 있고, 이 롤러 축(20)의 중앙부에 중앙롤러(22)를 구비함과 동시에, 양단 부분에 한쌍의 측부롤러(24)를 각각 구비한 부분 지지형의 롤러구조를 가지고 있다. 각 롤러(22, 24)에는 고무 등의 유연성 재료로 이루어지는 완충재로서의 O 링(26)이 각각 밖에서 끼워 장착됨과 동시에, 각 측부롤러(24)에는 그 바깥쪽 측부에 각각 날개부(24a)가 일체로 형성되어 있다. 그리고, 기판(W)의 반송시에는 각 롤러(22, 24)에 의해 기판(W)을 이면으로부터 지지함과 동시에, 반송롤러(18)의 경사방향에서 하위측(도 2에서는 우측)의 날개부(24a)에 의해 기판(W)이 미끌어져 떨어지는 것을 방지하면서 기판(W)을 경사자세로 반송하도록 되어 있다. 즉, 상기 반송기구(16)에 의해 본원의 자세 유지수단이 구성되어 있다. 또, 기판(W)의 경사각도, 요컨대 상기 롤러 축(20)의 경사각도 θ는 본 실시형태에서는 에칭처리의 균일성이 양호하게 되는 하나의 양태로서 5°∼ 20°의 범위내에서 설정되어 있다. 또한, 부분 지지형의 롤러로서는 도시한 것에 한정되지 않고, 예컨대 중앙롤러(22)에 대응하는 것을 복수 설치한 다점 지지롤러로 하여도 된다.As shown in Fig. 2, the conveying roller 18 has a roller shaft 20 which is rotatably supported between the side walls of the processing tank 12 in a state inclined by an angle θ with respect to the horizontal plane. The central roller 22 is provided at the center of the section 20, and a roller supporting structure is provided with a pair of side rollers 24 at both ends thereof. Each of the rollers 22 and 24 is fitted with an O-ring 26 as a cushioning material made of a flexible material such as rubber from the outside, and a wing portion 24a is integral with each of the side rollers 24 at its outer side. It is formed. And at the time of conveyance of the board | substrate W, while supporting the board | substrate W from the back surface by each roller 22 and 24, the blade of the lower side (right side in FIG. 2) in the inclination direction of the conveyance roller 18 is carried out. The board | substrate W is conveyed in inclined position, preventing the board | substrate W from sliding by the part 24a. That is, the posture maintenance means of this application is comprised by the said conveyance mechanism 16. As shown in FIG. Incidentally, the inclination angle θ of the substrate W, that is, the inclination angle θ of the roller shaft 20, is set within the range of 5 ° to 20 ° as one embodiment in which the uniformity of the etching treatment is improved in this embodiment. have. In addition, it is not limited to what was shown as a roller of a partial support type | mold, For example, you may use the multi-point support roller provided with two or more thing corresponding to the center roller 22.

상기 노즐(30)은, 도 1에 나타낸 바와 같이, 반송기구(16)의 상방에 있어서, 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부 상방으로 프레임(32)을 통해서 고정되고, 액 공급관(34)을 통해서 도면 밖의 에칭액 저장용의 탱크에 접속되어 있다.As shown in FIG. 1, the said nozzle 30 is fixed through the frame 32 above the edge part of the upper side in the inclination direction of the board | substrate W above the conveyance mechanism 16, and the liquid supply pipe ( It is connected to the tank for etching liquid storage out of drawing through 34).

노즐(30)에는, 기판(W)의 반송방향(이하, 단지 반송방향이라 한다)으로 연장되는 슬릿 모양의 토출구(30a)가 형성되어 있고, 상기 액 공급관(34)에 끼워 설치된 예컨대 밸브수단의 조작에 따라서 이 토출구(30a)로부터 기판 표면으로 에칭액을 공급하도록 되어 있다. 또, 노즐(30)의 토출구(30a)는, 후술하는 소정의 기판 처리위치에 기판(W)이 위치 결정된 상태에서, 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부에, 그 전체에 걸쳐 에칭액을 공급할 수 있도록 형성되어 있다.The nozzle 30 is provided with a slit-shaped discharge port 30a extending in the conveying direction of the substrate W (hereinafter only referred to as the conveying direction), and is provided with, for example, valve means fitted to the liquid supply pipe 34. In accordance with the operation, the etching liquid is supplied from the discharge port 30a to the substrate surface. In addition, the ejection opening 30a of the nozzle 30 is an etching liquid over the whole to the edge part of the upper side in the inclination direction of the board | substrate W in the state in which the board | substrate W was positioned in the predetermined substrate processing position mentioned later. It is formed to be able to supply.

이상과 같이 구성된 에칭장치(10)에서는, 우선 도 3의 (A)에 나타낸 바와 같이, 전(前)공정에서 처리를 마친 기판(W)이 기판 도입구(14)를 통해서 처리조(12)내로 도입되면서 반송기구(16)에 의해 반송된다. 그리고, 기판(W)의 선단이 소정의 위치에 도달하면 반송기구(16)가 정지되고, 이것에 의해 기판(W)이 처리조(12)내의 기판 처리위치에 위치 결정된다.In the etching apparatus 10 comprised as mentioned above, first, as shown to FIG. 3 (A), the board | substrate W which completed the process in the previous process is the process tank 12 through the board | substrate introduction port 14. As shown in FIG. It is conveyed by the conveyance mechanism 16 as it introduces into it. And when the front-end | tip of the board | substrate W reaches a predetermined position, the conveyance mechanism 16 will stop and thereby the board | substrate W will be positioned in the board | substrate process position in the process tank 12.

기판(W)이 위치 결정되면, 액 공급관(34)의 밸브가 열려지는 것에 의해 노즐(30)로부터 기판(W)의 표면으로 에칭액의 공급이 개시된다(도 3의 (B)). 이때, 기판(W)으로 에칭액이 공급되면, 상술한 바와 같이 기판(W)이 경사자세로 유지되어 있기 때문에, 에칭액은 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부로부터 기판(W)을 따라서 흘러 하위측의 단부로부터 기판 밖으로 흘러 내린다. 그리고, 이렇게 에칭액이 기판(W)을 따라서 흐르는 중간에 에칭액이 기판 표면에 작용하여 기판(W)에 에칭처리가 행해지고, 처리에 제공된 에칭액과 이것에 의한 용해물질이 일체로 기판 밖으로 흘러 내리게 된다.When the substrate W is positioned, the supply of the etching liquid is started from the nozzle 30 to the surface of the substrate W by opening the valve of the liquid supply pipe 34 (FIG. 3B). At this time, when the etching liquid is supplied to the substrate W, the substrate W is held in an inclined position as described above, so that the etching liquid is along the substrate W from the end of the upper side in the inclined direction of the substrate W. It flows out of a board | substrate from the lower end part. The etching liquid acts on the surface of the substrate while the etching liquid flows along the substrate W in this manner, and the etching treatment is performed on the substrate W, and the etching liquid provided in the treatment and the dissolved material thereby flow out of the substrate.

이렇게 하여 소정의 시간만큼 에칭액이 공급되면, 액 공급관(34)의 밸브가 닫혀져 에칭액의 공급이 정지된다. 그리고, 상기 반송기구(16)가 재차 구동되어 처리후의 기판(W)이 상기 기판 배출구(15)를 통해서 다음 공정, 본 실시형태에서는 순수에 의한 물세척 공정으로 반출된다(도 3의 (C).In this way, when etching liquid is supplied for a predetermined time, the valve of the liquid supply pipe 34 is closed, and supply of etching liquid is stopped. And the said conveyance mechanism 16 is driven again, and the processed board | substrate W is carried out to the next process through this board | substrate discharge port 15 to the next process and water washing process by pure water in this embodiment (FIG. 3C). .

이상과 같은 에칭장치(10)에 의하면, 경사자세로 유지한 기판(W)을 따라서 에칭액을 흘려 내리면서 에칭처리를 행하기 때문에, 에칭액이 기판상에서 체류하는 일이 일체 없고, 에칭액의 치환성이 현저하게 향상한다. 따라서, 기판 표면 전체에 대해서 균일하게 에칭액을 작용시키면서 신속하게 기판 밖으로 에칭액을 유출시키는 것이 가능하기 때문에, 수평으로 유지한 기판에 대해서 에칭액을 공급하도록 하였던 종래 이런 종류의 장치와 비교하면, 기판(W)에 대해서 보다 균일하게 에칭처리를 행할 수 있다.According to the etching apparatus 10 as described above, since the etching treatment is performed while flowing the etching solution along the substrate W held in an oblique attitude, the etching solution does not stay on the substrate at all, and the etching property Significantly improve. Therefore, the etching liquid can be quickly flowed out of the substrate while the etching liquid is uniformly applied to the entire surface of the substrate. Thus, compared with the conventional apparatus of this type, in which the etching liquid is supplied to the substrate held horizontally, the substrate W ) Can be more uniformly etched.

게다가, 상술한 바와 같이 에칭액의 치환성이 향상하는 것으로, 에칭처리에 걸리는 시간을 유효하게 단축할 수 있다. 즉, 종래 장치에서는, 기판(W)과의 작용으로 열화한 에칭액이 특정 부분에 체류하게 되기 때문에, 그와 같은 부분에서의 에칭처리의 진행이 지연되고, 그 만큼 처리에 시간이 걸리게 된다. 그러나, 상기 에칭장치(10)에서는, 에칭액을 기판 전체에 균일하게 작용시키면서 신속하게 기판 밖으로 유출시키기 때문에, 종래 장치에 비교하면 짧은 시간에 적절한 처리를 행할 수 있다.In addition, as described above, the substitution of the etching solution is improved, so that the time taken for the etching process can be effectively shortened. That is, in the conventional apparatus, since the etching liquid deteriorated by the action with the substrate W stays in the specific portion, the progress of the etching treatment in such a portion is delayed, and the processing takes time. However, in the etching apparatus 10, since the etching liquid flows out of the substrate quickly while uniformly acting on the entire substrate, an appropriate treatment can be performed in a short time compared with the conventional apparatus.

또한, 처리후는 기판 표면에 에칭액이 남기 어렵기 때문에, 다음 공정으로 에칭액을 묻혀나가는 것(지출;持出)을 유효하게 억제할 수 있고, 이것에 의해 에칭액 소비량을 경감하여 운전비용(running cost)을 억제하는 것이 가능하게 된다. 게다가, 이렇게 에칭액의 지출량이 경감되는 것으로 다음 공정에서 물세척 처리에 제공된 순수(폐액)의 처리 비용을 경감할 수 있다는 이점도 있다. 즉, 에칭액의 지출량이 많으면, 물세척 공정의 폐액에 함유되는 에칭액의 농도가 높게 되고, 그 상태에서는 하수로 배수할 수 없어 일정한 처리를 행하는 것이 필요하게 된다. 그 때문에, 폐액의 처리비용이 높게 된다. 그런데, 상술한 바와 같이 에칭액의 지출량이 경감되면, 물세척 공정의 폐액에 함유되는 에칭액의 농도가 저감하기 때문에, 무(無)처리 상태에서 폐액을 하수로 배출하는 것이 가능하게 되고, 그 만큼 폐액의 처리비용을 억제하는 것이 가능하게 된다.In addition, since etching liquid hardly remains on the surface of the substrate after the treatment, it is possible to effectively suppress the bleeding of the etching liquid in the next step, thereby reducing the etching liquid consumption and thereby running costs. ) Can be suppressed. In addition, by reducing the amount of etching liquid, the cost of treating pure water (waste liquid) provided to the water washing process in the next step can be reduced. That is, when the amount of etching liquid is large, the concentration of the etching liquid contained in the waste liquid of the water washing process becomes high, and in that state, it cannot be drained to sewage, and it is necessary to perform a constant treatment. Therefore, the processing cost of waste liquid becomes high. By the way, when the amount of etching liquid is reduced as mentioned above, since the density | concentration of the etching liquid contained in the waste liquid of a water washing process decreases, it becomes possible to discharge waste liquid to sewage in the non-processing state, and waste liquid by that much It is possible to suppress the processing cost of the.

또한, 종래 장치와 같이, 에칭액 공급용 노즐을 요동시키거나 혹은 기판(W)을 노즐에 대해서 진퇴시키면서 에칭액을 공급하지 않아도 에칭액의 치환성을 향상시키는 것이 가능하기 때문에, 그 만큼 장치 구조를 간략화 하는 것이 가능하게 된다는 이점도 있다.In addition, as in the conventional apparatus, it is possible to improve the substitution property of the etching liquid without swinging the etching liquid supply nozzle or supplying the etching liquid while advancing the substrate W with respect to the nozzle, thereby simplifying the apparatus structure. It also has the advantage that it becomes possible.

다음에, 본 발명의 제2 실시형태에 대해서 설명한다.Next, a second embodiment of the present invention will be described.

도 4는, 제2 실시형태에 관한 에칭장치를 나타내고 있다. 또, 이 도면에 나타내는 에칭장치(10')의 기본적인 구성은 제1 실시형태에 관한 상기 에칭장치(10)와 공통이기 때문에, 공통 부분에 대해서는 상기 에칭장치(10)와 동일한 부호를 붙여 그 설명을 생략하고, 이하 다른 점에 대해서만 설명하게 된다.4 shows an etching apparatus according to the second embodiment. In addition, since the basic structure of the etching apparatus 10 'shown in this figure is common with the said etching apparatus 10 which concerns on 1st Embodiment, the common part attaches | subjects the same code | symbol as the said etching apparatus 10, and the description is carried out. Will be omitted and only different points will be described below.

동도에 나타내는 에칭장치(10')에서는 상기 반송기구(16)가 반송롤러(18)를 정역회전 구동할 수 있도록 구성되어 있고, 기판(W)의 처리시에는 반송롤러(18)가 정역회전 구동되는 것에 의해 기판(W)이 기판 처리위치를 기준으로 해서 반송방향으로 왕복 이동하도록 되어 있다.In the etching apparatus 10 'shown in the figure, the conveyance mechanism 16 is configured to drive the forward roller 18 forward and reverse rotation, and the transport roller 18 is forward and reverse rotation driving at the time of processing the substrate W. As a result, the substrate W is reciprocated in the conveying direction with respect to the substrate processing position.

또한, 처리조(12)의 내부에 다수의 노즐(40a)(처리액 공급수단)을 구비한 서지탱크(40)가 복수 설치됨과 동시에, 이들 서지탱크(40)를 회전시키는 구동기구(도시 생략)가 설치되어 있고, 도시의 예에서는 4개의 서지탱크(40)가 설치되고, 이들 서지탱크(40)가 구동기구에 의해 동기해서 동일 방향으로 회전하도록 되어 있다.In addition, a plurality of surge tanks 40 having a plurality of nozzles 40a (process liquid supply means) are provided inside the treatment tank 12, and a drive mechanism (not shown) for rotating the surge tanks 40 is provided. ), Four surge tanks 40 are provided in the example of the illustration, and these surge tanks 40 are rotated in the same direction synchronously by a drive mechanism.

각 서지탱크(40)는 반송방향으로 연장되는 원통 모양의 탱크로서, 도 5에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 경사방향으로 일정한 간격으로, 또 반송기구(16)로 지지된 기판(W)에 대해서 일정한 거리를 가지고 서로 평행한 상태에서 나란히 배치되고, 각각 지지축(42)을 통해서 처리조(12)의 측판 사이에 회전 자유롭게 지지되어 있다. 그리고, 액 공급관(44)을 통해서 각각 도면 밖의 에칭액 저장용의 탱크에 접속되어 있다.Each surge tank 40 is a cylindrical tank extending in the conveying direction, and as shown in FIG. 5, the substrate W supported by the conveying mechanism 16 at regular intervals in the inclined direction of the substrate W. As shown in FIG. They are arranged side by side in a state parallel to each other at a constant distance with respect to, and are rotatably supported between the side plates of the processing tank 12 via the support shafts 42, respectively. And it connects to the tank for etching liquid storage out of drawing through the liquid supply pipe 44, respectively.

상기 노즐(40a)은 원추형으로 에칭액을 토출하는, 소위 원추형의 샤워노즐로서, 기판(W)에 대향해서 반송방향으로 일정한 간격으로 병렬 설치되어 있다. 또한, 인접 설치되는 샤워탱크(40)끼리의 관계에서는 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 탱크(40)의 이웃하는 한쌍의 노즐(40a)의 사이에 하위측의 서지탱크(40)의 노즐(40a)이 위치하도록 상하 각 서지탱크(40)의 노즐(40a)이 반송방향으로 오프 셋트된 배치로 되어 있다. 그리고, 액 공급관(44)에 끼워 설치된 예컨대 밸브수단의 조작에 따라서 각 노즐(40a)로부터 기판 표면으로 에칭액을 토출하도록 되어 있다.The nozzle 40a is a so-called conical shower nozzle which discharges etching liquid in a conical shape, and is arranged in parallel at regular intervals in the conveying direction opposite to the substrate W. As shown in FIG. In addition, in the relationship between the shower tanks 40 which are adjacent to each other, the lower side of the surge tank 40 between the adjacent pair of nozzles 40a of the tank 40 on the upper side in the inclined direction of the substrate W is used. The nozzles 40a of the upper and lower surge tanks 40 are arranged to be offset in the conveying direction so that the nozzles 40a are positioned. And etching liquid is discharged from each nozzle 40a to the surface of a board | substrate according to operation of the valve means installed in the liquid supply pipe 44, for example.

서지탱크(40)를 회전시키는 상기 구동기구는, 도시를 생략하지만, 예컨대 기판(W)의 경사방향으로 연장되는 구동축이 설치되고, 이 구동축에 웜 기어 및 웜 휠을 통해서 각 지지축(42)이 연결됨과 동시에, 상기 구동축이 감속기를 통해서 구동용 모터에 접속된 구성으로 되어 있다. 그리고, 기판(W)의 처리시에는 모터의 정역회전 구동에 따라서 각 서지탱크(40)가 일체로 동일방향으로 정역 회전되고, 이것에 의해 각 노즐(40)이 소정의 각도내에서 요동하도록 되어 있다. 요컨대, 처리액의 공급방향을 기판의 경사방향으로 가변하는 본원 발명의 가변수단이 상기 구동기구에 의해 구성되어 있다.Although not shown, the drive mechanism for rotating the surge tank 40 is provided with a drive shaft extending in the inclined direction of the substrate W, for example, and each support shaft 42 is provided on the drive shaft through a worm gear and a worm wheel. At the same time, the drive shaft is connected to the drive motor through the reduction gear. At the time of processing the substrate W, each surge tank 40 is integrally rotated forward and backward in the same direction in accordance with the forward and reverse rotation driving of the motor, thereby causing each nozzle 40 to swing within a predetermined angle. have. That is, the variable means of this invention which changes the supply direction of a process liquid to the diagonal direction of a board | substrate is comprised by the said drive mechanism.

또, 노즐(40a)의 요동각도는 본 실시형태에서는 에칭액의 치환성이 양호하게 유지되고, 또 후술하는 적중 얼룩이 유효하게 경감되는 하나의 양태로서, 40°이내의 각도에서, 또 도 6에 나타낸 바와 같이, 지지축(42)의 중심으로부터 기판(W)으로 내린 수선 g를 기준으로, 기판(W)의 경사방향에서 하위측으로의 동요각도 α가 30°이내, 상위측으로의 동요각도 β각 10°이내가 되도록 설정되어 있다.In addition, the swing angle of the nozzle 40a is one embodiment in which the substitution property of an etching liquid is maintained favorable in this embodiment, and the hit dirt mentioned later is effectively reduced, and is shown in FIG. 6 at the angle within 40 degrees. As described above, on the basis of the repair line g lowered from the center of the support shaft 42 to the substrate W, the swing angle α from the inclination direction of the substrate W to the lower side is within 30 ° and the swing angle β angle 10 to the upper side. It is set to be within °.

이상과 같이 구성된 에칭장치(10')의 경우에도, 우선 도 7의 (A)에 나타낸 바와 같이, 기판(W)이 기판 도입구(14)를 통해서 처리조(12)내로 도입되면서 반송기구(16)에 의해 상기 기판 처리위치까지 반송된다.Also in the case of the etching apparatus 10 'comprised as mentioned above, as shown to FIG. 7 (A), the conveyance mechanism (when the board | substrate W is introduce | transduced into the processing tank 12 through the board | substrate introduction opening 14) 16) is conveyed to the substrate processing position.

그리고, 액 공급관(34)의 밸브가 열려지는 것에 의해, 도 7의 (B)에 나타낸 바와 같이, 각 서지탱크(40)의 노즐(40a)로부터 기판(W)의 표면으로 에칭액의 공급이 개시됨과 동시에, 이것에 동기하여 반송기구(16)가 정역회전 구동되고, 이것에 의해 기판 처리위치를 중심으로 하는 일정한 범위내에서 기판(W)이 반송방향으로 왕복 이동(요동)하게 된다.Then, as the valve of the liquid supply pipe 34 is opened, as shown in FIG. 7B, the supply of the etching liquid starts from the nozzle 40a of each surge tank 40 to the surface of the substrate W. As shown in FIG. Simultaneously with this, the conveyance mechanism 16 is driven in reverse rotation, thereby causing the substrate W to reciprocate (sway) in the conveying direction within a certain range centered on the substrate processing position.

이렇게 소정의 시간만큼 에칭액이 공급되면, 액 공급관(34)의 밸브가 닫혀져 에칭액의 공급이 정지된다. 그리고, 상기 반송기구(16)가 정회전 구동되어 처리후의 기판(W)이 기판 배출구(15)를 통해서 다음 공정으로 반출된다(도 7의 (C)).When the etching liquid is supplied for a predetermined time like this, the valve of the liquid supply pipe 34 is closed to stop the supply of the etching liquid. And the said conveyance mechanism 16 is driven forward rotation, and the processed board | substrate W is carried out to the next process through the board | substrate discharge port 15 (FIG. 7C).

이상과 같은 제2 실시형태에 관한 에칭장치(10')에 있어서도, 경사자세로 유지한 기판(W)을 따라서 에칭액을 흘려 내리면서 에칭처리를 행하기 때문에, 제1 실시형태의 에칭장치(10)와 마찬가지로, 에칭액의 치환성을 향상시켜 균일하고 또 신속한 에칭처리를 행할 수 있고, 또한 다음 공정으로의 에칭액의 지출을 유효하게 억제할 수 있다.Also in the etching apparatus 10 'which concerns on 2nd embodiment mentioned above, since the etching process is performed along the board | substrate W hold | maintained in inclined attitude, etching process is performed, the etching apparatus 10 of 1st Embodiment is carried out. ), The substitution property of the etching solution can be improved, and the etching treatment can be performed uniformly and quickly, and the expenditure of the etching solution to the next step can be effectively suppressed.

게다가, 기판(W)에 대향해서 설치된 다수의 노즐(40a)로부터 에칭액을 토출하여 기판(W)으로 분사하는 구성이기 때문에, 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부로부터 에칭액을 흘려 내리는 제1 실시형태의 에칭장치(10)에 비교하면, 기판(W)에 대해서 보다 균일하게 에칭처리를 행할 수 있다는 특징이 있다.In addition, since the etching liquid is ejected from the plurality of nozzles 40a provided to face the substrate W and sprayed onto the substrate W, the etching liquid flows from the end of the upper side in the inclined direction of the substrate W. Compared with the etching apparatus 10 of 1 embodiment, it has the characteristic that an etching process can be performed more uniformly with respect to the board | substrate W. FIG.

즉, 제1 실시형태의 에칭장치(10)에서는 기판(W)을 따라 그 상위측으로부터 에칭액을 흘려 내리므로, 기판(W)의 상위측의 에칭액에 비교해서 하위측의 에칭액의 활성도가 낮다. 요컨대, 기판(W)의 하위측일수록 에칭액이 열화하고 있고, 그 때문에, 기판(W)의 상위측에 비교하면 하위측 처리의 진행이 약간 지연되는 경향이 있다. 그러나, 상기 제 2 실시형태의 에칭장치(10')에서는 기판(W)에 대향해서 배치된 다수의 노즐(40a)로부터 에칭액을 토출시켜 기판(W)의 거의 전면(全面)에 대해서 에칭액을 분사하고 있으므로, 기판(W)의 전체에 활성도가 높은 에칭액을 공급할 수 있다. 따라서, 기판(W)에서는 처리의 진행이 전체에서 거의 균일하게 진행하게 되고, 이 점, 제1 실시형태의 에칭장치(10)에 비교하면 에칭처리를 균일하게 행하는 것이 가능하게 된다.That is, in the etching apparatus 10 of 1st Embodiment, since etching liquid flows along the board | substrate W from the upper side, the activity of the etching liquid of a lower side is low compared with the etching liquid of the upper side of the board | substrate W. That is, etching liquid deteriorates as the lower side of the board | substrate W deteriorates, Therefore, compared with the upper side of the board | substrate W, progress of a lower side process tends to be delayed slightly. However, in the etching apparatus 10 'of the said 2nd Embodiment, etching liquid is discharged from the some nozzle 40a arrange | positioned facing the board | substrate W, and an etching liquid is sprayed on almost the whole surface of the board | substrate W. FIG. Therefore, the etching liquid with high activity can be supplied to the whole board | substrate W. As shown in FIG. Therefore, in the substrate W, the advancing of the processing proceeds almost uniformly as a whole, and this makes it possible to perform the etching process uniformly compared with the etching apparatus 10 of the first embodiment.

그런데, 제2 실시형태와 같이, 에칭액을 기판(W)으로 분사하는 경우에는 에칭처리의 균일성을 높이는 점에서, 상술한 바와 같이 에칭액의 치환성을 향상시키는 이외에 기판(W)에 대한 에칭액의 적중 얼룩을 저감시키는 것이 중요한 과제로 된다.By the way, when spraying etching liquid to the board | substrate W like 2nd Embodiment, in order to improve the uniformity of an etching process, as mentioned above, the etching liquid with respect to the board | substrate W is not only improved. Reducing hit spots is an important task.

즉, 에칭액이 직접 분사되는 것에 의해 에칭액이 공급되는 부분과, 단지 기판(W)을 따라서 기판(W)이 흐르는 것에 의해 에칭액이 공급되는 부분에서는, 에칭처리의 진행에 미묘한 차이(적중 얼룩)가 생기는 것이 경험적으로 알려져 있고, 그 때문에, 노즐에 의해 에칭액을 기판(W)으로 분사하는 경우에는, 에칭액을 기판(W)의 보다 넓은 범위에 직접 분사하는 것이 중요하게 되지만, 상기 에칭장치(10')에 의하면, 이와 같은 적중 얼룩을 합리적인 구성으로 유효하게 경감할 수 있다는 특징이 있다.That is, in the portion where the etching liquid is supplied by directly spraying the etching liquid and the portion where the etching liquid is supplied by simply flowing the substrate W along the substrate W, there is a slight difference (hit unevenness) in the progress of the etching process. It is known empirically that, in the case of spraying the etching liquid onto the substrate W by the nozzle, it is important to spray the etching liquid directly to a wider range of the substrate W, but the etching apparatus 10 ' ), The hit spot can be effectively reduced in a reasonable configuration.

요컨대, 에칭액을 기판(W)의 보다 넓은 범위에 직접 분사하는 방법으로서는, 기판(W)에 대향해서 다수의 노즐을 고정적으로 배치하여 에칭액을 토출시키는 것이 생각되지만, 노즐을 너무 많이 설치하면, 각 노즐로부터 적절히 에칭액을 토출시키기 위한 액의 압력 관리가 어렵게되거나 혹은 인접 설치되는 노즐끼리가 너무 접근하여 배치되거나, 각 노즐로부터 토출되는 에칭액끼리가 완충되어 기판(W)에 대해서 적절히 에칭액을 분사할 수 없다는 사태를 초래하게 된다.In other words, as a method of directly injecting etching liquid to a wider range of the substrate W, it is conceivable that a plurality of nozzles are fixedly disposed to face the substrate W so as to discharge the etching liquid. Pressure management of the liquid for properly ejecting the etching liquid from the nozzle becomes difficult, or adjacent nozzles are placed too close to each other, or the etching liquid discharged from each nozzle is buffered so that the etching liquid can be properly sprayed onto the substrate W. It leads to a situation where there is no.

그러나, 상기의 에칭장치(10')에서는, 도 8에 나타낸 바와 같이, 정지상태에서는 기판(W)에 대해서 직접 에칭액을 분사할 수 있는 영역이 원형으로 되는 부분(도면중, 부호 Sa로 나타내는 영역)이, 노즐(40a)이 요동하게 됨으로써 이 영역이 기판(W)의 경사방향으로 확대되고(도면중, 부호 Sb로 나타내는 영역), 또 기판(W)이 요동하게 됨으로써 이 영역이 반송방향으로까지 확대되게 된다(도면중, 부호 Sc로 나타내는 영역). 따라서, 적은 노즐 수로 기판(W)의 보다 넓은 범위에 직접 에칭액을 분사하는 것이 가능하게 되고, 상기와 같은 적중 얼룩의 발생을 효과적으로 경감할 수 있다.However, in the above etching apparatus 10 ', as shown in FIG. 8, the area | region in which the etching liquid can be directly sprayed with respect to the board | substrate W in a stationary state becomes circular (region shown by code | symbol Sa in the figure). ) Causes the nozzle 40a to swing, thereby expanding the region in the inclined direction of the substrate W (indicated by the symbol Sb in the drawing), and shaking the substrate W so that the region is moved in the conveying direction. It expands to (the area | region shown with the code Sc in drawing). Therefore, it becomes possible to spray an etching liquid directly to the wider range of the board | substrate W with a small number of nozzles, and can generate | occur | produce the hit spot mentioned above effectively.

그런데, 상기 제1 및 제2 실시형태의 에칭장치(10, 10')는 본 발명에 관한 기판 처리장치의 일부의 예로서, 그 구체적인 구성은 본 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위내에서 적절히 변경 가능하다.By the way, the etching apparatus 10, 10 'of the said 1st and 2nd embodiment is an example of a part of the substrate processing apparatus which concerns on this invention, and the specific structure is changed suitably in the range which does not deviate from the summary of this invention. It is possible.

예컨대, 상기 실시형태에서는 기판(W)의 경사각도 θ를 5°∼ 20°의 범위내에서 설정하도록 하고 있지만, 기판(W)의 구체적인 경사각도 θ는 이 각도에 구애되지 않고 기판(W)의 크기나 에칭액의 성상(性狀) 등 여러 가지 조건을 고려하여 기판(W)의 에칭처리가 보다 균일하게 행해지도록 적절히 설정하도록 하면 된다. 단, 기판(W)의 경사각도 θ가 5°미만인 경우에는, 표면장력에 의해 에칭액이 기판(W)상에 부분적으로 잔존하는 등, 부드러운 에칭액의 흘러내림을 기대할 수 없고, 또한 20°를 초과하는 경우에는, 반대로 에칭액의 흘러내림 속도가 너무 빨라져 에칭액을 충분히 기판(W)에 작용하는 것이 어렵게 된다. 따라서, 기판(W)의 경사각도θ는 5°∼ 20°의 범위내에서 설정하는 것이 바람직하다.For example, in the above embodiment, the inclination angle θ of the substrate W is set within a range of 5 ° to 20 °, but the specific inclination angle θ of the substrate W is not limited to this angle, What is necessary is just to set suitably so that the etching process of the board | substrate W may be performed more uniformly in consideration of various conditions, such as a magnitude | size and the property of an etching liquid. However, when the inclination angle θ of the substrate W is less than 5 °, the etchant may be left partially on the substrate W due to the surface tension. On the contrary, on the contrary, the flow rate of the etchant is too high, making it difficult to sufficiently apply the etchant to the substrate W. Therefore, the inclination angle θ of the substrate W is preferably set within the range of 5 ° to 20 °.

또한, 제2 실시형태의 에칭장치(10')에서는, 상기 노즐(40a)의 요동동작에 있어서, 그 요동각도가 40°이내의 범위에서 또 지지축(42)의 중심으로부터 기판(W)으로 내린 수선 g를 기준으로, 기판(W)의 경사방향에서 하위측으로의 동요각도 α가 30°이내, 상위측으로의 동요각도 β가 10°이내가 되도록 설정되어 있지만, 노즐(40a)의 구체적인 요동각도도 이것에 구애되지 않고, 기판(W)의 에칭처리가 보다 균일하게 행해지도록 적절히 설정하도록 하면 된다. 그러나, 바람직하게는, 상기와 같은 범위내에서 요동각도를 설정하는 것이 기판(W)을 균일하게 처리하는 점에서 유효하다. 즉, 적은 노즐 수로 기판(W)의 보다 넓은 범위에 직접 에칭액을 분사하고자 하는 경우, 노즐(40a)의 요동각도를 보다 크게 설정하는 것이 바람직하지만, 기판(W)의 경사방향에서 상위측으로의 동요각도 β가 커지면, 기판(W)의 상위측의 노즐(40a)로부터 토출되어 기판(W)을 따라서 흘러 내리는 에칭액이 하위측의 노즐(40a)로부터 토출된 에칭액의 액의 압력에 의해 기판(W)의 상위측으로 향해서 밀어 올려지는, 소위 밀어올림 현상이 발생하고, 그 결과, 에칭액의 신속한 흘러내림이 방해되어 에칭액의 치환성이 저해되게 된다. 그러나, 상기와 같은 범위내에서 노즐(40a)의 요동각도를 설정하면, 노즐(40a)에 의해 에칭액을 직접 분사할 수 있는 영역을, 상기와 같은 밀어올림 현상을 수반하지 않는 범위내에서 가급적 넓게 할 수 있다. 따라서, 이와 같은 범위내에서 요동각도를 설정하도록 하면, 에칭액의 치환성을 향상시키면서, 게다가 적중 얼룩의 발생을 유효하게 경감할 수 있고, 이것에 의해 기판(W)의 균일처리를 높은 레벨에서 달성할 수 있다.In the etching apparatus 10 'of the second embodiment, in the swinging operation of the nozzle 40a, the swing angle is within 40 degrees and from the center of the support shaft 42 to the substrate W. Although the swing angle α from the inclined direction of the substrate W to the lower side is set to be within 30 degrees and the swing angle β to the upper side with respect to the lowered repair line g, the specific swing angle of the nozzle 40a is set to be within 10 degrees. Not only this but also what is necessary is just to set suitably so that the etching process of the board | substrate W may be performed more uniformly. However, preferably, setting the swing angle within the above range is effective in uniformly treating the substrate W. That is, when it is desired to spray the etching liquid directly to the wider range of the substrate W with a smaller number of nozzles, it is preferable to set the swing angle of the nozzle 40a to be larger, but it is to be shaken from the inclined direction of the substrate W to the upper side. When the angle β becomes large, the etching liquid discharged from the nozzle 40a on the upper side of the substrate W and flowing down along the substrate W is caused by the pressure of the liquid of the etching liquid discharged from the nozzle 40a on the lower side. The so-called push-up phenomenon, which is pushed upward toward the upper side of the upper side of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part of the upper part). However, if the swing angle of the nozzle 40a is set within the above range, the area where the etching liquid can be directly sprayed by the nozzle 40a is as wide as possible within the range not involving the above-mentioned pushing phenomenon. can do. Therefore, by setting the swing angle within such a range, it is possible to effectively reduce the occurrence of hit spots while improving the substitution property of the etching liquid, thereby achieving uniform processing of the substrate W at a high level. can do.

또, 상기와 같은 노즐(40a)의 요동각도의 설정에 있어서, 예컨대, 노즐(40a)의 전체 요동각도가 미리 정해져 있는 것과 같은 경우에는, 지지축(42)의 중심으로부터 기판(W)으로 내린 수선 g를 기준으로, 기판(W)의 경사방향에서 상위측으로의 동요각도 β가 전체의 동요각도의 20∼30%가 되도록, 기판(W)의 상위측 및 하위측으로의 동요각도 α, β를 각각 설정하도록 하여도 된다. 이 경우에도, 에칭액을 직접 분사할 수 있는 영역을, 밀어올림 현상을 수반하지 않는 범위내에서 넓게 할 수 있다.Moreover, in setting the rocking angle of the nozzle 40a as mentioned above, when the whole rocking angle of the nozzle 40a is predetermined, for example, it lowered from the center of the support shaft 42 to the board | substrate W. Based on the repair line g, the swing angles α and β to the upper side and the lower side of the substrate W are adjusted so that the swing angle β from the inclination direction of the substrate W to the upper side is 20 to 30% of the overall swing angle. Each may be set. Also in this case, the area | region in which etching liquid can be directly sprayed can be made large in the range which does not involve a raise phenomenon.

또한, 제1 실시형태에서의 에칭장치(10)에서는 노즐(30)과 기판(W)의 양쪽을 고정적으로 배치하여 에칭액을 공급하도록 하고, 또한 제2 실시형태에서의 에칭장치(10')에서는 노즐(40a)을 요동시키면서 기판(W)을 요동시키도록 하고 있지만, 에칭액의 공급동작의 양태는 기판(W)을 경사상태로 하여 에칭액을 공급할 수 있다면, 이들 실시형태에 한정되지 않고 적절히 선정하는 것이 가능하다. 이 경우, 예컨대 노즐의 동작양태로서는, ① 노즐 고정, ② 노즐 요동의 2종류가 생각되고, 기판(W)의 동작양태로서는, ① 기판 고정, ② 기판 요동, ③ 기판 통과(기판(W)을 다음 공정으로 향해 반송하면서 그 중간에 처리액을 공급하는 양태)의 3종류가 생각되므로, 이들 동작을 적절히 선정, 혹은 조합하도록 하면 된다. 또, 노즐을 고정적으로 설치하여 에칭액을 기판(W)으로 분사하는 것과 같은 구성, 예컨대, 제2 실시형태의 에칭장치(10')에 있어서, 서지탱크(40)를 고정적으로 설치하여 각 노즐(40a)로부터 에칭액을 공급하는 것과 같은 구성의 경우에는, 상기 밀어올림 현상을 확실히 방지하기 위해, 기판(W)으로의 수선방향 또는 수선방향보다도 기판(W)의 하위측으로 향해서 에칭액을 토출하도록 노즐(40a)을 설치하는 것이 바람직하다.In the etching apparatus 10 according to the first embodiment, both the nozzle 30 and the substrate W are fixedly arranged to supply the etching liquid, and in the etching apparatus 10 'according to the second embodiment, Although the substrate W is rocked while the nozzle 40a is rocked, the aspect of the etching liquid supply operation is not limited to these embodiments as long as the etching liquid can be supplied while the substrate W is inclined. It is possible. In this case, for example, two types of nozzles and nozzle fluctuations are conceived as the operation mode of the nozzle, and as the operation mode of the substrate W, the substrate fixing, the substrate fluctuation, and the substrate passage (substrate W) are used. Since three kinds of aspects of supplying the processing liquid in the middle thereof are conveyed to the next step, these operations may be appropriately selected or combined. In addition, in a configuration in which a nozzle is fixedly installed and the etching liquid is sprayed onto the substrate W, for example, the etching apparatus 10 'of the second embodiment, the surge tank 40 is fixedly installed to provide a nozzle ( In the case of the configuration such as supplying the etching liquid from 40a, in order to reliably prevent the pushing phenomenon, the nozzle (to eject the etching liquid toward the lower side of the substrate W rather than in the repair direction or the repair direction to the substrate W) It is preferable to install 40a).

또한, 상기 실시형태에서는 슬릿 모양의 토출구(30a)를 가지는 노즐(30)이나 원추형으로 에칭액을 토출하는 노즐(40a)을 통해서 에칭액을 기판(W)으로 공급하도록 하고 있지만, 이들 이외의 예컨대 단일 구멍으로부터 순수를 토출하는 스폿(spot) 모양의 노즐이나, 안개 모양으로 에칭액을 토출하는 안개 모양의 노즐 등, 여러 가지의 노즐을 적용하여 에칭액을 공급할 수도 있다.In the above embodiment, the etching solution is supplied to the substrate W through the nozzle 30 having the slit-shaped discharge port 30a or the nozzle 40a for discharging the etching liquid in a conical shape. Etching liquid can also be supplied by applying various nozzles, such as a spot nozzle which discharges pure water from a mist, and a fog nozzle which discharges etching liquid in a fog form.

본 발명의 제3 실시형태에 대해서 도면을 사용하여 설명한다.A third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 9는 본 발명에 관한 기판처리장치인 에칭장치를 나타내는 사시도이다. 이 도면에 나타낸 바와 같이, 에칭장치(10)는 박스형의 처리조(12)를 가지고 있고, 이 처리조(12)의 내부에 사각형의 기판(W)을 반송하기 위한 반송기구(16)와, 기판 표면으로 에칭액을 공급하기 위한 에칭액 공급수단을 구비하고 있다.9 is a perspective view showing an etching apparatus which is a substrate processing apparatus according to the present invention. As shown in this figure, the etching apparatus 10 has the box-shaped processing tank 12, the conveyance mechanism 16 for conveying the rectangular board | substrate W inside this processing tank 12, Etching liquid supply means for supplying etching liquid to the substrate surface is provided.

상기 처리조(12)에는, 그 측면에 기판 도입구(14)가 설치됨과 동시에, 이것에 대향하는 측면에 기판 배출구(15)가 설치되어 있다. 즉, 기판 도입구(14)를 통해서 기판(W)이 처리조(12)로 도입되어 에칭처리가 행해진 후, 처리후의 기판(W)이 기판 배출구(15)를 통해서 다음 공정으로 배출되도록 되어 있다.The processing tank 12 is provided with a substrate introduction port 14 on its side and a substrate discharge port 15 on its side opposite to it. That is, after the substrate W is introduced into the treatment tank 12 through the substrate introduction port 14 and the etching treatment is performed, the substrate W after the treatment is discharged to the next step through the substrate discharge port 15. .

상기 반송기구(16)는, 롤러 컨베이어로서 반송방향으로 나란히 축 지지되는 반송롤러(18...)와, 모터를 구동원으로 해서 이들 반송롤러(18)를 동기해서 회전시키는 도면 밖의 구동기구를 구비하고 있고, 상기 기판 도입구(14)를 통해서 도입되는 기판(W)을 받아 들이고, 이 기판(W)을 반송롤러(18...)로 지지하면서 반송하도록 구성되어 있다.The conveying mechanism 16 includes a conveying roller 18... Which is axially supported side by side in the conveying direction as a roller conveyor, and an out-of-drawing driving mechanism which rotates the conveying rollers 18 synchronously using a motor as a driving source. It accepts the board | substrate W introduce | transduced through the said board | substrate introduction port 14, and it is comprised so that it may convey, supporting this board | substrate W by the conveyance roller 18 ....

상기 반송롤러(18)는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 수평면에 대해서 각도 θ만큼 경사진 상태에서 처리조(12)의 측벽 사이에 회전 자유롭게 지지되는 롤러 축(20)을 가지고 있고, 이 롤러 축(20)의 중앙부에 중앙롤러(22)를 구비함과 동시에, 양단 부분에 한쌍의 측부롤러(24)를 각각 구비한 부분 지지형의 롤러구조를 가지고 있다. 각 롤러(22, 24)에는 고무 등의 유연성 재료로 이루어지는 완충재로서의 O 링(26)이 각각 밖에서 끼워 장착됨과 동시에, 각 측부롤러(24)에는 그 바깥쪽 측부에 각각 날개부(24a)가 일체로 형성되어 있다. 그리고, 기판(W)의 반송시에는 각 롤러(22, 24)에 의해 기판(W)을 이면으로부터 지지함과 동시에, 반송롤러(18)의 경사방향에서 하위측(도 10에서는 우측)의 날개부(24a)에 의해 기판(W)이 미끌어져 떨어지는 것을 방지하면서 기판(W)을 경사자세로 반송하도록 되어 있다.As shown in FIG. 10, the said conveying roller 18 has the roller shaft 20 rotatably supported between the side walls of the processing tank 12 in the state inclined by the angle (theta) with respect to a horizontal plane, and this roller shaft The central roller 22 is provided at the center of the section 20, and a roller supporting structure is provided with a pair of side rollers 24 at both ends thereof. Each of the rollers 22 and 24 is fitted with an O-ring 26 as a cushioning material made of a flexible material such as rubber from the outside, and a wing portion 24a is integral with each of the side rollers 24 at its outer side. It is formed. And at the time of conveyance of the board | substrate W, while supporting the board | substrate W from the back surface by each roller 22 and 24, the blade of the lower side (right side in FIG. 10) in the inclination direction of the conveyance roller 18 is carried out. The board | substrate W is conveyed in inclined position, preventing the board | substrate W from sliding by the part 24a.

또, 기판(W)의 경사각도, 요컨대 상기 롤러 축(20)의 경사각도 θ는 본 실시형태에서는 에칭처리의 균일성이 양호하게 되는 하나의 양태로서 5°∼ 20°의 범위내에서 설정되어 있다.Incidentally, the inclination angle θ of the substrate W, that is, the inclination angle θ of the roller shaft 20, is set within the range of 5 ° to 20 ° as one embodiment in which the uniformity of the etching treatment is improved in this embodiment. have.

상기 에칭액 공급수단으로서는, 후술의 기판 처리위치에 위치 결정된 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부 상방에 배치되는 슬릿노즐(30)(제1 처리액 공급수단)과, 이 슬릿노즐(30)보다도 하위측에서 기판(W)에 대향 배치된 다수의 샤워노즐(40)(제2 처리액 공급수단)이 배열 설치되어 있다.As said etching liquid supply means, the slit nozzle 30 (1st process liquid supply means) arrange | positioned above the upper end in the inclination direction of the board | substrate W located in the substrate processing position mentioned later, and this slit nozzle 30 ), A plurality of shower nozzles 40 (second processing liquid supplying means) are arranged on the lower side of the substrate W so as to face each other.

상기 슬릿노즐(30)은, 프레임(32)을 통해서 처리조(12)의 측벽에 고정되어 있음과 동시에, 액 공급관(34)을 통해서 도면 밖의 에칭액 저장용의 탱크에 접속되어 있다. 이 슬릿노즐(30)에는 기판(W)의 반송방향(이하, 단지 반송방향이라 한다)으로 연장되는 슬릿 모양의 토출구(30a)가 형성되어 있고, 상기 액 공급관(34)에 끼워 설치된 예컨대 밸브수단의 조작에 따라서 이 토출구(30a)로부터 에칭액을 토출하여 기판 표면으로 공급하도록 되어 있다. 또, 노즐(30)의 토출구(30a)는 기판 처리위치에 기판(W)이 위치 결정된 상태에서, 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부의 전체에 걸쳐 에칭액을 공급할 수 있도록 형성되어 있다.The slit nozzle 30 is fixed to the side wall of the processing tank 12 via the frame 32 and is connected to the tank for storing the etchant outside the drawing through the liquid supply pipe 34. The slit nozzle 30 is provided with a slit-shaped discharge port 30a extending in the conveying direction of the substrate W (hereinafter referred to simply as the conveying direction), and is provided with, for example, valve means fitted to the liquid supply pipe 34. The etching liquid is discharged from this discharge port 30a and supplied to the substrate surface in accordance with the operation of. Moreover, the discharge port 30a of the nozzle 30 is formed so that etching liquid can be supplied over the whole edge part of the upper side in the inclination direction of the board | substrate W in the state in which the board | substrate W was positioned in the substrate processing position. .

한편, 샤워노즐(40)은, 도 9에 나타낸 바와 같이, 반송기구(16)의 상방에 배열 설치된 서지탱크(36)에 설치되어 있고, 도시의 예에서는 2개의 서지탱크(36)가 배열 설치되고, 이들 서지탱크(36)에 각각 복수의 샤워노즐(40)이 설치되어 있다.On the other hand, the shower nozzle 40 is provided in the surge tank 36 arrange | positioned above the conveyance mechanism 16, as shown in FIG. 9, In the example of illustration, two surge tanks 36 are arrange | positioned. Each of these surge tanks 36 is provided with a plurality of shower nozzles 40.

각 서지탱크(36)는 반송방향으로 연장되는 원통형의 탱크로서, 도 10에 나타낸 바와 같이, 기판(W)의 경사방향으로 일정한 간격으로 또 반송기구(16)로 지지된 기판(W)에 대해서 일정한 거리를 가지고 서로 평행한 상태에서 나란히 배치되고, 각각 지지축(38)을 통해서 처리조(12)의 측판 사이에 지지되어 있다. 각 서지탱크(36)에는 각각 액 공급관(42)이 접속되어 있고, 이 액 공급관(42)을 통해서 각 서지탱크(36)가 도면 밖의 에칭액 저장용의 탱크에 접속되어 있다.Each surge tank 36 is a cylindrical tank extending in the conveying direction, and as shown in FIG. 10, with respect to the substrate W supported by the conveying mechanism 16 at regular intervals in the inclined direction of the substrate W. FIG. They are arranged side by side in a state parallel to each other at a constant distance, and are supported between the side plates of the treatment tank 12 through the support shaft 38, respectively. A liquid supply pipe 42 is connected to each surge tank 36, and each surge tank 36 is connected to a tank for etching liquid storage outside the drawing through the liquid supply pipe 42.

상기 샤워노즐(40)은, 다수의 토출구멍을 구비하고, 원추형으로 에칭액을 분출하는, 소위 원추형의 샤워노즐로서, 기판(W)에 대향해서 반송방향으로 일정한 간격으로 나란히 설치되어 있다. 그리고, 액 공급관(42)에 끼워 설치된 예컨대 밸브수단의 조작에 따라서 에칭액을 분출하고, 이것에 의해 기판(W)으로 에칭액을 분사하도록 되어 있다.The shower nozzle 40 is a so-called conical shower nozzle which is provided with a plurality of discharge holes and ejects the etching liquid in a conical shape, and is arranged side by side at regular intervals in the conveying direction opposite to the substrate W. As shown in FIG. Then, the etching liquid is ejected in accordance with, for example, the operation of the valve means fitted to the liquid supply pipe 42, thereby spraying the etching liquid onto the substrate W.

또, 각 샤워노즐(40)은, 도 11에 나타낸 바와 같이, 기판(W)으로 내린 수선g의 방향으로 향해 지향되어 있고, 기판(W)의 소정의 영역에 에칭액을 분사하도록 되어 있다. 본 실시형태에서는 에칭처리의 균일성이 양호하게 되는 하나의 양태로서, 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부로부터 30%∼40%의 위치, 즉 기판(W)의 폭 방향 치수(도 10에서 좌우방향 치수)중 기판(W)의 경사방향에서 상위측(도 10에서는 좌측)으로부터 30%∼40%의 위치보다도 하위측의 부분에 각 샤워노즐(40)에 의해 에칭액을 분사하도록 되어 있다.Moreover, as shown in FIG. 11, each shower nozzle 40 is directed toward the direction of the repair line g lowered to the board | substrate W, and injects etching liquid to the predetermined area | region of the board | substrate W. Moreover, as shown in FIG. In this embodiment, as an aspect in which the uniformity of the etching treatment is improved, a position of 30% to 40% from the end of the upper side in the inclined direction of the substrate W, that is, the width direction dimension of the substrate W (Fig. The etching liquid is sprayed by the shower nozzles 40 to the portion lower than the position of 30% to 40% from the upper side (left side in FIG. 10) in the inclined direction of the substrate W in the horizontal direction at 10). have.

이상과 같이 구성된 에칭장치(10)에서는, 우선 전(前)공정에서의 처리를 마친 기판(W)이 기판 도입구(14)를 통해서 처리조(12)내로 도입되면서 반송기구(16)에 의해 반송된다. 그리고, 기판(W)의 선단이 소정의 위치에 도달하면 반송기구(16)가 정지되고, 이것에 의해 기판(W)이 처리조(12)내의 소정의 기판 처리위치에 위치 결정된다.In the etching apparatus 10 comprised as mentioned above, the conveyance mechanism 16 is first introduce | transduced into the process tank 12 through the board | substrate introduction opening 14 the board | substrate W which completed the process in the previous process. Is returned. And when the front-end | tip of the board | substrate W reaches a predetermined position, the conveyance mechanism 16 will be stopped and thereby the board | substrate W will be positioned in the predetermined | prescribed board | substrate processing position in the processing tank 12.

기판(W)이 위치 결정되면, 액 공급관(34, 42)의 각 밸브수단이 열려지는 것에 의해 각 슬릿노즐(30), 샤워노즐(40)로부터 기판(W)의 표면으로 에칭액의 공급이 개시된다. 이때, 슬릿노즐(30)로부터 기판(W)으로 에칭액이 공급되면, 상술한 바와 같이 기판(W)이 경사자세로 유지되어 있기 때문에, 에칭액은 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부로부터 기판(W)을 따라서 흘러 하위측의 단부로부터 기판 밖으로 흘러 내린다. 그리고, 이렇게 에칭액이 기판(W)을 따라서 흐르는 중간에 에칭액이 기판 표면에 작용하여 기판(W)에 에칭처리가 행해지고, 처리에 제공된 에칭액과 이것에 의한 용해물질이 일체로 기판 밖으로 흘러 내리게 된다.When the substrate W is positioned, the supply of the etching liquid from the slit nozzles 30 and the shower nozzles 40 to the surface of the substrate W is started by opening the valve means of the liquid supply pipes 34 and 42. do. At this time, when the etching liquid is supplied from the slit nozzle 30 to the substrate W, since the substrate W is held in an inclined position as described above, the etching liquid is removed from the end of the upper side in the inclined direction of the substrate W. As shown in FIG. It flows along the board | substrate W, and flows out of a board | substrate from the lower edge part. The etching liquid acts on the surface of the substrate while the etching liquid flows along the substrate W in this manner, and the etching treatment is performed on the substrate W, and the etching liquid provided in the treatment and the dissolved material thereby flow out of the substrate.

이렇게 소정의 시간만큼 에칭액이 공급되면, 액 공급관(34, 42)의 각 밸브수단이 닫혀져 에칭액의 공급이 정지된다. 그리고, 상기 반송기구(16)가 재차 구동되어 처리후의 기판(W)이 상기 기판 배출구(15)를 통해서 다음 공정, 본 실시형태에서는 순수에 의한 물세척 공정으로 반출된다.When the etching liquid is supplied for a predetermined time like this, the valve means of the liquid supply pipes 34 and 42 are closed to stop the supply of the etching liquid. And the said conveyance mechanism 16 is driven again, and the processed board | substrate W is carried out through the said board | substrate discharge port 15 to the next process and water washing process by pure water in this embodiment.

이상과 같은 에칭장치(10)에 의하면, 경사자세로 유지한 기판(W)을 따라서 에칭액을 흘려 내리면서 에칭처리를 행하기 때문에, 에칭액이 기판상에서 체류하는 일이 일체 없고, 에칭액의 치환성이 현저하게 향상한다. 따라서, 기판 표면 전체에 대해서 균일하게 에칭액을 작용시키면서 신속하게 기판 밖으로 에칭액을 유출시킬수 있고, 이것에 의해 기판 표면 전체에 균일하게 에칭처리를 행할 수 있다.According to the etching apparatus 10 as described above, since the etching treatment is performed while flowing the etching solution along the substrate W held in an oblique attitude, the etching solution does not stay on the substrate at all, and the etching property Significantly improve. Therefore, the etching liquid can be quickly flowed out of the substrate while the etching liquid is uniformly applied to the entire substrate surface, whereby the etching treatment can be uniformly performed on the entire substrate surface.

게다가, 슬릿노즐(30)로부터 기판상으로 공급한 에칭액을 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부로부터 흘려 내리게 할 뿐만 아니라, 슬릿노즐(30)의 하위측에 샤워노즐(40)을 배치하여 에칭액을 기판(W)으로 분사하도록 하고 있기 때문에, 에칭처리의 균일성을 보다 높은 레벨에서 달성할 수 있다는 특징이 있다. 즉, 기판(W)을 따라서 에칭액을 흘려 내리는 것만으로는 기판(W)의 상위측의 에칭액에 비교해서 하위측의 에칭액의 활성도가 낮게되는, 요컨대, 기판(W)의 하위측일수록 에칭액이 열화하기 때문에, 기판(W)의 상위측에 비교해서 하위측의 처리의 진행이 지연된다. 그 때문에, 이것이 에칭처리의 균일성을 높이는 점에서 마이너스 요소로 된다. 그러나, 상기 에칭장치(10)와 같이, 슬릿노즐(30)의 하위측에서 샤워노즐(40)에 의해 기판(W)으로 에칭액을 분사하도록 하면, 기판(W)을 따라서 흘러 내리는 열화한 에칭액에 활성도가 높은 에칭액이 공급되게 되고, 기판(W)의 하위측에서 처리액의 열화가 효과적으로 억제된다. 따라서, 에칭처리가 기판 전체에서 보다 균일하게 진행하게 되고, 이것에 의해 에칭처리를 보다 균일하게 행할 수 있다.In addition, not only the etching liquid supplied from the slit nozzle 30 onto the substrate flows down from the upper end portion in the inclined direction of the substrate W, but also the shower nozzle 40 is disposed below the slit nozzle 30. Since the etching liquid is sprayed onto the substrate W, the uniformity of the etching treatment can be achieved at a higher level. In other words, the etching solution deteriorates as the lower side of the substrate W becomes less active than the etching liquid on the upper side of the substrate W only by flowing the etching liquid along the substrate W. Therefore, the progress of the processing on the lower side is delayed compared to the upper side of the substrate W. Therefore, this becomes a negative element in the point which raises the uniformity of an etching process. However, as in the etching apparatus 10, when the etching liquid is sprayed to the substrate W by the shower nozzle 40 from the lower side of the slit nozzle 30, the deteriorated etching liquid flowing along the substrate W is caused. The etching liquid with high activity is supplied, and deterioration of the processing liquid is effectively suppressed at the lower side of the substrate W. As shown in FIG. Therefore, the etching process proceeds more uniformly throughout the substrate, whereby the etching process can be performed more uniformly.

그런데, 상기와 같이 샤워노즐(40)에 의해 기판(W)으로 에칭액을 분사하는 경우에는, 각 샤워노즐(40)에 의한 에칭액의 분사영역의 경계선 부분에 처리 불균일이 생기는 것이 걱정되는 형편이지만, 샤워노즐(40)로부터의 에칭액은 슬릿노즐(30)로부터 기판상으로 공급되어 흘러 내리는 에칭액의 표면으로 분사되기 때문에, 직접 기판(W)으로 분사되는 일이 없다. 그 때문에, 샤워노즐만에 의해 기판으로 에칭액을 공급하는 경우와 같이 처리 불균일이 생기는 일이 없다.By the way, when etching liquid is sprayed to the board | substrate W by the shower nozzle 40 as mentioned above, it is a concern that processing nonuniformity will generate | occur | produce in the boundary part of the injection region of the etching liquid by each shower nozzle 40, Since the etching liquid from the shower nozzle 40 is injected from the slit nozzle 30 onto the surface of the etching liquid which flows down, it is not sprayed directly to the board | substrate W. FIG. Therefore, the processing unevenness does not occur as in the case of supplying the etching liquid to the substrate only by the shower nozzle.

따라서, 상기 에칭장치(10)에 의하면, 종래 이런 종류의 장치에 비교하면 기판(W)에 대해서 매우 높은 레벨에서 에칭처리를 균일하게 행할 수 있다.Therefore, according to the etching apparatus 10, the etching process can be uniformly performed at a very high level with respect to the substrate W as compared with this type of apparatus.

또, 상기 에칭장치(10)는 본 발명의 기판 처리장치에 관한 에칭장치의 일예로서, 그 구체적인 구성은 본 발명의 요지를 이탈하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하다.Moreover, the said etching apparatus 10 is an example of the etching apparatus which concerns on the substrate processing apparatus of this invention, The specific structure can be changed suitably in the range which does not deviate from the summary of this invention.

예컨대, 상기 에칭장치(10)에서는 슬릿노즐(30)에 의한 에칭액의 공급방향이 고정되어 있지만, 슬릿노즐(30)에 의한 에칭액의 공급방향을 기판(W)의 경사방향으로 가변하는 가변수단(제1 가변수단)을 설치하도록 하여도 된다. 이 경우, 예컨대 지지축을 통해서 슬릿노즐(30)을 요동 가능하게 축 지지함과 동시에, 이 지지축을 감속기를 통해서 구동용 모터에 연결하고, 이 모터의 정역회전 구동에 따라서 슬릿노즐(30)을 요동시키도록 상기 가변수단을 구성할 수 있다. 이와 같은 가변수단을 설치해서 처리중에 슬릿노즐(30)에 의한 에칭액의 공급방향을 변화시키도록 하면, 에칭액의 공급방향을 고정적으로 설치하는 것에 의한 폐해, 즉 기판(W)의 특정 장소에 활성도가 높은 에칭액이 계속적으로 공급되어 해당 장소에서의 처리가 다른 부분에 비해서 극단적으로 신속하게 진행하여 처리 불균일을 생기게 한다는 사태의 발생을 효과적으로 완화할 수 있다. 따라서, 슬릿노즐(30)에 의한 에칭액의 공급방향을 가변하는 것으로 에칭처리의 균일성을 보다 높이는 것이 가능하게 된다.For example, in the etching apparatus 10, the supply direction of the etching liquid by the slit nozzle 30 is fixed, but the variable means for varying the supply direction of the etching liquid by the slit nozzle 30 in the inclined direction of the substrate W ( The first variable means may be provided. In this case, for example, the slit nozzle 30 is pivotally supported through the support shaft, and the support shaft is connected to the driving motor through the reduction gear, and the slit nozzle 30 is oscillated in accordance with the forward and reverse rotation driving of the motor. The variable means can be configured to allow. If such a variable means is provided so as to change the supply direction of the etching liquid by the slit nozzle 30 during the process, the activity caused by the fixed installation of the etching liquid supply direction, that is, activity at a specific place of the substrate W, The high etching solution is continuously supplied, which can effectively alleviate the occurrence of a situation in which the processing at the place proceeds extremely rapidly compared to other portions, causing processing unevenness. Therefore, by changing the supply direction of the etching liquid by the slit nozzle 30, it becomes possible to raise the uniformity of an etching process more.

마찬가지로, 각 샤워노즐(40)에 의한 에칭액의 공급방향을 기판(W)의 경사방향으로 가변하는 가변수단(제2 가변수단)을 설치하도록 하여도 된다. 이 경우, 예컨대 상기 지지축(38)을 처리조(12)에 대해서 회전 가능하게 지지하고, 기판(W)의 경사방향으로 연장되는 구동축을 설치하며, 이 구동축에 웜 기어 및 웜 휠을 통해서 각 지지축(42)을 연결함과 동시에, 상기 구동축을 감속기를 통해서 구동용 모터에 접속함으로써 상기 가변수단을 구성할 수 있다. 이것에 의하면, 모터의 정역회전 구동에 따라서 서지탱크(36)가 정역 회전하고, 그 결과 서지탱크(40)에 의한 에칭액의 공급방향이 변화하게 된다. 이와 같은 가변수단을 설치하여 처리중에 각 샤워노즐(40)에 의한 에칭액의 공급방향을 변화시키도록 하면, 에칭액의 분사영역을 확대하는 것이 가능하게 되기 때문에, 적은 수의 샤워노즐(40)로 보다 넓은 영역에 에칭액을 분사하는 것이 가능하게 된다. 또, 각 샤워노즐(40)에 대해서는 기판(W)의 경사방향에 한정되지 않고, 기판(W)의 반송방향 등, 여러 가지 방향으로 에칭액의 공급방향을 변경할 수 있도록 가변수단을 구성하도록 하여도 되고, 또한 서지탱크(36)의 개수도 본 실시형태에서는 2개 설치되어 있지만, 기판(W)의 크기 등에 따라서 그 개수를 증감할 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 각 가변수단은 어느 것도 기판(W)에 대해서 노즐(30, 40)을 요동시키도록 구성하고 있지만, 예컨대 노즐(30, 40)을 고정하고, 기판(W)을 이동시킬수 있도록 가변수단을 구성하고, 이것에 의해 기판(W)에 대한 에칭액의 공급방향을 변화시키도록 하여도 된다.Similarly, variable means (second variable means) for varying the supply direction of the etching liquid by the shower nozzles 40 in the inclined direction of the substrate W may be provided. In this case, for example, the support shaft 38 is rotatably supported with respect to the treatment tank 12, and a drive shaft extending in the inclined direction of the substrate W is provided, and each drive shaft is provided with a worm gear and a worm wheel. The variable means can be configured by connecting the support shaft 42 and connecting the drive shaft to the drive motor through the reduction gear. According to this, the surge tank 36 rotates forward and backward in accordance with the forward and reverse rotation driving of the motor, and as a result, the supply direction of the etching liquid by the surge tank 40 changes. If such a variable means is provided to change the supply direction of the etching liquid by the shower nozzles 40 during the process, the spraying area of the etching liquid can be enlarged, so that the number of shower nozzles 40 is smaller. It is possible to spray the etching liquid over a wide area. In addition, the shower nozzle 40 is not limited to the inclination direction of the substrate W, and the variable means may be configured so that the supply direction of the etching liquid can be changed in various directions, such as the conveyance direction of the substrate W. In addition, although the number of the surge tanks 36 is also provided in this embodiment two, the number can also be increased or decreased according to the magnitude | size of the board | substrate W, etc. In FIG. In addition, although the said 1st and 2nd each variable means is comprised so that the nozzles 30 and 40 may rock with respect to the board | substrate W, for example, the nozzles 30 and 40 are fixed, and the board | substrate W is fixed, for example. The variable means may be configured to be movable, thereby changing the supply direction of the etching liquid to the substrate W.

또한, 상기 실시형태에서는 기판(W)의 경사각도 θ를 5°∼ 20°의 범위내에서 설정하도록 하고 있지만, 기판(W)의 구체적인 경사각도 θ는 이 각도에 구애되지 않고 기판(W)의 크기나 에칭액의 성상 등 여러 가지 조건을 고려하여 기판(W)의 에칭처리가 보다 균일하게 행해지도록 적절히 설정하도록 하면 된다. 또한, 샤워노즐(40)에 의한 에칭액의 공급방향도 상기 실시형태와 같이 기판(W)으로의 수선방향일 필요는 없고, 기판(W)의 에칭처리가 보다 균일하게 행해지도록 적절히 설정하도록 하면 된다. 단, 샤워노즐(40)에 의한 에칭액의 공급방향이 기판(W)의 수선방향보다도 기판(W)의 경사방향에서 상위측으로 지향하는 경우에는, 슬릿노즐(30)로부터 공급되어 기판(W)을 따라서 흘러 내리는 에칭액이 샤워노즐(40)로부터의 에칭액의 액의 압력에 의해 기판(W)의 상위측으로 향해서 밀어 올려지는, 소위 밀어올림 현상이 발생하고, 그 결과, 에칭액의 신속한 흘러내림이 방해되어 에칭액의 치환성이 저해되는 경우가 있다. 따라서, 샤워노즐(40)에 의한 에칭액의 공급방향은 기판(W)으로의 수선방향 또는 수선방향보다도 기판(W)의 하위측으로 향해 에칭액을 분사하도록 샤워노즐(40)을 설치하는(예컨대, 도 3의 파선으로 나타낸다) 것이 바람직하다.In the above embodiment, the inclination angle θ of the substrate W is set within a range of 5 ° to 20 °, but the specific inclination angle θ of the substrate W is not limited to this angle, What is necessary is just to set suitably so that the etching process of the board | substrate W may be performed more uniformly, considering various conditions, such as a magnitude | size and the property of an etching liquid. In addition, the supply direction of the etching liquid by the shower nozzle 40 does not need to be the repair direction to the board | substrate W like the said embodiment, but may be suitably set so that the etching process of the board | substrate W may be performed more uniformly. . However, when the supply direction of the etching liquid by the shower nozzle 40 is directed upward from the inclination direction of the board | substrate W rather than the repair direction of the board | substrate W, it is supplied from the slit nozzle 30, and the board | substrate W is moved. Accordingly, a so-called pushing phenomenon occurs in which the etching liquid flowing down is pushed upward by the pressure of the liquid of the etching liquid from the shower nozzle 40 toward the upper side of the substrate W. As a result, the rapid flow of the etching liquid is prevented. Substitution of etching liquid may be impaired. Therefore, the shower nozzle 40 is provided so that the etching direction of the etching liquid by the shower nozzle 40 is sprayed toward the lower side of the substrate W rather than in the repair direction or the repair direction to the substrate W (for example, in FIG. It is preferable to represent with the broken line of 3).

또한, 상기 실시형태에서는 기판(W)의 경사방향에서 상위측의 단부로부터 30%∼40%의 위치보다도 하위측의 부분에 샤워노즐(40)에 의해 에칭액을 분사하도록 하고 있지만, 샤워노즐(40)에 의한 에칭액의 분사영역도 기판(W)의 구체적인 경사각도 θ나 에칭액의 성상 등을 고려하여 기판(W)의 에칭처리가 보다 균일하게 행해지도록 적절히 설정하도록 하면 된다.Further, in the above embodiment, the etching liquid is sprayed by the shower nozzle 40 to a portion lower than the position of 30% to 40% from the end of the upper side in the inclined direction of the substrate W, but the shower nozzle 40 The etching area of the etching liquid may be appropriately set so that the etching treatment of the substrate W is performed more uniformly in consideration of the specific inclination angle θ of the substrate W, the properties of the etching liquid, and the like.

또한, 상기 에칭장치(10)에 의한 처리시에 2개의 서지탱크(36)중 하위측의 서지탱크(36)의 각 샤워노즐(40)에 의해 기판(W)으로 분사하는 에칭액의 양이 상위측의 서지탱크(36)의 각 샤워노즐(40)에 의한 분사량보다도 많게 되도록 단위 시간당 에칭액의 분사량을 제어하도록 하여도 된다. 기판(W)을 따라서 흘러 내리는 처리액이 하위측일수록 열화하는 경향이 있는 것을 고려하면, 이렇게 에칭액의 분사량을 제어함으로써, 기판(W)의 에칭처리를 보다 균일하게 행하는 것이 가능하게 된다.In addition, the amount of etching liquid sprayed to the substrate W by each shower nozzle 40 of the lower surge tank 36 among the two surge tanks 36 during the treatment by the etching apparatus 10 differs. The injection amount of the etching liquid per unit time may be controlled so as to be larger than the injection amount by each shower nozzle 40 of the surge tank 36 on the side. Considering that the processing liquid flowing down the substrate W tends to deteriorate as the lower side thereof, the etching amount of the etching liquid is controlled in this way, so that the etching treatment of the substrate W can be performed more uniformly.

또, 상기 실시형태에서는 설명을 생략하고 있지만, 기판(W)은 기판 제조의 전체 공정에서 경사자세로 유지할 필요는 없고, 적어도 에칭공정에서 기판(W)을 경사자세로 유지하도록 하면 된다. 따라서, 에칭처리 이외의 처리공정에서 기판(W)을 수평자세로 처리하는 경우에는 에칭장치(10)로의 도입 직전에 기판(W)을 경사지게 하여 에칭장치(10)로 도입하고, 에칭장치(10)로부터의 배출 직후에 기판(W)을 수평자세로 되돌리도록 하면 된다. 또한, 상기 실시형태에서는 기판(W)을 기판 처리위치에 고정한 상태에서 에칭액을 공급하도록 하고 있지만, 예컨대 기판(W)을 다음 공정으로 반송하면서 에칭액을 공급하도록 하여도 된다.In addition, although description is abbreviate | omitted in the said embodiment, it is not necessary to hold the board | substrate W in the inclined posture at the whole process of board | substrate manufacture, and what is necessary is just to maintain the board | substrate W in the inclined posture at least in an etching process. Therefore, when the substrate W is processed in a horizontal position in a processing step other than the etching treatment, the substrate W is inclined just before the introduction into the etching apparatus 10 and introduced into the etching apparatus 10, and the etching apparatus 10 What is necessary is just to return the board | substrate W to a horizontal position immediately after discharge | release from (). In addition, in the said embodiment, although etching liquid is supplied in the state which fixed the board | substrate W to the substrate processing position, you may supply an etching liquid, for example, conveying the board | substrate W to the next process.

또한, 상기 실시형태는 본원 발명을 에칭장치(10, 10')에 적용한 예이지만, 본원발명은 이와 같은 에칭장치 이외에도, 예컨대 네가레지스트 현상 등의 현상처리의 장치에도 적용할 수 있다.The above embodiment is an example in which the present invention is applied to the etching apparatuses 10 and 10 ', but the present invention can be applied to an apparatus for developing such as negative resist development in addition to such an etching apparatus.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 기판의 표면으로 처리액을 공급하여 처리를 행하는 기판 처리장치에 있어서, 수평면에 대해서 소정의 각도를 이루는 경사자세로 기판을 유지하는 자세 유지수단과, 상기 경사자세로 유지된 기판에 대해서 처리액을 공급하는 처리액 공급수단을 구비하고, 처리시에는 처리액을 기판 표면에서 자체 중량으로 흘려 내리고, 이것에 의해 기판 표면 전체에 대해서 균일하게 처리액을 작용시키면서 신속하게 기판 밖으로 유출시키도록 하였기 때문에, 수평으로 유지한 기판에 대해서 처리액을 공급하여 처리를 행하도록 하였던 종래의 이런 종류의 장치와 비교하면 기판상에서 처리액의 체류를 효과적으로 방지할 수 있고, 따라서 기판에 대해서 보다 균일하게 처리를 행할 수 있다.As described above, the present invention is a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a surface of a substrate to perform processing, comprising: posture holding means for holding a substrate in an inclined posture at a predetermined angle with respect to a horizontal plane; A processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the held substrate is provided, and during processing, the processing liquid flows down from the surface of the substrate at its own weight, thereby quickly exerting the processing liquid uniformly to the entire surface of the substrate. Since it was allowed to flow out of the substrate, the retention of the processing liquid on the substrate can be effectively prevented, as compared with the conventional apparatus of this type, in which the processing liquid is supplied to perform processing on the substrate held horizontally. The treatment can be performed more uniformly.

특히, 자세 유지수단에 의한 기판의 경사각도를 5°∼ 20°의 범위내에서 설정하도록 하면, 예컨대 에칭처리시에 있어서 에칭액(처리액)으로 금속막을 용해시키도록 한 경우에, 처리액을 기판에 대해서 유효하게 작용시키면서 신속하게 기판 외부로 흘려 내릴수 있다.In particular, when the inclination angle of the substrate by the posture maintaining means is set within the range of 5 ° to 20 °, the processing liquid is used as the substrate when the metal film is dissolved in the etching liquid (processing liquid), for example, during the etching process. It can be quickly flowed out of the substrate while effectively acting on the substrate.

또한, 처리액 공급수단에 의한 처리액의 공급방향을 고정적으로 설정하는 경우에는, 기판에 대한 수선방향 또는 수선방향보다도 기판의 경사방향에서 하위측으로 향해 처리액을 공급하도록 처리액 공급수단을 구성하도록 하면, 처리액의 밀어올림 현상의 발생을 확실하게 방지할 수 있다.In the case where the supply direction of the processing liquid by the processing liquid supplying means is fixedly set, the processing liquid supplying means is configured to supply the processing liquid from the inclined direction of the substrate to the lower side rather than in the repair direction or the repair direction with respect to the substrate. In this case, it is possible to reliably prevent the occurrence of the pushing up of the processing liquid.

한편, 처리액의 공급방향을 기판의 경사방향으로 가변하는 가변수단을 설치하도록 하면, 적은 처리액 공급수단으로 보다 넓은 면적에 대해서 처리액을 직접 공급하는 것이 가능하게 되고, 합리적인 구성으로 소위 적중 얼룩의 발생을 경감할 수 있다.On the other hand, if the variable means for varying the supply direction of the processing liquid in the inclined direction of the substrate is provided, it is possible to directly supply the processing liquid for a larger area with a smaller processing liquid supply means, and so-called hit stain with a reasonable configuration. Can reduce the occurrence of

이 경우, 기판으로의 수선을 경계로 기판의 경사방향에서 상위측으로 0°∼ 10°, 하위측으로 0°∼ 30°의 범위내에서 상기 처리액 공급수단을 요동시키도록 가변수단을 구성하던가, 혹은 기판으로의 수선을 경계로 기판의 경사방향에서 상위측으로 전체 요동각도의 20∼30%의 범위내에서 상기 처리액 공급수단을 요동시키도록 상기 가변수단을 구성하면, 처리액의 밀어올림 현상의 발생을 유효하게 방지하면서 적중 얼룩을 유효하게 경감할 수 있다.In this case, the variable means is configured to oscillate the processing liquid supply means within the range of 0 ° to 10 ° upward and 0 ° to 30 ° downward in the inclined direction of the substrate at the boundary of the repair to the substrate, or If the variable means is configured to oscillate the processing liquid supply means within the range of 20 to 30% of the total swing angle from the inclined direction of the substrate to the upper side at the boundary of the repair to the substrate, the phenomenon of the processing liquid is raised. It can effectively reduce the hit stain while preventing effectively.

또한, 기판의 경사방향과 직교하고, 또 기판과 평행한 방향으로 기판을 반송하는 반송장치에 의해 상기 자세 유지수단을 구성하고, 기판의 반송중에 기판에 처리액을 공급하도록 하면, 기판을 반송하면서 효율 좋게 처리를 행하는 것이 가능하게 된다.In addition, if the posture holding means is constituted by a conveying apparatus which conveys the substrate in a direction perpendicular to the inclination direction of the substrate and parallel to the substrate, and the processing liquid is supplied to the substrate during the conveyance of the substrate, the substrate is conveyed. It becomes possible to perform a process efficiently.

또한, 처리액의 공급중에 처리액 공급수단과 기판과를 기판의 경사방향과 직교하고, 또 기판과 평행한 방향으로 상대적으로 왕복 이동시키는 이동수단을 설치하도록 하면, 적은 처리액 공급수단으로 보다 넓은 면적에 대해서 처리액을 직접 공급하는 것이 가능하게 되고, 합리적인 구성으로 소위 적중 얼룩의 발생을 경감할 수 있다.In addition, if the processing liquid supplying means and the substrate are provided with a moving means which is orthogonal to the inclined direction of the substrate and is relatively reciprocated in the direction parallel to the substrate during the supply of the processing liquid, It is possible to supply the treatment liquid directly to the area, and it is possible to reduce the occurrence of so-called hit stains with a reasonable configuration.

또한, 본 발명은 경사자세로 유지된 기판에 대해서 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리장치에 있어서, 기판의 경사방향에서 상위측의 단부로 처리액을 공급하여 상기 기판 표면상에서 처리액을 상기 경사방향으로 흘려 내리는 제1 처리액 공급수단을 설치함과 동시에, 이 제1 처리액 공급수단보다도 하위측에, 기판으로 처리액을 분사하는 제2 처리액 공급수단을 설치하고, 이것에 의해 기판 전체에 처리액을 작용시키면서 신속하게 기판 밖으로 유출시키도록 함과 동시에, 기판의 경사방향에서 하위측에서의 처리액의 열화(활성도의 저하)를 효과적으로 억제하도록 한 것이므로, 종래 이런 종류의 장치와 비교하면 기판에 대해서 보다 균일하게 처리를 행할 수 있다.In addition, the present invention is a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate held in an inclined position to perform a predetermined treatment, wherein the processing liquid is supplied to an end portion of the upper side in the inclined direction of the substrate, thereby processing the processing liquid on the substrate surface. The first processing liquid supplying means for flowing down in the inclined direction, and at the lower side of the first processing liquid supplying means, a second processing liquid supplying means for spraying the processing liquid onto the substrate is provided. This allows the treatment liquid to flow out of the substrate quickly while acting on the entire substrate, and effectively suppresses the deterioration (decrease in activity) of the treatment liquid in the lower side in the inclined direction of the substrate. The lower surface of the substrate can be treated more uniformly.

이 장치에 있어서, 제1 처리액 공급수단으로서 기판의 경사방향과 직교하고,또 기판 표면과 평행하게 연장되는 슬릿 모양의 액 공급구를 가진 슬릿노즐을 설치하며, 또한 제2 처리액 공급수단으로서, 기판에 대향하는 다수의 액 공급구를 가진 샤워노즐을 설치하도록 하면, 기판의 경사방향에서 상위측의 단부로부터 균일하게 처리액을 흘려 내릴수 있고, 또한 처리액의 분사시에 기판의 넓은 범위에 걸쳐 적절히 처리액을 분사하는 것이 가능하게 된다.In this apparatus, as the first processing liquid supplying means, a slit nozzle having a slit liquid supply port perpendicular to the inclination direction of the substrate and extending in parallel with the substrate surface is provided, and is also provided as the second processing liquid supplying means. By installing a shower nozzle having a plurality of liquid supply ports facing the substrate, the processing liquid can be evenly flowed from the upper end in the inclined direction of the substrate, and the processing liquid can be supplied to a wide range of the substrate when the processing liquid is sprayed. It becomes possible to spray a process liquid suitably over.

또한, 제1 처리액 공급수단에 의한 처리액의 공급방향을 기판의 경사방향으로 가변하는 제1 가변수단을 설치하도록 하면, 제1 처리액 공급수단으로부터 기판의 특정 부분에 활성도가 높은 처리액이 계속해서 공급되는 것에 기인하는 처리 불균일의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.Further, when the first variable means for varying the supply direction of the processing liquid by the first processing liquid supplying means in the inclined direction of the substrate is provided, the processing liquid having high activity from the first processing liquid supplying means to a specific portion of the substrate is provided. It is possible to effectively suppress the occurrence of processing nonuniformity due to subsequent supply.

또한, 상기 제2 처리액 공급수단에 의한 처리액의 공급방향을 가변하는 제2 가변수단을 설치하도록 하면, 합리적인 구성으로 기판의 보다 넓은 범위에 걸쳐 처리액을 분사할 수 있다.Further, when the second variable means for varying the supply direction of the treatment liquid by the second treatment liquid supply means is provided, the treatment liquid can be sprayed over a wider range of the substrate with a reasonable configuration.

또, 상기 기판 처리장치는, 기판에 대해서 에칭액 또는 네가레지스트용 현상액을 공급하도록 구성한 에칭장치 또는 네가레지스트 현상장치로서 적용하면 양호한 처리를 실현할 수 있어, 특히 유용하다.Moreover, the said substrate processing apparatus can implement | achieve a favorable process, when it is applied as an etching apparatus or negative resist developing apparatus comprised so that an etching solution or a negative resist developing solution may be supplied with respect to a board | substrate, and it is especially useful.

Claims (13)

기판의 표면으로 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리장치에 있어서,In the substrate processing apparatus which supplies a process liquid to the surface of a board | substrate, and performs a predetermined process, 수평면에 대해서 소정의 각도를 이루는 경사자세로 기판을 유지하는 자세 유지수단과,Posture holding means for holding the substrate in an inclined posture at an angle with respect to the horizontal plane; 상기 경사자세로 유지된 기판에 대해서 처리액을 공급하는 처리액 공급수단Processing liquid supply means for supplying the processing liquid to the substrate held in the inclined position 을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 자세 유지수단에 의한 기판의 경사각도가 5°∼ 20°의 범위내에 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a tilt angle of the substrate by the posture holding means is set within a range of 5 ° to 20 °. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 처리액 공급수단은, 기판으로의 수선방향 혹은 수선방향보다도 기판의 경사방향에서 하위측으로 향해 처리액을 공급하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The processing liquid supplying means is configured to supply the processing liquid toward the lower side in the inclined direction of the substrate than in the repair direction or the repair direction to the substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 처리액의 공급방향을 기판의 경사방향으로 가변하는 가변수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a varying means for varying the supply direction of the processing liquid in the inclined direction of the substrate. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 가변수단은, 기판의 경사방향과 직교하여 기판과 평행하게 연장되는 축 주위로 처리액 공급수단을 요동시키는 것으로서, 기판으로의 수선을 경계로 기판의 경사방향에서 상위측으로 0°∼ 10°, 하위측으로 0°∼ 30°의 범위내에서 상기 처리액 공급수단을 요동시키도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The variable means oscillates the processing liquid supplying means around an axis extending in parallel with the substrate orthogonal to the inclined direction of the substrate, and is 0 to 10 degrees upward from the inclined direction of the substrate at the boundary of the waterline to the substrate. A substrate processing apparatus characterized in that it is configured to swing the processing liquid supplying means within a range of 0 ° to 30 ° toward the lower side. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 가변수단은, 기판의 경사방향과 직교하여 기판과 평행하게 연장되는 축 주위로 처리액 공급수단을 요동시키는 것으로서, 기판으로의 수선을 경계로 기판의 경사방향에서 상위측으로 전체 요동각도의 20∼30%의 범위내에서 상기 처리액 공급수단을 요동시키도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The variable means oscillates the processing liquid supplying means around an axis extending in parallel with the substrate orthogonal to the inclined direction of the substrate, and is 20 to 20 degrees of the entire swing angle from the inclined direction of the substrate to the upper side at the boundary of the waterline to the substrate. And the processing liquid supplying means is oscillated within a range of 30%. 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 자세 유지수단은, 기판의 경사방향과 직교하고, 또 기판과 평행한 방향으로 기판을 반송하는 반송장치로 이루어지는 것이고,The posture holding means is composed of a conveying apparatus that conveys the substrate in a direction perpendicular to the inclination direction of the substrate and parallel to the substrate, 처리액 공급수단은, 상기 반송장치에 의한 기판의 반송중에 기판으로 처리액을 공급하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The processing liquid supplying means is configured to supply the processing liquid to the substrate during the transfer of the substrate by the transfer apparatus. 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 처리액의 공급중에 처리액 공급수단과 기판과를 기판의 경사방향과 직교하고, 또 기판과 평행한 방향으로 상대적으로 왕복 이동시키는 이동수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a moving means for reciprocating the processing liquid supplying means and the substrate with the substrate in a direction perpendicular to the inclination direction of the substrate and parallel to the substrate during the supply of the processing liquid. 수평면에 대해서 소정의 각도를 이루는 경사자세로 유지된 기판에 대해서 처리액을 공급하여 소정의 처리를 행하는 기판 처리장치에 있어서,In the substrate processing apparatus which supplies a process liquid to a board | substrate hold | maintained in the inclined posture which makes a predetermined angle with respect to a horizontal plane, and performs predetermined process, 기판의 경사방향에서 상위측의 단부로 처리액을 공급하여 상기 기판 표면상에서 처리액을 상기 경사방향으로 흘려 내리는 제1 처리액 공급수단을 구비함과 동시에, 상기 제1 처리액 공급수단보다도 기판의 경사방향에서 하위측에 배치되어 기판에 처리액을 분사하는 제2 처리액 공급수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a first processing liquid supplying means for supplying the processing liquid from the inclined direction of the substrate to an upper end portion and flowing the processing liquid on the surface of the substrate in the inclined direction. And a second processing liquid supplying means arranged on the lower side in the inclined direction to spray the processing liquid onto the substrate. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제1 처리액 공급수단으로서, 기판의 경사방향과 직교하고, 또 기판 표면과 평행하게 연장되는 슬릿 모양의 액 공급구를 가진 슬릿노즐을 구비하고,As the first processing liquid supply means, there is provided a slit nozzle having a slit-shaped liquid supply port orthogonal to the inclination direction of the substrate and extending in parallel with the surface of the substrate, 한편, 상기 제2 처리액 공급수단으로서, 기판에 대향하는 다수의 액 공급구를 가진 샤워노즐을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.On the other hand, the second processing liquid supply means, the substrate processing apparatus characterized by comprising a shower nozzle having a plurality of liquid supply ports facing the substrate. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,The method according to claim 9 or 10, 상기 제1 처리액 공급수단에 의한 처리액의 공급방향을 기판의 경사방향으로 가변하는 제1 가변수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And first variable means for varying a supply direction of the processing liquid by the first processing liquid supplying means in an inclined direction of the substrate. 제 9 항 내지 제 11 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 9 to 11, 상기 제2 처리액 공급수단에 의한 처리액의 공급방향을 가변하는 제2 가변수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And second variable means for varying a supply direction of the process liquid by said second process liquid supply means. 제 1 항 내지 제 12 항중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 12, 상기 각 처리액 공급수단은, 기판에 대해서 에칭액 또는 네가레지스트용 현상액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Each said processing liquid supply means supplies an etching liquid or a developing solution for negative resists with respect to a board | substrate.
KR1019980032726A 1997-08-28 1998-08-12 Substrate Processing Equipment and Processing Method KR100343044B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP97-232434 1997-08-28
JP23243597A JP3535707B2 (en) 1997-08-28 1997-08-28 Substrate processing equipment
JP97-232435 1997-08-28
JP23243497A JP3535706B2 (en) 1997-08-28 1997-08-28 Substrate processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990023551A true KR19990023551A (en) 1999-03-25
KR100343044B1 KR100343044B1 (en) 2002-10-25

Family

ID=26530461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980032726A KR100343044B1 (en) 1997-08-28 1998-08-12 Substrate Processing Equipment and Processing Method

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100343044B1 (en)
TW (1) TW396367B (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100857635B1 (en) * 2005-12-28 2008-09-08 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 Substrate processing apparatus
KR101033122B1 (en) * 2004-06-29 2011-05-11 엘지디스플레이 주식회사 substrate cleaning apparatus for liquid crystal display device
KR101055247B1 (en) * 2003-07-18 2011-08-08 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and processing method
KR20190041053A (en) * 2017-10-11 2019-04-22 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for wet etchng

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100978852B1 (en) * 2008-06-12 2010-08-31 세메스 주식회사 Method and apparatus for transferring substrates, and equipment for processing substrate having the apparatus
KR101084918B1 (en) * 2008-11-10 2011-11-17 삼성전기주식회사 Eathing apparatus comprising a double-tilted conveyor
CN102373473A (en) * 2010-08-06 2012-03-14 东友Fine-Chem股份有限公司 A kind of etching compoistion and method of use that is used for domatic type etching device
CN104282598A (en) * 2014-09-23 2015-01-14 安徽省大富光电科技有限公司 Etching, developing, cleaning and film removing equipment, spraying processing equipment and method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04103780A (en) * 1990-08-21 1992-04-06 Nec Corp Etching device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101055247B1 (en) * 2003-07-18 2011-08-08 시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and processing method
KR101033122B1 (en) * 2004-06-29 2011-05-11 엘지디스플레이 주식회사 substrate cleaning apparatus for liquid crystal display device
KR100857635B1 (en) * 2005-12-28 2008-09-08 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 Substrate processing apparatus
KR20190041053A (en) * 2017-10-11 2019-04-22 삼성디스플레이 주식회사 Apparatus for wet etchng
KR20220119331A (en) * 2017-10-11 2022-08-29 삼성디스플레이 주식회사 Wet etchng method

Also Published As

Publication number Publication date
KR100343044B1 (en) 2002-10-25
TW396367B (en) 2000-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3597639B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN100390931C (en) Substrate processing device and method, and pattern forming method
CN100483618C (en) Base plate processing device
KR100343044B1 (en) Substrate Processing Equipment and Processing Method
KR20130085764A (en) Surface treating system for a substrate having a compact structure and surface treating method for the substrate
KR101218449B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101204725B1 (en) Apparatus for treating substrates
JP3535707B2 (en) Substrate processing equipment
KR101065982B1 (en) Nozzle and substrate processing apparatus
JP3535706B2 (en) Substrate processing equipment
CN1810389B (en) Device and method processing substrate
KR20080096452A (en) Apparatus for treating substrates
CN101419405B (en) Slit coater with medicine treating device
JP4328342B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JPH09213668A (en) Substrate processing device
WO2012105382A1 (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JPH11145109A (en) Substrate processing device
JP5202400B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3489992B2 (en) Substrate processing equipment
KR100853148B1 (en) Cleaning apparatus for large-area substrate and method thereof
KR100687505B1 (en) Preliminary dispensing apparatus of slit coater
JP2003151947A (en) Apparatus and method of treating surface
JP3978065B2 (en) Substrate processing apparatus and processing method
JP2003305414A (en) Apparatus and method for treating substrate
JP2003303807A (en) Apparatus and method for treatment of substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140603

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150518

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160517

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee