JP3915548B2 - イオンビーム照射装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、イオンビームを偏向電磁石内を通して輸送して基板に照射して、当該基板にイオン注入等の処理を施すイオンビーム照射装置に関し、より具体的には、イオンビームの空間電荷による発散を抑えてイオンビームの輸送効率を向上させる手段の改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
この種のイオンビーム照射装置の従来例を図4に示す。このイオンビーム照射装置は、図示しないイオン源から引き出され、かつ必要に応じて質量分離、加速または減速等の行われたイオンビーム4を、偏向電磁石30内を通して輸送して基板(例えば半導体ウェーハ)20に照射して、当該基板20にイオン注入等の処理を施すよう構成されている。
【0003】
偏向電磁石30は、磁界Bによってイオンビーム4を偏向させることによって、イオンビーム4から特定のエネルギーのイオンを選別して導出するエネルギー分離や、イオンビーム4の走査等を行うものである。この偏向電磁石30は、イオンビーム4を通す真空容器32と、その中に、イオンビーム4の進行方向に直交する方向の磁界B(この例では紙面表方向に向く磁界B)を発生させるコイル34と、鉄心(図示省略)とを有している。真空容器32は、この例では、偏向電磁石30の上流側および下流側の真空容器と一体で図示しているが、それらと別体の真空容器でも良い。
【0004】
イオンビーム4を輸送する場合、一般的に、当該イオンビーム4の空間電荷によって、イオンビーム4は発散し、その輸送効率が低下する。特に、低エネルギーおよび大電流のイオンビーム4を輸送する場合は、この発散および輸送効率低下は大きくなる。これは、イオンビームが大電流の場合はその空間電荷が大きく、かつイオンビームが低エネルギーの場合は空間電荷による発散の影響を受けやすいからである。
【0005】
例えば、基板20の表面にイオン注入を行って、電界効果トランジスタ(例えばMOS−FET)を形成するような場合、100eV〜5keVという低エネルギー、かつ、50μA〜3mAという大電流のイオンビーム4を輸送して基板20に照射する場合があり、このような場合はイオンビーム4の発散および輸送効率低下は特に大きくなる。
【0006】
このような課題を解決するために、例えば図4に示す例のように、プラズマ28を発生させてそれをイオンビーム4の経路に供給するプラズマ源24を設ける場合がある。このようにすると、プラズマ28中には低エネルギー(例えば20〜30eV以下)の電子が含まれており、この電子が、イオンビーム4が有するビームポテンシャルによってイオンビーム4中に取り込まれて、イオンビーム4の空間電荷を中和する。これによって、イオンビーム4の発散を抑制することができる。これは、プラズマブリッジと呼ばれる技術である。
【0007】
プラズマ源24は、この例では、プラズマ生成容器25内にフィラメント26を有していて、両者間のアーク放電によって、ガスを電離させてプラズマ28を生成するものであるが、このような構成に限られるものではない。例えば、特開平10−64477号公報にも、プラズマブリッジ用のプラズマ源が記載されており、そのようなものでも良い。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなプラズマ28中の電子供給によるイオンビーム4の中和の場合、電界や磁界のないドリフト空間では、電子が自由に動けるので、中和作用をうまく奏することができる。
【0009】
しかし、イオン注入装置等のイオンビーム照射装置においては、イオンビーム4の輸送経路に、様々な偏向電磁石が存在する(これについては図3を参照して後で更に説明する)。上記偏向電磁石30はその一例である。
【0010】
プラズマ源24の下流側に偏向電磁石30が存在する場合、換言すれば偏向電磁石30の上流側にプラズマ源24が存在する場合、上記プラズマ28中の電子は、偏向電磁石30が作る磁界Bにトラップ(捕捉)されるので、偏向電磁石30の入口までしか到達することができず、それより先へは、即ち偏向電磁石30内およびその下流側へは、イオンビーム4の経路に沿って移動することはできない。従って、そこではイオンビーム4の空間電荷を中和することができない。つまり、プラズマ源24を設けても、その下流側に偏向電磁石30があると、当該偏向電磁石30内やその下流側においては、イオンビーム4の空間電荷をプラズマ28中の電子によって中和することができない、という課題がある。
【0011】
そこでこの発明は、プラズマ源の下流側に偏向電磁石が存在していても、プラズマ源から放出されたプラズマ中の電子が偏向電磁石内をイオンビームの経路に沿って移動することができるようにして、当該電子によってイオンビームの空間電荷を広い領域に亘って中和することができるようにすることを主たる目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
この発明のイオンビーム照射装置は、前記偏向電磁石内にイオンビームの経路を挟んで設けられていて、当該偏向電磁石が作る磁界およびイオンビームの進行方向の両者に実質的に直交する方向の電界を発生させる一組の電極と、この電極に前記電界を発生させる電圧を印加する電源とを備えており、かつ前記電界の強さは10V/cm〜100V/cmの範囲内であることを特徴としている。
【0013】
上記構成によれば、偏向電磁石内において、互いに実質的に直交(直交を含む)する電界Eおよび磁界Bを発生させることができるので、プラズマ源から供給されたプラズマ中の電子は、この電界Eおよび磁界Bと実質的に直交する方向(E×B方向)に、即ちイオンビームの経路に沿う方向に押し流されるようなドリフト運動をする。これはE×Bドリフトと呼ばれる。
【0014】
このE×Bドリフトによって、上記プラズマ中の電子は、偏向電磁石内をイオンビームの経路に沿って移動することができる。この電子によって、イオンビームの空間電荷を、偏向電磁石内を含む広い領域に亘って中和することができる。その結果、イオンビームの空間電荷による発散を広い領域に亘って抑えることができるので、イオンビームの輸送効率を向上させることができる。このような作用効果は、イオンビームが例えば前述したような低エネルギーかつ大電流の場合に特に顕著になる。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明に係るイオンビーム照射装置の一例を部分的に示す断面図である。図2は、図1中の偏向電磁石周りの概略斜視図である。図4に示した従来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【0016】
このイオンビーム照射装置においては、前記偏向電磁石30内であって真空容器32の側壁の近傍に、当該側壁に沿わせて、かつ当該側壁から電気的に絶縁して、イオンビーム4の経路を挟むように一組の(2枚の)電極36を設けている。この一組の電極36は、それに接続された電源38から電圧が印加されて、偏向電磁石30が作る磁界Bおよびイオンビーム4の進行方向の両者に直交する方向の電界Eを発生させる。
【0017】
電源38から上記一組の電極36に印加する電圧は、直流でも良いけれども、交流の方が好ましい。即ち、上記電源38は、直流電源でも良いけれども、交流電源の方が好ましい。その理由は後述する。
【0018】
このイオンビーム照射装置によれば、偏向電磁石30内において、互いに直交する電界Eおよび磁界Bを発生させることができるので、プラズマ源24から供給されたプラズマ28中の低エネルギーの電子は、この電界Eおよび磁界Bと直交する方向(E×B方向)に、即ちイオンビーム4の経路に沿う方向に押し流されるようなドリフト運動(E×Bドリフト)をする。
【0019】
このE×Bドリフトによって、上記プラズマ28中の電子は、偏向電磁石30内をイオンビーム4の経路に沿って移動することができる。この電子によって、イオンビーム4の空間電荷を、偏向電磁石30内を含む広い領域に亘って中和することができる。その結果、イオンビーム4の空間電荷による発散を広い領域に亘って抑えることができるので、イオンビーム4の輸送効率を向上させることができる。このような作用効果は、イオンビーム4が例えば前述したような低エネルギーかつ大電流の場合に特に顕著になる。
【0020】
上記電界Eは、直流電界であれ交流電界であれ、強過ぎるとそれによってイオンビーム4の軌道に影響を及ぼし、弱過ぎると電子の上記E×Bドリフトが弱くなるので、当該電界E(交流電界の場合はその最大値)は、例えば、10V/cm〜100V/cm程度の範囲内にするのが好ましい。電子はイオンに比べて遙かに軽いので、このような小さな電界Eでも、イオンビーム4に影響を与えずに電子を上記のようにドリフトによって移動させることができる。
【0021】
電源38から電極36に印加する電圧が直流の場合は、直流の電界Eが発生し、プラズマ28中の電子の内で、主として特定のエネルギーを有する電子がE×Bドリフトによってイオンビーム4の経路に沿って移動する。その移動方向は、図2に示す電界Eと磁界Bとの関係では、イオンビーム4の進行方向となる。電界Eおよび磁界Bの強さを、プラズマ源24から発生させたプラズマ28中の電子の内で多量に存在する電子が有するエネルギーに対応したものに選定すれば、当該電子をイオンビーム4の経路に沿ってより効果的にドリフト(移動)させることができるので、当該電子をイオンビーム4の空間電荷の中和により効果的に利用することができる。
【0022】
これに対して、電源38から電極36に印加する電圧が交流の場合は、交流の電界Eが発生する。従って、E×Bドリフトによる電子の移動方向は、イオンビーム4の経路に沿う方向において反転する。即ち、下流側に向かう場合と上流側に向かう場合とが交互に起こる。電子は軽いので容易に反転する。それでも、当該電子が偏向電磁石30内をイオンビーム4の経路に沿って移動することに変わりはないので、当該電子によるイオンビーム4の空間電荷中和に支障はない。
【0023】
むしろ、交流の電界Eを発生させると、当該電界Eの大きさが時間的に変化するので、直流の場合に比べて、広いエネルギー範囲の電子をE×Bドリフトによってイオンビーム4の経路に沿って移動させることができる。プラズマ源24から発生させたプラズマ28中の電子のエネルギーは、通常は、特定のエネルギーに集中しているというよりもむしろ、比較的広いエネルギー範囲に分布しているので、大きさの変わる交流の電界Eの方が、プラズマ28中の電子をより多くイオンビーム4の空間電荷の中和に利用することができる。従ってこの観点からは、上記一組の電極36によって発生させる電界Eは、即ち電源38から電極36に印加する電圧は、交流の方が好ましい。
【0024】
電源38から電極36に交流の電圧を印加する場合の周波数は、あまり高くしても意味はなく、むしろ電源38の製作やそれからの交流電圧の伝送が難しくなるので、1MHz程度を上限とするのが現実的である。周波数の下限は特にないが、この種のイオンビーム照射装置においては偏向電磁石30の下流においてイオンビーム4を100Hz〜数百Hzで走査する場合があり、その走査周波数と無用な干渉を避ける等のためには、当該100Hz〜数百Hzよりも高くするのが好ましい。
【0025】
図3は、イオンビーム照射装置の一種であるイオン注入装置の一例を示す平面図である。この種のイオン注入装置は、例えば特開2001−143651号公報に記載されている。図1および図2に示した構成は、例えば、このようなイオン注入装置に適用することができる。
【0026】
この図3に示すイオン注入装置は、イオン源2から引き出したイオンビーム4から特定の質量数および価数のイオンを選別して導出する質量分離マグネット6と、それから導出されたイオンビーム4を加速(加速モードの場合)または減速(減速モードの場合)する加速管8と、それから導出されたイオンビーム4から特定のエネルギーのイオンを選別して導出するエネルギー分離マグネット10と、それから導出されたイオンビーム4を磁界によってX方向(例えば水平方向)を含む平面内で往復走査する走査マグネット12と、それから導出されたイオンビーム4を基準軸15に対して平行になるように曲げ戻して走査マグネット12と協働してイオンビーム4の平行走査を行うビーム平行化マグネット14と、それから導出されたイオンビーム4を基板20に照射して当該基板20にイオン注入を行う注入室16とを備えている。
【0027】
更に、注入室16内において、イオンビーム4の照射領域内で基板20を前記X方向と実質的に直交するY方向(例えば垂直方向)に機械的に往復走査する走査機構22を備えている。基板20は、この走査機構22のホルダ23に保持される。
【0028】
上記質量分離マグネット6、エネルギー分離マグネット10、走査マグネット12およびビーム平行化マグネット14は、いずれも、イオンビーム4を磁界によって偏向させる偏向電磁石に属するものであり、上記図1および図2に示した偏向電磁石30であると考えることができる。特に、加速管8を減速モードで使用すると、それより下流側ではイオンビーム4は、例えば前述したような低エネルギーになるので、エネルギー分離マグネット10、走査マグネット12およびビーム平行化マグネット14の一つ以上を(一つでも二つでも全部でも良い)、上記偏向電磁石30と考えることができる。そして、その偏向電磁石30に上記のような電極36および電源38を設けると共に、その上流側に上記プラズマ源24を設けるのである。
【0029】
例えば、エネルギー分離マグネット10を上記偏向電磁石30と考え、当該エネルギー分離マグネット10の上流側であって加速管8よりも下流側に、上記プラズマ源24を設けても良い。そこにプラズマ源24を設けて、イオンビーム4として1keVのエネルギーを有するB+ のイオンビーム4をエネルギー分離マグネット10に導入して、エネルギー分離マグネット10の出口に到達するイオンビーム4のビーム電流を、図示しないファラデーカップによって計測した結果を表1に示す。
【0030】
【表1】
【0031】
上記比較例1は、プラズマ源24を使用しない場合であり、比較例2は、プラズマ源24を使用してプラズマ28(図1参照)を供給した場合である。但しいずれも、エネルギー分離マグネット10内に上記のような電極36は設けていない。上記実施例は、この発明に係るものであり、プラズマ源24を使用してプラズマ28を供給すると共に、エネルギー分離マグネット10内に上記のような一組の電極36を設けておいてそれに電源38から交流電圧を印加した場合である。このとき、交流電圧の周波数は1kHzとし、電界Eの最大値は30V/cmとした。
【0032】
比較例1および比較例2に比べて、実施例の方が、エネルギー分離マグネット10の出口に到達するイオンビーム4のビーム電流が2倍以上に増加することが分かる。これは、前述したような作用によって、イオンビーム4の空間電荷が中和されて発散が抑制され、その輸送効率が向上したからである。
【0033】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、偏向電磁石内において、互いに実質的に直交する電界および磁界を発生させることができるので、プラズマ源から供給されたプラズマ中の電子は、この電界および磁界と実質的に直交する方向に、即ちイオンビームの経路に沿う方向に押し流されるようなドリフト運動をする。このドリフト運動によって、上記プラズマ中の電子は、偏向電磁石内をイオンビームの経路に沿って移動することができ、この電子によって、イオンビームの空間電荷を、偏向電磁石内を含む広い領域に亘って中和することができる。その結果、イオンビームの空間電荷による発散を広い領域に亘って抑えることができるので、イオンビームの輸送効率を向上させることができる。
しかも上記電界の強さは10V/cm〜100V/cmの範囲内であり、電子はイオンに比べて遙かに軽いので、このような小さな電界によって、イオンビームの軌道に殆ど影響を与えずに電子を上記のようにドリフトによって移動させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係るイオンビーム照射装置の一例を部分的に示す断面図である。
【図2】図1中の偏向電磁石周りの概略斜視図である。
【図3】イオンビーム照射装置の一種であるイオン注入装置の一例を示す平面図である。
【図4】従来のイオンビーム照射装置の一例を部分的に示す断面図である。
【符号の説明】
4 イオンビーム
20 基板
24 プラズマ源
28 プラズマ
30 偏向電磁石
36 電極
38 電源
E 電界
B 磁界
Claims (1)
- イオンビームを偏向電磁石内を通して輸送して基板に照射する装置であって、当該偏向電磁石の上流側に、プラズマを発生させてそれをイオンビームの経路に供給するプラズマ源を有するイオンビーム照射装置において、前記偏向電磁石内にイオンビームの経路を挟んで設けられていて、当該偏向電磁石が作る磁界およびイオンビームの進行方向の両者に実質的に直交する方向の電界を発生させる一組の電極と、この電極に前記電界を発生させる電圧を印加する電源とを備えており、かつ前記電界の強さは10V/cm〜100V/cmの範囲内であることを特徴とするイオンビーム照射装置。
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