JP3906489B2 - 固体撮像装置の駆動回路 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換部と走査部とを備えた固体撮像装置の走査部をなす電荷結合素子(Charge Coupled Device ,以下「CCD」という。)を駆動するための駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、CCDを用いて電荷を転送する固体撮像装置においては、垂直方向のCCDを駆動する垂直駆動パルスとして、負のパルスが用いられる。
【0003】
しかしながら、垂直駆動パルス等の各種タイミングパルスを発生するタイミングジェネレータにおいては、通常、これらのパルスは、正のパルスとして出力される。したがって、垂直駆動パルスによって、垂直方向のCCDを駆動するには、正の垂直駆動パルスを負の垂直駆動パルスに変換する必要がある。
【0004】
そこで、従来より、タイミングジェネレータと固体撮像装置との間に、垂直駆動回路を設け、タイミングジェネレータから出力される正の垂直駆動パルスをこの垂直駆動回路により負の垂直駆動パルスに変換するようになっている。この場合、従来は、0Vの外部電源と負の外部電源とを用いた電圧変換処理により、正の垂直駆動パルスを負の垂直駆動パルスに変換するようになっていた。
【0005】
また、上述した固体撮像装置においては、一般に、人体等から発生した静電気等により、内部素子が破壊されるのを防止するために、保護トランジスタが内蔵されている。
【0006】
この場合、垂直方向の素子(垂直方向のCCD等)を保護する保護トランジスタにおいては、ベースバイアス電圧として、負の電圧が用いられる。これは、垂直駆動パルスとして、負のパルスが用いられるからである。このため、従来は、負の外部電源を用意し、この外部電源を固体撮像装置に設けられた保護トランジスタのベース端子に接続することにより、負のベースバイアス電圧を得るようになっていた。
【0007】
以上の構成を図15に示す。図において、タイミングジェネレータ10からは、図16(a)に示すように、ハイレベル側の電圧が5Vで、ロウレベル側の電圧が0Vの正の垂直駆動パルスVPpが出力される。
【0008】
また、このタイミングジェネレータ10からは、図16(b)に示すように、ハイレベル側の電圧が5Vで、ロウレベル側の電圧が0Vの正のセンサ読出しパルスSGが出力される。ここで、センサ読出しパルスSGとは、センサ(光電変換部)から蓄積電荷を読み出し、垂直方向のCCDに供給するためのパルスである。
【0009】
正の垂直駆動パルスVPpは、垂直駆動回路30により、0Vの外部電源電圧VMと負の外部電源電圧VLを用いた電圧変換処理により、負の垂直駆動パルスに変換される。この場合、ハイレベルの電圧は、5Vから0Vに変換され、ロウレベルの電圧は、0Vから負の外部電源電圧VLに変換される。
【0010】
正のセンサ読出しパルスSGは、垂直駆動回路30により、0Vの外部電源電圧VMと正の外部電源電圧VHを用いた電圧変換処理により、ハイレベル側の電圧を5VからVHに変換される。
【0011】
このあと、電圧変換処理を受けた2つのパルスは合成される。これは、固体撮像装置20が垂直駆動端子として、1つの端子しか有しないからである。この合成処理により、図16(c)に示すような3値VH,0,VLを持つ合成パルスVSが得られる。この合成パルスVSは、固体撮像装置20に供給される。
【0012】
上記負の外部電源電圧VLは、さらに、固体撮像装置20に供給され、保護トランジスタ21のベースバイアス電圧として用いられる。なお、図15においては、VSBは、外部電源から供給される基板電圧を示す。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたように従来は、正の垂直駆動パルスを負の垂直駆動パルスに変換する場合、電圧変換処理により変換するようになっていた。また、従来は、垂直方向のCCD等を保護する保護トランジスタ21に負のベースバイアス電圧を供給する場合、外部電源から供給するようになっていた。
【0014】
しかしながら、このような構成では、負の外部電源が必要になるため、電源回路の構成が複雑になるという問題があった。
【0015】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その課題は、正の駆動パルス(例えば、正の垂直駆動パルス)を負の駆動パルス(例えば、負の垂直駆動パルス)に変換する場合であっても、負の外部電源を用いることなく、この変換を行うことができるとともに、保護トランジスタに負のベースバイアス電圧を供給することができる固体撮像装置の駆動回路を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る固体撮像装置の駆動回路は、固体撮像装置の走査部をなすCCDを駆動するための回路において、CCDを駆動するために必要な電圧とは異なる電圧を有する2値の駆動パルスの一方の電位を所定の電位にクランプすることにより、CCDを駆動するために必要な電圧を有する駆動パルスを生成するようにしたものである。
【0017】
この固体撮像装置の駆動回路では、CCDを駆動するために必要な電圧を有する駆動パルスは、クランプ処理により得られる。これにより、例えば、正の駆動パルスを負の駆動パルスに変換する場合であっても、負の外部電源を用いることなく、この変換を行うことができる。
【0018】
また、クランプ処理は、クランプ用のコンデンサの充放電によって行われる。このような構成では、この充放電処理とクランプ点の電位の変化とにより、保護トランジスタをオン、オフ駆動することができる。これにより、例えば、保護トランジスタのベースにコンデンサを接続しておくことにより、このトランジスタのオン時は、このコンデンサを充電することができ、オフ時は、充電電荷を保持することができる。その結果、駆動パルスとして、負のパルスを用いる場合であっても、負の外部電源を用いることなく、負のベースバイアス電圧を得ることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0020】
[第1の実施の形態]
まず、本発明の第1の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、本発明を垂直駆動回路に適用した場合を代表として説明する。
【0021】
[第1の実施の形態の構成]
図1は、本発明の第1の実施の形態の構成を示す回路図である。なお、図1において、先の図15とほぼ同一機能を果たす部分には、同一符号を付す。
【0022】
まず、本発明の特徴とする垂直駆動回路40の構成を説明する。この垂直駆動回路40は、クランプ部41と、スイッチ42,43と、インバータ44とを有し、クランプ処理により、正の垂直駆動パルスVPpを負の垂直駆動パルスVPnに変換するとともに、負の垂直駆動パルスVPnとセンサ読出しパルスSGとを合成するようになっている。
【0023】
すなわち、クランプ部41は、タイミングジェネレータ10の垂直駆動パルス発生部11から出力される正の垂直駆動パルスVPpをクランプ処理により負の垂直駆動パルスVPnに変換する機能を有する。このクランプ部41は、コンデンサ411と、ダイオード412と、抵抗413とを含むものである。
【0024】
コンデンサ411の一端は、垂直駆動パルス発生部11の出力端子に接続され、他端は、ダイオード412のアノードと抵抗413の一端とに接続されている。ダイオード412のカソードと抵抗413の他端は接地されている。なお、コンデンサ411の容量値は、固体撮像装置20の特性に応じて、例えば、数百pF〜数μFの範囲で決定される。また、抵抗413の抵抗値は、固体撮像装置20の特性に応じて、例えば、数百Ω〜数kΩの範囲で決定される。
【0025】
スイッチ42,43とインバータ44は、負の垂直駆動パルスVPnとセンサ読出しパルスSGとを合成し、合成パルスVSを生成する機能を有する。この生成は、センサ読出しパルスSGがハイレベル(アクティブレベル)の期間は、電源端子60に印加される5Vの電圧を選択し、ロウレベル(インアクティブレベル)の期間は、クランプ部41のクランプ出力を選択することにより行われる。
【0026】
この場合、スイッチ42の一端は、クランプ部41の出力端子に接続され、他端は、固体撮像装置20の垂直駆動端子22に接続されている。スイッチ43の一端は、5Vの電源電圧が印加される電源端子60に接続され、他端はスイッチ43の他端と共に垂直駆動端子22に接続されている。
【0027】
スイッチ42のオン,オフは、パルスXSGにより制御される。このパルスXSGは、センサ読出しパルス発生部12から出力されるセンサ読出しパルスSGをインバータ44で反転することにより得られる。スイッチ43のオン,オフは、センサ読出しパルスSGにより制御される。
【0028】
以上が、垂直駆動回路40の構成である。次に、前述の固体撮像装置20に設けられる保護トランジスタ21について具体的に説明する。
【0029】
図示の例では、この保護トランジスタ21は、NPNトランジスタで構成されている。このトランジスタ21のエミッタは、垂直駆動端子22に接続され、ベースは、ベース端子23に接続され、コレクタは基板電圧VSUBの入力端子24に接続されている。
【0030】
この保護トランジスタ21のベースバイアス電圧VBは、垂直方向のCCDが負の垂直駆動パルスVPnで駆動されるため、負に設定する必要がある。この負のベースバイアス電圧VBを得るために、従来は、上記のごとく、負の外部電源を用いるようになっていた。これに対し、本実施の形態では、ベース端子23に接続された外付けのコンデンサ50の充電により得るようになっている。このコンデンサ50の容量値は、固体撮像装置20の特性に応じて、例えば、数百pF〜数μFの範囲で決定される。
【0031】
[第1の実施の形態の動作]
上記構成において、動作を説明する。まず、垂直駆動回路40の全体的な動作を説明する。
【0032】
垂直駆動パルス発生部11からは、図2(a)に示すような正の垂直駆動パルスVPpが出力される。この垂直駆動パルスVPpは、クランプ部41によりクランプされる。これにより負の垂直駆動パルスVPnが得られる。この垂直駆動パルスVPnはスイッチ42に供給される。なお、クランプ部41のクランプ処理については、あとで詳細に説明する。
【0033】
センサ読出しパルス発生部12からは、図2(b)に示すような正のセンサ読出しパルスSGが出力される。このセンサ読出しパルスSGは、スイッチ43に対してオンオフ制御パルスとして供給される。スイッチ43は、センサ読出しパルスSGがハイレベルの期間はオン状態に設定され、ロウレベルの期間はオフ状態に設定される。
【0034】
センサ読出しパルスSGは、さらに、インバータ44により反転される。これにより、図2(c)に示すように、センサ読出しパルスSGとは逆極性のパルスXSGが得られる。このパルスXSGは、スイッチ42にオンオフ制御パルスとして供給される。スイッチ42は、パルスXSGがハイレベルの期間はオン状態に設定され、ロウレベルの期間はオフ状態に設定される。
【0035】
これにより、センサ読出しパルスSGがロウレベルの期間(パルスXSGがハイレベルの期間)は、図3に示すように、スイッチ42がオン状態となり、スイッチ43がオフ状態になる。その結果、スイッチ42,43の出力端子の共通接続点aには、クランプ部41のクランプ出力(負の垂直駆動パルスVPn)が現れる。
【0036】
これに対し、センサ読出しパルスSGがハイレベルの期間(パルスXSGがロウレベルの期間)は、図4に示すように、スイッチ43がオン状態となり、スイッチ42がオフ状態になる。これにより、共通接続点aには、5Vの電圧が現れる。
【0037】
以上から、共通接続点aには、図2(d)に示すように、負の垂直駆動パルスVPnとセンサ読出しパルスSGとを合成したようなパルスVSが得られる。この合成パルスVSは、固体撮像装置の20の垂直駆動端子22に供給される。
【0038】
以上が垂直駆動回路40の全体的な動作である。次に、クランプ部41のクランプ動作を説明する。
【0039】
図5は、垂直駆動パルスVPpの一部を拡大して示すものである。図において、Tuは、垂直駆動パルスVPpの立上がり時を示し、Tdは立下がり時を示す。クランプ部41のクランプ動作は、垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuの動作と立下がり時Tdの動作に分けて考えることができる。
【0040】
図6は、垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuの動作を説明するための回路図である。図7は、垂直駆動パルスVPpの立下がり時Tdの動作を説明するための回路図である。
【0041】
垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuでは、垂直駆動パルス発生部11側からコンデサ411の充電電流が流れる。この充電電流の一部は、ダイオード412を介してアース側に流れる(電流Ia)。これにより、コンデンサ411とダイオード412とのアノードとの共通接続点(クランプ点)bの電位は、ほぼ0Vとなる。また、コンデンサ411の両端の電圧は、ほぼ5Vとなる。
【0042】
そののち、垂直駆動パルスVPpがハイレベルまで立ち上がると、充電電流が停止する。この状態は、垂直駆動パルスVPpの立下がり時Tdまで保持される。これにより、共通接続点bの電位は、垂直駆動パルスVPpがハイレベルの期間、ほぼ0Vに保持される。
【0043】
この状態で、垂直駆動パルスVPpが立ち下がると、図7に示すように、コンデンサ411の放電電流が流れる。この放電電流の一部は、アース側から抵抗413を介して与えられる(電流Ib)。これにより、共通接続点bの電位は、ほぼ−5Vとなる。また、コンデンサ411の両端の電圧は、ほぼ5Vとなる。
【0044】
そののち、垂直駆動パルスVPpがロウレベルまで立ち下がると、放電電流が停止する。この状態は、垂直駆動パルスVPpの次の立上がり時Tdまで保持される。これにより、共通接続点bの電位は、垂直駆動パルスVPpがロウレベルの期間、ほぼ−5Vに保持される。
【0045】
以上の動作により、クランプ部41に入力される正の垂直駆動パルスVPpは、図8に示すように、負の垂直駆動パルスVPnに変換される。
【0046】
以上がクランプ部41のクランプ動作である。次に、固体撮像装置20に設けられた保護トランジスタ21のベースバイアス電圧VBの発生動作について説明する。
【0047】
この場合の動作も、垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuの動作と立下がり時Tdの動作に分けて考えることができる。図9は、立上がり時Tuの動作を説明するための回路図であり、図10は、立下がり時Tdの動作を説明するための回路図である。
【0048】
垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuにおいては、コンデンサ411が充電される。この充電電流の一部は、上記のごとく、ダイオード412に流れ込む(電流Ia)。これに対し、残りは、固体撮像装置20に流れ込む(電流Ic)。
【0049】
しかし、この場合、共通接続点bの電位がほぼ0Vであるため、垂直駆動端子22の電位もほぼ0Vとなる。これにより、保護トランジスタ21のベース・エミッタ間のバイアスが逆方向バイアスとなるため、このトランジスタ21はオフ状態となる。その結果、トランジスタ21のベースには電流が流れない。
【0050】
このあと、垂直駆動パルスVPpが立ち下がると、図10に示すように、コンデンサ411の蓄積電荷が放電される。この放電電流の一部は、上記のごとく、抵抗413を介して与えられる(電流Ib)。これに対し、残りは、固体撮像装置20側から与えられる(電流Id)。
【0051】
この場合、共通接続点bの電位がほぼ−5Vとなるため、垂直駆動端子22の電位もほぼ−5Vとなる。これにより、保護トランジスタ21のベース・エミッタ間のバイアスが順方向バイアスとなるため、このトランジスタ21はオン状態となる。その結果、トランジスタ21のベースに電流Ieが流れるため、コンデンサ50が充電される。これにより、コンデンサ50の両端にほぼ5Vの電圧が発生する。その結果、保護トランジスタ21のベースにほぼ−5Vのバイアス電圧VBが与えられることになる。
【0052】
このあと、垂直駆動パルスVPpが立ち上がると、保護トランジスタ21がオフ状態となる。これにより、コンデンサ50の充電電荷は放電されないため、トランジスタ21のベースバイアス電圧VBは、ほぼ−5Vに保持される。
【0053】
以上が、保護トランジスタ21のベースバイアス電圧VBの発生動作である。次に、保護トランジスタ21による垂直方向のCCD等の保護動作を説明する。
【0054】
いま、垂直駆動端子22に、保護トランジスタ21のベース電圧を下回る負のサージが入力されたとする。この場合、図11に示すように、このトランジスタ21のエミッタ−コレクタ間が導通する。これにより、垂直駆動端子22に接続された垂直方向のCCD等が保護される。
【0055】
また、垂直駆動端子21に、保護トランジスタ21のエミッタ−ベース間の破壊電圧VBEを越えるような正のサージが入力されたとする。この場合、図12に示すように、このトランジスタ21のエミッタ−ベース間が導通する。これにより、垂直駆動端子22に接続された垂直方向のCCD等が保護される。
【0056】
以上が、保護トランジスタ21による保護動作である。なお、以上の動作から、保護トランジスタ21のベースバイアス電圧VBは、垂直駆動端子22にかかる電圧のうち、最も低い電圧以下である必要があることがわかる。垂直駆動端子22にかかる電圧で最も低いのは、垂直駆動パルスVPnのロウレベル側の電圧−5Vである。したがって、この場合は、保護トランジスタ21のベースにかかるバイアス電圧VBを−5V以下にする必要がある。この点に関し、本実施の形態では、トランジスタ21のベースバイアス電圧VBを、上記のごとく、−5Vに設定することができるので問題はない。
【0057】
[第1の実施の形態の効果]
以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果が得られる。
【0058】
(1)まず、本実施の形態によれば、クランプ処理により、正の垂直駆動パルスVPpを負の垂直駆動パルスVPnに変換するようにしたので、負の外部電源を用いることなく、この変換を行うことができるとともに、保護トランジスタ21のべースバイアス電圧VBとして、負の電圧を発生することができる。
【0059】
(2)また、このようなクランプ処理による変換構成によれば、従来の電圧変換処理による変換構成より、垂直駆動回路の構成を簡単にすることができる。
【0060】
(3)また、本実施の形態によれば、インバータ44等をタイミングジェネレータ10の外部に設けたので、タイミングジェネレータ10として、既存のタイミングジェネレータを用いることができる。
【0061】
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態を説明する。図13は、本発明の第2の実施の形態の構成を示す回路図である。先の実施の形態では、保護トランジスタ21のベース端子23に、ベースバイアス電圧VBを発生するためのコンデンサ50を接続する場合を説明した。これに対し、本実施の形態は、このコンデンサ50を削除し、ベース端子23に発生する分布容量をバイアス電圧発生用のコンデンサとして用いるようにしたものである。他の構成は第1の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【0062】
このよう構成においても、先の実施の形態と同じ効果を得ることができるとともに、さらに、次のような効果を得ることができる。すなわち、このような構成によれば、ベースバイアス電圧VBが多少不安定になるため、正のサージに対する保護トランジスタ21の保護機能が多少悪くなるが、コンデンサ50を省略することができるため、部品点数を削減することができるという効果が得られる。
【0063】
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態を説明する。図14は、本発明の第3の実施の形態の構成を示す回路図である。先の第1の実施の形態では、垂直駆動回路40をタイミングジェネレータ10とは、別に集積回路化する場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、クランプ部41のコンデンサ411を除いて、垂直駆動回路40をタイミングジェネレータ10と一緒に集積回路化するようにしたものである。
【0064】
すなわち、クランプ部41は、ダイオード412や抵抗413によって構成されるため、集積回路化に適している。また、スイッチ42,43もトランジスタ等によって構成することができるため、集積回路化に適している。本実施の形態は、この点に着目し、垂直駆動回路40をタイミングジェネレータ10と一緒に集積回路化するようにしたものである。このような構成によれば、集積回路の数を減らすことができる。
【0065】
[その他の実施の形態]
以上、本発明の3つの実施の形態を詳細に説明したが、本発明は、上述したような実施の形態に限定されるものではない。
【0066】
(1)例えば、先の実施の形態では、本発明を、正の垂直駆動パルスVPpを負の垂直駆動パルスVPnに変換する垂直駆動回路に適用する場合を説明した。しかし、本発明は、負の垂直駆動パルスVPnを正の垂直駆動パルスVPpに変換する垂直駆動回路にも適用することができる。
【0067】
すなわち、本発明は、固体撮像装置で正の垂直駆動パルスVPpを必要とするにもかかわらず、垂直駆動回路に負の垂直駆動パルスVPnが供給される場合にも適用することができる。このような構成においては、正の外部電源を用いることなく、負の垂直駆動パルスVPnを正の垂直駆動パルスVPpに変換することができるとともに、保護トランジスタのベースバイアス電圧VBとして、正のベースバイアス電圧を得ることができる。
【0068】
(2)また、本発明は、正の垂直駆動パルスVPpのハイレベルの電圧を0Vにクランプしたり(正/負変換)、負の垂直駆動パルスVPnのロウレベルの電圧を0Vにクランプしたり(負/正変換)するだけでなく、これらを所定の直流電圧(正、負を問わない)にクランプする場合にも適用することができる。
【0069】
このような場合、従来の構成では、正と負の両方の外部電源が必要になる場合がある。しかし、本発明では、このような場合であっても、一方の外部電源だけあればよく、他方の外部電源は不要となる。
【0070】
すなわち、いま、例えば、0〜5Vの正の垂直駆動パルスを−3〜2Vの垂直駆動パルスに変換する場合を考える。この場合、従来の構成では、例えば、2Vの正の電圧を得るための正の外部電源と−3Vの負の電圧を得るための負の外部電源が必要である。これに対し、本実施の形態によれば、このような場合であっても、2Vの正の電圧を得るための正の外部電源だけあればよく、−3Vの負の電圧を得るための負の外部電源は不要となる。
【0071】
(3)また、先の実施の形態では、本発明を、センサ読出しパルスSGを垂直駆動パルスと合成する方式の垂直駆動回路に適用する場合を説明した。しかし、本発明は、この合成を行わない方式の垂直駆動回路にも適用することができる。すなわち、駆動端子として、垂直駆動パルス用の端子とセンサ読出しパルス用の端子を有する固体撮像装置の垂直駆動回路(垂直駆動パルス側の回路)にも適用することができる。
【0072】
(4)また、先の実施の形態では、本発明を、垂直駆動回路に適用する場合を説明した。しかし、本発明は、水平駆動パルスにおいても、電圧変換が必要な場合は、この変換を行う水平駆動回路にも適用することができる。
【0073】
(5)また、本発明は、一般的によく使われるインタライン型の固体撮像装置の駆動回路だけでなく、各種タイプの固体撮像装置の駆動回路にも適用することができる。例えば、各水平走査線ごとに水平方向のCCDを設け、この複数のCCDを順次駆動する方式の固体撮像装置の駆動回路にも適用することができる。また、走査方式として、水平方向の走査を繰り返しながら、垂直方向に徐々に走査を行う既存のテレビジョン方式の走査方式を採用する固体撮像装置の駆動回路ではなく、例えば、垂直方向の走査を繰り返しながら、水平方向に徐々に走査を行うような走査方式を採用する固体撮像装置の駆動回路にも適用することができる。これらの構成の場合、センサの蓄積電荷は、センサ読出しパルスSGによって読み出され、水平方向のCCDに供給される。
【0074】
(6)この他にも、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論である。
【0075】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る固体撮像装置の駆動回路によれば、クランプ処理により、CCDを駆動するために必要な電圧とは異なる電圧を有する駆動パルスをCCDを駆動するために必要な電圧を有する駆動パルスに変換するようにしたので、例えば、正の駆動パルスを負の駆動パルスに変換する場合であっても、負の外部電源を用いることなく、この変換を行うことができるとともに、保護トランジスタのべースバイアス電圧として、負の電圧を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の構成を示す回路図である。
【図2】第1の実施の形態の全体的な動作を説明するための信号波形図である。
【図3】センサ読出しパルスのロウレベルの期間の垂直駆動回路の動作を説明するための回路図である。
【図4】センサ読出しパルスのハイレベルの期間の垂直駆動回路の動作を説明するための回路図である。
【図5】正の垂直同期パルスの一部を拡大して示す信号波形図である。
【図6】正の垂直同期パルスの立上がり時のクランプ部の動作を説明するための回路図である。
【図7】正の垂直同期パルスの立下がり時のクランプ部の動作を説明するための回路図である。
【図8】クランプ部のクランプ動作を説明するための信号波形図である。
【図9】保護トランジスタのベースバイアス電圧の発生動作を説明するための回路図である。
【図10】保護トランジスタのベースバイアス電圧の発生動作を説明するための回路図である。
【図11】保護トランジスタの保護動作を説明するための回路図である。
【図12】保護トランジスタの保護動作を説明するための回路図である。
【図13】本発明の第2の実施の形態の構成を示す回路図である。
【図14】本発明の第3の実施の形態の構成を示す回路図である。
【図15】従来の垂直駆動回路の構成を説明するための回路図である。
【図16】従来の垂直駆動回路の動作を説明するための信号波形図である。
【符号の説明】
10…タイミングジェネレータ、11…垂直同期パルス発生部、12…センサ読出しパルス発生部、20…固体撮像装置、21…保護トランジスタ、22…垂直駆動端子、23…ベース端子、24…入力端子、40…垂直駆動回路、41…クランプ部、42,43…スイッチ、44…インバータ、411…コンデンサ、412…ダイオード、413…抵抗
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換部と走査部とを備えた固体撮像装置の走査部をなす電荷結合素子(Charge Coupled Device ,以下「CCD」という。)を駆動するための駆動回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、CCDを用いて電荷を転送する固体撮像装置においては、垂直方向のCCDを駆動する垂直駆動パルスとして、負のパルスが用いられる。
【0003】
しかしながら、垂直駆動パルス等の各種タイミングパルスを発生するタイミングジェネレータにおいては、通常、これらのパルスは、正のパルスとして出力される。したがって、垂直駆動パルスによって、垂直方向のCCDを駆動するには、正の垂直駆動パルスを負の垂直駆動パルスに変換する必要がある。
【0004】
そこで、従来より、タイミングジェネレータと固体撮像装置との間に、垂直駆動回路を設け、タイミングジェネレータから出力される正の垂直駆動パルスをこの垂直駆動回路により負の垂直駆動パルスに変換するようになっている。この場合、従来は、0Vの外部電源と負の外部電源とを用いた電圧変換処理により、正の垂直駆動パルスを負の垂直駆動パルスに変換するようになっていた。
【0005】
また、上述した固体撮像装置においては、一般に、人体等から発生した静電気等により、内部素子が破壊されるのを防止するために、保護トランジスタが内蔵されている。
【0006】
この場合、垂直方向の素子(垂直方向のCCD等)を保護する保護トランジスタにおいては、ベースバイアス電圧として、負の電圧が用いられる。これは、垂直駆動パルスとして、負のパルスが用いられるからである。このため、従来は、負の外部電源を用意し、この外部電源を固体撮像装置に設けられた保護トランジスタのベース端子に接続することにより、負のベースバイアス電圧を得るようになっていた。
【0007】
以上の構成を図15に示す。図において、タイミングジェネレータ10からは、図16(a)に示すように、ハイレベル側の電圧が5Vで、ロウレベル側の電圧が0Vの正の垂直駆動パルスVPpが出力される。
【0008】
また、このタイミングジェネレータ10からは、図16(b)に示すように、ハイレベル側の電圧が5Vで、ロウレベル側の電圧が0Vの正のセンサ読出しパルスSGが出力される。ここで、センサ読出しパルスSGとは、センサ(光電変換部)から蓄積電荷を読み出し、垂直方向のCCDに供給するためのパルスである。
【0009】
正の垂直駆動パルスVPpは、垂直駆動回路30により、0Vの外部電源電圧VMと負の外部電源電圧VLを用いた電圧変換処理により、負の垂直駆動パルスに変換される。この場合、ハイレベルの電圧は、5Vから0Vに変換され、ロウレベルの電圧は、0Vから負の外部電源電圧VLに変換される。
【0010】
正のセンサ読出しパルスSGは、垂直駆動回路30により、0Vの外部電源電圧VMと正の外部電源電圧VHを用いた電圧変換処理により、ハイレベル側の電圧を5VからVHに変換される。
【0011】
このあと、電圧変換処理を受けた2つのパルスは合成される。これは、固体撮像装置20が垂直駆動端子として、1つの端子しか有しないからである。この合成処理により、図16(c)に示すような3値VH,0,VLを持つ合成パルスVSが得られる。この合成パルスVSは、固体撮像装置20に供給される。
【0012】
上記負の外部電源電圧VLは、さらに、固体撮像装置20に供給され、保護トランジスタ21のベースバイアス電圧として用いられる。なお、図15においては、VSBは、外部電源から供給される基板電圧を示す。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたように従来は、正の垂直駆動パルスを負の垂直駆動パルスに変換する場合、電圧変換処理により変換するようになっていた。また、従来は、垂直方向のCCD等を保護する保護トランジスタ21に負のベースバイアス電圧を供給する場合、外部電源から供給するようになっていた。
【0014】
しかしながら、このような構成では、負の外部電源が必要になるため、電源回路の構成が複雑になるという問題があった。
【0015】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その課題は、正の駆動パルス(例えば、正の垂直駆動パルス)を負の駆動パルス(例えば、負の垂直駆動パルス)に変換する場合であっても、負の外部電源を用いることなく、この変換を行うことができるとともに、保護トランジスタに負のベースバイアス電圧を供給することができる固体撮像装置の駆動回路を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る固体撮像装置の駆動回路は、固体撮像装置の走査部をなすCCDを駆動するための回路において、CCDを駆動するために必要な電圧とは異なる電圧を有する2値の駆動パルスの一方の電位を所定の電位にクランプすることにより、CCDを駆動するために必要な電圧を有する駆動パルスを生成するようにしたものである。
【0017】
この固体撮像装置の駆動回路では、CCDを駆動するために必要な電圧を有する駆動パルスは、クランプ処理により得られる。これにより、例えば、正の駆動パルスを負の駆動パルスに変換する場合であっても、負の外部電源を用いることなく、この変換を行うことができる。
【0018】
また、クランプ処理は、クランプ用のコンデンサの充放電によって行われる。このような構成では、この充放電処理とクランプ点の電位の変化とにより、保護トランジスタをオン、オフ駆動することができる。これにより、例えば、保護トランジスタのベースにコンデンサを接続しておくことにより、このトランジスタのオン時は、このコンデンサを充電することができ、オフ時は、充電電荷を保持することができる。その結果、駆動パルスとして、負のパルスを用いる場合であっても、負の外部電源を用いることなく、負のベースバイアス電圧を得ることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0020】
[第1の実施の形態]
まず、本発明の第1の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、本発明を垂直駆動回路に適用した場合を代表として説明する。
【0021】
[第1の実施の形態の構成]
図1は、本発明の第1の実施の形態の構成を示す回路図である。なお、図1において、先の図15とほぼ同一機能を果たす部分には、同一符号を付す。
【0022】
まず、本発明の特徴とする垂直駆動回路40の構成を説明する。この垂直駆動回路40は、クランプ部41と、スイッチ42,43と、インバータ44とを有し、クランプ処理により、正の垂直駆動パルスVPpを負の垂直駆動パルスVPnに変換するとともに、負の垂直駆動パルスVPnとセンサ読出しパルスSGとを合成するようになっている。
【0023】
すなわち、クランプ部41は、タイミングジェネレータ10の垂直駆動パルス発生部11から出力される正の垂直駆動パルスVPpをクランプ処理により負の垂直駆動パルスVPnに変換する機能を有する。このクランプ部41は、コンデンサ411と、ダイオード412と、抵抗413とを含むものである。
【0024】
コンデンサ411の一端は、垂直駆動パルス発生部11の出力端子に接続され、他端は、ダイオード412のアノードと抵抗413の一端とに接続されている。ダイオード412のカソードと抵抗413の他端は接地されている。なお、コンデンサ411の容量値は、固体撮像装置20の特性に応じて、例えば、数百pF〜数μFの範囲で決定される。また、抵抗413の抵抗値は、固体撮像装置20の特性に応じて、例えば、数百Ω〜数kΩの範囲で決定される。
【0025】
スイッチ42,43とインバータ44は、負の垂直駆動パルスVPnとセンサ読出しパルスSGとを合成し、合成パルスVSを生成する機能を有する。この生成は、センサ読出しパルスSGがハイレベル(アクティブレベル)の期間は、電源端子60に印加される5Vの電圧を選択し、ロウレベル(インアクティブレベル)の期間は、クランプ部41のクランプ出力を選択することにより行われる。
【0026】
この場合、スイッチ42の一端は、クランプ部41の出力端子に接続され、他端は、固体撮像装置20の垂直駆動端子22に接続されている。スイッチ43の一端は、5Vの電源電圧が印加される電源端子60に接続され、他端はスイッチ43の他端と共に垂直駆動端子22に接続されている。
【0027】
スイッチ42のオン,オフは、パルスXSGにより制御される。このパルスXSGは、センサ読出しパルス発生部12から出力されるセンサ読出しパルスSGをインバータ44で反転することにより得られる。スイッチ43のオン,オフは、センサ読出しパルスSGにより制御される。
【0028】
以上が、垂直駆動回路40の構成である。次に、前述の固体撮像装置20に設けられる保護トランジスタ21について具体的に説明する。
【0029】
図示の例では、この保護トランジスタ21は、NPNトランジスタで構成されている。このトランジスタ21のエミッタは、垂直駆動端子22に接続され、ベースは、ベース端子23に接続され、コレクタは基板電圧VSUBの入力端子24に接続されている。
【0030】
この保護トランジスタ21のベースバイアス電圧VBは、垂直方向のCCDが負の垂直駆動パルスVPnで駆動されるため、負に設定する必要がある。この負のベースバイアス電圧VBを得るために、従来は、上記のごとく、負の外部電源を用いるようになっていた。これに対し、本実施の形態では、ベース端子23に接続された外付けのコンデンサ50の充電により得るようになっている。このコンデンサ50の容量値は、固体撮像装置20の特性に応じて、例えば、数百pF〜数μFの範囲で決定される。
【0031】
[第1の実施の形態の動作]
上記構成において、動作を説明する。まず、垂直駆動回路40の全体的な動作を説明する。
【0032】
垂直駆動パルス発生部11からは、図2(a)に示すような正の垂直駆動パルスVPpが出力される。この垂直駆動パルスVPpは、クランプ部41によりクランプされる。これにより負の垂直駆動パルスVPnが得られる。この垂直駆動パルスVPnはスイッチ42に供給される。なお、クランプ部41のクランプ処理については、あとで詳細に説明する。
【0033】
センサ読出しパルス発生部12からは、図2(b)に示すような正のセンサ読出しパルスSGが出力される。このセンサ読出しパルスSGは、スイッチ43に対してオンオフ制御パルスとして供給される。スイッチ43は、センサ読出しパルスSGがハイレベルの期間はオン状態に設定され、ロウレベルの期間はオフ状態に設定される。
【0034】
センサ読出しパルスSGは、さらに、インバータ44により反転される。これにより、図2(c)に示すように、センサ読出しパルスSGとは逆極性のパルスXSGが得られる。このパルスXSGは、スイッチ42にオンオフ制御パルスとして供給される。スイッチ42は、パルスXSGがハイレベルの期間はオン状態に設定され、ロウレベルの期間はオフ状態に設定される。
【0035】
これにより、センサ読出しパルスSGがロウレベルの期間(パルスXSGがハイレベルの期間)は、図3に示すように、スイッチ42がオン状態となり、スイッチ43がオフ状態になる。その結果、スイッチ42,43の出力端子の共通接続点aには、クランプ部41のクランプ出力(負の垂直駆動パルスVPn)が現れる。
【0036】
これに対し、センサ読出しパルスSGがハイレベルの期間(パルスXSGがロウレベルの期間)は、図4に示すように、スイッチ43がオン状態となり、スイッチ42がオフ状態になる。これにより、共通接続点aには、5Vの電圧が現れる。
【0037】
以上から、共通接続点aには、図2(d)に示すように、負の垂直駆動パルスVPnとセンサ読出しパルスSGとを合成したようなパルスVSが得られる。この合成パルスVSは、固体撮像装置の20の垂直駆動端子22に供給される。
【0038】
以上が垂直駆動回路40の全体的な動作である。次に、クランプ部41のクランプ動作を説明する。
【0039】
図5は、垂直駆動パルスVPpの一部を拡大して示すものである。図において、Tuは、垂直駆動パルスVPpの立上がり時を示し、Tdは立下がり時を示す。クランプ部41のクランプ動作は、垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuの動作と立下がり時Tdの動作に分けて考えることができる。
【0040】
図6は、垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuの動作を説明するための回路図である。図7は、垂直駆動パルスVPpの立下がり時Tdの動作を説明するための回路図である。
【0041】
垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuでは、垂直駆動パルス発生部11側からコンデサ411の充電電流が流れる。この充電電流の一部は、ダイオード412を介してアース側に流れる(電流Ia)。これにより、コンデンサ411とダイオード412とのアノードとの共通接続点(クランプ点)bの電位は、ほぼ0Vとなる。また、コンデンサ411の両端の電圧は、ほぼ5Vとなる。
【0042】
そののち、垂直駆動パルスVPpがハイレベルまで立ち上がると、充電電流が停止する。この状態は、垂直駆動パルスVPpの立下がり時Tdまで保持される。これにより、共通接続点bの電位は、垂直駆動パルスVPpがハイレベルの期間、ほぼ0Vに保持される。
【0043】
この状態で、垂直駆動パルスVPpが立ち下がると、図7に示すように、コンデンサ411の放電電流が流れる。この放電電流の一部は、アース側から抵抗413を介して与えられる(電流Ib)。これにより、共通接続点bの電位は、ほぼ−5Vとなる。また、コンデンサ411の両端の電圧は、ほぼ5Vとなる。
【0044】
そののち、垂直駆動パルスVPpがロウレベルまで立ち下がると、放電電流が停止する。この状態は、垂直駆動パルスVPpの次の立上がり時Tdまで保持される。これにより、共通接続点bの電位は、垂直駆動パルスVPpがロウレベルの期間、ほぼ−5Vに保持される。
【0045】
以上の動作により、クランプ部41に入力される正の垂直駆動パルスVPpは、図8に示すように、負の垂直駆動パルスVPnに変換される。
【0046】
以上がクランプ部41のクランプ動作である。次に、固体撮像装置20に設けられた保護トランジスタ21のベースバイアス電圧VBの発生動作について説明する。
【0047】
この場合の動作も、垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuの動作と立下がり時Tdの動作に分けて考えることができる。図9は、立上がり時Tuの動作を説明するための回路図であり、図10は、立下がり時Tdの動作を説明するための回路図である。
【0048】
垂直駆動パルスVPpの立上がり時Tuにおいては、コンデンサ411が充電される。この充電電流の一部は、上記のごとく、ダイオード412に流れ込む(電流Ia)。これに対し、残りは、固体撮像装置20に流れ込む(電流Ic)。
【0049】
しかし、この場合、共通接続点bの電位がほぼ0Vであるため、垂直駆動端子22の電位もほぼ0Vとなる。これにより、保護トランジスタ21のベース・エミッタ間のバイアスが逆方向バイアスとなるため、このトランジスタ21はオフ状態となる。その結果、トランジスタ21のベースには電流が流れない。
【0050】
このあと、垂直駆動パルスVPpが立ち下がると、図10に示すように、コンデンサ411の蓄積電荷が放電される。この放電電流の一部は、上記のごとく、抵抗413を介して与えられる(電流Ib)。これに対し、残りは、固体撮像装置20側から与えられる(電流Id)。
【0051】
この場合、共通接続点bの電位がほぼ−5Vとなるため、垂直駆動端子22の電位もほぼ−5Vとなる。これにより、保護トランジスタ21のベース・エミッタ間のバイアスが順方向バイアスとなるため、このトランジスタ21はオン状態となる。その結果、トランジスタ21のベースに電流Ieが流れるため、コンデンサ50が充電される。これにより、コンデンサ50の両端にほぼ5Vの電圧が発生する。その結果、保護トランジスタ21のベースにほぼ−5Vのバイアス電圧VBが与えられることになる。
【0052】
このあと、垂直駆動パルスVPpが立ち上がると、保護トランジスタ21がオフ状態となる。これにより、コンデンサ50の充電電荷は放電されないため、トランジスタ21のベースバイアス電圧VBは、ほぼ−5Vに保持される。
【0053】
以上が、保護トランジスタ21のベースバイアス電圧VBの発生動作である。次に、保護トランジスタ21による垂直方向のCCD等の保護動作を説明する。
【0054】
いま、垂直駆動端子22に、保護トランジスタ21のベース電圧を下回る負のサージが入力されたとする。この場合、図11に示すように、このトランジスタ21のエミッタ−コレクタ間が導通する。これにより、垂直駆動端子22に接続された垂直方向のCCD等が保護される。
【0055】
また、垂直駆動端子21に、保護トランジスタ21のエミッタ−ベース間の破壊電圧VBEを越えるような正のサージが入力されたとする。この場合、図12に示すように、このトランジスタ21のエミッタ−ベース間が導通する。これにより、垂直駆動端子22に接続された垂直方向のCCD等が保護される。
【0056】
以上が、保護トランジスタ21による保護動作である。なお、以上の動作から、保護トランジスタ21のベースバイアス電圧VBは、垂直駆動端子22にかかる電圧のうち、最も低い電圧以下である必要があることがわかる。垂直駆動端子22にかかる電圧で最も低いのは、垂直駆動パルスVPnのロウレベル側の電圧−5Vである。したがって、この場合は、保護トランジスタ21のベースにかかるバイアス電圧VBを−5V以下にする必要がある。この点に関し、本実施の形態では、トランジスタ21のベースバイアス電圧VBを、上記のごとく、−5Vに設定することができるので問題はない。
【0057】
[第1の実施の形態の効果]
以上詳述した本実施の形態によれば、次のような効果が得られる。
【0058】
(1)まず、本実施の形態によれば、クランプ処理により、正の垂直駆動パルスVPpを負の垂直駆動パルスVPnに変換するようにしたので、負の外部電源を用いることなく、この変換を行うことができるとともに、保護トランジスタ21のべースバイアス電圧VBとして、負の電圧を発生することができる。
【0059】
(2)また、このようなクランプ処理による変換構成によれば、従来の電圧変換処理による変換構成より、垂直駆動回路の構成を簡単にすることができる。
【0060】
(3)また、本実施の形態によれば、インバータ44等をタイミングジェネレータ10の外部に設けたので、タイミングジェネレータ10として、既存のタイミングジェネレータを用いることができる。
【0061】
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態を説明する。図13は、本発明の第2の実施の形態の構成を示す回路図である。先の実施の形態では、保護トランジスタ21のベース端子23に、ベースバイアス電圧VBを発生するためのコンデンサ50を接続する場合を説明した。これに対し、本実施の形態は、このコンデンサ50を削除し、ベース端子23に発生する分布容量をバイアス電圧発生用のコンデンサとして用いるようにしたものである。他の構成は第1の実施の形態と同様であるので、その説明は省略する。
【0062】
このよう構成においても、先の実施の形態と同じ効果を得ることができるとともに、さらに、次のような効果を得ることができる。すなわち、このような構成によれば、ベースバイアス電圧VBが多少不安定になるため、正のサージに対する保護トランジスタ21の保護機能が多少悪くなるが、コンデンサ50を省略することができるため、部品点数を削減することができるという効果が得られる。
【0063】
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態を説明する。図14は、本発明の第3の実施の形態の構成を示す回路図である。先の第1の実施の形態では、垂直駆動回路40をタイミングジェネレータ10とは、別に集積回路化する場合を説明した。これに対し、本実施の形態では、クランプ部41のコンデンサ411を除いて、垂直駆動回路40をタイミングジェネレータ10と一緒に集積回路化するようにしたものである。
【0064】
すなわち、クランプ部41は、ダイオード412や抵抗413によって構成されるため、集積回路化に適している。また、スイッチ42,43もトランジスタ等によって構成することができるため、集積回路化に適している。本実施の形態は、この点に着目し、垂直駆動回路40をタイミングジェネレータ10と一緒に集積回路化するようにしたものである。このような構成によれば、集積回路の数を減らすことができる。
【0065】
[その他の実施の形態]
以上、本発明の3つの実施の形態を詳細に説明したが、本発明は、上述したような実施の形態に限定されるものではない。
【0066】
(1)例えば、先の実施の形態では、本発明を、正の垂直駆動パルスVPpを負の垂直駆動パルスVPnに変換する垂直駆動回路に適用する場合を説明した。しかし、本発明は、負の垂直駆動パルスVPnを正の垂直駆動パルスVPpに変換する垂直駆動回路にも適用することができる。
【0067】
すなわち、本発明は、固体撮像装置で正の垂直駆動パルスVPpを必要とするにもかかわらず、垂直駆動回路に負の垂直駆動パルスVPnが供給される場合にも適用することができる。このような構成においては、正の外部電源を用いることなく、負の垂直駆動パルスVPnを正の垂直駆動パルスVPpに変換することができるとともに、保護トランジスタのベースバイアス電圧VBとして、正のベースバイアス電圧を得ることができる。
【0068】
(2)また、本発明は、正の垂直駆動パルスVPpのハイレベルの電圧を0Vにクランプしたり(正/負変換)、負の垂直駆動パルスVPnのロウレベルの電圧を0Vにクランプしたり(負/正変換)するだけでなく、これらを所定の直流電圧(正、負を問わない)にクランプする場合にも適用することができる。
【0069】
このような場合、従来の構成では、正と負の両方の外部電源が必要になる場合がある。しかし、本発明では、このような場合であっても、一方の外部電源だけあればよく、他方の外部電源は不要となる。
【0070】
すなわち、いま、例えば、0〜5Vの正の垂直駆動パルスを−3〜2Vの垂直駆動パルスに変換する場合を考える。この場合、従来の構成では、例えば、2Vの正の電圧を得るための正の外部電源と−3Vの負の電圧を得るための負の外部電源が必要である。これに対し、本実施の形態によれば、このような場合であっても、2Vの正の電圧を得るための正の外部電源だけあればよく、−3Vの負の電圧を得るための負の外部電源は不要となる。
【0071】
(3)また、先の実施の形態では、本発明を、センサ読出しパルスSGを垂直駆動パルスと合成する方式の垂直駆動回路に適用する場合を説明した。しかし、本発明は、この合成を行わない方式の垂直駆動回路にも適用することができる。すなわち、駆動端子として、垂直駆動パルス用の端子とセンサ読出しパルス用の端子を有する固体撮像装置の垂直駆動回路(垂直駆動パルス側の回路)にも適用することができる。
【0072】
(4)また、先の実施の形態では、本発明を、垂直駆動回路に適用する場合を説明した。しかし、本発明は、水平駆動パルスにおいても、電圧変換が必要な場合は、この変換を行う水平駆動回路にも適用することができる。
【0073】
(5)また、本発明は、一般的によく使われるインタライン型の固体撮像装置の駆動回路だけでなく、各種タイプの固体撮像装置の駆動回路にも適用することができる。例えば、各水平走査線ごとに水平方向のCCDを設け、この複数のCCDを順次駆動する方式の固体撮像装置の駆動回路にも適用することができる。また、走査方式として、水平方向の走査を繰り返しながら、垂直方向に徐々に走査を行う既存のテレビジョン方式の走査方式を採用する固体撮像装置の駆動回路ではなく、例えば、垂直方向の走査を繰り返しながら、水平方向に徐々に走査を行うような走査方式を採用する固体撮像装置の駆動回路にも適用することができる。これらの構成の場合、センサの蓄積電荷は、センサ読出しパルスSGによって読み出され、水平方向のCCDに供給される。
【0074】
(6)この他にも、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論である。
【0075】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る固体撮像装置の駆動回路によれば、クランプ処理により、CCDを駆動するために必要な電圧とは異なる電圧を有する駆動パルスをCCDを駆動するために必要な電圧を有する駆動パルスに変換するようにしたので、例えば、正の駆動パルスを負の駆動パルスに変換する場合であっても、負の外部電源を用いることなく、この変換を行うことができるとともに、保護トランジスタのべースバイアス電圧として、負の電圧を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の構成を示す回路図である。
【図2】第1の実施の形態の全体的な動作を説明するための信号波形図である。
【図3】センサ読出しパルスのロウレベルの期間の垂直駆動回路の動作を説明するための回路図である。
【図4】センサ読出しパルスのハイレベルの期間の垂直駆動回路の動作を説明するための回路図である。
【図5】正の垂直同期パルスの一部を拡大して示す信号波形図である。
【図6】正の垂直同期パルスの立上がり時のクランプ部の動作を説明するための回路図である。
【図7】正の垂直同期パルスの立下がり時のクランプ部の動作を説明するための回路図である。
【図8】クランプ部のクランプ動作を説明するための信号波形図である。
【図9】保護トランジスタのベースバイアス電圧の発生動作を説明するための回路図である。
【図10】保護トランジスタのベースバイアス電圧の発生動作を説明するための回路図である。
【図11】保護トランジスタの保護動作を説明するための回路図である。
【図12】保護トランジスタの保護動作を説明するための回路図である。
【図13】本発明の第2の実施の形態の構成を示す回路図である。
【図14】本発明の第3の実施の形態の構成を示す回路図である。
【図15】従来の垂直駆動回路の構成を説明するための回路図である。
【図16】従来の垂直駆動回路の動作を説明するための信号波形図である。
【符号の説明】
10…タイミングジェネレータ、11…垂直同期パルス発生部、12…センサ読出しパルス発生部、20…固体撮像装置、21…保護トランジスタ、22…垂直駆動端子、23…ベース端子、24…入力端子、40…垂直駆動回路、41…クランプ部、42,43…スイッチ、44…インバータ、411…コンデンサ、412…ダイオード、413…抵抗
Claims (4)
- 固体撮像装置の走査部をなす電荷結合素子を駆動するための駆動回路において、
前記電荷結合素子を駆動するために必要な電圧とは異なる電圧を有する2値の駆動パルスの一方の電位を所定の電位にクランプすることにより、前記電荷結合素子を駆動するために必要な電圧を有する駆動パルスを生成するクランプ手段
を備えたことを特徴とする固体撮像装置の駆動回路。 - 前記クランプ手段は、前記2値の駆動パルスの一方の電位をほぼ0Vにクランプすることにより、正または負の駆動パルスを生成するように構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置の駆動回路。 - 前記クランプ手段は、
一方の端子に前記2値の駆動パルスが供給されるコンデンサと、
前記コンデンサの他方の端子と接地との間に配されたダイオードと
を有することを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置の駆動回路。 - 前記固体撮像装置の光電変換部に蓄積されている電荷を読み出して前記走査部に供給するための読出しパルスがアクティブレベルの期間は、所定の直流電圧を選択し、インアクティブレベルの期間は、前記クランプ手段のクランプ出力を選択することにより、前記駆動パルスと前記読出しパルスとの合成パルスを生成する合成パルス生成手段
を備えたことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置の駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05076796A JP3906489B2 (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 固体撮像装置の駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05076796A JP3906489B2 (ja) | 1996-02-15 | 1996-02-15 | 固体撮像装置の駆動回路 |
Publications (2)
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