JP3905270B2 - 発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、発光ダイオードなどの発光素子およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
発光ダイオードは、たとえば、図4に示すように、N型半導体基板100上にN型半導体層101およびP型半導体層102を順にエピタキシャル成長させることにより製造され、N型半導体層101およびP型半導体層102の接合界面に形成されるPN接合面105付近における正負の電荷の再結合により光を発生する構成となっている。
【0003】
N型半導体基板100の底面には、カソード電極107が接合され、P型半導体層102の上面には、アノード電極108が接合されている。そして、アノード電極108が形成された上面側である発光面109から主として光が取り出されるようになっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のような従来の構成では、素子の側面110におけるPN接合面105の露出部105aとアノード電極108との間の距離が短く、そのために、この露出部105aの近傍において、少数キャリアの表面再結合が起こり、発光効率が低下するという問題があった。
【0005】
また、素子の上方への発光の一部は、アノード電極108によって遮光されるため、必ずしも十分な光量の光を得ることができない場合があった。
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、発光効率を向上でき、発生光量を増大することができる発光素子およびその製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、平坦部と、この平坦部から発光面に向かって錘台形状に中央が盛り上がった凸形状部とをそれぞれ有し、層間にPN接合面(発光層)を形成する第1半導体層および第2半導体層と、前記発光面において台形に盛り上がった中央部に配置された電極とを含むことを特徴とする発光素子である。
具体的には、この発明の発光素子は、表面を平坦部と凸形状部とを有するように整形した半導体基板と、この半導体基板の前記表面に順次積層された第1半導体層および第2半導体層とを含み、これらの第1半導体層および第2半導体層との間に発光に寄与するPN接合面を形成するとともに、第2半導体層側の表面である発光面において台形に盛り上がった中央部に電極を配置した構成により実現できる。
【0007】
上記の構成によれば、PN接合面が発光面に対して凸形状に形成されているので、素子の端面におけるPN接合面の露出位置と発光面に形成される電極との間に、十分に大きな距離を確保できる。そのため、PN接合面の露出位置付近に大きな電界がかかることがないので、この領域における少数キャリアの表面再結合を防止できる。これにより、発光効率を向上できる。
【0008】
また、PN接合面が凸形状になっていることにより、このPN接合面は、従来構造の素子のPN接合面よりもはるかに大きな面積を有することになる。そのため、発光光量が大きく、電極により一部の光が遮光されても、十分な光量の光を発生することができる。
このような構造の発光素子は、請求項2に記載のように、半導体基板の表面に平坦面と、この平坦面から錘台形状に盛り上がった凸形状面とを形成する工程と、前記平坦面および凸形状面に第1導電型の第1半導体層および第2導電型(第1導電型とは異なる導電型)の第2半導体層を順に形成することにより、前記平坦面および凸形状面に沿う形状のPN接合面(発光層)を形成する工程と、前記半導体基板の裏面に第1電極を形成する工程と、前記半導体基板の裏面の反対側に位置する発光面において台形に盛り上がった中央部に第2電極を形成する工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法により製造することができる。
【0009】
なお、前記半導体基板および半導体層は、III−V族化合物半導体に代表される化合物半導体であってもよい。III−V族化合物半導体には、ガリウム燐およびガリウムヒ素がある。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る発光ダイオード10の構成を説明するための断面図である。この発光ダイオード10は、N型ガリウム燐化合物半導体基板1(以下単に「半導体基板1」という。)の表面1A上に、N型ガリウム燐化合物半導体エピタキシャル成長層2(第1半導体層:以下単に「N型半導体層2」という。)と、P型ガリウム燐化合物半導体エピタキシャル成長層3(第2半導体層:以下単に「P型半導体層3」という。)とを順に積層して、PN接合面5を形成するとともに、半導体基板1の裏面1Bにカソード電極7を被着させ、発光面11となるP型半導体層3の表面にアノード電極8を被着させて形成されている。
【0011】
半導体基板1の表面1Aは、平坦面と、この平坦面から発光面11に向かって四角錐台形状に中央が盛り上がった凸形状面とを有している。この表面1A上に形成されたN型半導体層2およびP型半導体層3も同様に、平坦部と、この平坦部から発光面11に向かって中央が盛り上がった凸形状に湾曲した部分とを有している。それに応じて、PN接合面5は、平坦面と、この平坦面から発光面11に向かって中央が盛り上がった凸形状の部分とを有している。そして、アノード電極8は、P型半導体層3の台形に盛り上がった中央部に形成されている。
【0012】
この構成により、アノード電極8とPN接合面5の露出部5Aとの間に長い距離が確保されている。これにより、PN接合面5の露出部5A付近で大きな電界が生じることがないから、この付近における少数キャリアの表面再結合を防止できる。これにより、発光効率を高めることができる。
また、PN接合面5が凸形状に湾曲していることにより、このPN接合面5は、平坦なPN接合面を有する従来の構成に比較して、大きな面積を有することができる。これにより、PN接合面5付近における正負の電荷の再結合を活発に生じさせることができるので、発光効率が高まり、発光輝度を向上することができる。
【0013】
図2は、上述の発光ダイオード10の製造工程を工程順に示す断面図である。まず、図2(a)に示すように、半導体ウエハW(半導体基板1)の表面に、格子状のパターンにレジスト20が形成され、このレジスト20をマスクとして半導体ウエハWの表面がエッチングされる。これにより、図2(b)および図3に示すように、平坦面と、この平坦面から四角錐台形状に盛り上がった複数の凸形状面とを有する表面1Aが形成される。
【0014】
次に、図2(c)に示すように、N型半導体層2およびP型半導体層3が順にエピタキシャル成長させられる。これらの半導体層2,3は、下地となる半導体ウエハWの表面の形状に従うことになるので、それらの界面であるPN接合面5は、表面1の形状に対応した平坦面および凸形状面に沿うことになる。
その後は、図2(d)に示すように、発光面11となるP型半導体層3の表面の凸形状部の中央付近(台形に盛り上がった中央部)に、アノード電極8が形成され、半導体ウエハWの裏面1Bのほぼ全面にカソード電極7が形成される。アノード電極8およびカソード電極7の形成は、たとえば、電解めっき法により行うことができる。
【0015】
アノード電極8およびカソード電極7の形成の後には、半導体ウエハWがたとえばダイシングソーで切断ラインSLに沿って切断され、これにより、図1に示す構造の発光ダイオード10の個片が複数個切り出される。
この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することも可能である。たとえば、上述の実施形態では、四角錐台形状の凸形状面が半導体基板1の表面に形成される例について説明したが、3角錐台や5角錐台などの形状でもよく、場合によっては、円錐台形状の凸形状面を代わりに用いることとしてもよい。
【0016】
また、発光効率をさらに高めるために、N型半導体層2とP型半導体層3との間に、いわゆるi層(高抵抗層:N-型ガリウム燐半導体エピタキシャル成長層)が形成されてもよい。この場合には、このi層が第1半導体層として把握され、このi層とP型半導体層3との間に、平坦部および凸形状部を有するPN接合面が形成されることになる。
【0017】
また、上述の実施形態では、半導体材料としてガリウム燐を用いる例について説明したが、ガリウムヒ素などの他の化合物半導体材料を用いてこの発明の発光素子を構成してもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る発光ダイオードの構成を示す断面図である。
【図2】前記発光ダイオードの製造工程を工程順に示す断面図である。
【図3】表面に複数個の凸形状面が格子状に形成された半導体ウエハの一部の斜視図である。
【図4】従来の発光ダイオードの構成を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
1 N型ガリウム燐化合物半導体基板
1A 凸形状の表面
1B 裏面
2 N型ガリウム燐化合物半導体エピタキシャル成長層
3 P型ガリウム燐化合物半導体エピタキシャル成長層
5 凸形状のPN接合面
10 発光ダイオード
Claims (2)
- 平坦部と、この平坦部から発光面に向かって錘台形状に中央が盛り上がった凸形状部とをそれぞれ有し、層間にPN接合面を形成する第1半導体層および第2半導体層と、
前記発光面において台形に盛り上がった中央部に配置された電極とを含むことを特徴とする発光素子。 - 半導体基板の表面に平坦面と、この平坦面から錘台形状に盛り上がった凸形状面とを形成する工程と、
前記平坦面および凸形状面に第1導電型の第1半導体層および第2導電型の第2半導体層を順に形成することにより、前記平坦面および凸形状面に沿う形状のPN接合面を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に第1電極を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面の反対側に位置する発光面において台形に盛り上がった中央部に第2電極を形成する工程とを含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
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