JP3893671B2

JP3893671B2 - 基板欠陥検査装置

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Publication number: JP3893671B2
Application number: JP17530297A
Authority: JP
Inventors: 健雄大森
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-06-16
Filing date: 1997-06-16
Publication date: 2007-03-14
Anticipated expiration: 2017-06-16
Also published as: JPH116803A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板欠陥検査装置に関し、特に基板の位置ずれによる影響を最小限に抑えることのできる基板欠陥検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ウェハなど基板の表面の傷、ムラ等の欠陥検査には人手による目視検査が行われてきたが、近年は自動的に検査を行うものとして、例えば特開平８−７５６６１号公報に開示された装置がある。これは、基板上に形成された周期性を有するパターン部分からの回折光による基板の像を画像処理装置に取り込み、基板表面の欠陥を検出するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような装置によれば、ウェハのような基板の位置ずれ、特に基板表面に垂直な軸線回りの回転位置ずれによって回折光の一部が検出器から外れてしまい、検査に支障を来たしてしまう。
【０００４】
そこで本発明は、基板の欠陥検査への基板の位置ずれの影響を少なくした、効率的な基板欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目標を達成するために、請求項１に係る発明による基板欠陥検査装置は、図１に示すように、基板を載置する基板ステージＳＴＧと；前記基板ステージＳＴＧに載置された被検査基板Ｗから射出される回折光Ｌ２による該被検査基板Ｗの像に基づいて該被検査基板Ｗの欠陥検査を行う前記検査部と；前記検査部に対する被検査基板Ｗの位置を計測する計測部とを備え；前記計測部は、前記被検査基板Ｗの、該被検査基板Ｗの表面に垂直な第１軸線に関する回転方向の位置を計測し；前記検査部は、前記被検査基板Ｗを照明する照明光学系１０と、該照明光学系１０からの照明光のうち、該被検査基板上に形成されたパターンからの回折光Ｌ２を受光する受光光学系２０と、受光光学系２０にて得られた被検査基板Ｗの像を撮像する第一の撮像手段３１とを備え；前記基板ステージＳＴＧは、前記第１軸線回りに回転可能であるように構成され；前記受光光学系が前記回折光を受光するよう、前記基板ステージの前記第１軸線回りの回転方向の位置を調整可能に構成され；受光光学系２０は、表面反射鏡２２を有し、第一の撮像手段３１に回折光を入射させる受光光学系２０の光軸ＬＸ２は、表面反射鏡２２で偏向され、該偏向の方向が被検査基板Ｗを挟む照明光学系１０の光軸ＬＸ１と受光光学系２０の光軸ＬＸ２とがなす平面から逸脱する方向であることを特徴とする。
このように構成すると、検査部が照明光学系を備えるので、基板上のパターンが照明光Ｌ１により照明され、回折光Ｌ２が生じる。計測部を備えるので、計測部により第１軸線に関する基板の回転方向位置を計測でき、その回転位置ずれに基づいて基板ステージを、第１軸線回りに回転して調整し、受光光学系が回折光を受光できるようにすることができ、さらにその位置を参照して、基板ステージに載置された被検査基板を検査部で検査することができる。
【０００６】
請求項２に記載のように、前記計測部は、前記被検査基板の法線方向から見た前記照明光学系から前記受光光学系に至る光軸の前記第１軸線に関する回転方向の位置と、前記被検査基板に形成された周期パターンの並び方向の前記第１軸線に関する回転方向の位置と、の相対位置を計測することが望ましい。
【０００７】
さらに、請求項３に記載のように、前記基板ステージは、前記被検査基板の表面内で、かつ該被検査基板と交わる前記受光光学系の光軸に垂直である第２軸線回りに前記基板ステージを回転させる基板ステージ傾斜機構を備えることが望ましい。
【０００８】
また受光光学系を備え、基板の表面内で、その受光光学系の光軸に垂直である第２軸線ＡＸ２の回りに基板ステージＳＴＧを回転させる基板ステージ傾斜機構を備えるので、回折光Ｌ２の方向に基板ステージを傾斜させることができる。
【０００９】
この場合、請求項４に記載のように、前記検査部は、該第一の撮像手段３１にて得られた該被検査基板Ｗの画像に基づいて画像処理を行う第一の画像処理装置３３とを含んで構成され；前記計測部は計測光学系４０と、該計測光学系４０にて得られた前記被検査基板Ｗの像を撮像する第二の撮像手段３２と、該第二の撮像手段にて得られた前記被検査基板の画像に基づいて画像処理を行う第二の画像処理装置３３とを含んで構成され；前記第二の画像処理装置３３からの情報に基づいて前記基板ステージＳＴＧの前記第１軸線ＡＸ１回りの回転方向の位置を調整可能に構成されている。
【００１０】
このように構成すると、第一の撮像手段を備えるので、基板の像が撮像され、第一の画像処理装置を備えるので、撮像された像を例えば基準の像と比較したり、像の明暗の差から欠陥を検出したりする、像の処理が可能である。同様に、計測部は計測光学系を備えるので、基板Ｗの像を得ることができ、第二の撮像手段を備えるので、得られた像を撮像することができ、第二の画像処理装置を備えるので、第二の撮像手段にて得られた基板の画像に基づいて画像処理を行い、第二の画像処理装置からの情報に基づいて基板ステージＳＴＧの第１軸線ＡＸ１回りの回転方向の位置が調整できる。画像処理装置は、共通の装置であってもよいし、別個に設けてもよい。
【００１１】
さらに、請求項５に記載のように、前記第二の画像処理装置からの情報に基づいて、前記被検査基板の前記第１軸線回りの回転位置ずれ量が算出され、前記回転位置ずれ量が以下の式を満足するように、前記回転方向の位置の調整が行われる。
δφ≦｜（ｐ／ｍλ）ＮＡ｜
但し、δφは、前記被検査基板の回転位置ずれ量の絶対値、λは、前記照明光の波長、ｐは、前記パターンのピッチ、ｍは、前記回折光の次数、ＮＡは、前記受光光学系の開口数である。
【００１２】
このように構成すると、前記受光光学系２０が前記回折光Ｌ２を受光するように、基板ステージＳＴＧの第１軸線ＡＸ１回りの回転方向の位置が調整できる。
【００１３】
この装置では、請求項６に記載のように、第二の画像処理装置は、第一の画像処理装置と共通部分を含むようにしてもよい。共通部分を含む延長として、図１に示されるように、処理装置全体が共通の装置３３であってもよく、第一の撮像手段で得られた画像と第二の撮像手段で得られた画像とをその共通の画像処理装置で処理することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、各図において互いに同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複した説明は省略する。
【００１５】
図１は、本発明による基板欠陥検査装置の実施の形態を示す側面図である。また、図２は本発明による基板欠陥検査装置の実施の形態の概念的側面図である。図２中、検査部１が基板ステージＳＴＧ上に載置されたウエハ等の基板Ｗに対向して設けられており、一方計測部２は、検査部１と並列的に配置されている。ここで、基板ステージＳＴＧは検査部１に対向する位置と、計測部２に対向する位置（図２では破線で示されている）との間で、平行移動可能に構成されている。但し、基板ステージＳＴＧを移動する代わりに、検査部１と計測部２とを、基板ステージＳＴＧに対して相対的に移動してもよい。
【００１６】
図２に概念的に示された装置の詳細を図１に示す。図１を参照して、本実施の形態を説明する。図中、基板ステージＳＴＧ上に載置された被検査基板Ｗ（以下、適宜、基板Ｗ）に、平行光束Ｌ１を、基板Ｗの表面に対して斜めに照射する照明光学系１０が設けられている。照明光学系１０は、光源１１と、その光の進行方向にリレーレンズ１２、その先に表面反射鏡１３、球面反射鏡１４を含んで構成されている。光源１１から射出された照明光はリレーレンズ１２を通り、表面反射鏡１３で反射された後、球面反射鏡１４に入射する。球面反射鏡１４で反射された照明光はほぼ平行な光束となって基板Ｗに向かい、これを照明する。
【００１７】
受光光学系２０は、基板Ｗからの光を受光するように基板Ｗ方向に対向する球面反射鏡２１、表面反射鏡２２、受光レンズ２３とがこの順に配列されて構成されている。
【００１８】
さらに受光光学系２０に関して基板Ｗの表面と共役な位置に撮像面を有する撮像素子３１が配置されている。撮像素子３１が本発明の第一の撮像手段であり、例えばＣＣＤ撮像素子が用いられる。また、受光光学系２０の光軸ＬＸ２は基板Ｗの被検査面のほぼ中央で基板Ｗと交差するように配置されており、基板Ｗからの回折光Ｌ２による像が撮像素子３１に形成される。
【００１９】
撮像素子３１に形成された像は画像信号として、撮像素子３１と電気的に接続された画像処理装置３３に伝送され、ここで適宜画像処理される。ここでいう画像処理は、例えば、被検査基板Ｗの像とあらかじめ記憶させておいた欠陥のない基板の像との比較である。また、投影露光装置のデフォーカスによって基板に生じたムラなどの欠陥がある場合は、その部分の明暗の差から、その部分を欠陥として出力する。
【００２０】
このように、本発明の検査部は、本実施の形態では、照明光学系１０、受光光学系２０、撮像素子３１、画像処理装置３３を含んで構成されている。
【００２１】
ここで、撮像素子３１に光を入射させる受光光学系２０の光軸ＬＸ２は、表面反射鏡２２で偏向されるが、その偏向方向を、基板Ｗを挟む照明光学系１０の光軸と受光光学系２０の光軸とがなす平面から逸脱する方向とする。例えばその平面に対して垂直な（図１では紙面と垂直な）方向とする。このようにすると、基板Ｗからの回折光のうち０次回折光、即ち正反射光が直接撮像素子３１に入射し、画像処理に影響を与えるのを防ぐことができる。
【００２２】
図１の（ａ）は、基板Ｗの載置された基板ステージＳＴＧの部分を上方から見た平面図である。第１の軸線ＡＸ１はほぼ基板ステージＳＴＧの中心を、基板載置面に垂直に通っている。軸線ＡＸ１を中心として基板ステージＳＴＧを回転させる回転駆動装置５１が、基板ステージＳＴＧの下に設けられている。回転駆動装置５１は、画像処理装置３３と電気的に接続されており、駆動を制御する信号を受信するように構成されている。
【００２３】
第２の軸線ＡＸ２は、基板Ｗの表面内で受光光学系２０の軸線ＬＸ２に直角に通っている。軸線ＡＸ２を中心として基板ステージＳＴＧを回転させて傾斜を調節する基板ステージ傾斜機構５２が、基板ステージＳＴＧの横に設けられている。基板ステージ傾斜機構５２は、画像処理装置３３と電気的に接続されており、回転を制御する信号を受信するように構成されている。
【００２４】
次にやはり図１を参照して計測部を説明する。図中破線で示されているのは、計測部で基板Ｗを計測する場合の基板ステージＳＴＧと基板の位置である。すなわち、検査部に実線で示された基板ステージＳＴＧと基板Ｗが横に平行移動した位置である。平行移動した後の基板の上方に計測光学系４０が配置されている。計測光学系４０は、基板Ｗの上方に配置された対物レンズ４４、さらにその上方のリレーレンズ４５、対物レンズ４４とリレーレンズ４５との中間に挿入されたハーフミラー４３、ハーフミラー４３で偏向された光軸方向にはリレーレンズ４２、その先に配列された光源４１を含んで構成されている。
【００２５】
さらに対物レンズ４４とリレーレンズ４５に関して基板Ｗと共役な位置に撮像面があるようにＣＣＤ等の撮像素子３２が配列されている。
【００２６】
このように計測部は、計測光学系４０、撮像素子３２、画像処理装置３３を含んで構成されている。
【００２７】
図１を参照して、以上の計測部の作動を説明する。光源４１から射出された光は、リレーレンズ４２を介してハーフミラー４３に入射し、ここで基板Ｗの方向に偏向され、対物レンズ４４を通して基板Ｗに照射され、これを照明する。このようにして照明された基板Ｗで反射された光は、対物レンズ４４を介して、ハーフミラー４３を透過し、リレーレンズ４５を介して撮像素子３２の撮像面に基板Ｗの拡大像を形成する。
【００２８】
撮像素子３２に形成された像は画像信号として、撮像素子３２と電気的に接続された画像処理装置３３に伝送され、ここで適宜画像処理される。ここでいう画像処理は、例えば、基板Ｗ上に形成されたラインアンドスペースパターンのような周期性のあるパターンのラインの向きを検出することである。
【００２９】
本実施の形態では、画像処理装置３３は検査部のそれと共通に用いているが、不図示の画像処理装置３３’を別に用意して計測部用として用いてもよい。
【００３０】
基板ステージＳＴＧは、回転軸を複数持っており、回転と傾斜が可能である。本実施の形態では、基板ステージＳＴＧの基板Ｗを載置する面に垂直な軸線ＡＸ１（本発明の第１軸線）の回りに、回転駆動装置５１により回転できる構造になっている。また、基板の表面内で、受光光学系２０の光軸ＬＸ２に垂直である第２軸線ＡＸ２の回りに基板ステージＳＴＧを回転させる基板ステージ傾斜機構５２を備えて、基板ステージＳＴＧを傾斜させることができる構造になっている。
【００３１】
基板Ｗからは回折光Ｌ２が生じる。生じた回折光Ｌ２は、基板Ｗ上の周期性パターンのピッチにより回折角が異なる。そこで回折光Ｌ２が、受光光学系２０に導かれるように基板Ｗが適宜傾斜（チルト）される。図３に、傾斜されたときの様子を示す。今ここで、基板Ｗの周期性パターンのピッチをｐ、照明光Ｌ１の波長をλ、回折次数をｍ、基板Ｗが水平のとき、即ち基板Ｗを傾斜させていないときの基板Ｗの面の法線を基準として、基板Ｗと交わる照明光学系１０の光軸ＬＸ１の角度をθｉ、同様に基板Ｗと交わる受光光学系２０の光軸ＬＸ２の角度をθｄ、また、傾斜角をθｔ、とすれば以下の式が成り立つ。
【００３２】
sin（θｄ−θｔ）−sin（θｉ＋θｔ）＝ｍλ／ｐ（１）
符号については図４に示されるとおり、照明光学系１０の光軸ＬＸ１の角度θｉは入射側に見込む角度方向をプラス、反射側に見込む角度方向をマイナスとし、受光光学系２０の光軸ＬＸ２の角度θｄ、傾斜角θｔは、入射側に見込む角度方向をマイナス、反射側に見込む角度方向をプラスとしている。また、回折次数ｍは基板Ｗへの入射光の正反射光を基準として、入射側に見込む角度方向をマイナス、反射側に見込む角度方向をプラスとしている。
【００３３】
傾斜角θｔが０度なら式（１）でθｔ＝０とおいて、
sinθｄ−sinθｉ＝ｍλ／ｐ
となり、一般的な入射角と回折角の関係を示す式になる。
【００３４】
図３に示されるように、基板Ｗの傾斜により回折光Ｌ２が受光光学系２０に導かれたとき、式（１）の関係を満足している。取り込まれる回折光Ｌ２の次数は、マイナス１次及びマイナス２次である。
【００３５】
照明光学系１０の光源１１は、例えばハロゲンランプである。光源１１から射出された光のうち、不図示の干渉フィルタによって白色光のうち、一部の波長域の光を取り出し、これを照明光Ｌ１として利用する。基板Ｗ上のパターンのピッチｐと波長λが比例関係にあることから、年々進むパターンのピッチの微細化を考慮すれば波長λは短いほうがよい。しかし、あまりに短いと露光波長に近くなり基板Ｗ上の未現像のレジストを感光させてしまうので、５５０ｎｍ付近の波長のものが照明光として使用される。
【００３６】
レジストの塗布忘れ、剥離忘れ、塗布や剥離のムラを検出する際に、レジストの有無による基板Ｗの見え方の差が少ない場合がある。これはレジストの無い所の光の強度と、ある所の干渉後の強度が一致するためである。このときは強度に差が出るように、不図示の干渉フィルタを交換して照明光の波長λを変更する。波長を変更した場合には、式（１）の関係を満足するように基板Ｗを傾斜させる。ここで、傾斜とは受光光学系２０と、あるいは照明光学系１０及び受光光学系２０と、基板Ｗとの相対的角度を変更することであり、基板を傾斜させる代わりに、前記光学系を基板に対して回転方向に動かして角度をつけてもよい。
【００３７】
照明光学系１０、受光光学系２０は球面反射鏡を用いた反射型の光学系でテレセントリックである。本実施の形態では、照明光学系１０の光源１１は、球面反射鏡１４とリレーレンズ１２から構成される光学系の前側焦点位置、基板Ｗの表面が、球面反射鏡１４の後側焦点面とほぼ一致するように配置されている。受光光学系２０では、球面反射鏡２１の前側焦点面と基板Ｗの表面とが、また後側焦点面と受光レンズ２３の入射瞳面をほぼ一致させている。それらによって、テレセントリックな光学系を構成している。
【００３８】
テレセントリックにするのは、撮像素子３１で取り込んだ画像の見え方を、基板Ｗの全面に渡って同じにするためである。テレセントリックでない光学系では、基板Ｗ上の位置により、式（１）の基板Ｗへの入射角（θｉ＋θｔ）、回折角（θｄ−θｔ）がそれぞれ異なる。そして、回折光の強度は入射光の入射角に依存して変化するため、同じ欠陥でもウェハ上の位置により異なって見えてしまう。
【００３９】
しかし、図１に示される実施の形態の装置では、照明光学系１０も受光光学系２０もテレセントリックなので、基板表面の全体に渡って入射角（θｉ＋θt）、回折角（θｄ−θｔ）が一様となる。そのため、基板Ｗ上の位置にかかわらず同じ欠陥であれば見え方が同じになり、欠陥の特定が確実にできる。目視検査でよく行われるように、基板Ｗの傾きをすこしずつ変えながら全面を検査するようなことをする必要がない。
【００４０】
上記光学系は、別の実施の形態では不図示の屈折系のテレセントリック光学系としてもよい。しかしながら、図１のように球面反射鏡を用いた反射型の光学系にすれば、屈折系の場合よりも装置が小型化できる。
【００４１】
本実施の形態では、反射鏡への入射光軸と反射光軸が同一線上にない偏心光学系としているが、球面反射鏡に対する反射光の入射角は出来るだけ小さくするのが望ましい。あまり大きいと、非点収差が大きくなるからである。図１の実施の形態では、反射光の入射角は１０度としている。
【００４２】
基板Ｗが表面の法線回りに回転位置ずれをもって基板ステージＳＴＧに載置された場合、回折光Ｌ２が照明光学系１０による照明光Ｌ１の入射方向（照明光学系の光軸）と法線とがなす平面からはずれる。即ち図１では、紙面と垂直方向の角度成分を持つようになる。そのため、回転位置ずれ量が大きすぎると回折光Ｌ２が受光光学系２０から外れてしまい、基板Ｗの像を取り込めなくなってしまう。
【００４３】
基板Ｗの回転位置ずれ量の絶対量をδφ、回折光Ｌ２の紙面と垂直方向の角度成分をδθ、受光光学系２０の基板側の開口数をＮＡとする。δφ、δθの単位はラジアンである。δθは、δφがごく小さければ、以下のように表せることがわかった。
【００４４】
δθ＝｜（ｍλ／ｐ）δφ｜（２）
回転位置ずれによりδθだけ角度成分を持った回折光Ｌ２は、受光光学系２０の球面反射鏡２１で反射され、ほぼ光軸ＬＸ２と平行に撮像素子３１へと向かう。
【００４５】
回折光Ｌ２は、撮像素子３１に入射する際に入射瞳の外側にあるとけられてしまい、基板Ｗの像を得ることができなくなる。
【００４６】
球面反射鏡２１から撮像素子３１までは平行系であるから、撮像素子３１の入射瞳面での回折光の位置はδθに、また、入射瞳の半径は受光光学系２０の基板Ｗの面でのＮＡにそれぞれ相当する。したがって、基板Ｗが回転位置ずれしても回折光Ｌ２が撮像素子３１に入射するための条件は、下式を充足することである。
【００４７】
δθ≦ＮＡ
この式と式（２）とから、
δφ≦｜（ｐ／ｍλ）ＮＡ｜（３）
となり、回転位置ずれ量は式（３）を満足する量であればよい。
【００４８】
例えばｐ＝０．４μｍ、λ＝０．５５μｍ、ｍ＝−１、ＮＡ＝０．０１とすれば、式（３）より、δφ≦７．３ミリラジアンとなる。
【００４９】
基板Ｗの回転位置ずれ量が式（３）を満足しているかは、計測部４０によって確認される。検査部１０により欠陥検査を行う前に、基板ステージＳＴＧに載置されれた基板Ｗは図１の太い破線で示された部分、即ち検査部で検査する際の基板Ｗと基板ステージＳＴＧの位置から横に平行移動した、計測部４０に対向する位置にあり、基板Ｗの回転位置ずれ量が計測される。
【００５０】
計測光学系４０では、光源４１から射出された光が、リレーレンズ４２、ハーフミラー４３、対物レンズ４４を通して基板Ｗに照射される。基板Ｗで反射された光は対物レンズ４４、ハーフミラー４３を再び通り、リレーレンズ４５を経て、撮像素子３２に基板Ｗの拡大像を形成する。
【００５１】
形成された像のうち特徴的な部分、例えば基板Ｗのオリエンテーションフラットやノッチ、基板上のパターンと共に形成されたアライメントマーク等の位置が画像処理装置３３によってモニタされる。そして基板ステージＳＴＧと基板Ｗの相対的な位置、並びに基板Ｗの回転位置ずれ量が算出され、回転位置ずれ量は式（３）の条件を満足しているかが確認される。
【００５２】
式（３）の条件を満足していればそのまま、満足してない場合は、基板ステージＳＴＧが回転駆動機構５１により法線回りに回転され、基板Ｗの回転位置ずれが補正される。この際、画像処理装置３３から導線により電気的な指令信号が、回転駆動機構５１に対して出力され、その回転量が調節される適切な補正がなされる。
【００５３】
モニタされる所は通常は、基板上の１箇所であるが、複数箇所をモニタすればさらに正確な回転補正量が算出されるのは言うまでもない。
【００５４】
その後検査部に、基板Ｗの中心と受光光学系２０の光軸とが一致するように基板ステージＳＴＧが適宜移動し、欠陥検査の工程へ移る。あるいは、基板ステージＳＴＧを検査部に移動した後に、補正回転量だけ基板ステージＳＴＧを回転して補正してもよい。
【００５５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、計測部を設けたので、被検査基板の回転方向の位置を計測し、被検査基板の欠陥検査の際に回転位置ずれ量を補正することができ、回転位置ずれの影響を少なくして、効率的な被検査基板の欠陥検査が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の装置の側面図である。
【図２】本発明の実施の形態の装置の概念を示す側面図である。
【図３】図１の装置において、基板ステージを傾斜させた場合の側面図である。
【図４】基板ステージを傾斜させた場合の入射角と回折光の方向と傾斜角の関係を説明する図である。
【符号の説明】
１検査部
２計測部
１０照明光学系
１１光源
１２リレーレンズ
１３表面反射鏡
１４球面（凹面）反射鏡
２０受光光学系
２１球面（凹面）反射鏡
２２表面反射鏡
２３受光レンズ
３１、３２撮像素子
３３画像処理装置
４０計測光学系
４１光源
４２リレーレンズ
４３ハーフミラー
４４対物レンズ
４５リレーレンズ
５１回転駆動装置
５２基板ステージ傾斜機構
ＡＸ１、ＡＸ２回転軸線
Ｌ１照明光
Ｌ２回折光
ＬＸ１、ＬＸ２光軸
ＳＴＧ基板ステージ
Ｗ基板

Claims

基板を載置する基板ステージと；
前記基板ステージに載置された被検査基板から射出される回折光による該被検査基板の像に基づいて該被検査基板の欠陥検査を行う検査部と；
前記検査部に対する前記被検査基板の位置を計測する計測部とを備え；
前記計測部は、前記被検査基板の、該被検査基板の表面に垂直な第１軸線に関する回転方向の位置を計測し；
前記検査部は、前記被検査基板を照明する照明光学系と、該照明光学系からの照明光のうち、該被検査基板上に形成されたパターンからの回折光を受光する受光光学系と、前記受光光学系にて得られた前記被検査基板の像を撮像する第一の撮像手段とを備え；
前記基板ステージは、前記第１軸線回りに回転可能であるように構成され；
前記受光光学系が前記回折光を受光するよう、前記基板ステージの前記第１軸線回りの回転方向の位置を調整可能に構成され；
前記受光光学系は、表面反射鏡を有し、前記第一の撮像手段に回折光を入射させる前記受光光学系の光軸は、前記表面反射鏡で偏向され、該偏向の方向が前記被検査基板を挟む前記照明光学系の光軸と前記受光光学系の光軸とがなす平面から逸脱する方向であることを特徴とする；
基板欠陥検査装置。
前記計測部は、前記被検査基板の法線方向から見た前記照明光学系から前記受光光学系に至る光軸の前記第１軸線に関する回転方向の位置と、前記被検査基板に形成された周期パターンの並び方向の前記第１軸線に関する回転方向の位置と、の相対位置を計測することを特徴とする；
請求項１に記載の基板欠陥検査装置。
前記基板ステージは、前記被検査基板の表面内で、かつ該被検査基板と交わる前記受光光学系の光軸に垂直である第２軸線回りに前記基板ステージを回転させる基板ステージ傾斜機構を備えたことを特徴とする；
請求項１または請求項２に記載の、基板欠陥検査装置。
前記検査部は、さらに該第一の撮像手段にて得られた該被検査基板の画像に基づいて画像処理を行う第一の画像処理装置とを含んで構成され；
前記計測部は計測光学系と、該計測光学系にて得られた前記被検査基板の像を撮像する第二の撮像手段と、該第二の撮像手段にて得られた前記被検査基板の画像に基づいて画像処理を行う第二の画像処理装置とを含んで構成され；
前記第二の画像処理装置からの情報に基づいて前記基板ステージの前記第１軸線回りの回転方向の位置を調整可能に構成されたことを特徴とする；
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の、基板欠陥検査装置。
前記第二の画像処理装置からの情報に基づいて、前記被検査基板の前記第１軸線回りの回転位置ずれ量が算出され、前記回転位置ずれ量が以下の式を満足するように、前記回転方向の位置の調整が行われる；
請求項４に記載の基板欠陥検査装置。
δφ≦｜（ｐ／ｍλ）ＮＡ｜
但し、
δφは、前記被検査基板の回転位置ずれ量の絶対値
λは、前記照明光の波長
ｐは、前記パターンのピッチ
ｍは、前記回折光の次数
ＮＡは、前記受光光学系の開口数
前記第二の画像処理装置は、前記第一の画像処理装置と共通部分を含むことを特徴とする；
請求項４または請求項５に記載の、基板欠陥検査装置。