JP2000131239A

JP2000131239A - 欠陥検査装置

Info

Publication number: JP2000131239A
Application number: JP10304173A
Authority: JP
Inventors: Takeo Omori; 健雄大森
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1998-10-26
Filing date: 1998-10-26
Publication date: 2000-05-12

Abstract

(57)【要約】【課題】小型な装置で、微細なパターンピッチを有する
被検基板の表面欠陥を高精度に検出できる欠陥検査装置
を提供すること。【解決手段】光束を供給する光源ユニット１と、前記
光源ユニットからの光束を被検基板３へ導く光学ユニッ
ト２と、前記被検基板からの回折光を受光する受光ユニ
ット５と、前記受光ユニットからの出力に基づいて前記
被検基板の表面状態を検出する処理ユニット６とを有
し、前記光学ユニットは、前記被検基板からの回折光を
前記受光ユニットへ導くことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の製
造分野において、基板表面のムラ又は傷等の欠陥を検出
する欠陥検査装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＣウエハ又は液晶基板表面のム
ラ、傷等の欠陥を自動的に検査するための種々の装置が
提案されている。図６は従来装置の構成を示す図であ
る。光源１０１からの光束は、レンズ１０２を透過した
後反射ミラーＭ１で反射され、凹面ミラーＭ２で平行光
に変換され、被検基板３に照射される。次に、被検基板
上の規則的なパターンに起因して発生した回折光は、凹
面反射ミラーＭ３で反射され、さらに反射ミラーＭ４を
介して受光ユニット５で受光される。そして、コンピュ
ータ等から構成される処理ユニット６は、受光ユニット
５からの信号に基づいて、被検基板３の表面の欠陥を検
出する。従来装置の構成では、被検基板３を平行光で照
明する凹面ミラーＭ２を含む照明光学系と、回折光を受
光ユニット５へ導く凹面ミラーＭ３を含む受光光学系と
が独立した別個の光学系で構成されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の装置
は、以下の問題点を有している。第一に、照明光学系と
受光光学系とが独立しており、複数の大きな凹面鏡Ｍ
２、Ｍ３等が必要となるので、装置自体が大型化してし
まう問題がある。かかる装置の大型化は、特に液晶基板
用の欠陥検査装置で顕著となる。

【０００４】第二に、被検基板への入射光の入射角度と
回折光の回折角度との関係は、被検基板（ウエハ）のパ
ターンピッチをｐ、入射（照明）光の波長をλ、入射角
をθｉ、回折角をθｄ、回折次数をｍとそれぞれしたと
き、以下の式（１）、ｐ×（ｓｉｎθｄ−ｓｉｎθｉ）＝ｍλ （１）で表すことができる。（１）式から所定次数（ｍが一
定）の回折光に注目した場合、パターンピッチｐが小さ
いほど、即ちパターンが微細であるほど回折角θｉが大
きくなるので、回折光が入射光に近づくことが分かる。
図６に示した従来装置では、パターンピッチｐに対応し
て、（１）式を満足するように照明光学系、被検基板
（ウエハ）、及び受光光学系が配置される。ここで、照
明光学系と受光光学系とを近づける場合にも物理的に限
界がある。

【０００５】したがって、従来の欠陥検査装置では、装
置の大型化を回避しつつ、かつパターンピッチｐがかか
る限界で定まるピッチｐよりも小さい場合は検査を行う
ことができないという問題がある。

【０００６】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、小型な装置で、微細なパターンピッチを有する被
検基板の表面欠陥を高精度に検出できる欠陥検査装置を
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明では、光束を供給する光源ユニ
ットと、前記光源ユニットからの光束を被検基板へ導く
光学ユニットと、前記被検基板からの回折光を受光する
受光ユニットと、前記受光ユニットからの出力に基づい
て前記被検基板の表面状態を検出する処理ユニットとを
有し、前記光学ユニットは、前記被検基板からの回折光
を前記受光ユニットへ導くことを特徴とする。

【０００８】また、請求項２記載の発明では、前記光源
ユニット及び前記光学ユニットと、及び前記被検基板と
の少なくとも一方を動かすための駆動ユニットをさらに
有することを特徴とする。

【０００９】また、請求項３記載の発明では、前記光源
ユニットから供給される光束の波長が可変であることを
特徴とする。

【００１０】また、請求項４記載の発明では、前記被検
基板のパターンのピッチをｐ、前記光源ユニットの波長
をλとしたとき、ｐ／λ＞０．５の条件を満足することを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
の実施の形態を説明する。図１において、ハロゲンラン
プ、メタルハライドランプ、水銀ランプ等の光源１０１
から射出された白色照明光は、干渉フィルタＩＦを透過
することで所定の波長のみ選択された後、リレーレンズ
１０２を通り、反射ミラー２でほぼ平行な光束に変換さ
れて、ステージ７に載置された被検基板３に導かれる。
ここで、光源１０１とリレーレンズ１０２とで照明光学
系１を構成する。さらに好ましくは、複数の干渉フィル
タを光路中に選択的に挿脱可能にして、種々の波長を選
択できることが望ましい。また、レーザなどの単色光源
を用いても良いが、その場合は、レーザの可干渉性を低
減させておいた方が望ましい。

【００１２】また、ステージ７は複数の回転軸を有して
おり、モータＭＴにより被検基板の回転（ローテーショ
ン）及び傾き（チルト）を調整できる。被検基板３から
の回折光は、パターンのピッチによりその回折角が異な
る。したがって、回折光が、入射光の入射角度と僅かに
異なる角度で反射ミラー２に再び入射するようにステー
ジ７を制御し被検基板３を適宜傾ける（チルト）ことが
望ましい。図２に被検基板３をチルトさせた場合の構成
を示す。

【００１３】次に、反射ミラー２で再び反射された回折
光は、受光レンズで構成されている受光光学系４を通
り、被検基板３の回折光による像がＣＣＤ撮像素子を含
む受光ユニットである撮像素子５で取り込まれる。そし
て、画像処理装置６は、取り込んだ画像に基づいて被検
基板３の表面の傷、異物等の欠陥を検出する。例えば、
検査中の被検基板３の像と、予め記憶部Ｍに記憶させて
おいた欠陥のない基準基板の像とを比較することで、デ
フォーカスによるムラ部分が存在する場合は、ムラ部分
の明暗の差から、当該部分を欠陥として出力することが
できる。

【００１４】次に、被検基板３のチルト角について説明
する。被検基板３のパターンピッチをｐ、照明光の波長
をλ、回折次数をｍ、被検基板３が水平に保たれた時の
基板の法線を基準として基板と交わる照明光の角度をθ
ｉ、同様に基板と交わる回折光の角度をθｄ、チルト角
をθｔとそれぞれおくと、次式（２）、ｓｉｎ（θｄ−θｔ）−ｓｉｎ（θｉ＋θｔ）＝ｍλ／ｐ（２）の関係が成立する。符号は図３に示すように、照明光の
角度θｉは入射側に見込む角度方向を正、反射側に見込
む角度方向を負とし、回折光の角度θｄ及びチルト角θ
ｔは、入射側に見込む角度方向を負、反射側に見込む角
度方向を正としている。また、回折次数ｍは基板への入
射光の正反射光を基準として入射側に見込む角度方向を
負、反射側に見込む角度方向を正としている。θｉの範
囲は０度から９０度である。

【００１５】ここで、チルト角θｔが０度の場合は
（２）式でθｔ＝０とおいて、ｓｉｎθｄ−ｓｉｎθｉ＝ｍλ／ｐとなり、一般的な入射角と回折角の関係を示す式にな
る。

【００１６】また、チルト角θｔは（２）式を変形し
て、 θｔ＝（（θｄ−θｉ／２））−ｓｉｎ−１（ｍλ／２ｐｃｏｓ（（θｄ＋θ ｉ）／２））（３）となる。図２に示したように、被検基板３をチルトさせ
て回折光が受光光学系４に導かれた時は、上記（２）式
の関係を満足している。

【００１７】また、被検基板のレジストの塗布忘れ、剥
離忘れ、塗布または剥離のムラ（不均一性）等を検出す
る際に、レジストの有無による被検基板の見え方の差が
少ない場合がある。これはレジストが存在しない部分の
光の強度と、存在する部分の干渉後の光の強度が一致す
るためである。かかる場合には、強度に差が出るよう
に、干渉フィルタを交換して照明光の波長を変更するこ
とが望ましい。そして、波長を変更した場合は、式
（１）の関係を満足するように被検基板３をチルトさせ
る。

【００１８】また、本実施形態の反射ミラー２は凹面の
球面反射鏡であり、被検基板３は球面反射鏡の焦点面に
ほぼ一致するように配置されている。さらに、照明光学
系１は光源１０１と、受光光学系４の受光レンズの入射
瞳面とが、球面反射ミラーの焦点面内の異なる位置にそ
れぞれ配置されており、テレセントリックな光学系を構
成している。テレセントリックな系にするのは、撮像素
子５で取り込んだ画像の見え方を、被検基板３全面にわ
たって同じにするためである。

【００１９】テレセントリックな条件を満足しない光学
系では、被検基板３上の位置により、式（２）の基板へ
の入射角θｉ＋θｔ、回折角θｄ−θｔがそれぞれ異な
る。したがって、回折光の強度は入射光の入射角に依存
して変化するため、同じ欠陥でも基板上の位置により見
え方が異なる場合がある。これに対して、図１に示す本
実施形態にかかる装置はテレセントリックな光学系を採
用しているので、被検基板３全面にわたって入射角θｉ
＋θｔ、回折角θｄ−θｔを一定とすることができる。
このため、被検基板上の位置にかかわらず同じ欠陥であ
れば観察像の見え方が同じになり、欠陥の特定により有
利である。

【００２０】また、屈折系のテレセントリック光学系を
用いると装置が大型化するため、球面反射鏡を用いた反
射型の光学系にすることで、装置を小型化している。本
実施形態に係る装置の光学系は偏心光学系なので、球面
反射ミラーに対する入射光の入射する角度があまり大き
いと非点収差が大きくなるので、出来るだけ小さいこと
が望ましい。図１に示す装置では、球面反射ミラーに対
する入射光の入射角度はほぼ１０度である。

【００２１】また、被検基板３に対する入射角と被検基
板３からの回折角との差を大きくとると、反射ミラー２
を大きくする必要がある。ここで、入射角と回折角とを
一致させ、光路中にハーフミラーを設けて照明光路と受
光光路とを配置する構成を採用すると、反射ミラー２を
被検基板３とほぼ同じ大きさにする事が出来る。しか
し、かかる構成ではハーフミラーで光量が減少するの
で、良好な欠陥検査を行うためには好ましくない。そこ
で、本実施形態のように、入射角と回折角とを僅かに異
ならせる構成により、反射ミラー２の大型化を防止する
と共に、光量の損失を低減することができる。さらに、
ハーフミラー等の光学素子が不要であるため、光学部品
点数が少なく、簡易な構成で済む。

【００２２】入射角と回折角との差は、反射ミラー２の
焦点距離Ｆ、照明光学系１及び受光光学系４の大きさ等
に依存して変化する。図１において、入射光の光軸ＡＸ
１と回折光の光軸ＡＸ２との間の距離Ｌは、照明光学系
１と受光光学系４とが接触しない距離であることが必要
とされる。本実施形態の装置の光学系は、テレセントリ
ック光学系であるので、照明光学系１の光軸ＡＸ１と受
光光学系４の光軸ＡＸ２とは相互に平行と考えて良い。
ここで、照明光学系１からの入射光の入射角と被検基板
３上に形成される回折パターンによる回折角との差δθ
が小さい場合には、光軸間の距離Ｌとδθとの間には、
近似的に以下の（４）式の関係がほぼ成立する。ここ
で、δθの単位はラジアンである。

【００２３】Ｌ＝Ｆ×δθ （４）一方、照明光学系１と受光光学系４とが機械的に干渉し
ないためには、照明光学系１の外径（例えば、照明光学
系１中のレンズ１０１の外径）をφi、受光光学系４の
外径（例えば、受光光学系４中のレンズ４の外径）をφ
ｄとそれぞれしたとき、以下の（５）式の関係を満たす
ことが望ましい。

【００２４】（φi＋φｄ）／２<Ｌ（５）従って、照明光学系１及び受光光学系４は、上記の
（４）式及び（５）式との関係から次式（６）の関係を
満たすように設定されることが好ましい。

【００２５】（φi＋φｄ）／２Ｆ<δθ （６）したがって、径の小さい照明光学系及び受光光学系と、
焦点距離Ｆの長い反射ミラーとを組み合わせれば、入射
角と回折角との差を小さくする事ができるので、反射ミ
ラー２を小型化することができる。以下の表１に２つの
数値例Ａ，Ｂを掲げる。

【００２６】

【表１】（Ａ）照明光学系の外径 φi＝４０ｍｍ受光光学系の外径 φｄ＝５０ｍｍ光軸間の距離Ｌ＝５０ｍｍ反射ミラーの焦点距離Ｆ＝５００ｍｍ入射角と回折角の角度差５．７度（０．１０ラジアン）（Ｂ）照明光学系の外径 φi＝２０ｍｍ受光光学系の外径 φｄ＝３０ｍｍ光軸間の距離Ｌ＝３０ｍｍ反射ミラーの焦点距離Ｆ＝１０００ｍｍ入射角と回折角の角度差１．７度（０．０３０ラジアン）表１からも明らかなように、反射ミラーの焦点距離が長
いほど、入射角と回折角との角度差を小さくできる。ま
た、焦点距離が長くなれば装置も大型化するので、好ま
しくは光学系全体の大きさと当該焦点距離とを比較考量
して、適切な焦点距離を選択することが望ましい。

【００２７】また、被検基板３の大きさがＩＣウエハの
ように小さい場合には、δθがある程度大きくても構わ
ないが、被検基板３の径Ｄを反射ミラー（凹面鏡）２で
割った値の逆正接を目安にそれ以下にすることが好まし
い。その理由は、それより大きな角度となると、反射ミ
ラー２の反射面（凹面）において入射光束と反射光束と
が分離するからである。この事から、δθは、以下の
（７）式の関係を満たすことが望ましい。

【００２８】（φi＋φｄ）／２Ｆ<δθ<ｔan^-1（Ｄ／Ｆ）（７）ここで、以下に上記表１に示した２つの数値例（Ａ、
Ｂ）に対応する数値範囲を示すと、上記表１のＡに示す
数値例において、被検基板３を８インチウエハとして、
Ｄ＝２００ｍｍとすると、上記（７）式は、（８）式と
なる。

【００２９】０．０９<δθ<０．３８〔ｒａｄ〕（８）また、上記表１のＢに示す数値例において、被検基板３
を１２インチウエハとして、Ｄ＝３００ｍｍとすると、
上記（７）式は、以下の（９）式となる。

【００３０】０．０２５<δθ<０．２９〔ｒａｄ〕（９）また、被検基板がＩＣウエハ等である場合に、細かいピ
ッチのパターンを検査するには、入射角θｉが大きくな
るように構成し、マイナスｎ次の回折光を取り込み、照
明光の波長を検査対象パターンのピッチｐの２倍以下の
波長にするのが望ましい。以下、その理由を述べる。

【００３１】まず、（１）式を次式（１０）のように変
形する。

【００３２】ｐ＝ｍλ／（ｓｉｎθｄ−ｓｉｎθｉ）（１０）上式より、ｐ＞０、λ＞０より、分母と分子の符号をそ
ろえるためには、ｍ／（ｓｉｎθｄ−ｓｉｎθｉ）が正
であることが必要であり、かつ分子の絶対値を小さく
し、分母の絶対値を大きくすれば細かいピッチｐのパタ
ーンを検査できる事が分かる。

【００３３】また、θｉ、θｄの範囲はそれぞれ −９０°＜θｄ＜９０° ０°≦θｉ＜９０° であるから、（１０）式の分母の範囲は、２＜ｓｉｎθｄ−ｓｉｎθｉ＜１（１１）となる。

【００３４】ここで、ｍ＞０の場合、即ち＋ｎ次の回折
光を取り込む場合は、分母も正となるので、（１１）式
を、０≦ｓｉｎθｄ−ｓｉｎθｉ＜１とし、ｓｉｎθｄ−ｓｉｎθｉが１に近づくように入射
角θｄ、回折角θｉを配置すると、細かいパターンピッ
チを測定できる。図４に入射角θｄを９０度、回折角θ
ｉを０度に近づけた場合の概略配置を示す。しかし、か
かる配置は、上記従来技術で述べたような装置全体の大
型化等の問題を有している。

【００３５】これに対して、ｍ＜０、即ち−ｎ次の回折
光を取り込む場合は、分母も負だから、（１１）式を、 −２＜ｓｉｎθｄ−ｓｉｎθｉ≦０（１２）として、ｓｉｎθｄ−ｓｉｎθｉが−２に近づくように
入射角θｄと回折角θｉを設定すれば良い。具体的に
は、図５に示すように入射角θｄを−９０度、回折角θ
ｉを９０度に近づける構成となる。図からも明らかなよ
うに、必然的に照明光の入射光路と回折光路とが僅かに
異なり、かつ入射角度が大きい構成となる。また、細か
いピッチのパターンを測定する為に（１０）式の分子の
絶対値を小さくするには、取り込む回折光の次数ｍをマ
イナス１次にすれば良い。

【００３６】以上述べたことをまとめると、被検基板が
有するパターンのピッチｐと入射（照明）光の波長λと
の最適な関係は、（１０）式においてｍ＝−１で、かつ
（１２）式を満足する範囲として、ｐ／λ＞０．５、即
ちλ＜２ｐとなる。したがって、照明光の波長λを被検
基板のパターンピッチｐの２倍以下にすることが望まし
い。かかる条件を外れると、パターンピッチが細かくな
った時に、ステージをチルトさせても受光ユニットへ回
折光を導くことが出来なくなってしまう。

【００３７】具体的には、被検基板の水平位置を基準と
して照明光の入射角をθｉ＝＋３５度、回折光の回折角
度をθｄ＝−３３度、波長λ＝３６５ｎｍとし、被検基
板は±３５度傾けることができるとすると、ｐ＝０．２
０μｍ〜∞（無限大）のピッチを検査できるので、様々
なパターンのピッチに対応出来る。

【００３８】本実施形態においては、被検基板を傾けて
（チルト）いるが、これに限られるものではない。例え
ば、被検基板３と入射角θｉ、回折角θｄとの条件を満
足していれば、被検基板を傾けずに、照明光学系１と反
射ミラー２と受光光学系４と撮像素子５とを一体として
傾けても良い。かかる場合の傾斜させる角度（絶対値）
は、例えば、被検基板のみを傾ける時のステージ７のチ
ルト角と同じなのは言うまでもない。ステージ７は被検
基板３を吸着する必要があり、ステージによっては吸着
時に被検基板３に反りを生じさせ、回折光の光量が変化
する場合、又は液晶基板の様に被検基板３のサイズが大
きく、チルトステージを使用することが困難な場合に
は、ステージの代わりに光学系全体を傾斜させることが
望ましい。

【００３９】また、ステージ７のチルト角に制限がある
場合、又は欠陥検査の処理時間をさらに迅速化する場合
等は、ステージ７と、光学系全体とを両方同時に傾けて
も良い。

【００４０】また、本実施形態では光学ユニットとして
反射ミラーを使用しているが、これに限られず、光源か
らの光束を被検基板の方向へ反射させ、かつ被検基板か
らの回折光は受光ユニットの方向へ透過させるような光
学素子でも良い。

【００４１】なお、以上の本発明の実施の形態では、例
えば、ｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線（３６５ｎｍ）あるい
はｊ線（３１３ｎｍ）等の波長を含む光束を供給する水
銀ランプ等を光源１０１として用いることが可能である
が、ＹａＧレーザとこのＹａＧレーザからのレーザ光を
４倍高調波の光に変換する非線型光学素子とを組み合わ
せて、２６５ｎｍの光を供給するものを光源１０１とし
て用いることも可能である。また、ＹａＧレーザとこの
ＹａＧレーザからのレーザ光を５倍高調波の光に変換す
る非線型光学素子とを組み合わせて、２１３ｎｍの光を
供給するものを光源１０１として用いることも可能であ
る。さらに、２４８ｎｍの波長を持つ光を供給するＫｒ
Ｆエキシマレーザや１９３ｎｍの波長を持つ光を供給す
るＡｒＦエキシマレーザを光源１０１として用いること
も可能である。いずれにしても、本発明では、２００ｎ
ｍ以下の短い波長を持つ光を供給する光源を光源１０１
として用いることが可能である。

【００４２】また、以上の実施の形態では、光源ユニッ
ト（照明光学系）１からの光をほぼ平行光（コリメート
光）に変換する機能と被検基板からの回折光を集光して
受光ユニット（受光光学系）へ導く機能とを兼ね備えた
光学ユニットを反射鏡（凹面鏡）２で構成した例を示し
たが、この光学ユニットを屈折性の光学部材で構成する
ことも可能である。

【００４３】また、本発明では、以上の請求項１乃至請
求項４に記載したものに限らず、例えば、以下の（１）
乃至（３）に示すようにしても良い。（１）前記光学ユニットは、前記光源ユニットからの光
束を実質的に平行光束に変換する反射鏡を有することを
特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載
の欠陥検査装置。（２）前記光源ユニットと前記受光ユニットとは互いに
独立に分離した光軸をそれぞれ有することを特徴とする
請求項１乃至請求項４または上記（１）のいずれか１項
に記載の欠陥検査装置。（３）前記光学ユニットと前記光源ユニットとの間の照
明光路における前記光源ユニットの光軸と、前記光学ユ
ニットと前記受光ユニットとの間の受光光路における前
記受光ユニットの光軸とは互いに平行であることを特徴
とする上記（２）に記載の欠陥検査装置。（４）前記光源ユニットからの入射光の入射角と前記被
検基板上に形成される回折パターンによる回折角との差
をδθとし、前記光源ユニットの光軸と前記受光ユニッ
トの光軸との間の距離をＬ、光源ユニットの外径をφ
i、受光ユニットの外径をφｄ、前記反射鏡の焦点距離
をＦとするとき、（φi＋φｄ）／２Ｆ<δθ の関係を満足することを特徴とする請求項１乃至請求項
４または上記（１）乃至上記（３）のいずれが１項に記
載の欠陥検査装置。（５）前記光源ユニットからの入射光の入射角と前記被
検基板上に形成される回折パターンによる回折角との差
をδθとし、前記光源ユニットの光軸と前記受光ユニッ
トの光軸との間の距離をＬ、光源ユニットの外径をφi
、受光ユニットの外径をφｄ、前記反射鏡の焦点距離
をＦ、被検基板３の大きさ（又は径）をＤとするとき、（φi＋φｄ）／２Ｆ<δθ<ｔan^-1（Ｄ／Ｆ）の関係を満足することを特徴とする請求項１乃至請求項
４または上記（１）乃至上記（３）のいずれか１項に記
載の欠陥検査装置。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
入射角と回折角との角度差を僅かにする配置を採ること
で、小型な装置で被検基板の微細なパターンピッチの欠
陥検査を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる欠陥検査装置の構
成図である。

【図２】本発明の実施の形態にかかる欠陥検査装置の他
の構成図である。

【図３】照明光と回折光との関係を示す図である。

【図４】プラス次数の回折光で微細なピッチを検査する
場合の概略構成を示す図である。

【図５】マイナス次数の回折光で微細なピッチを検査す
る際の概略構成を示す図である。

【図６】従来の欠陥検査装置の構成を示す図である。

【符号の説明】

１照明光学系２反射ミラー３被検基板４受光光学系５撮像素子６画像処理装置７ステージ１０１光源１０２リレーレンズＩＦ干渉フィルタＭＴモータＭ記憶部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光束を供給する光源ユニットと、前記光源ユニットからの光束を被検基板へ導く光学ユニ
ットと、前記被検基板からの回折光を受光する受光ユニットと、前記受光ユニットからの出力に基づいて前記被検基板の
表面状態を検出する処理ユニットとを有し、前記光学ユニットは、前記被検基板からの回折光を前記
受光ユニットへ導くことを特徴とする欠陥検査装置。
【請求項２】前記光源ユニット及び前記光学ユニット
と、及び前記被検基板との少なくとも一方を動かすため
の駆動ユニットをさらに有することを特徴とする請求項
１記載の欠陥検査装置。
【請求項３】前記光源ユニットから供給される光束の
波長が可変であることを特徴とする請求項１又は２記載
の欠陥検査装置。
【請求項４】前記被検基板のパターンのピッチをｐ、前記光源ユニットの波長をλとしたとき、ｐ／λ＞０．５の条件を満足することを特徴とする請求項１記載の欠陥
検査装置。