JP3887391B2 - 赤外線ボロメーター - Google Patents

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Description

本発明は、赤外線の検出機であるボロメーターに関し、より詳細には赤外線の熱によって変化された抵抗値を読み出すときと熱吸収層の残熱を除去するために用いられる信号脚を備えた赤外線ボロメーターに関する。
一般的にボロメーターは赤外線センサーの一種であって、物体から放射される赤外線を吸収して熱エネルギーに変換されながら温度上昇をもたらす。このような温度上昇は電気抵抗を変化させるようになり、この変化された電気抵抗値を測定して物体を感知する放射エネルギーを測定する計器である。
このようなボロメーターは、民需用と軍需用に応用されており、物体の赤外線の熱を吸収する吸収体と吸収された熱によって抵抗値を変化させる抵抗体が信号脚によって基板から分離されている構造を有する。以下、従来のボロメーターの構造を詳細に説明し、それによる問題点を説明する。
図1は、従来のボロメーターの構造を示したものである。
図1に示されたように、現在の全てのボロメーターの構造は、信号を読み出す集積回路が内臓され保護層でコーティングされた下部基板110と、赤外線を吸収する吸収層(図示せず)と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体(図示せず)とを備え、前記下部基板110と所定の空間を有して互いに離間している上部基板120と、前記上部基板120と下部基板110とを機械的又は電気的に連結する信号脚130からなる。
前記のような構造によって、ボロメーターは前記上部基板120の抵抗体から信号脚130を通じて抵抗信号を入力し、下部基板110の集積回路でその信号を制御して出力することによって、外部の物体温度を感知できるようになる。
ボロメーターの構造において、ボロメーターの性能を向上させるためには、ボロメーターに吸収された物体から放射される赤外線の熱を損失せず吸収しなければならず、信号を測定した後に残熱を完全に除去することが重要な問題となる。
従って、従来のボロメーターでは、信号脚130が前記上部基板120及び下部基板110を機械的に連結する役割をするとともに、信号を測定した後の残熱を除去する役割をする。
しかし、前記のような信号脚130は電気的信号を伝逹することができる金属体からなるため、高い熱伝導性を持つ反面、高い熱伝導性によって赤外線の熱を吸収するとき赤外線の熱の損失をもたらすという問題がある。
前記のような問題を解決するための方法として、ボロメーターの熱伝導性を低めて性能を向上させるために信号脚130を長くしているが、画素の大きさが決まっているため信号脚130を長くすることには限界がある。
また、既存のボロメーターの構造において信号脚130を長くして熱伝導性を低めるようにしても、信号を読み出した後にボロメーターの抵抗体に蓄積された熱が完全に除去しない場合が生じ、残留熱はセルフヒーティング(self heating)とともに抵抗体の温度を高める結果となってボロメーターの性能を低下させる。
本発明の目的は、抵抗体から基板に信号を伝逹するときと抵抗体から残留熱を除去するときだけ抵抗体に接触する信号脚を提供して熱伝導率を低めることでボロメーターの性能を向上させることにある。
本発明の他の目的は、前記のような信号脚を提供することによってボロメーターの性能を向上させ民需用又は軍需用に利用されるボロメーターに適用するようにすることにある。
前記のような目的を成すための本発明による赤外線ボロメーターは、二つの基板が所定の空間を有して離間しており、支持脚によって連結され赤外線の熱を検出するボロメーターであって、保護層でコーティングされた集積回路を備えた下部基板と、赤外線を吸収する吸収層と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体を備え、前記下部基板と所定の空間を有して互いに離間されている上部基板と、前記上部基板を機械的に支持し、上部基板と下部基板とを連結するポストと、前記下部基板と上部基板との間で前記抵抗体から下部基板に信号を伝逹する信号脚と、前記信号脚が前記上部基板に接触状態又は非接触状態となるように前記信号脚を制御する信号脚制御手段と、前記下部基板の上面に形成され、赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層と、を含むことを特徴とする。
一実施形態に係る赤外線ボロメータでは、前記信号脚制御手段は、前記信号脚を前記上部基板と電気的にオン-オフされるように駆動するために下部基板の上面に形成された下部電極であることを特徴とする。
他の実施形態に係る赤外線ボロメータでは、前記信号脚は圧電素子を含んでおり、前記信号脚制御手段は、前記圧電素子に電圧を印加するための電極であることを特徴とする。
また、他の実施形態に係る赤外線ボロメータでは、前記信号脚は、二つの層以上の物質からなり、それぞれの層を成す物質の熱膨脹係数が異なるように形成されており、前記信号脚制御手段は、前記信号脚に熱を伝逹するための熱伝逹手段であることを特徴とする。
前記のような目的を成すための本発明による赤外線ボロメーターは、二つの基板が所定の空間を有して離間されており、支持脚によって連結され赤外線の熱を検出するボロメーターであって、保護層でコーティングされた集積回路を備えた下部基板と、赤外線を吸収する吸収層と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体とを備え、前記下部基板と所定の空間を有して互いに離間されている上部基板と、前記上部基板を機械的に支持し、上部基板と下部基板とを連結するポストと、前記下部基板と上部基板との間で前記抵抗体から下部基板に信号を伝逹する信号脚と、前記信号脚を前記上部基板と電気的にオン-オフされるように駆動するために下部基板の上面に形成された下部電極と、前記下部基板の上面に形成され赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層とを備えている。
また、前記のような目的を成すための本発明による赤外線ボロメーターは、保護層でコーティングされた集積回路を備えた下部基板と、赤外線を吸収する吸収層と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体とを備え、前記下部基板と所定の空間を有して互いに離間されている上部基板と、前記上部基板を機械的に支持し、上部基板と下部基板とを連結するポストと、前記下部基板と上部基板との間で前記抵抗体から下部基板に信号を伝逹し、圧電素子及び信号伝逹手段からなる信号脚と、前記圧電素子に電圧を印加するための電極と、前記下部基板の上面に形成され赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層とを備えている。
また、前記のような目的を成すための本発明による赤外線ボロメーターは、保護層でコーティングされた集積回路を備えた下部基板と、赤外線を吸収する吸収層と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体とを備え、前記下部基板と所定の空間を有して互いに離間されている上部基板と、前記上部基板を機械的に支持し、上部基板と下部基板とを連結するポストと、前記下部基板と上部基板との間で前記抵抗体から下部基板に信号を伝逹し、二つの層以上の物質からなり、それぞれの層を形成する物質の熱膨脹係数が異なるように形成される信号脚と、前記信号脚に熱を伝逹するための手段と、前記下部基板の上面に形成され赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層とを備えている。
本発明によれば、抵抗体から基板に信号を伝逹するときと抵抗体から残留熱を除去するときだけ抵抗体に接触する信号脚を提供することができる。
また、本発明によれば、熱伝導性が非常に低くなるため応答度を高めることができるようになる。
また、本発明によれば、前記のような信号脚を提供することによってボロメーターの性能を向上させ、民需用又は軍需用に利用されるボロメーターに応用が可能となる。
以下、本発明による赤外線ボロメーターの望ましい実施形態を添付された図面を参照して詳細に説明する。以下の実施形態において従来と同一の構成部材に対しては同様の符号を付けて説明する。
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの構造及び動作を説明すれば次のようである。
図2は、本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの構造を示した斜視図であり、図3は、本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの構造を示した側面図である。
図2及び図3に示したように、本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの構造は、信号を読み出す集積回路が内臓され保護層でコーティングされた下部基板110と、赤外線を吸収する吸収層(図示せず)と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体(図示せず)とを備え、前記下部基板110と所定の空間を有して互いに離間されている上部基板120と、前記上部基板120と下部基板110とを機械的に連結して上部基板120を支持するポスト210と、前記抵抗体から下部基板110に信号を伝逹するときと信号を出力した後に抵抗体の残留熱を除去するときだけ抵抗体に接触する信号脚200と、前記信号脚200を前記上部基板120と電気的にオン-オフされるように駆動するために下部基板110の上面に形成された下部電極220と、前記下部基板の上面に形成され赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層230とからなる。
前記のような構造を有する赤外線ボロメーターは、信号処理用の回路が集積された下部基板110を窒化けい素などの絶縁物質で保護し、前記絶縁物質の上に信号脚200を駆動するために下部電極220と反射層230として用いられる物質(Au、Al、Cr、Ni、Tiなど)を蒸着する。信号を読み出すための信号脚200は、下部電極220との短絡を防止するために、下部電極220上に蒸着された絶縁物質(Si、SiOなど)240上に形成され、初期状態で上部基板120に形成された抵抗体と接触するようにして熱伝導性も高くする。その上にボロメーターの抵抗体と吸収体を蒸着する。ボロメーターの上部基板120を支持するポスト210を通じる熱伝導性は3×10-8W/mK以下の低い値を有するようにする。その上にボロメーターの抵抗体と吸収体を蒸着して作る。
ここで、前記信号脚200は、多層として構成し、 Al(アルミニウム)と、SiO (二酸化ケイ素)と、Si(窒化けい素)と、Cr(クロム)と、Au(金)と、Ti(チタン)と、Ni(ニッケル)と、ポリシリコンと、シリコンとの少なくとも何れかの一つの物質からなり、それぞれの層は異なる物質から形成するのが望ましい。
前記の信号脚200を形成する物質は残留応力がそれぞれ異なり、二つの物質以上で構成したとき、残留応力による物質の伸張効果がさらに大きくなる。このような物質の残留応力を利用する技術は“Self−Adjusting Microstructures(SAMS)”分野に利用される公知の技術である。
また、信号を読み出すための信号脚200の熱伝導性は次の二つを考慮して設計することが望ましい。第一に、信号を読み出す数マイクロ秒(msec)〜数十マイクロ秒(msec)の間に上部基板120上の抵抗体に蓄積されている熱エネルギーが信号脚200を通じて下部基板110に可能な限り漏れないようにする。第二に、信号を読み出した後に上部基板120上の抵抗体に残っている熱を数ミリセカンド間に十分に除去することができる熱伝導性を有するように設計する。
図4は、本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの動作を説明するために示されたものである。
図4に示されたように、本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの構造の動作原理を説明すれば次のようである。
まず、(a)は赤外線ボロメーターの初期状態を示したものであり、初期状態で信号脚200と下部電極220とは接地(ground)状態である。このとき、信号脚200はそれぞれ異なる残留応力を有する2つの物質で層として形成されており上部基板120の方に撓んだ状態である。また、信号脚200と下部電極220との間には短絡を防止するために絶縁物質(図示せず)が塗布されている。
(b)においては、前記下部電極220に電圧を印加するとストレス(残留応力による)によって撓んだ信号脚200と下部電極220との間に静電力が発生する。この静電気力によって、信号脚200が下部電極220の方に引かれて、上部基板120上の抵抗体と信号脚200とが分離される。
前記信号脚200が上部基板120上の抵抗体から分離された状態では、ボロメーターの熱伝導は抵抗体の基板を機械的に支持しているポスト210だけを通じて行われる。従って、熱伝導が既存のボロメーターの構造よりさらに低くなるため、この状態でボロメーターが赤外線の熱を吸収する場合、同じ量の赤外線の熱を吸収してもさらに高い熱エネルギーが上部基板120上の抵抗体に蓄積され性能が向上する。ボロメーターに蓄積された赤外線による熱エネルギーは、ボロメーターの上部基板120上の抵抗体の抵抗を変化させる。
(c)は、上部基板120上の抵抗体の抵抗の変化値を下部基板110に伝逹する状態を示したものである。ここで、下部電極220の電圧を切ると信号脚200は上部基板120上の抵抗体と接触し、このとき電圧や電流を信号脚200に印加して抵抗の変化を読み出す。信号を読み出した後に上部基板120上の抵抗体に蓄積されている残熱を完全に除去するために、数ミリセカンド(milli second)の間は信号脚200が抵抗体に接しているようにする。信号脚200が上部基板120に接触してから信号を読み出す数マイクロ秒(msec)〜数十マイクロ秒(msec)の間は、抵抗体に吸収された赤外線による熱が信号脚200を介して下部基板110に可能な限り逃げないようにすると共に、信号読み出し後の数ミリセカンドの間に信号脚200を介して抵抗体に蓄積された熱を下部基板110に放出できる様に、信号脚200の材質を選択する。
その後、(d)のように下部電極220に電圧を印加して信号脚200を下部電極220の方へ引いて上部基板120上の抵抗体と分離するようにして、再び抵抗体が赤外線の熱を受けて熱エネルギーが蓄積されるようにして、図示された(a)、(b)及び(c)の段階を繰り返す。
<第2実施形態>
本発明の第2実施形態による赤外線ボロメーターの構造及び動作を説明すれば次のようである。
図5は、本発明の第2実施形態による赤外線ボロメーターの構造を示したものであり、図6は、本発明の第2実施形態による赤外線ボロメーターが信号を伝逹するときと残熱を放出するときの構造を示したものである。
図5及び図6に示されたように、本発明の第2実施形態による赤外線ボロメーターの構造は、信号を読み出す集積回路が内臓され保護層でコーティングされた下部基板110と、赤外線を吸収する吸収層(図示せず)と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体(図示せず)とを備え、前記下部基板110と所定の空間を有して互いに離間している上部基板120と、前記上部基板120と下部基板110とを機械的に連結して上部基板120を支持するポスト210と、前記抵抗体から下部基板110に信号を伝逹するとき及び信号を出力した後に抵抗体の残留熱を除去するときだけ抵抗体に接触する信号脚500と、赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層(図示せず)とからなる。
前記信号脚500は、機械的に撓むようにするために電圧印加をする電極510と、圧電素子520と、前記電極510との短絡を防止する絶縁層530及び上部基板120の抵抗体から信号を伝逹するための信号伝逹手段540とから構成される。
ここで、信号脚500を成す主要構成である前記圧電素子520は、石英(SiO)、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr、Ti)Oと、PZT)、酸化亜鉛(ZnO)、チタン酸バリウム(BaTiO)の何れかの一つの物質から構成されるのが望ましい。
前記の信号脚500は、圧電素子520を使った圧電気(Piezoelectric)の原理を利用する。圧電気効果には圧電気直接効果と圧電気逆効果とがある。電子の圧電気直接効果は、圧電素子に外部応力や震動変位などを加えると、その出力端に電気信号が発生する現象である。後者の圧電気逆効果は、圧電素子に外部から電圧を加えると素子が機械的に変位を起こす現象である。
ここで、本発明の第2実施形態による赤外線ボロメーターは、前記の圧電気逆効果を利用して信号脚を構成するようになる。
本発明の第2実施形態による赤外線ボロメーターの動作を説明すれば次のようである。ただし、本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの動作原理と基本的に同一であるため、以下では前記第1実施形態と異なる信号脚を中心に説明する。
まず、図5に示されたように、初期状態において信号脚500には電圧が印加されない状態であり、下部基板110と平行に位置され、この状態で上部基板120上の吸収体によって外部の物体の赤外線の熱を吸収する。
また、図6に示したように、圧電素子520の上下に置かれた電極510に電圧を印加すると、圧電素子は水平方向に収縮し、上部基板520の方へ撓むようになって、上部基板520上の抵抗体から抵抗値が信号伝逹手段540を通じて下部基板110に伝逹され、その抵抗値を読み出して外部物体の温度を感知するようになる。また、信号を読み出した後には上部基板120上の抵抗体から残熱を完全に除去するために数ミリセカンド(milli second)の間は信号脚500が抵抗体に接しているようにする。
<第3実施形態>
本発明の第3実施形態による赤外線ボロメーターの構造及び動作を説明すれば次のようである。
図7は、本発明の第3実施形態による赤外線ボロメーターの構造を示したものであり、図8は、本発明の第3実施形態による赤外線ボロメーターが信号を伝逹するときと残熱を放出するときの構造を示したものである。
図7及び図8に示されたように、本発明の第3実施形態による赤外線ボロメーターの構造は、信号を読み出す集積回路が内臓され保護層でコーティングされた下部基板110と、赤外線を吸収する吸収層(図示せず)と前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体(図示せず)とを備え、前記下部基板110と所定の空間を有して互いに離間している上部基板120と、前記上部基板120と下部基板110とを機械的に連結して上部基板120を支持するポスト210と、前記抵抗体から下部基板110に信号を伝逹するときと信号を出力した後に抵抗体の残留熱を除去するときだけ抵抗体に接触する信号脚700と、前記信号脚700に熱を伝逹するための熱伝逹手段710及び赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層(図示せず)とからなる。
ここで、前記信号脚700は機械的に撓むようにするために熱膨脹係数が異なる二つの物質が層として重ね合って形成される。
また、前記信号脚700を形成するそれぞれの層は、Al(アルミニウム)と、 SiO(二酸化ケイ素)と、 Si(窒化けい素)と、 Cr(クロム)と、Au(金)と、Ti(チタン)と、Ni(ニッケル)と、ポリシリコンと、シリコンとの少なくとも何れか一つの物質からなるのが望ましい。
つまり、本発明の第3実施形態による赤外線ボロメーターは、信号脚700を構成する物質の熱膨脹係数を利用して形成される。
本発明の第3実施形態による赤外線ボロメーターの動作を説明すれば次のようである。ただし、本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの動作原理と基本的に同一であるため、以下では前記第1実施形態と異なる信号脚を中心に説明する。
まず、図7に示したように、初期状態では信号脚700に熱を伝逹するための熱伝逹手段710に電流が印加されない状態であり、下部基板120と平行に位置され、この状態で上部基板120上の吸収体によって外部の物体の赤外線の熱を吸収する。
また、図8に示したように、熱伝逹手段710に電流を印加すれば、信号脚700は互いに異なる熱膨脹率によって上部基板120の方に撓むようになって、上部基板120上の抵抗体から抵抗値が信号脚700を通じて下部基板110に伝逹され、その抵抗値を読み出して外部の物体の温度を感知するようになる。また、信号を読み出した後には上部基板120上の抵抗体から残熱を完全に除去するために数ミリセカンドの間は信号脚700が抵抗体に接しているようにする。
ここで、信号脚が上部基板120の方に撓むようにするために信号脚700の上部側の物質の熱膨脹係数が下部側の物質の熱膨脹係数より小さく形成するのが望ましい。
このように、本発明が属する技術分野の当業者は、本発明がその技術的思想や必須的特徴を変更しない範囲内において他の具体的な形態として実施することができるということが分かる。従って、以上から記述した実施形態は全ての面で例示的なこととであり、それに限定されない。
従来の赤外線ボロメーターの構造を示した図面。 本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの構造を示した斜視図。 本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの構造を示した側面図。 本発明の第1実施形態による赤外線ボロメーターの動作を説明するために示された図面。 本発明の第2実施形態による赤外線ボロメーターの構造を示す図面。 本発明の第2実施形態による赤外線ボロメーターが信号を伝逹するときと残熱を放出するときの構造を示す図面。 本発明の第3実施形態による赤外線ボロメーターの構造を示す図面。 本発明の第3実施形態による赤外線ボロメーターが信号を伝逹するときと残熱を放出するときの構造を示す図面。
符号の説明
110 下部基板
120 上部基板
130、200、500、700 信号脚
210 ポスト
220 下部電極
230 反射層
240、530 絶縁層
510 電極
530 信号伝逹手段
710 熱伝逹手段

Claims (12)

  1. 二つの基板が所定の空間を有して離間しており、支持脚によって連結され赤外線の熱を検出するボロメーターであって、
    保護層でコーティングされた集積回路を備えた下部基板と、
    赤外線を吸収する吸収層と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体を備え、前記下部基板と所定の空間を有して互いに離間されている上部基板と、
    前記上部基板を機械的に支持し、上部基板と下部基板とを連結するポストと、
    前記下部基板と上部基板との間で前記抵抗体から下部基板に信号を伝逹する信号脚と、
    前記下部基板の上面に形成された下部電極であって、前記信号脚を前記上部基板に機械的に接触状態又は非接触状態になるように駆動して、前記信号脚を前記上部基板に電気的にオン-オフさせる下部電極と、
    前記下部基板の上面に形成され、赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層と、
    を含むことを特徴とする赤外線ボロメーター。
  2. 前記信号脚は少なくとも二つの層以上が重ね合って形成され、それぞれの層を形成する物質の残留応力が異なることを特徴とする、請求項1に記載の赤外線ボロメーター。
  3. 前記信号脚を形成するそれぞれの層は、 Al (アルミニウム)と、 SiO2(二酸化ケイ素)と、 SixNy (窒化けい素)と、 Cr (クロム)と、 Au (金)と、 Ti (チタン)と、 Ni (ニッケル)と、ポリシリコンと、シリコンとの少なくとも何れかの一つの物質からなり、それぞれの層は異なる物質からなることを特徴とする、請求項2に記載の赤外線ボロメーター。
  4. 前記信号脚のそれぞれの層を形成する物質は、残留応力によって上部基板の方向に撓むように形成されることを特徴とする、請求項2に記載の赤外線ボロメーター。
  5. 前記信号脚は複数の層を有し、それぞれの層は、Al(アルミニウム)と、 SiO2(二酸化ケイ素)と、 SixNy(窒化けい素)と、Cr(クローム)と、Au(金)と、Ti(チタン)と、Ni(ニッケル)と、ポリシリコンと、シリコンとの少なくとも何れかの一つの物質からなることを特徴とする、
    請求項1に記載の赤外線ボロメーター。
  6. 前記信号脚のそれぞれの層を形成する物質は、残留応力によって上部基板の方向に撓むように形成されることを特徴とする、請求項5に記載の赤外線ボロメーター。
  7. 前記信号脚と下部電極との間及び前記下部電極と下部基板との間には、電気的な短絡を防止するための絶縁物質が形成されていることを特徴とする、請求項1乃至6の何れかに記載の赤外線ボロメーター。
  8. 二つの基板が所定の空間を有して離間しており、支持脚によって連結され赤外線の熱を検出するボロメーターであって、
    保護層でコーティングされた集積回路を備える下部基板と、
    赤外線を吸収する吸収層と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体とを備え、前記下部基板と所定の空間を有して互いに離間している上部基板と、
    前記上部基板を機械的に支持し、上部基板と下部基板とを連結するポストと、
    圧電素子及び信号伝逹手段からなる信号脚であって、前記下部基板と上部基板との間で前記抵抗体から下部基板に信号を伝逹する前記信号脚と、
    前記圧電素子に電圧を印加することで前記信号脚を前記上部基板に機械的に接触又は非接触となるように駆動して、前記信号脚の前記信号伝達手段を前記上部基板に電気的にオン-オフさせる電極と、
    前記下部基板の上面に形成され、赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層と、
    を含むことを特徴とする赤外線ボロメーター。
  9. 前記圧電素子を形成する物質は、石英(SiO2)と、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr、Ti)O3、PZT)と、酸化亜鉛(ZnO)と、チタン酸バリウム(BaTiO3)との何れかの一つの物質であることを特徴とする、請求項8に記載の赤外線ボロメーター。
  10. 二つの基板が所定の空間を有して離間しており、支持脚によって連結され赤外線の熱を検出するボロメーターにおいて、
    保護層でコーティングされた集積回路を備えた下部基板と、
    赤外線を吸収する吸収層と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体とを備え、前記下部基板と所定の空間を有して互いに離間している上部基板と、
    前記上部基板を機械的に支持し、上部基板と下部基板とを連結するポストと、
    二つの層以上の物質からなり、それぞれの層を成す物質の熱膨脹係数が異なるように形成される信号脚であって、前記下部基板と上部基板との間で前記抵抗体から下部基板に信号を伝逹する前記信号脚と、
    前記信号脚に熱を伝逹することで前記信号脚を前記上部基板に機械的に接触又は非接触となるように駆動して、前記信号脚を前記上部基板に電気的にオン-オフさせる熱伝逹手段と、
    前記下部基板の上面に形成され、赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層と、
    を含むことを特徴とする赤外線ボロメーター。
  11. 前記信号脚を形成するそれぞれの層は、Al(アルミニウム)と、SiO2(二酸化ケイ素)と、SixNy(窒化けい素)と、Cr(クロム)と、Au(金)と、Ti(チタン)と、Ni(ニッケル)と、ポリシリコンと、シリコンとの少なくとも何れかの一つの物質からなり、それぞれの層は異なる物質からなることを特徴とする、請求項10に記載の赤外線ボロメーター。
  12. 二つの基板が所定の空間を有して離間しており、支持脚によって連結され赤外線の熱を検出するボロメーターであって、
    保護層でコーティングされた集積回路を備えた下部基板と、
    赤外線を吸収する吸収層と、前記吸収層から吸収された赤外線の熱によって抵抗値が変化する抵抗体を備え、前記下部基板と所定の空間を有して互いに離間されている上部基板と、
    前記上部基板を機械的に支持し、上部基板と下部基板とを連結するポストと、
    前記下部基板と上部基板との間で前記抵抗体から下部基板に信号を伝逹する信号脚と、
    前記信号脚が前記上部基板に接触状態又は非接触状態となるように前記信号脚を制御する信号脚制御手段と、
    前記下部基板の上面に形成され、赤外線の熱の吸収率を増加させるための反射層と、
    を含むことを特徴とする赤外線ボロメーター。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006132155A1 (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子デバイス及びその製造方法
EP1915598B1 (en) * 2005-08-17 2011-03-09 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Infrared sensor unit and process of fabricating the same
KR100785738B1 (ko) 2006-06-19 2007-12-18 한국과학기술원 볼로미터
US8047710B2 (en) * 2006-10-11 2011-11-01 Panasonic Corporation Electronic device
US7825381B2 (en) * 2007-06-29 2010-11-02 Agiltron, Inc. Micromechanical device for infrared sensing
KR100869548B1 (ko) * 2008-05-20 2008-11-19 아이쓰리시스템 주식회사 신호대잡음비가 향상된 볼로미터형 적외선 센서 및 그의제작 방법
KR101078208B1 (ko) * 2008-12-29 2011-11-01 한국과학기술원 볼로미터용 니켈 산화막 및 그의 제조방법, 니켈 산화막을 이용한 적외선 감지소자
CN101871818B (zh) * 2010-06-25 2012-05-23 清华大学 红外探测器
WO2013011753A1 (ja) * 2011-07-21 2013-01-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 熱センサ
KR101442811B1 (ko) * 2013-08-09 2014-09-23 아이쓰리시스템 주식회사 온도변화에 따른 출력 변화를 완화시킨 볼로미터형 적외선 센서
KR101661677B1 (ko) * 2015-06-24 2016-09-30 한국기계연구원 메타표면 흡수체를 포함한 볼로미터형 적외선 센서
US10222265B2 (en) * 2016-08-19 2019-03-05 Obsidian Sensors, Inc. Thermomechanical device for measuring electromagnetic radiation
US10175113B2 (en) 2017-04-12 2019-01-08 Raytheon Company Thermal protection mechanisms for uncooled microbolometers
JPWO2021241088A1 (ja) * 2020-05-25 2021-12-02
FR3142546A1 (fr) * 2022-11-29 2024-05-31 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif de détection d’un rayonnement électromagnétique et procédé de fabrication

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4695715A (en) * 1985-12-12 1987-09-22 Northrop Corporation Infrared imaging array employing metal tabs as connecting means
US5300915A (en) * 1986-07-16 1994-04-05 Honeywell Inc. Thermal sensor
US5486698A (en) * 1994-04-19 1996-01-23 Texas Instruments Incorporated Thermal imaging system with integrated thermal chopper
US6392232B1 (en) * 1995-07-21 2002-05-21 Pharmarcopeia, Inc. High fill factor bolometer array
US6144285A (en) * 1999-09-13 2000-11-07 Honeywell International Inc. Thermal sensor and method of making same
GB2365209A (en) * 2000-07-22 2002-02-13 Bae Sys Electronics Ltd Thermal sensing apparatus with reset means involving intermittently providing thermal path between a detector and a thermal sink

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