JP3882093B2 - タングステン電極材及びその熱処理法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明が属する技術分野】
本発明は、主として高圧放電灯等の電極材、特に水銀灯やキセノンランプ等の陰極材料として使用するに適したタングステン電極材に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
高圧放電灯用電極等の電極材としてよく知られているのは、酸化トリウムを添加したタングステン電極材、いわゆるトリエ−テッドタングステン材である。酸化トリウムは、電子放出材としては優れたものであり、広く使用されてきた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記酸化トリウムを添加したタングステン電極材は、電子放出特性に優れているものの、再結晶温度が低く、再結晶し易いため、電極形状の変化が生じ易いと云う問題点があった。また、酸化トリウムを添加したタングステン電極材は、作動温度が高く、したがって、電極が高温になり易く消耗量も大きいという問題もある。
【0004】
さらに、原料である酸化トリウム粉末は、放射性物質であるため、原料の入手が次第に困難となりつつあり、コストが高くつくとともに、法律上、その保管や取扱に厳重な管理が必要であるという問題点もある。
【0005】
近年、高圧放電灯等の用途が多様化し、従来のものよりも高度の性能を有する電極材が求められるようになった。すなわち、高圧放電灯において、陰極にかかる電流は極めて密度が高いため、高温になり易く、高い耐熱性が要求される。同時に、長時間連続して点灯される場合、及び点滅が反復して長時間行われる場合など、その用途、目的に応じて常に安定した放電が要求される。
【0006】
したがって、作動時の高温高圧化において、結晶組織が常に一定に保たれ、安定した放電が維持されるために、電子放出物質が内部より安定して供給されることが必要となる。
【0007】
本件発明者等は、タングステンに酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウムのうちの1種又は2種以上を所定の割合で添加することにより、電極材として優れた性能が得られることを見出し、これに関する発明についてすでに特許出願している(特公平3ー2219号、特開昭62ー224495号及び特開昭62ー286698号)。
【0008】
本発明は、上記すでに出願済みの発明にかかる電極材と同等以上の性能を有する電極材を提供することを目的になされたものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記課題を解決することを目的に種々の研究を行った結果、以下の電極材と熱処理法が優れていることを見出して本願発明を完成した。まず、第1の発明は、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウムのうちより1種以上を総量で0.2〜3.0重量%含み、残部がタングステンである材料で作られた直径0.2〜15mmの丸棒の先端部を15〜65度の角度で円錐状に尖らせ、その先端部を先端から0.2〜0.8mmの長さでカットしてなるタングステン電極材を要旨としている。
【0010】
次に、第2の発明は、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウムのうちより1種以上を総量で0.2〜3.0重量%含み、残部がタングステンである材料で作られた丸棒の先端部を円錐状に尖らせたもの、又はその先端部を所定の長さでカットしたものの表面部に、その直径の0.2〜10%の厚さで浸炭層を形成してなるタングステン電極材を要旨としている。
【0011】
上記浸炭層の組成は、実質的にW2 Cであるのが好ましい。このW2 Cの他に、少量のタングステン、他のタングステン炭化物、他の添加元素等が含まれていてもよいことは云うまでもない。
【0012】
さらに、第3の発明は、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウムのうちより1種以上を総量で0.2〜3.0重量%含み、残部がタングステンである材料、又はその表面部に浸炭層を形成した材料を還元性ガス雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で1600〜2200℃の温度で1〜30分加熱することを特徴とするタングステン電極材の熱処理法を要旨としている。
【0013】
なお、上記発明によって得られるタングステン電極材は、高性能を要求される高圧放電灯用陰極材として適したものであるのみならず、他の放電灯用電極等の電極材としてもすぐれたものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
この電極材料は、例えば次のようにして製造される。まず、原料となる金属タングステン粉末に酸化ランタンLa23 、酸化イットリウムY23 、酸化セリウムCeO2 からなる酸化物粉末群のうちより1種以上を添加し、均一に分散するまで混合する。酸化物粉末の添加量は、製品中の含有量が総量で0.2〜3.0重量%とするのが好ましい。金属タングステン粉末の好ましい平均粒度は、例えば2〜4ミクロンであり、酸化物粉末の好ましい平均粒度は例えば1〜3ミクロンである。
【0015】
得られた混合粉末は、粉末冶金における定法にしたがってプレス成形し、燒結を行った後、得られた燒結体にスエ−ジング、ドロ−イング等の必要な加工を施して所望の形状・寸法の電極材とする。この電極材は、主成分であるタングステンのほかに電子放出特性に優れた仕事関数の低い電子放出材料である酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウム等の酸化物を含んでおり、耐消耗性と、ア−ク点弧性にすぐれたものである。
【0016】
上記酸化物の含有量が0.2%よりも低い場合は性能的に期待するものが得られない。また、酸化物の含有量が3.0%よりも多くなると、現在の粉末冶金技術では、製造時におけるクラックの発生や折損事故が多発して不良率が増加するという問題がある。なお、酸化物の含有量が多くなると、融点が下がって消耗が激しくなる傾向があるので、大電流向けの用途には、酸化物の量を上記の範囲とするのが好ましい。
【0017】
このタングステンを主成分とする電極材は、加工形状等を変えることにより、プラズマ溶解精練用電極、タンデイッシュ用プラズマ電極、プラズマ溶接用電極、TIG溶接用電極、および各種照明用放電管の電極等として使用することができる。
【0018】
本発明者等の実験によれば、上記のようにして製造された丸棒の先端部分を特定の形状に加工して使用すれば、優れた性能が得られることがわかった。まず、上記組成を持つ素材としては、直径0.2〜15mmの丸棒状のものが好ましい。そして、その丸棒の先端部を15〜65度の範囲で円錐状に尖らせておくのが好ましい。図2は好ましい先端形状を表すもので、この電極材1の円錐状の先端部2の角度αは、放電灯の種類や出力、サイズ等により丸棒(線棒)の径が異なり、アーク距離も異なるため、上記範囲内で適宜選択するのが好ましい。この角度範囲以外では、先端消耗が激しくなったり、アークのふらつきのため照度の乱高下が起こりやすい。
【0019】
さらに、円錐状に尖らせた先端部を少しだけカットして、図2の(a)に示すように平坦部3を形成し、先端が余り鋭利にならないようにしておく方が長寿命と安定した電子放出性能が得られる。このカットする長さは、1mm以下、0.2〜0.8mmとするのが好ましい。このカット長さが小さ過ぎると安定性に欠け、大き過ぎるとア−ク特性が低下するのでいずれも好ましくない。このカットは、必ずしも実際に切断することにより行う必要はなく、研磨、塑性加工等他の方法で行ってもよい。また、上記平坦部3の形状は平面状でなくてもよく、例えば、図2の(b)に示すように凸状の曲面4として形成してもよい。
【0020】
また、上記組成の丸棒材料の表面部に、その直径の0.2〜10%の厚さで浸炭層を形成しておけば、内部からの電子放出がこの浸炭層によって抑制され、一挙に大量の電子放出が行われず、常時適量の電子放出が行われるため、長時間にわたり安定した性能を得ることができる。この浸炭層の組成は実質的にW2 Cであるのが効果的である。この浸炭層の組成が例えばWCであると、電子放出抑制効果が大き過ぎて、性能が低下する。また、この浸炭層の厚みが上記範囲よりも薄過ぎると抑制効果が小さくなり、厚過ぎると抑制効果が大き過ぎるようになるので、いずれも好ましくない。
【0021】
上記表面層の浸炭処理は、例えば水素ガスに気化したメタンを混合したガス雰囲気中で1800℃で30分程度加熱することにより行われる。炭素源としては、メタンに限らず、ベンゼン、プロパンなどでもよく、場合によっては、炭素粉末中に埋め込んで加熱してもよい。加熱温度と時間は、電極材の寸法等に応じて適当な条件とすればよい。
【0022】
なお、結晶組織を調整して、電子放出を好ましい状態とするため、上記組成の材料を水素ガス等の還元性ガス雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で1600〜2200℃の温度で1〜30分加熱する熱処理を施しておくのが好ましい。
【0023】
【実施例】
平均粒度2.7ミクロン、純度99.9%以上のタングステン粉末に平均粒度1〜2ミクロンの酸化物粉末を添加し、乾式で十分混合した。添加する酸化物粉末の量は、最終製品中の含有量が表1に示す量となるようにした。得られた混合粉末を原料として、粉末冶金法における定法にしたがって圧縮成形、燒結、スエージングを行い、直径3.2mmの丸棒を製造した。
【0024】
得られた丸棒の先端部を30度の円錐状に研削加工し、その尖った先端を0.2mmの長さでカットした。なお、表1には、組成等が異なる比較例を併せて記載した。
【0025】
【表1】
Figure 0003882093
【0026】
次に、上記加工後の丸棒材料を、水素気流中でメタンを気化させて混合した雰囲気中にて、1800℃で約30分加熱保持し、表面部に約30ミクロンの厚さの浸炭層を形成した。この浸炭層の組成を調べたところ、主としてW2 Cであった。浸炭後の材料は、水素雰囲気中で2000℃で約10分間加熱処理を行った。
【0027】
図1は、これらの電極材を用いて100時間、300時間、700時間の連続点灯を行い、その消耗量を測定した結果を示す。この点灯試験は、チャンバ内のアルゴン雰囲気中で上記先端部を加工した丸棒からなる電極材を陰極とし、純タングステン材を陽極としてアーク距離2mm、12A定電圧にて行った。
【0028】
表2は、上記と同一の材料を用いて、かつ同一の条件下で20分点灯、5分間休止を1サイクルとし、これを100回及び500回繰り返し、それぞれ1秒以内に点弧した回数を測定したものである。同表には、比較例のデータも併記されている。
【0029】
【表2】
Figure 0003882093
【0030】
【発明の効果】
以上に説明した如く、本発明にかかるタングステン電極材料は、従来のトリエ−テッドタングステン電極材以上の良好な点弧性を有し、耐消耗性もきわめてすぐれている。
【図面の簡単な説明】
【図1】消耗試験結果を表すグラフである。
【図2】電極材の好ましい先端形状を表す図である。
【符号の説明】
1 電極材
2 円錐状先端部
3 平坦部(先端カット部)

Claims (3)

  1. 酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウムのうちより1種以上を総量で0.2〜3.0重量%含み、残部がタングステンである材料で作られた直径0.2〜15mmの丸棒の先端部を15〜65度の角度で円錐状に尖らせ、その先端部を先端から0.2〜0.8mmの長さでカットしてなるタングステン電極であって、表面部に、その丸棒部分の直径の0.2〜10%の厚さで浸炭層を形成してなるタングステン電極
  2. 浸炭層の組成が実質的にW2Cである請求項に記載のタングステン電極
  3. 酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化セリウムのうちより1種以上を総量で0.2〜3.0重量%含み、残部がタングステンであり、直径0.2〜15mmの丸棒の先端部を15〜65度の角度で円錐状に尖らせ、その先端部を先端から0.2〜0.8mmの長さでカットしてなり、表面部に、その丸棒部分の直径の0.2〜10%の厚さで浸炭層を形成した材料を、還元性ガス雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で1600〜2200℃の温度で1〜30分加熱することを特徴とするタングステン電極の熱処理法。
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