JP3870516B2 - 防汚性薄膜の形成方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は偏光板等の光学部材で防汚性を必要とする各種基材の表面に、防汚性薄膜を形成する方法に関するものであり、特に連続成膜可能な防汚性薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、レンズや偏光板等の反射防止膜付き光学部材において、汗や指紋等による汚れが付着し易く、一旦付着したこのような汚れを除去するために、特殊な布等で拭き取るなどの操作が知られているが、完全に除去するには困難なものであった。
【０００３】
このような問題を解決する手段として、防汚性あるいは撥水性のあるフルオロアルキルシランの薄膜を光学部材の表面に形成する方法が提案されている。例えば、特開平５−２１５９０５号公報では、フルオロアルキルシラザン等を金属粉末の焼結フィルターに含浸させた蒸発源を用いる真空蒸着方法としたものであり、また、特開平８−１４３３３２号公報では、フルオロアルメキルシラザンをスチールウールに含浸させた蒸発源を用いる真空蒸着方法としたものが開示されている。
【０００４】
また、特開平６−１２２７７８号公報では、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてフルオロアルキルシランの撥水性薄膜を形成する方法としたものが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開平５−２１５９０５号公報、特開平８−１４３３３２号公報に開示されている方法では、メガネレンズ等の被処理基材にバッチ処理で防汚性薄膜を形成するために開発された方法であって、被処理基材としてポリエステルフィルムやポリアセチルセルロースフィルム等のロール状のフィルムを用いた巻き取り方式で連続処理を行ったとしても、蒸着源のセットや調整に煩雑さがあるため、蒸発量の安定性、制御性および処理の作業性が悪いという問題があった。特に、被処理基材が反射防止膜付きの光学部材である場合、薄膜の厚みムラは光学特性ムラの原因となるため、致命的問題であった。
【０００６】
また、上記特開平６−１２２７７８号公報に開示されている方法では、巻き取り方式で連続処理も可能であるが、メガネレンズ等の水やけ防止を目的に提案された撥水性薄膜であるため、防汚性が不十分なものであった。すなわち、防汚性の優れた材料は概して、分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高くなる傾向にあるが、上記のＣＶＤ法ではこのような材料の薄膜化は不向きであって、上記提案の材料にも防汚性の点で問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するものであり、その課題とするところは、偏光板等の光学部材の防汚性薄膜の形成において、より優れた防汚性薄膜を安定的にムラがなく、その薄膜形成の制御性および蒸発源の調整やセット等の作業性に優れた簡便な防汚性薄膜の形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１の発明では、真空蒸着法によって被処理基材の表面に防汚性薄膜を形成する方法であって、織物状の含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれらの混合系材料からなる防汚性材料をランプヒーターによる放射加熱もしくはヒートローラーによる接触加熱により蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【０００９】
また、請求項２の発明では、前記織物状の含浸担体がロ−ル状であって、そのロール状含浸担体を連続巻き取り式送り装置により送り、連続的に蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１０】
また、請求項３の発明では、前記織物状の含浸担体がグラスファイバ−からなることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１１】
また、請求項４の発明では、前記織物状の含浸担体がカ−ボンファイバ−からなることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１２】
また、請求項５の発明では、前記織物状の含浸担体がアルミナファイバ−からなることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１６】
ここで、上記フルオロアルキルシラン等の防汚性材料とは、真空蒸着法に適用できる材料で、分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の材料との混合物であり、発明者らの鋭意検討を重ねた結果、非常に防汚性の優れた材料であることを見いだしたもので、具体的には、フルオロアルキルシラン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれらの混合系材料である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を説明する。
本発明の防汚性薄膜の形成方法は、図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）によって被処理基材（１０）の表面に防汚性薄膜を形成する方法であって、織物状の含浸担体（２０）に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料をランプヒ−タ−（３０）による放射加熱もしくは図２に示すヒートローラー（４０）による接触加熱により蒸発させるものであり、前記織物状の含浸担体（２０）がロ−ル状であって、そのロール状含浸担体（２０ａ）を連続巻き取り式送り装置（１１０）により、連続的に蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１８】
また、前記織物状の含浸担体（２０）が、グラスファイバー、カーボンファイバーまたはアルミナファイバーからなるものである。
【００１９】
以上のような本発明の防汚性薄膜の形成方法によれば、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内の被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度とロール状含浸担体（２０ａ）の送り速度の調整だけで、単分子あるいは数分子層程度の防汚性薄膜（１）を安定してムラなく形成することができ、織物状の含浸担体（２０）をロール状含浸担体（２０ａ）とし、連続巻き取り式送り装置（１１０）で連続的に蒸発させることによって、１万ｍ以上の被処理基材（１０）であるロールフィルムの連続処理が容易に可能となり、かつロール状含浸担体（２０ａ）の調整やセットを簡単にすることができるものである。
【００２０】
また、本発明のもう一つの防汚性薄膜の形成方法は、図３に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）によって被処理基材（１０）の表面に防汚性薄膜（１）を形成する方法であって、セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料を、ランプヒ−タ−（３０）による照射加熱により蒸発させるものであり、前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）が、図４（ａ）に示すように、板状含浸担体（２４ａ）であって、または、図４（ｂ）に示すように、裏面に金属板（２４ｃ）を備えた板状含浸担体（２４ａ）であって、これら板状含浸担体（２４ａ）の表面からランプヒ−タ−（３０）による照射加熱してなることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００２１】
また、前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）が、図５（ａ）に示すように、ペレット状含浸担体（２４ｂ）もしくは図６（ａ）に示すように、塊状含浸担体（２４ｅ）もしくは図７に示すように、粉状含浸担体（２４ｆ）であって、または図５（ｂ）に示すように、裏面に多数個穿設された金属板（２４ｄ）を備えたペレット状含浸担体（２４ｂ）もしくは図６（ｂ）に示すように、塊状含浸担体（２４ｅ）であって、それらペレット状含浸担体（２４ｂ）もしくは塊状含浸担体（２４ｅ）もしくは粉状含浸担体（２４ｆ）の裏面からランプヒ−タ−（３０）による照射加熱してなることを特徴とする防汚性薄膜（１）の形成方法としたものである。
【００２２】
以上のような本発明のもう一つの防汚性薄膜の形成方法によれば、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内の被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度の調整だけで、単分子あるいは数分子層程度の防汚性薄膜を安定してムラなく形成することができ、セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）の上記形状と長さを調整することによって、５００ｍから数千ｍの被処理基材（１０）であるロールフィルムの連続処理が容易に可能となり、かつセラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）の調整やセットを簡単にすることができるものである。
【００２３】
ここで上記各含浸担体（２０、２４）に浸した非常に防汚性に優れた防汚性材料として、上述のように、真空蒸着法に適用できる材料で、分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の材料との混合物であり、具体的には、フルオロアルキルシラン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれらの混合系材料である。
【００２４】
さらに具体的には、一般式
【００２５】
［化１］
Ｒｆ−ＯＨ
（式中Ｒｆは、数平均分子量５００〜１０，０００のフッ素を有する置換基を表す）
で表されるフッ素系材料あるいは、一般式
【００２６】
［化２］
ＣＦ3（ＣＦ2）n（ＣＨ2）mＳｉ（ＮＨ）1.5
（ｎは正の整数、ｍは０以上の整数、Ａは加水分解可能な置換基を表す。）
で表されるフルオロアルキルシラザンあるいは上記材料との混合物である。
【００２７】
これら防汚性材料をメタキシレンヘキサフロライドなどのフッ素系溶媒で０．１から３０重量％に希釈し、グラスファイバ−、カ−ボンファイバ−、アルミナファイバ−等からなる織物状の含浸担体（２０）または硫酸カルシウム、カルシア、シリカ、マグネシア、アルミナあるいはそれら材料との混合物等のセラミックス粉末を焼成した多孔性形成体からなる含浸担体（２４）に含浸後乾燥させ、それぞれの蒸着用含浸担体とする。
【００２８】
ここで上記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）について詳述する。
セラミックスの焼成形状には、板状、ペレット状、塊状、粉状等が考えられる。照射加熱方法によらず材料の蒸発方向には指向性がないので、被処理基材（１０）側に蒸発する効率をよくするためには、形状と加熱方法のマッチングが必要である。本発明のランプヒ−タ−（３０）による照射加熱では、図４（ａ）に示すマクロ的隙間の無い板状含浸担体（２４ａ）の場合は、表面（被処理基材（１０）側）からのランプヒ−タ−（３０）による照射加熱が適している。また図４（ｂ）に示すこの板状含浸担体（２４ａ）の下面に金属製板（２４ｃ）を設けることで一旦裏面に蒸発した材料を表面に再蒸発させることができるので、より材料使用効率がよくなるものである。
また、ペレット状含浸担体（２４ｂ）や塊状含浸担体（２４ｅ）や粉状含浸担体（２４ｆ）の場合、表面照射でもよいが、図５（ａ）および図６（ａ）および図７に示すように、裏面（被処理基材（１０）と反対側）照射がより良い成膜を可能にする。また、図５（ｂ）および図６（ｂ）に示すように、このペレット状含浸担体（２４ｂ）や塊状含浸担体（２４ｅ）の下面に多数穿設された金属製板（２４ｄ）を設けることで前記板状含浸担体（２４ａ）同様に一旦裏面に蒸発した材料を表面に再蒸発させることができるので、より材料使用効率よくなるものである。
【００２９】
被処理基材（１０）としての光学部材には、例えば、液晶ディスプレー用の偏光板あるいは偏光板貼り付け用反射防止フィルムやテレビモニタ−貼り付け用反射防止フィルムがあり、いずれの場合でも真空蒸着やスパッタリング法などのドライコ−トあるいはディップコ−トやスピンコ−トなどのウェットコ−トなどによって、ハ−ドコ−ト付きのポリエステルフィルムやトリアセチルセルロ−スフィルム等のロ−ルフィルム上に、反射防止膜を積層したものを用いる。この反射防止膜はＭｇＦ2、ＬｉＦ2、ＴｈＦ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などのフッ化物、酸化物を単層で、あるいは積層したものを用いる。
【００３０】
これら上述の被処理基材（１０）と蒸着用含浸担体（２０、２４）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この蒸着用含浸担体（織物状の含浸担体（２０）の場合）を適当な速度で送り込みながら、特定の一部分を１５０℃〜５００℃、好ましくは２００℃から４００℃に加熱し含浸された材料を蒸発させる。加熱方法として、両者の蒸着用含浸担体（２０、２４）ではランプヒ−タ−（３０）加熱が適用され、織物状の含浸担体（２０）には、図２に示すようにヒートローラー（４０）による接触加熱を用いることもできる。
【００３１】
【実施例】
次に本発明を実施例により、さらに具体的に説明する。
〈実施例１〉
前記化２で表されるフルオロアルキルシラザンをメタキシレンヘキサフロライドで３重量％に希釈した溶液（信越化学工業製：ＫＰ８０１Ｍ）を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ１ｍのグラスファイバ−からなる織物（日東紡製スライバ−クロスＷＳ８５０Ｓ１００）に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。
【００３２】
また、被処理基材（１０）として、幅５００ｍｍ・厚さ８０ミクロン・長さ５００ｍのトリアセチルセルロ−スフィルム上にハ−ドコ−ト層と反射防止膜を積層したものを用いて、図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内の巻き出しロール（１２）、蒸着ロール（１６）および巻き取りロール（１４）に装填した。
【００３３】
さらに、図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内に上記で得られた蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置（１１０）を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、蒸着用織物状の含浸担体（２０）にスポット状に集光できるランプヒ−タ−（３０）（ウシオ電機製IHU-A03-01 500W）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００３４】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００３５】
〈実施例２〉
実施例１同様に調整した蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）と被処理基材（１０）を用いて、図２に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この織物状の含浸担体（２０）を３５０℃に温度制御されたヒートローラー（４０）上を接触させながら５ｍｍ／ｍｉｎで通過させ、蒸発させた。被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００３６】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００３７】
〈実施例３〉
上記化１と化２で表されるフルオロアルキルシラザンを１：１の比率で混合し、メタキシレンヘキサフロライドで６重量％に希釈した混合溶液を用いて、実施例１と同様の蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を用意した。
【００３８】
図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内に、実施例１で用意された被処理基材（１０）と上記で得られた蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置（１１０）を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用織物状の含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００３９】
この結果、水の接触角で１０５度から１１０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００４０】
〈実施例４〉
実施例３と同様の混合溶液を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ１ｍのカ−ボンファイバ−からなる織物状の含浸担体（２０）に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。
【００４１】
図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内に、この蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）と実施例１同様の被処理基材（１０）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００４２】
この結果、水の接触角で１０５度から１１０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００４３】
〈実施例５〉
実施例３と同様の混合溶液を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ１ｍのアルミナファイバ−からなる織物状の含浸担体（２０）に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。
【００４４】
図１に示すように、上記で得た蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）と実施例１と同様の被処理基材（１０）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）内にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置（１１０）を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用織物状の含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００４５】
この結果、水の接触角で１０５度から１１０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００４６】
〈実施例６〉
実施例３と同様の混合溶液を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ３０ｍのグラスファイバ−からなるロ−ル状の織物（日東紡製スライバ−クロスＷＳ８５０Ｓ１００）に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。
【００４７】
続いて、図１に示すように、上記で得た蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）と実施例１同様の被処理基材（１０）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）にセットし、１０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置（１１０）を用いて５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用織物状の含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００４８】
この結果、水の接触角で１０５度から１１０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、この長尺（３０ｍ）のロ−ル状の織物からなる蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）であるため、交換なしで、１本５００ｍの前記被処理基材（１０）を５０本分すなわち２５０００ｍ分の処理ができた。
【００４９】
〈参考例７〉上記化２で表されるフルオロアルキルシラザンをメタキシレンヘキサフロライドで３重量％に希釈した溶液（信越化学工業製：ＫＰ８０１Ｍ）を、幅５０ｍｍ・厚さ３ｍｍ・長さ１ｍの硫酸カルシウムの成形体に１２００ｃｃを含浸、乾燥させて蒸着用セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）で図６に示すような板状含浸担体（２４ａ）を得た。
【００５０】
続いて図３に示すように、上記で得た蒸着用セラミックス多孔性形成体からなる板状含浸担体（２４ａ）と実施例１と同様の被処理基材（１０）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）内にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この板状含浸担体（２４ａ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図６に示すように、スポット上に集光できるランプヒ−タ−（３０）（ウシオ電機製IHU-A03-01 500W）で表面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用板状含浸担体（２４ａ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００５１】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００５２】
〈参考例８〉参考例７と同様の材料を直径φ４ｍｍ長さ６ｍｍのペレット状の成形体に含浸、乾燥させて図５（ａ）に示すような蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）を得た。
【００５３】
続いて巻き取り式真空蒸着装置（１００）に参考例７同様の被処理基材（１０）と上記で得た蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このペレット状含浸担体（２４ｂ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図５（ａ）に示すように、参考例７と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００５４】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、実施例６と同様の材料使用効率を得た。
【００５５】
〈参考例９〉参考例７と同様の材料を大きさ３〜１５ｍｍ、厚さ１〜５ｍｍの不定形の成形体に含浸、乾燥させて図６（ａ）に示すような、蒸着用塊状含浸担体（２４ｅ）を得た。
【００５６】
続いて巻き取り式真空蒸着装置（１００）に実施例７同様の被処理基材と上記で得た蒸着用塊状含浸担体（２４ｅ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この塊状含浸担体（２４ｅ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図６（ａ）に示すように、実施例６と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用塊状含浸担体（２４ｅ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００５７】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、実施例６と同様の材料使用効率を得た。
【００５８】
〈参考例１０〉参考例７と同様の材料を平均粒径１００μｍの成形体に含浸、乾燥させて、図７に示すような蒸着用粉状含浸担体（２４ｆ）を得た。続いて巻き取り式真空蒸着装置（１００）に参考例７同様の被処理基材（１０）と上記で得た蒸着用粉状含浸担体（２４ｆ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この粉状含浸担体（２４ｆ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図７に示すように、実施例６と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用粉状含浸担体（２４ｆ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００５９】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、実施例６と同様の材料使用効率を得た。
【００６０】
〈参考例１１〉巻き取り式真空蒸着装置（１００）に参考例７同様の被処理基材（１０）と蒸着用板状含浸担体（２４ａ）をセットし、図４（ｂ）に示すように、板状含浸担体（２４ａ）の下面に厚さ１ｍｍのステンレス製金属板（２４ｃ）を挿入した。１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この板状含浸担体（２４ａ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図４に示すように、参考例７と同様のランプヒ−タ−（３０）で表面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用板状含浸担体（２４ａ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は７ｍ／ｍｉｎであった。
【００６１】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、参考例７より良い材料使用効率を得た。
【００６２】
〈参考例１２〉巻き取り式真空蒸着装置（１００）内に参考例７同様の被処理基材（１０）と図５（ｂ）に示すように、参考例８と同様の蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）をセットし、このペレット状含浸担体（２４ｂ）の下面にはφ３ｍｍ、開口率７０％に多数穿設したステンレス製金属板（２４ｄ）を挿入した。１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このペレット状含浸担体（２４ｂ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図５（ｂ）に示すように、参考例７と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は７ｍ／ｍｉｎであった。
【００６３】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、参考例７より良い材料使用効率を得た。
【００６４】
〈比較例１〉
フルオロアルキルシラザンをスチ−ルウ−ルに含浸させた直径φ１８ｍｍの銅製カップに圧入した総計４５０ケの蒸発源をリング状に二列に並べ、送り角度１．５度／ｍｉｎで回転させながら、電子ビームガンを用いて、加速電圧１０ＫＶ、エミッション電流１５ｍＡの条件で加熱蒸着した。被処理基材（１０）は上記実施例と同じものを用い、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は２ｍ／ｍｉｎであった。
【００６５】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の防汚性薄膜（１）が形成されたが、３０ｃｍ程度の長さで接触角９０度前後の部分が周期的に発生した。この部分ではた防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられなかったものの、防汚性能ムラが発生した。また、蒸発源を並べる作業が煩雑であった。
【００６８】
【発明の効果】
本発明は以上の構成であるから、下記に示す如き効果がある。
即ち、真空蒸着法によって被処理基材の表面に防汚性薄膜を形成する方法において、織物状の含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料をランプヒ−タ−による放射加熱もしくはヒートローラーによる接触加熱により蒸発させ、前記織物状の含浸担体がロ−ル状であって、そのロール状含浸担体を連続巻き取り式送り装置により送り、連続的に蒸発させる防汚性薄膜の形成方法としたので、防汚性の優れた分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の材料混合物を被処理基材であるロールフィルム上に連続処理が長時間でき、かつ速く、安定して、制御性よく、簡便な防汚性薄膜の形成を可能にする。
【００６９】
また、セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料を、ランプヒ−タ−による照射加熱により蒸発させ、前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体が、裏面に金属製板を備えた板状含浸担体であって、該板状含浸担体の表面から照射加熱してなるもしくは前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体が、裏面に多数個穿設された金属製板を備えたペレット状もしくは塊状含浸担体であって、該ペレット状もしくは塊状もしくは粉状含浸担体の裏面から照射加熱してなる防汚性薄膜の形成方法としたので、防汚性の優れた分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の材料混合物を被処理基材であるロールフィルム上に連続処理が比較的長くでき、かつ速く、安定して、制御性よく、簡便な防汚性薄膜の形成を可能にする。また、蒸発用含浸担体の調整やセットが非常に簡単にできる。
【００７０】
また、上記板状含浸担体の裏面に金属製板を、ペレット状もしくは塊状含浸担体の裏面に多数個穿設された金属製板を設けることによって、金属製板を設けない場合に比べ、より材料使用効率をよくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示す巻き取り式真空蒸着装置にロール状含浸担体とランプヒ−タ−を配した概略を断面で表した説明図である。
【図２】本発明の他の一実施の形態を示す巻き取り式真空蒸着装置にロール状含浸担体とヒートローラーを配した概略を断面で表した説明図である。
【図３】本発明の参考例の形態を示す巻き取り式真空蒸着装置にセラミックス多孔性形成体からなる含浸担体とランプヒ−タ−を配した概略を断面で表した説明図である。
【図４】本発明の参考例の形態を示すランプヒ−タ−照射加熱部を説明する図で、（ａ）は、板状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。（ｂ）は、金属製板を裏面に配した板状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。
【図５】本発明の参考例の形態を示すランプヒ−タ−照射加熱部を説明する図で、（ａ）は、ペレット状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。（ｂ）は、多数穿設したステンレス製金属板を裏面に配したペレット状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。
【図６】本発明の参考例の形態を示すランプヒ−タ−照射加熱部を説明する図で、（ａ）は、塊状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。（ｂ）は、多数穿設したステンレス製金属板を裏面に配した塊状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。
【図７】本発明の参考例の形態を示すランプヒ−タ−照射加熱部を説明する図で、粉状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は偏光板等の光学部材で防汚性を必要とする各種基材の表面に、防汚性薄膜を形成する方法に関するものであり、特に連続成膜可能な防汚性薄膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、レンズや偏光板等の反射防止膜付き光学部材において、汗や指紋等による汚れが付着し易く、一旦付着したこのような汚れを除去するために、特殊な布等で拭き取るなどの操作が知られているが、完全に除去するには困難なものであった。
【０００３】
このような問題を解決する手段として、防汚性あるいは撥水性のあるフルオロアルキルシランの薄膜を光学部材の表面に形成する方法が提案されている。例えば、特開平５−２１５９０５号公報では、フルオロアルキルシラザン等を金属粉末の焼結フィルターに含浸させた蒸発源を用いる真空蒸着方法としたものであり、また、特開平８−１４３３３２号公報では、フルオロアルメキルシラザンをスチールウールに含浸させた蒸発源を用いる真空蒸着方法としたものが開示されている。
【０００４】
また、特開平６−１２２７７８号公報では、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてフルオロアルキルシランの撥水性薄膜を形成する方法としたものが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特開平５−２１５９０５号公報、特開平８−１４３３３２号公報に開示されている方法では、メガネレンズ等の被処理基材にバッチ処理で防汚性薄膜を形成するために開発された方法であって、被処理基材としてポリエステルフィルムやポリアセチルセルロースフィルム等のロール状のフィルムを用いた巻き取り方式で連続処理を行ったとしても、蒸着源のセットや調整に煩雑さがあるため、蒸発量の安定性、制御性および処理の作業性が悪いという問題があった。特に、被処理基材が反射防止膜付きの光学部材である場合、薄膜の厚みムラは光学特性ムラの原因となるため、致命的問題であった。
【０００６】
また、上記特開平６−１２２７７８号公報に開示されている方法では、巻き取り方式で連続処理も可能であるが、メガネレンズ等の水やけ防止を目的に提案された撥水性薄膜であるため、防汚性が不十分なものであった。すなわち、防汚性の優れた材料は概して、分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高くなる傾向にあるが、上記のＣＶＤ法ではこのような材料の薄膜化は不向きであって、上記提案の材料にも防汚性の点で問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するものであり、その課題とするところは、偏光板等の光学部材の防汚性薄膜の形成において、より優れた防汚性薄膜を安定的にムラがなく、その薄膜形成の制御性および蒸発源の調整やセット等の作業性に優れた簡便な防汚性薄膜の形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず請求項１の発明では、真空蒸着法によって被処理基材の表面に防汚性薄膜を形成する方法であって、織物状の含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれらの混合系材料からなる防汚性材料をランプヒーターによる放射加熱もしくはヒートローラーによる接触加熱により蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【０００９】
また、請求項２の発明では、前記織物状の含浸担体がロ−ル状であって、そのロール状含浸担体を連続巻き取り式送り装置により送り、連続的に蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１０】
また、請求項３の発明では、前記織物状の含浸担体がグラスファイバ−からなることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１１】
また、請求項４の発明では、前記織物状の含浸担体がカ−ボンファイバ−からなることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１２】
また、請求項５の発明では、前記織物状の含浸担体がアルミナファイバ−からなることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１６】
ここで、上記フルオロアルキルシラン等の防汚性材料とは、真空蒸着法に適用できる材料で、分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の材料との混合物であり、発明者らの鋭意検討を重ねた結果、非常に防汚性の優れた材料であることを見いだしたもので、具体的には、フルオロアルキルシラン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれらの混合系材料である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を説明する。
本発明の防汚性薄膜の形成方法は、図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）によって被処理基材（１０）の表面に防汚性薄膜を形成する方法であって、織物状の含浸担体（２０）に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料をランプヒ−タ−（３０）による放射加熱もしくは図２に示すヒートローラー（４０）による接触加熱により蒸発させるものであり、前記織物状の含浸担体（２０）がロ−ル状であって、そのロール状含浸担体（２０ａ）を連続巻き取り式送り装置（１１０）により、連続的に蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００１８】
また、前記織物状の含浸担体（２０）が、グラスファイバー、カーボンファイバーまたはアルミナファイバーからなるものである。
【００１９】
以上のような本発明の防汚性薄膜の形成方法によれば、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内の被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度とロール状含浸担体（２０ａ）の送り速度の調整だけで、単分子あるいは数分子層程度の防汚性薄膜（１）を安定してムラなく形成することができ、織物状の含浸担体（２０）をロール状含浸担体（２０ａ）とし、連続巻き取り式送り装置（１１０）で連続的に蒸発させることによって、１万ｍ以上の被処理基材（１０）であるロールフィルムの連続処理が容易に可能となり、かつロール状含浸担体（２０ａ）の調整やセットを簡単にすることができるものである。
【００２０】
また、本発明のもう一つの防汚性薄膜の形成方法は、図３に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）によって被処理基材（１０）の表面に防汚性薄膜（１）を形成する方法であって、セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料を、ランプヒ−タ−（３０）による照射加熱により蒸発させるものであり、前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）が、図４（ａ）に示すように、板状含浸担体（２４ａ）であって、または、図４（ｂ）に示すように、裏面に金属板（２４ｃ）を備えた板状含浸担体（２４ａ）であって、これら板状含浸担体（２４ａ）の表面からランプヒ−タ−（３０）による照射加熱してなることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものである。
【００２１】
また、前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）が、図５（ａ）に示すように、ペレット状含浸担体（２４ｂ）もしくは図６（ａ）に示すように、塊状含浸担体（２４ｅ）もしくは図７に示すように、粉状含浸担体（２４ｆ）であって、または図５（ｂ）に示すように、裏面に多数個穿設された金属板（２４ｄ）を備えたペレット状含浸担体（２４ｂ）もしくは図６（ｂ）に示すように、塊状含浸担体（２４ｅ）であって、それらペレット状含浸担体（２４ｂ）もしくは塊状含浸担体（２４ｅ）もしくは粉状含浸担体（２４ｆ）の裏面からランプヒ−タ−（３０）による照射加熱してなることを特徴とする防汚性薄膜（１）の形成方法としたものである。
【００２２】
以上のような本発明のもう一つの防汚性薄膜の形成方法によれば、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内の被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度の調整だけで、単分子あるいは数分子層程度の防汚性薄膜を安定してムラなく形成することができ、セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）の上記形状と長さを調整することによって、５００ｍから数千ｍの被処理基材（１０）であるロールフィルムの連続処理が容易に可能となり、かつセラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）の調整やセットを簡単にすることができるものである。
【００２３】
ここで上記各含浸担体（２０、２４）に浸した非常に防汚性に優れた防汚性材料として、上述のように、真空蒸着法に適用できる材料で、分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の材料との混合物であり、具体的には、フルオロアルキルシラン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれらの混合系材料である。
【００２４】
さらに具体的には、一般式
【００２５】
［化１］
Ｒｆ−ＯＨ
（式中Ｒｆは、数平均分子量５００〜１０，０００のフッ素を有する置換基を表す）
で表されるフッ素系材料あるいは、一般式
【００２６】
［化２］
ＣＦ3（ＣＦ2）n（ＣＨ2）mＳｉ（ＮＨ）1.5
（ｎは正の整数、ｍは０以上の整数、Ａは加水分解可能な置換基を表す。）
で表されるフルオロアルキルシラザンあるいは上記材料との混合物である。
【００２７】
これら防汚性材料をメタキシレンヘキサフロライドなどのフッ素系溶媒で０．１から３０重量％に希釈し、グラスファイバ−、カ−ボンファイバ−、アルミナファイバ−等からなる織物状の含浸担体（２０）または硫酸カルシウム、カルシア、シリカ、マグネシア、アルミナあるいはそれら材料との混合物等のセラミックス粉末を焼成した多孔性形成体からなる含浸担体（２４）に含浸後乾燥させ、それぞれの蒸着用含浸担体とする。
【００２８】
ここで上記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）について詳述する。
セラミックスの焼成形状には、板状、ペレット状、塊状、粉状等が考えられる。照射加熱方法によらず材料の蒸発方向には指向性がないので、被処理基材（１０）側に蒸発する効率をよくするためには、形状と加熱方法のマッチングが必要である。本発明のランプヒ−タ−（３０）による照射加熱では、図４（ａ）に示すマクロ的隙間の無い板状含浸担体（２４ａ）の場合は、表面（被処理基材（１０）側）からのランプヒ−タ−（３０）による照射加熱が適している。また図４（ｂ）に示すこの板状含浸担体（２４ａ）の下面に金属製板（２４ｃ）を設けることで一旦裏面に蒸発した材料を表面に再蒸発させることができるので、より材料使用効率がよくなるものである。
また、ペレット状含浸担体（２４ｂ）や塊状含浸担体（２４ｅ）や粉状含浸担体（２４ｆ）の場合、表面照射でもよいが、図５（ａ）および図６（ａ）および図７に示すように、裏面（被処理基材（１０）と反対側）照射がより良い成膜を可能にする。また、図５（ｂ）および図６（ｂ）に示すように、このペレット状含浸担体（２４ｂ）や塊状含浸担体（２４ｅ）の下面に多数穿設された金属製板（２４ｄ）を設けることで前記板状含浸担体（２４ａ）同様に一旦裏面に蒸発した材料を表面に再蒸発させることができるので、より材料使用効率よくなるものである。
【００２９】
被処理基材（１０）としての光学部材には、例えば、液晶ディスプレー用の偏光板あるいは偏光板貼り付け用反射防止フィルムやテレビモニタ−貼り付け用反射防止フィルムがあり、いずれの場合でも真空蒸着やスパッタリング法などのドライコ−トあるいはディップコ−トやスピンコ−トなどのウェットコ−トなどによって、ハ−ドコ−ト付きのポリエステルフィルムやトリアセチルセルロ−スフィルム等のロ−ルフィルム上に、反射防止膜を積層したものを用いる。この反射防止膜はＭｇＦ2、ＬｉＦ2、ＴｈＦ4、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5などのフッ化物、酸化物を単層で、あるいは積層したものを用いる。
【００３０】
これら上述の被処理基材（１０）と蒸着用含浸担体（２０、２４）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この蒸着用含浸担体（織物状の含浸担体（２０）の場合）を適当な速度で送り込みながら、特定の一部分を１５０℃〜５００℃、好ましくは２００℃から４００℃に加熱し含浸された材料を蒸発させる。加熱方法として、両者の蒸着用含浸担体（２０、２４）ではランプヒ−タ−（３０）加熱が適用され、織物状の含浸担体（２０）には、図２に示すようにヒートローラー（４０）による接触加熱を用いることもできる。
【００３１】
【実施例】
次に本発明を実施例により、さらに具体的に説明する。
〈実施例１〉
前記化２で表されるフルオロアルキルシラザンをメタキシレンヘキサフロライドで３重量％に希釈した溶液（信越化学工業製：ＫＰ８０１Ｍ）を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ１ｍのグラスファイバ−からなる織物（日東紡製スライバ−クロスＷＳ８５０Ｓ１００）に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。
【００３２】
また、被処理基材（１０）として、幅５００ｍｍ・厚さ８０ミクロン・長さ５００ｍのトリアセチルセルロ−スフィルム上にハ−ドコ−ト層と反射防止膜を積層したものを用いて、図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内の巻き出しロール（１２）、蒸着ロール（１６）および巻き取りロール（１４）に装填した。
【００３３】
さらに、図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内に上記で得られた蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置（１１０）を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、蒸着用織物状の含浸担体（２０）にスポット状に集光できるランプヒ−タ−（３０）（ウシオ電機製IHU-A03-01 500W）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００３４】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００３５】
〈実施例２〉
実施例１同様に調整した蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）と被処理基材（１０）を用いて、図２に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この織物状の含浸担体（２０）を３５０℃に温度制御されたヒートローラー（４０）上を接触させながら５ｍｍ／ｍｉｎで通過させ、蒸発させた。被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００３６】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００３７】
〈実施例３〉
上記化１と化２で表されるフルオロアルキルシラザンを１：１の比率で混合し、メタキシレンヘキサフロライドで６重量％に希釈した混合溶液を用いて、実施例１と同様の蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を用意した。
【００３８】
図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内に、実施例１で用意された被処理基材（１０）と上記で得られた蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置（１１０）を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用織物状の含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００３９】
この結果、水の接触角で１０５度から１１０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００４０】
〈実施例４〉
実施例３と同様の混合溶液を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ１ｍのカ−ボンファイバ−からなる織物状の含浸担体（２０）に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。
【００４１】
図１に示すように、巻き取り式真空蒸着装置（１００）内に、この蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）と実施例１同様の被処理基材（１０）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００４２】
この結果、水の接触角で１０５度から１１０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００４３】
〈実施例５〉
実施例３と同様の混合溶液を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ１ｍのアルミナファイバ−からなる織物状の含浸担体（２０）に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。
【００４４】
図１に示すように、上記で得た蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）と実施例１と同様の被処理基材（１０）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）内にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置（１１０）を介して５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用織物状の含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００４５】
この結果、水の接触角で１０５度から１１０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００４６】
〈実施例６〉
実施例３と同様の混合溶液を、幅５０ｍｍ・厚さ１ｍｍ・長さ３０ｍのグラスファイバ−からなるロ−ル状の織物（日東紡製スライバ−クロスＷＳ８５０Ｓ１００）に含浸、乾燥させて蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を得た。
【００４７】
続いて、図１に示すように、上記で得た蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）と実施例１同様の被処理基材（１０）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）にセットし、１０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）を巻き取り式送り装置（１１０）を用いて５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、実施例１と同様のランプヒ−タ−（３０）で照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用織物状の含浸担体（２０）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００４８】
この結果、水の接触角で１０５度から１１０度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、この長尺（３０ｍ）のロ−ル状の織物からなる蒸着用ロール状含浸担体（２０ａ）であるため、交換なしで、１本５００ｍの前記被処理基材（１０）を５０本分すなわち２５０００ｍ分の処理ができた。
【００４９】
〈参考例７〉上記化２で表されるフルオロアルキルシラザンをメタキシレンヘキサフロライドで３重量％に希釈した溶液（信越化学工業製：ＫＰ８０１Ｍ）を、幅５０ｍｍ・厚さ３ｍｍ・長さ１ｍの硫酸カルシウムの成形体に１２００ｃｃを含浸、乾燥させて蒸着用セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体（２４）で図６に示すような板状含浸担体（２４ａ）を得た。
【００５０】
続いて図３に示すように、上記で得た蒸着用セラミックス多孔性形成体からなる板状含浸担体（２４ａ）と実施例１と同様の被処理基材（１０）を巻き取り式真空蒸着装置（１００）内にセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この板状含浸担体（２４ａ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図６に示すように、スポット上に集光できるランプヒ−タ−（３０）（ウシオ電機製IHU-A03-01 500W）で表面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用板状含浸担体（２４ａ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００５１】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。
【００５２】
〈参考例８〉参考例７と同様の材料を直径φ４ｍｍ長さ６ｍｍのペレット状の成形体に含浸、乾燥させて図５（ａ）に示すような蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）を得た。
【００５３】
続いて巻き取り式真空蒸着装置（１００）に参考例７同様の被処理基材（１０）と上記で得た蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このペレット状含浸担体（２４ｂ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図５（ａ）に示すように、参考例７と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００５４】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、実施例６と同様の材料使用効率を得た。
【００５５】
〈参考例９〉参考例７と同様の材料を大きさ３〜１５ｍｍ、厚さ１〜５ｍｍの不定形の成形体に含浸、乾燥させて図６（ａ）に示すような、蒸着用塊状含浸担体（２４ｅ）を得た。
【００５６】
続いて巻き取り式真空蒸着装置（１００）に実施例７同様の被処理基材と上記で得た蒸着用塊状含浸担体（２４ｅ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この塊状含浸担体（２４ｅ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図６（ａ）に示すように、実施例６と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用塊状含浸担体（２４ｅ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００５７】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、実施例６と同様の材料使用効率を得た。
【００５８】
〈参考例１０〉参考例７と同様の材料を平均粒径１００μｍの成形体に含浸、乾燥させて、図７に示すような蒸着用粉状含浸担体（２４ｆ）を得た。続いて巻き取り式真空蒸着装置（１００）に参考例７同様の被処理基材（１０）と上記で得た蒸着用粉状含浸担体（２４ｆ）をセットし、１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この粉状含浸担体（２４ｆ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図７に示すように、実施例６と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用粉状含浸担体（２４ｆ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００５９】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、実施例６と同様の材料使用効率を得た。
【００６０】
〈参考例１１〉巻き取り式真空蒸着装置（１００）に参考例７同様の被処理基材（１０）と蒸着用板状含浸担体（２４ａ）をセットし、図４（ｂ）に示すように、板状含浸担体（２４ａ）の下面に厚さ１ｍｍのステンレス製金属板（２４ｃ）を挿入した。１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、この板状含浸担体（２４ａ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図４に示すように、参考例７と同様のランプヒ−タ−（３０）で表面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用板状含浸担体（２４ａ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は７ｍ／ｍｉｎであった。
【００６１】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、参考例７より良い材料使用効率を得た。
【００６２】
〈参考例１２〉巻き取り式真空蒸着装置（１００）内に参考例７同様の被処理基材（１０）と図５（ｂ）に示すように、参考例８と同様の蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）をセットし、このペレット状含浸担体（２４ｂ）の下面にはφ３ｍｍ、開口率７０％に多数穿設したステンレス製金属板（２４ｄ）を挿入した。１Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気して後、このペレット状含浸担体（２４ｂ）を５ｍｍ／ｍｉｎで送り込みながら、図５（ｂ）に示すように、参考例７と同様のランプヒ−タ−（３０）で裏面から照射加熱し、蒸発させた。この時の蒸着用ペレット状含浸担体（２４ｂ）の表面温度は３５０℃で、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は７ｍ／ｍｉｎであった。
【００６３】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の均一な防汚性薄膜（１）が形成された。また防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられず良好であった。また、参考例７より良い材料使用効率を得た。
【００６４】
〈比較例１〉
フルオロアルキルシラザンをスチ−ルウ−ルに含浸させた直径φ１８ｍｍの銅製カップに圧入した総計４５０ケの蒸発源をリング状に二列に並べ、送り角度１．５度／ｍｉｎで回転させながら、電子ビームガンを用いて、加速電圧１０ＫＶ、エミッション電流１５ｍＡの条件で加熱蒸着した。被処理基材（１０）は上記実施例と同じものを用い、被処理基材（１０）であるフィルムの走行速度は２ｍ／ｍｉｎであった。
【００６５】
この結果、水の接触角で１１０度から１１１度の防汚性薄膜（１）が形成されたが、３０ｃｍ程度の長さで接触角９０度前後の部分が周期的に発生した。この部分ではた防汚性薄膜（１）の形成前後における分光特性の変化は無く、幅方向・長さ方向の色ムラはみられなかったものの、防汚性能ムラが発生した。また、蒸発源を並べる作業が煩雑であった。
【００６８】
【発明の効果】
本発明は以上の構成であるから、下記に示す如き効果がある。
即ち、真空蒸着法によって被処理基材の表面に防汚性薄膜を形成する方法において、織物状の含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料をランプヒ−タ−による放射加熱もしくはヒートローラーによる接触加熱により蒸発させ、前記織物状の含浸担体がロ−ル状であって、そのロール状含浸担体を連続巻き取り式送り装置により送り、連続的に蒸発させる防汚性薄膜の形成方法としたので、防汚性の優れた分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の材料混合物を被処理基材であるロールフィルム上に連続処理が長時間でき、かつ速く、安定して、制御性よく、簡便な防汚性薄膜の形成を可能にする。
【００６９】
また、セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン等の防汚性材料を、ランプヒ−タ−による照射加熱により蒸発させ、前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体が、裏面に金属製板を備えた板状含浸担体であって、該板状含浸担体の表面から照射加熱してなるもしくは前記セラミックス多孔性形成体からなる含浸担体が、裏面に多数個穿設された金属製板を備えたペレット状もしくは塊状含浸担体であって、該ペレット状もしくは塊状もしくは粉状含浸担体の裏面から照射加熱してなる防汚性薄膜の形成方法としたので、防汚性の優れた分子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系の材料混合物を被処理基材であるロールフィルム上に連続処理が比較的長くでき、かつ速く、安定して、制御性よく、簡便な防汚性薄膜の形成を可能にする。また、蒸発用含浸担体の調整やセットが非常に簡単にできる。
【００７０】
また、上記板状含浸担体の裏面に金属製板を、ペレット状もしくは塊状含浸担体の裏面に多数個穿設された金属製板を設けることによって、金属製板を設けない場合に比べ、より材料使用効率をよくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示す巻き取り式真空蒸着装置にロール状含浸担体とランプヒ−タ−を配した概略を断面で表した説明図である。
【図２】本発明の他の一実施の形態を示す巻き取り式真空蒸着装置にロール状含浸担体とヒートローラーを配した概略を断面で表した説明図である。
【図３】本発明の参考例の形態を示す巻き取り式真空蒸着装置にセラミックス多孔性形成体からなる含浸担体とランプヒ−タ−を配した概略を断面で表した説明図である。
【図４】本発明の参考例の形態を示すランプヒ−タ−照射加熱部を説明する図で、（ａ）は、板状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。（ｂ）は、金属製板を裏面に配した板状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。
【図５】本発明の参考例の形態を示すランプヒ−タ−照射加熱部を説明する図で、（ａ）は、ペレット状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。（ｂ）は、多数穿設したステンレス製金属板を裏面に配したペレット状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。
【図６】本発明の参考例の形態を示すランプヒ−タ−照射加熱部を説明する図で、（ａ）は、塊状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。（ｂ）は、多数穿設したステンレス製金属板を裏面に配した塊状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。
【図７】本発明の参考例の形態を示すランプヒ−タ−照射加熱部を説明する図で、粉状含浸担体に対する照射状態を断面で表した説明図である。
Claims (5)
- 真空蒸着法によって被処理基材の表面に防汚性薄膜を形成する方法であって、織物状の含浸担体に浸したフルオロアルキルシラン、フルオロアルキルシラザンあるいはこれらの混合系材料からなる防汚性材料をランプヒーターによる放射加熱もしくはヒートローラーによる接触加熱により蒸発させることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法。
- 前記織物状の含浸担体がロール状であって、そのロール状含浸担体を連続巻き取り式送り装置により送り、連続的に蒸発させることを特徴とする請求項１記載の防汚性薄膜の形成方法。
- 前記織物状の含浸担体がグラスファイバーからなることを特徴とする請求項１または２記載の防汚性薄膜の形成方法。
- 前記織物状の含浸担体がカーボンファイバーからなることを特徴とする請求項１または２記載の防汚性薄膜の形成方法。
- 前記織物状の含浸担体がアルミナファイバーからなることを特徴とする請求項１または２記載の防汚性薄膜の形成方法。
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