JPH1171665A - 防汚性薄膜の形成方法 - Google Patents
防汚性薄膜の形成方法Info
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- JPH1171665A JPH1171665A JP23391397A JP23391397A JPH1171665A JP H1171665 A JPH1171665 A JP H1171665A JP 23391397 A JP23391397 A JP 23391397A JP 23391397 A JP23391397 A JP 23391397A JP H1171665 A JPH1171665 A JP H1171665A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】偏光板等の光学部材の防汚性薄膜の形成におい
て、より優れた防汚性薄膜をムラがなく、連続的に形成
でき、蒸発量すなわち薄膜の安定性、薄膜形成の制御性
および蒸発源の調整やセット等の作業性に優れた防汚性
薄膜の形成方法を提供することにある。 【解決手段】被処理基材８０の表面に防汚性物質の薄膜
を巻き取り式真空蒸着装置１によって形成するもので、
前記防汚性物質が、化１で表されるフルオロアルキルシ
ランもしくはフルオロアルキルシラザンもしくはこれら
の混合物であり、また、前記被処理基材８０が、ロール
フィルム上に形成された光学部材であり、前記真空蒸着
装置１に使用する蒸着源２２が多孔質材料を含浸担体と
する連続したリボン状である防汚性薄膜の形成方法とし
たものである。
て、より優れた防汚性薄膜をムラがなく、連続的に形成
でき、蒸発量すなわち薄膜の安定性、薄膜形成の制御性
および蒸発源の調整やセット等の作業性に優れた防汚性
薄膜の形成方法を提供することにある。 【解決手段】被処理基材８０の表面に防汚性物質の薄膜
を巻き取り式真空蒸着装置１によって形成するもので、
前記防汚性物質が、化１で表されるフルオロアルキルシ
ランもしくはフルオロアルキルシラザンもしくはこれら
の混合物であり、また、前記被処理基材８０が、ロール
フィルム上に形成された光学部材であり、前記真空蒸着
装置１に使用する蒸着源２２が多孔質材料を含浸担体と
する連続したリボン状である防汚性薄膜の形成方法とし
たものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレンズや偏光板等の
光学部材で防汚性を必要とする各種基材の表面に、防汚
性薄膜を形成する方法に関するものであり、特に巻き取
り方式で連続成膜可能な防汚性薄膜の形成方法に関す
る。
光学部材で防汚性を必要とする各種基材の表面に、防汚
性薄膜を形成する方法に関するものであり、特に巻き取
り方式で連続成膜可能な防汚性薄膜の形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、レンズや偏光板等の反射防止
膜付き光学部材において、汗や指紋等による汚れが付着
し易く、一旦付着したこのような汚れを除去するため
に、特殊な布等で拭き取るなどの操作が知られている
が、完全に除去するには困難なものであった。
膜付き光学部材において、汗や指紋等による汚れが付着
し易く、一旦付着したこのような汚れを除去するため
に、特殊な布等で拭き取るなどの操作が知られている
が、完全に除去するには困難なものであった。
【０００３】このような問題を解決する手段として、防
汚性あるいは撥水性のあるフルオロアルキルシランの薄
膜を光学部材の表面に形成する方法が提案されている。
例えば、特開平５−２１５９０５号公報では、フルオロ
アルキルシラザン等を金属粉末の焼結フィルターに含浸
させた蒸発源を用いる真空蒸着方法としたものであり、
また、特開平８−１４３３３２号公報では、フルオロア
ルメキルシラザンをスチールウールに含浸させた蒸発源
を用いる真空蒸着方法としたものが開示されている。
汚性あるいは撥水性のあるフルオロアルキルシランの薄
膜を光学部材の表面に形成する方法が提案されている。
例えば、特開平５−２１５９０５号公報では、フルオロ
アルキルシラザン等を金属粉末の焼結フィルターに含浸
させた蒸発源を用いる真空蒸着方法としたものであり、
また、特開平８−１４３３３２号公報では、フルオロア
ルメキルシラザンをスチールウールに含浸させた蒸発源
を用いる真空蒸着方法としたものが開示されている。
【０００４】また、特開平６−１２２７７８号公報で
は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてフルオロアルキルシ
ランの撥水性薄膜を形成する方法としたものが開示され
ている。
は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてフルオロアルキルシ
ランの撥水性薄膜を形成する方法としたものが開示され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平５−２１５９０５号公報、特開平８−１４３３３２
号公報に開示されている方法では、メガネレンズ等の被
処理基材にバッチ処理で防汚性薄膜を形成するために開
発された方法であって、被処理基材としてポリエステル
フィルムやポリアセチルセルロースフィルム等のロール
状のフィルムを用いた巻き取り方式で連続処理を行った
としても、蒸着源のセットや調整に煩雑さがあるため、
蒸発量の安定性、制御性および処理の作業性が悪いとい
う問題があった。特に、被処理基材が反射防止膜付きの
光学部材である場合、薄膜の厚みムラは光学特性ムラの
原因となるため、致命的問題であった。
開平５−２１５９０５号公報、特開平８−１４３３３２
号公報に開示されている方法では、メガネレンズ等の被
処理基材にバッチ処理で防汚性薄膜を形成するために開
発された方法であって、被処理基材としてポリエステル
フィルムやポリアセチルセルロースフィルム等のロール
状のフィルムを用いた巻き取り方式で連続処理を行った
としても、蒸着源のセットや調整に煩雑さがあるため、
蒸発量の安定性、制御性および処理の作業性が悪いとい
う問題があった。特に、被処理基材が反射防止膜付きの
光学部材である場合、薄膜の厚みムラは光学特性ムラの
原因となるため、致命的問題であった。
【０００６】また、上記特開平６−１２２７７８号公報
に開示されている方法では、巻き取り方式で連続処理も
可能であるが、メガネレンズ等の水やけ防止を目的に提
案された撥水性薄膜であるため、防汚性が不十分なもの
であった。すなわち、防汚性の優れた材料は概して、分
子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高くなる傾向に
あるが、上記のＣＶＤ法ではこのような材料の薄膜化は
不向きであって、上記提案の材料にも防汚性の点で問題
があった。
に開示されている方法では、巻き取り方式で連続処理も
可能であるが、メガネレンズ等の水やけ防止を目的に提
案された撥水性薄膜であるため、防汚性が不十分なもの
であった。すなわち、防汚性の優れた材料は概して、分
子量が大きく、蒸気圧が低く、反応性が高くなる傾向に
あるが、上記のＣＶＤ法ではこのような材料の薄膜化は
不向きであって、上記提案の材料にも防汚性の点で問題
があった。
【０００７】本発明は、かかる従来技術の問題点を解決
するものであり、その課題とするところは、レンズや偏
光板等の光学部材の防汚性薄膜の形成において、より優
れた防汚性薄膜をムラがなく、連続的に形成でき、蒸発
量すなわち薄膜の安定性、薄膜形成の制御性および蒸発
源の調整やセット等の作業性に優れた防汚性薄膜の形成
方法を提供することにある。
するものであり、その課題とするところは、レンズや偏
光板等の光学部材の防汚性薄膜の形成において、より優
れた防汚性薄膜をムラがなく、連続的に形成でき、蒸発
量すなわち薄膜の安定性、薄膜形成の制御性および蒸発
源の調整やセット等の作業性に優れた防汚性薄膜の形成
方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１の発明では、被処理基
材の表面に防汚性物質の薄膜を形成す方法であって、該
薄膜を真空蒸着法によって形成することを特徴とする防
汚性薄膜の形成方法としたものである。
を達成するために、まず請求項１の発明では、被処理基
材の表面に防汚性物質の薄膜を形成す方法であって、該
薄膜を真空蒸着法によって形成することを特徴とする防
汚性薄膜の形成方法としたものである。
【０００９】また、請求項２の発明では、前記防汚性物
質が、一般式
質が、一般式
【００１０】
【化２】 （但し、Ｒ1fはフッ素を有する置換基、Ａは加水分解
基、置換数ｎは０＜ｎ＜４、ｌは０〜３の整数、ｍは１
〜１０の整数）で表されるフルオロアルキルシランもし
くは一般式中の加水分解基Ａがアミノ基であるフルオロ
アルキルシラザンであることを特徴とする防汚性薄膜の
形成方法としたものである。
基、置換数ｎは０＜ｎ＜４、ｌは０〜３の整数、ｍは１
〜１０の整数）で表されるフルオロアルキルシランもし
くは一般式中の加水分解基Ａがアミノ基であるフルオロ
アルキルシラザンであることを特徴とする防汚性薄膜の
形成方法としたものである。
【００１１】また、請求項３の発明では、前記被処理基
材が、ロールフィルム上に形成された光学部材であるこ
とを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものであ
る。
材が、ロールフィルム上に形成された光学部材であるこ
とを特徴とする防汚性薄膜の形成方法としたものであ
る。
【００１２】また、請求項４の発明では、前記被処理基
材が、ロールフィルム上に形成された反射防止膜付きの
光学部材であることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法
としたものである。
材が、ロールフィルム上に形成された反射防止膜付きの
光学部材であることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法
としたものである。
【００１３】また、請求項５の発明では、前記真空蒸着
法に使用する蒸着源が多孔質材料を含浸担体とする連続
したリボン状であることを特徴とする防汚性薄膜の形成
方法としたものである。
法に使用する蒸着源が多孔質材料を含浸担体とする連続
したリボン状であることを特徴とする防汚性薄膜の形成
方法としたものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を説明す
る。本発明の防汚性薄膜の形成方法は、図１に示すよう
に、被処理基材（８０）の表面に防汚性物質の薄膜を形
成す方法であって、該薄膜を真空蒸着装置（１）を使用
して形成するものであり、前記被処理基材（８０）が、
ロールフィルム上に形成された光学部材もしくは反射防
止膜付きの光学部材でって、前記真空蒸着装置（１）に
使用する蒸着源（２２）が多孔質材料を含浸担体とする
連続したリボン状であることを特徴とする防汚性薄膜の
形成方法としたものである。
る。本発明の防汚性薄膜の形成方法は、図１に示すよう
に、被処理基材（８０）の表面に防汚性物質の薄膜を形
成す方法であって、該薄膜を真空蒸着装置（１）を使用
して形成するものであり、前記被処理基材（８０）が、
ロールフィルム上に形成された光学部材もしくは反射防
止膜付きの光学部材でって、前記真空蒸着装置（１）に
使用する蒸着源（２２）が多孔質材料を含浸担体とする
連続したリボン状であることを特徴とする防汚性薄膜の
形成方法としたものである。
【００１５】すなわち、上記の光学部材等を形成する被
処理基材（８０）が、巻き出しロール（２６）から蒸着
ロール（２４）を通り巻き取りロール（２８）に巻き取
られる巻き取り方式で、さらに、蒸着源（２２）が防汚
性物質を含浸させるための多孔質材料を含浸担体とする
連続したリボン状としたもので、連続成膜が可能な防汚
性薄膜の形成方法としたものである。
処理基材（８０）が、巻き出しロール（２６）から蒸着
ロール（２４）を通り巻き取りロール（２８）に巻き取
られる巻き取り方式で、さらに、蒸着源（２２）が防汚
性物質を含浸させるための多孔質材料を含浸担体とする
連続したリボン状としたもので、連続成膜が可能な防汚
性薄膜の形成方法としたものである。
【００１６】以上のように、連続成膜が可能なため、薄
膜の安定性、薄膜形成の制御性および作業性に優れた防
汚性薄膜を形成することができる。
膜の安定性、薄膜形成の制御性および作業性に優れた防
汚性薄膜を形成することができる。
【００１７】ここで本発明では、真空蒸着法に適用でき
る防汚性物質として、分子量が大きく、蒸気圧が低く、
反応性が高い材料あるいは多元系の材料との混合物が、
発明者らの鋭意検討を重ねた結果、非常に防汚性の優れ
たものであることを見いだしたもので、具体的には、上
記化１で表されるフルオロアルキルシラン、一般式中の
加水分解基Ａがアミノ基であるフルオロアルキルシラザ
ンあるいはこれらの混合系材料としたものである。
る防汚性物質として、分子量が大きく、蒸気圧が低く、
反応性が高い材料あるいは多元系の材料との混合物が、
発明者らの鋭意検討を重ねた結果、非常に防汚性の優れ
たものであることを見いだしたもので、具体的には、上
記化１で表されるフルオロアルキルシラン、一般式中の
加水分解基Ａがアミノ基であるフルオロアルキルシラザ
ンあるいはこれらの混合系材料としたものである。
【００１８】また、蒸発源（２２）として、上記防汚性
材料をメタキシレンヘキサフロライドなどのフッソ系溶
媒やイソプロピルアルコール等の溶媒で０．１〜３０重
量％に希釈し、多孔質材料例えばスチールウール、ガラ
ス繊維、アルミナ繊維、炭素繊維などの織物・紐のリボ
ン状担体に含浸させ、乾燥することによって連続したリ
ボン状の蒸着源（２２）とするものであり、そのため連
続成膜に蒸着源（２２）のセットや調整の煩わしさのな
いものとすることができる。また、溶媒による希釈度の
調整によって、含浸量を制御できるものである。
材料をメタキシレンヘキサフロライドなどのフッソ系溶
媒やイソプロピルアルコール等の溶媒で０．１〜３０重
量％に希釈し、多孔質材料例えばスチールウール、ガラ
ス繊維、アルミナ繊維、炭素繊維などの織物・紐のリボ
ン状担体に含浸させ、乾燥することによって連続したリ
ボン状の蒸着源（２２）とするものであり、そのため連
続成膜に蒸着源（２２）のセットや調整の煩わしさのな
いものとすることができる。また、溶媒による希釈度の
調整によって、含浸量を制御できるものである。
【００１９】本発明の防汚性薄膜の形成方法が適用可能
な被処理基材（８０）としての光学部材としては、液晶
ディスプレー用の偏光板などがあり、反射防止膜付き光
学部材としては、偏光板貼り付け用反射防止フィルムや
テレビモニター貼り付け用反射防止フィルムなどがあ
る。これらの反射防止膜として、ＭｇＦ2 、ＬｉＦ2 、
ＴｈＦ4 、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＴｉＯ2 などのフッ素化物、酸
化物で、これらを真空蒸着やスパッタリング法などのド
ライコートあるいはディプコートやスピンコートなどの
ウェットコートによって、ハードコート付きポリエステ
ルフィルムやトリアセチルセルロースフィルム等のロー
ル状フィルム上に積層して上記反射防止膜付き光学部材
とするものである。
な被処理基材（８０）としての光学部材としては、液晶
ディスプレー用の偏光板などがあり、反射防止膜付き光
学部材としては、偏光板貼り付け用反射防止フィルムや
テレビモニター貼り付け用反射防止フィルムなどがあ
る。これらの反射防止膜として、ＭｇＦ2 、ＬｉＦ2 、
ＴｈＦ4 、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＣｅＯ2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＴｉＯ2 などのフッ素化物、酸
化物で、これらを真空蒸着やスパッタリング法などのド
ライコートあるいはディプコートやスピンコートなどの
ウェットコートによって、ハードコート付きポリエステ
ルフィルムやトリアセチルセルロースフィルム等のロー
ル状フィルム上に積層して上記反射防止膜付き光学部材
とするものである。
【００２０】以上のように、本発明の防汚性薄膜の形成
方法は、図１に示すような巻き取り式真空蒸着装置
（１）に、上述のような被処理基材（８０）と蒸着源
（２２）としてのリボン状含浸担体をセットし、１０Ｅ
−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、前記のリボン状含
浸担体を蒸発源送り機構（２５）を用いて適当な速度で
送り込みながら、その一部を１５０℃〜５００℃、好ま
しくは２００℃〜４００℃で加熱し、そのリボン状含浸
担体に含浸された防汚性材料を蒸発させる。このときの
加熱源（２３）には、電子ビーム加熱、赤外線ヒーター
加熱あるいはヒートローラーによる接触加熱などが利用
できる。
方法は、図１に示すような巻き取り式真空蒸着装置
（１）に、上述のような被処理基材（８０）と蒸着源
（２２）としてのリボン状含浸担体をセットし、１０Ｅ
−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、前記のリボン状含
浸担体を蒸発源送り機構（２５）を用いて適当な速度で
送り込みながら、その一部を１５０℃〜５００℃、好ま
しくは２００℃〜４００℃で加熱し、そのリボン状含浸
担体に含浸された防汚性材料を蒸発させる。このときの
加熱源（２３）には、電子ビーム加熱、赤外線ヒーター
加熱あるいはヒートローラーによる接触加熱などが利用
できる。
【００２１】ここで、この蒸発に際し、上述のように含
浸担体の希釈度の調整で防汚性材料の含浸量を制御でき
るので、防汚性材料の温度特性にしたがって適当な加熱
温度を与えれば、単位時間当たりの蒸発量を安定的に制
御でき、膜厚モニター等の特別な膜厚制御手段を用いな
くとも、フィルム状被処理基材（８０）の走行速度を調
整するだけで、単分子層あるいは数分子層程度の防汚性
薄膜を安定して形成することができるものである。
浸担体の希釈度の調整で防汚性材料の含浸量を制御でき
るので、防汚性材料の温度特性にしたがって適当な加熱
温度を与えれば、単位時間当たりの蒸発量を安定的に制
御でき、膜厚モニター等の特別な膜厚制御手段を用いな
くとも、フィルム状被処理基材（８０）の走行速度を調
整するだけで、単分子層あるいは数分子層程度の防汚性
薄膜を安定して形成することができるものである。
【００２２】また、蒸着源（２２）としてのリボン状含
浸担体の長さを調整することで、容易に５００ｍから数
千ｍ程度のロールフィルム状被処理基材（８０）の連続
処理が可能で、かつその際のリボン状含浸担体の調整お
よびセットは簡単なものである。
浸担体の長さを調整することで、容易に５００ｍから数
千ｍ程度のロールフィルム状被処理基材（８０）の連続
処理が可能で、かつその際のリボン状含浸担体の調整お
よびセットは簡単なものである。
【００２３】
【実施例】次に本発明を実施例により、さらに具体的に
説明する。 ＜実施例１＞前記化２で表されるフルオロアルキルシラ
ザンをメタキシレンヘキサフロライドで３重量％に希釈
した溶液ＫＰ８０１Ｍ（信越化学工業社製）を、幅３０
０ｍｍ、厚さ２ｍｍ、長さ５ｍのアルミナ繊維の平織物
に含浸させ、乾燥させて蒸着源（２２）としてのリボン
状含浸担体とした。
説明する。 ＜実施例１＞前記化２で表されるフルオロアルキルシラ
ザンをメタキシレンヘキサフロライドで３重量％に希釈
した溶液ＫＰ８０１Ｍ（信越化学工業社製）を、幅３０
０ｍｍ、厚さ２ｍｍ、長さ５ｍのアルミナ繊維の平織物
に含浸させ、乾燥させて蒸着源（２２）としてのリボン
状含浸担体とした。
【００２４】一方被処理基材（８０）として、幅５００
ｍｍ、厚さ８０ミクロン、長さ５００ｍのトリアセチル
セルロースフィルム上にハードコート層と反射防止膜を
積層したものを用いた。
ｍｍ、厚さ８０ミクロン、長さ５００ｍのトリアセチル
セルロースフィルム上にハードコート層と反射防止膜を
積層したものを用いた。
【００２５】上記で得られた蒸着源（２２）としてのリ
ボン状含浸担体とフィルム状被処理基材（８０）を巻き
取り式真空蒸着装置（１）にセットし、真空槽（２０）
を１０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気した。その後この
リボン状含浸担体を蒸発源送り機構（２５）を用いて５
ｃｍ／ｍｉｎで送り込みながら、予め３６０℃に加熱し
た加熱源（２３）としてのヒートローラーに接触させ蒸
発させた。このときのフィルム状被処理基材（８０）の
走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
ボン状含浸担体とフィルム状被処理基材（８０）を巻き
取り式真空蒸着装置（１）にセットし、真空槽（２０）
を１０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下に真空排気した。その後この
リボン状含浸担体を蒸発源送り機構（２５）を用いて５
ｃｍ／ｍｉｎで送り込みながら、予め３６０℃に加熱し
た加熱源（２３）としてのヒートローラーに接触させ蒸
発させた。このときのフィルム状被処理基材（８０）の
走行速度は５ｍ／ｍｉｎであった。
【００２６】このようにして得られた防汚性薄膜は、水
の接触角で１１０度から１１１度の均一なものであっ
た。また、防汚性薄膜の形成前後における分光特性の変
化は無く、幅方向、長さ方向の色ムラは皆無で安定した
ものであった。
の接触角で１１０度から１１１度の均一なものであっ
た。また、防汚性薄膜の形成前後における分光特性の変
化は無く、幅方向、長さ方向の色ムラは皆無で安定した
ものであった。
【００２７】＜比較例１＞フルオロアルキルシラザンを
スチールウールに含浸させ、直径φ１８ｍｍの銅製カッ
プに圧入した総計４５０個の蒸着源をリング状に二列に
並べ、送り角度１．５度／ｍｉｎで回転させながら、電
子ビームガンを用いて、加速電圧１０ＫＶ、エミッショ
ン電流１５ｍＡの条件で加熱蒸発させ、被処理基材（８
０）に蒸着した。このときの被処理基材（８０）として
は、実施例１と同様のものを用い、その走行速度は２ｍ
／ｍｉｎであった。
スチールウールに含浸させ、直径φ１８ｍｍの銅製カッ
プに圧入した総計４５０個の蒸着源をリング状に二列に
並べ、送り角度１．５度／ｍｉｎで回転させながら、電
子ビームガンを用いて、加速電圧１０ＫＶ、エミッショ
ン電流１５ｍＡの条件で加熱蒸発させ、被処理基材（８
０）に蒸着した。このときの被処理基材（８０）として
は、実施例１と同様のものを用い、その走行速度は２ｍ
／ｍｉｎであった。
【００２８】このようにして得られた防汚性薄膜は、水
の接触角で１１０度から１１１度であったが、長さ３０
ｃｍ間隔で周期的に接触角約９０度程度の部分が発生し
た。この部分では、防汚性薄膜の形成前後における分光
特性の変化は無く、幅方向、長さ方向の色ムラは見られ
なかったが、防汚性能にムラが発生した。また、蒸着源
を並べる（セットする）作業が煩雑であった。
の接触角で１１０度から１１１度であったが、長さ３０
ｃｍ間隔で周期的に接触角約９０度程度の部分が発生し
た。この部分では、防汚性薄膜の形成前後における分光
特性の変化は無く、幅方向、長さ方向の色ムラは見られ
なかったが、防汚性能にムラが発生した。また、蒸着源
を並べる（セットする）作業が煩雑であった。
【００２９】
【発明の効果】本発明は以上の構成であるから、下記に
示す如き効果がある。即ち、防汚性の優れた分子量が大
きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系
の材料混合物を多孔性材料に含浸させ連続したリボン状
含浸担体とした蒸着源とし、ロールフィルム状の被処理
基材（光学部材）に巻き取り式真空蒸着装置にて蒸着す
る長時間の連続成膜が可能な防汚性薄膜の形成方法とし
たので、その薄膜の防汚効果の安定性、薄膜形成の制御
性および作業性に優れた防汚性薄膜を形成することがで
きる。
示す如き効果がある。即ち、防汚性の優れた分子量が大
きく、蒸気圧が低く、反応性が高い材料あるいは多元系
の材料混合物を多孔性材料に含浸させ連続したリボン状
含浸担体とした蒸着源とし、ロールフィルム状の被処理
基材（光学部材）に巻き取り式真空蒸着装置にて蒸着す
る長時間の連続成膜が可能な防汚性薄膜の形成方法とし
たので、その薄膜の防汚効果の安定性、薄膜形成の制御
性および作業性に優れた防汚性薄膜を形成することがで
きる。
【図１】本発明の一実施の形態を示す巻き取り式真空蒸
着装置の側面を表した説明図である。
着装置の側面を表した説明図である。
１‥‥巻き取り式真空蒸着装置 ２０‥‥真空槽 ２２‥‥蒸着源 ２３‥‥加熱源 ２４‥‥蒸着ロール ２５‥‥蒸発源送り機構 ２６‥‥巻き出しロール ２８‥‥巻き取りロール ８０‥‥被処理基材
フロントページの続き (72)発明者 渡辺 引樹 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】被処理基材の表面に防汚性物質の薄膜を形
成す方法であって、該薄膜を真空蒸着法によって形成す
ることを特徴とする防汚性薄膜の形成方法。 - 【請求項２】前記防汚性物質が、一般式 【化１】 （但し、Ｒ1fはフッ素を有する置換基、Ａは加水分解
基、置換数ｎは０＜ｎ＜４、ｌは０〜３の整数、ｍは１
〜１０の整数）で表されるフルオロアルキルシランもし
くは一般式中の加水分解基Ａがアミノ基であるフルオロ
アルキルシラザンであることを特徴とする請求項１記載
の防汚性薄膜の形成方法。 - 【請求項３】前記被処理基材が、ロールフィルム上に形
成された光学部材であることを特徴とする請求項１また
は２記載の防汚性薄膜の形成方法。 - 【請求項４】前記被処理基材が、ロールフィルム上に形
成された反射防止膜付きの光学部材であることを特徴と
する請求項１または２記載の防汚性薄膜の形成方法。 - 【請求項５】前記真空蒸着法に使用する蒸着源が多孔質
材料を含浸担体とする連続したリボン状であることを特
徴とする請求項１、２、３または４記載の防汚性薄膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23391397A JPH1171665A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 防汚性薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP23391397A JPH1171665A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 防汚性薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1171665A true JPH1171665A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16962563
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP23391397A Pending JPH1171665A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 防汚性薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1171665A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017208826A1 (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | ソニー株式会社 | 薄膜製造方法、薄膜製造装置、光電変換素子の製造方法、論理回路の製造方法、発光素子の製造方法及び調光素子の製造方法 |
| KR20230009993A (ko) | 2020-07-13 | 2023-01-17 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 적층체 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23391397A patent/JPH1171665A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017208826A1 (ja) * | 2016-05-30 | 2017-12-07 | ソニー株式会社 | 薄膜製造方法、薄膜製造装置、光電変換素子の製造方法、論理回路の製造方法、発光素子の製造方法及び調光素子の製造方法 |
| JPWO2017208826A1 (ja) * | 2016-05-30 | 2019-03-28 | ソニー株式会社 | 薄膜製造方法、薄膜製造装置、光電変換素子の製造方法、論理回路の製造方法、発光素子の製造方法及び調光素子の製造方法 |
| US10679850B2 (en) | 2016-05-30 | 2020-06-09 | Sony Corporation | Manufacturing method for forming a thin film between two terminals |
| KR20230009993A (ko) | 2020-07-13 | 2023-01-17 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 적층체 |
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