JP3852866B2 - 高周波電力増幅器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、FETの動作電流のバラツキを抑えるためのバイアス電流安定化回路を有する多段構成の高周波電力増幅器に係り、特に終段の増幅段におけるドイレン電圧降下を防止して、出力電力、電力付加効率および歪み特性を向上させた高周波電力増幅器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図4は従来から知られているバイアス電流安定化回路を具備した2段構成の高周波電力増幅器の回路構成を示すブロック図である。1はゲート幅をW1とする初段の増幅段のソース接地FETであって、そのゲートは入力整合回路18および直流阻止用キャパシタ15を介して入力信号端子14に接続されている。また、51はゲート幅をW51(W51>W1)とする終段の増幅段のソース接地FETであって、そのゲートは直流阻止用キャパシタ16および段間整合回路19を介して前記FET1のドレインに接続され、ドレインは出力整合回路20および直流阻止用キャパシタ17を介して出力信号端子21に接続されている。
【0003】
FET1にドレイン電圧(Vd1)を供給するドレイン電圧供給端子50は、抵抗5(R1)、バイアス電流安定化回路6の基準電圧源(Vr1)の端子7および高周波阻止用のチョークコイル4を介して、FET1のドレインに接続されている。また、FET51にドレイン電圧(Vd2)を供給するドレイン電圧供給端子52は、抵抗53(R2)、バイアス電流安定化回路54の基準電圧源(Vr2)端子55および高周波阻止用のチョークコイル10を介して、FET51のドレインに接続されている。
【0004】
バイアス電流安定化回路6のゲート制御電圧端子8は、ゲートバイアス端子12および高周波阻止用のチョークコイル3を介してFET1のゲートに、バイアス電流安定化回路54のゲート電圧制御端子56は、ゲートバイアス端子13および高周波阻止用のチョークコイル9を介してFET51のゲートに、それぞれ接続されている。
【0005】
この図4に示す高周波電力増幅器では、FET1、51について、それぞれバイアス電流安定化回路6、54により、動作電流(ドレイン電流の直流成分)のバラツキがないよう、その安定化・一定化が個別的に図られている。まず、FET1のドレイン電流の直流成分Id1が Id1=(Vd1−Vr1)/R1になるように、また、FET51のドレイン電流の直流成分Id51が
Id51=(Vd2−Vr2)/R2
になるように、それぞれゲート電圧Vg1、Vg2が制御される。
【0006】
すなわち、抵抗5、53がFET1、51の動作電流を検出して電圧Vr1、Vr2に変換し、この電圧Vr1、Vr2をバイアス電流安定化回路6、54に入力することにより、電圧Vr1、VR2に応じたゲート制御電圧を端子8、56から出力して、電圧Vr1、Vr2が所定の値となるようにFET1、51のゲートバイアス電圧Vg1、Vg2を決定して、それらFET1、51の動作電流のバラツキが抑えられている。このとき、入力端子14から入力する高周波信号はチョークコイル3、4、9、10により阻止されて、バイアス電流安定化回路6、54の動作に影響を与えることはない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、高周波電力増幅器では、出力電力、電力付加効率[(高周波出力電力−高周波入力電力)/直流入力電力]および歪み特性が重要であり、終段のFETによりこれらの重要特性がほぼ決定されるが、上記の電力増幅器では終段のFET51にもバイアス電流安定化回路54が付加されており、ドレイン電圧供給端子52と基準電圧源端子55との間の電圧(Vd2−Vr2)分だけ、FET51のドレイン電圧が低下してしまうため、FET51の出力電力、電力付加効率および歪み特性が劣化する。すわなち、動作電流を一定にするためのバイアス電流安定化回路54を終段のFETにも設けているため、その終段のFETのドレイン電圧が低下し、電力増幅器の出力電力、電力付加効率および歪特性が劣化するという問題があった。
【0008】
本発明の目的は、上記問題を解決し、バイアス電流の安定化を行なうと共に、出力電力、電力付加効率および歪み特性も向上させた高周波電力増幅器を提供することである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
第1の発明は、FETのドレイン電流の直流成分を該FETのドレインに接続した抵抗により検出して該直流成分が所定値となるようなゲート制御電圧を発生するバイアス電流安定化回路が設けられ、該バイアス電流安定化回路の前記ゲート制御電圧が前記FETのゲートに印加された第1の増幅段と、該第1の増幅段の出力信号を増幅して出力する終段の増幅段とを具備し、前記終段の増幅段のFETのゲート幅を、前記第1の増幅段のFETのゲート幅のN倍(N>1)とすると共に、両FETにそのピンチオフ電圧特性が同じものを選定し、且つ前記終段の増幅段のFETのドレインをドレイン電圧供給端子に直流的に直接接続すると共に、前記終段の増幅段のFETのゲートに前記バイアス電流安定化回路から出力する前記ゲート制御電圧を印加したことを特徴とする高周波電力増幅器として構成した。
【0010】
第2の発明は、第1の発明において、前記第1の増幅段の前段、又は前記第1の増幅段と前記終段の増幅段との間に1又は複数の増幅段を介挿し、該1又は複数の増幅段のFETと前記第1の増幅段のFETにそのピンチオフ電圧特性が同じものを選定し、前記1又は複数の増幅段のFETのドレインを前記ドレイン電圧供給端子に直流的に直接接続し、前記1又は複数の増幅段のFETのゲートに前記バイアス電流安定化回路から出力する前記ゲート制御電圧を印加したことを特徴とする高周波電力増幅器として構成した。
【0012】
【発明の実施の形態】
[第1の実施の形態]
図1は本発明の第1の実施の形態の高周波電力増幅器の回路構成を示すブロック図である。前述した図4に示したものと同一のものには同一の符号を附して、その詳しい説明は省略する。2は終段の増幅段を構成するFETであって、そのゲート幅W2は初段の増幅段のFET1のゲート幅W1に対してW2=W1・N(N>1)に設定され、さらに両FET1、2には、そのピンチオフ電圧特性が同じものが選定されている。すなわち、両FET1、2は、ソース・ドレイン間電圧を一定としてゲート電圧を変化させたとき、ドレイン電流が0になる点のゲート電圧が同一である。
【0013】
11はFET1、2にドレイン電圧(Vdd)を供給するためのドレイン電圧供給端子であって、この端子11はFET1のドレインに対しては、抵抗5(R1)、バイアス電流安定化回路6の基準電圧源(Vr1)の端子7およびチョークコイル4を介して接続され、FET2のドレインに対しては、チョークコイル10のみを介して直接接続されている。すなわち、ドレイン電圧供給端子11はFET2のドレインに対して直流的に直接接続されている。
【0014】
バイアス電流安定化回路6は、PNP形のバイポーラトランジスタ22を具備し、そのベースには、抵抗23(R3)と抵抗24(R4)でドレイン電圧供給端子11の電圧(Vdd)を分圧した電圧が印加され、エミッタは基準電圧源端子7に接続され、コレクタは抵抗25を介して電圧が−Vccのバイアス電源端子26に接続されている。そして、このコレクタがゲート制御電圧端子8に接続されている。
【0015】
このバイアス電流安定化回路6において、PNP形トランジスタ22のベース電圧Vbは、
Vb=Vdd・R4/(R3+R4)
で与えられ、よってこのトランジスタ22のベース・エミッタ間電圧をVbeとすると、基準電圧源端子7の基準電圧Vr1は、
となる。
【0016】
FET1のドレイン電流の直流成分Idd1は抵抗R5を流れる電流の直流成分に等しく、図1の回路ではバイアス電流安定化回路6は、
Idd1=[Vdd−(Vdd・R4/(R3+R4)+Vbe)]/R1 なる直流成分のドレイン電流(動作電流)が流れるように、FET1のゲート電圧制御Vggが制御される。
【0017】
このゲート制御電圧Vggは、FET2のゲート電圧としてもバイアス端子13に供給されており、前記したように、FET1とFET2はそのピンチオフ電圧が揃えられているので、同じゲート制御電圧Vggが印加されるFET1、FET2には、そのゲート制御電圧Vggに応じてゲート幅に比例したドレイン電流が流れるようになる。しかも、終段のFET2は、ドレイン電圧供給端子11の電圧Vddがドレインに直接給電される。
【0018】
したがって、バイアス電流安定化回路6を初段のFET1のみに用いて、そこで得られたゲート制御電圧Vggを終段のFET2のゲートにも印加することにより、その終段のFET2の動作電流も初段のFET1と同様に制御して安定化させることができ、また終段のFET2のドレイン電圧が降下することもないので、出力電力、電力付加効率および歪み特性が劣化することもない。
【0019】
[第2の実施の形態]
図2は本発明の第2の実施の形態の高周波電力増幅器の回路構成を示すブロック図である。ここでは、バイアス電流安定化回路6として、オペアンプ27を使用した積分回路を用いた。図1に示したものと同一のものには同一の符号を附している。オペアンプ27の反転入力端子を抵抗29を介して基準電圧源端子7に接続し、非反転入力端子に抵抗30を介して基準電圧Vrefを印加することより、FET1、2のゲートバイアス電圧がFET1のドレイン電流の直流成分に応じて制御され、その動作電流が所定値に制御される。28、31はキャパシタである。
【0020】
この実施の形態では、バイアス電流安定化回路6が積分回路で構成されているので、入力電圧(Vr1)の変化に対する感度が低くなり、ドレイン電流の急激な変化、高速な変化を無視したより安定な制御が行なわれるようになる。
【0021】
[第3の実施の形態]
図3は本発明の第3の実施の形態の高周波電力増幅器の回路構成を示すブロック図である。ここでは、FET1により構成した初段の増幅段とFET2により構成した終段の増幅段との間に、FET33により構成した増幅段を介挿して3段構成とし、その各々のFET1、33、2にピンチオフ電圧特性の揃ったものを使用し、且つ、FET1のゲート幅W1、FET33のゲート幅W33、FET2のゲート幅W2をW1<W33<W2の関係に設定した。また、初段のFET1にのみバイアス電流安定化回路6を設けて、そのバイアス電流安定化回路6から出力するゲート制御電圧Vggを、初段FET1、中段FET2、終段FET33のゲートに各々供給するようにした。32は段間整合回路、34、35は直流阻止用キャパシタ、36、37は高周波阻止用チョークコイル、38はFET33のゲートバイアス端子である。
【0022】
この第3の実施の形態においても、中段のFET33、終段のFET2のゲート電流が動作電流を安定して流すように適正に制御され、またそれらのトランジスタFET33、FET2のドレインにドレイン供給電圧Vddが直接印加されるので、出力電力、電力付加効率および歪み特性が劣化することはない。
【0023】
[その他の実施の形態]
なお、前記した第3の実施の形態では、増幅段が3段構成であるが、更に発展させて4段以上の多段電力増幅器を構成することもできる。また、バイアス電流安定化回路は、かならずしも初段の増幅段に構成する必要はなく、終段を除く他の増幅段に構成しても、同様の作用効果を得ることができる。
【0024】
第1の発明によれば、終段の増幅段のFETのドレインにドレイン供給電圧が直接供給されるので、従来のようにドレイン電圧が低下することはなく、出力電力、電力付加効率および歪特性が劣化することはない。しかも、前段の増幅段に使用されているFETとピンチオフ電圧特性が同じものを終段の増幅段のFETに使用し、且つ該前段のFETのドレイン電流の直流成分を検出して得たバイアス電流安定化回路で得られるゲート制御電圧で当該終段の増幅段のFETを制御するので、当該終段の増幅段の動作電流(ドレイン電流の直流成分)を安定化させることもできる。
【0025】
第2の発明によれば、3段又は4段以上の多段構成の高周波電力増幅器を構成しても、1個のバイアス電流安定化回路により、終段のみならず他のすべての増幅段のFETのゲートを、そのFETの動作電流が安定するように制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態の高周波電力増幅器の回路構成を示すブロック図である。
【図2】 本発明の第2の実施の形態の高周波電力増幅器の回路構成を示すブロック図である。
【図3】 本発明の第3の実施の形態の高周波電力増幅器の回路構成を示すブロック図である。
【図4】 従来の高周波電力増幅器の回路構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1、2:FET、3、4:チョークコイル、5:ドレイン電流検出用の抵抗、6:バイアス電流安定化回路、7:基準電圧源端子、8:ゲート制御電圧端子、9、10:チョークコイル、11:ドレイン電圧供給端子、12、13:ゲートバイアス端子、14:入力端子、15〜17:直流阻止用キャパシタ、18:入力整合回路、19:段間整合回路、20:出力整合回路、21:出力端子、22:PNPトランジスタ、23〜25:抵抗、26:バイアス電源端子、27:オぺアンプ、28:直流阻止用キャパシタ、29、30:抵抗、31:直流阻止用キャパシタ、32:段間整合回路、33:FET、34、35:直流阻止用キャパシタ、36、37:高周波阻止用チョークコイル、50:ドレイン電圧供給端子、51:FET、52:ドレイン電圧供給端子、53:抵抗、54:バイアス電流安定化回路、55:基準電圧源端子、56:ゲート制御電圧端子。
Claims (2)
- FETのドレイン電流の直流成分を該FETのドレインに接続した抵抗により検出して該直流成分が所定値となるようなゲート制御電圧を発生するバイアス電流安定化回路が設けられ、該バイアス電流安定化回路の前記ゲート制御電圧が前記FETのゲートに印加された第1の増幅段と、該第1の増幅段の出力信号を増幅して出力する終段の増幅段とを具備し、
前記終段の増幅段のFETのゲート幅を、前記第1の増幅段のFETのゲート幅のN倍(N>1)とすると共に、両FETにそのピンチオフ電圧特性が同じものを選定し、
且つ前記終段の増幅段のFETのドレインをドレイン電圧供給端子に直流的に直接接続すると共に、前記終段の増幅段のFETのゲートに前記バイアス電流安定化回路から出力する前記ゲート制御電圧を印加したことを特徴とする高周波電力増幅器。 - 前記第1の増幅段の前段、又は前記第1の増幅段と前記終段の増幅段との間に1又は複数の増幅段を介挿し、該1又は複数の増幅段のFETと前記第1の増幅段のFETにそのピンチオフ電圧特性が同じものを選定し、前記1又は複数の増幅段のFETのドレインを前記ドレイン電圧供給端子に直流的に直接接続し、前記1又は複数の増幅段のFETのゲートに前記バイアス電流安定化回路から出力する前記ゲート制御電圧を印加したことを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。
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