JP3847239B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波の電気信号を送受信する半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ、およびその半導体素子収納用パッケージを用いて成る半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気信号を送受信する半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージは、一般に、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子の搭載部が形成された基体と、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属材料から成り、基体の半導体素子搭載部から下面にかけて被着導出された複数の入出力用配線導体（第１配線導体）およびグランド用配線導体と、この配線導体と電気的に接続するようにして基体の下面に形成された複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている出入力用配線導体（第２配線導体）と、導電性の線材と絶縁性の外囲体とから成り、線材の一端が出入力用配線導体（第２配線導体）に接続され、他端が外部に導出されているコネクターとにより構成されている。
【０００３】
かかる半導体素子収納用パッケージは、その搭載部に電気信号を送受信する半導体素子がＡｕ−Ｓｎろう材あるいは半田等の接合材を介して接着固定されるとともに、半導体素子の電極が入出力配線導体（第１配線導体）、グランド用配線導体および出入力配線導体（第２配線導体）にボンディングワイヤや接続用リボン、半田等の導電性接続材を介して接続され、その後、必要に応じて蓋体等で半導体素子を封止することによって半導体装置となる。
【０００４】
また前記半導体装置は基体の下面に形成されているグランド用パッドおよび入出力用パッドを外部電気回路基板の回路導体に半田バンプ等を介し接続させることによって内部に収容する半導体素子が外部電気回路に接続され、同時にコネクターに同軸ケーブル等を介し外部の通信装置等の外部機器を接続させることによって半導体素子と外部機器とが接続するようになっている。
【０００５】
なお、前記半導体装置に使用されている半導体素子は複数の電気信号を合成して一つの電気信号に変換する、或いは一つの電気信号を分離して複数の電気信号に変換する機能を有しており、第１配線導体を介して入力される複数の周波数帯域が低い電気信号は半導体素子で合成されて一つの周波数帯域が高い電気信号となり、この周波数帯域の高い電気信号は第２配線導体を介してコネクターに伝送されるとともにコネクターより外部の通信装置等の外部機器に伝送され、またコネクターを介して外部機器より伝送された周波数帯域の高い電気信号は半導体素子で複数の周波数帯域が低い電気信号に変換され、各々の周波数帯域の低い電気信号は第１配線導体を介して外部電気回路に伝送されることとなる。
【０００６】
また、前記コネクターは、通常、銅等の金属の線材の周囲をセラミックス等の絶縁性材料から成る外囲体で取り囲んだ構造を有しており、コネクターの線材と第２配線導体とはコネクターの線材が熱により膨張した際、第２配線導体より外れてしまうのを防止するため約２ｍｍ（２０００μｍ）以上の長さに接続し、接続面積を大としていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−１６４４６６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置においては、第２配線導体にコネクターの線材を２ｍｍ以上の長さにわたって接続しており、両者の接続部におけるインピーダンスは第２配線導体とコネクターの線材との合計となって他よりも低い低インピーダンスになるとともにその低インピーダンスの領域が２ｍｍ以上のものとなっている。そのため、この第２配線導体とコネクターの線材との間に４０ＧＨｚ〜８０Ｇｈｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号は前記インピーダンスが低い領域（第２配線導体とコネクターの線材とが２ｍｍ以上にわたって接続されている領域）で反射等を起こし、伝送特性が大きく劣化するという欠点を有していた。
【０００９】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、第２配線導体とコネクターの線材との接続部での高周波電気信号の反射等を有効に防止し、伝送特性の優れた半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子と、該半導体素子が収容される搭載部を、蓋体及び封止材により気密封止してなる空間を備えた基体と、前記気密封止された空間から該空間の外側に引き出される配線導体と、該配線導体に前記空間の外側で電気的に接続されるコネクタとを備え、前記コネクタは、導電性の線材と絶縁性の外囲体とから成り、前記コネクターの線材と配線導体との接続長さが８００μm以下であるとともに、前記コネクターの線材が前記基体表面に接合している被覆層で被覆され、且つ前記基体における前記配線導体が形成された面と側面との間に形成された切り欠きに臨む前記基体の上面に、前記外囲体の下部が当接されるとともに、前記下部に対向する外囲体の上部が露出されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置によれば、第２配線導体とコネクターの線材との接続長さを８００μｍ以下と短くしたことから、第２配線導体とコネクターの線材との接続部における低インピーダンス領域の長さが極めて短いものとなり、その結果、第２配線導体とコネクターの線材に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させたとしても低インピーダンス領域が短いことから大きな反射を起こすことはなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
図１は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施例を示し、１は基体、２ａは第１配線導体、２ｂはグランド配線導体、３ａは入出力用パッド、３ｂはグランド用パッド、４は第２配線導体、５はコネクターである。これら基体１、第１配線導体２ａ、グランド配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂ、第２配線導体４およびコネクター５により半導体素子６を収納するための半導体素子収納用パッケージ７が基本的に構成される。
【００１５】
前記基体１は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成法を採用しシート状に形成してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを必要に応じて複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作される。
【００１６】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから下面にかけて複数個の第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂが形成されており、該各配線導体２ａ、２ｂは半導体素子の電気信号入出力用、接地用の各電極を、入出力用パッド３ａやグランド用パッド３ｂに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の電気信号入出力用、接地用の各電極が導電性接続材を介して電気的に接続される。
【００１７】
前記第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂは、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料から成り、例えば銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤等を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷しておくことにより形成される。
【００１８】
この第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂの基体１下面側の一端は、それぞれ対応する入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂと電気的に接続しており、これらの入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂを外部電気回路の所定の信号用や接地用等の回路導体に接続することにより、半導体素子６の電気信号信号入出力用、接地用の各電極が外部電気回路と電気的に接続される。
【００１９】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから上面や側面等にかけて第２配線導体４が形成されており、該第２配線導体４は半導体素子６の電極をコネクター５の線材５ａに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の電極が導電性接続材８を介して電気的に接続される。
【００２０】
前記第２配線導体４は、上述の第１配線導体２ａ等と同様に、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料から成り、例えば銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤等を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷しておくことにより形成される。
【００２１】
この第２配線導体４の基体１外表面側の一端はコネクター５の線材５ａと電気的に接続しており、このコネクター５を同軸ケーブル等を介して通信装置等の外部機器に接続することにより半導体素子６と外部機器との間で高周波信号の送受信が行われる。
【００２２】
前記コネクター５は、半導体素子収納用パッケージ７の第２配線導体４を同軸ケーブル等を介して外部機器に接続するための接続体として作用し、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属の線材５ａの周囲を、ホウ珪酸系ガラス等の絶縁性の外囲体５ｂで取り囲んだ構造である。
【００２３】
前記線材５ａと外囲体５ｂとから成るコネクター５は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る線材５ａを、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の容器の中央にセットし、容器内にホウ珪酸ガラス等のガラス粉末を充填した後、ガラス粉末を加熱溶融させて線材５ａの周囲に被着させることによって製作される。
【００２４】
かくして上述の半導体素子収納用パッケージによれば、基体１の搭載部１ａに半導体素子６を搭載するとともにガラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介して固定し、しかる後、半導体素子６の各電極を第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂに、例えば、ボンディングワイヤ８を介して接続し、最後に蓋体１０を基体１の上面に封止材を介して接合させ、半導体素子６を気密に封入することによって半導体装置１１となる。
【００２５】
この半導体装置１１は基体１下面の入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂが外部電気回路基板の所定の信号用や接地用等の回路導体に半田バンプ等の外部端子を介して接続され、これによって半導体素子６の信号用、接地用の各電極は外部電気回路と電気的に接続される。
【００２６】
また、この半導体装置１１に取着されているコネクター５の線材５ａに同軸ケーブル等の外部接続用の導線を接続することにより、半導体素子６の電極が通信装置等の外部機器に接続される。
【００２７】
そしてかかる半導体装置１１は、外部電気回路から供給される複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号を第１配線導体２ａを介して半導体素子６に入力させ、半導体素子６でこれら入力された電気信号を合成して、一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号とするとともにこれを第２配線導体４を介してコネクター５に出力し、該コネクター５の線材５ａを介して外部の通信装置等の外部機器に伝送する、或いは、外部の通信装置等の外部機器から伝送された一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号をコネクター５の線材５ａ及び第２配線導体４を介して半導体素子６に入力し、半導体素子６で入力された周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号を複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号に変換するとともにこれらの個々の周波数帯域が低い電気信号を第１配線導体２ａを介して外部電気回路に供給することとなる。
【００２８】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよびこれを用いた半導体装置においては、第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続長さを８００μｍ以下とすることが重要である。
【００２９】
第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続長さを８００μｍ以下とすると第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続部における低インピーダンス領域の長さが極めて短いものとなり、その結果、第２配線導体４とコネクター５の線材５ａに４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させたとしても低インピーダンス領域が短いことから大きな反射を起こすことはなく伝送特性を極めて優れたものとなすことが可能となる。
【００３０】
なお、前記第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続長さが８００μｍを超えると第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続部における低インピーダンス領域が長いものとなり、第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた際、接続部で反射等を起こし、伝送特性が大きく劣化してしまう。従って、前記第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続部の長さは８００μｍ以下に特定される。
【００３１】
また本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置においては、第２配線導体４に接続されているコネクター５の線材５ａを基体１表面に接合している被覆層９で被覆しておくことが重要である。
【００３２】
前記第２配線導体４に接続されているコネクター５の線材５ａを基体１表面に接合している被覆層９で被覆すると、コネクター５の線材５ａが基体１に対して強固に固定されることとなり、その結果、コネクター５の線材５ａが熱により膨張し第２配線導体４より外れようとしても外れることはなく第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの電気的接続の信頼性を極めて優れたものとなすことができる。
【００３３】
前記被覆層９は、エポキシ樹脂やビスマルイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂等から成り、例えば、第２配線導体４にコネクター５の線材５ａを接続した後、コネクター５の線材５ａの表面から基体１の表面にかけて未硬化のエポキシ樹脂（液状）を塗布し、約１００℃〜２００℃の熱を約０．５〜３時間程度加え、熱硬化させることによってコネクター５の線材５ａを基体１表面に接合する被覆層９で被覆することができる。
【００３４】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置によれば、第２配線導体とコネクターの線材との接続長さを８００μｍ以下と短くしたことから、第２配線導体とコネクターの線材との接続部における低インピーダンス領域の長さが極めて短いものとなり、その結果、第２配線導体とコネクターの線材に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させたとしても低インピーダンス領域が短いことから大きな反射を起こすことはなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージおよびこの半導体素子収納用パッケージを用いた半導体装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の要部拡大図である。
【符号の説明】
１・・・・・基体
１ａ・・・・搭載部
２ａ・・・・第１配線導体
２ｂ・・・・グランド配線導体
３ａ・・・・入出力用パッド
３ｂ・・・・グランド用パッド
４・・・・・第２配線導体
５・・・・・コネクター
５ａ・・・・線材
５ｂ・・・・外囲体
６・・・・・半導体素子
７・・・・・半導体素子収納用パッケージ
８・・・・・ボンディングワイヤ
９・・・・・被覆層
１０・・・・蓋体
１１・・・・半導体装置
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波の電気信号を送受信する半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ、およびその半導体素子収納用パッケージを用いて成る半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電気信号を送受信する半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージは、一般に、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、上面に半導体素子の搭載部が形成された基体と、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属材料から成り、基体の半導体素子搭載部から下面にかけて被着導出された複数の入出力用配線導体（第１配線導体）およびグランド用配線導体と、この配線導体と電気的に接続するようにして基体の下面に形成された複数個のグランド用パッドおよび入出力用パッドと、基体の搭載部より上面もしくは側面にかけて導出されている出入力用配線導体（第２配線導体）と、導電性の線材と絶縁性の外囲体とから成り、線材の一端が出入力用配線導体（第２配線導体）に接続され、他端が外部に導出されているコネクターとにより構成されている。
【０００３】
かかる半導体素子収納用パッケージは、その搭載部に電気信号を送受信する半導体素子がＡｕ−Ｓｎろう材あるいは半田等の接合材を介して接着固定されるとともに、半導体素子の電極が入出力配線導体（第１配線導体）、グランド用配線導体および出入力配線導体（第２配線導体）にボンディングワイヤや接続用リボン、半田等の導電性接続材を介して接続され、その後、必要に応じて蓋体等で半導体素子を封止することによって半導体装置となる。
【０００４】
また前記半導体装置は基体の下面に形成されているグランド用パッドおよび入出力用パッドを外部電気回路基板の回路導体に半田バンプ等を介し接続させることによって内部に収容する半導体素子が外部電気回路に接続され、同時にコネクターに同軸ケーブル等を介し外部の通信装置等の外部機器を接続させることによって半導体素子と外部機器とが接続するようになっている。
【０００５】
なお、前記半導体装置に使用されている半導体素子は複数の電気信号を合成して一つの電気信号に変換する、或いは一つの電気信号を分離して複数の電気信号に変換する機能を有しており、第１配線導体を介して入力される複数の周波数帯域が低い電気信号は半導体素子で合成されて一つの周波数帯域が高い電気信号となり、この周波数帯域の高い電気信号は第２配線導体を介してコネクターに伝送されるとともにコネクターより外部の通信装置等の外部機器に伝送され、またコネクターを介して外部機器より伝送された周波数帯域の高い電気信号は半導体素子で複数の周波数帯域が低い電気信号に変換され、各々の周波数帯域の低い電気信号は第１配線導体を介して外部電気回路に伝送されることとなる。
【０００６】
また、前記コネクターは、通常、銅等の金属の線材の周囲をセラミックス等の絶縁性材料から成る外囲体で取り囲んだ構造を有しており、コネクターの線材と第２配線導体とはコネクターの線材が熱により膨張した際、第２配線導体より外れてしまうのを防止するため約２ｍｍ（２０００μｍ）以上の長さに接続し、接続面積を大としていた。
【０００７】
【特許文献１】
特開２００２−１６４４６６号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置においては、第２配線導体にコネクターの線材を２ｍｍ以上の長さにわたって接続しており、両者の接続部におけるインピーダンスは第２配線導体とコネクターの線材との合計となって他よりも低い低インピーダンスになるとともにその低インピーダンスの領域が２ｍｍ以上のものとなっている。そのため、この第２配線導体とコネクターの線材との間に４０ＧＨｚ〜８０Ｇｈｚの高周波の電気信号を伝送させた場合、高周波の電気信号は前記インピーダンスが低い領域（第２配線導体とコネクターの線材とが２ｍｍ以上にわたって接続されている領域）で反射等を起こし、伝送特性が大きく劣化するという欠点を有していた。
【０００９】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、第２配線導体とコネクターの線材との接続部での高周波電気信号の反射等を有効に防止し、伝送特性の優れた半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子と、該半導体素子が収容される搭載部を、蓋体及び封止材により気密封止してなる空間を備えた基体と、前記気密封止された空間から該空間の外側に引き出される配線導体と、該配線導体に前記空間の外側で電気的に接続されるコネクタとを備え、前記コネクタは、導電性の線材と絶縁性の外囲体とから成り、前記コネクターの線材と配線導体との接続長さが８００μm以下であるとともに、前記コネクターの線材が前記基体表面に接合している被覆層で被覆され、且つ前記基体における前記配線導体が形成された面と側面との間に形成された切り欠きに臨む前記基体の上面に、前記外囲体の下部が当接されるとともに、前記下部に対向する外囲体の上部が露出されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置によれば、第２配線導体とコネクターの線材との接続長さを８００μｍ以下と短くしたことから、第２配線導体とコネクターの線材との接続部における低インピーダンス領域の長さが極めて短いものとなり、その結果、第２配線導体とコネクターの線材に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させたとしても低インピーダンス領域が短いことから大きな反射を起こすことはなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
図１は本発明の半導体素子収納用パッケージの一実施例を示し、１は基体、２ａは第１配線導体、２ｂはグランド配線導体、３ａは入出力用パッド、３ｂはグランド用パッド、４は第２配線導体、５はコネクターである。これら基体１、第１配線導体２ａ、グランド配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂ、第２配線導体４およびコネクター５により半導体素子６を収納するための半導体素子収納用パッケージ７が基本的に構成される。
【００１５】
前記基体１は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒、可塑剤、分散剤を添加混合して泥漿物を作り、この泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート形成法を採用しシート状に形成してセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、それらセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを必要に応じて複数枚積層し、約１６００℃の高温で焼成することによって製作される。
【００１６】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから下面にかけて複数個の第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂが形成されており、該各配線導体２ａ、２ｂは半導体素子の電気信号入出力用、接地用の各電極を、入出力用パッド３ａやグランド用パッド３ｂに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の電気信号入出力用、接地用の各電極が導電性接続材を介して電気的に接続される。
【００１７】
前記第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂ、入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂは、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料から成り、例えば銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤等を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷しておくことにより形成される。
【００１８】
この第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂの基体１下面側の一端は、それぞれ対応する入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂと電気的に接続しており、これらの入出力用パッド３ａ、グランド用パッド３ｂを外部電気回路の所定の信号用や接地用等の回路導体に接続することにより、半導体素子６の電気信号信号入出力用、接地用の各電極が外部電気回路と電気的に接続される。
【００１９】
また前記基体１は、半導体素子の搭載部１ａから上面や側面等にかけて第２配線導体４が形成されており、該第２配線導体４は半導体素子６の電極をコネクター５の線材５ａに接続するための導電路として作用し、搭載部１ａ側の一端には半導体素子６の電極が導電性接続材８を介して電気的に接続される。
【００２０】
前記第２配線導体４は、上述の第１配線導体２ａ等と同様に、銅、銀、金、パラジウム、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属材料から成り、例えば銅から成る場合であれば、銅粉末に有機溶剤等を添加して成る金属ペーストを基体１となるセラミックグリーンシートの表面に所定パターンに印刷しておくことにより形成される。
【００２１】
この第２配線導体４の基体１外表面側の一端はコネクター５の線材５ａと電気的に接続しており、このコネクター５を同軸ケーブル等を介して通信装置等の外部機器に接続することにより半導体素子６と外部機器との間で高周波信号の送受信が行われる。
【００２２】
前記コネクター５は、半導体素子収納用パッケージ７の第２配線導体４を同軸ケーブル等を介して外部機器に接続するための接続体として作用し、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属の線材５ａの周囲を、ホウ珪酸系ガラス等の絶縁性の外囲体５ｂで取り囲んだ構造である。
【００２３】
前記線材５ａと外囲体５ｂとから成るコネクター５は、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金から成る線材５ａを、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成る円筒状の容器の中央にセットし、容器内にホウ珪酸ガラス等のガラス粉末を充填した後、ガラス粉末を加熱溶融させて線材５ａの周囲に被着させることによって製作される。
【００２４】
かくして上述の半導体素子収納用パッケージによれば、基体１の搭載部１ａに半導体素子６を搭載するとともにガラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介して固定し、しかる後、半導体素子６の各電極を第１配線導体２ａおよびグランド用配線導体２ｂに、例えば、ボンディングワイヤ８を介して接続し、最後に蓋体１０を基体１の上面に封止材を介して接合させ、半導体素子６を気密に封入することによって半導体装置１１となる。
【００２５】
この半導体装置１１は基体１下面の入出力用パッド３ａおよびグランド用パッド３ｂが外部電気回路基板の所定の信号用や接地用等の回路導体に半田バンプ等の外部端子を介して接続され、これによって半導体素子６の信号用、接地用の各電極は外部電気回路と電気的に接続される。
【００２６】
また、この半導体装置１１に取着されているコネクター５の線材５ａに同軸ケーブル等の外部接続用の導線を接続することにより、半導体素子６の電極が通信装置等の外部機器に接続される。
【００２７】
そしてかかる半導体装置１１は、外部電気回路から供給される複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号を第１配線導体２ａを介して半導体素子６に入力させ、半導体素子６でこれら入力された電気信号を合成して、一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号とするとともにこれを第２配線導体４を介してコネクター５に出力し、該コネクター５の線材５ａを介して外部の通信装置等の外部機器に伝送する、或いは、外部の通信装置等の外部機器から伝送された一つの周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号をコネクター５の線材５ａ及び第２配線導体４を介して半導体素子６に入力し、半導体素子６で入力された周波数帯域が高い（４０〜８０ＧＨｚ）電気信号を複数の周波数帯域が低い（５〜１０ＧＨｚ）電気信号に変換するとともにこれらの個々の周波数帯域が低い電気信号を第１配線導体２ａを介して外部電気回路に供給することとなる。
【００２８】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよびこれを用いた半導体装置においては、第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続長さを８００μｍ以下とすることが重要である。
【００２９】
第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続長さを８００μｍ以下とすると第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続部における低インピーダンス領域の長さが極めて短いものとなり、その結果、第２配線導体４とコネクター５の線材５ａに４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させたとしても低インピーダンス領域が短いことから大きな反射を起こすことはなく伝送特性を極めて優れたものとなすことが可能となる。
【００３０】
なお、前記第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続長さが８００μｍを超えると第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続部における低インピーダンス領域が長いものとなり、第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの間に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させた際、接続部で反射等を起こし、伝送特性が大きく劣化してしまう。従って、前記第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの接続部の長さは８００μｍ以下に特定される。
【００３１】
また本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置においては、第２配線導体４に接続されているコネクター５の線材５ａを基体１表面に接合している被覆層９で被覆しておくことが重要である。
【００３２】
前記第２配線導体４に接続されているコネクター５の線材５ａを基体１表面に接合している被覆層９で被覆すると、コネクター５の線材５ａが基体１に対して強固に固定されることとなり、その結果、コネクター５の線材５ａが熱により膨張し第２配線導体４より外れようとしても外れることはなく第２配線導体４とコネクター５の線材５ａとの電気的接続の信頼性を極めて優れたものとなすことができる。
【００３３】
前記被覆層９は、エポキシ樹脂やビスマルイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機樹脂等から成り、例えば、第２配線導体４にコネクター５の線材５ａを接続した後、コネクター５の線材５ａの表面から基体１の表面にかけて未硬化のエポキシ樹脂（液状）を塗布し、約１００℃〜２００℃の熱を約０．５〜３時間程度加え、熱硬化させることによってコネクター５の線材５ａを基体１表面に接合する被覆層９で被覆することができる。
【００３４】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置によれば、第２配線導体とコネクターの線材との接続長さを８００μｍ以下と短くしたことから、第２配線導体とコネクターの線材との接続部における低インピーダンス領域の長さが極めて短いものとなり、その結果、第２配線導体とコネクターの線材に４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの高周波の電気信号を伝送させたとしても低インピーダンス領域が短いことから大きな反射を起こすことはなく、伝送特性を優れたものとなすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージおよびこの半導体素子収納用パッケージを用いた半導体装置の一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の要部拡大図である。
【符号の説明】
１・・・・・基体
１ａ・・・・搭載部
２ａ・・・・第１配線導体
２ｂ・・・・グランド配線導体
３ａ・・・・入出力用パッド
３ｂ・・・・グランド用パッド
４・・・・・第２配線導体
５・・・・・コネクター
５ａ・・・・線材
５ｂ・・・・外囲体
６・・・・・半導体素子
７・・・・・半導体素子収納用パッケージ
８・・・・・ボンディングワイヤ
９・・・・・被覆層
１０・・・・蓋体
１１・・・・半導体装置
Claims (1)
- ４０ＧＨｚ〜８０ＧＨｚの電気信号を送受信する半導体素子と、
該半導体素子が収容される搭載部を、蓋体及び封止材により気密封止してなる空間を備えた基体と、
前記気密封止された空間から該空間の外側に引き出される配線導体と、
該配線導体に前記空間の外側で電気的に接続されるコネクタとを備え、
前記コネクタは、導電性の線材と絶縁性の外囲体とから成り、前記コネクターの線材と配線導体との接続長さが８００μm以下であるとともに、
前記コネクターの線材が前記基体表面に接合している被覆層で被覆され、
且つ前記基体における前記配線導体が形成された面と側面との間に形成された切り欠きに臨む前記基体の上面に、前記外囲体の下部が当接されるとともに、
前記下部に対向する外囲体の上部が露出されることを特徴とする半導体装置。
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