JP3844664B2 - 吸収型半導体量子井戸光変調器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体光変調器に関し、特に、高出力及び高速動作を可能とする吸収型半導体量子井戸光変調器に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6に、従来の吸収型半導体量子井戸光変調器の一例を示す。
従来の吸収型半導体量子井戸光変調器100aは、n−InP基板1と、その上面に積層した半導体積層体2と、この半導体積層体2の積層方向に電圧を印加できるように、n−InP基板1の下面と半導体積層体2の上面に積層された一対の電極3とから構成されている。
【0003】
この半導体積層体2は、n−InP基板1の上面に順次積層された、n−InPクラッド層21、i−InGaAsP SCH(Separate Confined Heterostructure)層22、多重量子井戸コア層23、i−InGaAsP SCH層24、p−InPクラッド層25、p+ −InGaAsキャップ層26からなる。この半導体積層体2の存在しないn−InP基板1の上面には、FeドープInP層4が形成され、半導体積層体2を埋め込んでいる。
【0004】
多重量子井戸コア層23は、図6中下部に拡大図示するように、ノンドープであるi−InGaAsP半導体井戸層27a(層厚10nm)とInGaAsP半導体障壁層28a(層厚5nm)とを交互に積層した多重量子井戸(MQW)層で構成されている。この半導体井戸層27aは、結晶成長の制御精度範囲内において、すべて同一の層厚及び結晶組成を有している。同様に、半導体障壁層28aも、結晶成長の制御精度内において、すべて同一の層厚及び結晶組成を有している。
【0005】
電極3は、n−InP基板1の下面にn型電極3Aを、p+ −InGaAsキャップ層26の上面にp型電極3Bを形成している。このp型電極3Bの上面に設置したボンディングワイヤ5を介して、図示しない駆動電源から、半導体積層体2の積層方向(図6における上下方向)への電圧の印加を可能としている。
この吸収型半導体量子井戸光変調器100aは、n−I nP基板1の上面に積層した半導体積層体2のうち、多重量子井戸コア層23の側面から光信号を入射し、多重量子井戸コア層23内を伝送途中の光信号に電圧を印加することで、光の強度を変更して出力することができる。
【0006】
上記構成の吸収型半導体量子井戸光変調器100aの動作原理を、図7を用いて説明する。この時、光信号の波長(動作波長)を1.55μmとした場合、多重量子井戸コア層23を構成する半導体井戸層27aの井戸幅や結晶組成を調節して吸収ピークを1.48μm程度となるように設計しておく。ここで、この光変調器100aに電圧を印加していない場合、動作波長は、実線Aに示すように、吸収端波長よりも長波長側に離れており、入射光は半導体井戸層27aに吸収されずに出射され、光はON状態となる。一方、光変調器100aに逆バイアス電圧を印加した場合の吸収スペクトルは、点線Bに示すように、長波長側に移動するため、光信号は半導体井戸層27aに吸収され、光はOFF状態となる。
【0007】
また、図8は、動作波長1.55μmでの光信号の吸収量、すなわち消光量を印加電圧の関数として示したものである。ここで、光変調器100aから出射する光パルスが高出力かつ高いON/OFF比を持つためには、印加電圧 0Vでの消光量が0に近く、かつ、消光比が大きい必要がある。消光比は、ある一定の印加電圧V間の消光量の差を示し、例えば、印加電圧0Vと−2V間の消光量の差を指す。
【0008】
さらに、図9は、動作波長1.55μmでの光信号のチャープパラメータを印加電圧の関数として示したものである。チャープパラメータは、光変調器100aから出射する光信号のパルス広がりの程度を定量化したものであり、正の値を持つ電圧領域Xが広いほど、出射光の光ファイバ伝送後の劣化が大きくなる。よって、出射光の伝送後の劣化を防止するためには、チャープパラメータの正の値を持つ電圧領域Xを狭くするため、チャープパラメータが0の値を持つ印加電圧V0 を低電圧側に移動させる必要がある。
【0009】
つまり、光変調器の100aの高出力を保持しつつ、出射光の劣化を防止するためには、印加電圧0Vでの消光量を小さくし、かつ、消光比を大きくするとともに、チャープパラメータが0の値を持つ印加電圧V0 を小さくする必要がある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図10に示すように、チャープパラメータが0となる時の印加電圧V0 と印加電圧0Vでの消光量αlossとの関係には、強い負の相関がある。つまり、消光量αlossを小さくすると、印加電圧V0 が大きくなり、出射光の伝送特性を大きく劣化させてしまう。一方、印加電圧V0 を小さくすると、消光量αlossが大きくなり、光変調器100aから出射する光出力を劣化させてしまう。また、印加電圧V0 を小さくすることで、同時に消光比も小さくなるため、ON/OFF比の劣化も引き起こしてしまう。なお、図10中の複数の点は、それぞれ半導体井戸層27aや半導体障壁層28aの層厚、結晶組成、及びディチューニング量(信号光の波長と吸収スペクトルの吸収ピーク波長との差)を変えたものに相当する。
【0011】
そのため、図6に示すような従来の吸収型半導体量子井戸光変調器100aにおいて、光信号を高出力するとともに、出射光の伝送特性を良好に保持することは困難であった。
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、印加電圧0Vでの消光量及び消光比と、チャープパラメータが0の時の印加電圧V0 との間の制限をなくすことで、高出力及び出射光の劣化防止を共に実現させることを可能とした吸収型半導体量子井戸光変調器を提供することを課題としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するために、請求項1に係る発明は、チャープパラメータが0又は負の値で、かつ、消光比が10dB以上の光信号を出力するための光変調器であって、複数の半導体井戸層及び半導体障壁層を交互に積層した多重量子井戸コア層をその積層方向からn型クラッド層とp型クラッド層とで挟んでなる半導体積層体を、基板の上面に設けた吸収型半導体量子井戸光変調器において、前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層の層厚が、前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層の層厚よりも薄く、且つ、前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層から、前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層に向かって、層厚が順次薄くなるようにしたものとしている。
【0013】
請求項1に記載の発明において、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層の層厚が、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層の層厚よりも薄くなるように、それら層厚を積極的に異ならせたことによって、それぞれの半導体井戸層における光吸収スペクトルの形状を変化させることが可能となる。このため、多重量井戸コア層構造全体、すなわち、光変調器の光吸収スペクトルも従来の均一井戸幅構造の光吸収スペクトルとは異なるものとなる。
【0014】
ここで、チャープパラメータは、光吸収係数スペクトルの形状とクラマース・クローニッヒの関係で結ばれており、光吸収スペクトルの形状変化に応じてチャープパラメータの電圧依存性も自由に変えることが可能となる。
この結果、印加電圧0Vでの消光量及び消光比と、チャープパラメータが0の時の印加電圧V0 との間に制限がなくなるため、印加電圧0Vでの消光量やチャープパラメータが0の時の印加電圧V0 をともに小さくするとともに、消光比を大きくすることが可能となる。よって、チャープパラメータが0又は負の値で、かつ、消光比が10dB以上の光信号を出力することができるようになるため、高出力及び出射光の劣化防止をともに実現させた光変調器を提供することが可能となる。
【0015】
また、請求項1に記載の発明において、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層から、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層に向かって、層厚を順次薄くなるようにしたことによって、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層から、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層に向かって、それぞれの半導体井戸層における光吸収スペクトルの形状を少しずつ変化させることが可能となる。よって、高出力及び出射光の劣化防止をともに実現させるために有効である。
【0016】
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器において、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層の層厚が、p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層の層厚よりも2nm以上薄いものとしている。請求項2に記載の発明において、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層の層厚が、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層の層厚よりも2nm以上薄くなるように、それら層厚を積極的に異ならせたことによって、多重量子井戸作成時の層厚制御精度により、半導体井戸層の層厚がそれぞれ変動した場合でも、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層が、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層よりも薄くなるようにするために有効である。ここで、多重量子井戸作成時の一般的な層厚制御精度は約±1nmである。
【0017】
請求項3に係る発明は、チャープパラメータが0又は負の値で、かつ、消光比が10dB以上の光信号を出力するための光変調器であって、複数の半導体井戸層及び半導体障壁層を交互に積層した多重量子井戸コア層をその積層方向からn型クラッド層とp型クラッド層とで挟んでなる半導体積層体を、基板の上面に設けた吸収型半導体量子井戸光変調器において、前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層のバンドキャップ波長又は発光のピーク波長が、前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長よりも短波長であり、且つ、前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層から、前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層に向かって、バンドギャップ波長又は発光のピーク波長が順次短波長となるようにしたものとしている。
【0018】
請求項3に記載の発明において、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長が、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長よりも短波長となるように、それら波長を積極的に異ならせたことによって、それぞれの半導体井戸層における光吸収スペクトルの形状を変化させることが可能となる。このため、多重量井戸コア層構造全体、すなわち、光変調器の光吸収スペクトルも従来の均一井戸幅構造の光吸収スペクトルとは異なるものとなる。よって、請求項1の効果と同様に、高出力及び出射光の劣化防止をともに実現させた光変調器を提供することが可能となる。
【0019】
また、請求項3に記載の発明において、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層から、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層に向かって、バンドギャップ波長又は発光のピーク波長を順次短波長となるようにしたことによって、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層から、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層に向かって、半導体井戸層の光吸収スペクトルを少しずつ変化させることが可能となる。よって、高出力及び出射光の劣化防止をともに実現させるために有効である。
【0020】
請求項4に係る発明は、請求項3に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器において、n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長が、前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長よりも20nm以上短波長であるものとしている。
請求項4に記載の発明において、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長が、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長よりも20nm以上短波長となるように、それら波長を積極的に異ならせたことによって、多重量子井戸作成時のバンドギャップ波長及び発光ピークの波長の制御精度により、半導体井戸層それぞれの波長が変動した場合でも、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層を、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層よりも短波長とするために有効である。ここで、多重量子井戸作成時の一般的なバンドギャップ波長及び発光のピーク波長の制御精度は約±10nmである。
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図6に示した従来の吸収型半導体量子井戸光変調器100aと同じ構成には同じ符号を付し、その重複する説明は省略する。
まず、第1の実施形態を図1に示す。図1は、本発明に係る吸収型半導体量子井戸光変調器の第1実施例の構造を示す図である。
【0023】
第1の実施形態における吸収型半導体量子井戸光変調器100は、従来の吸収型半導体量子井戸光変調器100aと同様に、n−InP基板1と、その上面に積層した半導体積層体2と、この半導体積層体2の積層方向(図1における上下方向)に電圧を印加するように、n−InP基板1の下面と半導体積層体2の上面に積層された一対の電極3とから構成されている。この半導体積層体2の存在しないn−InP基板1の上面には、FeドープInP層4が形成され、半導体積層体2を埋め込んでいる。
【0024】
この半導体積層体2は、n−InP基板1の上面に順次積層された、n型クラッド層であるn−InPクラッド層21、i−InGaAsP SCH層22、多重量子井戸コア層23、i−InGaAsP SCH層24、p型クラッド層であるp−InPクラッド層25、p+ −InGaAsキャップ層26からなる。
【0025】
ここで、多重量子井戸コア層23は、図1中下部に拡大図示するように、ノンドープであるi−InGaAsP半導体井戸層27とInGaAsP半導体障壁層28とを交互に積層した多重量子井戸(MQW)層で構成されている。その半導体井戸層27の層厚は、p−InPクラッド層25にもっとも近接する層27p から、n−InPクラッド層21にもっとも近接する層27n に向かって順に、10nm、9nm、8nm、7nm、6nm、5nmと薄くしており、半導体障壁層28の層厚は、いずれも5nmと設定している。ここで、各半導体井戸層27の結晶組成及び各半導体障壁層28の結晶組成はいずれも同じものとしている。
【0026】
上記構成の吸収型半導体量子井戸光変調器100を、従来の吸収型半導体量子井戸光変調器100aと同様に動作させた時の結果を図2から図4に示す。図2は、図1の光変調器を動作させた時の消光量の電圧依存性を表す図である。図3は、図1の光変調器を動作させた時のチャープパラメータの電圧依存性を表す図である。図4は、図1の光変調器を動作させた時の印加電圧0Vでの消光量及びチャープパラメータの値が0となる時の印加電圧の関係を表す図である。
【0027】
ここで、図2から図4のいずれにおいても、動作波長1.55μmに対する吸収ピークとして、井戸幅10nmの半導体井戸層28pの光吸収ピークを1.48nmに設定して動作を行っている。また、図2及び図3における実線Aと図4における四角は、本発明に係る吸収型半導体量子井戸光変調器100の結果を示し、図2及び図3における破線Bと図4における円は、その比較のため、従来の吸収型半導体量子井戸光変調器100aの結果を重ねて示した。
【0028】
図2に示すように、実線Aが、破線Bに比べて印加電圧0Vでの消光が0に近く、印加電圧−0.5V付近の印加電圧以上で大きな消光が起こっていることが分かる。また、例えば、印加電圧0Vと−2V間の消光の差である消光比も、実線Aの方が破線Bよりも大きくなっていることが分かる。
図3に示すように、−0.5V以下の印加電圧におけるチャープパラメータは、実線Aが、破線Bに比べて若干大きな値となっていることがわかる。これは、印加電圧0V付近で消光が小さくなっていることによると考えられる。ところが、印加電圧が増加するに伴って、チャープパラメータは、正から負の値へ減少していることが分かる。その結果、実線Aにおいて、チャープパラメータが0となる時の印加電圧V0 は、破線Bの印加電圧V0 よりも低電圧側に移動している。つまり、実線Aにおいて、チャープパラメータが正の値をとる電圧領域XA が、破線Bにおける電圧領域XB よりも大幅に狭めていることが分かる。
【0029】
図4に示すように、本発明の実施例における消光量が、従来構造における消光量の値の半分程度に抑制されていることが分かる。また、本発明の実施例において、チャープパラメータが0となる時の印加電圧V0 も、従来構造よりも低減させていることが分かる。
以上の結果より、本発明における吸収型半導体量子井戸光変調器100を構成する半導体井戸層27の層厚を、p−InPクラッド層25からn−InPクラッド層21に向かって順次薄くしたことによって、半導体井戸層27が薄くなるにつれて、その吸収ピーク波長が、層厚10nmの層27p で設定した1.48μmより短波長側に移動するようになる。これは、光吸収スペクトルの波長シフト量が、半導体井戸層27にかかる電界のほぼ2乗に比例し、層厚の薄い半導体井戸層27の光吸収が印加電圧とともに非線形状に増加するためである。
【0030】
このため、印加電圧0Vでは、薄い半導体井戸層27ほど動作波長での吸収量への寄与が小さくなり、印加電圧0Vでの消光量を小さくするとともに消光比を大きくすることが可能となる。よって、高出力及びON/OFF比を実現した光変調器100を提供することが可能となる。
また、チャープパラメータが0の時の印加電圧V0 を低電圧側に移動させることが可能となるため、出射光の劣化を防止することが可能となる。
【0031】
さらに、チャープパラメータが0の時の印加電圧V0 と、印加電圧が0Vでの消光量との制限をなくすため、高出力及び出射光の劣化防止をともに実現させることが可能となる。
ここで、第1の実施形態における半導体井戸層27の層厚を、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27p からnーInPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n に向かって、順次薄くするようにしたが、少なくともn−InP型クラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n の層厚がp−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27p よりも薄くするのであれば、これに限らない。
【0032】
例えば、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n の層厚のみを他の半導体井戸層27よりも薄くするようにしても構わない。例えば、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27p から、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n に向かって、10nm、10nm、10nm、10nm、10nm、5nmの層厚としてもよい。
【0033】
また、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27P から、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n に向かって順次薄くするのではなく、途中厚い半導体井戸層27を有するようにしても構わない。例えば、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27P から、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n に向かって、10nm、8nm、9nm、9nm、8nm、5nmの層厚としてもよい。
【0034】
さらに、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n が、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27P よりも薄い層厚を有するのであれば、その間の半導体井戸層27の層厚がp−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27P の層厚よりも厚くしても構わない。例えば、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27P から、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n に向かって、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、5nmの層厚としてもよい。
【0035】
次に、第2の実施形態における吸収型半導体量子井戸光変調器について、図5に示す。
第2の実施の形態における吸収型半導体量子井戸光変調器100Aは、第1の実施形態と同様に、n−InP基板1と、その上面に積層した半導体積層体2と、この半導体積層体2の積層方向に電圧を印加するように、n−InP基板1の下面と半導体積層体2の上面に積層された一対の電極3とから構成されている。この半導体積層体2の存在しないn−InP基板1の上面には、FeドープInP層4が形成され、半導体積層体2を埋め込んでいる。
【0036】
ここで、多重量子井戸コア層23は、図5中下部に拡大図示するように、ノンドープであるi−InGaAsP半導体井戸層27AとInGaAsP半導体障壁層28Aとを交互に積層した多重量子井戸(MQW)層で構成されている。半導体井戸層27Aの層厚は10nm、半導体障壁層28Aの層厚は5nmとしている。また、半導体井戸層27Aのバンドギャップ波長を、p−InPクラッド層25に最も近接する層27Ap からn−InPクラッド層21に最も近接する層27An に向かって順に、1480nm、1470nm、1460nm、1450nm、1440nm、1430nmと短波長としている。
【0037】
上記構成の吸収型半導体量子井戸光変調器100Aを動作させた結果、実施例1における図2から図4に示すものと同様の効果が得られた。
ここで、第2の実施形態において、それぞれの半導体井戸層のバンドギャップ波長を、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27p からn−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n に向かって、順次短波長となるようにしたが、少なくともn−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n のバンドギャップが、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27p よりも短波長となるようにするのであれば、これに限らない。
【0038】
例えば、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27An のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長のみを他の半導体井戸層27Aよりも短波長となるようにしても構わない。例えば、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27Ap から、n型クラッド層21に最も近接する半導体井戸層27An に向かって、1480nm、1480nm、1480nm、1480nm、1480nm、1430nmの波長としてもよい。
【0039】
また、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27AP から、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27An に向かって順次短波長とするのではなく、途中長波長の半導体井戸層27Aを有するようにしても構わない。例えば、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27AP から、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27An に向かって、1480nm、1460nm、1470nm、1470nm、1460nm、1430nmの波長としてもよい。
【0040】
さらに、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27An が、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27AP よりも短波長とするのであれば、その間の半導体井戸層27Aの波長がp−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27AP の波長よりも長波長となっていても構わない。例えば、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27AP から、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27An に向かって、1480nm、1490nm、1500nm、1510nm、1520nm、1430nmの波長としてもよい。
【0041】
第1及び第2の実施の形態において、各半導体井戸層27にかかる電圧は均一であるとしたが、これに限らず、例えば、i−InGaAsP SCH層24の層厚を薄くし、上部のp−InPクラッド層25から多重量子井戸コア層23への不純物拡散を誘発することによって、多重量子井戸コア層23内電界分布を不均一にすれば、本発明の効果をよりいっそう促進するために有効である。
【0042】
また、n−InP基板1上面にn−InPクラッド層21を積層し、その上部に多重量子井戸コア層23を挟んでp−InPクラッド層25を積層したが、これに限らず、n−InPクラッド層21とp−InPクラッド層25とを逆にして、基板の上面にp−InPクラッド層25を積層するようにしてもよい。このとき、基板はp−InP基板とするとともに、n−InPクラッド層21に最も近接する半導体井戸層27n を、p−InPクラッド層25に最も近接する半導体井戸層27p よりも層厚を薄くしたり、バンドギャップ波長や発光のピーク波長を短波長とするようにする。
【0043】
さらに、多重量子コア井戸層23やSCH層22、24として、InGaAsP層で構成したが、これに限らず、例えば、InAlGaAs、InGaAs、InGaAsSb等いずれの半導体層で構成しても構わない。
さらに、基板として、n−InPからなる半導体基板を用いたが、これに限らず、いずれの基板を用いても構わない。
【0044】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器によれば、少なくともn型クラッド層に最も近接する半導体井戸層の層厚がp型クラッド層に最も近接する半導体井戸層の層厚よりも薄くなるように、それら層厚を積極的に異ならせたことによって、半導体井戸層のそれぞれの層厚に応じて光吸収スペクトルの形状を変化させることができるため、多重量子井戸コア層全体の光吸収スペクトルを変えることが可能となる。したがって、印加電圧0Vでの消光量を小さくし、且つ、消光比を10dB以上に大きくするとともに、チャープパラメータが0又は負の値となる光信号を出力することができるようになるため、光信号の高出力及び出射光の劣化防止をともに実現することが可能となる。
【0045】
また、請求項1に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器によれば、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層から、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層に向かって、層厚を順次薄くなるようにしたことによって、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層から、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層に向かって、半導体井戸層の光吸収スペクトルを少しずつ変化させることが可能となる。よって、高出力及び出射光の劣化防止をともに実現させるために有効である。
さらに、請求項2に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器によれば、多重量子井戸作成時の層厚制御精度により、半導体井戸層のそれぞれの層厚が変動してしまった場合でも、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層の層厚を、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層よりも薄くするために有効である。
【0046】
また、請求項3に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器によれば、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長が、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長よりも短波長となるように、それら波長を積極的に異ならせたことによって、半導体井戸層それぞれの波長に応じて光吸収スペクトルを変化させることができるため、多重量子井戸コア層全体の光吸収スペクトルを変化させることが可能となる。したがって、印加電圧0Vでの消光量を小さくし、かつ、消光比を10dB以上に大きくするとともに、チャープパラメータが0又は負の値となる光信号を出力することができるようになるため、光信号の高出力及び出射光の劣化防止をともに実現することが可能となる。
【0047】
また、請求項3に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器によれば、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層から、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層に向かって、バンドギャップ波長又は発光のピーク波長を順次短波長となるようにしたことによって、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層から、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層に向かって、半導体井戸層の光吸収スペクトルを少しずつ変化させることが可能となる。よって、光信号の高出力及び出射光の劣化防止をともに実現するために有効である。
【0048】
さらに、請求項4に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器によれば、多重量子井戸作成時のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長の制御精度により、半導体井戸層のそれぞれの波長が変動してしまった場合でも、n型クラッド層に最も近接する半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光ピークの波長を、p型クラッド層に最も近接する半導体井戸層よりも短波長とするために有効である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る吸収型半導体量子井戸光変調器の第1実施例の構造を示す図である。
【図2】 本発明に係る吸収型半導体量子井戸光変調器を動作させた時の消光量の電圧依存性を表す図である。
【図3】 本発明に係る吸収型半導体量子井戸光変調器を動作させた時のチャープパラメータの電圧依存性を表す図である。
【図4】 本発明に係る吸収型半導体量子井戸光変調器を動作させた時の印加電圧0Vでの消光量及びチャープパラメータが0の時の印加電圧の関係を表す図である。
【図5】 本発明に係る吸収型半導体量子井戸光変調器の第2実施例の構造を示す図である。
【図6】 従来の吸収型半導体量子井戸光変調器の構造の一例を示す図である。
【図7】 従来の吸収型半導体量子井戸光変調器の動作原理を説明する図である。
【図8】 従来の吸収型半導体量子井戸光変調器を動作させた時の消光量の電圧依存性を表す図である。
【図9】 従来の吸収型半導体量子井戸光変調器を動作させた時のチャープパラメータの電圧依存性を表す図である。
【図10】 従来の吸収型半導体量子井戸光変調器を動作させた時の印加電圧0Vでの消光量及びチャープパラメータが0の時の印加電圧の関係を表わす図である。
Claims (4)
- チャープパラメータが0又は負の値で、かつ、消光比が10dB以上の光信号を出力するための光変調器であって、複数の半導体井戸層及び半導体障壁層を交互に積層した多重量子井戸コア層をその積層方向からn型クラッド層とp型クラッド層とで挟んでなる半導体積層体を、基板の上面に設けた吸収型半導体量子井戸光変調器において、
前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層の層厚が、前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層の層厚よりも薄く、且つ、
前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層から、前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層に向かって、層厚が順次薄くなるようにしたことを特徴とする吸収型半導体量子井戸光変調器。 - 前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層の層厚が、前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層の層厚よりも2nm以上薄いことを特徴とする請求項1に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器。
- チャープパラメータが0又は負の値で、かつ、消光比が10dB以上の光信号を出力するための光変調器であって、複数の半導体井戸層及び半導体障壁層を交互に積層した多重量子井戸コア層をその積層方向からn型クラッド層とp型クラッド層とで挟んでなる半導体積層体を、基板の上面に設けた吸収型半導体量子井戸光変調器において、
前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層のバンドキャップ波長又は発光のピーク波長が、前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長よりも短波長であり、且つ、
前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層から、前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層に向かって、バンドギャップ波長又は発光のピーク波長が順次短波長となるようにしたことを特徴とする吸収型半導体量子井戸光変調器。 - 前記n型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長が、前記p型クラッド層に最も近接する前記半導体井戸層のバンドギャップ波長又は発光のピーク波長よりも20nm以上短波長であることを特徴とする請求項3に記載の吸収型半導体量子井戸光変調器。
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