JP3842945B2 - 核磁気共鳴装置用シム装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、核磁気共鳴装置の静磁場強度の補正に用いられるシム装置に関し、特に、核磁気共鳴装置間での互換性に優れたシム装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1は、従来の核磁気共鳴装置の構造を示したものである。核磁気共鳴用磁石装置1の内部には、主磁場コイル2が巻回されていて、数テスラないし十数テスラの静磁場を発生させる。核磁気共鳴の測定には、非常に強い静磁場を必要とするため、主磁場コイル2には、超電導現象を利用した超電導コイルが用いられているのが一般的である。
【0003】
また、核磁気共鳴を観測するためには、非常に強い磁場強度を有すると共に、非常に均一度の高い静磁場であることが要請され、主磁場コイル2によって発生される静磁場のみでは、磁場の均一性が不足する。例えば、一般の核磁気共鳴装置では、超電導磁石を用いて静磁場を発生させているが、その磁場の均一度は高々1×10-5〜1×10-6程度に過ぎない。しかし、実際の核磁気共鳴測定では、1×10-9〜1×10-10という非常に高い磁場均一性が求められている。
【0004】
そこで、主磁場コイル2の内側に、静磁場の歪みを補正するための磁場補正コイル3(以下、シムコイル3と略す)を設けると共に、シム電源4からシムコイル3に適切な電流を供給して、主磁場コイル2が作る静磁場とシムコイル3が作る補正磁場を足し合わせることによって、静磁場の均一性を高めるようにしている。こうして作られた均一性の高い静磁場内に、測定サンプル5を設置することにより、核磁気共鳴測定が行なわれる。
【0005】
図2(a)は、従来のいくつかのタイプのシムコイルの内、静磁場軸方向に傾斜磁場を発生させるタイプのシムコイルを一例として示したものである。また、図2(b)は、その部分断面図である。この例では、シムコイルは、ある長さを有するソレノイドコイル6、7、8、6'、7'、8'として、ほぼ均一なピッチでボビン9に巻かれている。ソレノイドコイル6と6'、7と7'、8と8’はそれぞれ同じ長さW1、W2、W3を持ち、中心面10を中心として両側へ向けて6、7、8および6'、7'、8'の順で対称に巻かれている。各ソレノイドコイルには、各ソレノイドコイルの境界線の部分から図2(b)に示すように引き出された引き出し線を介してシム電源11〜16から独立に補正電流が供給される。
【0006】
このような構成において、例えば、直径50mmの円筒状ボビン9上に組み立てられたソレノイドコイルの長さをW1=7mm、W2=13mm、W3=25mmとし、ソレノイドコイル6、6'、7、7'、8、8'にそれぞれ4.38mA、−4.38mA、2.31mA、−2.31mA、19.5mA、−19.5mAの電流を各シム電源から供給することにより、1200Hz/cmの1次の軸傾斜磁場を発生させることができる。また、この電流比率を保ったまま各ソレノイドコイルの電流量を変えれば、1次の軸傾斜磁場の強度を変化させることができる。また、電流の配分を変えることにより、2次〜4次の軸傾斜磁場を発生させることができるし、1次の軸傾斜磁場を発生させる電流配分の上に2次あるいは更に高次の軸傾斜磁場を発生させる電流配分を重畳させれば、1次と2次あるいは更に高次の軸傾斜磁場を同時に発生させることもできる。
【0007】
また、ボビン9上での巻線の形状を変えて、巻線の中心軸が静磁場の軸方向と直交する方向にコイルを形成させれば、静磁場の軸方向と直交する軸方向に高次の軸傾斜磁場を発生させることが可能である。これにより、x、y、zの3軸方向について、静磁場強度の歪みを補正する補正磁場を発生させることが可能になる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
このようなシムコイルの問題点は、巻線加工時の誤差、コイルボビンの加工誤差、コイル線材の径のばらつきなどに起因して、コイルの巻線数にある範囲でばらつきを生じることである。巻線数の誤差は、シムコイルを用いて静磁場の補正を行なう際に、装置間の磁場補正値の再現性に悪影響を与える。
【0009】
また、各シムコイルに固有な誤差を補正するために、シムコイルの電流量を制御するシムドライバーあるいはシムコントローラーに、その補正係数を持たせた場合、シムコイルとシムドライバーあるいはシムコントローラーを必ず1セットにしなければならなくなる。その結果、各ユニットは、他のユニットとの互換性がなくなるため、サービス性が低下するという問題を生じる。
【0010】
また、装置の調整もシムコイルとシムドライバーあるいはシムコントローラーを必ず1セットで行なわなければならないため、調整効率も悪化する。
【0011】
本発明の目的は、上述した点に鑑み、シムコイルの巻線数の定格からのばらつきを、サービス性や調整効率などを低下させることなく、正確に補正することのできる核磁気共鳴装置用シム装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明にかかる核磁気共鳴装置用シムコイルは、核磁気共鳴装置の静磁場内に配置され、静磁場強度の歪みを補正して、静磁場強度の均一性を高めるために用いられるシムコイル組み立て体と、
該シムコイル組み立て体に附属してそのシムコイルの巻線数に関するデータを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶されているシムコイルの巻線数に関するデータに基づいてシムコイルに流す電流量の補正データを演算する演算手段と、
該演算手段により得られた補正データに基づいて前記シムコイルに補正された電流を流すシムドライバーと
から成ることを特徴としている。
【0013】
また、核磁気共鳴装置の静磁場内に配置され、静磁場強度の歪みを補正して、静磁場強度の均一性を高めるために用いられるシムコイル組み立て体と、
該シムコイル組み立て体に附属してそのシムコイルが発生する補正磁場強度の定格値からのばらつきを補正するための補正データを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶されている補正データに基づいて前記シムコイルに補正された電流を流すシムドライバーと
から成ることを特徴としている。
【0014】
また、核磁気共鳴装置の静磁場強度の歪みを補正して、静磁場強度の均一性を高めるために用いられる核磁気共鳴装置用シム装置において、
静磁場強度の歪みを補正するためにシムコイルから補正磁場を発生させるに際し、
予め該シムコイルに附属する記憶手段に、そのシムコイルの巻線数に関するデータを記憶させておき、
該記憶手段に記憶されたデータに基づいて強度補正された補正磁場を発生させて、前記静磁場強度の歪みを補正させるようにしたことを特徴としている。
【0015】
また、核磁気共鳴装置の静磁場強度の歪みを補正して、静磁場強度の均一性を高めるために用いられる核磁気共鳴装置用シム装置において、
静磁場強度の歪みを補正するためにシムコイルから補正磁場を発生させるに際し、
予め該シムコイルに附属する記憶手段に、そのシムコイルが発生する補正磁場強度の定格値からのばらつきを補正するための補正データを記憶させておき、
該記憶手段に記憶されたデータに基づいて強度補正された補正磁場を発生させて、前記静磁場強度の歪みを補正させるようにしたことを特徴としている。
【0016】
また、前記記憶手段は、ROMであることを特徴としている。
【0017】
また、前記記憶手段は、多極コネクターであることを特徴としている。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。図3は、本発明にかかる核磁気共鳴装置用シム装置の一実施例を示したものである。図中17は、超電導磁石である。円筒状の超電導磁石17の空芯部には、シムコイル18が配置され、更にシムコイル18の空芯部には図示しない測定サンプルからの核磁気共鳴信号を検出するためのプローブ19が配置されている。
【0019】
シムコイル18には、シムコイル自身の巻線数のデータを記憶させたROM20が附属して取り付けられている。このROM20は、シムコイル18の電流量を制御するシムドライバー21を制御しているシムコントローラー22にケーブルを介して接続されている。
【0020】
このような構成において、シムコントローラー22は、ROM20から、シムコントローラー22内の図示しない演算回路にシムコイル18の巻線数のデータを読み込んで、シムコイル18の実際の巻線の数を標準巻線数(定格)からのばらつきとして演算し、シムコイル18の巻線数の違いに起因する定格からのばらつき値を補正する補正係数を算出して、シムドライバー21に設定する。補正係数を設定されたシムドライバー21は、補正した電流量をシムコイル18に対して供給し、シムコイル18の定格からのばらつき値を補正した補正磁場を発生させる。これにより、シムコイルごとの性能のばらつきを、予めシムコイル組み立て体に附属されたROMのデータに基づいて較正することができる。
【0021】
尚、上記実施例では、ROMのデータをシムコントローラー22に読み込ませ、シムコントローラー22からシムドライバー21を制御させるように構成したが、ROMのデータは、シムドライバー21が直接読み込んでも良い。
【0022】
また、上記実施例では、シムコイル18の巻線数に関するデータをROM20に記憶させたが、シムコイル18の巻線数に関するデータの代わりに、コイル自身の巻線数の違いに起因する定格からのばらつき値を補正する補正係数を記憶させても良い。
【0023】
また、データを記憶させる記憶手段としては、前述したROMの他に、多極コネクターによるピン間のオープン/クローズによってデータを記憶させることも可能である。
【0024】
【発明の効果】
以上述べたごとく、本発明の核磁気共鳴装置用シム装置によれば、シムコイル18の巻線数の定格からのばらつきの程度に関わりなく、超電導磁石17の発生する静磁場の歪みをシムコイル18によって正確に補正することができる。また、シムコイル18の巻線数に関するデータをシムコイル18に附属して設けられたROMなどの記憶手段に持たせ、そのデータを測定時に解読させて、シムコントローラー22による制御をシムコイル18の特性に合わせるようにしたので、シムコイル18とシムコントローラー22、またはシムコイル18とシムドライバー21を1セットにして調整・使用する必要がなくなり、シムコイル18、シムコントローラー22、シムドライバー21の3者がそれぞれ独立したユニットとして別のユニットと互換性を持つので、装置のサービス性や調整効率などを低下させることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の核磁気共鳴装置の構成を示す図である。
【図2】従来の核磁気共鳴装置用シムコイルの一例を示す図である。
【図3】本発明にかかる核磁気共鳴装置用シム装置の一実施例を示す図である。
【符号の説明】
1・・・核磁気共鳴用磁石装置、2・・・主磁場コイル、3・・・シムコイル、4・・・シム電源、5・・・測定サンプル、6、6'・・・ソレノイドコイル、7、7'・・・ソレノイドコイル、8、8'・・・ソレノイドコイル、9・・・ボビン、10・・・中心面、11〜16・・・シム電源。
Claims (6)
- 核磁気共鳴装置の静磁場内に配置され、静磁場強度の歪みを補正して、静磁場強度の均一性を高めるために用いられるシムコイル組み立て体と、
該シムコイル組み立て体に附属してそのシムコイルの巻線数に関するデータを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶されているシムコイルの巻線数に関するデータに基づいてシムコイルに流す電流量の補正データを演算する演算手段と、
該演算手段により得られた補正データに基づいて前記シムコイルに補正された電流を流すシムドライバーと
から成ることを特徴とする核磁気共鳴装置用シム装置。 - 核磁気共鳴装置の静磁場内に配置され、静磁場強度の歪みを補正して、静磁場強度の均一性を高めるために用いられるシムコイル組み立て体と、
該シムコイル組み立て体に附属してそのシムコイルが発生する補正磁場強度の定格値からのばらつきを補正するための補正データを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶されている補正データに基づいて前記シムコイルに補正された電流を流すシムドライバーと
から成ることを特徴とする核磁気共鳴装置用シム装置。 - 核磁気共鳴装置の静磁場強度の歪みを補正して、静磁場強度の均一性を高めるために用いられる核磁気共鳴装置用シム装置において、
静磁場強度の歪みを補正するためにシムコイルから補正磁場を発生させるに際し、
予め該シムコイルに附属する記憶手段に、そのシムコイルの巻線数に関するデータを記憶させておき、
該記憶手段に記憶されたデータに基づいて強度補正された補正磁場を発生させて、前記静磁場強度の歪みを補正させるようにしたことを特徴とする核磁気共鳴装置用シム装置。 - 核磁気共鳴装置の静磁場強度の歪みを補正して、静磁場強度の均一性を高めるために用いられる核磁気共鳴装置用シム装置において、
静磁場強度の歪みを補正するためにシムコイルから補正磁場を発生させるに際し、
予め該シムコイルに附属する記憶手段に、そのシムコイルが発生する補正磁場強度の定格値からのばらつきを補正するための補正データを記憶させておき、
該記憶手段に記憶されたデータに基づいて強度補正された補正磁場を発生させて、前記静磁場強度の歪みを補正させるようにしたことを特徴とする核磁気共鳴装置用シム装置。 - 前記記憶手段は、ROMであることを特徴とする請求項1、2、3または4記載の核磁気共鳴装置用シム装置。
- 前記記憶手段は、多極コネクターであることを特徴とする請求項1、2、3または4記載の核磁気共鳴装置用シム装置。
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