JP3839950B2 - 半導体製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造方法および半導体製造装置に関し、特に、半導体製造装置の1つであるロードロック式CVD装置(Chemical Vapor Deposition)およびそれを用いたポリシリコン膜の成膜方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ロードロック式CVD装置として、反応室内へウェーハを出し入れする予備室をロードロック室とするものがあり次に説明する。
【0003】
図1は、このロードロック式CVD装置100の概略縦断面図であり、このCVD装置100を用いた従来のP−Doped Poly Si(リンドープポリシリコン)膜の成膜手順を以下に示す。
【0004】
イ)まず、ロードロック室6内において、ロードロックゲートバルブ5を介してボート2に複数のウェーハ3を搭載し、その後ロードロック室6内をN2 雰囲気にする。
【0005】
ロ)次に、500〜600℃に設定されたヒータ(図示せず。)内に納められた反応管1内にボート2をロードロック室6から上昇させる。ボート2には水平姿勢のウェーハ3が多段に収容されている。この時、ウェーハ3上に自然酸化膜が形成されるのを防ぐ為に、ロードロック室6及び反応管1内はN2 雰囲気となっている。
【0006】
ハ)次に、反応管1内を真空ポンプにより真空状態にし、反応ガスであるSiH4 ガスをSiH4 ポート7より、PH3 ガスをPH3 ポート8よりそれぞれ供給し、成膜を行う。供給されたSiH4 ガスとPH3 ガスはインナーチューブ12の内側を上昇し、最上部で反転し、インナーチューブ12の外側を下降し反応ガス排気口13より排気される。
【0007】
ニ)次に、成膜終了の為に反応ガスSiH4 とPH3 の供給を同時にストップする。
【0008】
ホ)次に、N2 ガスにより反応管1内を大気圧に戻した後、N2 雰囲気のロードロック室6へ500〜600℃に加熱されたボート2及びウェーハ3を下降させ冷却を行う。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この成膜方法においては、成膜直後と、成膜してから数日後では成膜したポリシリコン膜のP(リン)濃度が変化してしまうという問題があった。
【0010】
このようなP濃度の変化を予め見越して、表面のP濃度を高くしておくことも考えられるが、表面のリンが揮発すると、クリーンルームを汚染し、さらには他の工程においてデバイスを汚染する問題がある。
【0011】
また、ロードロック式ではない、ウェーハ予備室が大気開放のCVD装置においても、やはり表面のリンが揮発する問題がある。
【0012】
従って、本発明の目的は、P−Doped Poly Si膜を成膜した場合に、その膜中のP濃度の経時変化を防ぐことができる成膜方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意研究の結果、以下のことを見いだした。すなわち、ボート2を下降するときにロードロック室6はN2 雰囲気(ロードロック室6にはN2 供給口9よりN2 を供給し、N2 排気口10よりN2 を排気しているため酸素濃度は1ppm以下である。)であり、このN2 雰囲気中でウェーハ3が冷却されるためウェーハ3表面のP(リン)が酸化されず不安定な状態になり、結果的にPが揮発しやすい状態になってしまう。その為、成膜直後と、成膜してから数日後では膜中P濃度が変化してしまう。
【0014】
また、図3に示す、ロードロック室を有せずウェーハ予備室11が大気開放の通常のCVD装置300においては、ウェーハ冷却室11は大気と同じ状態であり、成膜終了後ボート2を下降するときには20%程度のO2 がウェーハ冷却室11内に存在するため、ウェーハ3自身の熱と大気中の酸素とによりP−Doped Poly Si膜の表面は必然的に酸化され、その酸化膜がP揮発を防いでいる。しかしながら、ロードロック式CVD装置100の場合ほどではないが、やはりP揮発の問題があり、P濃度の経時変化の問題がある。
【0015】
本発明は、以上の知見に基づくものであり、本発明によれば、
成膜室を備える成膜装置を用いてリン(P)をドーピングしたシリコン膜を基板上に成膜する半導体製造方法であって、
前記成膜室においてリンをドーピングしたシリコン膜を基板上に成膜する工程と、
前記成膜室において、前記リンをドーピングしたシリコン膜上にリンをドーピングしないシリコン膜を成膜する工程と、
その後、前記基板を前記成膜室から搬出する工程と、
を備えることを特徴とする半導体製造方法が提供される。
【0016】
このようにすれば、成膜室において、リンをドーピングしたシリコン膜上に不純物の揮発を防止可能な膜であるリンをドーピングしないシリコン膜が成膜された後に基板が搬出されるので、リンの揮発を防止可能な膜であるリンをドーピングしないシリコン膜により不純物の揮発が防止され、リン濃度の経時変化が防止される。
【0017】
また、好ましくは、
前記成膜装置が前記成膜室とロードロック室とを備え、
前記基板を前記成膜室から搬出する前記工程が、前記基板を前記成膜室からN 2 雰囲気とした前記ロードロック室に搬出する工程である。
【0018】
この成膜方法は、成膜装置が成膜室とロードロック室とを備える場合に特に有効に作用する。
【0019】
また、前記リン(P)をドーピングしたシリコン膜は、好ましくはリンをドーピングしたポリシリコン膜(P−Doped Poly Si膜)であり、前記リンをドーピングしないシリコン膜は、好ましくは不純物をドーピングしないシリコン膜、特に好ましくは不純物をドーピングしないポリシリコン膜(Non−Doped Poly Si膜)である。
【0020】
このようにすれば、成膜室において、P−Doped Poly Si膜上にNon−Doped Poly Si膜等のリンをドーピングしないシリコン膜が形成された後にロードロック室に基板が搬出されるので、Non−Doped Poly Si膜等のリンをドーピングしないシリコン膜によりPの揮発が防止され、P濃度の経時変化が防止される。
【0021】
また、本発明によれば、
成膜室を備える成膜装置を用いてリンをドーピングしたシリコン膜を基板上に成膜する半導体製造方法であって、
前記成膜室にSiH4ガスおよびPH3ガスを供給して基板上にリンをドーピングしたシリコン膜を成膜し、その後、PH3ガスの供給をストップしてSiH4ガスを供給し続けた後、前記基板を前記成膜室から搬出するようにした半導体製造方法が提供される。
また、本発明によれば、
成膜室を備える半導体製造装置であって、
前記成膜室において、リンをドーピングしたシリコン膜を基板上に成膜し、その後、前記リンをドーピングしたシリコン膜上にリンをドーピングしないシリコン膜を成膜し、その後、前記基板を前記成膜室から搬出することを特徴とする半導体製造装置が提供される。
【0022】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の一実施の形態を説明する。
【0023】
図1は、本発明の一実施の形態の成膜方法に使用されるロードロック式縦型CVD装置の概略縦断面図である。
【0024】
このCVD装置100は、成膜室20とその下のロードロック室6とを備えている。成膜室20は、反応管1内に画成される。反応管1内には、インナーチューブ12が設けられ、インナーチューブ12の下部には、SiH4 ガスポート7およびPH3 ガスポート8が連通している。インナーチューブ12内には、複数の水平姿勢のシリコンウェーハ3を垂直方向に積層して搭載したボート2が挿入されている。反応管1の下部には反応ガス排気口13が連通している。
【0025】
反応管1とロードロック室6との間には、炉口ゲートバルブ4が設けられている。ロードロック室6には、N2 供給口9とN2 排気口10とがそれぞれ連通している。また、ロードロック室6の側壁にはロードロックゲートバルブ5が設けられている。なお、図には示されていないが、反応管1の外側にはヒータが設けられている。
【0026】
このCVD装置100を用いた本発明の一実施の形態であるP−Doped Poly Si膜の成膜方法を以下に示す。
【0027】
イ)まず、ボート2をロードロック室6に降ろし、炉口ゲートバルブ4を閉じた状態で、ロードロックゲートバルブ5を介して、複数のシリコンウェーハ3をボート2に搭載する。この際、複数のウェーハ3は水平姿勢であり、垂直方向に積層されてボート2に搭載される。
【0028】
ロ)次に、ロードロックゲートバルブ5を閉じ、ロードロック室6を一旦減圧にし、その後、ロードロック室6にN2 供給口9よりN2 を供給し、N2 排気口10よりN2 を排気して、ロードロック室6内を、酸素濃度が1ppm以下のN2 雰囲気とする。
【0029】
ハ)次に、炉口ゲートバルブ4を開き、500〜600℃に設定されたヒータ(図示せず。)内に納められた反応管1内のインナーチューブ12内にボート2をロードロック室6から上昇させる。この時、ウェーハ3上に自然酸化膜が形成されるのを防ぐ為に、ロードロック室6及び反応管1内はN2 雰囲気となっている。
【0030】
ニ)次に、炉口ゲートバルブ4を閉じ、反応管1内を真空ポンプ(図示せず。)により真空状態にし、反応ガスであるSiH4 ガスをSiH4 ポート7より、PH3 ガスをPH3 ポート8よりそれぞれ供給し、ウェーハ3上にP−Doped Poly Si膜の成膜を行う。供給されたSiH4 ガスとPH3 ガスはインナーチューブ12の内側を上昇し、最上部で反転し、インナーチューブ12の外側を下降し反応ガス排気口13より排気される。
【0031】
ホ)次に、PH3 ガスのみ供給をストップし、SiH4 ガスは供給し続ける。これにより50〜100オングストローム程度の薄膜Non−doped Poly Si膜をP−Doped Poly Si膜上に堆積させる。
【0032】
ヘ)次に、SiH4 ガスの供給もストップし、反応管1内を一旦減圧にし、その後、N2 ガスにより反応管1内を大気圧に戻す。
【0033】
ト)次に、N2 雰囲気のロードロック室6へ500〜600℃に加熱されたボート2及びウェーハ3を下降させ冷却を行う。
【0034】
チ)ウェーハ3が冷却された後に、ロードロックゲートバルブ5を介してウェーハ3をロードロック室6から取り出す。
【0035】
以上の如く、本実施の形態においては、反応管1内において薄膜Non−doped Poly Si膜をP−Doped Poly Si膜上に堆積した後に、ロードロック6室にウェーハ3が搬出されるので、Non−Doped Poly Si膜によりPの揮発が防止され、P濃度の経時変化が防止される。
【0036】
なお、図3に示す、ロードロック室を有せずウェーハ予備室11が大気開放の通常のCVD装置300においても、反応管1内において薄膜Non−doped Poly Si膜をP−Doped Poly Si膜上に堆積する方法は同様に適用可能である。
【0037】
【実施例】
次に本発明の一実施例を説明する。
【0038】
本実施例においては、図1に示すCVD装置100を用いて上述の一実施の形態と同様にして、P−Doped Poly Si膜およびその上の薄膜Non−doped Poly Si膜を形成した。
【0039】
すなわち、上記工程ニ)において、P−Doped Poly Si膜を成膜し、その後、上記工程ホ)において、PH3 ガスのみ供給をストップし、SiH4 ガスは供給し続け、50〜100オングストローム程度の薄膜Non doped Poly Si膜をP−Doped Poly Si膜上に堆積させた。
【0040】
比較例として、リンの揮発によるP(リン)濃度の変化を予め見越して、表面のP濃度が高くしたP−Doped Poly Si膜形成した。
【0041】
図2は、P−Doped Poly Si膜の深さ方向のP濃度を、成膜直後と成膜後2日経た後のそれぞれにおいて、本実施例(図2(A))と比較例(図2(B))のそれぞれについて示している。
【0042】
本実施例においては、膜中の平均P濃度は成膜直後も2日後も共に5.0×1020個/cm3 であり経時的な変化はなかった。
【0043】
これに対して、比較例の場合は、表面部分のPの揮発があり、膜中の平均P濃度は成膜直後で5.5×1020個/cm3 であり、2日後では5.0×1020個/cm3 であった。また、表面のリンが揮発すると、クリーンルームを汚染し、さらには他の工程においてデバイスを汚染する。
【0044】
【発明の効果】
以上述べた如く、本発明によれば、P−Doped Poly Si膜等の不純物をドーピングしたシリコン膜を成膜する場合において、その膜中のP濃度等の不純物濃度の経時変化を防ぐことができ、膜品質の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明および従来の成膜方法に使用されるロードロック式縦型CVD装置の概略縦断面図である。
【図2】本発明の一実施例の成膜方法および比較例の成膜方法によって成膜したリンドープポリシリコン膜中のリン濃度の経時変化を示すグラフであり、図2Aは本発明の場合を、図2Bは比較例の場合をそれぞれ示している。
【図3】本発明および従来の成膜方法に使用される縦型CVD装置の概略縦断面図である。
【符号の説明】
1…反応管
2…ボート
3…ウェーハ
4…炉口ゲートバルブ
5…ロードロックゲートバルブ
6…ロードロック室
7…SiH4 ガスポート
8…PH3 ガスポート
9…N2 供給口
10…N2 排気口
11…ウェーハ冷却室
12…インナチューブ
13…反応ガス排気口
100…ロードロック式縦型CVD装置
300…縦型CVD装置
Claims (4)
- 成膜室を備える成膜装置を用いてリンをドーピングしたシリコン膜を基板上に成膜する半導体製造方法であって、
前記成膜室においてリンをドーピングしたシリコン膜を基板上に成膜する工程と、
前記成膜室において、前記リンをドーピングしたシリコン膜上にリンをドーピングしないシリコン膜を成膜する工程と、
その後、前記基板を前記成膜室から搬出する工程と、
を備えることを特徴とする半導体製造方法。 - 前記成膜装置が前記成膜室とロードロック室とを備え、
前記基板を前記成膜室から搬出する前記工程が、前記基板を前記成膜室からN2雰囲気とした前記ロードロック室に搬出する工程であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造方法。 - 成膜室を備える成膜装置を用いてリンをドーピングしたシリコン膜を基板上に成膜する半導体製造方法であって、
前記成膜室にSiH 4 ガスおよびPH 3 ガスを供給して基板上にリンをドーピングしたシリコン膜を成膜し、その後、PH 3 ガスの供給をストップしてSiH 4 ガスを供給し続けた後、前記基板を前記成膜室から搬出するようにした半導体製造方法。 - 成膜室を備える半導体製造装置であって、
前記成膜室において、リンをドーピングしたシリコン膜を基板上に成膜し、その後、前記リンをドーピングしたシリコン膜上にリンをドーピングしないシリコン膜を成膜し、その後、前記基板を前記成膜室から搬出することを特徴とする半導体製造装置。
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JP07342998A JP3839950B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
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JPH11260736A JPH11260736A (ja) | 1999-09-24 |
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JP07342998A Expired - Lifetime JP3839950B2 (ja) | 1998-03-06 | 1998-03-06 | 半導体製造方法及び半導体製造装置 |
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-
1998
- 1998-03-06 JP JP07342998A patent/JP3839950B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH11260736A (ja) | 1999-09-24 |
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