JP3820658B2 - バッテリ充電制御装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、バッテリの充電形態をバッテリの温度に応じた切り換え電圧に従い定電流充電から定電圧充電、またはその逆の切り換えを行なう装置に関するものである。なお、このようなバッテリ充電制御装置を利用する分野としては人工衛星のバッテリ充電制御が例として挙げられる。
【0002】
【従来の技術】
図7は衛星におけるバッテリ充電制御装置を表す図であり、1はV/Tカーブ(バッテリ温度とバッテリ電圧との相対関係を表したカーブであり、この電圧において定電圧充電と定電流充電の切り換えが行なわれる。)を選択するコマンド、2はコマンド1によりV/Tカーブの一つを選択する信号を出力するV/Tカーブ選択回路、3はバッテリ温度を電圧に変換した信号(Tbat)、4−1、4−2、・・・、4−nはバッテリ温度信号3と内部に含まれているV/Tカーブの情報から充電制御切り換え電圧(Vc)を出力するV/Tカーブ回路、5−1、5−2、・・・、5−nは選択されたときにバッテリ温度信号3を4−1、4−2、・・・、4−nに入力するスイッチ、6−1、6−2、・・・、6−nは電流の逆流を防ぐダイオード、7はバッテリ電圧信号(Vbat)、8は選択されたV/Tカーブの充電制御切り換え電圧とバッテリ電圧信号7を比較する電圧比較装置、9は電圧比較装置の出力のレベルを反転する装置、10はバッテリの定電流充電回路、11はバッテリノ定電圧充電回路である。
【0003】
このような構成の従来のバッテリ充電制御装置は、ハードウエアのみで制御されておりバッテリの温度を温度センサーで測定し、その温度の関数として定まる値にバッテリ電圧が達したら定電流充電から定電圧充電に、逆にこの値以下となると定電圧充電から定電流充電に切り換えを行なう作用を有している。上記したように、このバッテリ温度に対応した切り換え電圧の変化はV/Tカーブとよばれ、図2に示すように通常複数用意されている。また、この複数あるV/Tカーブの中でバッテリに最適なV/Tカーブはバッテリの性能および劣化の度合いにより変わる。
【0004】
次に動作について説明する。まず、バッテリの運用者はバッテリの状態を考慮し予め複数あるV/Tカーブから1つを選択する。具体的には、V/Tカーブ選択回路2にコマンド1を送信すると、V/Tカーブ選択回路2の出力のどれかが通電しスイッチ5−1、5−2、・・・、5−nのどれかがONになり、バッテリ温度信号(Tbat)が対応するV/Tカーブ回路4−1、4−2、・・・、4−nの一つに入力されるようになる。ここでは、説明のため5−1がONになったと想定する。するとV/Tカーブ回路4−1が動作し、バッテリ温度信号(Tbat)に対応した定電流/定電圧充電切り換え電圧(Vc)を出力する。この電圧は逆流防止のダイオード6−1を経由して電圧比較回路8に入力される。電圧比較回路8では定電流/定電圧充電切り換え電圧とバッテリ電圧信号(Vbat)7を比較し、Vbat<VcならばLレベル、Vbat≧VcならばHレベルの電圧を出力する。この出力がLレベルのとき、即ちVbat<Vcのときは、反転回路9により定電流充電回路10がONになり、Hレベルのとき、即ちVbat≧Vcのときは定電圧回路11がONになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来のバッテリ充電制御装置は以上のように、V/Tカーブにもとづく定電圧充電/定電流充電の切り換えをハードウエアの回路により実施していたため、比較的少数のカーブしか設定できなかった。また、このカーブを増やそうとすると必然的にハードウエア回路数が増えることになり、コストが増加する。このため、かならずしも最適な切り換え電圧で定電圧/定電流の切り換えができるわけではなかった。また、V/Tカーブはバッテリによって異なるためバッテリが変わる度にハードウエアを再設計する必要があり、コストがかかるという問題があった。
【0006】
この発明のバッテリ充電制御装置は、衛星に搭載されるバッテリ充電制御装置において、制御プログラムと、バッテリの性能及び劣化の度合いにより変化し、バッテリ温度と当該バッテリ温度に依存して定まるバッテリ電圧との関係を表すバッテリ電圧とバッテリ温度の曲線(以下V/Tカーブと呼ぶ)を記憶するメモリと、当該衛星がコマンド信号により、V/Tカーブを選択するための情報を受けて、上記メモリに記憶されたV/Tカーブから、測定されたバッテリの温度に対する切り換え電圧(Vc)を計算し、測定されたバッテリ電圧(Vbat)が、Vbat<Vcならば定電流充電回路をONにし、Vbat≧Vcならば定電圧充電回路をONにする切り換え制御指令を出力するCPUと、各々のバッテリの特性に応じて、バッテリ温度に対して、定電圧充電が必須となる領域の上限を定める上限電圧値とバッテリ電圧を比較する第1の電圧比較装置と、各々のバッテリの特性に応じて、バッテリ温度に対して、定電流充電が必須となる領域の下限を定める下限電圧値とバッテリ電圧を比較する第2の電圧比較装置と、上記第1の電圧比較装置からのバッテリ電圧が上限電圧値以上かどうかを示す信号と上記CPUで決定された定電圧充電を選択したかどうかを示す切り換え信号が論理和され、その論理出力と上記第2の電圧比較装置からのバッテリ電圧が下限電圧値以下かどうかを示す信号とを論理積をとり、CPUが暴走した時でも、充電不足や過充電を防止するための論理積装置と、上記論理積装置から、バッテリ電圧が上限電圧値以上の場合とVbat≧Vcの場合に、Hレベルが出力されて、所定の定電圧を出力する定電圧充電回路と、上記論理積装置から、バッテリ電圧が下限電圧値以下の場合とVbat<Vcの場合に、Lレベルが出力されて、所定の定電流を出力する定電流充電回路とで構成されるものである。
【0007】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態を図に基づいて説明する。図1において、1はV/Tカーブを選択するためのコマンド、12は動作プログラムおよびV/Tカーブを記憶したメモリ、13はメモリ12からプログラムを読み込み、実行するCPU、3はバッテリ温度を電圧に変換した信号、14はバッテリ電圧信号、バッテリ温度信号、および充電制御回路ON/OFF信号を入出力するI/Oインターフェース、7はバッテリ電圧信号、10は定電流充電回路、11は定電圧充電回路である。
【0008】
次に動作について説明する。図2に説明のために想定したV/Tカーブ群を、図3にソフトウエアの動作を表すフローチャートを示す。最初に、コマンド1により図2に示す複数のV/Tカーブの中から、ひとつのカーブを選択する。ここでは、説明のため第n番のカーブを選択したものとする。この選択した番号nに対応したV/Tカーブの係数(a[n],b[n])をメモリ12からCPU13にロードする。次にバッテリ温度信号(Tbat)3を、I/Oインターフェース14を介して読み込む。このバッテリ温度信号(Tbat)3と選択されたV/Tカーブの係数(a[n],b[n])とから、切り換え電圧(Vc)を計算する。バッテリ電圧信号(Vbat)7をI/Oインターフェース14を介して読み込む。バッテリ電圧信号(Vbat)7と切り換え電圧(Vc)を比較し、Vbat<Vcならば定電流充電回路10をONにし、Vbat≧Vcならば定電圧充電回路11をONにする。
なお、以上の動作はすべて、メモリ12に予め記録されたプログラムをCPU13にロードし、実行することでソフトウエア的に実現される。
【0009】
実施の形態2.
図4はこの発明の実施の形態2を示すもので、図において3はバッテリ温度を電圧に変換した信号、7はバッテリ電圧信号、15は切り換え電圧の上限を設定する切り換え上限電圧発生装置、16は切り換え電圧の下限を設定する切り換え下限電圧発生装置、17は切り換え上限電圧、18は切り換え下限電圧を表す。19は切り換え上限電圧17とバッテリ電圧信号7を比較する電圧比較装置、20は実施の形態1で示したソフトウエアにより決定された充電制御形態を示すI/Oインタフェース14からの切り換え制御信号で定電圧充電時にHレベル、定電流充電時にLレベルとなる信号、21はI/Oインタフェース14からの切り換え制御信号20と電圧比較装置19の出力の論理和をとる論理和装置、22は切り換え下限電圧18とバッテリ電圧信号7を比較する電圧比較装置、23は論理和装置21と電圧比較装置22との論理積をとる論理積装置、9は入力レベルと反対のレベルを出力する反転装置、10はバッテリの定電流充電回路、11はバッテリの定電圧充電回路である。
【0010】
ところで、実施の形態1においては、定電流充電/定電圧充電の切り換えをソフトウエアで実現することによりV/Tカーブの数をコストをほとんど上げずに増やすことができる。しかしながら、例えば本装置を人工衛星のバッテリ充電制御に利用する場合、CPUは宇宙環境においては放射線の影響等により暴走することがある。実施の形態1で述べた構造では、CPUが暴走した場合にバッテリ電圧に関係なく定電圧充電になりほとんどバッテリが充電されなかったり、逆に、定電流回路がONになりつづけ過充電されたりするおそれがある。そこで、上記で説明したハードウエア回路を付加することによって、実施の形態1の効果はそのままで、CPUが暴走した時でも、充電不足や過充電を防ぐことを考える。
【0011】
まず、基本的な考え方を説明する。バッテリの特性に応じて、各々のバッテリ温度において定電流充電が必須となるバッテリ電圧の領域と定電圧充電が必須となるバッテリ電圧の領域がそれぞれ定められる。さらに、定電流充電が必須となるバッテリ電圧の領域に対しては上限値、定電圧充電が必須となるバッテリ電圧に対しては下限値が、各々のバッテリ電圧において定まる。これは、図2で設定したV/Tカーブ群の上下に非常用のV/Tカーブ(V/T−U,V/T−L)を設定することになる。この様子を図5に示す。この図5において、領域Lでは必ず定電流充電となり、領域Uでは必ず定電圧充電にならなくてはならない。領域Mでは、CPUの機能が正常であれば選択されたV/Tカーブによる充電制御が行なわれる。
【0012】
次に図4に基づいて詳細な動作を説明する。バッテリ温度信号(Tbat)3は常に切り換え上限電圧発生装置15と切り換え下限電圧発生装置16に入力され、その時のバッテリ温度における切り換え電圧の上限値17と下限値18が出力されている。切り換え上限電圧(Vcu)17とバッテリ電圧信号(Vbat)7は電圧比較器19で比較され、Vbat<VcuならばLレベルを出力、Vbat≧VcuならばHレベルが電圧比較器19から出力される。この出力とCPU13でソフトウエアにより計算されI/Oインタフェース14を経由して出力される切り換え制御信号20との論理和がとられる。この場合のI/Oインタフェース14からの信号ロジックは、定電圧充電の場合はHレベル、定電流充電の場合はLレベルとなるようにしておく。この論理和装置21の出力は図6に示すように、バッテリ電圧信号(Vbat)7が切り換え上限電圧17以上、即ち図4の領域Uに属しているならば、I/Oインタフェース14からの切り換え制御信号20のレベルがHレベル/Lレベルどちらの場合でもHレベルとなる。一方、切り換え下限電圧(Vcl)18とバッテリ電圧信号(Vbat)7は電圧比較器22で比較され、Vbat<VclならばLレベル、Vbat≧VclならばHレベルが電圧比較器22から出力される。この電圧比較器22の出力と論理和装置21の出力を論理積装置23に入力する。この論理積装置23の出力は図6に示すように、I/Oインタフェース14からの切り換え制御信号のレベルによらず、領域UにおいてはH、領域LにおいてはLとなる。この出力がLレベルならば、論理反転装置9により論理が反転されHレベルが入力されることで定電流充電回路10が動作し、Hレベルならば定電圧充電回路11が動作する。
【0013】
ところで、実施の形態2においてはCPU異常時に過充電および充電不足の両者についてハードウエア回路による対策を施しているが、バッテリの性能および使用条件によってはどちらかの対策を施すだけでCPU異常時の対策として十分な場合もありうる。
【0014】
【発明の効果】
第1の発明によるバッテリ充電制御装置は、定電圧充電/定電流充電の切り換えをメモリに記憶されたV/Tカーブに基づいて行なっているため、V/Tカーブの数をハードウエアを増加させることなく、簡単に増やすことができるという効果を持つ。また、軌道上において、V/Tカーブを変更することもできるという効果、バッテリに依存せずハードウエアの標準化ができるという効果も持つ。
【0015】
また、第2の発明によれば、第1の発明の効果に加え、CPUが故障しメモリに記憶されたV/Tカーブが正常に機能しない場合に、ハードウエア回路により実現された定電圧充電が必須となるバッテリ電圧の下限値および定電流充電が必須となるバッテリ電圧の上限値の情報を用いることで、過充電もしくは充電不足が発生することを防ぐ効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明によるバッテリ充電制御装置の実施の形態1を示す図である。
【図2】 設定される複数のV/Tカーブを示した図である。
【図3】 この発明によるバッテリ充電制御装置のプログラムの動作を示すフローチャートである。
【図4】 CPUが暴走したときに充電不足や過充電になることを防ぐ機能を追加したバッテリ充電制御装置の実施の形態2を示す図である。
【図5】 切り換えの上限電圧と下限電圧、および定電流充電すべき領域と定電圧充電すべき領域を示した図である。
【図6】 図4に示した各領域における充電形態を、途中の論理装置の状態とともに示した表。
【図7】 従来のバッテリ充電制御装置の構造を示す図である。
【符号の説明】
1 V/Tカーブ指定コマンド、2 V/Tカーブ選択回路、3 バッテリ温度信号、4 V/Tカーブ回路、5 スイッチ、6 ダイオード、7 バッテリ電圧信号、8 電圧比較装置、9 論理反転装置、10 定電流充電回路、11定電圧充電回路、12 メモリ、13 CPU、14 I/Oインターフェース、15 切り換え上限電圧発生装置、16 切り換え下限電圧発生装置、17切り換え上限電圧、18 切り換え下限電圧、19 電圧比較装置、20 切り換え制御指令、21 論理和装置、22 電圧比較装置、23 論理積装置。
Claims (1)
- 衛星に搭載されるバッテリ充電制御装置において、
制御プログラムと、バッテリの性能及び劣化の度合いにより変化し、バッテリ温度と当該バッテリ温度に依存して定まるバッテリ電圧との関係を表すバッテリ電圧とバッテリ温度の曲線(以下V/Tカーブと呼ぶ)を記憶するメモリと、
当該衛星がコマンド信号により、V/Tカーブを選択するための情報を受けて、上記メモリに記憶されたV/Tカーブから、測定されたバッテリの温度に対する切り換え電圧(Vc)を計算し、測定されたバッテリ電圧(Vbat)が、Vbat<Vcならば定電流充電回路をONにし、Vbat≧Vcならば定電圧充電回路をONにする切り換え制御指令を出力するCPUと、
各々のバッテリの特性に応じて、バッテリ温度に対して、定電圧充電が必須となる領域の上限を定める上限電圧値とバッテリ電圧を比較する第1の電圧比較装置と、
各々のバッテリの特性に応じて、バッテリ温度に対して、定電流充電が必須となる領域の下限を定める下限電圧値とバッテリ電圧を比較する第2の電圧比較装置と、
上記第1の電圧比較装置からのバッテリ電圧が上限電圧値以上かどうかを示す信号と上記CPUで決定された定電圧充電を選択したかどうかを示す切り換え信号が論理和され、その論理出力と上記第2の電圧比較装置からのバッテリ電圧が下限電圧値以下かどうかを示す信号とを論理積をとり、CPUが暴走した時でも、充電不足や過充電を防止するための論理積装置と、
上記論理積装置から、バッテリ電圧が上限電圧値以上の場合とVbat≧Vcの場合に、Hレベルが出力されて、所定の定電圧を出力する定電圧充電回路と、
上記論理積装置から、バッテリ電圧が下限電圧値以下の場合とVbat<Vcの場合に、Lレベルが出力されて、所定の定電流を出力する定電流充電回路と、
で構成されることを特徴とするバッテリ充電制御装置。
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JP33559996A JP3820658B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | バッテリ充電制御装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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