JP3816590B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、解像度が高く、しかも生産性の高い液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、従来のCRTに代わる新しい表示装置が盛んに開発されている。その中でも、液晶表示装置は、薄型で低電力動作が可能であるため家庭用電化製品あるいはオフィスオートメーション機器の市場での期待は大きいものがある。
【0003】
現在、液晶表示装置は、液晶パネルの背面にバックライトと呼ばれる平面型の照明を設けた透過型と呼ばれる方式が主流である。
しかしながら、バックライトは、消費電力が比較的大きく液晶表示装置の長所である低電力動作を阻害する大きな要因となっている。ここで、バックライトが暗かったり、ちらつきあるいは表示面 (液晶パネル) の全域の明るさのばらつきがあると、画質の低下が顕著になる。
【0004】
低電力動作において、画質を低下させないためには、液晶パネルの光利用効率を最大限に高めることが重要である。
図11は、周知の透過型パネルのアレイ基板の一例を示す断面図である。
【0005】
図示しないガラス基板の所定位置に形成されたゲート線101上に、絶縁膜を介して配置されたチャネル領域と信号線102とソース電極103からなる薄膜トランジスタ (TFT) のソース電極103に接続された画素電極104は、隣接信号線102´に対して間隙dで接近している。
【0006】
間隙dが狭い場合には、例えば、パターニング不良等が生じた場合、隣接信号線102´と画素電極104とが電気的に短絡する確率が増加する。そのため、問隙dは、ある程度確保されなければならず、このことにより、画素電極の面積が大幅に制限されることが知られている。
【0007】
この問題を解決するために、図12に示すような構造が提案されている。
図12に示す構造は、信号線102と画素電極104との間に、絶縁膜105を設けたものであって、信号線102´と画素電極104を厚さ方向に異なる層に分けることで、両者の間隙をより小さくすることが可能となる。従って、画素電極104の面積を広げることが可能となり、アレイ基板の光利用効率を高めることができる。
【0008】
一方、近年の携帯情報機器の需要の増加に伴い、バックライトを用いず、周囲光を前面に反射して表示する反射型液晶表示装置が注目されている。
反射型液晶表示装置では、例えば、図12に示す構造と同様の構造において、画素電極 (反射電極) 104に反射率の高い金属を用いて光利用効率を高めている。この場合、反射電極 (画素電極) 104と信号線102を重ねることで反射電極104の面積を増加できる。
【0009】
しかしながら、図12に示すように、間隙dが必要以上に狭くなると、両者の間の寄生容量が増加し、画質が劣化することが考えられる。従って、絶縁膜105の厚さを、1〜2ミクロンとして、両者の厚さ方向の間隔を大きくすることが効果的である。
【0010】
この場合、スパッタあるいはCVDなどの成膜膜法は適さないので、例えば、ボリイミドもしくはアクリル樹脂等を塗布する方法が用いられる。なお、近年、樹脂に感光性を持たせたものも市場に出てきており、絶縁膜形成工程の簡略化に有効となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上述した有機絶縁膜105は、アレイ基板を構成する他の無機材料に比較して熱膨張率が極めて大きいため、基板のアニールエ程のような加熱処理において、有機絶縁膜105に形成した画素電極104内部に、有機絶縁膜105の熱膨張の影響による引っ張り応力が発生する。
【0012】
上述した有機絶縁膜105の変形による画素電極104の切欠部への引っ張り応力の集中は、画素電極104の切欠底部に亀裂を発生させる。亀裂は、画素電極104の剥がれ、ソース電極103との電気的接続不良などを引き起こし、画質を劣化させるのみならず、アレイを使用不能にする問題がある。
【0013】
これとは別に、液晶表示装置に用いる液晶の種類によっては、画素電極に配向処理を施す必要がある。代表的な処理法は、ラビング処理であり、例えば、布でアレイ基板上に塗布したボリイミド膜を擦るものである。この場合、視角特性の観点から、パネルに対して所定の方向に、ラビングされる。
【0014】
このラビングにおいては、画素電極104の切欠部104a近傍で、画素電極104の膜厚による微妙な段差の影響による配向不良が発生する問題がある。なお、ラビングにより生じる配向不良は、スルーホール106に関しても同様に生じることから、画質が低下される問題がある。
【0015】
この発明の目的は、有機絶縁膜上に、安定に画素電極を形成可能で、配向不良を生じることなく、しかも、高い歩留まりを確保しつつ、高画質の液晶表示装置を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上記問題点に基づきなされたもので、第1の基板に形成された透明電極と、第1の基板に所定の間隔で対向された第2の基板に形成された有機絶縁膜と、有機絶縁膜上に配列された画素電極と、透明電極と画素電極の間に配置された液晶層からなる液晶表示装置において、前記画素電極の形状の一部が多角形で近似可能で、かつ、前記画素電極の形状を特徴づける多角形のそれぞれの頂点の内角の最大値が270°より小さく、そのうちの180°を越える内角を提供する頂点であって、隣接する2つの頂点が、3ミクロン以上離れて位置されていることを特徴とする液晶表示装置を提供するものである。
【0017】
またこの発明は、第1の基板に形成された透明電極と、第1の基板に所定の間隔で対向された第2の基板に形成された有機絶縁膜と、有機絶縁膜上に配列された画素電極と、透明電極と画素電極の間に配置された液晶層からなる液晶表示装置において、前記画素電極の形状の一部が多角形で近似可能で、かつ、前記画素電極の形状を特徴づける多角形のそれぞれの頂点の内角の最大値が270°より小さく、そのうちの180°を越える内角を提供する頂点であって、隣接する2つの頂点が、3ミクロン以上離れて位置されるとともに、その2つの頂点を結ぶ線分が、ラビング方向におおむね平行に形成されることを特徴とする液晶表示装置を提供するものである。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1ないし図3は、この発明の実施の形態が適用される反射型液晶表示装置を示す構成図である。なお、図1は、液晶表示装置の画素の1つの抜き出した概略平面図、図2には、図1に示した画素を線I−Iで切断した部分断面図および図3は、図1に示した画素の画素電極の一部を拡大した部分拡大図である。
【0020】
図2に示されるように、液晶表示装置1は、図示しないアンダーコート (層) が形成された第1のガラス基板10aの所定の位置に、例えば、モリブデン等をスパッタ成膜してパターニングされた形成されたゲート線11を有する。ゲート線11は、所定の厚さに積層されたアモルファス半導体の層12により覆われている。アモルファス半導体層12を挟んでゲート線11と対向する位置には、所定の濃度の燐がドープされたアモルファス半導体層を積層してパターニングしたチャネル領域13が形成されている。
【0021】
チャネル領域13には、アルミニウムをスパッタしてパターニングした配線電極としての信号線14およびソース電極15が、チャネル領域13の一部と接触されて形成されている。
【0022】
チャネル領域13、信号線14およびソース電極15は、例えば、日本合成ゴム製の商品名HRCをスピンコートにより厚さ2ミクロンに塗布した有機絶縁膜16により覆われている。なお、有機絶縁膜16は、80°Cでベーキング (焼成) され、露光、現像した後、220°Cでベーキングされて、硬化される。なお、ベーキング温度と現像時間とを最適化することでスルーホール17をテーパ状とすることも可能である。
【0023】
有機絶縁膜16の所定位置、例えば、ソース電極15と少なくとも一部で重なり合う位置には、有機絶縁膜16へのマスク露光および引続く現像により、以下に説明する画素電極とソース電極15とを電気的に接続するためのスルーホール17が形成されている。
【0024】
スルーホール17が形成された有機絶縁膜16上には、所定の厚さのITOが形成され、画素電極18として所定の形状にパターニングされている。
この時、画素電極18と (薄膜トランジスタの) チャネル領域13とが重なり合うと、薄膜トランジスタ (TFT) の特性に影響を与える可能性があるため、薄膜トランジスタ上に位置する画素電極18は、図1に示すように、切欠19により、除去されている。
【0025】
画素電極18に対し、第1のガラス基板10aと反対の側には、第1のガラス基板10aと対向する第2のガラス基板10bが、第1のガラス基板10aに対して所定の間隔で配置されている。なお、第2のガラス基板10bの第1の基板10aに面する側には、図示しない周知の透明電極 (すなわち対向電極) が形成されている。また、第1のガラス基板10aと第2のガラス基板10bとの間には、所定の特性が与えられている液晶材料Rが満たされている。
【0026】
ところで、図1ないし図3に示した液晶表示装置1においては、画素電極18は、従来から利用されている無機絶縁膜に比較して厚さの厚い有機絶縁膜16上に形成されることから、液晶表示装置1を形成する過程で外部から与えられる熱による熱膨張の影響を無視することはできない。
【0027】
例えば、図4に示すように、有機絶縁膜111に形成した無機膜112を加熱すると、有機絶縁膜111の熱膨張により生じる引っ張り応力113が、無機膜112に、掛かる。また、無機膜112が図5に示すような切欠114を有する場合、切欠114の底部に応力が集中して極めて応力の高い状態が発生し、切欠114の底部に、亀裂が発生してしまう。
【0028】
加えて、有機絶縁膜 (感光性樹脂) 111は、現像にアルカリ性溶液を用いることから、ベーキング後も耐アルカリ性が不十分である。この場合、有機絶縁膜111に無機膜112をパターニングするために用いたレジストを除去するためのアルカリ性レジスト剥離液を使用すると、感光性樹脂 (有機絶縁膜) 111が膨潤する問題がある。感光性樹脂111の膨潤は、無機膜112に、図6に示すような、切欠底部115付近を広げようとする力を発生させることから、切欠底部115に、引っ張り応力113がさらに集中する。その結果、切欠底部115に、亀裂が発生する。
【0029】
図4ないし図6を用いて説明した理由により、切欠19の形状および角度は、最適に決定される必要がある。
以下、画素電極18の切欠19の形状について説明する。
【0030】
図3における切欠19を、点P1と点P2とが一致している状態、すなわち、互いに直角に交わる2直線から形成される (点線で示す) 直角状の19aとし、画素電極18をパターニングしたのちパターニングに利用されたレジストを除去するためのアルカリ性レジスト剥離液に浸漬したところ、図4ないし図6で説明したと同様に、有機絶縁膜16の膨潤がみられ、直角状の切欠 (以下、切欠底部と示す) 19aに応力集中が確認された。
【0031】
この状態で、画素電極18のアニールのために、基板10を、概ね200°に加熱したところ、試作したパネルの全数で、切欠底部19aの亀裂の発生が確認された。
【0032】
以下、切欠底部19aへの応力の集中を緩和するため、図3に示したように、切欠10の形状を、互いに直角に交わる2直線から形成される切欠底部19aから点P1と点P2の2つの頂点を結んで得られる線分を切り落とした形状とし、点P1と点P2を結ぶ線分の傾きが45° (各点における内角の大きさは、それぞれ、225°) となるよう維持しながら、点P1と点P2との間の距離を次第に増大させて、亀裂の発生の程度を観察した。なお、液晶表示パネルを加工する場合、点P1、点P2のそれぞれ、並びに切欠底部19aのいづれにおいても、ミクロ的には、2つの直線が交わるわけではなく微小な曲率部が形成されるが、加工上生じる曲率部では、以下に説明する点P1と点P2の2点間の距離により生じる効果は達成されない。また、点P1、点P2のそれぞれにおける内角が、270°の場合、各2辺を結んだ外側の角度が直角 (点P1と点P2の一方が、残りの点を含む線分上に位置する) となることから、少なくとも270°については除外されることはいうまでもない。同様に、点P1、点P2のそれぞれにおける内角が、180°の場合、各2辺は直線 (点P1と点P2の一方が、残りの点を含む線分上に位置する) となることから、180°についても除外されることはいうまでもない。
【0033】
図7は、図3を用いて説明した切欠19を規定する点P1−点P2間の距離と亀裂の発生の程度との関係を示すグラフである。
図7に示されるように、点P1と点P2の2点間の距離が、3ミクロンよりも大きくなると、亀裂は、ほとんど発生しないことが確認された。なお、亀裂の発生率は、有機絶縁膜16の膜厚には、ほとんど依存しなかった。
【0034】
図8は、図3を用いて説明した切欠19の形状と、配向不良の発生率との関係を示すグラフである。
図8に示されるように、点P1と点P2の2点間の距離が、3ミクロンよりも広がると、配向不良は、実質的に抑制されることが認められる。なお、点P1と点P2を結ぶ線分をラビング方向 (矢印a) と同一に設定すると、より効果が高められることが認められる。
【0035】
図9は、図3を用いて詳述した画素電極18の形状を設定する原理を画素電極18とソース電極15とを接続するためのスルーホール17の形成に適用した例を示している。すなわち、図1に示したスルーホール17を、例えば、一般的な矩形から多角形にする場合に、同様の議論が適用できる。
【0036】
図9に示されるように、液晶表示装置21においては、ソース電極25は、6角形に形成されたスルーホール27を介して画素電極28と電気的に接続されている。また、他の構成については、図1ないし図3に示した例と同一であるから詳細な説明を省略する。なお、図9においては、スルーホール27の一辺を、3ミクロンとすると、スルーホール27の大きさは直径6ミクロンの円形のスルーホールとほぼ同一サイズとなる。
【0037】
図9から明らかなように、6角形に形成されたスルーホール27は、図1に示したスルーホール17に比べて、画素電極18からスルーホール17を取り除いてできる穴すなわち6角形の各2辺を結んだ外側の角度が小さくなることから、応力の集中を緩和できる。また、図1においてルーホール17の周辺に見られたラビング不良は、概ね解消されている。
【0038】
なお、スルーホール27は、好ましくは、6角形の互いに平行な辺の組の1つが矢印aで示されるラビング方向に概ね一致するよう、形成される。すなわち、互いに平行な辺の組の1つがラビング方向と一致されることで、残りの4辺は、ラビング方向に対して非直角に位置されることから、ラビング不良が生じやすくなる要因が低減される。
【0039】
図10は、図3を用いて詳述した画素電極18の形状を設定する原理を、画素電極18とソース電極15とを接続するためのスルーホール17の形成に適用した例を示している。
【0040】
図10に示されるように、液晶表示装置31においては、ソース電極35は、8角形に形成されたスルーホール37を介して画素電極38と電気的に接続されている。また、他の構成については、図1ないし図3に示した例と同一であるから詳細な説明を省略する。なお、図10において、スルーホール37の一辺が3ミクロンであるとすれば、スルーホール37の大きさは、直径7ミクロンの円形のスルーホールとほぼ同一サイズとなる。
【0041】
図10から明らかなように、8角形に形成されたスルーホール37は、図9に示した6角形のスルーホール27に比べて、画素電極38からスルーホール37を取り除いてできる穴すなわち8角形の各2辺を結んだ外側の角度が小さくなることから、応力の集中を緩和するために一層の効果がある。また、図1に示したスルーホール17の周辺に見られたラビング不良は、概ね解消されている。
【0042】
ところで、図10に示すように、スルーホール37が正8角形である場合は、好ましくは、互いに平行な辺の組のいづれの組も矢印aで示されるラビング方向と一致しないよう、配慮される。すなわち、正8角形の特徴として、互いに平行な2辺は、他の2辺と90°回転された位置関係を有することから、ある辺の組をラビング方向と平行にすると、ラビング方向に対して直角となる辺の組みが生じることから、全ての辺に対するラビングの影響を低減するためには、互いに平行な辺の組のいづれの組もラビング方向に一致させないことが有益である。
【0043】
以上、説明したように、外部から熱による熱膨張の程度が大きな有機絶縁膜を用いた液晶表示装置においては、有機絶縁膜に形成される画素電極の形状を最適に設定することで、有機絶縁膜の熱膨張により、有機絶縁膜あるいは画素電極の少なくとも一方に、亀裂が生じたり、レジスト除去剤に浸されることで有機絶縁膜が変形したり膨潤による画質の劣化が引き起こされることが防止される。
【0044】
また、有機絶縁膜に形成される画素電極の形状を最適に設定することで、ラビングにおいて配向不良が生じることが実質的に抑止される。
なお、画素電極の形状の最適化は、画素電極とソース電極を電気的に接続するスルーホールの形状についても適用可能である。この場合、スルーホールは、正多角形に限定されることはない。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の液晶表示装置においては、画素電極の形状の一部が多角形で近似可能で、その多角形のそれぞれの頂点の内角の最大値が270°より小さく、そのうちの180°を越える内角を提供する少なくとも2つの頂点が、3ミクロン以上離れて形成される。また、画素電極の形状を特徴づける多角形のそれぞれの頂点の内角の最大値が270°より小さく、そのうちの180°を越える内角を提供する少なくとも2つの頂点を結ぶ線分が、ラビング方向におおむね平行に形成される。従って、有機絶縁膜上の画素電極を安定して形成することができる。また、切欠部分の周辺に発生する配向不良を、実質的に皆無にすることができる。これにより、歩留まりが高く、しかも、高画質な液晶表示装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態が適用される液晶表示装置の画素を示す平面図。
【図2】図1に示した液晶表示装置の画素の線I−Iに沿った断面図。
【図3】図1に示した液晶表示装置の画素電極の部分拡大図。
【図4】図1に示した液晶表示装置の有機絶縁膜に亀裂が生じるメカニズムを示す概略図。
【図5】図4に示したメカニズムに引き続くメカニズムを示す概略図。
【図6】図5に示したメカニズムに引き続くメカニズムを示す概略図。
【図7】図3に示した切欠を規定する点P1−点P2間の距離と亀裂の発生の程度との関係を示すグラフ。
【図8】図3に示した切欠の形状と配向不良の発生率の関係を示すグラフ。
【図9】図1に示した液晶表示装置のスルーホールの形状の例を示す概略平面図。
【図10】図9に示したのスルーホールの形状の別の例を示す概略平面図。
【図11】周知の液晶表示装置の一例を示す概略断面図。
【図12】周知の液晶表示装置の一例を示す概略断面図。
【符号の説明】
1 …液晶表示装置、
10a…第1のガラス基板、
10b…第2のガラス基板、
11 …ゲート線、
12 …アモルファス半導体層、
13 …チャネル領域、
14 …信号線、
15 …ソース電極、
16 …有機絶縁膜、
17 …スルーホール、
18 …画素電極、
19 …切欠、
19a…切欠底部。
Claims (2)
- 第1の基板に形成された透明電極と、第1の基板に所定の間隔で対向された第2の基板に形成された有機絶縁膜と、有機絶縁膜上に配列された画素電極と、透明電極と画素電極の間に配置された液晶層からなる液晶表示装置において、
前記画素電極の形状の一部が多角形で近似可能で、かつ、前記画素電極の形状を特徴づける多角形のそれぞれの頂点の内角の最大値が270°より小さく、そのうちの180°を越える内角を提供する頂点であって、隣接する2つの頂点が、3ミクロン以上離れて位置されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 第1の基板に形成された透明電極と、第1の基板に所定の間隔で対向された第2の基板に形成された有機絶縁膜と、有機絶縁膜上に配列された画素電極と、透明電極と画素電極の間に配置された液晶層からなる液晶表示装置において、
前記画素電極の形状の一部が多角形で近似可能で、かつ、前記画素電極の形状を特徴づける多角形のそれぞれの頂点の内角の最大値が270°より小さく、そのうちの180°を越える内角を提供する頂点であって、隣接する2つの頂点が、3ミクロン以上離れて位置されるとともに、その2つの頂点を結ぶ線分が、ラビング方向におおむね平行に形成されることを特徴とする液晶表示装置。
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