JP3791462B2 - 非晶質光半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、非晶質光半導体の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、非晶質の光半導体としては光電変換部材としてセレン、テルルなどの非晶質カルコゲナイド化合物が撮像管や受光素子や電子写真感光体などに広く用いられてきた(オーム社アモルファス半導体の基礎)。また近年では水素化アモルファスシリコンが太陽電池やイメージセンサー、Thin Film Transistor、電子写真感光体などに用いられてきた。
【0003】
しかしながら、非晶質カルコゲナイド化合物は熱に対して不安定で結晶化が起こり易く使用できる条件が限られており、価電子制御ができないなどの欠点があった。また、水素化アモルファスシリコンでは価電子制御は可能でありpn接合や界面での電界効果などが実現でき、耐熱性も250℃程度まであるが、強い光により光導電性が劣化する現象により(Staebler,Wronski効果:応用物理ハンドブックなど)太陽電池の効率が使用中に低下する問題がある。また、水素化アモルファスシリコンのband gapは約1.7eVであり太陽光を有効に利用するためにGeやCを加えることによってband gapを小さくしたり広くすることはできるが、0.3eV程度の変化でも光導電特性が劣化し、広い範囲の光を有効に利用できないという問題があった。また、これらの元素から成る半導体は結晶も含めて間接遷移型であり、発光素子に用いることができず、用途が限られていた。
【0004】
従来、III−V族化合物半導体の非晶質材料はIII−V族結晶の蒸着やスパッターによって、あるいはIII族金属を原子状としたものとV族元素を含む分子や活性分子との反応による成膜などがおこなわれていた〔H.Reuter,H.Schmitt,M.Boffgen,Thin Solid Films 254,94(1995)〕。
また、III−V族化合物結晶膜はIII族金属を含む有機金属化合物とV族元素を含む化合物を用いて加熱した基板に作製されていた(有機金属CVD:MOCVD)。これらの方法を用い基板温度を、結晶作製する場合(600〜1000℃)よりも低い温度に設定することによって非結晶III−V族化合物が得られている。
【0005】
しかしながら、この場合有機金属からの炭素が膜中に残ったり膜中欠陥準位が多い等の問題により、非晶質III−V族化合物は光電材料としては機能できるものはなかった。一方、非晶質アモルファスシリコンは水素化されることによってバンド間の欠陥準位密度が低下し、価電子制御が可能なことが知られている。
【0006】
結晶III−V族化合物半導体の欠陥に対する水素の役割については多く調べられており、(1)結晶転位欠陥が改善されること[Y.Okada,S.Ohta,H.Shimomura,A.Kawabata and M.Kawabe,J.Appl.Phys.,32,L1556(1993)]、(2)表面酸化膜との界面欠陥が改善されること[Y.Chang,W.Widdra,S.I.Yi,J.Merz,W.E.WeinBerg and E Hu,J.Vac.Sci.Tech.B12.2605(1994)]、(3)n+−p接合面が改善されること[S.Min,W.C.Choi,H.Y.Cho,M.Yamaguchi,Appl.Phys.Lett 64,1280(1994)]、(4)格子不整合による欠陥が改善されること[B.Chatterjee,S.A.Ringel,R.Sieg,R.Hoffman and I.Weinberg,Appl.Phys.Lett. 65,58(1994)]、(5)結合欠陥をパッシベーションすることなどが分かっている。これらの水素の役割から、結晶から非晶質にしたときの問題で結晶シリコンとアモルファスシリコンと同じ関係がIII−V族化合物半導体にも期待できる。
【0007】
一方でIII−V族結晶半導体ではpn制御用のドーパントも同時にパッシベーションされ不活性化されることが知られている[S.J.Pearton,Material Sci.Forum,148−149,(1994)113−139]。さらにこのドーパントのパッシベーションによる不活性化はアニールによって活性化されることも分かっている。このように水素は欠陥のダングリングボントをパッシベーションするが、同時にpn制御用ドーパントを不活性化するため、非晶質膜の場合、膜の構成元素と組成及び膜中の水素の含有量と結合部位が重要である。
【0008】
従来の非晶質III−V族化合物半導体の作製法では、原料に結晶を用いスパッターで作製する方法で、系に水素がない場合[H.Reuter,H.Schmitt,M.BOffgen,Thin Solid Films254,94(1995)]であった。
【0009】
また、水素を含む非晶質III−V族化合物半導体に関しては、H2との反応性蒸着法で水素化a−GaPの光導電性が[M.Onuki,T.Fujiiand H.Kubota,J.non−Cryst.Solids,114,792(1989)]で報告され、また、水素化a−GaAsの光導電性が[V.Coscia,R.Murri,N.Pinto,L.Trojani,J.Non.Cryst.Solid,194(1996)103]で報告されている。しかし、これらの半導体では、明暗抵抗比は2桁程度で小さく、また、半導体材料として実用上必要なpn制御ができていない。
【0010】
また、低温成膜法としてIII族の原料として有機金属化合物を使用したプラズマCVD法によって非晶質の水素を含むGaPやあるいは微結晶質のGaNが得られているが光導電を示さないか絶縁性であった〔J.Knight,andR.A.Lujan,J.Appl.Phys.,42.1291(1978)〕。また、プラズマCVD法によって作製した水素化非晶質GaAsについては10%程度の微小の光導電性しかなく実用上は程遠いものであり、有機金属化合物をIII族の原料とするため非晶質化するための低温領域では膜中から炭素の除去が問題であった〔Y.Segui,F.Carrere and A.Bui,Thin Solid Films,92,303,(1982)。
【0011】
また、特開平6−295991ではスパッタ法やCVD法や分子線エピタキシャル法あるいはプラズマCVD法などで形成されたアモルファスIII−V化合物半導体がアンチフューズメモリー材料としてSiより低融点の材料として提案されているが、GaNやAlNは不適とされている。また光半導体としての性質については触れられていない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、このような非晶質のIII−V族化合物半導体の欠点を改善しアモルファス半導体や結晶における水素の役割を生かし、広範囲の光学ギャップが自由に選べ、高解像度で優れた光導電特性と高速応答性かつ耐環境特性や耐高温を有し光学的に活性の大面積で安価な新しいオプトエレクトロニクス材料となりえる非晶質光半導体の製造方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
水素及びチッ素を含む化合物を1つ以上の活性化手段により必要なエネルギー状態や励起種に活性化するとともに、該活性化されたチッ素または活性化された水素を独立に制御し、活性化していないGaを含む有機金属化合物を前記活性化手段の下流側に導入することで、前記活性化されたチッ素または活性化された水素と前記活性化していないGaを含む有機金属化合物とを反応させ、該活性化していないGaを活性化し、基板上に制御された状態で存在する前記活性化されたGaと前記活性化されたチッ素及び活性化された水素とを反応させ、基板上に成膜することを特徴とする非晶質光半導体の製造方法である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明において、Ga原子の原子数とチッ素原子の原子数との比は、1:0.5〜1:2である。この原子数の比が、1:0.5未満の場合、あるいは1:2を越えると、Ga元素とチッ素元素との結合による閃亜鉛鉱(Zincblend)型を形成する部分が少なくなるため欠陥が多くなり、良好な光半導体としては機能しなくなる。
一般に非晶質とは、結晶格子がほとんど認められない固体の状態をさすが、非晶質と結晶質とは明確な境界がないことが多い。本発明における非晶質は、隣接する原子との近距離秩序のみ有する所謂非晶質と、非晶質中の中に微結晶を有する場合、あるいは、全体が微結晶の集まりである場合、を包含する。ただし、この場合、微結晶の大きさは、50Å未満の微結晶で、全体的には構造的秩序が認められないとみなせるものである。
【0015】
また、本発明における非晶質光半導体は、水素を含むが、その量は、1原子%以上50原子%以下の水素が好ましい。非晶質光半導体においては、膜中に水素が1原子%未満では、III族元素としてのAl,Ga,In及びV族元素としてのチッ素が3次元構造を保ったまま非晶質化することによって生じる未結合手を水素との結合によって無くし、バンド内に形成する欠陥準位を不活性化するのに不十分であり、実用的な非晶質光半導体として機能することができない。
【0016】
これに対し、膜中に水素が50原子%をこえると、水素がIII族元素としてのAl,Ga,In及びV族元素としてのチッ素に2つ以上結合する確率が増え、結果としてこれらの元素が3次元構造を保たず、鎖状のネットワークを形成するようになり、バンド内に新たな準位を形成し、電気的な特性が劣化すると共に硬度などの機械的性質が低下する。さらに膜が酸化されやすくなり、結果として膜中に不純物欠陥が多量に発生することとになり、良好な光電気特性が得られなくなる。また、膜中の水素が50原子%をこえると、電気的特性を制御するためにドープするドーパントを水素が活性化するようになるため結果として電気的に活性な非晶質半導体が得られない。
【0017】
また、非晶質光半導体には酸素と炭素が各々15原子%であることが望ましい。膜中の酸素が膜中に15原子%をこえて含まれると、この酸素原子がIII族元素としてのAl,Ga,Inと安定な結合を形成し、Al,Ga,InとV族元素としてのチッ素原子による3次元構造を部分的に2次元的柔構造に形成するため、電気的制御のための置換型ドーパントを3次元剛構造の中で電気的に活性な結合配置をとることを妨げることとなり、結果としてpn制御ができない。
【0018】
さらに膜中の炭素が15原子%をこえて含まれると、炭素と水素との結合(81kcal/mol)はIII族原子としてのAl,Ga,Inと水素との結合(Al−H:68.1kcal/mol,Ga−H:66kcal/mol,In−H:59kcal/mol)より安定なため、水素が炭素と多く結合するようになり、さらに炭素は−CH2−,−CH3結合を取りやすくなり鎖状構造やボイドの発生により、膜全体として欠陥準位が増えると共にドーパントをドープしたときに構造的柔軟性のためpn制御ができない。また、本来ワイドバントギャップの透明な膜では、膜が着色して黄色から茶褐色となるため光学的な特性も悪化する。この酸素や炭素の濃度は膜への表面吸着や汚染または表面の酸化によって膜の表面付近の酸素および炭素では濃度が増すことがあるが、本発明における酸素および炭素の濃度は、このような影響がない部分におけるものを指している。
【0019】
また、3次元的な構造を維持しながら非晶質構造を実現するためには、III族元素とV族元素の両方に未結合手が発生する。このため水素はIII族元素とV族元素に均等に結合するようにすることが望ましい。また、ドーパントに水素が結合した場合には置換型不純物ドープができなくなるため、ドーパントには水素が結合しないことが望ましい。これらの水素結合状態は赤外吸収スペクトルによって容易に測定することできる。
膜中の各組成は、X線光電子分光(XPS)、エレクトロンマイクロプローブ、ハイドロジェンフォード・バックスキャッタリング(HFS)等の方法で測定することができる。水素量については、ラザフォードバックスキャタリング(RBS)により絶対量を測定することができる。また、加熱による水素放出量の測定あるいはIRスペクトルの測定によっても水素量を推定することができる。
【0020】
次に本発明における非晶質光半導体は、次のように製造することができる。
以下、図に従って説明する。図1の方法はプラズマを活性化手段とする方法である。1は真空に排気しうる容器、2は排気口、3は基板ホルダー、4は基板加熱用のヒーター、5,6は容器1に接続された石英管であり、それぞれガス導入管9,10に連通している。また、石英管5にはガス導入管11に接続され、石英管6にはガス導入管12が接続されている。
【0021】
この装置においては、チッ素源として、例えば、N2を用いガス導入管9から石英管5に導入する。マグネトロンを用いたマイクロ波発振器(図示せず)に接続されたマイクロ導波管8に2.45GHzのマイクロ波が供給され石英管5内に放電を発生させる。別のガス導入口10から、例えばH2を石英管6に導入する。高周波発振器(図示せず)から高周波コイル7に13.56MHzの高周波を供給し、石英管6内に放電を発生させる。放電空間の下流側よりトリメチルガリウムをガス導入管12より導入することによって基板上に非晶質チッ化ガリウムを得ることができる。
非晶質の状態は、基板温度、ガスの流量圧力によって変化させることができる。基板温度が高いか、III族原料ガスの流量が少ない場合、50Å未満の微結晶核を有する非晶質になりやすい。
トリメチルガリウムの代わりにインジウム、アルミニウムを含む有機金属化合物を用いることもできるし、また混合することもできる。また、これらの有機金属化合物は、ガス導入管11から導入しても良い。
【0022】
また、C,Si,Ge,Snから選ばれた少なくとも一つ以上の元素を含むガス、あるいはBe,Mg,Ca,Zn,Srから選ばれた少なくとも1つ以上の元素を含むガスを放電空間の下流側(ガス導入管11又はガス導入管12)から導入することによってn型、p型等任意の伝導型の非晶質チッ化物半導体を得ることができる。Cの場合には、条件によっては有機金属化合物を炭素を使用してもよい。
【0023】
基板温度は20℃〜600℃である。上述のような装置において放電エネルギーにより形成される活性チッ素あるいは活性水素を独立に制御する。また、NH3のようなチッ素と水素原子を同時に含むガスを用いてもよい。さらにH2を加えてもよい。また、有機金属化合物から活性水素が遊離生成する条件を用いることもできる。このようにすることによって、基板上には活性化されたIII族原子、チッ素原子が制御された状態で存在し、かつ水素原子がメチル基やエチル基をメタンやエタン等の不活性分子にするために低温にも拘わらず、炭素がほとんど入らず、膜欠陥が抑えられた非晶質膜が生成できる。
【0024】
上述の装置において活性化手段として、高周波発振器、マイクロ発振器、エレクトロサイクロトロン共鳴方式やヘリコンプラズマ方式であっても良いし、これらを一つを用いても良いし、二つ以上を用いてもよい。また、二つ共マイクロ波発振器であっても良いし、2つ共高周波発振器で有っても良い。また高周波放電の場合、誘導型でも容量型でも良い。またエレクトロンサイクロトロン共鳴方式を用いても良い。異なる活性化手段(励起手段)を用いる場合には、同じ圧力で同時に放電が生起できるようにする必要があり、放電内と成膜部(容器1内)に圧力差を設けても良い。また同一圧力で行う場合、異なる活性化手段(励起手段)、例えば、マイクロ波と高周波放電を用いると励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質制御に有効である。
本発明の光半導体は、反応性蒸着法やイオンプレーティング、リアクティブスパッターなど少なくとも水素が活性化された雰囲気で成膜を行うことも可能である。
【0025】
本発明で使用する基板としては導電性でも絶縁性でも良く、結晶あるいは非品質でも良い。導電性基板としては、アルミニウム、ステンレススチール、ニッケル、クロム等の金属及びその合金結晶Si,GaAs,SiCなどの半導体を挙げることができる。
また、基板表面に導電化処理を施した絶縁性基板を使用することもできる。絶縁性基板としては、高分子フィルム、ガラス、セラミック等を挙げることができる。導電化処理は、上記の金属又は金、銀、銅等を蒸着法、スパッター法、イオンプレーティング法などにより成膜して行う。
また、光の入出力用の透明導電性基板の透光性支持体としては、ガラス、石英、サファイア等の透明な無機材料、また、弗素樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、エポキシ等の透明な有機樹脂のフィルムまたは板状体、さらにまた、オプチカルファイバー、セルフォック光学プレート等が使用できる。
【0026】
上記透光性支持体上に設ける透光性電極としては、ITO、酸化亜鉛、酸化錫、酸化鉛、酸化インジウム、ヨウ化銅等の透明導電性材料を用い、蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等の方法により形成したもの、あるいはAl,Ni,Au等の金属を蒸着やスパッタリングにより半透明になる程度に薄く形成したものが用いられる。
【0027】
本発明における非晶質光半導体の原料としては、III族元素としてAl,Ga,Inのなかから選ばれる一つ以上の元素を含む有機金属化合物を用いることができる。これらの有機金属化合物としてはトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ターシャリーブチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、ターシャリーブチルガリウム、トリメチルインジウム、トリエチルインジウム、ターシャリーブチルインジウムなどの液体や固体を気化して単独にあるいはキャリアガスでバブリングすることによって混合状態で使用することができる。キャリアガスとしては水素,N2,メタン,エタンなどの炭化水素、CF4,C2F6などのハロゲン化炭素などを用いることができる。
【0028】
チッ素原料としてはN2,NH3,NF3,N2H4、メチルヒドラジンなどの気体、液体を気化あるいはキャリアガスでバブリングすることによって使用することができる。
また、本発明の光半導体では、p,n制御のために元素を膜中にドープすることができる。
n型用の元素としてはIa族のLi,Ib族のCu,Ag,Au,IIa族のMg,IIb族のZn,IVa族のSi,Ge,Sn,Pb,VIa族のS,Se,Teを用いることができる。
p型用の元素としてはIa族のLi,Na,K,Ib族のCu,Ag,Au,IIa族のBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra,IIb族のZn,Cd,Hg,IVa族のC,Si,Ge,Sn,Pb,VIa族のS,Se,Te、VIb族のCr,Mo,W,VIIIa族のFe,Co,Niなどを用いることができる。
【0029】
膜中の水素は、結晶の場合には、ドーパントに結合し不活性化することが知られており、非晶質ネットワークの中でドーピング元素がドーパントとして機能するためには、欠陥準位をパッシベーションするための水素がドーパントよりもIII族元素及びV族元素に選択的に結合する必要があり、結合エネルギーが〔3族元素〕−H、〔5族元素〕−H>ドーパント原子−Hであることが望ましい。
この点から、特にn型用の元素としては、特に、Si,Ge,Snが好ましく、p型用の元素としては、特に、Be,Mg,Ca,Zn,Srが好ましい。
【0030】
ドーピングの方法としてはn型用としてはSiH4,Si2H6,GeH4,GeF4,SnH4を、p型用としてはBeH2,BeCl2,BeCl4,シクロペンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロンチウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、などのガス状態で使用できる。また元素を膜中にドーピングするには、熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用することができる。
【0031】
本発明における非晶質光半導体を用いた光半導体素子とするためには基板上にundope膜、p型あるいはi型を設けただけでも良いし、あるいはp型とn型の膜を作製しpn接合を形成しても良いし、p型とn型の膜の間にi型の膜を設けても良い。また電極との間にp型とn型より高濃度のドーピングを行った膜p+あるいはn+層を電極とのコンタクトのために挿入しても良い。またpnあるいはpin構造単位とする多層構造を形成することもできる。さらに透明性や障壁の形成のためにこれらのp型、i型、n型の層が各々異なるAl,Ga,In,Nの組成を持っていてもよいし、p型、i型、n型それぞれの膜が複数の組成から成っていても良い。
【0032】
このような少なくともAl,Ga,Inの一つ以上の元素とチッ素を含む非晶質光半導体はバンドギャップを赤色から紫外までの全領域で可変であり、高光透過性と低暗伝導率と高光感度により単独の場合はもとより、吸収領域の異なる層を順次組み合したタンデム型にすれば可視から紫外域までのはば広い光の有効利用が可能となる。さらにこの光半導体素子は耐光性、耐熱性、耐酸化性にすぐれ高速応答が可能であるほか、従来の非晶質半導体に無い発光機能を全波長領域で合わせ持つことができるため、電子デバイスと発光デバイスを組み合せたハイブリッドデバイスにも使用できる。具体的には高効率太陽電池、高速TFT、電子写真感光体、高感度センサー、高感度アバランシェ光センサー、大面積LED、フルカラーディスプレー、光変調子、光インターコネクト用素子等が挙げられる。
【0033】
【実施例】
実施例1
洗浄したAl基板、石英基板、Siウェハーを基板ホルダー3に載せ、排気口2を介して容器1内を真空排気後、ヒーター4により基板を250℃に加熱した。N2ガスをガス導入管9より直径25mmの石英管5内に500sccm導入し、マイクロ波導波管8を介して2.45GHzのマイクロ波を出力200Wにセットしチューナでマッチングを取り放電を行った。この時の反射波は0Wであった。H2ガスはガス導入管10より直径30mmの石英管6内に200sccm導入した。マイクロ波の出力を200Wにセットした。反射波は0Wであった。この状態でガス導入管12より室温で保持されたトリメチルガリウム(TMGa)の蒸気を直接マスフローコントローラーを通して2sccm導入した。この時バラトロン真空計で測定した反応圧力は0.2Torrであった。
【0034】
1時間成膜を行い段差測定により膜厚を測ったところ3μmであった。膜組成をXPSとRBS(ラザフォード・バックスキャタリング)にて測定したところGa/N比1.1でほぼ化学量論化に等しいことが分かった。また、このとき炭素(C)は8原子%であり、酸素(O)は検出できなかった。光学Gapは3.5eVであった。水素はIRスペクトル測定の結果Ga−H,N−HとしてこのGaN膜中に含まれていた。真空中で加熱放出した水素から測定した水素量は20原子%であった。X線回折スペクトルは明確なピークが見られず非晶質であることを示した。この非晶質GaN膜の抵抗を測定したところ2.0×10+14 Ωcmであり、Xeランプ光を照射したところ、1.5×1010Ωcmとなり、明暗比4桁以上の光導電性を示すことが分かった。
【0035】
実施例2
H2ガスを高周波コイル7を介して13.56MHzの高周波で出力100Wで放電を行ったこと以外は実施例1と同じ条件で成膜を行った。
膜組成は、Ga/N比が0.99でほぼ化学量論比であり、炭素は3原子%であった。酸素が検出されなかった。水素量は30原子%であった。暗抵抗は、1×10+14Ωcmであり、明暗抵抗比は4桁以上であった。
また、膜組成の赤外線吸収スペクトルは図2に示す通りであった。図2において、2900cm-1はC−Hの伸縮振動であり、3200cm-1付近はN−Hの伸縮振動であり、2100cm-1はGa−Hの伸縮振動である。NH/GaHの吸収強度比は0.23であった。
【0036】
比較例
市販の電子ビーム蒸着装置を用いて純度5NのGaN粉末5gをるつぼにいれ,実施例1と同じ基板を15cm上部に設置した。蒸着機を10-4Paに注意深く排気した。基板は赤外線ランプヒータで200℃に加熱した。電子ビーム電流を徐々に上げて100mAで一定に保ちシャッターを開けて5分間基板への蒸着を行った。蒸着中に基板温度は50℃高くした。蒸着終了後直ちに冷却し、冷却後大気中に取り出して特性を評価した。この膜は非晶質であり、組成もほぼ化学量論比であった.この膜には水素は含まれていなかった。この非晶質GaN膜に実施例1と同じ光照射を行ったが導電率は変化しなかった。
【0037】
実施例3
実施例1と同じ装置、同じ基板を用いて、N2ガスをガス導入管9より500sccm導入し、2.45GHzのマイクロ波出力を200Wで放電を行った。この時、反射波は0Wであった。H2ガス200sccmをガス導入管10より導入し、13.56MHzの高周波で出力100Wで放電を行った。この時、反射波は0Wであった。ヒーター4により基板ホルダーの温度を250℃とした。この状態でガス導入管12よりトリメチルガリウム2sccm,50℃に加温保持されたトリメチルインジウムをN2ガスと共に1sccm混合し導入した。更にガス導入管11よりN2で1%に希釈したSiH4を導入し、n型のa−GaXInY NZ を成膜した。圧力は0.2Torrとした。10分成膜した後、ガス導入管12とガス導入管11のそれぞれの弁を閉じた。この時、このまま放電は継続したままにした。この状態で改めてトリメチルガリウム2sccm、トリメチルインジウムを1sccmの混合ガスをガス導入管12より導入し、ビスペンタジエニルマグネシウムをガス導入管11よりキャリアガスとしてN2を用いて10sccm導入し、p型のa−GaX InY NZ を5分成膜した。
【0038】
得られた膜厚は1μmであった。この膜の組成をRBSで測定した結果、Ga/In/Nが0.7/0.3/1であり、酸素は5原子%、炭素は7原子%であった。また、HFSで測定した水素量は18原子%であった。また、この膜の全体の光学Gapは2.9eVであった。Al基板上の膜に光透過できる100AのAu電極とSiウェハーの上下にAu電極を蒸着し、Xeランプにより照射したところ開放電圧で0.9Vの光起電力が得られた。
【0039】
実施例4
実施例2と同じ装置、同じ基板を用いて、N2ガスをガス導入管9より500sccm導入し、2.45GHzのマイクロ波出力を250Wで放電を行った。
この時、反射波は0Wであった。H2ガス100sccmをガス導入管10より導入し、13.56MHzの高周波で出力100Wで放電を行った。この時、反射波は0Wであった。ヒーター4により基板ホルダーの温度を100℃とした。この状態でガス導入管12よりトリメチルガリウム1sccmを導入した。膜組成はGa/N比1.05でほぼ化学量論化に等しいことが分かった。また、このとき炭素(C)と酸素(O)は0原子%であった。またHFS測定による水素は35原子%であった。しかしながら表面は酸化しており酸素濃度が20原子%を超えたまま水素濃度も低くなっていた。光学Gapは3.5eVであった。電子線回折スペクトル、やX線回折スペクトルは明確なピークが見られず非晶質であることを示した。さらに得られた膜組成の赤外線吸収スペクトルは、図3に示す通りであった。図3において、NHとGaHの吸収強度比は0.4であり、CHの吸収はほとんどなかった。この非晶質GaN膜のXeランプ光を照射し明暗抵抗比を測定したところ、3桁以上の光導電性を示すことが分かった。
【0040】
実施例5
実施例4と基板の温度を200℃とした以外は同じ条件で膜を作製した。膜組成はGa/N比0.95でほぼ化学量論化に等しいことが分かった。また、このとき炭素(C)は検出されなかったが酸素(O)は10原子%であった。この酸素の原因は不明であった。またRBS測定による水素は27原子%であった。表面の酸化は認められなかった。電子線回折スペクトル、やX線回折スペクトルは明確なピークが見られず非晶質であることを示した。さらに得られた膜組成の赤外線吸収スペクトルは、図4に示す通りであった。図4において、NHとGaHの吸収強度比は0.25であり、CHの吸収はなかった。この非晶質GaN膜のXeランプ光を照射し明暗抵抗比を測定したところ、4桁以上の光導電性を示すことが分かった。
【0041】
実施例6
実施例4と基板の温度を300℃とした以外は同じ条件で膜を作製した。
膜組成はGa/N比0.98でほぼ化学量論化に等しいことが分かった。また、このとき炭素(C)と酸素(O)は検出されなかった。またRBS測定による水素は18原子%であった。表面の酸化は認められなかった。電子線回折スペクトルでは、ぼんやりとしたパターンの中に輝点がみられ、ほぼ50Å未満の微結晶を有する非晶質であることがわかった。さらに得られた膜組成の赤外線吸収スペクトルは、図5に示す通りであった。図5において、NHとGaHの吸収強度比は0.46であり、CHの吸収はなかった。また、570cm-1付近のGaNのピーク吸収強度が増加すると共に線幅が狭くなり、微結晶状態が含まれることがわかった。この非晶質GaN膜のXeランプ光を照射し明暗抵抗比を測定したところ、4桁以上の光導電性を示すことが分かった。暗抵抗は実施例5より低くなった。
【0043】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、高光透過性と低暗伝導率と高光感度により可視から紫外光までのはば広い光の有効利用が可能となり、また、耐光性、耐熱性、耐酸化性に優れ、高速応答性であり、これらの性質を利用して各種の光半導体素子に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明における非晶質光半導体を製造するための装置の好ましい実施の形態を示す概略的構成図である。
【図2】実施例2で得られた膜組成の赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。
【図3】実施例4で得られた膜組成の赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。
【図4】実施例5で得られた膜組成の赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。
【図5】実施例6で得られた膜組成の赤外線吸収スペクトルを示すグラフである。
【符号の説明】
1 真空容器
2 排気口
3 基板ホルダー
4 ヒーター
5,6 石英管
7 高周波コイル
8 マイクロ導波管
9〜12 ガス導入管
Claims (7)
- 水素及びチッ素を含む化合物を1つ以上の活性化手段により必要なエネルギー状態や励起種に活性化するとともに、該活性化されたチッ素または活性化された水素を独立に制御し、
活性化していないGaを含む有機金属化合物を前記活性化手段の下流側に導入することで、前記活性化されたチッ素または活性化された水素と前記活性化していないGaを含む有機金属化合物とを反応させ、該活性化していないGaを活性化し、
基板上に制御された状態で存在する前記活性化されたGaと前記活性化されたチッ素及び活性化された水素とを反応させ、基板上に成膜することを特徴とする非晶質光半導体の製造方法。 - 前記Gaを含む有機金属化合物を前記活性種と反応させて必要なエネルギー状態や励起種に活性化することにより、水素を含み、前記Gaの原子数の総和とチッ素原子の原子数との比が1:0.5〜1:2である非晶質光半導体を得ることを特徴とする請求項1に記載の非晶質光半導体の製造方法。
- 前記活性化手段が放電エネルギーであることを特徴とする請求項1乃至請求項2に記載の非晶質光半導体の製造方法。
- 前記活性化手段として、高周波放電及び/又はマイクロ波放電を利用することを特徴とする請求項3に記載の非晶質光半導体の製造方法。
- 前記高周波放電及び/又はマイクロ波放電に水素、窒素、アンモニア、不活性ガスを用いることを特徴とする請求項1乃至請求項4に記載の非晶質光半導体の製造方法。
- Be,Mg,Ca,Zn,Srから選ばれた少なくとも一つ以上の元素を含む気体状の原料を活性化手段の下流側から導入することを特徴とする請求項1乃至請求項5に記載の非晶質光半導体の製造方法。
- C,Si,Ge,Snから選ばれた少なくとも一つ以上の元素を含む気体状の原料を活性化手段の下流側から導入することを特徴とする請求項1乃至請求項6に記載の非晶質光半導体の製造方法。
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