JP3782149B2 - 不斉合成用の金属錯体、触媒及びこれを用いた不斉化合物の製造方法 - Google Patents

不斉合成用の金属錯体、触媒及びこれを用いた不斉化合物の製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬、農薬、香料、液晶等の分野で使用される不斉化合物の製造に使用し得る金属錯体に関連し、より詳細には、不斉マイケル付加反応、不斉ホスホニル化反応等の触媒として使用した場合に、高効率で光学純度の高い光学活性反応生成物を得ることができる金属錯体及び該金属錯体の溶液を用いた不斉化合物の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
本発明の発明者等は、先に希土類金属元素を用いた金属錯体を触媒とする不斉合成反応の研究を行い、その成果として、塩化ランタンと光学活性ジリチウム・ビナフトキシドをテトラヒドロフラン中で混合し、水と水酸化ナトリウムを加える方法、又はナトリウム-tert-ブトキシドを含むLa3(O−tC499のテトラヒドロフラン溶液に、光学活性ビナフトール、水、塩化リチウムを順次加える方法により調製した金属錯体が、不斉ニトロアルドール反応において触媒として有効に作用して、光学純度の高いニトロアルドール体を得ることを見いだした(J. Am. Chem. Soc., vol.114, 4418 (1992))。
【0003】
また、本発明の発明者等は、La(O−iC373に光学活性ビナフトール1モル当量を加えて調製した錯体が、不斉マイケル反応を触媒して光学純度の高いマイケル付加体を得ることを明らかにした(有機合成化学協会誌,51巻,972(1993)、J. Am. Chem. Soc., Vol.116, 1571(1994))。
【0004】
更に、イミンのヒドロホスホニル化反応に於いて、La−K−Binol(LPB)金属錯体が触媒として有効に作用して、高い光学純度のヒドロホスホニル化化合物を得ることを見いだした(J. Org. Chem., Vol.60, 6656(1995))。
【0005】
また、アルデヒドヒドロホスホニル化反応に於いて、La−Li−Binol(LnLB)金属錯体が触媒として作用し、不斉ヒドロホスホニル化化合物が得られることが見いだされた(Tetrahedron:Assymetry, Vol.4, 1783(1993), Tetrahedron Lett., Vol.35, 227(1994))。
【0006】
しかしながら、上記の金属錯体に含まれる希土類金属元素であるランタンは入手し難く貴重であるため、これを用いない金属錯体触媒の開発が望まれているが、そのような金属錯体触媒は未だ知られていない。
【0007】
一方、有用な不斉化合物反応生成物として、不斉マイケル反応生成物、不斉ヒドロホスホニル化化合物が知られている。特に、α−ヒドロキシ燐酸化化合物は、高い生物活性を持ち、例えば、レニン、EPSPシンターゼ、HIVプロテアーゼなどの合成酵素の阻害剤として、有効に作用することが期待されており、これらの不斉燐酸化化合物の光学選択的合成法の開発が望まれている。しかしながら、上記のLn−Li−Binol(LnLB)金属錯体をこれに適用しても、得られる燐酸化化合物の光学純度、収率とも満足すべき結果とは言えず、また極低温での反応を余儀なくされるなど、上記化合物の工業的製法としては未だ、未解決の課題が多い。
【0008】
【発明の実施の形態】
本発明は、不斉マイケル反応及び不斉ホスホニル化反応の触媒として使用し得て、しかも希土類金属元素を含有せず、光学純度の高い光学活性体を高効率で得ることができる金属錯体及び該金属錯体の溶液を提供する。また、本発明は、このような金属錯体を用いた不斉マイケル反応及び不斉ホスホニル化反応による不斉化合物の製造方法を提供する。
【0009】
本発明者等は、上記の研究成果に基づき、更に光学活性ビナフトールおよびその誘導体を用いる不斉合成触媒につき研究を進め、その化学的構造の詳細は明らかではないが、希土類金属化合物を使用することなくアルミニウム化合物を用いて調製した金属錯体が、不斉マイケル反応及び不斉ホスホニル化反応において極めて効率よく触媒として作用し、高収率にて光学純度の高いマイケル付加体及び不斉ホスホニル化合物を生成することを見いだした。
【0010】
即ち、本発明の金属錯体は、光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化アルカリ金属アルミニウム又は水素化アルカリ金属アルミニウム化合物とを反応させて得られることを特徴とする。
【0011】
また、本発明の金属錯体は、光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を含む塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基とを反応させて得られることを特徴とする。
【0012】
本発明の金属錯体の調製に使用し得る光学活性ビナフトール又はその誘導体として、下記の一般式で示す化合物を使用することができる。
【0013】
【化12】
Figure 0003782149
【0014】
ここで、上式中、R1,R2,R3及びR4は、それぞれ独立に、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される基であり、R1〜R4は互いに同じであっても異なっていてもよい。
【0015】
本発明の金属錯体の調製に使用し得る水素化アルカリ金属アルミニウムとしては、水素化リチウムアルミニウムが代表的である。また、本発明の金属錯体の調製に使用し得る水素化アルカリ金属アルミニウム化合物としては、ナトリウム−水素化ビス(メトキシエトキシ)・アルミニウム、水素化ジイソブチル−アルミニウム等の入手容易な化合物を用いることができる。金属錯体の調製に於ける光学活性ビナフトール又はその誘導体と水素化アルカリ金属アルミニウムとの好ましいモル比は1〜4:1の範囲であり、1.5〜2.5:1のモル比が好ましく、2:1のモル比が更に好ましい。
【0016】
本発明の金属錯体の調製に使用し得る水素化ジアルキルアルミニウムとしては、水素化ジエチル−アルミニウム、水素化ジイソプロピル−アルミニウム、水素化ジイソブチル−アルミニウム、ブチルリチウム等が挙げられ、中でも水素化ジイソブチル−アルミニウムが好ましく用いられる。また、アルカリ金属を含む塩基としては、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチラート、ナトリウムイソプロポキシド、ナトリウム-tert-ブトキシド、リチウムハイドライド、カリウムハイドライド、ナトリウム−ボロ−ハイドライド、リチウム-tert-ブトキシド等があげられ、中でもナトリウム-tert-ブトキシドが好ましく用いられる。アルカリ土類金属を含む塩基としては、バリウム-tert-ブトキシド等を用いることができる。光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を含む塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基との好ましい当量比は、1〜4:0.5〜2:1の範囲であり、1.5〜2.5:0.5〜1.5:1の当量比で使用するのが好ましく、2:1:1の当量比で使用するのが更に好ましい。
【0017】
また、上記の金属錯体の調製には種々の有機溶媒を使用することができ、特にエーテル化合物が好ましく、中でもテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、メチル-tert-ブチルエーテル、ジオキサン及びこれらの混合物が特に好ましいが、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の溶媒も用いることが出来る。金属錯体の調製反応後の有機溶媒の溶液は、これから金属錯体を単離することなく、そのまま不斉化合物の合成反応に使用することができる。
【0018】
本発明の金属錯体又はその溶液は不斉マイケル反応に好適に使用することができ、特にシクロペンテノン又はシクロヘキセノンと、マロン酸のジエステル又はアルキルマロン酸のジエステルとの反応に有用である。
【0019】
更に、本発明の金属錯体又はその溶液を用いた不斉マイケル反応において、脂肪族又は芳香族のアルデヒドを加えることにより、下記一般式で示される光学活性化合物を得ることができる。
【0020】
【化13】
Figure 0003782149
【0021】
ここで、上式に於いて、R1は脂肪族化合物又は芳香族化合物の残基、R2は水素又はアルキル基、R3はアルキル基又はアラルキル基である。
【0022】
本発明の金属錯体又はその溶液は、不斉ホスホニル化反応に好適に使用することができる。この不斉ホスホニル化反応を行う反応溶媒は特に限定されるものではないが、ベンゼン、トルエン又はキシレンが好ましい。
【0023】
本発明の不斉ヒドロホスホニル化合物の製造方法は、下記一般式化14に示すアルデヒドと、下記一般式化15で示す燐酸ジエステル化合物とを反応させることにより、下記一般式化16に示す不斉ヒドロホスホニル化合物を得るのに好適に使用することができる。
【0024】
【化14】
Figure 0003782149
【0025】
【化15】
Figure 0003782149
【0026】
【化16】
Figure 0003782149
【0027】
ここで、化14〜16に於いて、R1は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、又はジアルキルアミノ基であり、R2は炭素数1〜8のアルキル基、アリールアルキル基又はシリルアルキル基である。また、*は不斉炭素原子を表している。
【0028】
また、本発明の不斉ヒドロホスホニル化合物の製造方法は、下記一般式化17に示すアルデヒドと、下記一般式化18で示す燐酸ジエステル化合物とを反応させることにより、下記一般式化19に示す不斉ヒドロホスホニル化合物を得るのに好適に使用することができる。
【0029】
【化17】
Figure 0003782149
【0030】
【化18】
Figure 0003782149
【0031】
【化19】
Figure 0003782149
【0032】
ここで、化17〜19に於いて、R3,R4及びR5は互いに独立に、水素原子、フェニル基、低級アルキル置換フェニル基、低級アルコキシ置換フェニル基、又は炭素数1〜8のアルキル基若しくはアルコキシ基であり、R3及びR4、又はR4及びR5によって環が形成されていてもよい。また、R6は炭素数1〜8のアルキル基、アリールアルキル基又はシリルアルキル基であり、*は不斉炭素原子を表している。
【0033】
更に、本発明の不斉ヒドロホスホニル化合物の製造方法は、下記一般式化20に示すアルデヒドと、下記一般式化21で示す燐酸ジエステル化合物とを反応させることにより、下記一般式化22に示す不斉ヒドロホスホニル化合物を得るのに好適に使用することができる。
【0034】
【化20】
Figure 0003782149
【0035】
【化21】
Figure 0003782149
【0036】
【化22】
Figure 0003782149
【0037】
ここで、化20〜22に於いて、R1は直鎖若しくは分枝の炭素数1〜8のアルキル基、又は炭素数3〜10の環状アルキル基である。また、R2は炭素数1〜8のアルキル基、アリールアルキル基又はシリルアルキル基であり、*は不斉炭素原子を表している。
【0038】
本発明に於いては、不斉ヒドロキシホスホニル化反応は、温度−70℃〜45℃の範囲で行うことができるが、光学純度の点では−20℃〜−60℃が好ましく、更に−30℃〜−45℃が好ましく、最も好ましい反応温度は−40℃である。
【0039】
本発明の不斉ヒドロキシホスホニル化反応においては、種々の有機溶媒を用いることができるが、中でも特にキシレン、トルエン、ベンゼンなどの芳香族炭化水素及びこれらの混合物が特に好ましい。しかし、ヘキサン,ヘプタン等の脂肪族炭化水素、テトラヒドロフラン,ジエチルエーテル,メチルーtertーブチルエーテル,ジオキサン等のエーテル化合物等も用いることができる。
【0040】
【実施例】
以下に実施例をもって、本発明の金属錯体の調製方法、これらを触媒とした不斉マイケル反応及び不斉ホスホニル化反応による不斉化合物の製造方法について説明するが、本発明はこれらの開示によって限定されるものではない。
【0041】
(実施例1:Al-Li-(R)-ビナフトール錯体の調製)
水酸化リチウムアルミニウム(114mg, 3.0mmol)を無水テトラヒドロフラン(15 ml)にアルゴン雰囲気下で溶解し、この溶液に対し、(R)-ビナフトールの無水テトラヒドロフラン溶液(1.72g, 6.0mmol / THF 15ml)を0℃にて滴下し、室温で12時間撹拌した。上澄みをAl-Li-(R)-ビナフトール錯体のテトラヒドロフラン溶液(0.1M)として使用する。
【0042】
(実施例2:Al-Na-(R)-ビナフトール錯体の調製)
(R)-ビナフトールの無水テトラヒドロフラン溶液(0.1M, 2.0ml)に対し、0℃において水素化ジイソブチルアルミニウムのテトラヒドロフラン溶液(1.0M, 0.1ml)を滴下し、15分間撹拌した。その後、ナトリウム−第3級ブトキサイドのテトラヒドロフラン溶液(0.8M, 0.12ml)を加え、更に室温で30分間撹拌して、Al-Na-(R)-ビナフトール錯体のテトラヒドロフラン溶液を得る。
【0043】
(実施例3:Al-Ba-(R)-ビナフトール錯体の調製)
(R)-ビナフトールの無水テトラヒドロフラン溶液(0.1M, 2.0ml)に対し、0℃において、水素化ジイソブチルアルミニウムのテトラヒドロフラン溶液(1.0M,0.1ml)を滴下し、15分間撹拌した、その後、あらかじめバリウム−第3級ブトキサイド(Ba(O-tC4H9)2)に対し、2当量のマロン酸ジベンジルを作用させて調製した、ジベンジルマロネートBaのテトラヒドロフラン溶液(1.0M, 0.1ml)を加え、更に室温で30分間撹拌して、Al-Ba-(R)-ビナフトール錯体のテトラヒドロフラン溶液を得る。
【0044】
(実施例4:Al-Li-(R)-6,6'-ジブロモビナフトールの調製)
(R)-6,6'-ジブロモビナフトール((株)環境科学センターより入手)を実施例1の(R)-ビナフトールに代えて用い、実施例1と同様にして、Al-Li-(R)-6,6'-ジブロモビナフトールを得た。なお、参考例として、(R)-6,6'-ジブロモビナフトールの合成方法を以下に示す。
【0045】
(参考例)((R)-6,6'-ジブロモビナフトールの合成)
20mlの塩化メチレンに(R)−ビナフトール(750mg、2.6mmol)を溶解し、−78℃まで冷却した。この溶液に、臭素(0.32ml、6.3mmol)を滴下し、−78℃で30分間撹拌した後、室温にて2時間撹拌した。反応終了後、チオ硫酸ナトリウムで処理し、6,6'-ジブロモビナフトールを得た(下記構造式化23)。
【0046】
【化23】
Figure 0003782149
【0047】
(実施例5:Al-Li-(R)-6,6'-ジシアノビナフトールの調製)
(6,6'-ジシアノビナフトールの調製)
(1)実施例4の参考例と同様の操作で反応させ、チオ硫酸ナトリウムで処理したあとの、精製工程を省いて得た、粗6,6'-ジブロモビナフトールを次の工程にそのまま用いた。
【0048】
(2)粗6,6'-ジブロモビナフトールをジメチルホルムアミド(5ml、以下、DMFと略記する)に溶解した。この溶液を、ナトリウムハイドライド(800mg)をDMF(30ml)に懸濁させた溶液に、氷冷下で加え30分撹拌した後、メトキシメチルクロライド(以下、MOMClと略記する)(1.2ml)を加えて室温で3時間撹拌した。反応溶液を水に投入し、酢酸エチルで抽出し、溶媒を留去して、粗Br−MOM保護体を得た(下記構造式化24)。
【0049】
【化24】
Figure 0003782149
【0050】
(3)前工程(2)で得た、粗Br−MOM保護体をベンゼンに溶解し、共沸脱水を3回行う。その後テトラヒドロフラン(以下、THFと略記する)30mlに溶解し、アルゴン雰囲気下で−78℃に冷却した後、n−ブチルリチウム(4.3ml、Br−MOM保護体に対して1.05当量)を加え、1時間撹拌した。その後、乾燥DMFを500μl加え、室温で5時間撹拌した。反応物を水に投入し、酢酸エチルで抽出し、溶媒を留去して、粗OHC−MOM保護体を得た(下記構造式化25)。
【0051】
【化25】
Figure 0003782149
【0052】
この化合物についての分析結果を表1に示す
【0053】
【表1】
Figure 0003782149
【0054】
(4)前工程(3)で得た、粗OHC−MOM保護体をメチルアルコール(80ml)に溶解し、炭酸水素ナトリウム(10g)、塩酸ヒドロキシルアミン(4.1g)を加え、室温にて1時間撹拌した。大部分のメチルアルコールを留去した後、水に投入し、酢酸エチルで抽出し、濃縮して、粗ジオキシム-MOM保護体を得た(下記構造式化26)。本品を精製せずに次の工程に供した。
【0055】
【化26】
Figure 0003782149
【0056】
この化合物についての分析結果を表2に示す。
【0057】
【表2】
Figure 0003782149
【0058】
(5)前工程(4)で得た化合物を塩化メチレン80mlに懸濁させ、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン(DBU)(3.2ml)を加え、完全に溶解させた。この溶液に、室温でp−トルエンスルホニルクロライド(2.0g)を加え、室温にて30分間撹拌した後、水に投入し、酢酸エチルで抽出し、炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、濃縮して、カラムクロマトグラフィー(フラッシュクロマトグラフィー法、SiO2)で精製して、ジシアノ−MOM保護体(1.1g(湿重量))を得た(下記構造式化27)。
【0059】
【化27】
Figure 0003782149
【0060】
この化合物についての分析結果を表3に示す。
【0061】
【表3】
Figure 0003782149
【0062】
(6)前工程(5)で得た、ジシアノ−MOM保護体を、THF(20ml)と濃塩酸(15ml)の混合溶媒に溶解し、室温で2時間撹拌した。反応終了を薄層クロマトグラフィーで確認後、反応液を水に投入し、酢酸エチルで抽出し、濃縮した。濃縮残査を酢酸エチル/ヘキサンの混合溶媒(酢酸エチル:ヘキサン=2:3〜1:2)から室温で再結晶させ、(R)-6,6'-ジシアノビナフトール(500mg)を得た。
【0063】
使用した原料ビナフトールに対する収率は51%であった。上記、再結晶母液から、再び再結晶を行い、更に160mg(収率16%)を得、合計660mgの(R)-6,6'-ジシアノビナフトール(下記構造式化28)を得た。(R)-ビナフトールからの合計収率は67%であった。
【0064】
【化28】
Figure 0003782149
【0065】
この化合物についての分析結果を表4に示す
【0066】
【表4】
Figure 0003782149
【0067】
(7)Al-Li-(R)-6,6'-ジシアノビナフトールの調製。
【0068】
上記の工程(1)〜(6)で得た(R)-6,6'-ジシアノビナフトールを、実施例1の(R)-ビナフトールに代えて用い、実施例1と同様の操作で、Al-Li-(R)-6,6'-ジシアノビナフトールを得た。
【0069】
(実施例6:不斉マイケル反応)
Al-Li-(R)-ビナフトール錯体のテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 1.0ml)に、シクロヘキセノン(96mg, 1.0mmol)、ジベンジル−マロネート(250mg, 1.0mmol)を加え、室温で48時間撹拌し、下記の化29に示す不斉マイケル反応を行った。反応液に対して1N-HCl水溶液(3ml)を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(15ml×3回)で抽出を行い、Na2SO4で乾燥させた。溶媒を溜去し、SiO2を用いたフラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/10)によって精製することにより、目的とするマイケル反応生成物を収率91%で得た。
【0070】
【化29】
Figure 0003782149
【0071】
本実施例の反応生成物の分析結果を表5に示す。
【0072】
【表5】
Figure 0003782149
【0073】
(実施例7:不斉マイケル反応)
実施例6と同様の反応条件及び操作により、シクロヘキセノンとマロン酸ジエチルとを用いて不斉マイケル反応を行い、化30の反応生成物を収率87%で得た。
【0074】
【化30】
Figure 0003782149
【0075】
この反応生成物について実施例6と同様の分析を行い、表6に示す結果を得た。
【0076】
【表6】
Figure 0003782149
【0077】
(実施例8:不斉マイケル反応)
実施例6と同様の反応条件及び操作により、シクロヘキセノンとマロン酸ジメチルとを用いて不斉マイケル反応を行い、化31の反応生成物を収率90%で得た。
【0078】
【化31】
Figure 0003782149
【0079】
この反応生成物について実施例6と同様の分析を行い、表7に示す結果を得た。
【0080】
【表7】
Figure 0003782149
【0081】
(実施例9:不斉マイケル反応)
実施例6と同様の反応条件及び操作により、シクロペンテノンとマロン酸ジベンジルとを用いて不斉マイケル反応を行い、化32の反応生成物を収率93%で得た。
【0082】
【化32】
Figure 0003782149
【0083】
この反応生成物について実施例6と同様の分析を行い、表8に示す結果を得た。
【0084】
【表8】
Figure 0003782149
【0085】
(実施例10:不斉マイケル反応)
実施例6と同様の反応条件及び操作により、シクロペンテノンとメチルマロン酸ジエチルを用いて不斉マイケル反応を行い、化9の反応生成物を収率84%で得た。
【0086】
【化33】
Figure 0003782149
【0087】
この反応生成物について実施例2と同様の分析を行い、表9に示す結果を得た。
【0088】
【表9】
Figure 0003782149
【0089】
(実施例11:不斉マイケル反応)
実施例2にて得た溶液に、シクロヘキセノン(96mg, 1.0mmol)、マロン酸ジベンジル(250mg, 1.0mmol)を加え、室温で48時間撹拌した。反応液に対し、1N−HCl水溶液(3ml)を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(15ml×3回)にて抽出を行い、Na2SO4で乾燥させた。反応液から溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/10、SiO2)により精製して、目的とするマイケル反応生成物を収率44%にて得た。HPLC分析による光学純度は97%e.e.(HPLC分析条件は実施例6に同じ)であった。
【0090】
(実施例12:不斉マイケル反応)
実施例3で得た溶液に、シクロヘキセノン(96mg, 1.0mmol)、マロン酸ジベンジル(250mg, 1.0mmol)を加え、室温で6時間撹拌した。この反応液に1N−HCl水溶液(3ml)を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(15ml×3回)にて抽出を行い、Na2SO4で乾燥させた。反応液から溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/10、SiO2)により精製して、目的とするマイケル反応生成物を収率100%にて得た。HPLC分析による光学純度は87%e.e.(HPLC分析条件は実施例6に同じ)であった。
【0091】
(実施例13:三成分連結型反応)
実施例1において得たAl-Li-(R)-ビナフトール錯体の溶液(0.1M,1.0ml)に対し、シクロペンテノン(84mg, 1.0mmol)、メチルマロン酸ジエチル(138mg, 1.0mmol)及びハイドロシンナムアルデヒド(158mg, 1.2mmol)を加え、室温で36時間撹拌して、下記に示す反応を行った。
【0092】
【化34】
Figure 0003782149
【0093】
次に、この反応液に対し、1N−HCl水溶液(3ml)を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(15ml×3回)にて抽出を行い、Na2SO4で乾燥させた。溶媒を溜去の後、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/10、SiO2)により精製して目的の三成分連結型反応の生成物を収率64%で得た。この反応生成物について実施例6と同様の分析を行い、表10に示す結果を得た。
【0094】
【表10】
Figure 0003782149
【0095】
(実施例14:三成分連結型反応)
実施例1において得たAl-Li-(R)-ビナフトール錯体の溶液(0.1M, 1.0ml)に対し、シクロペンテノン(84mg, 1.0mmol)、メチルマロン酸ジエチル(138mg, 1.0mmol)及びベンズアルデヒド(122mg, 1.2mmol)を加え、室温で72時間撹拌し、下記に示す反応を行った。
【0096】
【化35】
Figure 0003782149
【0097】
以下、実施例13と同様の処理を行い、目的物を収率82%にて得た。この反応生成物について実施例6と同様の分析を行うため、化36に示すようにクロロクロム酸ピリジニウム(以下、PCCと略記する)で酸化してジケトン体を得た。このジケトン体の分析結果を表11に示した。この表に示すジケトン体のHPLC分析によれば光学純度は89%e.e.であった。従って、本実施例の三成分連結型の反応生成物の光学純度も89%e.e.であると考えられる。
【0098】
【化36】
Figure 0003782149
【0099】
【表11】
Figure 0003782149
【0100】
(実施例15:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1で得た、Al-Li-(R)-ビナフトール錯体(以下、ALBと略記する)のテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.36ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol) を加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、ベンズアルデヒド(0.48mmol)を加えた。90時間反応後、1N塩酸を加え反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシフェニルメチルホスホネートを収率95%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化37に示す。
【0101】
【化37】
Figure 0003782149
【0102】
この反応生成物についての分析結果を表12に示す。
【0103】
【表12】
Figure 0003782149
【0104】
(実施例16:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し15分間この温度を維持し、次にベンズアルデヒド(0.40mmol)を加えた。51時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ−フェニルメチルホスホネートを収率90%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化38に示す。
【0105】
【化38】
Figure 0003782149
【0106】
この反応生成物についての分析結果を表13に示す。
【0107】
【表13】
Figure 0003782149
【0108】
(実施例17〜20:不斉ヒドロホスホニル化反応)
更に、化38と同様の反応を反応溶媒を変えて行い、表14に示す分析結果を得た。
【0109】
【表14】
Figure 0003782149
【0110】
(実施例21:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、p-クロロベンズアルデヒド(0.40mmol)を加えた。38時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー (アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ(p−クロロフェニル)メチルホスホネートを収率90%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化39に示す。
【0111】
【化39】
Figure 0003782149
【0112】
この反応生成物についての分析結果を表2に示す。
【0113】
【表15】
Figure 0003782149
【0114】
(実施例22:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、p-メチルベンズアルデヒド(0.40mmol)を加えた。92時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー (アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ(p−メチルフェニル)メチルホスホネートを収率82%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化40に示す。
【0115】
【化40】
Figure 0003782149
【0116】
この反応生成物についての分析結果を表16に示す。
【0117】
【表16】
Figure 0003782149
【0118】
(実施例23:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、p-メトキシベンズアルデヒド(0.40mmol) を加えた。115時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ(p−メトキシフェニル)メチルホスホネートを収率88%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化41に示す。
【0119】
【化41】
Figure 0003782149
【0120】
この反応生成物についての分析結果を表17に示す。
【0121】
【表17】
Figure 0003782149
【0122】
(実施例24:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1で得た、ALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)に、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−78℃に冷却し、15分間この温度を保った後、p-ニトロベンズアルデヒド(0.40mmol)を加えた。室温まで反応温度を上昇させ、12時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ-(p−ニトロフェニル)メチルホスホネートを収率81%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化42に示す。
【0123】
【化42】
Figure 0003782149
【0124】
この反応生成物についての分析結果を表18に示す。
【0125】
【表18】
Figure 0003782149
【0126】
(実施例25:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1で得た、ALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1 M, 0.40ml)に、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、p−ジメチルアミノベンズアルデヒド(0.40mmol)を加えた。48時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ-(p−ジメチルアミノフェニル)メチルホスホネートを収率71%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化43に示す。
【0127】
【化43】
Figure 0003782149
【0128】
この反応生成物についての分析結果を表19に示す。
【0129】
【表19】
Figure 0003782149
【0130】
(実施例26:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1で得た、ALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1 M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを 0.4ml 添加する。この溶液に対し、室温でジエチルホスファイト(0.40mmol)を加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、ベンズアルデヒド(0.40mmol)を加えた。90時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジエチル-(S)-ヒドロキシ-フェニルメチルホスホネートを収率39%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化44に示す。
【0131】
【化44】
Figure 0003782149
【0132】
この反応生成物についての分析結果を表20に示す。
【0133】
【表20】
Figure 0003782149
【0134】
(実施例27:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例26で用いたジエチルホスファイトに代えて、ジブチルホスファイトを用いた他は、実施例26と同様の操作を行い、目的とするジブチル-(S)-ヒドロキシ-フェニルメチルホスホネートを収率42%にて得た。
【0135】
この反応生成物についての分析結果を表21に示す。
【0136】
【表21】
Figure 0003782149
【0137】
(実施例28:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例26で用いた、ジエチルホスファイトに代えて、ジベンジルホスファイトを用い、室温で6.5時間反応させた他は、実施例26と同様の操作を行い、目的とするジベンジル-(S)-ヒドロキシ-フェニルメチルホスホネートを収率60%にて得た。この反応生成物についての分析結果を表22に示す。
【0138】
【表22】
Figure 0003782149
【0139】
(実施例29:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M,0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、シンナムアルデヒド(0.40mmol)を加えた。81時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(E)-(S)-1-ヒドロキシ-3-フェニル-2-プロペニルホスホネートを収率85%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化45に示す。
【0140】
【化45】
Figure 0003782149
【0141】
この反応生成物についての分析結果を表23に示す。
【0142】
【表23】
Figure 0003782149
【0143】
(実施例30:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、(E)-β-メチルシンナムアルデヒド(0.40mmol)を加えた。81時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(E)-(S)-1-ヒドロキシ-3-メチル-3-フェニル-2-プロペニルホスホネートを収率93%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化46に示す。
【0144】
【化46】
Figure 0003782149
【0145】
この反応生成物についての分析結果を表24に示す。
【0146】
【表24】
Figure 0003782149
【0147】
(実施例31:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40 mmol)を加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、3-メチル-2-ブテナール(0.40 mmol) を加えた。81時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-1-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブテニルホスホネートを収率72%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化47に示す。
【0148】
【化47】
Figure 0003782149
【0149】
この反応生成物についての分析結果を表25に示す。
【0150】
【表25】
Figure 0003782149
【0151】
(実施例32:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M,0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、2-ヘキシニルアルデヒド(0.40mmol)を加えた。39時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(E)-(S)-1-ヒドロキシ-2-ヘキセニルホスホネートを収率53%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化48に示す。
【0152】
【化48】
Figure 0003782149
【0153】
この反応生成物についての分析結果を表26に示す。
【0154】
【表26】
Figure 0003782149
【0155】
(実施例33:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、(E)-α-メチルシンナムアルデヒド(0.40mmol) を加えた。61時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml ×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(E)-(S)-1-ヒドロキシ-2-メチル-3-フェニル-2-プロペニルホスホネートを収率47%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化49に示す。
【0156】
【化49】
Figure 0003782149
【0157】
この反応生成物についての分析結果を表27に示す。
【0158】
【表27】
Figure 0003782149
【0159】
(実施例34:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例33に用いた(E)-α-メチルシンナムアルデヒド(0.40mmol)に代えて2−メチルプロペナールを用い、35時間反応する他は、実施例33と同様の操作で目的とするジメチル-(E)-(S)-1-ヒドロキシ-2-メチル-2-プロペニルホスホネートを収率65%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化50に示す。
【0160】
【化50】
Figure 0003782149
【0161】
この反応生成物についての分析結果を表28に示す。
【0162】
【表28】
Figure 0003782149
【0163】
(実施例35:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例33に用いた(E)-α-メチルシンナムアルデヒド(0.40mmol)に代えて、シクロヘキシリデン−△1α−アセトアルデヒドを用い、47時間反応する他は、実施例33と同様の操作で目的とするジメチル-(S)-シクロヘキシリデン−△1α−1−ヒドロキシエチルホスホネートを収率65%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化51に示す。
【0164】
【化51】
Figure 0003782149
【0165】
この反応生成物についての分析結果を表29に示す。
【0166】
【表29】
Figure 0003782149
【0167】
(実施例36:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1M,0.40ml )を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol )を加えて30分撹拌する。次に反応容器を-40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、2-メチルプロピオンアルデヒド(0.40mmol)を加えた。38時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル−(S)−1−ヒドロキシ−2−メチルプロピルホスホネートを収率95%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化52に示す。
【0168】
【化52】
Figure 0003782149
【0169】
この反応生成物についての分析結果を表30に示す。
【0170】
【表30】
Figure 0003782149
【0171】
(実施例37:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例36に用いた2-メチルプロピオンアルデヒドに代えてヘキサナールを用い、20時間反応する他は、実施例36と同様の操作で目的とするジメチル-(S)-1-ヒドロキシヘキシルホスホネートを収率90%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化53に示す。
【0172】
【化53】
Figure 0003782149
【0173】
この反応生成物についての分析結果を表31に示す。
【0174】
【表31】
Figure 0003782149
【0175】
(実施例38:不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例36に用いた2-メチルプロピオンアルデヒドに代えてシクロヘキサナールを用い、43時間反応する他は、実施例36と同様の操作で目的とするジメチル-(S)-1-ヒドロキシヘキシルホスホネートを収率91%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化54に示す。
【0176】
【化54】
Figure 0003782149
【0177】
この反応生成物についての分析結果を表32に示す。
【0178】
【表32】
Figure 0003782149
【0179】
(実施例39:Al-Li-(R)-6,6'-ジブロモビナフトール(以下、ALB−Brと略記する)を用いた不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例4で得た、ALB−Brのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、ジメチルホスファイト(37μl, 0.40 mmol) を室温で加えて30分撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、ベンズアルデヒド(0.40mmol)を加えた。59時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ−フェニルメチルホスホネートを収率91%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化55に示す。
【0180】
【化55】
Figure 0003782149
【0181】
この反応生成物についての分析結果を表33に示す。
【0182】
【表33】
Figure 0003782149
【0183】
(実施例40:ALB−Brを用いた不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例39で用いた、ベンズアルデヒドに代えて、p-メトキシベンズアルデヒドを用いた他は、実施例39と同様の操作を行い、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ(p−メトキシフェニル)メチルホスホネートを収率72%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化56に示す。
【0184】
【化56】
Figure 0003782149
【0185】
この反応生成物についての分析結果を表34に示す。
【0186】
【表34】
Figure 0003782149
【0187】
(実施例41:Al-Li-(R)-6,6'-ジシアノビナフトール(以下、ALB−CNと略記する)を用いた不斉ヒドロホスホニル化反応-1)
実施例5で得た、ALB−CNのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、ジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った後、p-メトキシベンズアルデヒド(0.40mmol)を加えた。59時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(R)-ヒドロキシ(p−メトキシフェニル)メチルホスホネートを収率25%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化57に示す。
【0188】
【化57】
Figure 0003782149
【0189】
この反応生成物についての分析結果を表35に示す。
【0190】
【表35】
Figure 0003782149
【0191】
(実施例42:ALB−CNを用いた不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例41で用いた、p-メトキシベンズアルデヒドに代えて、2−メチルプロピオンアルデヒドを用いた他は、実施例41と同様の操作を行い、目的とするジメチル-(S)-1-ヒドロキシ-2-メチルプロピルホスホネートを収率66%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化58に示す。
【0192】
【化58】
Figure 0003782149
【0193】
この反応生成物についての分析結果を表36に示す。
【0194】
【表36】
Figure 0003782149
【0195】
(実施例43:ALB−CNを用いた不斉ヒドロホスホニル化反応)
実施例41で用いた、p-メトキシベンズアルデヒドに代えて、3-メチル-2-ブテナールを用いた他は、実施例41と同様の操作を行い、目的とするジメチル-(R)-1-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブテニルホスホネートを収率34%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化59に示す。
【0196】
【化59】
Figure 0003782149
【0197】
この反応生成物についての分析結果を表37に示す。
【0198】
【表37】
Figure 0003782149
【0199】
(参考例:不飽和結合の還元)
実施例31で得たジメチル(S)-1-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブテニルホスホネート(68% e.e., 54mg)をメタノール10mlに溶解し、10%Pd/C(16mg)を加える。室温、水素雰囲気下で3時間撹拌後、反応液をセライトを用いてろ過し、酢酸エチルで洗った。有機層を減圧下で溶媒留去し、残査をフラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/4、SiO2)によって精製することにより、目的とするジメチル-(S)-1-ヒドロキシ-3-メチルブチルホスホネートを収率98%で得た。この化合物は、医薬品などの原料として有用であることが知られている。本実施例に於ける化学反応式を化60に示す。
【0200】
【化60】
Figure 0003782149
【0201】
この反応生成物についての分析結果を表38に示す。
【0202】
【表38】
Figure 0003782149
【0203】
【発明の効果】
本発明の不斉化合物の製造方法によれば、不斉マイケル反応、不斉ホスホニル化反応に於いて、希土類金属元素を含有していない金属錯体を触媒として使用しているにもかかわらず、光学純度の高い光学活性体を高収率で得ることができる。

Claims (22)

  1. 光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化アルカリ金属アルミニウム又は水素化アルカリ金属アルミニウム化合物とを反応させて得られる金属錯体を触媒として用いて不斉マイケル反応を行う、不斉マイケル付加化合物の製造方法。
  2. 前記光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化アルカリ金属アルミニウムとの当量比が1〜4:1である、請求項1に記載の製造方法
  3. 前記光学活性ビナフトール誘導体が、化1:
    Figure 0003782149
    式中、R 1 ,R 2 ,R 3 及びR 4 は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される基である。)で表される化合物の光学活性体である請求項1又は2に記載の製造方法。
  4. 光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化アルカリ金属アルミニウム又は水素化アルカリ金属アルミニウム化合物とを反応させて得られる金属錯体を触媒として用いて、不斉ヒドロホスホニル化反応を行う、不斉ヒドロホスホニル化化合物の製造方法。
  5. 前記光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化アルカリ金属アルミニウムとの当量比が1〜4:1である、請求項4に記載の製造方法
  6. 前記光学活性ビナフトール誘導体が、前記化1で表される化合物の光学活性体である請求項4又は5に記載の製造方法。
  7. 光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を含む塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基とを反応させて得られる金属錯体を触媒として用いて不斉マイケル反応を行う、不斉マイケル付加化合物の製造方法。
  8. 前記光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化ジアルキルアルミニウムと、前記アルカリ金属を含む塩基又は前記アルカリ土類金属を含む塩基との当量比が、1〜4:0.5〜2:1である、請求項7に記載の製造方法。
  9. 前記光学活性ビナフトール誘導体が、前記化1に示される化合物の光学活性体である請求項7又は8に記載の製造方法。
  10. 光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を含む塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基とを反応させて得られる金属錯体を触媒として用いて不斉ヒドロホスホニル化反応を行う、不斉ヒドロホスホニル化化合物の製造方法。
  11. 前記光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化ジアルキルアルミニウムと、前記アルカリ金属を含む塩基又は前記アルカリ土類金属を含む塩基との当量比が、1〜4:0.5〜2:1である、請求項10に記載の製造方法
  12. 前記光学活性ビナフトール誘導体が、前記化1に示される化合物の光学活性体である請求項10又は11に記載の製造方法
  13. 下記化2:
    Figure 0003782149
    式中、R 1 ,R 2 ,R 3 及びR 4 は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される基である。)で表される光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化アルカリ金属アルミニウム又は水素化アルカリ金属アルミニウム化合物とを反応させて得られる金属錯体からなる、不斉マイケル反応用触媒。
  14. 前記光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化アルカリ金属アルミニウムとの当量比が1〜4:1である、請求項13に記載の不斉マイケル反応用触媒。
  15. 前記化2で表される光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化アルカリ金属アルミニウム又は水素化アルカリ金属アルミニウム化合物とを反応させて得られる金属錯体からなる、不斉ヒドロホスホニル化反応用触媒。
  16. 前記光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化アルカリ金属アルミニウムとの当量比が1〜4:1である、請求項15に記載の不斉ヒドロホスホニル化反応用触媒。
  17. 前記化2で表される光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を含む塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基とを反応させて得られる金属錯体からなる、不斉マイケル反応用触媒。
  18. 前記化2で表される光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化ジアルキルアルミニウムと、前記アルカリ金属を含む塩基又は前記アルカリ土類金属を含む塩基との当量比が、1〜4:0.5〜2:1である、請求項17に記載の不斉マイケル反応用触媒。
  19. 前記化2で表される光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を含む塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基とを反応させて得られる金属錯体からなる、不斉ヒドロホスホニル化反応用触媒。
  20. 前記化2で表される光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化ジアルキルアルミニウムと、前記アルカリ金属を含む塩基又は前記アルカリ土類金属を含む塩基との当量比が、1〜4:0.5〜2:1である、請求項19に記載の不斉ヒドロホスホニル化反応用触媒。
  21. 下記化3:
    Figure 0003782149
    式中、R 1 ,R 2 ,R 3 及びR 4 は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される基である。)で表される光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化アルカリ金属アルミニウム又は水素化アルカリ金属アルミニウム化合物とを反応させて得られる金属錯体であって、前記光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化アルカリ金属アルミニウムとの当量比が1.5〜4:1である金属錯体。
  22. 前記化3で表される光学活性ビナフトール又はその誘導体と、水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を含む塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基とを反応させて得られる金属錯体であって、前記光学活性ビナフトール又はその誘導体と、前記水素化ジアルキルアルミニウムと、前記アルカリ金属を含む塩基又は前記アルカリ土類金属を含む塩基との当量比が、1.5〜4:0.5〜2:1である、請求項22に記載の金属錯体。
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