JPH08319258A - 金属錯体を用いた不斉化合物の製造方法 - Google Patents
金属錯体を用いた不斉化合物の製造方法Info
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Abstract
光学活性体を得ることができる金属錯体を用いた不斉化
合物の製造方法を提供する。 【解決手段】 光学活性ビナフトールと水素化リチウム
アルミニウムを反応させるか、あるいは水素化ジアルキ
ルアルミニウムとアルカリ金属を含む塩基(あるいはア
ルカリ土類金属を含む塩基)を反応させて、光学活性ビ
ナフトール、アルミニウム、アルカリ金属(あるいはア
ルカリ土類金属)より成る金属錯体を調製する。この金
属錯体を触媒として用いて不斉マイケル反応、不斉ホス
ホニル化反応等を行えば、光学純度の高い不斉化合物を
高収率で得ることができる。 【化1】
Description
料、液晶等の分野で使用される不斉化合物の製造に使用
し得る金属錯体に関連し、より詳細には、不斉マイケル
付加反応、不斉ホスホニル化反応等の触媒として使用し
た場合に、高効率で光学純度の高い光学活性反応生成物
を得ることができる金属錯体及び該金属錯体の溶液を用
いた不斉化合物の製造方法に関する。
素を用いた金属錯体を触媒とする不斉合成反応の研究を
行い、その成果として、塩化ランタンと光学活性ジリチ
ウム・ビナフトキシドをテトラヒドロフラン中で混合
し、水と水酸化ナトリウムを加える方法、又はナトリウ
ム-tert-ブトキシドを含むLa3(O−tC4H9)9のテ
トラヒドロフラン溶液に、光学活性ビナフトール、水、
塩化リチウムを順次加える方法により調製した金属錯体
が、不斉ニトロアルドール反応において触媒として有効
に作用して、光学純度の高いニトロアルドール体を得る
ことを見いだした(J. Am. Chem. Soc., vol.114, 4418
(1992))。
C3H7)3に光学活性ビナフトール1モル当量を加えて
調製した錯体が、不斉マイケル反応を触媒して光学純度
の高いマイケル付加体を得ることを明らかにした(有機
合成化学協会誌,51巻,972(1993)、J. Am. Chem. So
c., Vol.116, 1571(1994))。
於いて、La−K−Binol(LPB)金属錯体が触
媒として有効に作用して、高い光学純度のヒドロホスホ
ニル化化合物を得ることを見いだした(J. Org. Chem.,
Vol.60, 6656(1995))。
に於いて、La−Li−Binol(LnLB)金属錯
体が触媒として作用し、不斉ヒドロホスホニル化化合物
が得られることが見いだされた(Tetrahedron:Assymetr
y, Vol.4, 1783(1993), Tetrahedron Lett., Vol.35, 2
27(1994))。
希土類金属元素であるランタンは入手し難く貴重である
ため、これを用いない金属錯体触媒の開発が望まれてい
るが、そのような金属錯体触媒は未だ知られていない。
て、不斉マイケル反応生成物、不斉ヒドロホスホニル化
化合物が知られている。特に、α−ヒドロキシ燐酸化化
合物は、高い生物活性を持ち、例えば、レニン、EPS
Pシンターゼ、HIVプロテアーゼなどの合成酵素の阻
害剤として、有効に作用することが期待されており、こ
れらの不斉燐酸化化合物の光学選択的合成法の開発が望
まれている。しかしながら、上記のLn−Li−Bin
ol(LnLB)金属錯体をこれに適用しても、得られ
る燐酸化化合物の光学純度、収率とも満足すべき結果と
は言えず、また極低温での反応を余儀なくされるなど、
上記化合物の工業的製法としては未だ、未解決の課題が
多い。
不斉ホスホニル化反応の触媒として使用し得て、しかも
希土類金属元素を含有せず、光学純度の高い光学活性体
を高効率で得ることができる金属錯体及び該金属錯体の
溶液を提供する。また、本発明は、このような金属錯体
を用いた不斉マイケル反応及び不斉ホスホニル化反応に
よる不斉化合物の製造方法を提供する。
更に光学活性ビナフトールおよびその誘導体を用いる不
斉合成触媒につき研究を進め、その化学的構造の詳細は
明らかではないが、希土類金属化合物を使用することな
くアルミニウム化合物を用いて調製した金属錯体が、不
斉マイケル反応及び不斉ホスホニル化反応において極め
て効率よく触媒として作用し、高収率にて光学純度の高
いマイケル付加体及び不斉ホスホニル化合物を生成する
ことを見いだした。
フトール又はその誘導体と、水素化アルカリ金属アルミ
ニウム又は水素化アルカリ金属アルミニウム化合物とを
反応させて得られることを特徴とする。
フトール又はその誘導体と、水素化ジアルキルアルミニ
ウムと、アルカリ金属を含む塩基又はアルカリ土類金属
を含む塩基とを反応させて得られることを特徴とする。
活性ビナフトール又はその誘導体として、下記の一般式
で示す化合物を使用することができる。
4は、それぞれ独立に、水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン、シアノ基及びニトロ基から
なる群から選択される基であり、R1〜R4は互いに同じ
であっても異なっていてもよい。
化アルカリ金属アルミニウムとしては、水素化リチウム
アルミニウムが代表的である。また、本発明の金属錯体
の調製に使用し得る水素化アルカリ金属アルミニウム化
合物としては、ナトリウム−水素化ビス(メトキシエト
キシ)・アルミニウム、水素化ジイソブチル−アルミニ
ウム等の入手容易な化合物を用いることができる。金属
錯体の調製に於ける光学活性ビナフトール又はその誘導
体と水素化アルカリ金属アルミニウムとの好ましいモル
比は1〜4:1の範囲であり、1.5〜2.5:1のモ
ル比が好ましく、2:1のモル比が更に好ましい。
化ジアルキルアルミニウムとしては、水素化ジエチル−
アルミニウム、水素化ジイソプロピル−アルミニウム、
水素化ジイソブチル−アルミニウム、ブチルリチウム等
が挙げられ、中でも水素化ジイソブチル−アルミニウム
が好ましく用いられる。また、アルカリ金属を含む塩基
としては、ナトリウムメチラート、ナトリウムエチラー
ト、ナトリウムイソプロポキシド、ナトリウム-tert-ブ
トキシド、リチウムハイドライド、カリウムハイドライ
ド、ナトリウム−ボロ−ハイドライド、リチウム-tert-
ブトキシド等があげられ、中でもナトリウム-tert-ブト
キシドが好ましく用いられる。アルカリ土類金属を含む
塩基としては、バリウム-tert-ブトキシド等を用いるこ
とができる。光学活性ビナフトール又はその誘導体と、
水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を含む
塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基との好ましい当量
比は、1〜4:0.5〜2:1の範囲であり、1.5〜
2.5:0.5〜1.5:1の当量比で使用するのが好
ましく、2:1:1の当量比で使用するのが更に好まし
い。
機溶媒を使用することができ、特にエーテル化合物が好
ましく、中でもテトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、メチル-tert-ブチルエーテル、ジオキサン及びこれ
らの混合物が特に好ましいが、トルエン、ヘキサン、ヘ
プタン等の溶媒も用いることが出来る。金属錯体の調製
反応後の有機溶媒の溶液は、これから金属錯体を単離す
ることなく、そのまま不斉化合物の合成反応に使用する
ことができる。
ケル反応に好適に使用することができ、特にシクロペン
テノン又はシクロヘキセノンと、マロン酸のジエステル
又はアルキルマロン酸のジエステルとの反応に有用であ
る。
いた不斉マイケル反応において、脂肪族又は芳香族のア
ルデヒドを加えることにより、下記一般式で示される光
学活性化合物を得ることができる。
物又は芳香族化合物の残基、R2は水素又はアルキル
基、R3はアルキル基又はアラルキル基である。
スホニル化反応に好適に使用することができる。この不
斉ホスホニル化反応を行う反応溶媒は特に限定されるも
のではないが、ベンゼン、トルエン又はキシレンが好ま
しい。
造方法は、下記一般式化14に示すアルデヒドと、下記
一般式化15で示す燐酸ジエステル化合物とを反応させ
ることにより、下記一般式化16に示す不斉ヒドロホス
ホニル化合物を得るのに好適に使用することができる。
素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4のアルキル基、炭
素数1〜4のアルコキシ基、ニトロ基、アミノ基、アル
キルアミノ基、又はジアルキルアミノ基であり、R2は
炭素数1〜8のアルキル基、アリールアルキル基又はシ
リルアルキル基である。また、*は不斉炭素原子を表し
ている。
物の製造方法は、下記一般式化17に示すアルデヒド
と、下記一般式化18で示す燐酸ジエステル化合物とを
反応させることにより、下記一般式化19に示す不斉ヒ
ドロホスホニル化合物を得るのに好適に使用することが
できる。
及びR5は互いに独立に、水素原子、フェニル基、低級
アルキル置換フェニル基、低級アルコキシ置換フェニル
基、又は炭素数1〜8のアルキル基若しくはアルコキシ
基であり、R3及びR4、又はR4及びR5によって環が形
成されていてもよい。また、R6は炭素数1〜8のアル
キル基、アリールアルキル基又はシリルアルキル基であ
り、*は不斉炭素原子を表している。
物の製造方法は、下記一般式化20に示すアルデヒド
と、下記一般式化21で示す燐酸ジエステル化合物とを
反応させることにより、下記一般式化22に示す不斉ヒ
ドロホスホニル化合物を得るのに好適に使用することが
できる。
鎖若しくは分枝の炭素数1〜8のアルキル基、又は炭素
数3〜10の環状アルキル基である。また、R2は炭素
数1〜8のアルキル基、アリールアルキル基又はシリル
アルキル基であり、*は不斉炭素原子を表している。
ニル化反応は、温度−70℃〜45℃の範囲で行うこと
ができるが、光学純度の点では−20℃〜−60℃が好
ましく、更に−30℃〜−45℃が好ましく、最も好ま
しい反応温度は−40℃である。
においては、種々の有機溶媒を用いることができるが、
中でも特にキシレン、トルエン、ベンゼンなどの芳香族
炭化水素及びこれらの混合物が特に好ましい。しかし、
ヘキサン,ヘプタン等の脂肪族炭化水素、テトラヒドロ
フラン,ジエチルエーテル,メチルーtertーブチルエー
テル,ジオキサン等のエーテル化合物等も用いることが
できる。
調製方法、これらを触媒とした不斉マイケル反応及び不
斉ホスホニル化反応による不斉化合物の製造方法につい
て説明するが、本発明はこれらの開示によって限定され
るものではない。
の調製)水酸化リチウムアルミニウム(114mg, 3.0mmo
l)を無水テトラヒドロフラン(15 ml)にアルゴン雰囲
気下で溶解し、この溶液に対し、(R)-ビナフトールの無
水テトラヒドロフラン溶液(1.72g, 6.0mmol / THF 15m
l)を0℃にて滴下し、室温で12時間撹拌した。上澄
みをAl-Li-(R)-ビナフトール錯体のテトラヒドロフラン
溶液(0.1M)として使用する。
の調製)(R)-ビナフトールの無水テトラヒドロフラン溶
液(0.1M, 2.0ml)に対し、0℃において水素化ジイソ
ブチルアルミニウムのテトラヒドロフラン溶液(1.0M,
0.1ml)を滴下し、15分間撹拌した。その後、ナトリ
ウム−第3級ブトキサイドのテトラヒドロフラン溶液
(0.8M, 0.12ml)を加え、更に室温で30分間撹拌し
て、Al-Na-(R)-ビナフトール錯体のテトラヒドロフラン
溶液を得る。
の調製)(R)-ビナフトールの無水テトラヒドロフラン溶
液(0.1M, 2.0ml)に対し、0℃において、水素化ジイ
ソブチルアルミニウムのテトラヒドロフラン溶液(1.0
M,0.1ml)を滴下し、15分間撹拌した、その後、あらか
じめバリウム−第3級ブトキサイド(Ba(O-tC4H9)2)に
対し、2当量のマロン酸ジベンジルを作用させて調製し
た、ジベンジルマロネートBaのテトラヒドロフラン溶液
(1.0M, 0.1ml)を加え、更に室温で30分間撹拌し
て、Al-Ba-(R)-ビナフトール錯体のテトラヒドロフラン
溶液を得る。
ナフトールの調製)(R)-6,6'-ジブロモビナフトール
((株)環境科学センターより入手)を実施例1の(R)-ビ
ナフトールに代えて用い、実施例1と同様にして、Al-L
i-(R)-6,6'-ジブロモビナフトールを得た。なお、参考
例として、(R)-6,6'-ジブロモビナフトールの合成方法
を以下に示す。
ールの合成) 20mlの塩化メチレンに(R)−ビナフトール(750mg、2.
6mmol)を溶解し、−78℃まで冷却した。この溶液
に、臭素(0.32ml、6.3mmol)を滴下し、−78℃で3
0分間撹拌した後、室温にて2時間撹拌した。反応終了
後、チオ硫酸ナトリウムで処理し、6,6'-ジブロモビナ
フトールを得た(下記構造式化23)。
ナフトールの調製) (6,6'-シ゛シアノヒ゛ナフトールの調製) (1)実施例4の参考例と同様の操作で反応させ、チオ硫
酸ナトリウムで処理したあとの、精製工程を省いて得た、粗
6,6'-ジブロモビナフトールを次の工程にそのまま用い
た。
メチルホルムアミド(5ml、以下、DMFと略記する)
に溶解した。この溶液を、ナトリウムハイドライド(80
0mg)をDMF(30ml)に懸濁させた溶液に、氷冷下で
加え30分撹拌した後、メトキシメチルクロライド(以
下、MOMClと略記する)(1.2ml)を加えて室温で
3時間撹拌した。反応溶液を水に投入し、酢酸エチルで
抽出し、溶媒を留去して、粗Br−MOM保護体を得た
(下記構造式化24)。
M保護体をベンゼンに溶解し、共沸脱水を3回行う。そ
の後テトラヒドロフラン(以下、THFと略記する)30
mlに溶解し、アルゴン雰囲気下で−78℃に冷却した
後、n−ブチルリチウム(4.3ml、Br−MOM保護体
に対して1.05当量)を加え、1時間撹拌した。その後、
乾燥DMFを500μl加え、室温で5時間撹拌した。反
応物を水に投入し、酢酸エチルで抽出し、溶媒を留去し
て、粗OHC−MOM保護体を得た(下記構造式化2
5)。
す
OM保護体をメチルアルコール(80ml)に溶解し、炭酸
水素ナトリウム(10g)、塩酸ヒドロキシルアミン(4.1
g)を加え、室温にて1時間撹拌した。大部分のメチル
アルコールを留去した後、水に投入し、酢酸エチルで抽
出し、濃縮して、粗ジオキシム-MOM保護体を得た
(下記構造式化26)。本品を精製せずに次の工程に供
した。
す。
チレン80mlに懸濁させ、1,8−ジアザビシクロ[5.
4.0]ウンデカ−7−エン(DBU)(3.2ml)を加
え、完全に溶解させた。この溶液に、室温でp−トルエ
ンスルホニルクロライド(2.0g)を加え、室温にて30
分間撹拌した後、水に投入し、酢酸エチルで抽出し、炭
酸ナトリウム水溶液で洗浄し、濃縮して、カラムクロマ
トグラフィー(フラッシュクロマトグラフィー法、Si
O2)で精製して、ジシアノ−MOM保護体(1.1g(湿
重量))を得た(下記構造式化27)。
す。
OM保護体を、THF(20ml)と濃塩酸(15ml)の混合
溶媒に溶解し、室温で2時間撹拌した。反応終了を薄層
クロマトグラフィーで確認後、反応液を水に投入し、酢
酸エチルで抽出し、濃縮した。濃縮残査を酢酸エチル/
ヘキサンの混合溶媒(酢酸エチル:ヘキサン=2:3〜
1:2)から室温で再結晶させ、(R)-6,6'-ジシアノビ
ナフトール(500mg)を得た。
51%であった。上記、再結晶母液から、再び再結晶を
行い、更に160mg(収率16%)を得、合計660
mgの(R)-6,6'-ジシアノビナフトール(下記構造式化
28)を得た。(R)-ビナフトールからの合計収率は67
%であった。
す
ールの調製。
-ジシアノビナフトールを、実施例1の(R)-ビナフトー
ルに代えて用い、実施例1と同様の操作で、Al-Li-(R)-
6,6'-ジシアノビナフトールを得た。
(R)-ビナフトール錯体のテトラヒドロフラン溶液(0.1
M, 1.0ml)に、シクロヘキセノン(96mg, 1.0mmol)、
ジベンジル−マロネート(250mg, 1.0mmol)を加え、室
温で48時間撹拌し、下記の化29に示す不斉マイケル
反応を行った。反応液に対して1N-HCl水溶液(3ml)を
加えて反応を停止させ、酢酸エチル(15ml×3回)で抽
出を行い、Na2SO4で乾燥させた。溶媒を溜去し、S
iO2を用いたフラッシュカラムクロマトグラフィー
(アセトン/ヘキサン=1/10)によって精製することに
より、目的とするマイケル反応生成物を収率91%で得
た。
示す。
と同様の反応条件及び操作により、シクロヘキセノンと
マロン酸ジエチルとを用いて不斉マイケル反応を行い、
化30の反応生成物を収率87%で得た。
分析を行い、表6に示す結果を得た。
と同様の反応条件及び操作により、シクロヘキセノンと
マロン酸ジメチルとを用いて不斉マイケル反応を行い、
化31の反応生成物を収率90%で得た。
分析を行い、表7に示す結果を得た。
と同様の反応条件及び操作により、シクロペンテノンと
マロン酸ジベンジルとを用いて不斉マイケル反応を行
い、化32の反応生成物を収率93%で得た。
分析を行い、表8に示す結果を得た。
6と同様の反応条件及び操作により、シクロペンテノン
とメチルマロン酸ジエチルを用いて不斉マイケル反応を
行い、化9の反応生成物を収率84%で得た。
分析を行い、表9に示す結果を得た。
2にて得た溶液に、シクロヘキセノン(96mg, 1.0mmo
l)、マロン酸ジベンジル(250mg, 1.0mmol)を加え、
室温で48時間撹拌した。反応液に対し、1N−HCl
水溶液(3ml)を加えて反応を停止させ、酢酸エチル
(15ml×3回)にて抽出を行い、Na2SO4で乾燥させ
た。反応液から溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマ
トグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/10、SiO
2)により精製して、目的とするマイケル反応生成物を
収率44%にて得た。HPLC分析による光学純度は9
7%e.e.(HPLC分析条件は実施例6に同じ)であっ
た。
3で得た溶液に、シクロヘキセノン(96mg, 1.0mmo
l)、マロン酸ジベンジル(250mg, 1.0mmol)を加え、
室温で6時間撹拌した。この反応液に1N−HCl水溶
液(3ml)を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(15ml
×3回)にて抽出を行い、Na2SO4で乾燥させた。反
応液から溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラ
フィー(アセトン/ヘキサン=1/10、SiO2)に
より精製して、目的とするマイケル反応生成物を収率1
00%にて得た。HPLC分析による光学純度は87%
e.e.(HPLC分析条件は実施例6に同じ)であった。
1において得たAl-Li-(R)-ビナフトール錯体の溶液(0.
1M,1.0ml)に対し、シクロペンテノン(84mg, 1.0mmo
l)、メチルマロン酸ジエチル(138mg, 1.0mmol)及び
ハイドロシンナムアルデヒド(158mg, 1.2mmol)を加
え、室温で36時間撹拌して、下記に示す反応を行っ
た。
溶液(3ml)を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(15m
l×3回)にて抽出を行い、Na2SO4で乾燥させた。
溶媒を溜去の後、フラッシュカラムクロマトグラフィー
(アセトン/ヘキサン=1/10、SiO2)により精
製して目的の三成分連結型反応の生成物を収率64%で
得た。この反応生成物について実施例6と同様の分析を
行い、表10に示す結果を得た。
1において得たAl-Li-(R)-ビナフトール錯体の溶液(0.
1M, 1.0ml)に対し、シクロペンテノン(84mg, 1.0mmo
l)、メチルマロン酸ジエチル(138mg,1.0mmol)及びベ
ンズアルデヒド(122mg, 1.2mmol)を加え、室温で72
時間撹拌し、下記に示す反応を行った。
的物を収率82%にて得た。この反応生成物について実
施例6と同様の分析を行うため、化36に示すようにク
ロロクロム酸ピリジニウム(以下、PCCと略記する)
で酸化してジケトン体を得た。このジケトン体の分析結
果を表11に示した。この表に示すジケトン体のHPL
C分析によれば光学純度は89%e.e.であった。従っ
て、本実施例の三成分連結型の反応生成物の光学純度も
89%e.e.であると考えられる。
応)実施例1で得た、Al-Li-(R)-ビナフトール錯体(以
下、ALBと略記する)のテトラヒドロフラン溶液(0.
1M, 0.36ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲
気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室
温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol) を加え
て30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却
し、15分間この温度を保った後、ベンズアルデヒド
(0.48mmol)を加えた。90時間反応後、1N塩酸を加
え反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出
し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜
去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン
/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製すること
により、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシフェニル
メチルホスホネートを収率95%にて得た。本実施例に
於ける化学反応式を化37に示す。
2に示す。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲
気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室
温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温
で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に
冷却し15分間この温度を維持し、次にベンズアルデヒ
ド(0.40mmol)を加えた。51時間反応後、1N塩酸を
加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽
出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を
溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセト
ン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製するこ
とにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ−フェ
ニルメチルホスホネートを収率90%にて得た。本実施
例に於ける化学反応式を化38に示す。
3に示す。
ル化反応)更に、化38と同様の反応を反応溶媒を変え
て行い、表14に示す分析結果を得た。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲
気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室
温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温
で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に
冷却し、15分間この温度を保った後、p-クロロベンズ
アルデヒド(0.40mmol)を加えた。38時間反応後、1
N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3
回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥し
た。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィ
ー (アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によっ
て精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒド
ロキシ(p−クロロフェニル)メチルホスホネートを収
率90%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化3
9に示す。
に示す。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲
気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室
温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温
で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に
冷却し、15分間この温度を保った後、p-メチルベンズ
アルデヒド(0.40mmol)を加えた。92時間反応後、1
N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3
回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥し
た。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィ
ー (アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によっ
て精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒド
ロキシ(p−メチルフェニル)メチルホスホネートを収
率82%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化4
0に示す。
6に示す。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲
気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室
温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温
で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に
冷却し、15分間この温度を保った後、p-メトキシベン
ズアルデヒド(0.40mmol) を加えた。115時間反応
後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10
ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾
燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラ
フィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によ
って精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒ
ドロキシ(p−メトキシフェニル)メチルホスホネート
を収率88%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を
化41に示す。
7に示す。
応)実施例1で得た、ALBのテトラヒドロフラン溶液
(0.1M, 0.40ml)に、室温でジメチルホスファイト(37
μl, 0.40mmol)を加えて30分間撹拌する。次に反応
容器を−78℃に冷却し、15分間この温度を保った
後、p-ニトロベンズアルデヒド(0.40mmol)を加え
た。室温まで反応温度を上昇させ、12時間反応後、1
N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3
回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥し
た。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィ
ー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって
精製することにより、目的とするジメチル-(S)-ヒドロ
キシ-(p−ニトロフェニル)メチルホスホネートを収
率81%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化4
2に示す。
8に示す。
応)実施例1で得た、ALBのテトラヒドロフラン溶液
(0.1 M, 0.40ml)に、室温でジメチルホスファイト(3
7μl, 0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次
に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保
った後、p−ジメチルアミノベンズアルデヒド(0.40mm
ol)を加えた。48時間反応後、1N塩酸を加えて反応
を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩
水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フ
ラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサ
ン=1/5、SiO2)によって精製することにより、
目的とするジメチル-(S)-ヒドロキシ-(p−ジメチルア
ミノフェニル)メチルホスホネートを収率71%にて得
た。本実施例に於ける化学反応式を化43に示す。
9に示す。
応)実施例1で得た、ALBのテトラヒドロフラン溶液
(0.1 M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴ
ン雰囲気下でトルエンを 0.4ml 添加する。この溶液に
対し、室温でジエチルホスファイト(0.40mmol)を加え
て30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却
し、15分間この温度を保った後、ベンズアルデヒド
(0.40mmol)を加えた。90時間反応後、1N塩酸を加
えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出
し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜
去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセトン
/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製すること
により、目的とするジエチル-(S)-ヒドロキシ-フェニル
メチルホスホネートを収率39%にて得た。本実施例に
於ける化学反応式を化44に示す。
0に示す。
応)実施例26で用いたジエチルホスファイトに代え
て、ジブチルホスファイトを用いた他は、実施例26と
同様の操作を行い、目的とするジブチル-(S)-ヒドロキ
シ-フェニルメチルホスホネートを収率42%にて得
た。
1に示す。
応)実施例26で用いた、ジエチルホスファイトに代え
て、ジベンジルホスファイトを用い、室温で6.5時間
反応させた他は、実施例26と同様の操作を行い、目的
とするジベンジル-(S)-ヒドロキシ-フェニルメチルホス
ホネートを収率60%にて得た。この反応生成物につい
ての分析結果を表22に示す。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M,0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気
下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温
でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温で
加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷
却し、15分間この温度を保った後、シンナムアルデヒ
ド(0.40mmol)を加えた。81時間反応後、1N塩酸を
加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽
出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を
溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセト
ン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製するこ
とにより、目的とするジメチル-(E)-(S)-1-ヒドロキシ
-3-フェニル-2-プロペニルホスホネートを収率85%
にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化45に示
す。
3に示す。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲
気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室
温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温
で加えて30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に
冷却し、15分間この温度を保った後、(E)-β-メチル
シンナムアルデヒド(0.40mmol)を加えた。81時間反
応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル
(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4
で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマト
グラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)
によって精製することにより、目的とするジメチル-(E)
-(S)-1-ヒドロキシ-3-メチル-3-フェニル-2-プロペ
ニルホスホネートを収率93%にて得た。本実施例に於
ける化学反応式を化46に示す。
4に示す。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲
気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室
温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40 mmol)を加え
て30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却
し、15分間この温度を保った後、3-メチル-2-ブテ
ナール(0.40 mmol) を加えた。81時間反応後、1N
塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3
回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥し
た。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィ
ー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって
精製することにより、目的とするジメチル-(S)-1-ヒド
ロキシ-3-メチル-2-ブテニルホスホネートを収率72
%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化47に示
す。
5に示す。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M,0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気
下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室温
でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を加えて
30分間撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷却し、
15分間この温度を保った後、2-ヘキシニルアルデヒ
ド(0.40mmol)を加えた。39時間反応後、1N塩酸を
加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽
出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を
溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィー(アセト
ン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって精製するこ
とにより、目的とするジメチル-(E)-(S)-1-ヒドロキシ
-2-ヘキセニルホスホネートを収率53%にて得た。本
実施例に於ける化学反応式を化48に示す。
6に示す。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M, 0.40ml)を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲
気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室
温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol)を室温
で加えて30分撹拌する。次に反応容器を−40℃に冷
却し、15分間この温度を保った後、(E)-α-メチルシ
ンナムアルデヒド(0.40mmol) を加えた。61時間反
応後、1N塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル
(10ml ×3回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO
4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマ
トグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/5、Si
O2)によって精製することにより、目的とするジメチ
ル-(E)-(S)-1-ヒドロキシ-2-メチル-3-フェニル-2-
プロペニルホスホネートを収率47%にて得た。本実施
例に於ける化学反応式を化49に示す。
7に示す。
応)実施例33に用いた(E)-α-メチルシンナムアルデ
ヒド(0.40mmol)に代えて2−メチルプロペナールを用
い、35時間反応する他は、実施例33と同様の操作で
目的とするジメチル-(E)-(S)-1-ヒドロキシ-2-メチル
-2-プロペニルホスホネートを収率65%にて得た。本
実施例に於ける化学反応式を化50に示す。
8に示す。
応)実施例33に用いた(E)-α-メチルシンナムアルデ
ヒド(0.40mmol)に代えて、シクロヘキシリデン−△1
α−アセトアルデヒドを用い、47時間反応する他は、
実施例33と同様の操作で目的とするジメチル-(S)-シ
クロヘキシリデン−△1α−1−ヒドロキシエチルホス
ホネートを収率65%にて得た。本実施例に於ける化学
反応式を化51に示す。
9に示す。
応)実施例1のALBのテトラヒドロフラン溶液(0.1
M,0.40ml )を室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲
気下でトルエンを0.4ml添加する。この溶液に対し、室
温でジメチルホスファイト(37μl, 0.40mmol )を加え
て30分撹拌する。次に反応容器を-40℃に冷却し、
15分間この温度を保った後、2-メチルプロピオンア
ルデヒド(0.40mmol)を加えた。38時間反応後、1N
塩酸を加えて反応を停止させ、酢酸エチル(10ml×3
回)で抽出し、食塩水で洗浄後、Na2SO4で乾燥し
た。溶媒を溜去し、フラッシュカラムクロマトグラフィ
ー(アセトン/ヘキサン=1/5、SiO2)によって
精製することにより、目的とするジメチル−(S)−1−
ヒドロキシ−2−メチルプロピルホスホネートを収率9
5%にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化52に
示す。
0に示す。
応)実施例36に用いた2-メチルプロピオンアルデヒ
ドに代えてヘキサナールを用い、20時間反応する他
は、実施例36と同様の操作で目的とするジメチル-(S)
-1-ヒドロキシヘキシルホスホネートを収率90%にて
得た。本実施例に於ける化学反応式を化53に示す。
1に示す。
応)実施例36に用いた2-メチルプロピオンアルデヒ
ドに代えてシクロヘキサナールを用い、43時間反応す
る他は、実施例36と同様の操作で目的とするジメチル
-(S)-1-ヒドロキシヘキシルホスホネートを収率91%
にて得た。本実施例に於ける化学反応式を化54に示
す。
2に示す。
ビナフトール(以下、ALB−Brと略記する)を用い
た不斉ヒドロホスホニル化反応)実施例4で得た、AL
B−Brのテトラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を
室温で1時間減圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエン
を0.4ml添加する。この溶液に対し、ジメチルホスファ
イト(37μl, 0.40 mmol) を室温で加えて30分撹拌す
る。次に反応容器を−40℃に冷却し、15分間この温
度を保った後、ベンズアルデヒド(0.40mmol)を加え
た。59時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止さ
せ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄
後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシ
ュカラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1
/5、SiO2)によって精製することにより、目的と
するジメチル-(S)-ヒドロキシ−フェニルメチルホスホ
ネートを収率91%にて得た。本実施例に於ける化学反
応式を化55に示す。
3に示す。
ヒドロホスホニル化反応)実施例39で用いた、ベンズ
アルデヒドに代えて、p-メトキシベンズアルデヒドを
用いた他は、実施例39と同様の操作を行い、目的とす
るジメチル-(S)-ヒドロキシ(p−メトキシフェニル)
メチルホスホネートを収率72%にて得た。本実施例に
於ける化学反応式を化56に示す。
4に示す。
トール(以下、ALB−CNと略記する)を用いた不斉ヒト゛
ロホスホニル化反応-1)実施例5で得た、ALB−CNのテト
ラヒドロフラン溶液(0.1M, 0.40ml)を室温で1時間減
圧濃縮し、アルゴン雰囲気下でトルエンを0.4ml添加す
る。この溶液に対し、ジメチルホスファイト(37μl,
0.40mmol)を室温で加えて30分間撹拌する。次に反応
容器を−40℃に冷却し、15分間この温度を保った
後、p-メトキシベンズアルデヒド(0.40mmol)を加え
た。59時間反応後、1N塩酸を加えて反応を停止さ
せ、酢酸エチル(10ml×3回)で抽出し、食塩水で洗浄
後、Na2SO4で乾燥した。溶媒を溜去し、フラッシュ
カラムクロマトグラフィー(アセトン/ヘキサン=1/
5、SiO2)によって精製することにより、目的とす
るジメチル-(R)-ヒドロキシ(p−メトキシフェニル)
メチルホスホネートを収率25%にて得た。本実施例に
於ける化学反応式を化57に示す。
5に示す。
ヒドロホスホニル化反応)実施例41で用いた、p-メ
トキシベンズアルデヒドに代えて、2−メチルプロピオ
ンアルデヒドを用いた他は、実施例41と同様の操作を
行い、目的とするジメチル-(S)-1-ヒドロキシ-2-メチル
プロピルホスホネートを収率66%にて得た。本実施例
に於ける化学反応式を化58に示す。
6に示す。
ヒドロホスホニル化反応)実施例41で用いた、p-メ
トキシベンズアルデヒドに代えて、3-メチル-2-ブテ
ナールを用いた他は、実施例41と同様の操作を行い、
目的とするジメチル-(R)-1-ヒドロキシ-3-メチル-2-
ブテニルホスホネートを収率34%にて得た。本実施例
に於ける化学反応式を化59に示す。
7に示す。
で得たジメチル(S)-1-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブテ
ニルホスホネート(68% e.e., 54mg)をメタノール10
mlに溶解し、10%Pd/C(16mg)を加える。室温、水素
雰囲気下で3時間撹拌後、反応液をセライトを用いてろ
過し、酢酸エチルで洗った。有機層を減圧下で溶媒留去
し、残査をフラッシュカラムクロマトグラフィー(アセ
トン/ヘキサン=1/4、SiO2)によって精製する
ことにより、目的とするジメチル-(S)-1-ヒドロキシ-
3-メチルブチルホスホネートを収率98%で得た。こ
の化合物は、医薬品などの原料として有用であることが
知られている。本実施例に於ける化学反応式を化60に
示す。
8に示す。
ば、不斉マイケル反応、不斉ホスホニル化反応に於い
て、希土類金属元素を含有していない金属錯体を触媒と
して使用しているにもかかわらず、光学純度の高い光学
活性体を高収率で得ることができる。
Claims (17)
- 【請求項1】 光学活性ビナフトール又はその誘導体
と、水素化アルカリ金属アルミニウム又は水素化アルカ
リ金属アルミニウム化合物とを反応させて得られる金属
錯体を用いて不斉マイケル反応を行う、不斉マイケル付
加化合物の製造方法。 - 【請求項2】 光学活性ビナフトール又はその誘導体
と、水素化アルカリ金属アルミニウム又は水素化アルカ
リ金属アルミニウム化合物とを反応させて得られる金属
錯体を用いて、不斉ホスホニル化反応を行う、不斉ヒド
ロホスホニル化化合物の製造方法。 - 【請求項3】 光学活性ビナフトール又はその誘導体
と、水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を
含む塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基とを反応させ
て得られる金属錯体を用いて不斉マイケル反応を行う、
不斉マイケル付加化合物の製造方法。 - 【請求項4】 光学活性ビナフトール又はその誘導体
と、水素化ジアルキルアルミニウムと、アルカリ金属を
含む塩基又はアルカリ土類金属を含む塩基とを反応させ
て得られる金属錯体を用いて不斉ヒドロホスホニル化反
応を行う、不斉ヒドロホスホニル化化合物の製造方法。 - 【請求項5】 前記光学活性ビナフトール又はその誘導
体と、前記水素化アルカリ金属アルミニウムとの当量比
が1〜4:1である、請求項1又は2に記載の製造方
法。 - 【請求項6】 前記光学活性ビナフトール又はその誘導
体と、前記水素化ジアルキルアルミニウムと、前記アル
カリ金属を含む塩基又は前記アルカリ土類金属を含む塩
基との当量比が、1〜4:0.5〜2:1である、請求
項3又は4に記載の製造方法。 - 【請求項7】 前記光学活性ビナフトール誘導体が、一
般式化1に示される化合物の光学活性体である請求項1
〜6に記載の製造方法。 【化1】 (式中、R1,R2,R3及びR4は、それぞれ独立に、水
素原子、低級アルキル基、低級アルコキシル基、ハロゲ
ン、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される基
であり、R1〜R4は互いに同じ又は異なっていても良
い。) - 【請求項8】 前記金属錯体は、有機溶媒を用いて前記
反応を行うことにより得られる前記金属錯体又はその溶
液として用いられる請求項1〜7に記載の製造方法。 - 【請求項9】 前記有機溶媒がエーテル化合物である請
求項8に記載の製造方法。 - 【請求項10】 前記エーテル化合物が、テトラヒドロ
フラン、ジエチルエーテル、メチル−tert−ブチルエー
テル、ジオキサンからなる群から選択されるものである
請求項9に記載の製造方法。 - 【請求項11】 請求項1又は3に於ける前記不斉マイ
ケル反応が、シクロペンテノン又はシクロヘキセノン
と、マロン酸ジエステル又はアルキルマロン酸のジエス
テルとの反応である不斉化合物の製造方法。 - 【請求項12】 更に、脂肪酸又は芳香族のアルデヒド
を加えて不斉マイケル反応を行うことにより、下記一般
式化2で示される三成分連結型の光学活性化合物を得る
請求項11に記載の不斉化合物の製造方法 【化2】 (R1は脂肪族化合物又は芳香族化合物の残基、R2は水
素又はアルキル基、R3はアルキル基又はアラルキル基
である。) - 【請求項13】 請求項2又は4に於いて、前記不斉ホ
スホニル化反応をベンゼン、トルエン及びキシレンから
なる群から選択される有機溶媒を用いて行う不斉ヒドロ
ホスホニル化化合物の製造方法。 - 【請求項14】 請求項2、4又は13に於いて、前記
不斉ホスホニル化反応が下記一般式化3で示されるアル
デヒドと、 【化3】 (R1は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4のア
ルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ニトロ基、ア
ミノ基、アルキルアミノ基、又はジアルキルアミノ基で
ある。) 下記一般式化4で示される燐酸ジエステル化合物とを、
反応させることにより、 【化4】 (R2は、炭素数1〜8のアルキル基、アリールアルキ
ル基又はシリルアルキル基である。) 下記一般式化5で示される不斉ヒドロホスホニル化化合
物を得る反応である、不斉ヒドロホスホニル化化合物の
製造方法。 【化5】 (R1,R2はそれぞれ化3及び化4と同じであり、*は
不斉炭素原子を表わす。) - 【請求項15】 請求項2、4又は13に於いて、前記
不斉ホスホニル化反応が、下記一般式化6で示されるア
ルデヒドと、 【化6】 (R3,R4及びR5は互いに独立に、水素原子、フェニ
ル基、低級アルキル置換フェニル基、低級アルコキシ置
換フェニル基、又は炭素数1〜8のアルキル基若くはア
ルコキシ基であり、R3及びR4、又はR4及びR5によっ
てそれぞれ環状構造が形成されていてもよい。) 下記一般式化7で示される燐酸ジエステル化合物とを、
反応させることにより、 【化7】 (R6は、炭素数1〜8のアルキル基、アリールアルキ
ル基又はシリルアルキル基である。) 下記一般式化8で示される不斉ヒドロホスホニル化化合
物を得る反応である、不斉ヒドロホスホニル化化合物の
製造方法。 【化8】 (R3〜R6は、それぞれ化6及び化7と同じであり、*
は不斉炭素原子を表わす。) - 【請求項16】 請求項2、4又は13に於いて前記不
斉ホスホニル化反応が下記一般式化9で示されるアルデ
ヒドと、 【化9】 (R1は、直鎖若くは分岐の炭素数1〜8のアルキル
基、又は炭素数3〜10の環状アルキル基である。) 下記一般式化10で示される燐酸ジエステル化合物と
を、不斉ホスホニル化反応させることにより、 【化10】 (R2は、炭素数1〜8のアルキル基、アリールアルキ
ル基又はシリルアルキル基である。) 下記一般式化11で示される不斉ヒドロホスホニル化化
合物を得る反応である、不斉ヒドロホスホニル化化合物
の製造方法。 【化11】 (R1及びR2は、それぞれ化10及び化11と同じであ
り、*は不斉炭素原子を表わす。) - 【請求項17】 前記不斉ホスホニル化反応が、−70
℃〜45℃の範囲で行われる請求項14乃至16の何れ
かに記載の不斉ホスホニル化化合物の製造方法。
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